JPH11213355A - 磁気抵抗効果素子 - Google Patents
磁気抵抗効果素子Info
- Publication number
- JPH11213355A JPH11213355A JP1307698A JP1307698A JPH11213355A JP H11213355 A JPH11213355 A JP H11213355A JP 1307698 A JP1307698 A JP 1307698A JP 1307698 A JP1307698 A JP 1307698A JP H11213355 A JPH11213355 A JP H11213355A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- ferromagnetic
- nonmagnetic
- magnetic
- spin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3268—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3268—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn
- H01F10/3272—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn by use of anti-parallel coupled [APC] ferromagnetic layers, e.g. artificial ferrimagnets [AFI], artificial [AAF] or synthetic [SAF] anti-ferromagnets
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＭＲヘッド等の再生部に用いられる磁気抵抗
効果素子おいて、より大きな抵抗変化率を得ることによ
り、高感度、高出力化を可能とする。 【解決手段】 第１の強磁性膜２２（自由層）を強磁性
膜２３と非磁性膜２４の積層構造とし、かつ前記強磁性
膜２３の磁化方向が相互作用により反強磁性整列の状態
となるように構成した。
効果素子おいて、より大きな抵抗変化率を得ることによ
り、高感度、高出力化を可能とする。 【解決手段】 第１の強磁性膜２２（自由層）を強磁性
膜２３と非磁性膜２４の積層構造とし、かつ前記強磁性
膜２３の磁化方向が相互作用により反強磁性整列の状態
となるように構成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ＨＤＤ等の磁気
ディスク装置やＤＣＣ等の磁気テープ装置の磁気ヘッド
等に用いられる磁気抵抗効果素子に関する。
ディスク装置やＤＣＣ等の磁気テープ装置の磁気ヘッド
等に用いられる磁気抵抗効果素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＨＤＤ等の磁気ディスク装置で
は、これまでのインダクティブヘッドに代わって、記録
・再生分離型薄膜磁気ヘッドが採用されつつある。この
磁気ヘッドでは、記録部にインダクティブヘッドが、再
生部には磁気抵抗効果型ヘッド（以下、ＭＲヘッド）が
用いられている。このＭＲヘッドは、従来のコイルを巻
いたインダクティブヘッドよりも再生特性が高感度、高
出力であるため、装置の小型化、高密度化に有利と考え
られている。
は、これまでのインダクティブヘッドに代わって、記録
・再生分離型薄膜磁気ヘッドが採用されつつある。この
磁気ヘッドでは、記録部にインダクティブヘッドが、再
生部には磁気抵抗効果型ヘッド（以下、ＭＲヘッド）が
用いられている。このＭＲヘッドは、従来のコイルを巻
いたインダクティブヘッドよりも再生特性が高感度、高
出力であるため、装置の小型化、高密度化に有利と考え
られている。
【０００３】ＭＲヘッドでは、記録媒体からの磁界を感
知して抵抗が変化し、その変化が再生信号となるため、
抵抗変化率の大きさが重要となる。しかし、従来のＭＲ
ヘッドに用いられているＮｉＦｅ合金の抵抗変化率は２
〜３％程度であり、今後求められる高感度、高出力化に
は不十分である。
知して抵抗が変化し、その変化が再生信号となるため、
抵抗変化率の大きさが重要となる。しかし、従来のＭＲ
ヘッドに用いられているＮｉＦｅ合金の抵抗変化率は２
〜３％程度であり、今後求められる高感度、高出力化に
は不十分である。
【０００４】一方、強磁性膜と非磁性膜を交互に積層し
