JPH11190758A - 半導体検査装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は球状接続端子を有する半導体チップ及
び半導体装置（被検査装置）の検査に用いて好適な半導
体検査装置に関し、球状接続端子を有する被検査装置の
検査を高い信頼性をもって、かつ球状接続端子を変形さ
せることなく実施することを課題とする。 【解決手段】バンプ２４を有する半導体装置２２に対し
て試験を行う半導体検査装置において、バンプ２４の形
成位置と対応する位置に開口部１６が形成された絶縁基
板１４と、この絶縁基板１４に形成されており前記バン
プ２４と接続する接続部２０Ａが形成サレコンタクト電極
１８Ａとを具備するコンタクト部材１２Ａと、バンプ２
４を前記開口部１６内に装着した状態で接続部２０Ａが
バンプ２４に向かい移動するようコンタクト部材１２Ａ
を水平方向にスライドさせるスライド機構２６とを設け
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体検査装置に係
り、特に球状接続端子を有する半導体チップ及び半導体
装置（被検査装置）の検査に用いて好適な半導体検査装
置に関する。近年、半導体装置の高密度化，高速化，小
型化が要求されており、この要求に対応すべく、パッケ
ージに封止されていない半導体チップ（いわゆるベアチ
ップ）又はＢＧＡ（Ball Grid Array)構造の半導体装置
を回路基板上に直接複数個搭載する実装方法が多用され
るようになってきている。

【０００２】この実装方法においては、例えば複数個配
設されるベアチップあるいは半導体装置の内、一つに異
常があれば装置全体が不良品となるため、個々のベアチ
ップあるいは半導体装置に高い信頼性が要求される。そ
こで、個々のベアチップあるいは半導体装置が正常に機
能するか否かを調べる検査が重要な課題となってきてい
る。

【０００３】

【従来の技術】従来より、下面に球状に突出する球状接
続端子を有する半導体装置（以下、樹脂封止されていな
いベアチップ及び樹脂封止された半導体装置を総称して
「半導体装置」という）の検査方法として種々の検査方
法が提案されており、また実施されている。

【０００４】この種の半導体装置の電気的動作検査を行
う場合、球状接続端子に検査装置の検査針を接触させる
ため、球状接続端子をできるだけ変質させずに各球状接
続端子の電気的接続の検査を行なわなければならず、更
に検査の信頼性が高く、且つ低コストであることが要求
されている。従来の半導体検査装置としては、例えば半
導体用テストソケットを使用したものがある。この半導
体用テストソケットは、プローブ（検査針）を用いて半
導体装置の電気的動作を検査する構成となっている。こ
の検査方法は、半導体装置の下面に形成された複数の球
状接続端子に対応するよう検査用基板に複数のプローブ
を配設しておき、このプローブの先端を直接球状接続端
子に接触させることにより検査を行う検査方法である。

【０００５】すなわち、半導体用テストソケットは、半
導体装置の複数の球状接続端子と同一の配列に設けられ
た複数のプローブを有し、このプローブにはＵ字状に曲
げられた撓み部分が設けられている。そして、プローブ
の先端が半導体装置の球状接続端子に当接して押圧され
ると、撓み部分が変形して球状接続端子の損傷を軽減す
るようになっている。

【０００６】しかしながら、上記したプローブ検査法に
より半導体装置の電気的な検査を行う場合、球状接続端
子の高さにバラツキがあるため、プローブの先端との接
続が十分でない場合が発生して検査精度が低下してしま
うおそれがある。また、プローブにはＵ字状に曲げられ
た撓み部分が設けられているものの、プローブの先端が
球状接続端子に当接したとき、半田により形成された球
状接続端子を変形させてしまうおそれがあった。更に、
この方式では、電極が微細化すると隣接するプローブ間
で干渉が発生するため、球状接続端子が狭ピッチで配設
されるベアチップやウエハーレベルの検査には適用する
ことができなかった。

【０００７】そこで、上記の問題点を解決した半導体検
査装置として、図２５に示すメンブレン式コンタクタが
注目されるようになってきている。同図に示されるよう
に、メンブレン式コンタクタ１００は、絶縁性の樹脂基
板１０１に導電性のコンタクト電極１０２を形成した構
成とされている。半導体装置１０３に形成された球状接
続端子１０４は、このメンブレン式コンタクタ１００の
コンタクト電極１０２に圧接され、電気的な接続が行な
われる構成とされている。

【０００８】半導体検査装置として、このメンブレン式
コンタクタ１００を用いることにより、前記した他の方
式の半導体検査装置に比べて遙にコンタクト電極１０２
の狭ピッチ化を図ることができるため、ベアチップやウ
エハーレベルの検査にも適用することが可能である。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかるに、上記した従
来のメンブレン式コンタクタ１００においても、次に述
べる種々の課題がある。 第１の課題は、半導体装置１０３に設けられた球状
接続端子１０４の変形である。即ち、一般に半導体装置
１０３に設けられた球状接続端子１０４は半田で形成さ
れることが多く、また半田は軟質であるため、検査時に
印加されるコンタクト圧で変形が発生し易い。特に、高
温状態で球状接続端子１０４とコンタクト電極１０２と
がコンタクトするバーンイン試験においては、この問題
は深刻である。

【００１０】 また、従来のメンブレン式コンタクタ
１００では、図２５に示されるように、コンタクト電極
１０２が半導体装置１０３に設けられた球状接続端子１
０４の下面に当接することにより電気的接続を図る構成
とされいたため、試験終了後に球状接続端子１０４の下
部に変形や傷が発生してしまう。球状接続端子１０４の
下部（下面）は、半導体装置１０３を回路基板等に実装
する際に重要な部位であり、ここに変形や傷が存在する
と実装性を害することとなる。

【００１１】 また、周知のように球状接続端子１０
４を半田により形成した場合、その表面には酸化膜が発
生する。この酸化膜は導電性が不良であるため、球状接
続端子１０４とコンタクト電極１０２とが安定した接続
を行なうためには、この酸化膜を破る必要がある。しか
るに、従来のメンブレン式コンタクタ１００は、基本的
に球状接続端子１０４を平面状のコンタクト電極１０２
に垂直方向に押し当てることにより電気的接続を図る構
成とされていたため、横方向への変位は殆どなく、よっ
て酸化膜を破るのが困難であった。また、垂直方向に押
し当てることにより酸化膜を破こうとした場合には、非
常に大きな押圧力が必要となり、球状接続端子１０４に
変形が発生してしまう。

【００１２】 また、メンブレン式コンタクタ１００
では、各コンタクト電極１０２が一体化された絶縁基板
１０１に一体化された状態で配設されているため、個々
のコンタクト電極１０２は隣接するコンタクト電極１０
２の動きに制約される。即ち、各コンタクト電極１０２
が絶縁基板１０１に一体化さた構成では、周囲のコンタ
クト電極１０２に対して一つのコンタクト電極１０２だ
けが大きく沈み込むようなコンタクト動作を行なうこと
ができない。このため、コンタクト電極１０２の高さに
ばらつきがある場合、球状接続端子１０４の径寸法にば
らつきがある場合、また半導体装置１０３とメンブレン
式コンタクタ１００との間の平行度にばらつきがある場
合等においては、このばらつきを柔軟に吸収することが
できない。

【００１３】図２６は、球状接続端子１０４の径寸法に
ばらつきがある例を示している。同図に示すように、周
囲の球状接続端子１０４に対して一つの球状接続端子１
０４ａの径寸法が小さい場合には、他の球状接続端子１
０４がコンタクト電極１０２に接続された状態で、球状
接続端子１０４ａはコンタクト電極１０２から離間して
しまい電気的接続が行なえなくなる。

【００１４】このように球状接続端子１０４（１０４
ａ）にばらつきがある場合、全ての球状接続端子１０４
（１０４ａ）をコンタクト電極１０２と接触させようと
すると、図２７に示されるように、小径である球状接続
端子１０４ａ以外の球状接続端子１０４には大きな圧力
が印加されて変形が発生してしまう。本発明は上記の点
に鑑みてなされたものであり、狭ピッチ化された球状接
続端子の検査に対応しうると共に、球状接続端子に損傷
を与えることなく検査を行なうことを可能とした半導体
検査装置を提供することを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明では下記の種々の手段を講じた事を特徴とす
るものである。請求項１記載の発明では、球状接続端子
を有する被検査装置に対して試験を行う半導体検査装置
において、前記球状接続端子と対応する位置に開口部が
形成された第１の絶縁基板と、該第１の絶縁基板に形成
されると共に少なくとも前記球状接続端子が接続される
接続部が前記開口部に延出した構成とされたコンタクト
電極とを具備するコンタクト部材と、前記球状接続端子
を前記開口部内に装着した状態で、前記接続部が前記球
状接続端子に向かい移動するよう前記コンタクト部材を
水平方向にスライドさせるスライド機構とを設けたこと
を特徴とするものである。

