JP2004213824A - 磁気ヘッド用保護膜および保護膜形成方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】薄くてかつ耐腐食性および耐摩耗性に優れた保護膜の提供。
【解決手段】Al2O3TiC母材1にMRセンサ部2が形成された磁気ヘッドの被保護面、すなわち読み取り再生を行う面に、密着層として水素化アモルファスシリコン膜3を形成する。そして、その水素化アモルファスシリコン膜3上に、炭素膜として耐透過性および耐摩耗性に優れたta−C(tetrahedral amorphous carbon)膜4を形成する。水素化アモルファスシリコン膜3は、スパッタ法による成膜装置、例えば、マグネトロンスパッタ装置によって成膜され、通常のアモルファスシリコンに比べて耐透過性に優れている。その結果、保護膜全体の厚さを従来よりも薄くすることができる。または、従来の膜厚でも歩留まりを向上させることができる。
【選択図】 図1
【解決手段】Al2O3TiC母材1にMRセンサ部2が形成された磁気ヘッドの被保護面、すなわち読み取り再生を行う面に、密着層として水素化アモルファスシリコン膜3を形成する。そして、その水素化アモルファスシリコン膜3上に、炭素膜として耐透過性および耐摩耗性に優れたta−C(tetrahedral amorphous carbon)膜4を形成する。水素化アモルファスシリコン膜3は、スパッタ法による成膜装置、例えば、マグネトロンスパッタ装置によって成膜され、通常のアモルファスシリコンに比べて耐透過性に優れている。その結果、保護膜全体の厚さを従来よりも薄くすることができる。または、従来の膜厚でも歩留まりを向上させることができる。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気ヘッド用の保護膜およびその保護膜を形成するための保護膜形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイスや磁気記録装置等においては、高性能化が進むにつれてより薄く、強度・耐久性・耐腐食性を兼ね備えた保護膜が要求されている。例えば、磁気記録装置に用いられる磁気ヘッド(GMRヘッドやMRヘッド)の場合、ヘッドの耐腐食性や耐摩耗性を向上させる目的でダイアモンドライクカーボン(DLC)と呼ばれるアモルファス炭素膜を保護膜として形成している。一般的には、磁気ヘッドのAl2O3TiC母材上に密着層としてのSi膜を形成し、その上にDLC薄膜を形成する。保護膜の厚みは炭素膜とSi膜を合わせて10nm程度であった。
【0003】
近年では、磁気録装置の記録密度の向上にともなって、磁気ヘッドと記録面との距離を小さくするために保護膜の厚さをより薄くすることが要求されている。例えば、保護膜の厚さをトータルで3nmよりも小さくすることが望まれている。その場合、保護膜の厚さが薄くなっても、保護膜としての特性である耐摩耗性や、水分などを通さない充分な耐透過性は維持されなくてはならない。そのため、炭素膜として、DLC膜よりも密度の高く耐透過性および耐摩耗性に優れたta−C(tetrahedral amorphous carbon)膜が注目されている(例えば、特許文献1参照)。
【0004】
【特許文献1】
特開2002−279605号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、保護膜全体をより薄くするためには、炭素膜だけでなく密着層も薄くする必要がある。そのため、密着層に用いられる膜に対しても、より高い耐透過性が要求されている。
【0006】
本発明は、密着層として水素化アモルファスシリコン膜を用いた保護膜、およびその保護膜の形成方法を提供するものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
請求項1の発明による保護膜は、磁気ヘッドの被保護面を覆うように形成され、被保護面上に水素化アモルファスシリコン膜およびta−C(tetrahedral amorphous carbon)膜の順に各膜を形成して成る。
