JPH11204907A - 電子装置及びその製造方法。 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電子部品を実装した電子装置の基板間の接続
を簡略化し、電子回路の信頼性を確保しながら低コスト
化を図る。 【解決手段】 樹脂基板１からなるマザー基板１１に非
発熱部品３〜８を搭載する。一方、金属基板１２には、
発熱部品１８，１９を搭載し、樹硬２８封止したサブ基
板２２をＵ字状に屈曲して、マザー基板１１の挿入穴２
に嵌入する。そして、マザー基板１１上の搭載部品３〜
８と導体パターン９間、及び嵌入された両基板１１，２
２の導体パターン９，１５間をはんだ１０で接合する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、非発熱部品を搭
載した金属板と、発熱部品を搭載した金属板を一体化し
た電子装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図７は例えば特開平５−４８２６２号公
報に示された従来の電子装置を示す分解斜視図である。
金属基板１２からなるサブ基板５１には導体パターン１
５が形成され、これに電子部品５２が搭載されている。
サブ基板５１の縁部には局部的に突出部２４が形成され
ており、この部分に導体パターン１５から引き出された
外部接続用端子となるランド１７が形成されている。マ
ザー基板１１には、サブ基板５１の突出部２４と適合す
る挿入穴２が設けられている。

【０００３】サブ基板５１をマザー基板１１に結合する
には、サブ基板５１の突出部２４をマザー基板１１の挿
入穴２に嵌入して両者を結合し、この仮組立状態でフロ
ーはんだによりマザー基板１１とサブ基板５１との間
で、ランド１７同士をはんだ接合する。これで、マザー
基板１１とサブ基板５１とは電気的に接続される。

【０００４】図８も従来の電子装置を示す側面図であ
る。樹脂基板１上に、コンデンサ３、小信号ダイオード
４、抵抗５、ＩＣ（集積回路）６、小信号トランジスタ
７及び端子台８Ａ，８Ｂが搭載され、はんだ１０により
ランド１７に接合されて、導体パターン９と電気的に接
続されている。ダイオードスタック５３及トランジスタ
モジュール５４は、樹脂基板１上のランド１７に接続ピ
ン５５をはんだ付けすることで、導体パターン９と電気
的に接続されている。ダイオードスタック５３及びトラ
ンジスタモジュール５４には、放熱フィン２３が装着さ
れている。

【０００５】樹脂基板１に実装された発熱の大きなダイ
オードスタック５３及びトランジスタモジュール５４の
内部から発生する熱は放熱フィン２３により放熱され、
各モジュールの温度上昇は抑制される。また、樹脂基板
１上のコンデンサ３、小信号ダイオード４、抵抗５、Ｉ
Ｃ６、小信号トランジスタ７、端子台８Ａ，８Ｂなどの
電子部品は、放熱フィン２３から隔離されているので、
低い温度に保たれる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】図７に示す従来の電子
装置では、消費電力の大きい電力用半導体部品の実装に
は、部品から発生する熱を効率よく放熱するために面積
の大きい金属基板１２が用いられている。また、サブ基
板５１はマザー基板１１と垂直に実装されている。この
ため、サブ基板５１に放熱フィンを装着すると、マザー
基板１１に部品を実装する面積が減少する。また、マザ
ー基板１１と垂直方向のサブ基板５１の一辺を長くして
サブ基板５１の面積を大きくすると、両基板１１，５１
間の接続部に過大な応力が加わって接続部の信頼性が損
われるなどの問題点がある。

【０００７】また、図８に示す従来の電子装置では、電
力用半導体部品などが内蔵されたダイオードスタック５
３及びトランジスタモジュール５４には、樹脂基板１と
の接続ピン５５が設けられているため、樹脂基板１と接
続する際、いったん樹脂基板１に部品を実装し、はんだ
付けした後、接続用端子を樹脂基板１の所定位置に配置
し、人為的にははんだ付けをしている。そのため、樹脂
基板１の材料費及び製造費が増加するという問題点があ
る。

