JPH11195893A - 電磁干渉抑制体 - Google Patents
電磁干渉抑制体Info
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- JPH11195893A JPH11195893A JP36818997A JP36818997A JPH11195893A JP H11195893 A JPH11195893 A JP H11195893A JP 36818997 A JP36818997 A JP 36818997A JP 36818997 A JP36818997 A JP 36818997A JP H11195893 A JPH11195893 A JP H11195893A
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- interference suppressor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 配線基板からの外部への放射するノイズや配
線基板内部での部品間の相互干渉や信号線間の電磁誘導
による誤動作を抑制し、しかも電子機器を小型化、軽量
化できる電磁干渉抑制体を提供すること。 【解決手段】 軟磁性体粉末と有機結合剤からなる複合
磁性体層１０の片面に、絶縁層１２を、両面接着剤１３
を介して設け、この絶縁層１２の外側に接着層１４を設
ける。
線基板内部での部品間の相互干渉や信号線間の電磁誘導
による誤動作を抑制し、しかも電子機器を小型化、軽量
化できる電磁干渉抑制体を提供すること。 【解決手段】 軟磁性体粉末と有機結合剤からなる複合
磁性体層１０の片面に、絶縁層１２を、両面接着剤１３
を介して設け、この絶縁層１２の外側に接着層１４を設
ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子機器等の配線
基板上の各種回路あるいは配線基板上に実装されている
半導体素子等において、不要電磁波によって生じる電磁
波障害を抑制する電磁干渉抑制体に関する。
基板上の各種回路あるいは配線基板上に実装されている
半導体素子等において、不要電磁波によって生じる電磁
波障害を抑制する電磁干渉抑制体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ディジタル電子機器をはじめ、高
周波を利用する電子機器類の小型化が著しい。特に、配
線基板への部品実装密度が高いディジタル電子機器にお
いては、中央演算処理装置（ＣＰＵ）や画像プロセッサ
算術論理演算装置（ＩＰＡＬＵ）等の、多数の半導体素
子で構成されているＬＳＩ，ＩＣが、配線基板上に実装
され、これらの半導体素子あるいは基板上の配線間で、
一般に誘導性ノイズを放射する。この誘導性ノイズによ
り、配線基板の素子実装面と同一面及び反対面には、電
磁結合による線間結合が増大したり、放射ノイズが発生
する。発生した放射ノイズは、装置内部での誤動作を招
くだけでなく、外部接続端子を経て外部へ放射し、伝導
して他の機器に悪影響を及ぼす。このような誤動作や他
の機器への悪影響は、いわゆる電磁波障害と呼ばれる。
特に、同一回路内の部品間で発生する信号線間の電磁誘
導や不要電磁波による相互干渉を抑制する場合には、特
に、十分な対策が必要である。
周波を利用する電子機器類の小型化が著しい。特に、配
線基板への部品実装密度が高いディジタル電子機器にお
いては、中央演算処理装置（ＣＰＵ）や画像プロセッサ
算術論理演算装置（ＩＰＡＬＵ）等の、多数の半導体素
子で構成されているＬＳＩ，ＩＣが、配線基板上に実装
され、これらの半導体素子あるいは基板上の配線間で、
一般に誘導性ノイズを放射する。この誘導性ノイズによ
り、配線基板の素子実装面と同一面及び反対面には、電
磁結合による線間結合が増大したり、放射ノイズが発生
する。発生した放射ノイズは、装置内部での誤動作を招
くだけでなく、外部接続端子を経て外部へ放射し、伝導
して他の機器に悪影響を及ぼす。このような誤動作や他
の機器への悪影響は、いわゆる電磁波障害と呼ばれる。
特に、同一回路内の部品間で発生する信号線間の電磁誘
導や不要電磁波による相互干渉を抑制する場合には、特
に、十分な対策が必要である。
【０００３】従来、このような電磁結合、不要輻射や伝
導ノイズに起因する電磁波障害に対しては、次のような