【００１６】また、請求項２記載の発明では、前記請求
項１記載の半導体検査装置において、前記コンタクト電
極の接続部が、前記開口部の縁部からその内部に直線状
に延出する構成とされていることを特徴とするものであ
る。また、請求項３記載の発明では、前記請求項１記載
の半導体検査装置において、前記コンタクト電極の接続
部が、前記球状接続端子の径寸法より大きな径寸法とさ
れた装着開口部を有したリング形状とされていること特
徴とするものである。

【００１７】また、請求項４記載の発明では、前記請求
項１記載の半導体検査装置において、前記接続部の前記
球状接続端子と対向する部位を弾性変形可能な構成とし
たことを特徴とするものである。また、請求項５記載の
発明では、前記請求項１記載の半導体検査装置におい
て、前記接続部とコンタクト電極とを別部品とすると共
に、該別部品とされた接続部を前記コンタクト電極に接
合することにより前記コンタクト部材を構成したことを
特徴とするものである。

【００１８】また、請求項６記載の発明では、前記請求
項５記載の半導体検査装置において、前記コンタクト電
極の接続部を前記配線にワイヤボンディングされたワイ
ヤにより構成したことを特徴とするものである。また、
請求項７記載の発明では、前記請求項１乃至６のいずれ
か１項に記載の半導体検査装置において、前記コンタク
ト電極の接続部が前記球状接続端子に対し、複数の接触
点を有するよう構成したことを特徴とするものである。

【００１９】また、請求項８記載の発明では、前記請求
項１または２記載の半導体検査装置において、前記第１
の絶縁基板の前記接続部の延出位置に、前記接続部の延
出量より短い舌片部を延出形成したことを特徴とするも
のである。また、請求項９記載の発明では、前記請求項
１乃至８のいずれか１項に記載の半導体検査装置におい
て、前記コンタクト部材に補強基板を設けたことを特徴
とするものである。

【００２０】また、請求項１０記載の発明では、前記請
求項１乃至９のいずれか１項に記載の半導体検査装置に
おいて、前記接続部に補強材を設けたことを特徴とする
ものである。また、請求項１１記載の発明では、前記請
求項１乃至１０のいずれか１項に記載の半導体検査装置
において、前記第１の絶縁基板の前記コンタクト電極の
形成面と異なる反対面に電気導電層を形成すると共に、
前記コンタクト電極と前記電気導電層とを前記第１の絶
縁基板に形成された層間接続電極により電気的に接続し
たことを特徴とするものである。

【００２１】また、請求項１２記載の発明では、前記請
求項１１記載の半導体検査装置において、前記気導電層
の配設パターンを前記コンタクト電極の配設パターンに
対応するよう構成したことを特徴とするものである。ま
た、請求項１３記載の発明では、前記請求項１乃至１２
のいずれか１項に記載の半導体検査装置において、更
に、前記球状接続端子と対応する位置に開口部が形成さ
れた第２の絶縁基板を前記コンタクト部材に積み重ねた
状態で設け、かつ、前記スライド機構が前記コンタクト
部材と前記第２の絶縁基板とを相対的に異なる方向にス
ライドさせる構成としたことを特徴とするものである。

【００２２】また、請求項１４記載の発明では、前記請
求項１乃至１２のいずれか１項に記載の半導体検査装置
において、前記コンタクト部材を複数個積み重ねた状態
で設け、かつ、前記スライド機構により、前記複数のコ
ンタクト部材の内少なくとも２個のコンタクト部材が、
相対的に異なる方向にスライドされる構成としたことを
特徴とするものである。

【００２３】更に、請求項１５記載の発明では、前記請
求項１４記載の半導体検査装置において、前記複数のコ
ンタクト部材に夫々設けられるコンタクト電極の配設パ
ターンを異なるパターン形状とすることにより、一の球
状接続端子には、これと対応する一のコンタクト部材に
形成された一のコンタクト電極のみが接続するよう構成
したことを特徴とするものである。

【００２４】上記した各手段は、次のように作用する。
請求項１記載の発明によれば、被検査装置を半導体検査
装置に装着した状態において、被検査装置の球状接続端
子はコンタクト部材に形成された開口部内に装着され
る。この状態において、スライド機構を用いてコンタク
ト部材を被検査装置に対して水平方向にスライドさせる
と、接続部は側部より球状接続端子に向かい移動する。
接続部は開口部内に延出された構成となっているため、
スライド動作により接続部は球状接続端子に食い込んだ
状態で接続される。

【００２５】上記のように、接続部は球状接続端子に側
部より接続するため、コンタクト圧は球状接続端子に側
方から印加されることとなり、垂直方向にコンタクト圧
が印加されないため、検査時に球状接続端子に変形が発
生することを防止することができる。また、接続部は球
状接続端子に食い込んだ状態で電気的に接続されるた
め、球状接続端子に酸化膜が形成されている場合には、
この接続時にこの酸化膜を破って接続部は球状接続端子
に接続する。よって、球状接続端子に導電性が不良であ
る酸化膜が形成されていたとしても、確実に接続部と球
状接続端子の電気的接続を図ることができる。

【００２６】また、球状接続端子の径寸法にばらつきが
ある場合、また被検査装置と半導体検査装置との間の平
行度にばらつきがある場合等においても、接続部は球状
接続電極の側部に当接し電気的接続を行うため、上記の
垂直方向のばらつきが存在しても、確実に接続部と球状
接続端子の電気的接続を図ることができる。また、請求
項２記載の発明によれば、コンタクト電極の接続部が開
口部の縁部からその内部に直線状に延出する構成とした
ことにより、上記した接続部が球状接続端子に食い込む
動作を確実に行うことができる。

【００２７】また、請求項３記載の発明によれば、接続
部を装着開口部を有したリング形状とし、その装着開口
部の径寸法を球状接続端子の径寸法より大きく設定した
ことにより、コンタクト部材をスライドさせた際、球状
接続端子に水平方向の寸法誤差が生じていたとしても、
球状接続端子のいずれかの箇所が必ず接続部と当接する
こととなる。よって、球状接続端子に水平方向の寸法誤
差が生じていたとしても、確実に接続部と球状接続端子
とを接続させることができる。

【００２８】また、請求項４記載の発明によれば、接続
部の球状接続端子と対向する部位をスライド方向に弾性
変形可能な構成としたことにより、球状接続端子に水平
方向の寸法誤差が生じていたとしても、接続部が弾性変
形することにより上記のばらつきを吸収することがで
き、よって接続部と球状接続端子との接続さ確実に行う
ことができる。

【００２９】また、接続部が弾性変形する際、接続部は
球状接続端子上を摺動動作する。よって、球状接続端子
に酸化膜が形成されている場合には、この摺動動作によ
り接続部はこの酸化膜を破って球状接続端子に接続する
（ワイピング）。よって、球状接続端子に導電性が不良
である酸化膜が形成されていたとしても、確実に接続部
と球状接続端子とを電気的に接続することができる。

【００３０】また、請求項５記載の発明によれば、コン
タクト電極に対し別部品とされた接続部をコンタクト電
極に接合することによりコンタクト部材を構成したこと
により、接続部を部分に強化することができ、よってコ
ンタクト電極として強度の弱い、しかるに形成し易く安
価に形成できる箔状電極を用いても、接続部と球状接続
端子とを確実に接続することができる。

【００３１】また、請求項６記載の発明によれば、接続
部をワイヤにより構成したことにより、半導体製造工程
で一般に用いられているワイヤボンディング装置を用い
て接続部を形成することができ、容易かつ安価に接続部
を形成することができる。また、請求項７記載の発明に
よれば、接続部が球状接続端子に対して複数の接触点を
有するよう構成したことにより、接続部と球状接続端子
とを多点で接続することができ電気的接続を確実に行う
ことができる。また、接続部に形成される接触点は微小
化するため、球状接続端子に対して確実に食い込ませる
ことができ、これによっても電気的接続性を向上できる
と共に、ワイピングを確実に行うことができる。

【００３２】また、請求項８記載の発明によれば、第１
の絶縁基板の接続部の延出位置に、接続部の延出量より
短い舌片部を延出形成したことにより、コンタクト電極
として薄く剛性の低いものを用いたとしても、舌片部に
より接続部は補強された構成となっているため、接続時
に接続部に変形が発生することを防止することができ
る。また、舌片部の延出量は接続部の延出量よりも短い
ため、接続部が球状接続端子に接続する際に舌片部が邪
魔になるようなことはない。

【００３３】また、請求項９記載の発明によれば、コン
タクト部材に補強基板を設けたことにより、接続部と球
状接続端子とを確実に接続することができる。即ち、絶
縁基板の剛性が不足している場合には、コンタクト部材
をスライドさせた際にコンタクト圧により絶縁基板が歪
むことが考えられる。このように、接続時において絶縁
基板が歪むと、接続部と球状接続端子との間に位置擦れ
が発生し、良好な接続が行えないおそれがある。

【００３４】しかるに、コンタクト部材に補強基板を設
けることにより、絶縁基板の剛性を高めることができ、
よって接続時においてコンタクト圧により絶縁基板に歪
みが発生することを抑制することができる。これによ
り、接続部と球状接続端子との位置決めを確実に行うこ
とができ、よって接続部と球状接続端子とを確実に接続
することができる。

