JPH11192432A - 高度の焼結安定性を有する担持触媒及びその製造方法 - Google Patents
高度の焼結安定性を有する担持触媒及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 金属が良好な間隔を保ち、長期間の操作後も
高い活性をもち、燒結安定性である、担体触媒を提供す
る。 【解決手段】 高い燒結安定性を有し、1種またはそれ
以上の式(1)の貴金属クラスターカルボニル化合物: [HaMbNcLd(CO)x]n-An+ [式中、MおよびNは、互いに独立してPt、Rh、I
r、Os、Ru、Ag、Pd、Au、Ni、Fe、C
o、Cu、Re、Mnよりなる群から選択される1また
はそれ以上の金属であり;Lは同一でも異なってもよい
1またはそれ以上の中性またはアニオン性配位子であ
り;(A)n+は錯体の電荷バランスをとる1またはそれ
以上のカチオンであり;aは0〜10、好ましくは0〜
6の整数であり;bは2〜60の整数であり;cは0〜
30の整数であり;dは0〜60の整数であり;xは1
〜120の整数であり;nは成分の個々の電荷により生
じる錯体の総電荷であり、0より大きい]を含み、式
(1)の化合物が中間孔質担体材料の細孔内にある担体
触媒。
高い活性をもち、燒結安定性である、担体触媒を提供す
る。 【解決手段】 高い燒結安定性を有し、1種またはそれ
以上の式(1)の貴金属クラスターカルボニル化合物: [HaMbNcLd(CO)x]n-An+ [式中、MおよびNは、互いに独立してPt、Rh、I
r、Os、Ru、Ag、Pd、Au、Ni、Fe、C
o、Cu、Re、Mnよりなる群から選択される1また
はそれ以上の金属であり;Lは同一でも異なってもよい
1またはそれ以上の中性またはアニオン性配位子であ
り;(A)n+は錯体の電荷バランスをとる1またはそれ
以上のカチオンであり;aは0〜10、好ましくは0〜
6の整数であり;bは2〜60の整数であり;cは0〜
30の整数であり;dは0〜60の整数であり;xは1
〜120の整数であり;nは成分の個々の電荷により生
じる錯体の総電荷であり、0より大きい]を含み、式
(1)の化合物が中間孔質担体材料の細孔内にある担体
触媒。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、貴金属カルボニル
化合物をベースとする担体触媒、これらの触媒の製造方
法、および有機化合物の水素化、脱ハロゲン化もしくは
酸化、または過酸化物分解のための、それらの使用に関
する。
化合物をベースとする担体触媒、これらの触媒の製造方
法、および有機化合物の水素化、脱ハロゲン化もしくは
酸化、または過酸化物分解のための、それらの使用に関
する。
【0002】
【従来の技術】酸化アルミニウムに保持されたRu−C
u、Pt−IrおよびPt−Re系が改質プロセスにお
いて卓越した触媒性をもつことが“Bimetalli
c Catalysts”、ワイリー、ニューヨーク、
1983およびInt.Rev.Phys.Chem.
7,1988,281に示されて以来、一成分金属(m
onometallic)および二成分金属(bime
tallic)のナノサイズ粒子およびクラスターの形
成、構造および触媒としての使用に、かなりの関心が向
けられている。
u、Pt−IrおよびPt−Re系が改質プロセスにお
いて卓越した触媒性をもつことが“Bimetalli
c Catalysts”、ワイリー、ニューヨーク、
1983およびInt.Rev.Phys.Chem.
