JPH11193468A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPH11193468A JPH11193468A JP9369534A JP36953497A JPH11193468A JP H11193468 A JPH11193468 A JP H11193468A JP 9369534 A JP9369534 A JP 9369534A JP 36953497 A JP36953497 A JP 36953497A JP H11193468 A JPH11193468 A JP H11193468A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- thin film
- vacuum chamber
- disk
- substrate holder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/8408—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers protecting the magnetic layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3266—Magnetic control means
- H01J37/32678—Electron cyclotron resonance
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラズマＣＶＤによって基板の両面に同時に
薄膜を形成する場合に膜厚を均一にする。 【解決手段】 薄膜を形成しようとする基板たるディス
ク１３を基板ホルダ１４によりツメ１７を介して保持す
る。この基板ホルダ１４は、ディスク１３の外形に対応
させてリング型とし、ディスク１３との間隔ｄをどこで
も一定になるような形状とし、さらに基板ホルダ１４の
肉厚ｔを、強度の点で可能な限り、なるべく薄いものに
する。
薄膜を形成する場合に膜厚を均一にする。 【解決手段】 薄膜を形成しようとする基板たるディス
ク１３を基板ホルダ１４によりツメ１７を介して保持す
る。この基板ホルダ１４は、ディスク１３の外形に対応
させてリング型とし、ディスク１３との間隔ｄをどこで
も一定になるような形状とし、さらに基板ホルダ１４の
肉厚ｔを、強度の点で可能な限り、なるべく薄いものに
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、薄膜形成装置に
関し、とくに、ハードディスク記録装置の記録媒体であ
る磁気ディスクを製造するのに好適な、プラズマＣＶＤ
による薄膜形成装置に関する。
関し、とくに、ハードディスク記録装置の記録媒体であ
る磁気ディスクを製造するのに好適な、プラズマＣＶＤ
による薄膜形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ハードディスク記録装置の磁気ディスク
は、通常、ガラス等のディスクの表面に磁性層を成膜
し、さらにその上に保護層を設けて作られる。この保護
層は、従来では、スパッタリングよる薄膜形成装置を用
いることによって、炭素系保護膜としてディスクの両面
に同時に成膜されているが、新しい市場要求として、ス
パッタリング法からＣＶＤ法による成膜法を利用した炭
素系保護膜が求められている。
は、通常、ガラス等のディスクの表面に磁性層を成膜
し、さらにその上に保護層を設けて作られる。この保護
層は、従来では、スパッタリングよる薄膜形成装置を用
いることによって、炭素系保護膜としてディスクの両面
に同時に成膜されているが、新しい市場要求として、ス
パッタリング法からＣＶＤ法による成膜法を利用した炭
素系保護膜が求められている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、プラズ
マＣＶＤ装置によって薄膜を形成する場合、基板（ディ
スク）ホルダの形状に依存して形成される膜厚がばらつ
き、均一な膜厚分布が得られないという問題がある。
マＣＶＤ装置によって薄膜を形成する場合、基板（ディ
スク）ホルダの形状に依存して形成される膜厚がばらつ
き、均一な膜厚分布が得られないという問題がある。
【０００４】すなわち、従来では、図４の（ｂ）に示す
ようにディスク１３に膜厚の不均一部がところどころに
形成されてしまう。この一つの要因として従来の基板ホ
ルダの形状に原因があり、図５に示すように従来の基板
ホルダ１８は概略的に矩形の形状であり、そのため基板