【０００８】更に、高圧回路部の配線間又は導体パター
ン９間の距離は、絶縁を確保するために電圧差に比例し
た配線間又は導体パターン９間の距離が必要となり、面
積の大きい金属基板１２が必要となって高価になる。ま
た、搭載チップ部品等にちりやほこりが付着した後に吸
着することにより、異電圧部の絶縁劣化を生じ、回路の
信頼性が低下するなどの問題点もある。

【０００９】この発明は上記問題点を解消するためにな
されたもので、基板間の接続部材及び構成材を簡略化
し、電子回路の信頼性を確保しながら回路の小形化及び
低コスト化ができるようにした電子装置及びその製造方
法を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】この発明の第１発明に係
る電子装置は、金属基板に発熱部品が搭載されたサブ基
板の縁部を発熱部品側に屈曲し、サブ基板の縁部に形成
された突出部を、非発熱部品が搭載されたマザー基板の
挿入穴に嵌入し、マザー基板上の搭載部品と導電路間及
び嵌入された両基板の導電路間をはんだ接合したもので
ある。

【００１１】また、第２発明に係る電子装置は、金属基
板に整流回路及びインバータ回路のそれぞれの発熱部品
が搭載されたサブ基板の縁部を発熱部品側に屈曲し、サ
ブ基板の縁部に形成された突出部を、上記各回路の非発
熱部品を含む制御回路が搭載されたマザー基板の挿入穴
に嵌入し、マザー基板上の搭載部品と導電路間及び嵌入
された両基板の導電路間をはんだ接合したものである。

【００１２】また、第３発明に係る電子装置は、第１又
は第２発明のものにおいて、サブ基板の面積をマザー基
板の面積よりも小さく設定したものである。

【００１３】また、第４発明に係る電子装置は、第１〜
第３発明のものにおいて、マザー基板とサブ基板を互い
に異種の材質で構成したものである。

【００１４】また、第５発明に係る電子装置は、第１〜
第４発明のものにおいて、サブ基板上の搭載部品を半導
体チップ素子としたものである。

【００１５】また、第６発明に係る電子装置は、第１〜
第５発明のものにおいて、サブ基板の導電路が形成され
た面の反対側の面に放熱フィンを装着したものである。

【００１６】また、第７発明に係る電子装置は、第１〜
第６発明のものにおいて、サブ基板上の搭載部品及び配
線材料を樹脂封止したものである。

【００１７】また、第８発明に係る電子装置は、第７発
明のものにおいて、サブ基板を横断面Ｕ字状に形成し、
このＵ字の内面に沿って透明な側壁板を固定し、透明な
樹脂封止部をサブ基板と側壁板に包囲される空間内に配
置したものである。

【００１８】また、第９発明に係る電子装置は、第１〜
第８発明のものにおいて、サブ基板を横断面Ｕ字状に形
成し、このサブ基板に囲まれるマザー基板上に電子部品
を配置したものである。

【００１９】また、第１０発明に係る電子装置の製造方
法は、マザー基板に部品を搭載し、サブ基板に部品を実
装して縁部を屈曲し、マザー基板の所定位置にサブ基板
を嵌入し、マザー基板上の実装部品と導電路間及び嵌入
された両基板の導電路間をはんだ接合する各ステップを
備えたものである。

【００２０】

【発明の実施の形態】実施の形態１．図１〜図３はこの
発明の第１及び第３〜第９発明の一実施の形態を示す図
で、図１は電子装置の縦断面図、図２はサブ基板の展開
図、図３はサブ基板部分の斜視図であり、図中同一符号
は同一部分を示す（以下の実施の形態も同じ）。