7,1988,281に示されて以来、一成分金属(m
onometallic)および二成分金属(bime
tallic)のナノサイズ粒子およびクラスターの形
成、構造および触媒としての使用に、かなりの関心が向
けられている。
【0003】幅広い細孔半径分布をもつ従来のセラミッ
ク触媒担体、たとえばSiO2、Al2O3、TiO2およ
びZrO2とは別に、細孔直径2.5〜10nmの純粋
に中間孔質の(mesoporous)材料も、水熱合
成法による入手の容易さのため担体としての使用が増加
している。これに関してはたとえばCurrentOp
inion in Solid State and
MaterialScience,1,1996,76
およびCurrent Opinionin Coll
oid Science,1,1996,523に記載
されている。
ク触媒担体、たとえばSiO2、Al2O3、TiO2およ
びZrO2とは別に、細孔直径2.5〜10nmの純粋
に中間孔質の(mesoporous)材料も、水熱合
成法による入手の容易さのため担体としての使用が増加
している。これに関してはたとえばCurrentOp
inion in Solid State and
MaterialScience,1,1996,76
およびCurrent Opinionin Coll
oid Science,1,1996,523に記載
されている。
【0004】このような中間細孔内に触媒活性中心を配
置する方法も知られている。Nature,378,1
995,159、Angew.Chem.Int.E
d.Engl.35,1996,2787およびFar
aday Discuss.105,1996,1に、
このような方法、たとえばSi−O結合を介したTi
(IV)イオンの固着が記載されている。
置する方法も知られている。Nature,378,1
995,159、Angew.Chem.Int.E
d.Engl.35,1996,2787およびFar
aday Discuss.105,1996,1に、
このような方法、たとえばSi−O結合を介したTi
(IV)イオンの固着が記載されている。
【0005】水素化および酸化に用いる担体触媒を製造
するために、前記の中間孔質担体と同様に不活性セラミ
ック担体に貴金属や貴金属クラスターを付与する方法が
多数開示されている。総説はたとえばCluster
and Colloids,VCH,ワインハイム,1
994;Heterogeneous Catalys
ts,クラレンドン・プレス,オックスフォード,19
87;Catalytic Chemistry、ワイ
リー、ニューヨーク、1992および、Matal C
lusters in Catalysis、エルゼビ
ル、アムステルダム、1986中にみられる。先行技術
方法により得られる触媒は、それらを使用する初期の段
階では活性であるが、急速に失活する。これは、担体へ
のナノサイズ貴金属粒子および貴金属クラスターの固着
が不十分であること、また燒結現象のため一次粒子が凝
集して、小さな触媒表面積しかもたない大型粒子になる
ことによる。
するために、前記の中間孔質担体と同様に不活性セラミ
ック担体に貴金属や貴金属クラスターを付与する方法が
多数開示されている。総説はたとえばCluster
and Colloids,VCH,ワインハイム,1
994;Heterogeneous Catalys
ts,クラレンドン・プレス,オックスフォード,19
87;Catalytic Chemistry、ワイ
リー、ニューヨーク、1992および、Matal C
lusters in Catalysis、エルゼビ
ル、アムステルダム、1986中にみられる。先行技術
方法により得られる触媒は、それらを使用する初期の段
階では活性であるが、急速に失活する。これは、担体へ
のナノサイズ貴金属粒子および貴金属クラスターの固着
が不十分であること、また燒結現象のため一次粒子が凝
集して、小さな触媒表面積しかもたない大型粒子になる
ことによる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】したがって本発明の目
的は、長い操作時間後もなお高い活性をもち、かつ良好
な燒結安定性をもつ、すなわち燒結後ですら貴金属クラ
スターまたはナノサイズ粒子が凝集して大型粒子を形成
することのない、触媒を提供することである。本発明の
他の目的は、ヒドロキシル基をもつ担体に貴金属クラス
ターを付与して固着させ、金属が良好な間隔を保ち、か
つ高い活性および卓越した燒結安定性をもつ担体触媒を
得ることである。
的は、長い操作時間後もなお高い活性をもち、かつ良好