であるディスク１３と基板ホルダ１８との間の隙間は
Ａ、Ｂのように不均等になっている。その隙間が広い部
分（Ａ）付近に対応して成膜速度の速い部分、つまり形
成される膜の膜厚の厚い部分３４が生じる。
ようにディスク１３に膜厚の不均一部がところどころに
形成されてしまう。この一つの要因として従来の基板ホ
ルダの形状に原因があり、図５に示すように従来の基板
ホルダ１８は概略的に矩形の形状であり、そのため基板
であるディスク１３と基板ホルダ１８との間の隙間は
Ａ、Ｂのように不均等になっている。その隙間が広い部
分（Ａ）付近に対応して成膜速度の速い部分、つまり形
成される膜の膜厚の厚い部分３４が生じる。
【０００５】この発明は、上記に鑑み、基板両面の全面
に均一な厚さの薄膜を形成することができるように改善
した、プラズマＣＶＤによる薄膜形成装置を提供するこ
とを目的とする。
に均一な厚さの薄膜を形成することができるように改善
した、プラズマＣＶＤによる薄膜形成装置を提供するこ
とを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明による薄膜形成装置においては、真空チャ
ンバと、該真空チャンバ内の中央付近で基板を保持す
る、基板の外形に対応した形状を有する基板ホルダと、
上記真空チャンバの両側面に各々連結されたＥＣＲプラ
ズマ発生手段と、上記チャンバ内に所定の磁界を発生さ
せる磁界発生手段と、不活性ガスおよび反応ガスを上記
真空チャンバに導入するガス導入手段と、上記真空チャ
ンバ内で保持される基板に負の電圧を印加する電圧印加
手段とが備えられることが特徴となっている。
め、この発明による薄膜形成装置においては、真空チャ
ンバと、該真空チャンバ内の中央付近で基板を保持す
る、基板の外形に対応した形状を有する基板ホルダと、
上記真空チャンバの両側面に各々連結されたＥＣＲプラ
ズマ発生手段と、上記チャンバ内に所定の磁界を発生さ
せる磁界発生手段と、不活性ガスおよび反応ガスを上記
真空チャンバに導入するガス導入手段と、上記真空チャ
ンバ内で保持される基板に負の電圧を印加する電圧印加
手段とが備えられることが特徴となっている。
【０００７】基板ホルダは、基板の外形に対応した形状
を有しており、そのため、これによって保持される基板
との間の隙間がどの部分でも一定になっている。そこ
で、基板の両面側で生じるプラズマイオンの通り道がど
こでも一定になるので、空間的に均一なプラズマイオン
を形成し、基板の全面にわたり形成される薄膜の厚さを
均一にすることが可能となる。
を有しており、そのため、これによって保持される基板
との間の隙間がどの部分でも一定になっている。そこ
で、基板の両面側で生じるプラズマイオンの通り道がど
こでも一定になるので、空間的に均一なプラズマイオン
を形成し、基板の全面にわたり形成される薄膜の厚さを
均一にすることが可能となる。
【０００８】
【発明の実施の形態】つぎに、この発明の実施の形態に
ついて図面を参照しながら詳細に説明する。この発明の
実施形態では、図１、図２に示すように、薄膜を形成し
ようとする基板（ディスク）１３を基板ホルダ１４によ
りツメ１７を介して保持する。この基板ホルダ１４は、
ディスク１３の外形に対応させてリング型になってお
り、ディスク１３との間隔ｄがどこでも一定になるよう
な形状とされている。この間隔ｄは３ｍｍ〜５０ｍｍ程
度とされている。このリング型基板ホルダ１４の上端の
隙間の幅ｗは５ｍｍ以下とされる。さらに基板ホルダ１
４の肉厚ｔは、強度の点で可能な限り、なるべく薄いも
のとされている。ツメ１７は図２にように基板ホルダ１
４の内側面に固定されている。このツメ１７にディスク
１３をはさむことにより、ディスク１３を保持する。
ついて図面を参照しながら詳細に説明する。この発明の
実施形態では、図１、図２に示すように、薄膜を形成し
ようとする基板（ディスク）１３を基板ホルダ１４によ
りツメ１７を介して保持する。この基板ホルダ１４は、
ディスク１３の外形に対応させてリング型になってお
り、ディスク１３との間隔ｄがどこでも一定になるよう
な形状とされている。この間隔ｄは３ｍｍ〜５０ｍｍ程
度とされている。このリング型基板ホルダ１４の上端の
隙間の幅ｗは５ｍｍ以下とされる。さらに基板ホルダ１
４の肉厚ｔは、強度の点で可能な限り、なるべく薄いも
のとされている。ツメ１７は図２にように基板ホルダ１
４の内側面に固定されている。このツメ１７にディスク
１３をはさむことにより、ディスク１３を保持する。
【０００９】図３は、この発明にかかるプラズマＣＶＤ
による薄膜形成装置の全体を模式的に示すブロック図で
ある。上記のように基板ホルダ１４によって保持された