請求項2の発明による保護膜形成方法では、磁気ヘッドの被保護面上にスパッタ法により水素化アモルファスシリコン膜を形成し、その水素化アモルファスシリコン膜上にカソーディックアーク法によりta−C(tetrahedral amorphous carbon)膜を形成することを特徴とする。
【0008】
【発明の実施の形態】
以下、図を参照して本発明の実施の形態を説明する。図1は、本発明による保護膜が形成された磁気ヘッドの断面を模式的に示したものである。1は磁気ヘッドのAl2O3TiC母材であり、母材1にはMRセンサ部2が形成されている。MRセンサ部2はメタル層であって、例えば、NiFe等が用いられている。そのため、水分等によって腐食しやすいという性質がある。
【0009】
母材1上には水素化アモルファスシリコン(a−Si:H)膜3が密着層として形成され、その水素化アモルファスシリコン膜3の上に炭素膜としてta−C膜4が形成されている。水素化アモルファスシリコン膜3を介してta−C膜4を母材1上に形成することにより、ta−C膜4を直接母材1上に形成する場合に比べてta−C膜4が剥がれ難くなる。
【0010】
従来、密着層としてはスパッタ法等により形成されるアモルファスシリコン(a−Si)膜が一般的に用いられているが、a−Si膜はSi原子同士の間で未結合手が生じやすくH2O等が結合しやすい。その結果、膜厚を薄くするとMRセンサ部2が腐食し易くなるという欠点があった。
【0011】
一方、本実施の形態では、a−Si膜に代えて水素化アモルファスシリコン膜3を密着層として用いている。水素化アモルファスシリコン膜3の場合には、アモルファスシリコンの未結合手の部分に水素が結びつくため、H2O等の結合はほとんどない。そのため、a−Si膜に比べて耐透過性が向上し、従来のa−Si膜を用いた密着層よりも膜厚を薄くすることができる。また、従来の膜厚でも歩留まり向上が期待できる。
【0012】
また、ta−C膜4は、カソーディックアーク法による成膜装置、例えば、後述するFCVA(Filtered Cathodic Vacuum Arc)成膜装置を用いて成膜される。ta−C膜とはC−C間結合に関してSP3構造の比率が高いアモルファス炭素膜のことを指し、炭化水素系ガス(例えば、エチレン、メタンなど)を用いたCVD法により成膜されるアモルファス炭素膜(DLC膜)とは区別されている。そして、ta−C膜はSP3構造の比率が高いため、DLC膜と比べて緻密で硬い膜が得られる。
【0013】
図1に示すように、密着層として水素化アモルファスシリコン膜3を用いることにより、より薄い膜厚で充分な耐透過性を有する密着層を得ることができる。それによって、密着層と炭素膜とを合わせた保護膜全体の厚さを薄くすることができる。さらに、炭素膜として緻密で硬いta−C膜4を形成することにより、耐摩耗性の向上および耐腐食性(耐透過性)の高い保護膜を形成することができ、より薄い保護膜を得ることができる。
【0014】
[成膜装置の説明]
図2は、水素化アモルファスシリコン膜3の成膜に用いられるスパッタ成膜装置の一例を示したものであり、DCマグネトロンスパッタ装置5の模式図である。DCマグネトロンスパッタ装置5のスパッタ室7に設けられたターゲットホルダ9には、Siターゲット10が装着される。ターゲットホルダ9は陰極を構成しており、陽極11側には磁気ヘッド部材を複数保持した試料Sが装着される。磁気ヘッド部材は被成膜面が図示下方となるように保持されている。
【0015】
ターゲットホルダ9には磁石12が設けられ、Siターゲット10にはバイアス電源13により負のバイアス電圧が印加されている。磁石12はSiターゲット10の表面付近に平行な磁界を発生させるために設けられたものである。スパッタ室7内には、プロセスガスとしてアルゴンガス(Ar)と水素ガス(H2)との混合ガスが供給される。20はアルゴンガスのガス供給源であり、マスフローコントローラ21aおよびバルブV3aを介してアルゴンガスが供給される。一方、22は水素ガス供給源であり、同様に、マスフローコントローラ21bおよびバルブV3bを介して水素ガスが供給される。
【0016】