【００３５】また、請求項１０記載の発明によれば、接
続部に補強材を設けたことにより、接続時においてコン
タクト圧により接続部が変形することを防止することが
できる。また、請求項１１記載の発明によれば、第１の
絶縁基板の表面及び背面にそれぞれコンタクト電極及び
電気導電層が形成され、かつ層間接続電極によりコンタ
クト電極と電気導電層とを電気的に接続することも可能
であるため、コンタクト電極の引回しに自由度を持たせ
ることができる。よって、接続部と外部回路が接続され
るパッド（外部接続用バッド）との距離を短くすること
ができ、特に被検査装置として高速化された装置を用い
た場合に、コタクト電極で発生する電気的特性劣化を抑
制することができる。

【００３６】また、請求項１２記載の発明によれば、電
気導電層の配設パターンをコンタクト電極の配設パター
ンに対応するよう構成したことにより、特に高周波を用
いた被検査装置において良好なシールド効果を得ること
ができる。また、請求項１３記載の発明によれば、球状
接続端子と対応する位置に開口部が形成された第２の絶
縁基板をコンタクト部材に積み重ねた状態で設け、スラ
イド機構によりコンタクト部材と第２の絶縁基板とを相
対的に異なる方向にスライドするよう構成したことによ
り、接続状態において、接続部及び第２の絶縁基板は共
に球状接続端子に当接した状態となる。即ち、接続状態
において、球状接続端子はコンタクト部材と第２の絶縁
基板との間に挟持された状態となる。

【００３７】この際、コンタクト部材が球状接続端子に
印加する力の方向と、第２の絶縁基板が球状接続端子に
印加する力の方向とは互いに逆方向となり、コンタクト
部材及び第２の絶縁基板が球状接続端子に印加する力は
相殺され、球状接続電極に実際に印加される剪断方向の
力は小さくなる。このため、検査時において球状接続端
子が被検査装置から脱落してしまうことを防止すること
ができる。

【００３８】また、請求項１４記載の発明によれば、コ
ンタクト部材を複数個積み重ねた状態で設け、かつ、ス
ライド機構により、複数のコンタクト部材の内少なくと
も２個のコンタクト部材が、相対的に異なる方向にスラ
イドされる構成としたことにより、接続状態において、
各球状接続端子に対しその両側部から接続部を接続させ
ることができ、よってコンタクト電極と球状接続端子と
をより確実に電気的接続を行うことができる。

【００３９】また、接続状態において、各コンタクト部
材は球状接続端子を挟持する構成となるため、各コンタ
クト部材が球状接続端子に印加する力の方向とは互いに
逆方向となり、よってこの球状接続端子に印加する力は
相殺され、球状接続電極に実際に印加される剪断方向の
力は小さくなる。このため、検査時において球状接続端
子が被検査装置から脱落してしまうことを防止すること
ができる。

【００４０】更に、請求項１５記載の発明によれば、複
数のコンタクト部材に夫々設けられるコンタクト電極の
配設パターンを異なるパターン形状とし、一の球状接続
端子には、これと対応する一のコンタクト部材に形成さ
れた一のコンタクト電極のみが接続するよう構成したこ
とにより、コンタクト電極の引回しに自由度を持たせる
ことができる。よって、実質的に個々のコンタクト部材
に形成されるコンタクト電極数を低減することができ、
球状接続端子が挟ピッチに配設されても、これに対応す
ることが可能となる。

【００４１】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面と共に説明する。図１乃至図４は、本発明の第１
実施例である半導体検査装置１０Ａを説明するための図
である。図１及び図２は半導体検査装置１０Ａの要部を
拡大して示す図であり、図３は半導体検査装置１０Ａの
全体構成を示す図であり、更に図４は半導体検査装置１
０Ａに設けられるコンタクト部材１２Ａを示す図であ
る。

【００４２】本実施例に係る半導体検査装置１０Ａは、
大略するとコンタクト部材１２Ａとスライド機構２６と
により構成されている。この半導体検査装置１０Ａは被
検査装置が装着され、この被試験装置に対して電気的動
作検査を行う時に用いられるものである。また、半導体
検査装置１０Ａが検査の対象とする被試験装置は、外部
接続端子として球状接続端子２（以下、バンプという）
を有した装置である。

【００４３】尚、以下の説明では、被試験装置としてバ
ンプ２を有した半導体装置１を用いた例を主として示す
が、以下各実施例で説明する半導体検査装置は、外部接
続端子として球状接続端子を有した各種装置（例えば、
ベアチップ，ウェーハ等）の検査に適用できるものであ
る。先ず、図３を用いて半導体検査装置１０Ａの全体構
成について説明する。

【００４４】同図に示されるように、コンタクト部材１
２Ａはスライド枠３８に配設されている。スライド枠３
８は例えば金属性の枠であり、スライドベース２８上に
図中矢印Ｘ１，Ｘ２方向にスライド動作可能な構成で搭
載されている。具体的には、スライドベース２８には図
中矢印Ｘ１，Ｘ２方向に延在する案内溝３０が形成され
ており、またスライド枠３８の下面にはこのスライド溝
３０と係合する突部４０が形成されている。従って、ス
ライド枠３８は案内溝３０に案内されて、スライドベー
ス２８上を矢印Ｘ１，Ｘ２方向にスライド可能な構成と
されている。

【００４５】また、スライド枠３８の所定側面にはアー
ム部４２が外側に向け延出しており、このアーム部４２
にはアクチュエータ４４の駆動軸４６が接続されてい
る。このアクチュエータ４４は、例えばソレノイド，エ
アシリンダー等を用いることが可能である。また、本実
施例ではアクチュエータ４４を直接スライド枠３８に接
続した構成としてるが、アクチュエータ４４とスライド
枠３８との間にカム機構等を設け、スライド動作を調整
する構成とすることも可能である。

【００４６】一方、スライド枠３８の上部には装置固定
枠３２が配設されている。この装置固定枠３２はスライ
ド枠３８と対向するよう設けられるが、前記したスライ
ド枠３８は矢印Ｘ１，Ｘ２方向にスライド可能であるの
に対し、装置固定枠３２は外側に延出した固定アーム３
６が固定されることにより移動不能な構成とされてい
る。

【００４７】また、装置固定枠３２には装着開口３４が
形成されおり、この装着開口３４の形状は被検査装置と
なる半導体装置２２の外形と対応するよう構成されてい
る。よって、半導体装置２２は装置固定枠３２の装着開
口３４に装着された状態において、スライド枠３８に対
し固定された状態となる。また、装着状態において、半
導体装置２２に設けられているバンプ２４（球状接続端
子）は、スライド枠３８に配設されたコンタクト部材１
２Ａの開口部１６内に位置するよう構成されている（図
１及び図２参照）。

【００４８】従って、半導体装置２２が装置固定枠３２
に装着された状態において、アクチュエータ４４を駆動
してスライド枠３８を半導体装置２２に対して水平方向
（図中矢印Ｘ１，Ｘ２方向）にスライド動作させると、
スライド枠３８に配設されたコンタクト部材１２Ａも半
導体装置２２に対し水平方向にスライド動作する。尚、
上記構成において、スライドベース２８，装置固定枠３
２，スライド枠３８，及びアクチュエータ４４は、協働
してスライド機構２６を構成する。また、本実施例で
は、バンプ２４として半田バンプを用いている。

【００４９】続いて、コンタクト部材１２Ａについて、
図１，図２及び図４を用いて説明する。コンタクト部材
１２Ａは、大略すると、絶縁基板１４（第１の絶縁基
板）と、コンタクト電極１８Ａとにより構成されてい
る。絶縁基板１４は例えばポリイミド等の絶縁樹脂材料
により形成されたフィルム状の部材であり、その厚さは
バンプ２４の径寸法より小さく（半分程度）設定されて
いる。この絶縁基板１４には複数の開口部１６が形成さ
れており、この開口部１６の形成位置は、半導体装置２
２に形成されたバンプ２４の配設位置と対応するよう構
成されている。

【００５０】また、開口部１６の径寸法は、バンプ２４
の径寸法に対して大きく設定されている。よって、スラ
イド動作を行なう前の状態（以下、この状態をイニシャ
ル状態という）では、半導体装置２２を装置固定枠３２
に装着することにより、上記したように半導体装置２２
のバンプ２４は各開口部１６内に挿入された状態とな
る。

【００５１】一方、コンタクト部材１８Ａは例えば銅
（Ｃｕ）膜であり、メッキ法，蒸着法，エッチング法，
ホトリソグラフィ技術等の薄膜形成技術を用いて所定の
パターンに形成されている。このコンタクト部材１８Ａ
は、一体的に形成された配線部４８，外部接続用パッド
５０，及び接続部２０Ａ等により構成されている。外部
接続用パッド５０は半導体検査装置１０Ａの検査処理を
行なう半導体テスターが接続される部位であり、通常絶
縁基板１４の外周縁近傍に形成されている。また、後に
詳述するように、接続部２０Ａは半導体装置２２のバン
プ２４と電気的に接続される部位である。更に、配線部
４８は、上記の外部接続用パッド５０と接続部２０Ａと
を接続する機能を奏している。