基板１３が、図示しない排気系により真空に排気された
真空チャンバ１１内に配置される。基板１３は上記のよ
うに基板ホルダ１４によって保持された状態で、真空チ
ャンバ１１の側面に設けられたロードロック室１２を介
して真空チャンバ１１内に搬入され、且つこれから搬出
される。
による薄膜形成装置の全体を模式的に示すブロック図で
ある。上記のように基板ホルダ１４によって保持された
基板１３が、図示しない排気系により真空に排気された
真空チャンバ１１内に配置される。基板１３は上記のよ
うに基板ホルダ１４によって保持された状態で、真空チ
ャンバ１１の側面に設けられたロードロック室１２を介
して真空チャンバ１１内に搬入され、且つこれから搬出
される。
【００１０】基板１３には基板ホルダ１４を通じて電圧
印加装置１５により負の直流電圧あるいは高周波電圧が
印加されるようになっている。真空チャンバ１１には、
その中にアルゴンガスや反応ガスを導入するための、ボ
ンベおよび制御バルブ等からなるガス導入系１６が接続
されている。また、この例では、真空チャンバ１１の両
側面（図では左右）の窓に、キャビティ２１、２１が連
結されている。このキャビティ２１にはマイクロ波を導
入するための導波管２２が取り付けられ、且つその周囲
にマグネットコイル２３、２４が設けられており、この
キャビティ２１内でＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）
プラズマが発生するようにされている。
印加装置１５により負の直流電圧あるいは高周波電圧が
印加されるようになっている。真空チャンバ１１には、
その中にアルゴンガスや反応ガスを導入するための、ボ
ンベおよび制御バルブ等からなるガス導入系１６が接続
されている。また、この例では、真空チャンバ１１の両
側面（図では左右）の窓に、キャビティ２１、２１が連
結されている。このキャビティ２１にはマイクロ波を導
入するための導波管２２が取り付けられ、且つその周囲
にマグネットコイル２３、２４が設けられており、この
キャビティ２１内でＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）
プラズマが発生するようにされている。
【００１１】すなわち、導波管２２により２．４５ＧＨ
ｚのマイクロ波をキャビティ２１内に導入し、同時にマ
グネットコイル２３、２４により磁場を形成することに
より、ＥＣＲを発生させて活性なＥＣＲプラズマを形成
する。このＥＣＲプラズマは、マグネットコイル２３、
２４により真空チャンバ１１内に形成されたミラー磁場
あるいはカスプ磁場等の適宜な磁場により真空チャンバ
１１内に引き出される。
ｚのマイクロ波をキャビティ２１内に導入し、同時にマ
グネットコイル２３、２４により磁場を形成することに
より、ＥＣＲを発生させて活性なＥＣＲプラズマを形成
する。このＥＣＲプラズマは、マグネットコイル２３、
２４により真空チャンバ１１内に形成されたミラー磁場
あるいはカスプ磁場等の適宜な磁場により真空チャンバ
１１内に引き出される。
【００１２】制御装置２５は、電圧印加装置１５を制御
して基板１３に加える電圧をコントロールするととも
に、ガス導入系１６のバルブを開閉してガスを真空チャ
ンバ１１内に導入する。また、マグネットコイル２３、
２４に電流を流す電源（図示しない）を制御して、発生
磁場をコントロールする。
して基板１３に加える電圧をコントロールするととも
に、ガス導入系１６のバルブを開閉してガスを真空チャ
ンバ１１内に導入する。また、マグネットコイル２３、
２４に電流を流す電源（図示しない）を制御して、発生
磁場をコントロールする。
【００１３】基板１３の両表面に保護層を成膜してハー
ドディスク記録装置の磁気ディスクを製造するものとす
ると、基板１３に負の電圧を印加し、真空チャンバ１１
内にＣｎＨｍガス（炭化水素ガス）あるいは不活性ガス
とＣｎＨｍガスとの混合ガスを真空チャンバ１１に導入
する。このＣｎＨｍガスがＥＣＲプラズマによってイオ
ン化され、炭素イオンおよび水素イオンが基板１３に付
着して薄膜を形成する。このようなＥＣＲ−ＣＶＤによ
り基板１３の両表面に炭素系膜の成膜がなされる。ＥＣ
Ｒ−ＣＶＤにより形成した炭素系膜はアモルファス状薄
膜であり、耐摩耗性・耐腐食性・耐剥離性・耐電圧特性
・耐絶縁性に優れたものとなる。こうして非常に硬度が
高くしかも薄膜として磁気ディスクの保護層に最適なも
のが形成できる。
ドディスク記録装置の磁気ディスクを製造するものとす
ると、基板１３に負の電圧を印加し、真空チャンバ１１
内にＣｎＨｍガス（炭化水素ガス）あるいは不活性ガス
とＣｎＨｍガスとの混合ガスを真空チャンバ１１に導入