な燒結安定性をもつ、すなわち燒結後ですら貴金属クラ
スターまたはナノサイズ粒子が凝集して大型粒子を形成
することのない、触媒を提供することである。本発明の
他の目的は、ヒドロキシル基をもつ担体に貴金属クラス
ターを付与して固着させ、金属が良好な間隔を保ち、か
つ高い活性および卓越した燒結安定性をもつ担体触媒を
得ることである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、高い触媒活性
および選択性ならびに卓越した燒結安定性をもち、既知
触媒の欠点をもたない新規な担体触媒、これらの触媒の
製造方法、ならびに有機反応におけるそれらの使用を提
供することにより、この目的を達成する。
および選択性ならびに卓越した燒結安定性をもち、既知
触媒の欠点をもたない新規な担体触媒、これらの触媒の
製造方法、ならびに有機反応におけるそれらの使用を提
供することにより、この目的を達成する。
【0008】したがって本発明は、高い燒結安定性を有
し、1種またはそれ以上の式(1)の貴金属クラスター
カルボニル化合物: [HaMbNcLd(CO)x]n-An+ [式中、MおよびNは、互いに独立してPt、Rh、I
r、Os、Ru、Ag、Pd、Au、Ni、Fe、C
o、Cu、Re、Mnよりなる群から選択される1また
はそれ以上の金属であり;Lは同一でも異なってもよい
1またはそれ以上の中性またはアニオン性配位子であ
り;(A)n+は錯体の電荷バランスをとる1またはそれ
以上のカチオンであり;aは0〜10、好ましくは0〜
6の整数であり;bは2〜60の整数であり;cは0〜
30の整数であり;dは0〜60の整数であり;xは1
〜120の整数であり;nは成分の個々の電荷により生
じる錯体の総電荷であり、0より大きい]を含み、式
(1)の化合物が中間孔質担体材料の細孔内にある担体
触媒を提供する。
し、1種またはそれ以上の式(1)の貴金属クラスター
カルボニル化合物: [HaMbNcLd(CO)x]n-An+ [式中、MおよびNは、互いに独立してPt、Rh、I
r、Os、Ru、Ag、Pd、Au、Ni、Fe、C
o、Cu、Re、Mnよりなる群から選択される1また
はそれ以上の金属であり;Lは同一でも異なってもよい
1またはそれ以上の中性またはアニオン性配位子であ
り;(A)n+は錯体の電荷バランスをとる1またはそれ
以上のカチオンであり;aは0〜10、好ましくは0〜
6の整数であり;bは2〜60の整数であり;cは0〜
30の整数であり;dは0〜60の整数であり;xは1
〜120の整数であり;nは成分の個々の電荷により生
じる錯体の総電荷であり、0より大きい]を含み、式
(1)の化合物が中間孔質担体材料の細孔内にある担体
触媒を提供する。
【0009】ヒドロキシル基を含む適した中間孔質担体
材料は、特に二酸化ケイ素、ケイ素混合酸化物、酸化ア
ルミニウム、酸化ジルコニウムまたは酸化チタンであ
る。
材料は、特に二酸化ケイ素、ケイ素混合酸化物、酸化ア
ルミニウム、酸化ジルコニウムまたは酸化チタンであ
る。
【0010】本発明によれば、たとえば中間孔質二酸化
ケイ素(たとえばMCM−41、登録商標、モービル)
を用いた場合、細孔直径はたとえば2〜50nm、特に
2.5〜30nmである。
ケイ素(たとえばMCM−41、登録商標、モービル)
を用いた場合、細孔直径はたとえば2〜50nm、特に
2.5〜30nmである。
【0011】貴金属クラスターは担体材料の表面ヒドロ
キシル基に強固に結合し、これにより、燒結現象の結果
クラスターが燒結して触媒が失活するのを阻止する。本
発明によれば、担体材料の細孔内に高い金属濃度の貴金
属クラスターの規則的配列が形成され、その結果、凝集
現象によって良好な金属分散が失われることを心配する
必要なしに活性金属担持を著しく高めることができる。
キシル基に強固に結合し、これにより、燒結現象の結果
クラスターが燒結して触媒が失活するのを阻止する。本
発明によれば、担体材料の細孔内に高い金属濃度の貴金
属クラスターの規則的配列が形成され、その結果、凝集
現象によって良好な金属分散が失われることを心配する
必要なしに活性金属担持を著しく高めることができる。
【0012】たとえばルテニウムの場合、MCM−41
を用いると、担体材料の中間細孔軸に沿って規則的に配
列した貴金属クラスターカルボニル化合物の間隔は1.
0〜5.0nm、特に1.7〜2.7nmである。他の
担体材料を用いた場合、クラスターの間隔は0.5〜5
nmとなりうる。
を用いると、担体材料の中間細孔軸に沿って規則的に配
列した貴金属クラスターカルボニル化合物の間隔は1.