【００２１】図１及び図２において、１は樹脂基板で、
基材として紙、ガラス、アルミナ等を使用し、樹脂とし
てエポキシ、フェノール等を使用して積層されている。
樹脂基板１には後述するサブ基板２２が嵌入される挿入
穴２が設けられている。３はコンデンサ、４は小信号ダ
イオード、５は抵抗、６Ａ，６ＢはＩＣ（集積回路）、
７は小信号トランジスタ、８は端子台で、これらは樹脂
基板１上に配置され、導電路を形成する導体パターン９
を介してはんだ１０により相互に接続されてマザー基板
１１が構成されている。なお、ＩＣ６Ｂはサブ基板２２
に囲まれる部分に実装されている。

【００２２】１２は金属基板で、アルミニウム板１３の
片面に合成樹脂等による絶縁層１４が設けられ、絶縁層
１４の表面に図２に示すように、回路を形成するための
導体パターン１５、パッド１６及びランド１７を形成し
て構成されている。この金属基板１２上にはパッド１６
上に電力用トランジスタ１８、電力用ダイオード１９及
び電力用トランジスタ１８を駆動する駆動回路２０がは
んだ１０により接続され、アルミニウム線２１により相
互に接続されてサブ基板２２が構成されている。２３は
金属基板１２に固定された放熱フィンである。

【００２３】なお、電力用トランジスタ１８にはＭＯＳ
ＦＥＴ、ＩＧＢＴ、バイポーラトランジスタ等の種類が
ある。また、金属基板１２上の半導体は、チップ素子、
表面実装用電子部品混載でもよく、そのいずれかでもよ
い。金属基板１２の側縁部には、樹脂基板１の挿入穴２
に嵌入される突出部２４が形成され、放熱フィン２３を
固定するねじ穴２５が設けられている。金属基板１２に
は部品装着、はんだ付け及びアルミニウム線２１による
配線後、鎖線で示す屈曲線２６に沿って部品実装面側に
Ｕ字状に曲げ加工される。

【００２４】図３において、２７は耐熱性能を有する非
導電材料からなる側壁板２７である。側壁板２７は金属
基板１２の曲げ加工後、破線の位置に接着剤等で固定さ
れ、側壁板２７と金属基板１２とで包囲される部分には
電気的絶縁性能を有する充てん材２８が充てんされる。
充てん材２８はアルミニウム線２１及び金属基板１２上
に実装された電子部品の金属基板１２面からの高さ以上
となるように注入される。

【００２５】ここで、充てん材２８が不要な部分がある
場合には、その部分が側壁板２７，２７間の外側になる
ように側壁板２７を装着すればよい。また、側壁板２７
は絶縁性接着剤のほか、粘性の高い樹脂で装着してもよ
い。充てん材２８はシリコンなど空気よりも十分高い絶
縁破壊電圧性能を有するものを選定する。また、充てん
材２８及び側壁板２７に透明性の材料を選定すれば電子
装置製品後においても、金属基板１２上の電子部品の実
装状態及びアルミニウム線２１の接続状態が目視により
把握できるため、製造上の不具合の早期発見が可能とな
る。

【００２６】このようにして、サブ基板２２に直接放熱
フィン２３が装着されているため、金属基板１２に実装
された部品１８〜２０の発熱を効率高く放熱可能であ
り、部品１８〜２０の温度を低下させ、信頼性を向上す
ることが可能となる。また、マザー基板１１上に放熱フ
ィン２３を装着するスペースが不要となり、放熱フィン
２３の大きさに応じて取付けスペースを確保する必要は
ない。更に、サブ基板２２は屈曲形成されているため、
サブ基板２２のマザー基板１１への取付け強度が増加
し、大きな放熱フィン２３でも強固に取付けが可能とな
り、はんだ付け部分の強度不足等の信頼性低下が防止可
能である。

【００２７】金属基板１２と樹脂基板１とを併用し、マ
ザー基板１１に安価な樹脂基板１を用い、サブ基板２２
に半導体チップ素子１８，１９を実装したので、高価な
金属基板１２の面積を最小限にすることができ、基板の
低コスト化が可能となる。また、サブ基板２２とマザー
基板１１間にスペースを設け、マザー基板１１上に電子
部品６Ｂを実装したため、マザー基板１１の実装面積が
拡大し、実装密度を高めることが可能となる。