する。このＣｎＨｍガスがＥＣＲプラズマによってイオ
ン化され、炭素イオンおよび水素イオンが基板１３に付
着して薄膜を形成する。このようなＥＣＲ−ＣＶＤによ
り基板１３の両表面に炭素系膜の成膜がなされる。ＥＣ
Ｒ−ＣＶＤにより形成した炭素系膜はアモルファス状薄
膜であり、耐摩耗性・耐腐食性・耐剥離性・耐電圧特性
・耐絶縁性に優れたものとなる。こうして非常に硬度が
高くしかも薄膜として磁気ディスクの保護層に最適なも
のが形成できる。
【００１４】このようにＥＣＲ−ＣＶＤにより基板１３
の両面に成膜する場合、図４の（ａ）に示すように、基
板１３の両面において内側および外側の縁部３２、３３
（これらでは膜厚が厚くなっている）を除く大部分で均
一な膜厚の部分３１を形成することができる。すなわ
ち、基板ホルダ１４の形状は、上記の通り、基板たるデ
ィスク１３の外形に対応させてリング型となっており、
基板ホルダ１４とディスク１３との間の距離ｄがどこで
も一定になり、しかも基板ホルダ１４の肉厚ｔを薄くし
ている。ＥＣＲ−ＣＶＤにより基板１３の両面に成膜す
る場合、プラズマイオンは基板１３の両面に生じるが、
隙間の距離ｄが一定でしかも肉厚ｔが小さいため、プラ
ズマイオンの通り道が均一となり、基板１３に対して空
間的に均一なプラズマイオンを生じさせることができ
る。その結果、基板１３において図４の（ａ）に示すよ
うに均一膜厚部３１を形成できたものと考えられる。
の両面に成膜する場合、図４の（ａ）に示すように、基
板１３の両面において内側および外側の縁部３２、３３
（これらでは膜厚が厚くなっている）を除く大部分で均
一な膜厚の部分３１を形成することができる。すなわ
ち、基板ホルダ１４の形状は、上記の通り、基板たるデ
ィスク１３の外形に対応させてリング型となっており、
基板ホルダ１４とディスク１３との間の距離ｄがどこで
も一定になり、しかも基板ホルダ１４の肉厚ｔを薄くし
ている。ＥＣＲ−ＣＶＤにより基板１３の両面に成膜す
る場合、プラズマイオンは基板１３の両面に生じるが、
隙間の距離ｄが一定でしかも肉厚ｔが小さいため、プラ
ズマイオンの通り道が均一となり、基板１３に対して空
間的に均一なプラズマイオンを生じさせることができ
る。その結果、基板１３において図４の（ａ）に示すよ
うに均一膜厚部３１を形成できたものと考えられる。
【００１５】さらに、基板ホルダ１４の形状を、基板た
るディスク１３の外形に対応させてリング型とし、基板
ホルダ１４とディスク１３との間の距離ｄがどこでも一
定になるようにしたため、中心軸（ディスク１３の中心
軸）に対して軸対称となっており、このことも膜厚を均
一にすることに寄与している。すなわち、プラズマはガ
ウシアン分布で広がるため、真空チャンバ１１内におい
て物理的障害がない限り均一に広がる。ディスク１３の
中心軸はプラズマの中心軸に概略対応しているため、上
記のような軸対称な形状とすることによって、膜厚分布
を均一にできる。
るディスク１３の外形に対応させてリング型とし、基板
ホルダ１４とディスク１３との間の距離ｄがどこでも一
定になるようにしたため、中心軸（ディスク１３の中心
軸）に対して軸対称となっており、このことも膜厚を均
一にすることに寄与している。すなわち、プラズマはガ
ウシアン分布で広がるため、真空チャンバ１１内におい
て物理的障害がない限り均一に広がる。ディスク１３の
中心軸はプラズマの中心軸に概略対応しているため、上
記のような軸対称な形状とすることによって、膜厚分布
を均一にできる。
【００１６】なお、上記は一つの例についての説明であ
り、この発明は上記の構成に限定されないものであるこ
とはもちろんである。たとえば、ツメ１７の形状などは
図示のものに限定されない。また、ハードディスク記録
装置の磁気ディスクの製造プロセスにおいて保護層を両
面同時に形成する場合だけでなく、一般の基板１３の両
面に対してその他の薄膜を形成することも可能であるこ
とは言うまでもない。
り、この発明は上記の構成に限定されないものであるこ
とはもちろんである。たとえば、ツメ１７の形状などは
図示のものに限定されない。また、ハードディスク記録
装置の磁気ディスクの製造プロセスにおいて保護層を両
面同時に形成する場合だけでなく、一般の基板１３の両
面に対してその他の薄膜を形成することも可能であるこ
とは言うまでもない。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の薄膜形
成装置によれば、ＥＣＲ−ＣＶＤによる両面同時成膜を
行う場合に、均一な厚さの薄膜を形成することができ
る。このように均一な薄膜の両面同時成膜が可能である
ことから、効率のよい成膜ができ、低コスト化を図るこ