てなる多層積層膜（人工格子膜）においては、非磁性膜
を適当な膜厚にすると、外部磁界がないとき、相互作用
により強磁性膜の磁化方向が一層づつ反転する、いわゆ
る反強磁性整列状態が実現することが確認されている。
このような状態で外部磁界を掛けると数十％の抵抗変化
率が得られる。しかし、この人工格子膜が数十％の抵抗
変化率を示すためには、大きな外部磁界が必要となるた
め、現状では磁気ヘッドへの応用は困難であると考えら
れる。
てなる多層積層膜（人工格子膜）においては、非磁性膜
を適当な膜厚にすると、外部磁界がないとき、相互作用
により強磁性膜の磁化方向が一層づつ反転する、いわゆ
る反強磁性整列状態が実現することが確認されている。
このような状態で外部磁界を掛けると数十％の抵抗変化
率が得られる。しかし、この人工格子膜が数十％の抵抗
変化率を示すためには、大きな外部磁界が必要となるた
め、現状では磁気ヘッドへの応用は困難であると考えら
れる。
【０００５】また、これとは別にスピンバルブ膜と呼ば
れる積層膜も報告されている。この膜の抵抗変化率は３
〜１０％であり、人工格子膜よりは小さいが、小さな磁
界で抵抗変化が起きるため、磁気ヘッドへの応用が期待
されている。
れる積層膜も報告されている。この膜の抵抗変化率は３
〜１０％であり、人工格子膜よりは小さいが、小さな磁
界で抵抗変化が起きるため、磁気ヘッドへの応用が期待
されている。
【０００６】図３は、従来の一般的なスピンバルブ膜の
構成を示す概略断面図である。スピンバルブ膜の中心部
分は、非磁性金属の薄膜である非磁性中間膜１０と、こ
の中間膜１０により分離された第１の強磁性膜１１（自
由層）と第２の強磁性膜１２（固定層）により構成され
ている。このうち、第１の強磁性膜１１の下層には下地
膜１３が積層され、第２の強磁性膜１２の上層には反強
磁性膜１４、保護膜１５が積層されている。なお、図３
は外部磁界が加わる方向から見たときの断面を示してい
る。
構成を示す概略断面図である。スピンバルブ膜の中心部
分は、非磁性金属の薄膜である非磁性中間膜１０と、こ
の中間膜１０により分離された第１の強磁性膜１１（自
由層）と第２の強磁性膜１２（固定層）により構成され
ている。このうち、第１の強磁性膜１１の下層には下地
膜１３が積層され、第２の強磁性膜１２の上層には反強
磁性膜１４、保護膜１５が積層されている。なお、図３
は外部磁界が加わる方向から見たときの断面を示してい
る。
【０００７】前記固定層と自由層の磁化容易軸の方向
（以下、磁化方向）は、外部磁界に対しそれぞれ異なっ
た変化をするように設定されている。すなわち、固定層
は記録媒体からの信号磁界に対し常に磁化方向が保持さ
れるように、自由層は記録媒体からの信号磁界により磁
化方向が回転するように設定されている。このような磁
化方向を作り出す方法としては、例えば自由層には保持
力の小さい磁性膜、すなわち軟磁気特性の良い磁性膜を
用い、固定層には反強磁性膜を積層したときの交換結合
磁界を利用して固着する方法、あるいは保磁力の大きな
磁性膜を用い固着する方法などがある。
（以下、磁化方向）は、外部磁界に対しそれぞれ異なっ
た変化をするように設定されている。すなわち、固定層
は記録媒体からの信号磁界に対し常に磁化方向が保持さ
れるように、自由層は記録媒体からの信号磁界により磁
化方向が回転するように設定されている。このような磁
化方向を作り出す方法としては、例えば自由層には保持
力の小さい磁性膜、すなわち軟磁気特性の良い磁性膜を
用い、固定層には反強磁性膜を積層したときの交換結合
磁界を利用して固着する方法、あるいは保磁力の大きな
磁性膜を用い固着する方法などがある。
【０００８】スピンバルブ膜の電気抵抗は、２層の磁化
方向の角度の余弦の関数として変化し、自由層と固定層
のそれぞれの磁化の向きが同一方向を向いた時（０度）
に電気抵抗は最小になり、逆に反対を向いた時（１８０
度）に最大となる。記録媒体からの信号磁界により、こ
の変化が生じることで再生信号が得られる。
方向の角度の余弦の関数として変化し、自由層と固定層
のそれぞれの磁化の向きが同一方向を向いた時（０度）
に電気抵抗は最小になり、逆に反対を向いた時（１８０
度）に最大となる。記録媒体からの信号磁界により、こ
の変化が生じることで再生信号が得られる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
のＭＲヘッドは抵抗変化率が２〜３％程度であるため、
高感度、高出力化には不十分であった。また、人工格子
膜は大きな抵抗変化率を得ることができるが、そのため