【００２８】また、マザー基板１１とサブ基板２２間の
接続用部材のピン５５及びプラスチックパッケージ等の
ケースを不要とし、１回のはんだ付け工程で、マザー基
板１１上の部品３〜８のはんだ付けと同時に、マザー基
板１１とサブ基板２２間のはんだ付けを実施することが
でき、材料費と製造費の低減が図れる。また、金属基板
１２内の電気配線の変更には、金属基板１２だけを再設
計して製作すればよく、樹脂基板１を再設計する必要が
ないため、設計費用の抑制が可能となる。

【００２９】サブ基板２２の回路部（電子部品及び電気
配線部）は樹脂封止されているため、塵埃付着後の吸湿
による絶縁劣化や、振動による配線接続部への応力が緩
和され、回路の信頼性は向上する。更に、高圧回路の配
線２１及び導体パターン１５部は樹脂封止されているた
め、配線２１及び導体パターン１５間距離を短くして
も、絶縁が確保され、高圧回路部の実装面積が縮小で
き、基板面積を縮小することが可能となる。

【００３０】また、金属基板１２と側壁板２７に包囲さ
れる空間内に充てんされる充てん材２８を封止するよう
にしているため、封止は容易かつ確実である。

【００３１】実施の形態２．図４及び図５はこの発明の
第２発明の一実施の形態を示す図で、図４はインバータ
装置のブロック線図、図５は高圧回路部の回路図であ
る。なお、図１〜図３は実施の形態２にも共用する。

【００３２】図４において、３１は交流電源、３２は端
子台８Ａを介して交流電源３１に接続され、電力用ダイ
オード１９からなる整流回路、３３は整流回路３２に接
続されコンデンサ３からなる平滑回路、３４は平滑回路
３３に接続され、電力用トランジスタ１８及び電力用ダ
イオード１９からなるインバータ回路、３５は端子台８
Ｂを介してインバータ回路３４の出力側に接続された電
動機、３６は運転指令信号、３７は運転指令信号３６に
よりＰＷＭ（パルス幅変調）信号３７ａ，３７ｂを出力
するインバータ信号生成回路、３８はインバータ信号生
成回路３７及びインバータ回路３４に接続されたインバ
ータ駆動回路である。

【００３３】図５は図４のインバータ駆動回路３８及び
インバータ回路３４の一相分を示し、電力用トランジス
タ１８Ａ，１８Ｂと電力用ダイオード１９Ａ，１９Ｂを
逆並列接続した回路を、直列に接続して平滑回路３３の
高圧部Ｐ及び低圧部Ｎ間に接続している。電力用トラン
ジスタ１８Ａ，１８Ｂには、それぞれ駆動回路２０Ａ，
２０Ｂが接続されている。

【００３４】次に、この実施の形態の動作を説明する。
交流電源３１の交流は整流回路３２で直流に変換され、
平滑回路３３で脈流の少ない直流電圧に平滑される。運
転指令信号３６をインバータ信号生成回路３７へ入力す
ると、ＰＷＭ信号３７ａ，３７ｂが生成されて、インバ
ータ駆動回路３８へ入力される。これで、駆動回路２０
Ａ，２０Ｂが動作し、インバータ回路３４の電力用トラ
ンジスタ１８Ａ，１８Ｂが動作して、所望の周波数及び
電圧の交流が得られ、電動機３５が制御される。

【００３５】このようにして、発熱の大きい電子部品１
８，１９は、熱良導性のアルミニウム板１３を用いた金
属基板１２上に実装されているので、この熱が放熱フィ
ン２３に伝達して周囲に放熱され、金属基板１２上の電
子部品１８，１９の温度上昇が抑制される。