とができる。とくに、ＥＣＲ−ＣＶＤにより形成した炭
素系膜は、耐摩耗性・耐腐食性・耐剥離性・耐電圧特性
・耐絶縁性に優れ、磁気ディスクの保護膜として最適で
あり、このような炭素系膜を均一な膜厚で効率よく両面
同時に成膜できるので、磁気ディスクの製造プロセスに
用いるのに好適である。
成装置によれば、ＥＣＲ−ＣＶＤによる両面同時成膜を
行う場合に、均一な厚さの薄膜を形成することができ
る。このように均一な薄膜の両面同時成膜が可能である
ことから、効率のよい成膜ができ、低コスト化を図るこ
とができる。とくに、ＥＣＲ−ＣＶＤにより形成した炭
素系膜は、耐摩耗性・耐腐食性・耐剥離性・耐電圧特性
・耐絶縁性に優れ、磁気ディスクの保護膜として最適で
あり、このような炭素系膜を均一な膜厚で効率よく両面
同時に成膜できるので、磁気ディスクの製造プロセスに
用いるのに好適である。
【図１】この発明の実施形態にかかる基板ホルダを示す
正面図。
正面図。
【図２】同基板ホルダの一部を示す模式的な斜視図。
【図３】この発明の実施形態にかかる薄膜形成装置の全
体を示すブロック図。
体を示すブロック図。
【図４】基板に成膜した薄膜の膜厚分布を示す模式図。
【図５】従来例にかかる基板ホルダを示す正面図。
１１ 真空チャンバ １２ ロードロック室 １３ 基板（ディスク） １４、１８ 基板ホルダ １５ 電圧印加装置 １６ ガス導入系 １７ ツメ ２１ キャビティ ２２ 導波管 ２３、２４ マグネットコイル ２５ 制御装置
Claims (1)
- 【請求項１】 真空チャンバと、該真空チャンバ内の中
央付近で基板を保持する、基板の外形に対応した形状を
有する基板ホルダと、上記真空チャンバの両側面に各々
連結されたＥＣＲプラズマ発生手段と、上記チャンバ内
に所定の磁界を発生させる磁界発生手段と、不活性ガス
および反応ガスを上記真空チャンバに導入するガス導入
手段と、上記真空チャンバ内で保持される基板に負の電
圧を印加する電圧印加手段とを備えることを特徴とする
薄膜形成装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9369534A JPH11193468A (ja) | 1997-12-30 | 1997-12-30 | 薄膜形成装置 |
| US09/210,477 US6089185A (en) | 1997-12-30 | 1998-12-14 | Thin film forming apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9369534A JPH11193468A (ja) | 1997-12-30 | 1997-12-30 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11193468A true JPH11193468A (ja) | 1999-07-21 |
Family
ID=18494673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9369534A Pending JPH11193468A (ja) | 1997-12-30 | 1997-12-30 | 薄膜形成装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6089185A (ja) |
| JP (1) | JPH11193468A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007213730A (ja) * | 2006-02-10 | 2007-08-23 | Tdk Corp | 基板保持装置及び磁気記録媒体の製造方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0672306B2 (ja) * | 1987-04-27 | 1994-09-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| JPH06158361A (ja) * | 1992-11-20 | 1994-06-07 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
| TW283250B (en) * | 1995-07-10 | 1996-08-11 | Watkins Johnson Co | Plasma enhanced chemical processing reactor and method |