【００５２】一方、接続部２０Ａはコンタクト電極１８
Ａの一部を構成するものであり、本実施例では、図１及
び図２に示されるように絶縁基板１４に形成された開口
部１６内に直線的に延出するよう構成されている。具体
的には、図１（Ｂ）に示されるように、接続部２０Ａは
開口部１６の縁部より図中矢印Ａで示す寸法分だけ、開
口部１６内に延出した構成となっている。よって、この
接続部２０Ａは、絶縁基板１４に片持ち梁状に支持され
た構成となっている。

【００５３】続いて、上記構成とされた半導体検査装置
１０Ａを用いて半導体装置２２に対し検査を行う方法に
ついて説明する。半導体装置２２に対して検査を行うに
は、先ずイニシャル状態とされている半導体検査装置１
０Ａに半導体装置２２を装着する。具体的には、被検査
装置となる半導体装置２２を装置固定枠３２に装着す
る。

【００５４】前記したように、絶縁基板１４に形成され
た開口部１６は半導体装置２２に設けられたバンプ２４
と対応しており、かつ開口部１６の径寸法はバンプ２４
の径寸法より大きいため、図１（Ａ），（Ｂ）に示され
るように、装着状態において各バンプ２４は開口部１６
内に位置した状態となる。また、この装着状態におい
て、コンタクト部材１２に設けられた接続部２０Ａは、
バンプ２４の側部に対向した状態となる。

【００５５】上記のように、半導体装置２２が装置固定
枠３２に装着されると、続いてアクチュエータ４４が駆
動され、スライド枠３８を半導体装置２２に対し水平方
向（図中矢印Ｘ１方向）にスライド動作させる。このよ
うに、スライド枠３８を水平方向にスライドさせること
により、接続部２０はバンプ２４に漸次近接してゆき、
やがて図２に示されるように接続部２０はバンプ２４の
側面に食い込んだ状態で接続される。これにより、接続
部２０（即ち、コンタクト電極１８Ａ）とバンプ２４
は、電気的に接続された状態となる。尚、図２に示す矢
印Ｓ１は、イニシャル状態からコンタクト部材１２Ａが
スライドしたスライド量を示している。

【００５６】上記したように、本実施例の半導体検査装
置１０Ａでは、接続部２０Ａがバンプ２４の側面に接続
する構成となっているため、コンタクト圧はバンプ２４
の側面に印加されることとなる。このように、本実施例
の構成では、従来のようにバンプ２４に対し垂直方向に
コンタクト圧が印加されないため、バンプ２４が潰れる
ようなことはなく、検査時にバンプ２４の底面（即ち、
実装面）に変形が発生することを防止することができ
る。

【００５７】また、接続部２０Ａは開口部１６の縁部か
らその内部に直線状に延出した構成となっているため、
コンタクト圧は接続部２０Ａに集中的に印加され、よっ
て接続状態において接続部２０Ａはバンプ２４に食い込
んだ状態で接続する。この接続部２０Ａがバンプ２４に
食い込む際に、バンプ２４に若干の変形が発生するおそ
れがあるが、バンプ２４の側面は半導体装置２２の実装
に直接影響しない部位であるため、接続部２０Ａをバン
プ側面に食い込ませることとしても、実装上問題が生じ
るようなことはない。

【００５８】ところで、バンプ２４として半田バンプを
用いた場合には、バンプ２４の表面に導電性が不良な酸
化膜が形成されることが知られている。従って、酸化膜
が形成されたバンプ２４に接続部２０Ａを接触されただ
けでは、十分な電気的接続特性が得られないおそれがあ
る。しかるに、上記のように本実施例の半導体検査装置
１０Ａでは、接続部２０Ａがバンプ２４に食い込んだ状
態で電気的に接続されるため、バンプ２４の表面に酸化
膜が形成されていたとしても、接続時に接続部２０Ａは
酸化膜を破ってバンプ２４と接続する。よって、バンプ
２４に導電性が不良である酸化膜が形成されていたとし
ても、確実に接続部２０Ａとバンプ２４との電気的接続
を図ることができる。

【００５９】また、従来の半導体検査装置では、図２５
乃至図２７を用いて説明したように、バンプ１０４の径
寸法にばらつきがある場合、また半導体装置１０３と半
導体検査装置１００との間の平行度にばらつきがある場
合、コンタクト電極１０２とバンプ１０４が適正に接続
されないおそれがあることは前述した通りである。しか
るに、本実施例に係る半導体検査装置１０Ａでは、バン
プ２４の径寸法にばらつきがある場合であっても、また
半導体装置２２と半導体検査装置１０Ａとの間の平行度
にばらつきがある場合であっても、バンプ２４が開口部
１６内で垂直方向（上下方向）に変位することにより、
上記ばらつきを吸収することができる。また、接続部２
０Ａはバンプ２４の側面に接続する構成とされているた
め、上記のように開口部１６内でバンプ２４が若干変位
しても、接続部２０Ａは確実にバンプ２４と接続する。
よって、上記の各ばらつきに拘わらず、確実に接続部２
０Ａとバンプ２４球状接続端子とを接続することができ
るため、検査の信頼性を向上させることができる。

【００６０】続いて、本発明の第２実施例について説明
する。図５及び図６は、本発明の第２実施例である半導
体検査装置１０Ｂを示している。図５はイニシャル状態
の半導体検査装置１０Ｂを示しており、また図６はコン
タクト部材１２Ｂが水平方向（矢印Ｘ１方向）へスライ
ド量Ｓ２だけスライドした状態を示している。尚、図５
及び図６において、先に説明した図１乃至図４に示され
る構成と対応する構成については、同一符号を付してそ
の説明を省略する。また、以下説明する各実施例におい
ても同様とする。

【００６１】第１実施例に係る半導体検査装置１０Ａで
は、接続部２０Ａを開口部１６内に片持ち梁状に直線的
に延出させる構成としていた。これに対し本実施例に係
る半導体検査装置１０Ｂでは、接続部２０Ｂを装着開口
部５２を有したリング形状とし、その装着開口部５２の
径寸法をバンプ２４の径寸法より大きく設定したことを
特徴とするものである。即ち、絶縁基板１４に形成され
た開口部の径寸法をＲ１，バンプ２４の径寸法をＲ２と
した場合、装着開口部５２の径寸法Ｒは、Ｒ２＜Ｒ＜Ｒ
１となるよう構成されている。

【００６２】よって、本実施例に係る半導体検査装置１
０Ａは、イニシャル状態において半導体装置２２が装着
されると、図５に示されるように、バンプ２４を囲繞す
るように接続部２０Ｂが位置することとなる。上記構成
において、スライド機構２６（図３参照）によりコンタ
クト部材１２Ｂを半導体装置２２に対して水平方向（矢
印Ｘ方向）に矢印Ｓ２で示す寸法だけスライドさせる
と、図６に示すようにリング形状とされた接続部２０Ｂ
の内縁部がバンプ２４と当接して食い込み、これにより
接続部２０Ｂとバンプ２４は電気的に接続される。

【００６３】ところで、バンプ２４に発生するばらつき
は、径寸法のばらつきばかりではなく、半導体装置２２
に対するバンプ２４の配設位置においても発生する。こ
のばらつきが発生すると、適正位置に対しバンプ２４の
形成位置は水平方向にずれた状態となる。即ち、バンプ
２４の形成位置が適正であった場合には、図５（Ｂ）に
示されるように、装着状態においてバンプ２４は開口部
１６の中心に位置することとなる。

【００６４】これに対し、位置ずれが発生すると、バン
プ２４は開口部１６の中心から矢印Ｘ１，Ｘ２，Ｙ１，
Ｙ２の方向にずれた状態となる。従って、バンプ２４が
適正位置からずれている場合には、第１実施例のように
直線状に延出した、換言すればバンプ２４と一箇所にお
いて対向する接続部２０Ａでは、接続部２０Ａとバンプ
２４とが接続されないおそれがある。

【００６５】しかるに、本実施例のように接続部２０Ｂ
をリング形状とすることにより、バンプ２４は全周にわ
たり接続部２０Ｂと対向した状態となる。このため、コ
ンタクト部材１２Ｂをスライドさせた際、位置ずれが発
生していてもバンプ２４のいずれかの箇所が必ず接続部
２０Ｂと当接することとなる。よって、バンプ２４に水
平方向の寸法誤差が生じていたとしても、確実に接続部
２０Ｂとバンプ２４とを接続させることができる。

【００６６】続いて、本発明の第３及び第４実施例につ
いて説明する。図７は本発明の第３実施例である半導体
検査装置１０Ｃを示しており、また図８は本発明の第４
実施例である半導体検査装置１０Ｄを示している。第３
及び第４実施例に係る半導体検査装置１０Ｃ，１０Ｄ
は、接続部２０Ｃ，２０Ｄのバンプ２４と対向する部位
をスライド方向に弾性変形可能な構成としたことを特徴
とするものである。