対策を施していた。即ち、 回路にローパスフィルタを接続する。 問題となる回路を影響を及ぼす回路から遠ざける。 シールディングを行う。 グラウンディングを行う。
導ノイズに起因する電磁波障害に対しては、次のような
対策を施していた。即ち、 回路にローパスフィルタを接続する。 問題となる回路を影響を及ぼす回路から遠ざける。 シールディングを行う。 グラウンディングを行う。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
素子が高密度実装された配線基板において、上述した問
題を効率的に処理する場合、従来のノイズ抑制方法で
は、次に述べるような欠点があった。即ち、 ノイズ対策の専門的知識と経験を必要とする。 ノイズ対策に要する時間がかかる。 使用するフィルタが高価である。 フィルタを実装するスペースに制約がある場合が多
い。 フィルタの実装作業が容易でない。 電子装置を組み立てるために所要工数が多くなり所要
費用が多額である。
素子が高密度実装された配線基板において、上述した問
題を効率的に処理する場合、従来のノイズ抑制方法で
は、次に述べるような欠点があった。即ち、 ノイズ対策の専門的知識と経験を必要とする。 ノイズ対策に要する時間がかかる。 使用するフィルタが高価である。 フィルタを実装するスペースに制約がある場合が多
い。 フィルタの実装作業が容易でない。 電子装置を組み立てるために所要工数が多くなり所要
費用が多額である。
【０００５】さらに、上述の課題の他に、電子機器の小
型化、低背化、軽量化の必要性に迫られており、併せて
その対策が必要となっている。
型化、低背化、軽量化の必要性に迫られており、併せて
その対策が必要となっている。
【０００６】したがって、本発明の課題は、配線基板か
ら外部へ放射するノイズや配線基板内部での部品間の相
互干渉や信号線間の電磁誘導による誤動作を抑制し、し
かも電子機器を小型化、軽量化できる電磁干渉抑制体を
提供することにある。
ら外部へ放射するノイズや配線基板内部での部品間の相
互干渉や信号線間の電磁誘導による誤動作を抑制し、し
かも電子機器を小型化、軽量化できる電磁干渉抑制体を
提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、電磁波障害を
抑制する電磁干渉抑制体であって、軟磁性体粉末と有機
結合剤からなる複合磁性体層の少なくとも一方の面に、
絶縁層を設けた電磁干渉抑制体である。
抑制する電磁干渉抑制体であって、軟磁性体粉末と有機
結合剤からなる複合磁性体層の少なくとも一方の面に、
絶縁層を設けた電磁干渉抑制体である。
【０００８】また、本発明は、前記絶縁層の少なくとも
一方の面に接着層を設けた上記の電磁干渉抑制体であ
る。
一方の面に接着層を設けた上記の電磁干渉抑制体であ
る。
【０００９】また、本発明は、電磁障害を抑制する電磁
干渉抑制体であって、導電性支持体の少なくとも一方の
面に、軟磁性体粉末と有機結合剤からなる複合磁性体層
を設け、該複合磁性体層の少なくとも一方の面に、絶縁
層を設けた電磁干渉抑制体である。
干渉抑制体であって、導電性支持体の少なくとも一方の
面に、軟磁性体粉末と有機結合剤からなる複合磁性体層
を設け、該複合磁性体層の少なくとも一方の面に、絶縁
層を設けた電磁干渉抑制体である。
【００１０】また、本発明は、前記絶縁層の少なくとも
一方の面に接着層を設けた上記の電磁干渉抑制体であ
る。
一方の面に接着層を設けた上記の電磁干渉抑制体であ
る。
【００１１】また、本発明は、前記複合磁性体層と、前
記絶縁層を、両面接着剤により接着した上記の電磁干渉
抑制体である。
記絶縁層を、両面接着剤により接着した上記の電磁干渉
抑制体である。
【００１２】従って、本発明によれば、誘導性ノイズを
放射する半導体素子あるいは配線基板の配線間に設置す
ることにより、電磁波障害の原因となる電磁結合、不要
輻射や伝導ノイズを抑制することができる。さらに、素
子側あるいは配線基板側に絶縁層を有する電磁干渉抑制
体を使用することにより、電磁波障害の原因となる電磁
結合、不要輻射や伝導ノイズを抑制することと併せて、
電子機器の小型化、低背化、軽量化に対応することが可
能となる。
放射する半導体素子あるいは配線基板の配線間に設置す
ることにより、電磁波障害の原因となる電磁結合、不要
輻射や伝導ノイズを抑制することができる。さらに、素
子側あるいは配線基板側に絶縁層を有する電磁干渉抑制
