JPH11211595A - 半導体圧力センサ用台座のメタライズ層の形成方法 - Google Patents
半導体圧力センサ用台座のメタライズ層の形成方法Info
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- JPH11211595A JPH11211595A JP1921198A JP1921198A JPH11211595A JP H11211595 A JPH11211595 A JP H11211595A JP 1921198 A JP1921198 A JP 1921198A JP 1921198 A JP1921198 A JP 1921198A JP H11211595 A JPH11211595 A JP H11211595A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ガラス台座２の内壁にメタライズ層が形成さ
れず、工程が増加することもなく、接合信頼性のよい半
導体圧力センサ用ガラス台座のメタライズ層の形成方法
を提供する。 【解決手段】 凹部を形成することにより薄肉状に形成
されたダイアフラム１１を有する半導体圧力センサチッ
プ１と、ダイアフラム１１に圧力を導入するための貫通
孔２１が形成され、半導体圧力センサチップ１に接合さ
れる台座２とを有してなる半導体圧力センサにおけるガ
ラス台座２の半導体圧力センサチップ１と接合しない側
の面にメタライズ層８を形成する方法であって、ガラス
台座２の貫通孔２１の形状と略同形状の断面形状を有す
るピン３１を挿入した状態で、半導体圧力センサチップ
１と接合しない側の面側からスパッタリングあるいは蒸
着によりメタライズ層８を形成する。
れず、工程が増加することもなく、接合信頼性のよい半
導体圧力センサ用ガラス台座のメタライズ層の形成方法
を提供する。 【解決手段】 凹部を形成することにより薄肉状に形成
されたダイアフラム１１を有する半導体圧力センサチッ
プ１と、ダイアフラム１１に圧力を導入するための貫通
孔２１が形成され、半導体圧力センサチップ１に接合さ
れる台座２とを有してなる半導体圧力センサにおけるガ
ラス台座２の半導体圧力センサチップ１と接合しない側
の面にメタライズ層８を形成する方法であって、ガラス
台座２の貫通孔２１の形状と略同形状の断面形状を有す
るピン３１を挿入した状態で、半導体圧力センサチップ
１と接合しない側の面側からスパッタリングあるいは蒸
着によりメタライズ層８を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ダイアフラムの形
成された半導体圧力センサチップと台座とを接合してな
る半導体圧力センサ用台座のメタライズ層の形成方法に
関するものである。
成された半導体圧力センサチップと台座とを接合してな
る半導体圧力センサ用台座のメタライズ層の形成方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体圧力センサは微圧領域の
圧力の測定を行うものであり、図３に示すように、凹部
を形成することにより薄肉状に形成されたダイアフラム
１１を有する半導体圧力センサチップ１がガラス台座２
に陽極接合等により接合され、中心にコバール製又は４
２アロイ等の金属パイプ４が配置されたＰＰＳやＰＢＴ
等のプラスチックパッケージ３内に設置される。半導体
圧力センサチップ１表面のアルミパッドとリード５とは
金又はアルミ製のワイヤ６で接続されている。なお、７
はプラスチックパッケージ３の蓋であり、１２は半導体
圧力センサチップ１に形成された歪みゲージ抵抗であ
り、１３は半導体圧力センサチップ１の表面を保護する
オーバーコートである。ガラス台座２の材料としては、
例えばパイレックスガラス（コーニング社製、品番♯７
７４０等）が用いられる。
圧力の測定を行うものであり、図３に示すように、凹部
を形成することにより薄肉状に形成されたダイアフラム
１１を有する半導体圧力センサチップ１がガラス台座２
に陽極接合等により接合され、中心にコバール製又は４
２アロイ等の金属パイプ４が配置されたＰＰＳやＰＢＴ
等のプラスチックパッケージ３内に設置される。半導体
圧力センサチップ１表面のアルミパッドとリード５とは
金又はアルミ製のワイヤ６で接続されている。なお、７
はプラスチックパッケージ３の蓋であり、１２は半導体
圧力センサチップ１に形成された歪みゲージ抵抗であ