【００６７】接続部２０Ｃは、図７（Ｂ）に示すように
底面視した状態で、その先端部をＶ字状に折曲すること
により弾性を持たせた構成とされている。また、接続部
２０Ｄは、図８（Ａ）に示すように側面視した状態で、
斜め下方に延出するよう折曲することにより弾性を持た
せた構成とされている。接続部２０Ｃ，２０Ｄを上記構
成とすることにより、図７（Ｃ），図８（Ｃ）に示すよ
うにコンタクト部材１２Ｃ，１２Ｄをスライドさせる
と、接続部２０Ｃ，２０Ｄは弾性変形しつつバンプ２４
の側面に接続する。このように、接続部２０Ｃ，２０Ｄ
を弾性可能な構成トすることにより、バンプ２４に前記
したような水平方向の寸法誤差が生じていたとしても、
接続部２０Ｃ，２０Ｄが弾性変形することにより上記の
ばらつきを吸収することができ、よって接続部２０Ｃ，
２０Ｄとバンプ２４との接続さ確実に行うことができ
る。

【００６８】また、接続部２０Ｃ，２０Ｄが弾性変形す
る際、接続部２０Ｃ，２０Ｄはバンプ２４上を摺動動作
する。よって、バンプ２４の表面に酸化膜が形成されて
いる場合でも、この摺動動作により接続部２０Ｃ，２０
Ｄは酸化膜を破ってバンプ２４と接続する（この動作を
ワイピングという））。このワイピング作用により、バ
ンプ２４に導電性が不良である酸化膜が形成されていた
としても、接続部２０Ｃ，２０Ｄとバンプ２４とを確実
に電気的に接続することができる。

【００６９】続いて、本発明の第５実施例について説明
する。図９は、本発明の第５実施例である半導体検査装
置１０Ｅを示している。本実施例に係る半導体検査装置
１０Ｅは、コンタクト電極１８Ｅを構成する配線部４８
の先端部に、この配線部４８と別部材とされた接続部２
０Ｅを設けたことを特徴とするものである。具体的に
は、配線部４８を銅箔により形成すると共に、接続部２
０Ｅとして配線部４８より硬度の高いアルミニウム，金
等を選定し、この接続部２０Ｅを配線部４８の端部に接
合した構成としている。

【００７０】このように、配線部４８に対し別部品とさ
れた接続部２０Ｅを、配線部４８のバンプ２４と対向す
る位置に接合することにより、接続部２０Ｅを部分に強
化することが可能となる。即ち、本実施例によれば配線
部４８及び接続部２０Ｅの材質をそれぞれの機能に適し
たものに選定することが可能となる。具体記には、配線
部４８として強度は弱いが形成が容易で安価に形成でき
る銅箔を選定し、接続部２０Ｅとしてはバンプ２４に確
実に食い込みを行いうる硬度のアルミニウム等を選定す
ることが可能となる。これにより、半導体検査装置１０
Ｅの低コスト化と、バンプ２４に対する電気的接続性を
共に向上させることができる。

【００７１】また、図９に示す実施例では、接続部２０
Ｅを配線４８に接合した構成を示したが、配線４８を開
口部１６の内部に延出するよう形成すると基に、この開
口部１６内への延出部位に蒸着，スパッタリング等によ
り接続部を被膜形成する構成としてもよい。このよう
に、配線部４８に接続部を被膜形成することによって
も、接続部２０Ｅは補強され硬度の高い状態とすること
ができ、よってバンプ２４に対する電気的接続性を向上
させることができる。

【００７２】図１０は、図９に示した第５実施例にかか
る半導体検査装置１０Ｅの変形例である半導体検査装置
を示している。図１０（Ａ）に示す接続部２０Ｅ-1は、
バンプ２４と対向する位置に複数の突起部５４を形成し
たものである。このように、接続部２０Ｅ-1に突起部５
４を形成することにより、コンタクト部材１２Ｅ-1をス
ライドさせた際、突起部５４はバンプ２４に確実に食い
込み、よって接続部２０Ｅ-1とバンプ２４を確実に接続
することができる。

【００７３】また、図１０（Ｂ）に示す接続部２０Ｅ-2
は、図７に示した第３実施例と同様に、配線４８と別個
に形成された接続部２０Ｅ-2を弾性変形可能な構成とし
たものである。よって、本変形例によれば、接続部２０
Ｅ-2の材質として良好な弾性係数を有するものを選定す
ることができ、より確実に接続部２０Ｅ-2とバンプ２４
との接続、及びバンプ表面に形成された酸化膜のワイピ
ングを行うことができる。

【００７４】続いて、本発明の第６実施例について説明
する。図１１は、本発明の第６実施例である半導体検査
装置１０Ｆを示している。本実施例に係る半導体検査装
置１０Ｆは、接続部２０Ｆをワイヤにより構成したこと
を特徴とするものである。このワイヤよりなる接続部２
０Ｆは、例えば金線をキャピラリ（図示せず）を用いて
配線４８の先端部にワイヤボンディングすると共に、キ
ャピラリを上動させて金線を若干量引き出した後にこれ
を切断し、更に金線を開口部１６の内側に向けて折曲す
ることにより形成される。

【００７５】上記構成とされた半導体検査装置１０Ｆに
よれば、コンタクト部材１２Ｆをスライドさせることに
より、ワイヤ状の接続部２０Ｆがバンプ２４に当接する
ため、接続部２０を確実にバンプ２４に食い込ませるこ
とができる。よって、接続部２０とバンプ２４との電気
的接続及びワイピングを確実に行うことができる。ま
た、接続部２０Ｆの形成は、半導体製造工程で一般に用
いられているワイヤボンディング装置を用いて形成する
ことができ、容易かつ安価に接続部２０Ｆを形成するこ
とができる。

【００７６】続いて、本発明の第７及び第８実施例につ
いて説明する。図１２は本発明の第７実施例である半導
体検査装置１０Ｇを示しており、図１３は本発明の第８
実施例である半導体検査装置１０Ｈを示している。図１
２に示す半導体検査装置１０Ｇは、エッチング或いはブ
ラスト加工を施すことにより、接続部２０Ｇのバンプ２
４と対向する部位に微細な凹凸を形成している。また、
図１３に示す半導体検査装置１０Ｈは、リング状とされ
た接続部２０Ｈの内側部分に複数の突起部５６が形成さ
れている。この構成とすることにより、接続部２０Ｇ，
２０Ｈはバンプ２４に対して複数の接触点を有した構成
となる。

【００７７】これにより、コンタクト部材１２Ｇ，１２
Ｈをスライドさせた際、接続部２０Ｇ，２０Ｈとバンプ
２４とは多点で接続されることとなり、個々の接続点に
おける点圧は上昇する。よって、コンタクト部材１２
Ｇ，１２Ｈを確実にバンプ２４に食い込ませることがで
き、電気的接続性を向上させることができる。また、接
続部１２Ｇ，１２Ｈに形成される接触点は微小化（先鋭
化）するため、これによってもコンタクト部材１２Ｇ，
１２Ｈをバンプ２４に確実に食い込ませることができ
る。よって、電気的接続性を向上できると共に、ワイピ
ングを確実に行うことができる。

【００７８】続いて、本発明の第９実施例について説明
する。図１４は本発明の第９実施例である半導体検査装
置１０Ｇを示している。本実施例では、絶縁基板１４の
接続部２０Ａの延出位置に、接続部２０Ａの延出量より
短い舌片部５８を延出形成したことを特徴とするもので
ある。この舌片部５８は絶縁基板１４と一体的に形成さ
れており、開口部１６の縁部より内側に向け延出するよ
う形成されている。従って、接続部２０Ａは、舌片部５
８と重なった状態で配設される。また、開口部１６は絶
縁基板１４にプレス打ち抜き加工により形成されるが、
舌片部５８は開口部１６の打ち抜き加工時に一体的に形
成されるものであるため、容易に形成することができ
る。

【００７９】上記構成とすることにより、コンタクト電
極１８Ａとして薄く剛性の低いものを用いたとしても、
舌片部５８により接続部２０Ａは補強された構成とな
り、よって接続時において接続部２０Ａに変形が発生す
ることを防止することができる。また、舌片部５８の延
出量は接続部２０Ａの延出量よりも短いため、接続部２
０Ａがバンプ２４に接続する際、舌片部５８が邪魔にな
るようなことはない。

【００８０】続いて、本発明の第１０実施例について説
明する。図１５（Ａ）は本発明の第１０実施例である半
導体検査装置１０Ｊを示している。本実施例では、コン
タクト部材１２Ｊに補強基板６０を設けたことを特徴と
するものである。この補強基板６０は、例えば銅テー
プ，セラミック，ガラスエポキシ基板等を用いることが
できる。また、本実施例では、補強基板６０は絶縁基板
１４の全面と対向するよう構成されており、よってバン
プ２４の形成位置と対応する位置には装着開口６１が形
成されている。