体を使用することにより、電磁波障害の原因となる電磁
結合、不要輻射や伝導ノイズを抑制することと併せて、
電子機器の小型化、低背化、軽量化に対応することが可
能となる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係わる電磁干渉抑
制体の実施の形態を図面を用いて説明する。
制体の実施の形態を図面を用いて説明する。
【００１４】（実施の形態１）図２は、実施の形態１に
よる電磁干渉抑制体の構造を示す断面図である。図２に
示すように、電磁干渉抑制体は、軟磁性粉末と有機結合
剤からなる複合磁性体層１０の片面に、電気絶縁性良好
な絶縁層１２を両面接着剤１３を用いて接着し、さら
に、絶縁層１２の外側に接着層１４が施されている。ま
た、絶縁層１２としては、ＰＥＴシートを使用した。
よる電磁干渉抑制体の構造を示す断面図である。図２に
示すように、電磁干渉抑制体は、軟磁性粉末と有機結合
剤からなる複合磁性体層１０の片面に、電気絶縁性良好
な絶縁層１２を両面接着剤１３を用いて接着し、さら
に、絶縁層１２の外側に接着層１４が施されている。ま
た、絶縁層１２としては、ＰＥＴシートを使用した。
【００１５】軟磁性体粉末と有機結合剤からなる複合磁
性体層としては、特開平７−２１２０７９の［検証例
１］に示される＜組成１＞で示される材料であり、下記
組成の複合磁性体を使用した。
性体層としては、特開平７−２１２０７９の［検証例
１］に示される＜組成１＞で示される材料であり、下記
組成の複合磁性体を使用した。
【００１６】 ＜複合磁性体の組成＞ 偏平状軟磁性体粉末 ９０重量部 組成：Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金 平均粒径：１０μｍ アスペクト比：＞５ 有機結合剤 ポリウレタン樹脂 ８重量部 硬化剤（イソシアネート化合物） ２重量部 溶剤（シクロヘキサノンとトルエンの混合物） ４０重量部
【００１７】図１は、本発明の実施の形態１における電
磁干渉抑制体を配線基板に実装した状態を示す斜視図で
ある。図１に示すように、小型化、軽量化が要求されて
いるノートパソコンに使用されているＣＰＵ２がプリン
ト配線基板４に実装されている状態であり、基板上の配
線３により、電気的導通がとられている。電磁干渉抑制
体１は、絶縁層１２が、ＣＰＵ２あるいは基板上の配線
３側にくるようにして、接着層１４により、プリント配
線基板４上のＣＰＵのリード端子５も覆うように、ある
いは、基板上の配線３部分に、直接、接着している。
磁干渉抑制体を配線基板に実装した状態を示す斜視図で
ある。図１に示すように、小型化、軽量化が要求されて
いるノートパソコンに使用されているＣＰＵ２がプリン
ト配線基板４に実装されている状態であり、基板上の配
線３により、電気的導通がとられている。電磁干渉抑制
体１は、絶縁層１２が、ＣＰＵ２あるいは基板上の配線
３側にくるようにして、接着層１４により、プリント配
線基板４上のＣＰＵのリード端子５も覆うように、ある
いは、基板上の配線３部分に、直接、接着している。
【００１８】本発明による電磁干渉抑制体を使用した場
合、配線間の絶縁性は十分保たれ、機能的に問題は生じ
なかった。さらに、電磁干渉抑制体の効果について、本
発明の電磁干渉抑制体の使用前後で、放射ノイズを測定
した結果、使用後に放射ノイズが低減されていた。さら
に、本発明による電磁干渉抑制体は、可とう性があり、
軽量であるので、本実施の形態のごとく、小型化、軽量
化が要求されているノートパソコンに使用され、その要
求を満足している。
合、配線間の絶縁性は十分保たれ、機能的に問題は生じ
なかった。さらに、電磁干渉抑制体の効果について、本
発明の電磁干渉抑制体の使用前後で、放射ノイズを測定
した結果、使用後に放射ノイズが低減されていた。さら
に、本発明による電磁干渉抑制体は、可とう性があり、
軽量であるので、本実施の形態のごとく、小型化、軽量
化が要求されているノートパソコンに使用され、その要
求を満足している。
【００１９】（実施の形態２）図３は、実施の形態２に
よる電磁干渉抑制体の構造を示す断面図である。図３に
示すように、複合磁性体層１０の両側に、両面接着剤１
３で絶縁層１２を接着し、片側の絶縁層１２の外側に接
着層１４が接着されている。
よる電磁干渉抑制体の構造を示す断面図である。図３に
示すように、複合磁性体層１０の両側に、両面接着剤１