り、１３は半導体圧力センサチップ１の表面を保護する
オーバーコートである。ガラス台座２の材料としては、
例えばパイレックスガラス（コーニング社製、品番♯７
７４０等）が用いられる。
【０００３】ガラス台座２の中心部には、半導体圧力セ
ンサチップ１のダイアフラム１１に圧力を印加するため
の貫通孔２１が形成され、ガラス台座２はこの貫通孔２
１と金属パイプ４の貫通孔４１とが対向するような配置
で、金属パイプ４に接合される。ガラス台座２と金属パ
イプ４とを接合するために、ガラス台座２の半導体圧力
センサチップ１と接合しない側の面にはメタライズ層８
が形成される。
ンサチップ１のダイアフラム１１に圧力を印加するため
の貫通孔２１が形成され、ガラス台座２はこの貫通孔２
１と金属パイプ４の貫通孔４１とが対向するような配置
で、金属パイプ４に接合される。ガラス台座２と金属パ
イプ４とを接合するために、ガラス台座２の半導体圧力
センサチップ１と接合しない側の面にはメタライズ層８
が形成される。
【０００４】ガラス台座２へのメタライズ層８の形成
は、まず、図４（ａ）に示すように、メタライズ層８を
形成すべき面の表面粗化を行い、次に、図４（ｂ）に示
すように、ガラス台座２を平面プレート１０上に密着し
て設置し、スパッタリングや蒸着により表面粗化した面
にメタライズ層８を形成する。メタライズ層８の例とし
ては、Ｃｒ（最下層）／Ｎｉ／Ａｕ（最上層）、Ｔｉ
（最下層）／Ｎｉ／Ａｕ（最上層）、Ｔｉ（最下層）／
Ｐｔ／Ａｕ（最上層）等が挙げられる。その後、図４
（ｃ）に示すように、ガラス台座２を平面プレート１０
から取り外す。
は、まず、図４（ａ）に示すように、メタライズ層８を
形成すべき面の表面粗化を行い、次に、図４（ｂ）に示
すように、ガラス台座２を平面プレート１０上に密着し
て設置し、スパッタリングや蒸着により表面粗化した面
にメタライズ層８を形成する。メタライズ層８の例とし
ては、Ｃｒ（最下層）／Ｎｉ／Ａｕ（最上層）、Ｔｉ
（最下層）／Ｎｉ／Ａｕ（最上層）、Ｔｉ（最下層）／
Ｐｔ／Ａｕ（最上層）等が挙げられる。その後、図４
（ｃ）に示すように、ガラス台座２を平面プレート１０
から取り外す。
【０００５】そして、金属パイプ４とガラス台座２とが
メタライズ層８を介して半田（錫、錫−アンチモン合
金、鉛、錫−鉛合金、金−シリコン合金、錫−銀合金
等）９により接合される。メタライズ層８の最上層のＡ
ｕの表面には半田９が塗れるのである。
メタライズ層８を介して半田（錫、錫−アンチモン合
金、鉛、錫−鉛合金、金−シリコン合金、錫−銀合金
等）９により接合される。メタライズ層８の最上層のＡ
ｕの表面には半田９が塗れるのである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ようなガラス台座２へのメタライズ層８の形成方法によ
れば、ガラス台座２の平面プレート１０に接している方
の面はメタライズされることはないが、貫通孔２１の内
壁にはメタル粒子が付着し、メタライズ層８が形成され
てしまう。
ようなガラス台座２へのメタライズ層８の形成方法によ
れば、ガラス台座２の平面プレート１０に接している方
の面はメタライズされることはないが、貫通孔２１の内
壁にはメタル粒子が付着し、メタライズ層８が形成され
てしまう。
【０００７】貫通孔２１の内壁にメタライズ層８が形成
されてしまうと、図５に示すように、ガラス台座２と半
導体圧力センサチップ１とを陽極接合する場合、高温
（約３００℃から４００℃）中で、高バイアス（約５０
０Ｖから８００Ｖ）が印加されるため、半導体圧力セン
サチップ１のガラス台座２との接合面の貫通孔２１に近
い個所と、貫通孔２１の内壁の上端部に形成されたメタ
ライズ層８との間で放電が生じ、半導体圧力センサチッ
プ１が破壊してしまうという問題があった。
されてしまうと、図５に示すように、ガラス台座２と半
導体圧力センサチップ１とを陽極接合する場合、高温
（約３００℃から４００℃）中で、高バイアス（約５０
０Ｖから８００Ｖ）が印加されるため、半導体圧力セン
サチップ１のガラス台座２との接合面の貫通孔２１に近
い個所と、貫通孔２１の内壁の上端部に形成されたメタ
ライズ層８との間で放電が生じ、半導体圧力センサチッ
プ１が破壊してしまうという問題があった。
【０００８】このような問題を改善するために、メタラ
イズ層８の形成に際して、図６に示すように、ガラス台
座２の貫通孔２１内にワックス２０を充填する方法があ
る。つまり、図６（ａ）に示すように、メタライズ層８