【００８１】このように、コンタクト部材１２Ｊに補強
基板６０を設けたことにより、接続部２０Ａとバンプ２
４とを確実に接続することができる。即ち、絶縁基板１
４の剛性が不足している場合には、コンタクト部材１２
Ｊをスライドさせた際にコンタクト圧により絶縁基板１
４が歪むことが考えられる。このように、接続時におい
て絶縁基板１４が歪むと、接続部２０Ａとバンプ２４と
の間に位置擦れが発生し、良好な接続が行えないおそれ
がある。

【００８２】しかるに、コンタクト部材１２Ｊに補強基
板６０を設けることにより、絶縁基板１４の剛性を高め
ることができ、よって接続時においてコンタクト圧によ
り絶縁基板１４に歪みが発生することを抑制することが
できる。これにより、接続部２０Ａとバンプ２４との位
置決めを確実に行うことができ、よって両者２０Ａ，２
４の電気的接続を確実に行うことができる。

【００８３】図１５（Ｂ）は、図１５（Ａ）に示した半
導体検査装置１０Ｊの変形例である半導体検査装置１０
Ｊ-1を示している。先に説明した半導体検査装置１０Ｊ
では、補強基板６０を絶縁基板１４の全面と対向するよ
う配設した構成とした。これに対し、本変形例に係る半
導体検査装置１０Ｊ-1は、絶縁基板１４の外周位置に枠
状補強基板６２を配設したことを特徴とするものであ
る。

【００８４】本変形例に係る構成では、バンプ２４の形
成位置に精度よく対応させて装着開口６１を形成する必
要がないため、枠状補強基板６２を容易かつ安価に形成
することができる。本変形例に係る構成は、絶縁基板１
４がある程度の剛性を有している時に効果的である。続
いて、本発明の第１１実施例について説明する。

【００８５】図１６及び図１７は、本発明の第１１実施
例である半導体検査装置１０Ｋを示している。本実施例
では、絶縁基板１４の表面にコンタクト電極１８Ａを形
成すると共に、絶縁基板１４の背面に電気導電層を形成
したことを特徴とするものである。本実施例では、電気
導電層としてグランド電極層６４を形成した例を示して
おり、またグランド電極層６４は絶縁基板１４の背面全
面にわたり形成されいる（いわゆる、ベタ打ち層となっ
ている）。

【００８６】また、絶縁基板１４の表面に複数形成され
たコンタクト電極１８Ａの内、グランド電極となるコン
タクト電極１８Ａ-1は、絶縁基板１４を貫通して形成さ
れたビア６６（層間接続電極）によりグランド電極層６
４に電気的に接続された構成とされている。本実施例の
ように、絶縁基板１４の表面及び背面にそれぞれコンタ
クト電極１８Ａ及びグランド配線層６４を形成し、かつ
ビア６６よりコンタクト電極１８Ａとグランド配線層６
４とを電気的に接続することにより、グランド配線層６
４はシールド板として機能することとなり、各コンタク
ト電極１８Ａに外乱が侵入することを防止することがで
きる。これは、特に半導体装置２２として、高周波数対
応のものを用いた場合に利益が大である。

【００８７】また、本実施例のように、グランド電極層
６４を絶縁基板１４の背面全面にわたり形成することに
より、このグランド電極層６４は、図１５を用いて説明
した第１０実施例の補強基板６０と同様の機能を奏す
る。よって、絶縁基板１４を補強することができ、コン
タクト部材１２Ｋのスライド時に絶縁基板１４に歪みが
発生することを防止できる。

【００８８】また、上記した実施例では、グランド電極
層６４を絶縁基板１４の背面全面にわたり形成したが、
絶縁基板１４の背面は必ずしもベタ層にする必要はな
く、パターン化されたコンタクト電極を形成することも
可能である。この構成とすることにより、コンタクト電
極の引回しに自由度を持たせることができる。よって、
接続部２０Ａと外部接続用パッド５０との間に形成され
る配線層４８の配線長を短くすることができ、特に半導
体装置２２として高速化された装置を用いた場合に、コ
タクト電極で発生する電気的特性劣化を抑制することが
できる。

【００８９】続いて、本発明の第１２実施例について説
明する。図１８は、本発明の第１２実施例である半導体
検査装置１０Ｌを示している。図１６及び図１７を用い
て説明した第１１実施例に係る半導体検査装置１０Ｌで
は、絶縁基板１４の背面全面にグランド配線層６４を形
成した構成とした。これに対し、本実施例に係る半導体
検査装置１０Ｌでは、絶縁基板１４の背面に形成される
グランド配線層６８に、絶縁基板１４の表面に形成され
るコンタクト電極１８Ａの配設パターンと対応する形状
（即ち、同一パターン）のシールドパターン７０を形成
したことを特徴とするものである。

【００９０】グランド配線層６８は、絶縁基板１４の表
面に複数形成されたコンタクト電極１８Ａの内、グラン
ド電極となるコンタクト電極１８Ａ-1と絶縁基板１４を
貫通して形成されたビア６６（層間接続電極）を介して
電気的に接続された構成とされている。よって、シール
ドパターン７０も接地された状態となっている。このよ
うに、接地されたシールドパターン７０をコンタクト電
極１８Ａと絶縁基板１４を介して対向配設することによ
り、特に高周波を用いた被検査装置において良好なシー
ルド効果を得ることができる。

【００９１】続いて、本発明の第１３実施例について説
明する。図１９及び図２０は、本発明の第１３実施例で
ある半導体検査装置１０Ｍを示している。本実施例に係
る半導体検査装置１０Ｍは、コンタクト部材１２Ｂの上
部に第２の絶縁基板７２を配設したことを特徴とするも
のである。第２の絶縁基板７２は、コンタクト部材１２
Ｂに配設される第１の絶縁基板１４と同様に絶縁性樹脂
により形成されており、バンプ２４と対応する位置には
第２の開口部７４が形成されている。前記したように、
この第２の絶縁基板７２はコンタクト部材１２Ｂに積み
重ねた状態で配設される。この際、本実施例では第２の
絶縁基板７２は、固定された状態となるよう配設され
る。

【００９２】よって、スライド機構２６（図３参照）に
よりコンタクト部材１２Ｂを図１９に示すイニシャル状
態から図２０に示されるようにスライドさせると、第２
の絶縁基板７２とコンタクト部材１２Ｂは、相対的に逆
の方向に移動することとなる。よって、コンタクト２０
Ｂがバンプ２４と接続する接続状態において、接続部２
０Ｂ及び第２の絶縁基板７２は、共にバンプ２４に当接
した状態となる。即ち、接続状態において、バンプ２４
はコンタクト部材１２Ｂと第２の絶縁基板７２との間に
挟持された状態となる。

【００９３】ところで、上記してきた各実施例では、各
接続部２０Ａ〜２０Ｈがバンプ２４の側部に当接するこ
とにより電気的接続を図る構成とされていたため、接続
時においてバンプ２４に水平方向にコンタクト圧が印加
される。このコンタクト圧の印加方向は、バンプ２４を
半導体装置２２から剥がす方向（即ち、剪断方向）であ
る。よって、接続部２０Ａ〜２０Ｈとバンプ２４の電気
的接続を確実とするためにコンタクト圧を高めると、こ
れに伴いバンプ２４が半導体装置２２から離脱する可能
性が大きくなる。よって、上記した各実施例ではコンタ
クト圧を十分に高めることができず、よって接続部２０
Ａ〜２０Ｈとバンプ２４との電気的接続性が低下するこ
とが考えられる。

【００９４】しかるに、本実施例に係る半導体検査装置
２０Ｍでは、接続時にコンタクト部材１２Ｂがバンプ２
４に印加する力の方向と、第２の絶縁基板７２がバンプ
２４に印加する力の方向とは互いに逆方向となり、よっ
てコンタクト部材１２Ｂ及び第２の絶縁基板７２がバン
プ２４に印加する力は相殺される。これにより、バンプ
２４に実際に印加される剪断方向の力は小さくなり、よ
って検査時においてバンプ２４が半導体装置２２から脱
落してしまうことを防止することができる。

【００９５】尚、上記した実施例では、第２の絶縁基板
７２を固定した構成を示したが、この第２の絶縁基板７
２は必ずしも固定する必要はなく、接続時にコンタクト
部材１２Ｂと第２の絶縁基板７２とを互いに異なる方向
に双方ともスライドさせる構成とすることも可能であ
る。続いて、本発明の第１４実施例について説明する。

【００９６】図２１は、本発明の第１４実施例である半
導体検査装置１０Ｎを示している。本実施例に係る半導
体検査装置１０Ｎは、複数（本実施例では２個）のコン
タクト部材１２Ｍ，１２Ｎを積み重ねた構成とすると共
に、スライド機構２６によりコンタクト部材１２Ｍ，１
２Ｎが、相対的に異なる方向にスライドする構成とした
ことを特徴とするものである。