成膜の際には、スパッタ室7内にアルゴンガスと水素ガスとの混合ガスを供給するとともに排気装置8により真空排気し、スパッタ室7内を所定のプロセス圧力にしてプラズマが生成される。Siターゲット10はプラズマ中のアルゴンイオンによりスパッタされ、スパッタされたSi粒子は磁気ヘッド部材の被成膜面に堆積してSi膜を形成する。プラズマ中の水素ガスはイオン化されたり水素ラジカルが形成されたりし、それらが形成されたSi膜と反応し水素化アモルファスシリコン膜(a−Si:H)が形成される。
【0017】
図3はta−C膜4の成膜に用いられるFCVA成膜装置6の概略を示す模式図である。FCVA成膜装置6はプラズマ発生部40,フィルタ部41,ビームスキャン装置42,成膜チャンバ43および装置全体を制御する制御装置44で構成されている。
【0018】
プラズマ発生部40は、グラファイトターゲット45が装着される陰極部46と、陰極部46が固定される陽極チャンバ47と、アーク放電のきっかけを作るためのトリガ48とを備えている。陰極部46はアーク電源(定電流源)49の負端子に接続されており、陽極チャンバ47はアーク電源49の正端子に接続されている。陰極部46と陽極チャンバ47とは、絶縁部材51によって電気的に絶縁されている。陽極チャンバ47内には、磁気コイル58によりアキシャル磁場が形成される。トリガ48は、軸480を回転軸としてステップモータ等の駆動部50により回転駆動される。
【0019】
フィルタ部41を構成する屈曲したトロイダルダクト53には、磁気コイル54が設けられるとともに、バイアス電源56によりバイアス電圧が印加されている。トロイダルダクト53内には、バイアス電圧による電場(ラジアル電場)と、磁気コイル54によるダクト軸に沿ったアキシャル磁場とが形成される。
【0020】
成膜チャンバ43内には基板ステージ57が設けられており、この基板ステージ57に試料Sが装着される。成膜チャンバ43のビーム導入ダクト部60の周囲にはビームスキャン装置42が設けられており、ビームスキャン装置42はフィルタ部41から出射されたプラズマビームをビームに直交する方向に偏向走査する。
【0021】
ビームスキャン装置42は、例えば、一対のC字形状磁気コア(不図示)から成る。一方の磁気コアの磁極はダクト部60を挟んで図示上下に配設され、他方の磁気コアの磁極はダクト部60を挟んで紙面に直交する方向に配設される。磁気コアにはソレノイドコイル(不図示)が巻き付けられており、そのソレノイドコイルには電源61により励磁電流が供給される。成膜チャンバ43とフィルタ部41との間、およびフィルタ部41と陽極チャンバ47との間には、電気的な絶縁を図るための絶縁部材59,55が設けられている。
【0022】
図4はトロイダルダクト53の形状の一例を示す図であり、(a)はダクト上方から見た平面図、(b)は正面図である。トロイダルダクト53は3つの直管部531,533,535と、それらを繋ぐ2つの屈曲部532,534とを有している。直管部531および535の開口部にはフランジ536,537がそれぞれ設けられている。直管部531の軸方向と直管部535の軸方向とは互いに90度の角度を成しており、直管部531はz軸に沿って配設され、直管部535はx軸に沿って配設されている。
【0023】
図3に戻って、トリガ48を破線で示す位置からターゲット45側に倒すと、トリガ48の先端に設けられたトリガチップ48aとターゲット45との間にアーク放電が発生する。そして、このアーク放電をきっかけに陽極チャンバ47と陰極部46との間にもアーク放電が発生し、プラズマが生成される。このプラズマ中には、グラファイトターゲット45からのカーボンイオンや多数のカーボン原子から成るクラスター(マクロパーティクルと呼ばれる)が含まれている。
【0024】
生成されたプラズマは、陽極チャンバ47内に形成されたアキシャル磁場により集束されるとともにフィルタ部41のトロイダルダクト53へと導かれる。上述したようにトロイダルダクト53内にはラジアル電場とアキシャル磁場とが形成されているため、フィルタ部41は、プラズマビームから所望のカーボンイオンのみを成膜チャンバ43へと通過させるフィルタとして機能する。
【0025】
成膜チャンバ43に導かれたカーボンイオンは、基板ステージ57に装着された試料Sに照射される。このとき、ビームスキャン装置42を用いてカーボンイオンのビームをその直交する方向に偏向走査することにより、試料Sの広い領域に均一にカーボンイオンを照射することができる。このようなFCVA成膜装置を用いることにより、緻密で硬い炭素膜であるta−C膜4を形成することができる。