| JPH09129607A (ja) * | 1995-11-01 | 1997-05-16 | Canon Inc | マイクロ波プラズマエッチング装置及び方法 |
| JPH09266096A (ja) * | 1996-03-28 | 1997-10-07 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置及びこれを用いたプラズマ処理方法 |
| US6033478A (en) * | 1996-11-05 | 2000-03-07 | Applied Materials, Inc. | Wafer support with improved temperature control |
-
1997
- 1997-12-30 JP JP9369534A patent/JPH11193468A/ja active Pending
-
1998
- 1998-12-14 US US09/210,477 patent/US6089185A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007213730A (ja) * | 2006-02-10 | 2007-08-23 | Tdk Corp | 基板保持装置及び磁気記録媒体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6089185A (en) | 2000-07-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3225855B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH1027782A (ja) | プラズマ処理方法及び装置 | |
| JPH03240944A (ja) | アルミニウム薄膜形成用対向ターゲット式スパッタ法及び装置 | |
| JP3944946B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH11193468A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP2000306696A (ja) | Ｅｃｒプラズマ装置 | |
| JP2902822B2 (ja) | プレーナ形マグネトロンスパッタ電極 | |
| JP4666817B2 (ja) | 高誘電体のエッチング装置 | |
| JPH09245993A (ja) | プラズマ処理装置及びアンテナの製造方法 | |
| JPS62170475A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US6223686B1 (en) | Apparatus for forming a thin film by plasma chemical vapor deposition | |
| JP3391245B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP3249013B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH10298751A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP3784203B2 (ja) | マグネトロンスパッタ方法と装置 | |
| JPH09125243A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH11246972A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP2936790B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP2000163741A (ja) | ディスク基板の製造装置 | |
| JP2001181849A (ja) | Ｅｃｒ保護膜の成膜方法およびｅｃｒ成膜装置 | |
| KR102617710B1 (ko) | 기판 처리장치 | |
| JP2004213824A (ja) | 磁気ヘッド用保護膜および保護膜形成方法 | |
| JP2725203B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JP2689126B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JP3106528B2 (ja) | 硬質カーボン膜形成方法及び形成装置 |