【００３６】駆動回路２０Ａ，２０Ｂの間には、マイク
ロコンピュータなどのＩＣ６Ａ，６Ｂのような低電子回
路とは異なる高圧部が存在し、この部分は絶縁性能を確
保するために、導体パターン９間は広い沿面距離が必要
となる。しかし、この高圧部は金属基板１２上に実装さ
れ、側壁板２７で包囲され、空気よりも十分高い絶縁破
壊電圧性能を有するシリコン等の充てん材２８が注入封
止されているため、高電圧部の導体パターン１５間を、
低電子回路と同等の距離にしても、絶縁性能を確保する
ことが可能となる。

【００３７】実施の形態３．図６はこの発明の第１０発
明の一実施の形態を示す製造手順フローチャートであ
る。なお、図１〜図５は実施の形態３にも共用する。ス
テップＳ１で金属基板１２にはんだを塗布し、ステップ
Ｓ２で表面実装用電子部品１８〜２０を装着してステッ
プＳ３へ進み、塗布したはんだを溶解、硬化させ（リフ
ローはんだ）、その後ステップＳ４でアルミニウム線２
１を使用したワイヤボンディングにより電気配線する。

【００３８】ステップＳ５で金属基板１２を電子部品１
８〜２０及びアルミニウム線２１の実装範囲外で突出部
２４を含まない指定位置である屈曲線２６に沿って曲げ
加工する。ステップＳ６で金属基板１２上の電子部品１
８〜２０及びアルミニウム線２１の実装部を囲む所定位
置に側壁板２７を接着剤等で接着する。ステップＳ７で
金属基板１２と側壁板２７で包囲された範囲内に充てん
材２８を注入し、ステップＳ８で恒温槽で熱硬化させ
る。

【００３９】例えば、充てん材２８の樹脂として、７０
℃、０.５時間で硬化する熱硬化形のシリコンを選定す
ることにより、他の電子部品に損傷を与えることなく加
熱することができる。以上の手順によりサブ基板２２が
完成する。一方、ステップＳ９で樹脂基板１に、自動挿
入機によってディスクリートの電子部品３〜８を装着
し、ステップＳ１０で自動挿入機では装着できない電子
部品などを手挿入で装着する。

【００４０】次に、ステップＳ１１へ進み、ステップＳ
１〜Ｓ８で構成されたサブ基板２２の突出部２４をマザ
ー基板１１の挿入穴２に嵌入して取り付ける。そして、
ステップＳ１２でマザー基板１１をはんだ槽に通してラ
ンド１７へのはんだ付け（フローはんだ）をする。これ
で、マザー基板１１上の電子部品３〜８とランド１７
間、及びマザー基板１１とサブ基板２２間を同時にはん
だ付けできるとともに、電気的に接続することができ
る。

【００４１】上記手順により、サブ基板２２のマザー基
板１１への実装が完了し、回路の検査工程へ進む。ここ
で、ステップＳ１〜Ｓ８は第１ステップを、ステップＳ
９，Ｓ１０は第２ステップを、Ｓ１１は第３ステップ
を、Ｓ１２は第４ステップを構成している。

【００４２】上記各実施の形態では、金属基板１２はそ
の両端部を平行に屈曲するものとしたが、必要に応じて
屈曲すればよく、必ずしも平行に屈曲しなくてもよい。
また、インバータ装置に適用するものを示したが、空気
調和機、けい光灯など電力応用機器等に適用することが
可能である。

【００４３】

【発明の効果】以上説明したとおりこの発明の第１発明
では、金属基板に発熱部品が搭載されたサブ基板の縁部
を発熱部品側に屈曲し、サブ基板の縁部に形成された突
出部を、非発熱部品が搭載されたマザー基板の挿入穴に
嵌入し、マザー基板とサブ基板のそれぞれの導電路をは
んだ接合したため、サブ基板のマザー基板への取付け強
度が増加し、はんだ付け部分の強度不足等の信頼性低下
を防止することができる。