には大きな外部磁界が必要となるため、現状では磁気ヘ
ッドへの応用は困難であった。
のＭＲヘッドは抵抗変化率が２〜３％程度であるため、
高感度、高出力化には不十分であった。また、人工格子
膜は大きな抵抗変化率を得ることができるが、そのため
には大きな外部磁界が必要となるため、現状では磁気ヘ
ッドへの応用は困難であった。
【００１０】一方、スピンバルブ膜は比較的大きな抵抗
変化率を小さな外部磁界で得ることができるため、高感
度、高出力化が可能であり、磁気ヘッドへの応用が期待
されている。このスピンバルブ膜を磁気ヘッドへ応用し
た場合には、抵抗変化率が大きくなるために再生出力が
増大し、狭トラックのヘッドを実現することができる。
狭トラック化が実現できれば、今後、記録媒体の面記録
密度向上に対応してトラック密度をさらに高密度化する
ことが可能となる。しかし、現状の磁性材料と膜構成で
は抵抗変化率の特性向上にも限界があり、今後求められ
る高密度化に対応することは難しいと考えられている。
変化率を小さな外部磁界で得ることができるため、高感
度、高出力化が可能であり、磁気ヘッドへの応用が期待
されている。このスピンバルブ膜を磁気ヘッドへ応用し
た場合には、抵抗変化率が大きくなるために再生出力が
増大し、狭トラックのヘッドを実現することができる。
狭トラック化が実現できれば、今後、記録媒体の面記録
密度向上に対応してトラック密度をさらに高密度化する
ことが可能となる。しかし、現状の磁性材料と膜構成で
は抵抗変化率の特性向上にも限界があり、今後求められ
る高密度化に対応することは難しいと考えられている。
【００１１】この発明の目的は、従来に比べてより大き
な抵抗変化率を得ることにより、高感度、高出力化を図
り、磁気ヘッドに応用した場合にトラック密度のさらな
る高密度化を実現することができる磁気抵抗効果素子を
提供することを目的とする。
な抵抗変化率を得ることにより、高感度、高出力化を図
り、磁気ヘッドに応用した場合にトラック密度のさらな
る高密度化を実現することができる磁気抵抗効果素子を
提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の発明は、基板上に第１の強磁性膜（自由
層）、非磁性中間膜、第２の強磁性膜（固定層）、反強
磁性膜が順に成膜された積層膜を備えた磁気抵抗効果素
子であって、前記第１の強磁性膜が強磁性膜と非磁性膜
の積層構造を持ち、かつ前記強磁性膜の磁化方向が相互
作用により反強磁性整列していることを特徴とする。
め、請求項１の発明は、基板上に第１の強磁性膜（自由
層）、非磁性中間膜、第２の強磁性膜（固定層）、反強
磁性膜が順に成膜された積層膜を備えた磁気抵抗効果素
子であって、前記第１の強磁性膜が強磁性膜と非磁性膜
の積層構造を持ち、かつ前記強磁性膜の磁化方向が相互
作用により反強磁性整列していることを特徴とする。
【００１３】請求項２の発明は、請求項１において、前
記非磁性膜の膜厚が１ｎｍ又は２ｎｍであることを特徴
とする。
記非磁性膜の膜厚が１ｎｍ又は２ｎｍであることを特徴
とする。
【００１４】従来のスピンバルブ膜では、非磁性中間膜
を流れる電子が上下の自由層と固定層のそれぞれの界面
で散乱されることにより抵抗変化が起こっているが、上
記のような構造を採ることにより、自由層内部でも反強
磁性整列により電子が散乱されるため抵抗変化が起こる
ため、この２つの作用が重畳されてより大きな抵抗変化
が生じることになる。
を流れる電子が上下の自由層と固定層のそれぞれの界面
で散乱されることにより抵抗変化が起こっているが、上
記のような構造を採ることにより、自由層内部でも反強
磁性整列により電子が散乱されるため抵抗変化が起こる
ため、この２つの作用が重畳されてより大きな抵抗変化
が生じることになる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、この発明に係わる磁気抵抗
効果素子をスピンバルブ型ＭＲヘッドに適用した場合の
一実施形態について説明する。
効果素子をスピンバルブ型ＭＲヘッドに適用した場合の
一実施形態について説明する。
【００１６】図１は、この実施形態に係わるスピンバル
ブ型ＭＲヘッドに用いられるスピンバルブ膜の構成を示
す概略断面図である。この膜をスピンバルブ型ＭＲヘッ
ドの再生部に組み込む場合には、スピンバルブ膜に電流
を流すための一対の電極などが配置される。
ブ型ＭＲヘッドに用いられるスピンバルブ膜の構成を示
す概略断面図である。この膜をスピンバルブ型ＭＲヘッ
ドの再生部に組み込む場合には、スピンバルブ膜に電流