【0026】
なお、上述した実施の形態では、水素化アモルファスシリコン膜3を形成する装置としてマグネトロンスパッタ装置を例に説明したが、スパッタ法により水素化アモルファスシリコン膜3を形成できる装置であればマグネトロンスパッタ装置に限らず、例えば、イオンビームスパッタ装置でも良い。同様に、ta−C膜4を成膜する装置に関しても、カソーディックアーク法による成膜装置であればFCVA成膜装置に限らない。また、本発明の特徴を損なわない限り、本発明は上記実施の形態に何ら限定されるものではない。
【0027】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、被成膜面上に水素化アモルファスシリコン膜およびta−C膜をこの順に形成して保護膜としているので、薄くてかつ耐腐食性および耐摩耗性に優れた保護膜を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による保護膜が形成された磁気ヘッドの断面を示す模式図である。
【図2】水素化アモルファスシリコン膜3の成膜に用いられるDCマグネトロンスパッタ装置5の模式図である。
【図3】ta−C膜4の成膜に用いられるFCVA成膜装置6の概略を示す模式図である。
【図4】トロイダルダクト53の形状の一例を示す図であり、(a)はダクト上方から見た平面図、(b)は正面図である。
【符号の説明】
1 母材
2 MRセンサ部
3 水素化アモルファスシリコン膜
4 ta−C膜
5 DCマグネトロンスパッタ装置
6 FCVA成膜装置
S 試料
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気ヘッド用の保護膜およびその保護膜を形成するための保護膜形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイスや磁気記録装置等においては、高性能化が進むにつれてより薄く、強度・耐久性・耐腐食性を兼ね備えた保護膜が要求されている。例えば、磁気記録装置に用いられる磁気ヘッド(GMRヘッドやMRヘッド)の場合、ヘッドの耐腐食性や耐摩耗性を向上させる目的でダイアモンドライクカーボン(DLC)と呼ばれるアモルファス炭素膜を保護膜として形成している。一般的には、磁気ヘッドのAl2O3TiC母材上に密着層としてのSi膜を形成し、その上にDLC薄膜を形成する。保護膜の厚みは炭素膜とSi膜を合わせて10nm程度であった。
【0003】
近年では、磁気録装置の記録密度の向上にともなって、磁気ヘッドと記録面との距離を小さくするために保護膜の厚さをより薄くすることが要求されている。例えば、保護膜の厚さをトータルで3nmよりも小さくすることが望まれている。その場合、保護膜の厚さが薄くなっても、保護膜としての特性である耐摩耗性や、水分などを通さない充分な耐透過性は維持されなくてはならない。そのため、炭素膜として、DLC膜よりも密度の高く耐透過性および耐摩耗性に優れたta−C(tetrahedral amorphous carbon)膜が注目されている(例えば、特許文献1参照)。
【0004】
【特許文献1】
特開2002−279605号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、保護膜全体をより薄くするためには、炭素膜だけでなく密着層も薄くする必要がある。そのため、密着層に用いられる膜に対しても、より高い耐透過性が要求されている。
【0006】
本発明は、密着層として水素化アモルファスシリコン膜を用いた保護膜、およびその保護膜の形成方法を提供するものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
請求項1の発明による保護膜は、磁気ヘッドの被保護面を覆うように形成され、被保護面上に水素化アモルファスシリコン膜およびta−C(tetrahedral amorphous carbon)膜の順に各膜を形成して成る。
