JPH11184341A

JPH11184341A - 電子写真装置

Info

Publication number: JPH11184341A
Application number: JP9355337A
Authority: JP
Inventors: Shigenori Ueda; 重教植田; Junichiro Hashizume; 淳一郎橋爪; Makoto Aoki; 誠青木
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1997-12-24
Filing date: 1997-12-24
Publication date: 1999-07-09
Anticipated expiration: 2017-12-24
Also published as: JP3507322B2; EP0926559A1; US6183930B1; DE69830644T2; DE69830644D1; EP0926559B1

Abstract

(57)【要約】【課題】クリーニング性が良好で、表面層のムラ削
れ、トナー融着が発生せず、また、加温手段を設けずと
も画像欠陥が発生しない、高品位な画像が安定的に得ら
れる電子写真装置を提供する。【解決手段】平均粒径５〜８μｍの現像剤を光受容部
材４０１に現像した後、転写材４０６（ａ）へ転写し、
その後、硬度が７０度以上８０度以下の弾性ゴムブレー
ド４２１で光受容部材表面をスクレープクリーニングす
る構成とする。光受容部材４０１の表面層は非単結晶質
水素化炭素膜からなり、Ａ４版の複写工程を転写紙に行
った後の前記表面層の摩耗量は１Å／１万枚以上１０Å
／１万枚以下とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、クリーニングブレ
ードによるスクレープクリーニングを行う電子写真装置
に関し、さらに詳しくは、クリーニングローラー等の光
受容部材表面の摺擦手段を設けずとも、光受容部材の表
面がムラ削れすることなく均一に削れ、かつ光受容部材
の加温手段を設けずとも如何なる環境下においても画像
ボケ、画像流れが発生することなく長期間の使用におい
ても高品質な画像を提供することが可能な光受容部材を
用いた電子写真装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、電子写真法としては、米国特許第
２２９７６９２号明細書、特公昭４２−２３９１０号公
報及び特公昭４３−２４７４８号公報に記載されている
如く、多数の方法が知られている。一般には光受容部材
を利用し、種々の手段により光受容部材上に電気的潜像
を形成し、次いで該潜像を現像剤を用いて現像し、必要
に応じて紙等の転写材に現像剤画像を電気的に転写した
後に、加熱、加圧、加熱加圧あるいは、溶剤蒸気等によ
り定着し複写物を得るものである。

【０００３】上記工程において、転写材へ現像剤画像を
転写した後でも光受容部材表面には残留現像剤が残るた
め、これを除去する手段としてクリーニングブレードを
当接し、該未転写現像剤を系外に排出していた。

【０００４】電子写真感光体に用いる光受容部材の素材
としては、セレン、硫化カドミニウム、酸化亜鉛、アモ
ルファスシリコン（以下ａ−Ｓｉと記す）等の無機材
料、あるいは有機材料等、各種の材料が提案されてい
る。これらのうちでもａ−Ｓｉに代表される珪素原子を
主成分として含む非単結晶質堆積膜、例えば水素及び／
またはハロゲン（例えばフッ素、塩素等）を含む（例え
ば水素またはダングリングボンドを補償する）ａ−Ｓｉ
等のアモルファス堆積膜は高性能、高耐久、無公害な感
光体として提案され、そのいくつかは実用化されてい
る。特開昭５４−８６３４１号公報、ＵＳＰ４，２６
５，９９１号には、光導電層を主としてａ−Ｓｉで形成
した電子写真感光体の技術が開示されている。また特開
昭６０−１２５５４号公報には珪素原子を含有する非晶
質シリコンからなる光導電層の表面に炭素及びハロゲン
原子を含む表面層が開示されており、さらに特開平２−
１１１９６２号公報には、ａ−Ｓｉ：Ｈまたは、ａ−
Ｃ：Ｈ感光層上に表面保護潤滑層を設けた感光体が開示
されているが、いずれも撥水性や耐摩耗性を向上させる
技術であり、電子写真プロセスと表面層の削れ性との関
係に関する記載はない。