を流すための一対の電極などが配置される。
【００１７】図１に示すスピンバルブ膜の成膜にはスパ
ッタ法を用い、成膜中に基板面内方向に磁界を印加しな
がら、図示しないガラス基板上に下地膜２１としてＴ
ａ、第１の強磁性膜（自由層）２２として強磁性膜２３
であるＣｏＦｅ（９０−１０ａｔ％）、非磁性膜２４で
あるＣｕをそれぞれ交互に積層した積層膜、非磁性中間
膜２５としてＣｕ、第２の強磁性膜（固定層）２６とし
てＣｏＦｅ、反強磁性膜２７としてＩｒＭｎ（２０−８
０ａｔ％）、保護膜２８としてＴａを順次成膜すること
により、Ｔａ５ｎｍ／ＣｏＦｅ１．５ｎｍ／Ｃｕ１ｎｍ
積層／Ｃｕ２．５ｎｍ／ＣｏＦｅ３ｎｍ／ＩｒＭｎ１０
ｎｍ／Ｔａ５ｎｍのスピンバルブ構造の積層膜を得た。
ッタ法を用い、成膜中に基板面内方向に磁界を印加しな
がら、図示しないガラス基板上に下地膜２１としてＴ
ａ、第１の強磁性膜（自由層）２２として強磁性膜２３
であるＣｏＦｅ（９０−１０ａｔ％）、非磁性膜２４で
あるＣｕをそれぞれ交互に積層した積層膜、非磁性中間
膜２５としてＣｕ、第２の強磁性膜（固定層）２６とし
てＣｏＦｅ、反強磁性膜２７としてＩｒＭｎ（２０−８
０ａｔ％）、保護膜２８としてＴａを順次成膜すること
により、Ｔａ５ｎｍ／ＣｏＦｅ１．５ｎｍ／Ｃｕ１ｎｍ
積層／Ｃｕ２．５ｎｍ／ＣｏＦｅ３ｎｍ／ＩｒＭｎ１０
ｎｍ／Ｔａ５ｎｍのスピンバルブ構造の積層膜を得た。
【００１８】この実施形態では、強磁性膜２３と非磁性
膜２４を交互に４層に積層している。強磁性膜２３と非
磁性膜２４の積層数はこの実施形態の例に限らないが、
具体的には３〜７の範囲で積層するのが好ましい。ま
た、強磁性膜２３と非磁性膜２４の４層に積層すると、
その上面は非磁性膜２４となるが、非磁性中間層２５と
接する面には、非磁性／強磁性の界面作製のために強磁
性膜２３を積層している。
膜２４を交互に４層に積層している。強磁性膜２３と非
磁性膜２４の積層数はこの実施形態の例に限らないが、
具体的には３〜７の範囲で積層するのが好ましい。ま
た、強磁性膜２３と非磁性膜２４の４層に積層すると、
その上面は非磁性膜２４となるが、非磁性中間層２５と
接する面には、非磁性／強磁性の界面作製のために強磁
性膜２３を積層している。
【００１９】さらに、非磁性膜２４の膜厚は、自由層内
に積層された強磁性膜２３のそれぞれが反強磁性整列す
るように１ｎｍとした。強磁性膜２３の各層を反強磁性
整列させるためには、非磁性膜２４の膜厚を１ｎｍ又は
２ｎｍに設定する必要がある。なお、比較のために非磁
性膜２４の膜厚を０．８ｎｍとした積層膜も作成した。
また、いずれの積層膜も強磁性膜２３の膜厚は１．５ｎ
ｍとした。
に積層された強磁性膜２３のそれぞれが反強磁性整列す
るように１ｎｍとした。強磁性膜２３の各層を反強磁性
整列させるためには、非磁性膜２４の膜厚を１ｎｍ又は
２ｎｍに設定する必要がある。なお、比較のために非磁
性膜２４の膜厚を０．８ｎｍとした積層膜も作成した。
また、いずれの積層膜も強磁性膜２３の膜厚は１．５ｎ
ｍとした。
【００２０】このようにして得られた積層膜からなるス
ピンバルブ膜について抵抗変化率を調べた。結果を表１
に示す。表１は、自由層の非磁性膜２４の膜厚が１ｎｍ
の時（反強磁性整列をしている場合）と非磁性膜２４の
膜厚が０．８ｎｍの時（反強磁性整列していない場合）
の抵抗変化率（％）を示したものである。自由層の非磁
性膜２４の膜厚を１ｎｍとした場合は、膜厚を０．８ｎ
ｍとした場合に比べて抵抗変化率が約４０％向上するこ
とが明らかとなった。
ピンバルブ膜について抵抗変化率を調べた。結果を表１
に示す。表１は、自由層の非磁性膜２４の膜厚が１ｎｍ
の時（反強磁性整列をしている場合）と非磁性膜２４の
膜厚が０．８ｎｍの時（反強磁性整列していない場合）
の抵抗変化率（％）を示したものである。自由層の非磁
性膜２４の膜厚を１ｎｍとした場合は、膜厚を０．８ｎ
ｍとした場合に比べて抵抗変化率が約４０％向上するこ
とが明らかとなった。
【００２１】
【表１】 次に、本実施形態のスピンバルブ膜において抵抗変化率
が向上する理由について説明する。図２は、積層構造を
持つ自由層の磁化方向を模式的に示したもので、（Ａ）
は強磁性整列した自由層、（Ｂ）は反強磁性整列した自
由層をそれぞれ示している。図中、矢印が描かれた層は
強磁性膜（２３）であり、矢印の向きは磁化方向を示し
ている。
が向上する理由について説明する。図２は、積層構造を
持つ自由層の磁化方向を模式的に示したもので、（Ａ）
は強磁性整列した自由層、（Ｂ）は反強磁性整列した自