請求項2の発明による保護膜形成方法では、磁気ヘッドの被保護面上にスパッタ法により水素化アモルファスシリコン膜を形成し、その水素化アモルファスシリコン膜上にカソーディックアーク法によりta−C(tetrahedral amorphous carbon)膜を形成することを特徴とする。
【0008】
【発明の実施の形態】
以下、図を参照して本発明の実施の形態を説明する。図1は、本発明による保護膜が形成された磁気ヘッドの断面を模式的に示したものである。1は磁気ヘッドのAl2O3TiC母材であり、母材1にはMRセンサ部2が形成されている。MRセンサ部2はメタル層であって、例えば、NiFe等が用いられている。そのため、水分等によって腐食しやすいという性質がある。
【0009】
母材1上には水素化アモルファスシリコン(a−Si:H)膜3が密着層として形成され、その水素化アモルファスシリコン膜3の上に炭素膜としてta−C膜4が形成されている。水素化アモルファスシリコン膜3を介してta−C膜4を母材1上に形成することにより、ta−C膜4を直接母材1上に形成する場合に比べてta−C膜4が剥がれ難くなる。
【0010】
従来、密着層としてはスパッタ法等により形成されるアモルファスシリコン(a−Si)膜が一般的に用いられているが、a−Si膜はSi原子同士の間で未結合手が生じやすくH2O等が結合しやすい。その結果、膜厚を薄くするとMRセンサ部2が腐食し易くなるという欠点があった。
【0011】
一方、本実施の形態では、a−Si膜に代えて水素化アモルファスシリコン膜3を密着層として用いている。水素化アモルファスシリコン膜3の場合には、アモルファスシリコンの未結合手の部分に水素が結びつくため、H2O等の結合はほとんどない。そのため、a−Si膜に比べて耐透過性が向上し、従来のa−Si膜を用いた密着層よりも膜厚を薄くすることができる。また、従来の膜厚でも歩留まり向上が期待できる。
【0012】
また、ta−C膜4は、カソーディックアーク法による成膜装置、例えば、後述するFCVA(Filtered Cathodic Vacuum Arc)成膜装置を用いて成膜される。ta−C膜とはC−C間結合に関してSP3構造の比率が高いアモルファス炭素膜のことを指し、炭化水素系ガス(例えば、エチレン、メタンなど)を用いたCVD法により成膜されるアモルファス炭素膜(DLC膜)とは区別されている。そして、ta−C膜はSP3構造の比率が高いため、DLC膜と比べて緻密で硬い膜が得られる。
【0013】
図1に示すように、密着層として水素化アモルファスシリコン膜3を用いることにより、より薄い膜厚で充分な耐透過性を有する密着層を得ることができる。それによって、密着層と炭素膜とを合わせた保護膜全体の厚さを薄くすることができる。さらに、炭素膜として緻密で硬いta−C膜4を形成することにより、耐摩耗性の向上および耐腐食性(耐透過性)の高い保護膜を形成することができ、より薄い保護膜を得ることができる。
【0014】
[成膜装置の説明]
図2は、水素化アモルファスシリコン膜3の成膜に用いられるスパッタ成膜装置の一例を示したものであり、DCマグネトロンスパッタ装置5の模式図である。DCマグネトロンスパッタ装置5のスパッタ室7に設けられたターゲットホルダ9には、Siターゲット10が装着される。ターゲットホルダ9は陰極を構成しており、陽極11側には磁気ヘッド部材を複数保持した試料Sが装着される。磁気ヘッド部材は被成膜面が図示下方となるように保持されている。
【0015】
ターゲットホルダ9には磁石12が設けられ、Siターゲット10にはバイアス電源13により負のバイアス電圧が印加されている。磁石12はSiターゲット10の表面付近に平行な磁界を発生させるために設けられたものである。スパッタ室7内には、プロセスガスとしてアルゴンガス(Ar)と水素ガス(H2)との混合ガスが供給される。20はアルゴンガスのガス供給源であり、マスフローコントローラ21aおよびバルブV3aを介してアルゴンガスが供給される。一方、22は水素ガス供給源であり、同様に、マスフローコントローラ21bおよびバルブV3bを介して水素ガスが供給される。
【0016】