0〜5.0nm、特に1.7〜2.7nmである。他の
担体材料を用いた場合、クラスターの間隔は0.5〜5
nmとなりうる。
【0013】従来法により、たとえば含浸、浸漬、噴霧
または超音波分散により、担体に含浸溶液を含浸させる
ことができる。一成分金属または二成分金属形の貴金属
カルボニル錯体が溶液から担体材料に吸着する。適した
溶剤は、貴金属カルボニル錯体と反応しないものであ
る。このような不活性溶剤の例は脂肪族エーテル、特に
ジエチルエーテルである。
または超音波分散により、担体に含浸溶液を含浸させる
ことができる。一成分金属または二成分金属形の貴金属
カルボニル錯体が溶液から担体材料に吸着する。適した
溶剤は、貴金属カルボニル錯体と反応しないものであ
る。このような不活性溶剤の例は脂肪族エーテル、特に
ジエチルエーテルである。
【0014】好ましい態様において担体のアニオンクラ
スター担持は、これら2成分をエーテルおよび少量のク
ラスター塩類溶解性第2溶剤、たとえば塩化メチレンに
懸濁することにより達成される。
スター担持は、これら2成分をエーテルおよび少量のク
ラスター塩類溶解性第2溶剤、たとえば塩化メチレンに
懸濁することにより達成される。
【0015】貴金属Mは、好ましくはRu、Ag、P
d、Pt、Au、Rh、Re、Ir、Co、Cuまたは
Niである。化学量論的指数bは2〜60、特に3〜3
0である。
d、Pt、Au、Rh、Re、Ir、Co、Cuまたは
Niである。化学量論的指数bは2〜60、特に3〜3
0である。
【0016】貴金属Nは、好ましくはAgまたはCuで
ある。化学量論的指数cは、好ましくは0〜30、特に
0〜15である。
ある。化学量論的指数cは、好ましくは0〜30、特に
0〜15である。
【0017】貴金属カルボニル錯体は、貴金属およびC
O基のほかにさらに水素または他の配位子を含むことが
できるが、それらは他の配位子を含まない純粋なカルボ
ニル錯体であってもよい。貴金属カルボニル錯体は、ア
ニオン性の、特に強還元性の配位子Lとして、1、2、
3または4種の異なる化学種を含むことができる。これ
らの化学種は、たとえばC、N、S、C2、F、Cl、
Br、I、BF4、シアニド、イソシアニド、シアナー
ト、イソシアナート、CNO、ホスフィン類、ホスフィ
ンオキシド類、アルシン類、アミン類、飽和もしくは不
飽和アルキル、アリルまたはアリール基、たとえばシク
ロペンタジエニルであってもよく、これらは中性形で、
またはアニオンとして存在できる。
O基のほかにさらに水素または他の配位子を含むことが
できるが、それらは他の配位子を含まない純粋なカルボ
ニル錯体であってもよい。貴金属カルボニル錯体は、ア
ニオン性の、特に強還元性の配位子Lとして、1、2、
3または4種の異なる化学種を含むことができる。これ
らの化学種は、たとえばC、N、S、C2、F、Cl、
Br、I、BF4、シアニド、イソシアニド、シアナー
ト、イソシアナート、CNO、ホスフィン類、ホスフィ
ンオキシド類、アルシン類、アミン類、飽和もしくは不
飽和アルキル、アリルまたはアリール基、たとえばシク
ロペンタジエニルであってもよく、これらは中性形で、
またはアニオンとして存在できる。
【0018】貴金属カルボニル錯体が配位子として化学
種を1種含む場合、化学量論的指数dはその存在数を示
す。貴金属カルボニル錯体が配位子として化学種を1種
より多く含む場合、dは存在するそれらそれぞれの数を
示し、個々のタイプの配位子につき異なってもよい。そ
れぞれの化学種につきd、は0〜60、特に0〜30で
ある。
種を1種含む場合、化学量論的指数dはその存在数を示
す。貴金属カルボニル錯体が配位子として化学種を1種
より多く含む場合、dは存在するそれらそれぞれの数を