由層をそれぞれ示している。図中、矢印が描かれた層は
強磁性膜（２３）であり、矢印の向きは磁化方向を示し
ている。
【００２２】通常のスピンバルブ膜では、図１の非磁性
中間膜２５を流れる電子が上下の自由層と固定層のそれ
ぞれの界面で散乱されることにより抵抗変化が起こって
いる。図２（Ａ）のようなスピンバルブ膜では、強磁性
膜の磁化方向が一方向に揃っているため、その磁化方向
と逆向きのスピンをもつ電子ｅ- （図示せず）は膜間で
散乱されるが、同じ向きのスピンをもつ電子ｅ- は膜間
を通過することができるため、抵抗は小さくなる。すな
わち、図２（Ａ）のようなスピンバルブ膜では、電子が
自由層と固定層のそれぞれの界面で散乱される作用がほ
とんどであり、自由層内部での散乱は少ないため、大き
な抵抗変化は得られない。
中間膜２５を流れる電子が上下の自由層と固定層のそれ
ぞれの界面で散乱されることにより抵抗変化が起こって
いる。図２（Ａ）のようなスピンバルブ膜では、強磁性
膜の磁化方向が一方向に揃っているため、その磁化方向
と逆向きのスピンをもつ電子ｅ- （図示せず）は膜間で
散乱されるが、同じ向きのスピンをもつ電子ｅ- は膜間
を通過することができるため、抵抗は小さくなる。すな
わち、図２（Ａ）のようなスピンバルブ膜では、電子が
自由層と固定層のそれぞれの界面で散乱される作用がほ
とんどであり、自由層内部での散乱は少ないため、大き
な抵抗変化は得られない。
【００２３】一方、図２（Ｂ）のようなスピンバルブ膜
では、強磁性膜の磁化方向が一層ごとに反転しているた
め、いずれの向きのスピンをもつ電子も、そのスピンの
向きと逆方向に磁化された膜間を通過することができず
に散乱するため、抵抗は大きくなる。すなわち、図２
（Ｂ）のようなスピンバルブ膜では、従来の電子が自由
層と固定層のそれぞれの界面で散乱される作用に加え
て、自由層内部でも散乱が生じるため、この２つの作用
が重畳されてより大きな抵抗変化が生じると考えれられ
る。
では、強磁性膜の磁化方向が一層ごとに反転しているた
め、いずれの向きのスピンをもつ電子も、そのスピンの
向きと逆方向に磁化された膜間を通過することができず
に散乱するため、抵抗は大きくなる。すなわち、図２
（Ｂ）のようなスピンバルブ膜では、従来の電子が自由
層と固定層のそれぞれの界面で散乱される作用に加え
て、自由層内部でも散乱が生じるため、この２つの作用
が重畳されてより大きな抵抗変化が生じると考えれられ
る。
【００２４】なお、この実施形態では、この発明に係わ
る磁気抵抗効果素子をスピンバルブ型ＭＲヘッドに適用
した場合について示したが、本発明の用途は磁気ヘッド
に限定されるものではなく、例えばＤＲＡＭに代わる磁
気固体メモリの記憶素子などにも適用可能である。
る磁気抵抗効果素子をスピンバルブ型ＭＲヘッドに適用
した場合について示したが、本発明の用途は磁気ヘッド
に限定されるものではなく、例えばＤＲＡＭに代わる磁
気固体メモリの記憶素子などにも適用可能である。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係わる磁
気抵抗効果素子によれば、従来に比べてより大きな抵抗
変化率を得ることができるので、高感度、高出力化が可
能となり、磁気ヘッドに応用した場合にはトラック密度
のさらなる高密度化を実現することができる。
気抵抗効果素子によれば、従来に比べてより大きな抵抗
変化率を得ることができるので、高感度、高出力化が可
能となり、磁気ヘッドに応用した場合にはトラック密度
のさらなる高密度化を実現することができる。
【図１】実施形態のスピンバルブ型ＭＲヘッドに用いら
れるスピンバルブ膜の構成を示す概略断面図。
れるスピンバルブ膜の構成を示す概略断面図。
【図２】積層構造を持つ自由層の磁化方向を模式的に示
す説明図。
す説明図。
【図３】従来の一般的なスピンバルブ膜の構成を示す概
略断面図。
略断面図。
２２ 第１の強磁性膜（自由層） ２３ 強磁性膜 ２４ 非磁性膜 ２５ 非磁性中間膜 ２６ 第２の強磁性膜（固定層） ２７ 反強磁性膜
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に第１の強磁性膜、非磁性中間
膜、第２の強磁性膜、反強磁性膜が順に成膜された積層
膜を備えた磁気抵抗効果素子であって、 前記第１の強磁性膜が強磁性膜と非磁性膜の積層構造を
持ち、かつ前記強磁性膜の磁化方向が相互作用により反
強磁性整列していることを特徴とする磁気抵抗効果素
子。 - 【請求項２】 前記非磁性膜の膜厚が１ｎｍ又は２ｎｍ
であることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1307698A JPH11213355A (ja) | 1998-01-26 | 1998-01-26 | 磁気抵抗効果素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1307698A JPH11213355A (ja) | 1998-01-26 | 1998-01-26 | 磁気抵抗効果素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11213355A true JPH11213355A (ja) | 1999-08-06 |
Family
ID=11823078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1307698A Pending JPH11213355A (ja) | 1998-01-26 | 1998-01-26 | 磁気抵抗効果素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11213355A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6934132B2 (en) | 2000-08-03 | 2005-08-23 | Nec Corporation | Magneto-resistance effect element, magneto-resistance effect head, magneto-resistance transducer system, and magnetic storage system |
-
1998
- 1998-01-26 JP JP1307698A patent/JPH11213355A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6934132B2 (en) | 2000-08-03 | 2005-08-23 | Nec Corporation | Magneto-resistance effect element, magneto-resistance effect head, magneto-resistance transducer system, and magnetic storage system |
| US6999287B2 (en) | 2000-08-03 | 2006-02-14 | Nec Corporation | Magneto-resistance effect element, magneto-resistance effect head, magneto-resistance transducer system, and magnetic storage system |
| US7158355B2 (en) | 2000-08-03 | 2007-01-02 | Nec Corporation | Magneto-resistance effect element, magneto-resistance effect head, magneto-resistance transducer system, and magnetic storage system |
| US7161774B2 (en) | 2000-08-03 | 2007-01-09 | Nec Corporation | Magneto-resistance effect element, magneto-resistance effect head, magneto-resistance transducer system, and magnetic storage system |
| US7265949B2 (en) | 2000-08-03 | 2007-09-04 | Nec Corporation | Magneto-resistance effect element, magneto-resistance effect head, magneto-resistance transducer system, and magnetic storage system |
| US7277261B2 (en) | 2000-08-03 | 2007-10-02 | Nec Corporation | Magneto-resistance effect element, magneto-resistance effect head, magneto-resistance transducer system, and magnetic storage system |