【００９７】本実施例によっても、接続状態では各コン
タクト部材１２Ｍ，１２Ｎがバンプ２４を挟持する構成
となるため、各コンタクト部材１２Ｍ，１２Ｎがバンプ
２４に印加する力の方向とは互いに逆方向となる。よっ
て、バンプ２４に印加する力は相殺され、検査時におい
てバンプ２４が半導体装置２２から脱落してしまうこと
を防止することができる。

【００９８】また、本実施例に係る半導体検査装置１０
Ｎでは、接続状態において、上部に位置するコンタクト
部材１２Ｍに設けられた接続部２０Ｉはバンプ２４に図
中右側から当接し、また下部に位置するコンタクト部材
１２Ｎに設けられた接続部２０Ｊはバンプ２４に図中左
側から当接する。よって、接続時においてバンプ２４に
は、二つの接続部２０Ｉ，２０Ｊが両側部から当接し電
気的に接続することとなるため、接点容量が増大し安定
した接続を行うことが可能となる。

【００９９】尚、上記した実施例では、２個のコンタク
ト部材１２Ｍ，１２Ｎを用いた例について説明したが、
コンタクト部材の配設数は２個に限定されるものではな
く、バンプ２４の高さ範囲内であれば、３個以上配設す
ることも可能である。この場合、上記した効果を得るた
めには、スライド機構２６により複数のコンタクト部材
の内少なくとも２個のコンタクト部材が、相対的に異な
る方向にスライドされるよう構成する必要がある。

【０１００】続いて、本発明の第１５実施例について説
明する。図２２及び図２３は、本発明の第１５実施例で
ある半導体検査装置１０Ｐを示している。本実施例に係
る半導体検査装置１０Ｐも、前記した第１４実施例に係
る半導体検査装置１０Ｎと同様に複数のコンタクト部材
１２Ｐ，１２Ｑを積み上げた構成とされており、また本
実施例においては、コンタクト部材１２Ｐは固定されて
おり、コンタクト部材１２Ｑのみがスライド機構２６に
よりスライドする構成とされている。

【０１０１】しかるに、第１４実施例に係る半導体検査
装置１０Ｎは、各コンタクト部材１２Ｍ，１２Ｎに設け
られた接続部２０Ｉ，２０Ｊが共に一つのバンプ２４に
接続される構成とされていた。即ち、第１４実施例に係
る半導体検査装置１０Ｎでは、各コンタクト部材１２
Ｍ，１２Ｎに、それぞれにバンプ２４の形成個数と同数
のコンタクト電極１８Ｋ，１８Ｌを設ける必要があっ
た。

【０１０２】これに対し、本実施例に係る半導体検査装
置１０Ｐは、一つのバンプ２４に対し、一つの接続部の
みが接続されるよう構成したことを特徴とするものであ
る。即ち、図２２（Ｂ）に示されるように、バンプ２４
Ａには上部に位置するコンタクト部材１２Ｐに設けられ
た接続部２０Ｋのみが接続されており、またバンプ２４
Ｂには下部に位置するコンタクト部材１２Ｑに設けられ
た接続部２０Ｌのみが接続されている。

【０１０３】この構成とすることにより、各コンタクト
部材１２Ｐ，１２Ｑに形成するコンタクト電極１８Ｍ，
１８Ｎ（即ち、接続部２０Ｋ，２０Ｌ）の配設数をバン
プ２４の形成個数の半分とすることができる。これによ
り、各コンタクト部材１２Ｐ，１２Ｑにおけるコンタク
ト電極１８Ｍ，１８Ｎの引回しに自由度を持たせること
ができ、バンプ２４が挟ピッチに配設されてもこれに対
応することが可能となる。

【０１０４】続いて、本発明の第１６実施例について説
明する。図２４は、本発明の第１６実施例である半導体
検査装置１０Ｑを示している。前記した第１５実施例に
係る半導体検査装置１０Ｐは、コンタクト部材１２Ｐを
固定し、コンタクト部材１２Ｑのみをスライド動作させ
る構成とされていた。これに対し、本実施例に係る半導
体検査装置１０Ｑは、各コンタクト部材１２Ｐ，１２Ｑ
が共にスライドしうる構成としたことを特徴とするもの
である。本実施例に係る半導体検査装置１０Ｑでも、前
記した第１５実施例に係る半導体検査装置１０Ｐと同一
の効果を実現することができる。

【０１０５】

【発明の効果】上述の如く本発明によれば、次に述べる
種々の効果を実現することができる。請求項１記載の発
明によれば、接続部は球状接続端子に側部より接続する
ためコンタクト圧は球状接続端子に側方のみから印加さ
れることとなり、よって検査時に球状接続端子に変形が
発生することを防止することができる。

【０１０６】また、接続部は球状接続端子に食い込んだ
状態で電気的に接続されるため、球状接続端子に導電性
が不良である酸化膜が形成されていたとしても、確実に
接続部と球状接続端子の電気的接続を図ることができ
る。また、球状接続端子の径寸法にばらつきがある場
合、また被検査装置と半導体検査装置との間の平行度に
ばらつきがある場合等においても、接続部は球状接続電
極の側部に当接し電気的接続を行うため、上記の垂直方
向のばらつきが存在しても、確実に接続部と球状接続端
子の電気的接続を図ることができる。

【０１０７】また、請求項２記載の発明によれば、コン
タクト電極の接続部が開口部の縁部からその内部に直線
状に延出する構成としたことにより、上記した接続部が
球状接続端子に食い込む動作を確実に行うことができ
る。また、請求項３記載の発明によれば、コンタクト部
材をスライドさせた際に球状接続端子のいずれかの箇所
が必ず接続部と当接することとなるため、球状接続端子
に水平方向の寸法誤差が生じていたとしても、確実に接
続部と球状接続端子とを接続させるこどができる。

【０１０８】また、請求項４記載の発明によれば、球状
接続端子に水平方向の寸法誤差が生じていたとしても、
接続部が弾性変形することにより接続部と球状接続端子
との接続を確実に行うことができる。また、接続部が弾
性変形する際、接続部は球状接続端子上を摺動動作し酸
化膜を破るため、球状接続端子に導電性が不良である酸
化膜が形成されていたとしても確実に接続部と球状接続
端子とを電気的に接続することができる。

【０１０９】また、請求項５記載の発明によれば、接続
部を部分に強化することができ、よって接続部と球状接
続端子とを確実に接続することができる。また、請求項
６記載の発明によれば、接続部をワイヤにより構成した
ことにより、接続部を容易かつ安価に接続部を形成する
ことができる。また、請求項７記載の発明によれば、接
続部と球状接続端子とを多点で接続することができ電気
的接続を確実に行うことができる。また、接続部に形成
される接触点は微小化するため、球状接続端子に対して
確実に食い込ませることができ、これによっても電気的
接続性を向上できると共にワイピングを確実に行うこと
ができる。

【０１１０】また、請求項８記載の発明によれば、舌片
部により接続部は補強されるため、接続時に接続部に変
形が発生することを防止することができる。また、請求
項９記載の発明によれば、コンタクト部材に補強基板を
設けることにより絶縁基板の剛性を高めることができ、
よって接続時においてコンタクト圧により絶縁基板に歪
みが発生することを抑制することができる。これによ
り、接続部と球状接続端子との位置決めを確実に行うこ
とができ、よって接続部と球状接続端子とを確実に接続
することができる。

【０１１１】また、請求項１０記載の発明によれば、接
続部に補強材を設けたことにより、接続時においてコン
タクト圧により接続部が変形することを防止することが
できる。また、請求項１１記載の発明によれば、接続部
と外部回路が接続されるパッド（外部接続用バッド）と
の距離を短くすることができ、特に被検査装置として高
速化された装置を用いた場合に、コタクト電極で発生す
る電気的特性劣化を抑制することができる。

【０１１２】また、請求項１２記載の発明によれば、電
気導電層の配設パターンをコンタクト電極の配設パター
ンに対応するよう構成したことにより、特に高周波を用
いた被検査装置において良好なシールド効果を得ること
ができる。また、請求項１３記載の発明によれば、コン
タクト部材及び第２の絶縁基板が球状接続端子に印加す
る力は相殺され、球状接続電極に実際に印加される剪断
方向の力は小さくなるため、検査時において球状接続端
子が被検査装置から脱落してしまうことを防止すること
ができる。

【０１１３】また、請求項１４記載の発明によれば、接
続状態において、各球状接続端子に対しその両側部から
接続部を接続させることができるため、コンタクト電極
と球状接続端子とを確実に電気的接続を行うことができ
る。また、接続状態において、各コンタクト部材が球状
接続端子に印加する力の方向とは互いに逆方向となり、
よってこの球状接続端子に印加する力は相殺されて低減
されるため、検査時において球状接続端子が被検査装置
から脱落してしまうことを防止することができる。

【０１１４】更に、請求項１５記載の発明によれば、コ
ンタクト電極の引回しに自由度を持たせることができ、
よって実質的に個々のコンタクト部材に形成されるコン
タクト電極数を低減することができ、球状接続端子の挟
ピッチ化に十分対応することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例である半導体検査装置のイ
ニシャル状態を示す図であり、（Ａ）は接続部近傍の断
面図、（Ｂ）は接続部近傍の底面図である。