３で絶縁層１２を接着し、片側の絶縁層１２の外側に接
着層１４が接着されている。
【００２０】本実施の形態の電磁干渉抑制体は、さらな
る小型化、あるいは低背化の要求から、配線基板間、あ
るいは半導体素子と配線基板の間、あるいは半導体素子
間が狭い場合は、接着した半導体素子に対向する基板面
あるいは半導体素子との間隔が狭く、ほこり等浮遊物等
により電気伝導が生じる場合に、より有効である。
る小型化、あるいは低背化の要求から、配線基板間、あ
るいは半導体素子と配線基板の間、あるいは半導体素子
間が狭い場合は、接着した半導体素子に対向する基板面
あるいは半導体素子との間隔が狭く、ほこり等浮遊物等
により電気伝導が生じる場合に、より有効である。
【００２１】なお、複合磁性体層の両側に絶縁層を設け
る電磁干渉抑制体の構造については、電子機器での使用
状況に合わせ、図４（ａ）〜図４（ｃ）に示す各種構造
のものが使用できる。
る電磁干渉抑制体の構造については、電子機器での使用
状況に合わせ、図４（ａ）〜図４（ｃ）に示す各種構造
のものが使用できる。
【００２２】（実施の形態３）図５は、実施の形態３に
よる電磁干渉抑制体の構造を示す断面図である。図５
（ａ）に示すように、複合磁性体層１０の片側に、絶縁
層１２を熱圧着して接着し、絶縁層１２の外側に接着層
１４が接着されている。また、図５（ｂ）に示すよう
に、複合磁性体層１０の両側に、絶縁層１２を熱圧着し
て接着し、片側の絶縁層１２の外側に接着層１４が接着
されている。
よる電磁干渉抑制体の構造を示す断面図である。図５
（ａ）に示すように、複合磁性体層１０の片側に、絶縁
層１２を熱圧着して接着し、絶縁層１２の外側に接着層
１４が接着されている。また、図５（ｂ）に示すよう
に、複合磁性体層１０の両側に、絶縁層１２を熱圧着し
て接着し、片側の絶縁層１２の外側に接着層１４が接着
されている。
【００２３】実施の形態１あるいは実施の形態２と同様
に、配線基板上の各種回路あるいは配線基板上に実装さ
れている半導体素子等に直接、接着すると、実施の形態
１と同様な効果が得られた。
に、配線基板上の各種回路あるいは配線基板上に実装さ
れている半導体素子等に直接、接着すると、実施の形態
１と同様な効果が得られた。
【００２４】さらに、複合磁性体と絶縁層の構造につい
ては、電子装置での使用状況に合わせ、図６に示す構造
のものを使用することができる。
ては、電子装置での使用状況に合わせ、図６に示す構造
のものを使用することができる。
【００２５】（実施の形態４）図７は、実施の形態４に
よる電磁干渉抑制体の構造を示す断面図である。図７に
示すように、導電性支持体１１の両側に、軟磁性体粉末
と有機結合剤からなる複合磁性体層１０を設け、この複
合磁性体層１０の片側に、電気絶縁性良好な絶縁層１２
を両面接着剤１３を用いて接着し、さらに、絶縁層１２
の外側に接着層１４が施されている。
よる電磁干渉抑制体の構造を示す断面図である。図７に
示すように、導電性支持体１１の両側に、軟磁性体粉末
と有機結合剤からなる複合磁性体層１０を設け、この複
合磁性体層１０の片側に、電気絶縁性良好な絶縁層１２
を両面接着剤１３を用いて接着し、さらに、絶縁層１２
の外側に接着層１４が施されている。
【００２６】本発明による電磁干渉抑制体を使用したと
ころ、実施の形態１と同様の効果が得られた。さらに、
導電性支持体を設けたことにより、電磁干渉抑制体の剛
性が増し、透過減衰を大きく確保することができた。
ころ、実施の形態１と同様の効果が得られた。さらに、
導電性支持体を設けたことにより、電磁干渉抑制体の剛
性が増し、透過減衰を大きく確保することができた。
【００２７】（実施の形態５）図８は、実施の形態５に
よる電磁干渉抑制体の構造を示す断面図である。図８に
示すように、導電性支持体１１の両側に、複合磁性体層
１０を設け、この複合磁性体層１０の両側に、両面接着
剤１３で絶縁層１２を接着し、片側の絶縁層１２の外側
に接着層１４が接着されている。
よる電磁干渉抑制体の構造を示す断面図である。図８に
示すように、導電性支持体１１の両側に、複合磁性体層
１０を設け、この複合磁性体層１０の両側に、両面接着
剤１３で絶縁層１２を接着し、片側の絶縁層１２の外側
に接着層１４が接着されている。
【００２８】本実施の形態の電磁干渉抑制体は、さらな
る小型化、あるいは低背化の要求から、配線基板間、あ