示し、個々のタイプの配位子につき異なってもよい。そ
れぞれの化学種につきd、は0〜60、特に0〜30で
ある。
【0019】錯体中に存在するCO基の数xは1〜12
0、好ましくは1〜60、特に5〜50である。
0、好ましくは1〜60、特に5〜50である。
【0020】錯体の総電荷nは金属と配位子が保有する
電荷の和に依存し、好ましくは−1〜−10、特に−1
〜−6である。
電荷の和に依存し、好ましくは−1〜−10、特に−1
〜−6である。
【0021】本発明による式(1)の化合物は、たとえ
ば以下のものである:
ば以下のものである:
【0022】
【化1】
【0023】本発明により担体材料表面に配置された構
造体の形成は、第1にクラスターが化学的に結合するこ
と、第2にクラスターがかさ高い対イオンで囲まれるこ
とにより“一定の距離をおいて”保持されるという事実
に基づく。たとえば担体材料表面の各クラスターは2つ
の対イオンで挟まれ、したがっていずれの2クラスター
間にも2つの対イオンがある。
造体の形成は、第1にクラスターが化学的に結合するこ
と、第2にクラスターがかさ高い対イオンで囲まれるこ
とにより“一定の距離をおいて”保持されるという事実
に基づく。たとえば担体材料表面の各クラスターは2つ
の対イオンで挟まれ、したがっていずれの2クラスター
間にも2つの対イオンがある。
【0024】貴金属カルボニル錯体の電荷バランスをと
る適切な対イオン(A)n+は、1またはそれ以上の異な
るイオンであり、これらは好ましくは少なくとも0.5
nm、特に≧1nmのイオン半径を有する。
る適切な対イオン(A)n+は、1またはそれ以上の異な
るイオンであり、これらは好ましくは少なくとも0.5
nm、特に≧1nmのイオン半径を有する。
【0025】式(R4E)+のイオンを用いるのが好まし
く、式中のRは水素、1〜12個の炭素原子をもつアル
キル基、6〜12個の炭素原子をもつアりール基、また
はアミンもしくはイミン基であり、EはN、PまたはA
sである。式(R2N)+のイオンを用いるのも好まし
く、式中のNは窒素であり、Rは有機基、好ましくはホ
スフィン基、たとえばトリフェニルホスフィンである。
テトラフェニルアルソニウムおよびビス(トリフェニル
ホスフィノ)イミニウムカチオンを用いるのが特に好ま
しい。用いるアルキル基の具体例は、メチル、エチル、
プロピル、ブチルおよびシクロヘキシルであり、用いる
アリール基は特に非置換または置換フェニル環である。
く、式中のRは水素、1〜12個の炭素原子をもつアル
キル基、6〜12個の炭素原子をもつアりール基、また
はアミンもしくはイミン基であり、EはN、PまたはA
sである。式(R2N)+のイオンを用いるのも好まし
く、式中のNは窒素であり、Rは有機基、好ましくはホ
スフィン基、たとえばトリフェニルホスフィンである。
テトラフェニルアルソニウムおよびビス(トリフェニル
ホスフィノ)イミニウムカチオンを用いるのが特に好ま
しい。用いるアルキル基の具体例は、メチル、エチル、
プロピル、ブチルおよびシクロヘキシルであり、用いる
アリール基は特に非置換または置換フェニル環である。
【0026】本発明方法によれば、担体材料の表面に、
より高いクラスター塩の担持を達成できる。たとえば本
発明によれば、担体材料としてMCM−41を用いた場
合、担持(塩の質量/MCM−41の質量)は>0.
5、特に0.7〜3である。担持は、クラスターを担体
に保持させた際の塩類と担体材料の質量(m)から計算
される。最終触媒の活性金属担持は、原子分光法により
実験的に測定することもできる。
より高いクラスター塩の担持を達成できる。たとえば本
発明によれば、担体材料としてMCM−41を用いた場
合、担持(塩の質量/MCM−41の質量)は>0.