成膜の際には、スパッタ室7内にアルゴンガスと水素ガスとの混合ガスを供給するとともに排気装置8により真空排気し、スパッタ室7内を所定のプロセス圧力にしてプラズマが生成される。Siターゲット10はプラズマ中のアルゴンイオンによりスパッタされ、スパッタされたSi粒子は磁気ヘッド部材の被成膜面に堆積してSi膜を形成する。プラズマ中の水素ガスはイオン化されたり水素ラジカルが形成されたりし、それらが形成されたSi膜と反応し水素化アモルファスシリコン膜(a−Si:H)が形成される。
【0017】
図3はta−C膜4の成膜に用いられるFCVA成膜装置6の概略を示す模式図である。FCVA成膜装置6はプラズマ発生部40,フィルタ部41,ビームスキャン装置42,成膜チャンバ43および装置全体を制御する制御装置44で構成されている。
【0018】
プラズマ発生部40は、グラファイトターゲット45が装着される陰極部46と、陰極部46が固定される陽極チャンバ47と、アーク放電のきっかけを作るためのトリガ48とを備えている。陰極部46はアーク電源(定電流源)49の負端子に接続されており、陽極チャンバ47はアーク電源49の正端子に接続されている。陰極部46と陽極チャンバ47とは、絶縁部材51によって電気的に絶縁されている。陽極チャンバ47内には、磁気コイル58によりアキシャル磁場が形成される。トリガ48は、軸480を回転軸としてステップモータ等の駆動部50により回転駆動される。
【0019】
フィルタ部41を構成する屈曲したトロイダルダクト53には、磁気コイル54が設けられるとともに、バイアス電源56によりバイアス電圧が印加されている。トロイダルダクト53内には、バイアス電圧による電場(ラジアル電場)と、磁気コイル54によるダクト軸に沿ったアキシャル磁場とが形成される。
【0020】
成膜チャンバ43内には基板ステージ57が設けられており、この基板ステージ57に試料Sが装着される。成膜チャンバ43のビーム導入ダクト部60の周囲にはビームスキャン装置42が設けられており、ビームスキャン装置42はフィルタ部41から出射されたプラズマビームをビームに直交する方向に偏向走査する。
【0021】
ビームスキャン装置42は、例えば、一対のC字形状磁気コア(不図示)から成る。一方の磁気コアの磁極はダクト部60を挟んで図示上下に配設され、他方の磁気コアの磁極はダクト部60を挟んで紙面に直交する方向に配設される。磁気コアにはソレノイドコイル(不図示)が巻き付けられており、そのソレノイドコイルには電源61により励磁電流が供給される。成膜チャンバ43とフィルタ部41との間、およびフィルタ部41と陽極チャンバ47との間には、電気的な絶縁を図るための絶縁部材59,55が設けられている。
【0022】
図4はトロイダルダクト53の形状の一例を示す図であり、(a)はダクト上方から見た平面図、(b)は正面図である。トロイダルダクト53は3つの直管部531,533,535と、それらを繋ぐ2つの屈曲部532,534とを有している。直管部531および535の開口部にはフランジ536,537がそれぞれ設けられている。直管部531の軸方向と直管部535の軸方向とは互いに90度の角度を成しており、直管部531はz軸に沿って配設され、直管部535はx軸に沿って配設されている。
【0023】
図3に戻って、トリガ48を破線で示す位置からターゲット45側に倒すと、トリガ48の先端に設けられたトリガチップ48aとターゲット45との間にアーク放電が発生する。そして、このアーク放電をきっかけに陽極チャンバ47と陰極部46との間にもアーク放電が発生し、プラズマが生成される。このプラズマ中には、グラファイトターゲット45からのカーボンイオンや多数のカーボン原子から成るクラスター(マクロパーティクルと呼ばれる)が含まれている。
【0024】
生成されたプラズマは、陽極チャンバ47内に形成されたアキシャル磁場により集束されるとともにフィルタ部41のトロイダルダクト53へと導かれる。上述したようにトロイダルダクト53内にはラジアル電場とアキシャル磁場とが形成されているため、フィルタ部41は、プラズマビームから所望のカーボンイオンのみを成膜チャンバ43へと通過させるフィルタとして機能する。
【0025】
成膜チャンバ43に導かれたカーボンイオンは、基板ステージ57に装着された試料Sに照射される。このとき、ビームスキャン装置42を用いてカーボンイオンのビームをその直交する方向に偏向走査することにより、試料Sの広い領域に均一にカーボンイオンを照射することができる。このようなFCVA成膜装置を用いることにより、緻密で硬い炭素膜であるta−C膜4を形成することができる。