るいは半導体素子と配線基板の間、あるいは半導体素子
間が狭い場合は、接着した半導体素子に対向する基板面
あるいは半導体素子との間隔が狭く、ほこり等浮遊物等
により、電気伝導が生じる場合に、複合磁性体の両面に
絶縁層を設けたものがより有効である。
る小型化、あるいは低背化の要求から、配線基板間、あ
るいは半導体素子と配線基板の間、あるいは半導体素子
間が狭い場合は、接着した半導体素子に対向する基板面
あるいは半導体素子との間隔が狭く、ほこり等浮遊物等
により、電気伝導が生じる場合に、複合磁性体の両面に
絶縁層を設けたものがより有効である。
【００２９】なお、複合磁性体と絶縁層の構造について
は、電子機器での使用状況に合わせ、図９（ａ）〜図９
（ｃ）に示す各種構造のものが使用できる。
は、電子機器での使用状況に合わせ、図９（ａ）〜図９
（ｃ）に示す各種構造のものが使用できる。
【００３０】（実施の形態６）図１０は、実施の形態６
による電磁干渉抑制体の構造を示す断面図である。図１
０（ａ）に示すように、導電性支持体１１の両側に、複
合磁性体層１０を設け、複合磁性体層１０の片側に、絶
縁層１２を熱圧着して接着し、絶縁層１２の外側に接着
層１４が接着されている。また、図１０（ｂ）に示すよ
うに、導電性支持体１１の両側に、複合磁性体層１０を
設け、複合磁性体層１０の両側に、絶縁層１２を熱圧着
して接着し、片側の絶縁層１２の外側に接着層１４が接
着されている。
による電磁干渉抑制体の構造を示す断面図である。図１
０（ａ）に示すように、導電性支持体１１の両側に、複
合磁性体層１０を設け、複合磁性体層１０の片側に、絶
縁層１２を熱圧着して接着し、絶縁層１２の外側に接着
層１４が接着されている。また、図１０（ｂ）に示すよ
うに、導電性支持体１１の両側に、複合磁性体層１０を
設け、複合磁性体層１０の両側に、絶縁層１２を熱圧着
して接着し、片側の絶縁層１２の外側に接着層１４が接
着されている。
【００３１】実施の形態４あるいは実施の形態５と同様
に、配線基板上の各種回路あるいは配線基板上に実装さ
れている半導体素子等に直接、接着すると、実施の形態
４と同様な効果が得られた。
に、配線基板上の各種回路あるいは配線基板上に実装さ
れている半導体素子等に直接、接着すると、実施の形態
４と同様な効果が得られた。
【００３２】さらに、複合磁性体と絶縁層の構造につい
ては、電子機器での使用状況に合わせ、図１１に示す構
造のものを使用できる。
ては、電子機器での使用状況に合わせ、図１１に示す構
造のものを使用できる。
【００３３】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明による電
磁干渉抑制体を、ノイズ源となる配線基板上の各種回路
あるいは配線基板上に実装されている半導体素子等及び
リード端子部分に、直接絶縁層を介して接着することに
より、電磁誘導及び不要電磁波による相互干渉を効果的
に抑制することが可能である。しかも、本発明による電
磁干渉抑制体が、可とう性があり、薄型であるので、電
子機器の小型化、低背化及び軽量化を達成できるという
効果がある。さらに、導電性支持体を設けたことによ
り、電磁干渉抑制体の剛性が増し、透過減衰を大きく確
保することができる。
磁干渉抑制体を、ノイズ源となる配線基板上の各種回路
あるいは配線基板上に実装されている半導体素子等及び
リード端子部分に、直接絶縁層を介して接着することに
より、電磁誘導及び不要電磁波による相互干渉を効果的
に抑制することが可能である。しかも、本発明による電
磁干渉抑制体が、可とう性があり、薄型であるので、電
子機器の小型化、低背化及び軽量化を達成できるという
効果がある。さらに、導電性支持体を設けたことによ
り、電磁干渉抑制体の剛性が増し、透過減衰を大きく確
保することができる。
【図１】本発明の実施の形態１における電磁干渉抑制体
を配線基板に実装した状態を示す斜視図。
を配線基板に実装した状態を示す斜視図。
【図２】実施の形態１による電磁干渉抑制体の構造を示
す断面図。
す断面図。
【図３】実施の形態２による電磁干渉抑制体の構造を示
す断面図。
す断面図。
【図４】実施の形態２による他の電磁干渉抑制体の構造
を示す断面図。
を示す断面図。
【図５】実施の形態３による電磁干渉抑制体の構造を示
す断面図。
す断面図。
【図６】実施の形態３による他の電磁干渉抑制体の構造
を示す断面図。
を示す断面図。