5、特に0.7〜3である。担持は、クラスターを担体
に保持させた際の塩類と担体材料の質量(m)から計算
される。最終触媒の活性金属担持は、原子分光法により
実験的に測定することもできる。
【0027】触媒は、式(1)の化合物を熱処理、光分
解処理または化学処理によって配位子Lを開裂させてそ
れらの遊離形の一成分貴金属または二成分貴金属、Mま
たはMNに変換することにより、活性化される。このた
めには、貴金属クラスターを担持させた担体に200ト
ル未満、特に20トル未満、殊に200ミリトル未満の
減圧を付与する。必要ならば担体を、たとえば10〜3
00℃、好ましくは15〜200℃の温度に加熱するこ
とができる。加熱は一般に10分から5時間、好ましく
は20〜180分間実施され、好ましくは不活性ガス下
で行われる。
解処理または化学処理によって配位子Lを開裂させてそ
れらの遊離形の一成分貴金属または二成分貴金属、Mま
たはMNに変換することにより、活性化される。このた
めには、貴金属クラスターを担持させた担体に200ト
ル未満、特に20トル未満、殊に200ミリトル未満の
減圧を付与する。必要ならば担体を、たとえば10〜3
00℃、好ましくは15〜200℃の温度に加熱するこ
とができる。加熱は一般に10分から5時間、好ましく
は20〜180分間実施され、好ましくは不活性ガス下
で行われる。
【0028】本発明方法で製造された触媒は、活性化の
前または後に、圧縮または微粉砕などの機械的処理によ
り、それらを工業用担体触媒として用いるのに有利な形
態に変換できる。
前または後に、圧縮または微粉砕などの機械的処理によ
り、それらを工業用担体触媒として用いるのに有利な形
態に変換できる。
【0029】本発明の特に好ましい態様は、細孔直径約
3nmの二酸化ケイ素担体(MCM−41、登録商標、
モービル)に、ルテニウムクラスターイオン[Ru6C
(CO)16]2-または[H2Ru10(CO)25]2-を含む化
合物を含浸させることにより製造されるルテニウム触媒
の製造方法である。これらのルテニウム触媒は、好まし
くはそれらのビス(トリフェニルホスフィノ)イミニウ
ム塩(PPN)の形で用いられる。すなわち対イオンは
PPN+である。
3nmの二酸化ケイ素担体(MCM−41、登録商標、
モービル)に、ルテニウムクラスターイオン[Ru6C
(CO)16]2-または[H2Ru10(CO)25]2-を含む化
合物を含浸させることにより製造されるルテニウム触媒
の製造方法である。これらのルテニウム触媒は、好まし
くはそれらのビス(トリフェニルホスフィノ)イミニウ
ム塩(PPN)の形で用いられる。すなわち対イオンは
PPN+である。
【0030】本発明の担体触媒は、高い触媒活性および
選択性ならびに高い有効寿命を兼ね備えており、有機化
合物の水素化、脱ハロゲン化もしくは酸化、または過酸
化物分解に特に適している。
選択性ならびに高い有効寿命を兼ね備えており、有機化
合物の水素化、脱ハロゲン化もしくは酸化、または過酸
化物分解に特に適している。
【0031】
【実施例】実施例1および2: クラスター前駆体の合成:前駆体[Ru6C(CO)16]
[PPN]2(PPN=ビス(トリフェニルホスフィノ)
イミニウム)および[H2Ru10(CO)25] [PPN]2
を含有する化合物を文献法により合成した(Johns
on B.F.G.,Lewis J.,Sankey
S.,Wong W.K.,McPartlin
M.,Nelson W.J.H.,J.Orgnom
et.Chem.191,C3(1980);Bail
ey P.J.,Beswick M.A.,John
sonB.F.G.,Lewis J.,McPart
lin M.,Raithby P.R.,DeAre
llano M.C.R/.,J.Chem.Soc.
Dalton Trans.(1996)3515)。 中間孔質MCM−41担体への吸着:200mgのMC
M−41を473Kで高真空下に(0.01mmHg)
6時間乾燥させた。乾燥したこの担体を、次いで30m
lの乾燥エーテルに、Ruクラスター塩類[Ru6C(C
O)16] [PPN]2または [H2Ru10(CO)25] [P
PN]2と共に、0.1mlのCH2Cl2の存在下に室温
で光の不在下に72時間懸濁した。得られた赤色または
褐色の固体を10mlのエーテルで洗浄し、高真空下に
(0.01mmHg)乾燥させた。
[PPN]2(PPN=ビス(トリフェニルホスフィノ)
イミニウム)および[H2Ru10(CO)25] [PPN]2
を含有する化合物を文献法により合成した(Johns
on B.F.G.,Lewis J.,Sankey
S.,Wong W.K.,McPartlin
M.,Nelson W.J.H.,J.Orgnom
et.Chem.191,C3(1980);Bail
ey P.J.,Beswick M.A.,John
sonB.F.G.,Lewis J.,McPart
lin M.,Raithby P.R.,DeAre
llano M.C.R/.,J.Chem.Soc.