【図２】本発明の第１実施例である半導体検査装置の接
続状態を示す図であり、（Ａ）は接続部近傍の断面図、
（Ｂ）は接続部近傍の底面図である。

【図３】本発明の第１実施例である半導体検査装置に設
けられるスライド機構を説明するための図である。

【図４】本発明の第１実施例である半導体検査装置に設
けられるコンタクト部材を説明するための図である。

【図５】本発明の第２実施例である半導体検査装置のイ
ニシャル状態を示す図であり、（Ａ）は接続部近傍の断
面図、（Ｂ）は接続部近傍の底面図である。

【図６】本発明の第２実施例である半導体検査装置の接
続状態を示す図であり、（Ａ）は接続部近傍の断面図、
（Ｂ）は接続部近傍の底面図である。

【図７】本発明の第３実施例である半導体検査装置を示
す図であり、（Ａ）はイニシャル状態における接続部近
傍の断面図、（Ｂ）はイニシャル状態における接続部近
傍の底面図、（Ｃ）は接続状態における接続部近傍の底
面図である。

【図８】本発明の第４実施例である半導体検査装置を示
す図であり、（Ａ）はイニシャル状態における接続部近
傍の断面図、（Ｂ）はイニシャル状態における接続部近
傍の底面図、（Ｃ）は接続状態における接続部近傍の底
面図である。

【図９】本発明の第５実施例である半導体検査装置を示
す図であり、（Ａ）は接続部近傍の断面図、（Ｂ）は接
続部近傍の底面図である。

【図１０】第５実施例である半導体検査装置の変形例を
説明するための図である。

【図１１】本発明の第６実施例である半導体検査装置を
示す図であり、（Ａ）は接続部近傍の断面図、（Ｂ）は
接続部近傍の底面図である。

【図１２】本発明の第７実施例である半導体検査装置の
接続部近傍の底面図である。

【図１３】本発明の第８実施例である半導体検査装置の
接続部近傍の底面図である。

【図１４】本発明の第９実施例である半導体検査装置を
示す図であり、（Ａ）は接続部近傍の断面図、（Ｂ）は
接続部近傍の底面図である。

【図１５】本発明の第１０実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。

【図１６】本発明の第１１実施例である半導体検査装置
の接続部近傍を示す平面図である。

【図１７】本発明の第１１実施例である半導体検査装置
の接続部近傍を示す断面図である。

【図１８】本発明の第１２実施例である半導体検査装置
の接続部近傍を示す平面図である。

【図１９】本発明の第１３実施例である半導体検査装置
のイニシャル状態を示す図であり、（Ａ）は接続部近傍
の断面図、（Ｂ）は接続部近傍の底面図である。

【図２０】本発明の第１３実施例である半導体検査装置
の接続状態を示す図であり、（Ａ）は接続部近傍の断面
図、（Ｂ）は接続部近傍の底面図である。

【図２１】本発明の第１４実施例である半導体検査装置
を示す図であり、（Ａ）は接続部近傍の断面図、（Ｂ）
は接続部近傍の底面図である。

【図２２】本発明の第１５実施例である半導体検査装置
を示す図であり、（Ａ）はイニシャル状態における接続
部近傍の断面図、（Ｂ）は接続状態における接続部近傍
の断面図である。

【図２３】本発明の第１５実施例である半導体検査装置
の接続部近傍を拡大して示す底面図である。

【図２４】本発明の第１６実施例である半導体検査装置
の接続部近傍を拡大して示す断面図である。

【図２５】従来の半導体検査装置の一例を説明するため
の図である（その１）。

【図２６】従来の半導体検査装置の一例を説明するため
の図である（その２）。

【図２７】従来の半導体検査装置の一例を説明するため
の図である（その３）。

【符号の説明】

１０Ａ〜１０Ｑ 半導体検査装置 １２Ａ〜１２Ｑ コンタクト部材 １４Ａ 絶縁基板（第１の絶縁基板） １６ 開口部 １８Ａ〜１８Ｎ コンタクト部材 ２０Ａ〜２０Ｌ 接続部 ２２ 半導体装置 ２４ バンプ ２６ スライド機構 ３２ 装置固定枠 ３８ スライド枠 ４４ アクチュエータ ４８ 配線部 ５０ 外部接続用パッド ５２ 装着開口部 ５４，５６ 突起部 ５８ 舌片部 ６０ 補強基板 ６１ 装着開口 ６２ 枠状補強基板 ６４ グランド配線層 ６６ ビア ７０ シールドパターン ７２ 第２の絶縁基板 ７４ 第２の開口部

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 球状接続端子を有する被検査装置に対し
   て試験を行う半導体検査装置において、 前記球状接続端子と対応する位置に開口部が形成された
   第１の絶縁基板と、該第１の絶縁基板に形成されると共
   に少なくとも前記球状接続端子が接続される接続部が前
   記開口部に延出した構成とされたコンタクト電極とを具
   備するコンタクト部材と、 前記球状接続端子を前記開口部内に装着した状態で、前
   記接続部が前記球状接続端子に向かい移動するよう前記
   コンタクト部材を水平方向にスライドさせるスライド機
   構とを具備することを特徴とする半導体検査装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体検査装置におい
   て、 前記コンタクト電極の接続部が、前記開口部の縁部から
   その内部に直線状に延出する構成とされていることを特
   徴とする半導体検査装置。
3. 【請求項３】 請求項１記載の半導体検査装置におい
   て、 前記コンタクト電極の接続部が、前記球状接続端子の径
   寸法より大きな径寸法とされた装着開口部を有したリン
   グ形状とされていること特徴とする半導体検査装置。
4. 【請求項４】 請求項１記載の半導体検査装置におい
   て、 前記接続部の前記球状接続端子と対向する部位を弾性変
   形可能な構成としたことを特徴とする半導体検査装置。
5. 【請求項５】 請求項１記載の半導体検査装置におい
   て、 前記接続部とコンタクト電極とを別部品とすると共に、
   該別部品とされた接続部を前記コンタクト電極に接合す
   ることにより前記コンタクト部材を構成したことを特徴
   とする半導体検査装置。
6. 【請求項６】 請求項５記載の半導体検査装置におい
   て、 前記コンタクト電極の接続部を前記配線にワイヤボンデ
   ィングされたワイヤにより構成したことを特徴とする半
   導体検査装置。
7. 【請求項７】 請求項１乃至６のいずれか１項に記載の
   半導体検査装置において、 前記コンタクト電極の接続部が前記球状接続端子に対
   し、複数の接触点を有するよう構成したことを特徴とす
   る半導体検査装置。
8. 【請求項８】 請求項１または２記載の半導体検査装置
   において、 前記第１の絶縁基板の前記接続部の延出位置に、前記接
   続部の延出量より短い舌片部を延出形成したことを特徴
   とする半導体検査装置。
9. 【請求項９】 請求項１乃至８のいずれか１項に記載の
   半導体検査装置において、 前記コンタクト部材に補強基板を設けたことを特徴とす
   る半導体検査装置。
10. 【請求項１０】 請求項１乃至９のいずれか１項に記載
    の半導体検査装置において、 前記接続部に補強材を設けたことを特徴とする半導体検
    査装置。
11. 【請求項１１】 請求項１乃至１０のいずれか１項に記
    載の半導体検査装置において、 前記第１の絶縁基板の前記コンタクト電極の形成面と異
    なる反対面に電気導電層を形成すると共に、前記コンタ
    クト電極と前記電気導電層とを前記第１の絶縁基板に形
    成された層間接続電極により電気的に接続したことを特
    徴とする半導体検査装置。
12. 【請求項１２】 請求項１１記載の半導体検査装置にお
    いて、 前記気導電層の配設パターンを前記コンタクト電極の配
    設パターンに対応するよう構成したことを特徴とする半
    導体検査装置。
13. 【請求項１３】 請求項１乃至１２のいずれか１項に記
    載の半導体検査装置において、 更に、前記球状接続端子と対応する位置に開口部が形成
    された第２の絶縁基板を前記コンタクト部材に積み重ね
    た状態で設け、 かつ、前記スライド機構が前記コンタクト部材と前記第
    ２の絶縁基板とを相対的に異なる方向にスライドさせる
    構成としたことを特徴とする半導体検査装置。
14. 【請求項１４】 請求項１乃至１２のいずれか１項に記
    載の半導体検査装置において、 前記コンタクト部材を複数個積み重ねた状態で設け、 かつ、前記スライド機構により、前記複数のコンタクト
    部材の内少なくとも２個のコンタクト部材が、相対的に
    異なる方向にスライドされる構成としたことを特徴とす
    る半導体検査装置。
15. 【請求項１５】 請求項１４記載の半導体検査装置にお
    いて、 前記複数のコンタクト部材に夫々設けられるコンタクト
    電極の配設パターンを異なるパターン形状とすることに
    より、一の球状接続端子には、これと対応する一のコン
    タクト部材に形成された一のコンタクト電極のみが接続
    するよう構成したことを特徴とする半導体検査装置。