を形成すべき面の表面粗化を行い、図６（ｂ）に示すよ
うに、ガラス台座２を平面プレート１０上に密着して設
置した段階で、貫通孔２１内にワックス２０を充填す
る。ワックス２０は約１００℃から１５０℃程度の熱で
溶けるものを使用するが、メタライズ層８の形成時に加
わる温度によってはワックス２０の種類は適宜変更すれ
ば良い。ワックス２０の貫通孔２１内への充填方法は、
例えば、ディスペンサ等を用いて針先からワックスを吐
出することにより行う。その後、図６（ｃ）に示すよう
に、スパッタリングや蒸着により表面粗化した面にメタ
ライズ層８を形成する。メタライズ層８の形成完了後、
図６（ｄ）に示すように、ガラス台座２を平面プレート
１０から取り外し、ガラス台座２をを加熱することによ
り、貫通孔２１内に充填されたワックス２０を溶融して
除去する。このようにすることにより、貫通孔２１内に
メタライズ層８が形成されてしまうことを防止してい
た。
イズ層８の形成に際して、図６に示すように、ガラス台
座２の貫通孔２１内にワックス２０を充填する方法があ
る。つまり、図６（ａ）に示すように、メタライズ層８
を形成すべき面の表面粗化を行い、図６（ｂ）に示すよ
うに、ガラス台座２を平面プレート１０上に密着して設
置した段階で、貫通孔２１内にワックス２０を充填す
る。ワックス２０は約１００℃から１５０℃程度の熱で
溶けるものを使用するが、メタライズ層８の形成時に加
わる温度によってはワックス２０の種類は適宜変更すれ
ば良い。ワックス２０の貫通孔２１内への充填方法は、
例えば、ディスペンサ等を用いて針先からワックスを吐
出することにより行う。その後、図６（ｃ）に示すよう
に、スパッタリングや蒸着により表面粗化した面にメタ
ライズ層８を形成する。メタライズ層８の形成完了後、
図６（ｄ）に示すように、ガラス台座２を平面プレート
１０から取り外し、ガラス台座２をを加熱することによ
り、貫通孔２１内に充填されたワックス２０を溶融して
除去する。このようにすることにより、貫通孔２１内に
メタライズ層８が形成されてしまうことを防止してい
た。
【０００９】しかしながら、この場合には、貫通孔２１
内へのワックス２０の充填という工程が余分に増え、コ
ストアップになる。また、ワックスが貫通孔２１内以外
の周囲のガラス台座２面上に飛び散った場合、ワックス
上にメタライズ層８を形成してしまうことになり、メタ
ライズ層８のガラス台座２表面との接着力が低下する。
さらに、メタライズ層８の形成後、貫通孔２１内に充填
されたワックス２０を溶融して除去するが、このワック
ス２０の残さがガラス台座２の半導体圧力センサチップ
１と接合する面上に回り込むと、ガラス台座２と半導体
圧力センサチップ１との接合品質に著しい影響を及ぼす
ことになる。つまり、接合されず空隙（ボイド）が発生
したりして接合強度が低下する。ワックス２０の残さを
除去するために溶融有機溶剤（アセトン、イソプロピル
アルコール等）で洗浄することも考えられるが、洗浄工
程が増えるし、洗浄後の残さレベルの確認等、品質管理
が難しい。特に、ワックス２０が不透明な場合には、目
視検査ができず、洗浄性の評価ができないという問題が
あった。
内へのワックス２０の充填という工程が余分に増え、コ
ストアップになる。また、ワックスが貫通孔２１内以外
の周囲のガラス台座２面上に飛び散った場合、ワックス
上にメタライズ層８を形成してしまうことになり、メタ
ライズ層８のガラス台座２表面との接着力が低下する。
さらに、メタライズ層８の形成後、貫通孔２１内に充填
されたワックス２０を溶融して除去するが、このワック
ス２０の残さがガラス台座２の半導体圧力センサチップ
１と接合する面上に回り込むと、ガラス台座２と半導体
圧力センサチップ１との接合品質に著しい影響を及ぼす
ことになる。つまり、接合されず空隙（ボイド）が発生
したりして接合強度が低下する。ワックス２０の残さを
除去するために溶融有機溶剤（アセトン、イソプロピル
アルコール等）で洗浄することも考えられるが、洗浄工
程が増えるし、洗浄後の残さレベルの確認等、品質管理
が難しい。特に、ワックス２０が不透明な場合には、目
視検査ができず、洗浄性の評価ができないという問題が
あった。
【００１０】本発明は、上記の点に鑑みてなしたもので
あり、その目的とするところは、ガラス台座２の内壁に
メタライズ層が形成されず、工程が増加することもな
く、接合信頼性のよい半導体圧力センサ用ガラス台座の