Dalton Trans.(1996)3515)。 中間孔質MCM−41担体への吸着:200mgのMC
M−41を473Kで高真空下に(0.01mmHg)
6時間乾燥させた。乾燥したこの担体を、次いで30m
lの乾燥エーテルに、Ruクラスター塩類[Ru6C(C
O)16] [PPN]2または [H2Ru10(CO)25] [P
PN]2と共に、0.1mlのCH2Cl2の存在下に室温
で光の不在下に72時間懸濁した。得られた赤色または
褐色の固体を10mlのエーテルで洗浄し、高真空下に
(0.01mmHg)乾燥させた。
【0032】これら2種のクラスター塩類についての最
大担持(塩類の質量/MCM−41の質量)は、MCM
−41/Ru6およびMCM−41/Ru10につき、
8:7および15:9であった。
大担持(塩類の質量/MCM−41の質量)は、MCM
−41/Ru6およびMCM−41/Ru10につき、
8:7および15:9であった。
【0033】生成物をIRおよびTEMにより分析し
た。 MCM−41/Ru6のIRデータ:n(CO)205
6(w),1968(vs),1929(m.s
h.),1910(m),1816(w.sh.),1
795(w),1727(s)cm-1 MCM−41/Ru10のIRデータ:n(CO)205
3(m),2044(w.sh.),2007(v
s),1989(s.sh.),1955(s.s
h.),1931(s),1780(w),1751
(w),1709(w)cm -1 STEM写真の評価は、細孔軸に沿って1.7nmおよ
び2.66nmの(投影)間隔でRuクラスターが規則
的に配列していることを示す。 固定 クラスターの配位子シェルを減圧下での緩和な熱処理に
より除去すると、“裸の”Ru金属ナノサイズ粒子が得
られる。
た。 MCM−41/Ru6のIRデータ:n(CO)205
6(w),1968(vs),1929(m.s
h.),1910(m),1816(w.sh.),1
795(w),1727(s)cm-1 MCM−41/Ru10のIRデータ:n(CO)205
3(m),2044(w.sh.),2007(v
s),1989(s.sh.),1955(s.s
h.),1931(s),1780(w),1751
(w),1709(w)cm -1 STEM写真の評価は、細孔軸に沿って1.7nmおよ
び2.66nmの(投影)間隔でRuクラスターが規則
的に配列していることを示す。 固定 クラスターの配位子シェルを減圧下での緩和な熱処理に
より除去すると、“裸の”Ru金属ナノサイズ粒子が得
られる。
【0034】これは、クラスター前駆物質および担体を
慎重に選択することにより、明瞭な輪郭をもつ隔離され
た触媒活性ナノサイズ粒子の規則的配列が得られること
を示す。
慎重に選択することにより、明瞭な輪郭をもつ隔離され
た触媒活性ナノサイズ粒子の規則的配列が得られること
を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 598036735 D−65926 Frankfurt am Main,Germany (72)発明者 ハラルト・ヴェルナー ドイツ連邦共和国61350 バート・ホムブ ルク,ヴィクトル−アハールト−シュトラ ーセ 14アー (72)発明者 ウヴェ・ディンゲルディッセン ドイツ連邦共和国64342 ゼーハイム−ユ ーゲンハイム,リンユーヴェーク 1 (72)発明者 クラウス・キューライン ドイツ連邦共和国65779 ケルクハイム, ファザネンシュトラーセ 41 (72)発明者 ジョン・ミューリグ・トーマス イギリス国シービー2 1キューワイ,ケ インブリッジ,トラムティントン・ストリ ート,ピーターハウス,ザ・マスターズ・ ロッジ(番地なし)
Claims (15)
- 【請求項1】 高い燒結安定性を有し、1種またはそれ
以上の式(1)の貴金属クラスターカルボニル化合物: [HaMbNcLd(CO)x]n-An+ [式中、MおよびNは、互いに独立してPt、Rh、I