【００４４】また、１回のはんだ付け工程でマザー基板
上の部品のはんだ付けと同様に、マザー基板とサブ基板
間のはんだ付けを実施することができ、材料費と製造費
の低減を図ることができる。

【００４５】また、第２発明では、金属基板に整流回路
及びインバータ回路のそれぞれの発熱部品が搭載された
サブ基板の縁部を発熱部品側に屈曲し、サブ基板の縁部
に形成された突出部を、上記各回路の非発熱部品を含む
制御回路が搭載されたマザー基板の挿入穴に嵌入し、マ
ザー基板上の搭載部品と導電路間及び嵌入された両基板
の導電路間をはんだ接合したため、インバータ回路に使
用する電子部品の材料費と製造費の低減を図ることがで
きる。

【００４６】また、第３発明では、サブ基板の面積をマ
ザー基板の面積よりも小さく設定したので、高価な金属
基板の面積を最小限にすることができ、第４発明では、
マザー基板とサブ基板を互いに異種の材質で構成したの
で、マザー基板に安価な樹脂基板を用いることができ、
第５発明では、サブ基板上の搭載部品を半導体チップ素
子としたので、サブ基板上の取付けスペースを節減する
ことができ、いずれも基板を低コスト化することができ
る。

【００４７】また、第６発明では、サブ基板の導電路が
形成された面と反対側の面に放熱フィンを装着したた
め、金属基板に実装された部品の発熱を効率高く放熱す
ることができ、部品の温度を低下させ、信頼性を向上す
ることができる。また、マザー基板上に放熱フィンを装
着するスペースを不要とすることができる。

【００４８】また、第７発明では、サブ基板上の搭載部
品及び配線材料を樹脂封止したため、塵埃付着後の吸湿
による絶縁劣化や、振動による配線接続部への応力が緩
和され、回路の信調性を向上することができる。また、
高圧回路部の実装面積が縮小でき、基板面積を縮小する
ことができる。

【００４９】また、第８発明では、サブ基板を横断面Ｕ
字状に形成し、このＵ字の内面に沿って透明な側壁板を
固定し、透明な樹脂封止部をサブ基板と側壁板に包囲さ
れる空間内に配置したため、樹脂封止を容易にするとと
もに、内部の状態を目視により把握でき、不具合を早期
に発見することができる。

【００５０】また、第９発明では、サブ基板を横断面Ｕ
字状に形成し、このサブ基板に囲まれるマザー基板上に
電子部品を配置したため、マザー基板の実装面積が拡大
し、実装密度を高めることができる。

【００５１】また、第１０発明では、マザー基板に部品
を搭載し、サブ基板に部品を実装して縁部を屈曲し、マ
ザー基板の所定位置にサブ基板を嵌入し、マザー基板上
の搭載部品と導電路間及び嵌入された両基板の導電路間
をはんだ接合する各ステップを備えたため、サブ基板の
マザー基板への取付けの強度が高く、かつ１回のはんだ
付け工程で両基板のはんだ付けが実施できる電子部品を
製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の実施の形態１を示す電子装置の縦
断面図。