メタライズ層の形成方法を提供することにある。
あり、その目的とするところは、ガラス台座２の内壁に
メタライズ層が形成されず、工程が増加することもな
く、接合信頼性のよい半導体圧力センサ用ガラス台座の
メタライズ層の形成方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
凹部を形成することにより薄肉状に形成されたダイアフ
ラムを有する半導体圧力センサチップと、前記ダイアフ
ラムに圧力を導入するための貫通孔が形成され、前記半
導体圧力センサチップに接合される台座とを有してなる
半導体圧力センサにおける前記ガラス台座の前記半導体
圧力センサチップと接合しない側の面にメタライズ層を
形成する方法であって、前記ガラス台座の貫通孔の形状
と略同形状の断面形状を有するピンを挿入した状態で、
前記接合しない側の面側からスパッタリングあるいは蒸
着によりメタライズ層を形成するようにしたことを特徴
とするものである。
凹部を形成することにより薄肉状に形成されたダイアフ
ラムを有する半導体圧力センサチップと、前記ダイアフ
ラムに圧力を導入するための貫通孔が形成され、前記半
導体圧力センサチップに接合される台座とを有してなる
半導体圧力センサにおける前記ガラス台座の前記半導体
圧力センサチップと接合しない側の面にメタライズ層を
形成する方法であって、前記ガラス台座の貫通孔の形状
と略同形状の断面形状を有するピンを挿入した状態で、
前記接合しない側の面側からスパッタリングあるいは蒸
着によりメタライズ層を形成するようにしたことを特徴
とするものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の一例
を図面に基づき説明する。図１は本発明の実施の形態の
一例に係る半導体圧力センサ用ガラス台座のメタライズ
層の形成方法を示す工程図である。まず、図１（ａ）に
示すように、円盤状のガラス台座２（直径約１００ｍｍ
から１５０ｍｍ、厚み約０．５ｍｍから３ｍｍ）には、
超音波加工法等により貫通孔２１が形成されている。貫
通孔２１の大きさは直径約０．６ｍｍから１．５ｍｍで
ある。このガラス台座２の一方の面は表面粗化が行われ
る。つまり、ガラス台座２の一方の面に対して、目の粗
い砥石で研磨し、又は、サンドブラスト法により吐粒を
吹きかけ、粗面化し、後述のメタライズ層の形成時に金
属が付着しやすいようにしておく。次に、図１（ｂ）に
示すように、ガラス台座２の貫通孔２１の位置に対応し
た位置にピン３１が形成されたプレート３０に、ガラス
台座２の貫通孔２１にピン３１がを挿入するようにし
て、粗面化していない方の面を密着するようにして設置
する。ピン３１は、その断面形状が貫通孔２１の形状と
略同一にしてある。この状態で、図１（ｃ）に示すよう
に、ガラス台座２の粗面化した面側にスパッタリングや
蒸着によりメタライズ層８を形成する。スパッタリング
の場合には、ターゲット（メタライズ層８の材料となる
板）のまわりを、圧力を１０-2Ｔｏｒｒ〜１０-4Ｔｏｒ
ｒにして基板や真空容器（接地）とターゲットとの間に
数百Ｖ〜数ＫＶの電圧を印加してプラズマを発生させ
る。このプラズマ中のイオンがターゲット表面の原子を
跳ね飛ばし、基板（ガラス）の上に付着することにより
膜を形成するのである。この方法でターゲットを変える
ことにより複数の金属層を積層し、メタライズ層８が形
成される。メタライズ層８の例としては、Ｃｒ（最下
層）／Ｎｉ／Ａｕ（最上層）、Ｔｉ（最下層）／Ｎｉ／
Ａｕ（最上層）、Ｔｉ（最下層）／Ｐｔ／Ａｕ（最上
層）等が挙げられる。なお、スパッタリングはピン３１
の先端方向から行う。その後、図１（ｄ）に示すよう
に、ガラス台座２をプレート３０から取り外す。
を図面に基づき説明する。図１は本発明の実施の形態の
一例に係る半導体圧力センサ用ガラス台座のメタライズ
層の形成方法を示す工程図である。まず、図１（ａ）に
示すように、円盤状のガラス台座２（直径約１００ｍｍ
から１５０ｍｍ、厚み約０．５ｍｍから３ｍｍ）には、
超音波加工法等により貫通孔２１が形成されている。貫
通孔２１の大きさは直径約０．６ｍｍから１．５ｍｍで
ある。このガラス台座２の一方の面は表面粗化が行われ
る。つまり、ガラス台座２の一方の面に対して、目の粗
い砥石で研磨し、又は、サンドブラスト法により吐粒を
吹きかけ、粗面化し、後述のメタライズ層の形成時に金
属が付着しやすいようにしておく。次に、図１（ｂ）に
示すように、ガラス台座２の貫通孔２１の位置に対応し