【図７】実施の形態４による電磁干渉抑制体の構造を示
す断面図。
す断面図。
【図８】実施の形態５による電磁干渉抑制体の構造を示
す断面図。
す断面図。
【図９】実施の形態５による他の電磁干渉抑制体の構造
を示す断面図。
を示す断面図。
【図１０】実施の形態６による電磁干渉抑制体の構造を
示す断面図。
示す断面図。
【図１１】実施の形態６による他の電磁干渉抑制体の構
造を示す断面図。
造を示す断面図。
１ 電磁干渉抑制体 ２ ＣＰＵ ３ 基板上の配線 ４ プリント配線基板 ５ ＣＰＵのリード端子 １０ 複合磁性体層 １１ 導電性支持体 １２ 絶縁層 １３ 両面接着剤 １４ 接着層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 光晴 宮城県仙台市太白区郡山６丁目７番１号 株式会社トーキン内
Claims (5)
- 【請求項１】 電磁波障害を抑制する電磁干渉抑制体で
あって、軟磁性体粉末と有機結合剤からなる複合磁性体
層の少なくとも一方の面に、絶縁層を設けたことを特徴
とする電磁干渉抑制体。 - 【請求項２】 前記絶縁層の少なくとも一方の面に接着
層を設けたことを特徴とする請求項１記載の電磁干渉抑
制体。 - 【請求項３】 電磁障害を抑制する電磁干渉抑制体であ
って、導電性支持体の少なくとも一方の面に、軟磁性体
粉末と有機結合剤からなる複合磁性体層を設け、該複合
磁性体層の少なくとも一方の面に、絶縁層を設けたこと
を特徴とする電磁干渉抑制体。 - 【請求項４】 前記絶縁層の少なくとも一方の面に接着
層を設けたことを特徴とする請求項３記載の電磁干渉抑
制体。 - 【請求項５】 前記複合磁性体層と、前記絶縁層を、両
面接着剤により接着したことを特徴とする請求項１〜４
のいずれかに記載の電磁干渉抑制体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36818997A JPH11195893A (ja) | 1997-12-27 | 1997-12-27 | 電磁干渉抑制体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36818997A JPH11195893A (ja) | 1997-12-27 | 1997-12-27 | 電磁干渉抑制体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11195893A true JPH11195893A (ja) | 1999-07-21 |
Family
ID=18491179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36818997A Withdrawn JPH11195893A (ja) | 1997-12-27 | 1997-12-27 | 電磁干渉抑制体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11195893A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003081973A1 (fr) * | 2002-03-27 | 2003-10-02 | Toyo Services,Corp. | Feuille de blindage anti-ondes electromagnetiques, cable de transmission a blindage anti-ondes electromagnetiques et lsi a blindage anti-ondes electromagnetiques |
| JP2005093908A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Fine Rubber Kenkyusho:Kk | 電磁波制御体、その製造方法及び携帯電話機 |
| JP2011258745A (ja) * | 2010-06-09 | 2011-12-22 | Nitta Ind Corp | 電磁波漏洩抑制構造 |
-
1997
- 1997-12-27 JP JP36818997A patent/JPH11195893A/ja not_active Withdrawn
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