| US7298596B2 (en) | 2000-08-03 | 2007-11-20 | Nec Corporation | Magneto-resistance effect element, magneto-resistance effect head, magneto-resistance transducer system, and magnetic storage system |
| US7369375B2 (en) | 2000-08-03 | 2008-05-06 | Nec Corporation | Magneto-resistance effect element and magneto-resistance effect head |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH104012A (ja) | 磁気抵抗効果素子及びその製造方法並びにそれを用いた磁気ヘッド | |
| US6721147B2 (en) | Longitudinally biased magnetoresistance effect magnetic head and magnetic reproducing apparatus | |
| JP2004178656A (ja) | 磁気記録ヘッド及び磁気記録再生装置 | |
| JP2001216612A (ja) | スピンバルブ型薄膜磁気素子およびこのスピンバルブ型薄膜磁気素子を備えた薄膜磁気ヘッド | |
| JP2001176028A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPH10289417A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JP2001118217A (ja) | スピンバルブ型薄膜磁気素子及び薄膜磁気ヘッド及びスピンバルブ型薄膜磁気素子の製造方法 | |
| JP2001155313A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPH11273029A (ja) | Ｇｍｒヘッド、ｇｍｒヘッドの製造方法及び磁気ディスク駆動装置 | |
| JP3212569B2 (ja) | デュアルスピンバルブ型薄膜磁気素子及び薄膜磁気ヘッド及びデュアルスピンバルブ型薄膜磁気素子の製造方法 | |
| JP3817399B2 (ja) | 磁気抵抗センサー | |
| JP3984839B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JPH09288807A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JP3190193B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの使用方法 | |
| JP3575672B2 (ja) | 磁気抵抗効果膜及び磁気抵抗効果素子 | |
| JP3137288B2 (ja) | 交換結合膜、磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッドおよび磁気抵抗効果素子の製造方法 | |
| JPH10294217A (ja) | スピンバルブ型磁気抵抗効果膜及びこれを有する磁気ヘッド | |
| JP3242279B2 (ja) | 巨大磁気抵抗材料膜および磁気抵抗材料膜の磁化の調整方法 | |
| JP3261698B2 (ja) | 磁気ヘッドおよび磁気抵抗効果素子 | |
| JPH06318515A (ja) | 磁気抵抗素子およびその製造方法並びに磁気ヘッドおよび磁気記録装置 | |
| JPH11213355A (ja) | 磁気抵抗効果素子 | |
| JP3260735B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、および磁気記録再生装置 | |
| JP2003204093A (ja) | 磁気抵抗センサ | |
| JP3561026B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JPH103620A (ja) | 磁気抵抗効果素子及びその製造方法並びにそれを用いた磁気ヘッド |