た位置にピン３１が形成されたプレート３０に、ガラス
台座２の貫通孔２１にピン３１がを挿入するようにし
て、粗面化していない方の面を密着するようにして設置
する。ピン３１は、その断面形状が貫通孔２１の形状と
略同一にしてある。この状態で、図１（ｃ）に示すよう
に、ガラス台座２の粗面化した面側にスパッタリングや
蒸着によりメタライズ層８を形成する。スパッタリング
の場合には、ターゲット（メタライズ層８の材料となる
板）のまわりを、圧力を１０-2Ｔｏｒｒ〜１０-4Ｔｏｒ
ｒにして基板や真空容器（接地）とターゲットとの間に
数百Ｖ〜数ＫＶの電圧を印加してプラズマを発生させ
る。このプラズマ中のイオンがターゲット表面の原子を
跳ね飛ばし、基板（ガラス）の上に付着することにより
膜を形成するのである。この方法でターゲットを変える
ことにより複数の金属層を積層し、メタライズ層８が形
成される。メタライズ層８の例としては、Ｃｒ（最下
層）／Ｎｉ／Ａｕ（最上層）、Ｔｉ（最下層）／Ｎｉ／
Ａｕ（最上層）、Ｔｉ（最下層）／Ｐｔ／Ａｕ（最上
層）等が挙げられる。なお、スパッタリングはピン３１
の先端方向から行う。その後、図１（ｄ）に示すよう
に、ガラス台座２をプレート３０から取り外す。
【００１３】以上のようにして、メタライズ層８の形成
されたガラス台座２は、図２に示すように、メタライズ
層８の形成面側が半田９を介して金属パイプ４に接合さ
れ、反対側の面が半導体圧力センサチップ１に陽極接合
により接合される。陽極接合の条件としては、真空雰囲
気中で約４００℃に加熱し、約５００Ｖ〜８００Ｖの直
流電圧を半導体圧力センサチップ１側が正極になるよう
に印加すると、静電引力により原子的に接合されるので
ある。
されたガラス台座２は、図２に示すように、メタライズ
層８の形成面側が半田９を介して金属パイプ４に接合さ
れ、反対側の面が半導体圧力センサチップ１に陽極接合
により接合される。陽極接合の条件としては、真空雰囲
気中で約４００℃に加熱し、約５００Ｖ〜８００Ｖの直
流電圧を半導体圧力センサチップ１側が正極になるよう
に印加すると、静電引力により原子的に接合されるので
ある。
【００１４】本実施形態によれば、ガラス台座２の貫通
孔２１の内壁２２は、メタライズ層８の形成工程時には
ピン３１がを挿入されているので、メタライズ層が形成
されることはなくなり、金属パイプ４との接合面にのみ
形成される。従って、ガラス台座２と半導体圧力センサ
チップ１とを陽極接合する場合に、放電により半導体圧
力センサチップ１が破壊することがなく、また、ワック
スを充填する等の余分な工程が増加することもなく、さ
らには、ガラス台座２と半導体圧力センサチップ１や金
属パイプ４との接合信頼性も向上するのである。
孔２１の内壁２２は、メタライズ層８の形成工程時には
ピン３１がを挿入されているので、メタライズ層が形成
されることはなくなり、金属パイプ４との接合面にのみ
形成される。従って、ガラス台座２と半導体圧力センサ
チップ１とを陽極接合する場合に、放電により半導体圧
力センサチップ１が破壊することがなく、また、ワック
スを充填する等の余分な工程が増加することもなく、さ
らには、ガラス台座２と半導体圧力センサチップ１や金
属パイプ４との接合信頼性も向上するのである。
【００１５】
【発明の効果】以上のように、請求項１記載の発明によ
れば、凹部を形成することにより薄肉状に形成されたダ
イアフラムを有する半導体圧力センサチップと、前記ダ
イアフラムに圧力を導入するための貫通孔が形成され、
前記半導体圧力センサチップに接合される台座とを有し
てなる半導体圧力センサにおける前記ガラス台座の前記
半導体圧力センサチップと接合しない側の面にメタライ
ズ層を形成する方法であって、前記ガラス台座の貫通孔
の形状と略同形状の断面形状を有するピンを挿入した状
態で、前記接合しない側の面側からスパッタリングある
いは蒸着によりメタライズ層を形成するようにしたの
で、ガラス台座２の内壁にメタライズ層が形成されず、
工程が増加することもなく、接合信頼性のよい半導体圧
力センサ用ガラス台座のメタライズ層の形成方法が提供
できた。
れば、凹部を形成することにより薄肉状に形成されたダ
イアフラムを有する半導体圧力センサチップと、前記ダ
イアフラムに圧力を導入するための貫通孔が形成され、
前記半導体圧力センサチップに接合される台座とを有し
てなる半導体圧力センサにおける前記ガラス台座の前記
半導体圧力センサチップと接合しない側の面にメタライ