r、Os、Ru、Ag、Pd、Au、Ni、Fe、C
o、Cu、Re、Mnよりなる群から選択される1また
はそれ以上の金属であり;Lは同一でも異なってもよい
1またはそれ以上の中性またはアニオン性配位子であ
り;(A)n+は錯体の電荷バランスをとる1またはそれ
以上のカチオンであり;aは0〜10の整数であり;b
は2〜60の整数であり;cは0〜30の整数であり;
dは0〜60の整数であり;xは1〜120の整数であ
り;nは成分の個々の電荷により生じる、錯体の総電荷
であり、0より大きい]を含み、式(1)の化合物が中
間孔質担体材料の細孔内にある担体触媒。 - 【請求項2】 担体材料がヒドロキシル基を含み、特に
二酸化ケイ素、ケイ素混合酸化物、酸化アルミニウム、
酸化ジルコニウムまたは二酸化チタンである、請求項1
記載の担体触媒。 - 【請求項3】 中間孔質担体材料の細孔直径が2〜50
nm、特に2.5〜30nmである、請求項1または2
記載の担体触媒。 - 【請求項4】 MがRu、Fe、Os、Ag、Cuまた
はAuである、請求項1〜3のいずれか1項記載の担体
触媒。 - 【請求項5】 Lが化学種C、N、S、C2、F、C
l、Br、I、BF4、シアニド、イソシアニド、シア
ナート、イソシアナート、CNO、ホスフィン類、ホス
フィンオキシド類、アルシン類、アミン類、アルキル
(飽和および不飽和)およびアリール(たとえばシクロ
ペンタジエニル)よりなる群から選択される1またはそ
れ以上の配位子である、請求項1〜4のいずれか1項記
載の担体触媒。 - 【請求項6】 対イオン(A)n+が少なくとも0.5n
m、好ましくは約1nmのイオン半径を有する、請求項
1〜5のいずれか1項記載の担体触媒。 - 【請求項7】 貴金属カルボニル錯体の総電荷nが−1
〜−10、特に−1〜−6である、請求項1〜6のいず
れか1項記載の担体触媒。 - 【請求項8】 貴金属カルボニル錯体中に存在するカル
ボニル基の数xが1〜60である、請求項1〜7のいずれ
か1項記載の担体触媒。 - 【請求項9】 MCM−41を用いた場合、担体材料の
中間細孔軸に沿って規則的に配列した貴金属クラスター
カルボニル化合物の間隔が1.0〜5.0nmである、
請求項1〜8のいずれか1項記載の担体触媒。 - 【請求項10】 式(1)の化合物を熱処理、光分解処
理または化学処理によってそれらの遊離形の一成分貴金
属または二成分貴金属、MまたはMNに変換することに
より、触媒を活性化する、請求項1〜9のいずれか1項
記載の担体触媒。 - 【請求項11】 MCM−41を用いた場合、担体材料
の貴金属クラスター塩類担持(塩の質量/MCM−41
の質量)が>0.5である、請求項1〜10のいずれか
1項記載の担体触媒。 - 【請求項12】 ヒドロキシル含有担体材料に式(1)
の化合物を含浸させることによる、請求項1〜11のい
ずれか1項記載の担体触媒の製造方法。 - 【請求項13】 触媒を、200トル未満の圧力または
不活性ガス下に、10〜300℃、特に15〜200℃
の温度で活性化する、請求項12記載の方法。 - 【請求項14】 触媒に[Ru6C(CO)16]2-または
[H2Ru10(CO)2 5]2-イオンの溶液を含浸させる、
請求項12または13記載の方法。 - 【請求項15】 有機化合物の水素化、脱ハロゲン化も
しくは酸化、または過酸化物分解のための、請求項1〜
11のいずれか1項記載の担体触媒の使用。
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- 1998-10-15 US US09/173,123 patent/US6372687B1/en not_active Expired - Fee Related
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