【図２】 図１のサブ基板の展開図。

【図３】 図１のサブ基板部分の斜視図。

【図４】 この発明の実施の形態２を示すインバータ装
置のブロック線図。

【図５】 図４の高圧回路部の回路図。

【図６】 この発明の実施の形態３を示す電子装置の製
造手順フローチャート。

【図７】 従来の電子装置を示す分解斜視図。

【図８】 従来の電子装置を示す側面図。

【符号の説明】

１ 樹脂基板、２ 挿入穴、３ コンデンサ、４ 小信
号ダイオード、５ 抵抗、６Ａ，６Ｂ ＩＣ 、７ 小
信号トランジスタ、８ 端子台、９ 導電路（導体パタ
ーン）、１０ はんだ、１１ マザー基板、１２ 金属
基板、１３ 金属板（アルミニウム板）、１４ 絶縁
層、１５ 導電路（導体パターン）、１６パッド、１７
ランド、１８，１８Ａ，１８Ｂ 電力用トランジス
タ、１９，１９Ａ，１９Ｂ 電力用ダイオード、２０，
２０Ａ，２０Ｂ 駆動回路、２１ 配線部材（アルミニ
ウム線）、２２ サブ基板、２３ 放熱フィン、２４
突出部、２６ 屈曲線、２７ 側壁板、２８ 充てん
材、３２ 整流回路、３４ インバータ回路、Ｓ１〜Ｓ
８ 第１ステップ、Ｓ９，Ｓ１０ 第２ステップ、Ｓ１
１第３ステップ、Ｓ１２ 第４ステップ。

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導電路が形成された基板に非発熱部品を
   搭載したマザー基板と、金属板に絶縁層を介して導電路
   が形成された金属基板に発熱部品を搭載したサブ基板と
   を有し、上記マザー基板に挿入穴を穿設し、上記サブ基
   板の縁部に突出部を形成し、この突出部に上記導電路を
   配置し、上記サブ基板の縁部を上記発熱部品側に屈曲し
   て上記突出部を上記マザー基板の挿入穴に嵌入し、上記
   マザー基板上の搭載部品と導電路間及び上記嵌入された
   両基板の導電路間をはんだ接合してなる電子装置。
2. 【請求項２】 交流を直流に変換する整流回路及び平滑
   回路と、この平滑回路に接続されたインバータ回路と、
   導電路が形成された基板に上記各回路の非発熱部品を含
   む制御回路を搭載したマザー基板と、金属板に絶縁層を
   介して導電路が形成された金属基板に上記整流回路及び
   上記インバータ回路のそれぞれの発熱部品を搭載したサ
   ブ基板とを有し、上記マザー基板に挿入穴を穿設し、上
   記サブ基板の縁部に突出部を形成し、この突出部に上記
   導電路を配置し、上記サブ基板の縁部を上記発熱部品側
   に屈曲して上記突出部を上記マザー基板の挿入穴に嵌入
   し、上記マザー基板上の搭載部品と導電路間及び上記嵌
   入された両基板の導電路間をはんだ接合してなる電子装
   置。
3. 【請求項３】 サブ基板の面積をマザー基板の面積より
   も小さく設定したことを特徴とする請求項１又は請求項
   ２記載の電子装置。
4. 【請求項４】 マザー基板とサブ基板を互いに異種の材
   質で構成したことを特徴とする請求項１〜請求項３のい
   ずれかに記載の電子装置。
5. 【請求項５】 サブ基板上の搭載部品を半導体チップ素
   子としたことを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれ
   かに記載の電子装置。
6. 【請求項６】 サブ基板の導電路が形成された面の反対
   側の面に放熱フィンを装着したことを特徴とする請求項
   １〜請求項５のいずれかに記載の電子装置。
7. 【請求項７】 サブ基板上の搭載部品及び配線部材を樹
   脂封止したことを特徴とする請求項１〜請求項６のいず
   れかに記載の電子装置。
8. 【請求項８】 サブ基板を横断面Ｕ字状に形成し、この
   Ｕ字の内面に沿って透明な側壁板を固定し、透明な樹脂
   封止部を上記サブ基板と上記側壁板に包囲される空間内
   に配置したことを特徴とする請求項７記載の電子装置。
9. 【請求項９】 サブ基板を横断面Ｕ字状に形成し、この
   サブ基板に囲まれるマザー基板上に電子部品を配置した
   ことを特徴とする請求項１〜請求項８のいずれかに記載
   の電子装置。
10. 【請求項１０】 マザー基板に部品を搭載する第１ステ
    ップと、サブ基板に部品を実装して縁部を屈曲する第２
    ステップと、上記マザー基板の所定位置に上記サブ基板
    を嵌入する第３ステップと、上記マザー基板上の実装部
    品と導電路間及び上記嵌入された両基板の導電路間をは
    んだ接合する第４ステップとを備えてなる電子装置の製
    造方法。