ズ層を形成する方法であって、前記ガラス台座の貫通孔
の形状と略同形状の断面形状を有するピンを挿入した状
態で、前記接合しない側の面側からスパッタリングある
いは蒸着によりメタライズ層を形成するようにしたの
で、ガラス台座２の内壁にメタライズ層が形成されず、
工程が増加することもなく、接合信頼性のよい半導体圧
力センサ用ガラス台座のメタライズ層の形成方法が提供
できた。
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体圧力センサ用
台座のメタライズ層の形成方法を示す工程図である。
台座のメタライズ層の形成方法を示す工程図である。
【図２】同上に係る台座を半導体圧力センサチップ及び
金属パイプに接合した状態を示す模式図である。
金属パイプに接合した状態を示す模式図である。
【図３】半導体圧力センサの概略構成図である。
【図４】従来例に係る半導体圧力センサ用台座のメタラ
イズ層の形成方法を示す工程図である。
イズ層の形成方法を示す工程図である。
【図５】同上に係る台座を半導体圧力センサチップ及び
金属パイプに接合した状態を示す模式図である。
金属パイプに接合した状態を示す模式図である。
【図６】他の従来例に係る半導体圧力センサ用台座のメ
タライズ層の形成方法を示す工程図である。
タライズ層の形成方法を示す工程図である。
１ 半導体圧力センサチップ ２ ガラス台座 ３ プラスチックパッケージ ４ 金属パイプ ５ リード ６ ワイヤ ７ 蓋 ８ メタライズ層 ９ 半田 １０ 平面プレート １１ ダイアフラム １２ 歪みゲージ抵抗 １３ オーバーコート ２０ ワックス ２１ 貫通孔 ２２ 内壁 ３０ プレート ３１ ピン ４１ 貫通孔
Claims (1)
- 【請求項１】 凹部を形成することにより薄肉状に形成
されたダイアフラムを有する半導体圧力センサチップ
と、前記ダイアフラムに圧力を導入するための貫通孔が
形成され、前記半導体圧力センサチップに接合される台
座とを有してなる半導体圧力センサにおける前記ガラス
台座の前記半導体圧力センサチップと接合しない側の面
にメタライズ層を形成する方法であって、前記ガラス台
座の貫通孔の形状と略同形状の断面形状を有するピンを
挿入した状態で、前記接合しない側の面側からスパッタ
リングあるいは蒸着によりメタライズ層を形成するよう
にしたことを特徴とする半導体圧力センサ用台座のメタ
ライズ層の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01921198A JP3402178B2 (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 半導体圧力センサ用台座のメタライズ層の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01921198A JP3402178B2 (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 半導体圧力センサ用台座のメタライズ層の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11211595A true JPH11211595A (ja) | 1999-08-06 |
| JP3402178B2 JP3402178B2 (ja) | 2003-04-28 |
Family
ID=11993043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01921198A Expired - Lifetime JP3402178B2 (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 半導体圧力センサ用台座のメタライズ層の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3402178B2 (ja) |
-
1998
- 1998-01-30 JP JP01921198A patent/JP3402178B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3402178B2 (ja) | 2003-04-28 |
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