【0026】
なお、上述した実施の形態では、水素化アモルファスシリコン膜3を形成する装置としてマグネトロンスパッタ装置を例に説明したが、スパッタ法により水素化アモルファスシリコン膜3を形成できる装置であればマグネトロンスパッタ装置に限らず、例えば、イオンビームスパッタ装置でも良い。同様に、ta−C膜4を成膜する装置に関しても、カソーディックアーク法による成膜装置であればFCVA成膜装置に限らない。また、本発明の特徴を損なわない限り、本発明は上記実施の形態に何ら限定されるものではない。
【0027】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、被成膜面上に水素化アモルファスシリコン膜およびta−C膜をこの順に形成して保護膜としているので、薄くてかつ耐腐食性および耐摩耗性に優れた保護膜を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による保護膜が形成された磁気ヘッドの断面を示す模式図である。
【図2】水素化アモルファスシリコン膜3の成膜に用いられるDCマグネトロンスパッタ装置5の模式図である。
【図3】ta−C膜4の成膜に用いられるFCVA成膜装置6の概略を示す模式図である。
【図4】トロイダルダクト53の形状の一例を示す図であり、(a)はダクト上方から見た平面図、(b)は正面図である。
【符号の説明】
1 母材
2 MRセンサ部
3 水素化アモルファスシリコン膜
4 ta−C膜
5 DCマグネトロンスパッタ装置
6 FCVA成膜装置
S 試料
Claims (2)
- 磁気ヘッドの被保護面を覆うように形成され、前記被保護面上に水素化アモルファスシリコン膜およびta−C(tetrahedral amorphous carbon)膜の順に各膜を形成して成る保護膜。
- 磁気ヘッドの被保護面上にスパッタ法により水素化アモルファスシリコン膜を形成し、前記水素化アモルファスシリコン膜上にカソーディックアーク法によりta−C(tetrahedral amorphous carbon)膜を形成することを特徴とする保護膜形成方法。
Priority Applications (1)
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JP2003002250A JP2004213824A (ja) | 2003-01-08 | 2003-01-08 | 磁気ヘッド用保護膜および保護膜形成方法 |
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---|---|---|---|---|
DE102004041235A1 (de) * | 2004-08-26 | 2006-03-02 | Ina-Schaeffler Kg | Verschleißfeste Beschichtung und Verfahren zur Herstellung derselben |
WO2009016721A1 (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-05 | Fujitsu Limited | アルミナ膜の成膜方法 |
JP2015008031A (ja) * | 2013-06-24 | 2015-01-15 | シーゲイト テクノロジー エルエルシー | 少なくとも1つの接着層を含む装置および接着層を形成する方法 |
JP2016522529A (ja) * | 2013-06-07 | 2016-07-28 | パーデュー・リサーチ・ファウンデーションPurdue Research Foundation | 熱アシスト磁気記録のための近接場トランスデューサ |
-
2003
- 2003-01-08 JP JP2003002250A patent/JP2004213824A/ja active Pending
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