【０００５】ａ−Ｓｉに代表されるａ−Ｓｉ系感光体
は、半導体レーザー（７７０ｎｍ〜８００ｎｍ）等の長
波長光に高い感度を示し、しかも繰り返し使用による劣
化もほとんど認められない等の優れた点を有するので、
例えば高速複写機やＬＢＰ（レーザービームプリンタ
ー）等の電子写真用感光体として広く使用されている。

【０００６】シリコン系非単結晶堆積膜の形成法として
は、スパッタリング法、熱により原料ガスを分解する方
法（熱ＣＶＤ法）、光により原料ガスを分解する方法
（光ＣＶＤ法）、プラズマにより原料ガスを分解する方
法（プラズマＣＶＤ法）等、多数の方法が知られてい
る。中でもプラズマＣＶＤ法、すなわち原料ガスを直流
または高周波、（ＲＦ，ＶＨＦ）または、マイクロ波を
利用して発生させたグロー放電等によって分解し、ガラ
ス、石英、耐熱性合成樹脂フィルム、ステンレス、アル
ミニウム等の所望の基体上に堆積膜を形成する方法は、
電子写真用アモルファスシリコン堆積膜の形成方法等に
とどまらず、他の用途の堆積膜の形成方法を含め、現在
実用化が進んでおり、そのための装置も各種提案されて
いる。

【０００７】さらに、電子写真用感光体への適用を鑑み
ても近年では膜質及び処理能力の向上に対する要望が強
くなっており様々な工夫も検討されている。

【０００８】特に高周波電力を用いたプラズマプロセス
は、放電の安定性が高く酸化膜や窒化膜等の絶縁性材料
の形成にも使用できる等様々な利点により使用されてい
る。

【０００９】光受容部材としては、高速に対応した電子
写真特性の向上が要求されると共に、より精彩な画質を
要求される昨今においては、感光体特性の改善はもとよ
り、現像剤の小粒径化が進められ、コールターカウンタ
ー等による重量平均粒径が５〜８μｍであるものが多く
使われている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ａ−Ｓｉ系光受容部材
は、表面硬度が他の感光体に比べて極めて高いため、ク
リーニング手段としてクリーニング能力の高い、ブレー
ド式クリーニング方式が広く用いられている。

【００１１】しかし、このようなブレード式クリーニン
グ方式は原稿チャートの文字パターンの差によりブレー
ド面に滞留する現像剤の量に差が生じ受容部材表面層に
削れムラが生ずる場合があり、このような削れムラが発
生した場合、電子写真特性として感度ムラとなり画像に
濃度ムラとして発生する。この現象は、特に現像剤の粒
径が小さいほど顕著である。近年では画像特性の高画質
化が要求に対応すべく現像剤の小粒径化が進んでいるこ
とから、このような濃度ムラが発生しやすい状況にあ
る。

【００１２】また、現像剤の小粒径化は画質の向上をも
たらす反面、摺擦力が高くなる傾向があり、この摺擦力
のアップにより、クリーニングブレードのビビリ等によ
る残留現像剤（トナー）のすり抜けが生じ、黒スジ状の
クリーニング不良が発生することがある。このような状
態で複写工程を繰り返し行うと、コロナ帯電器内で残留
現像剤や該残留現像剤に含まれる外添剤（チタン酸スト
ロンチウム、シリカ等）の微粒子が飛散してコロナ帯電
器のワイヤー電極（以後、帯電器ワイヤーと記す）に付
着し、放電ムラの原因となる場合がある。帯電器ワイヤ
ー汚れによって放電ムラが発生すると、正現像（光受容
部材表面の非露光部を現像する方式）においては画像上
にスジ状の白抜け部、画像全面に広がるウロコ状の黒モ
ヤ、周期性なく局部的に黒点（０．１〜０．３ｍｍφ）
等が発生して出力画像の品質が低下することがある。

【００１３】また、帯電器ワイヤー汚れが発生すると、
その汚れ部と光受容部材間で異常放電が誘発され、光受
容部材表面を破壊して画像欠陥を発生させることもあ
る。

【００１４】さらに、摩擦抵抗が高いと光受容部材とク
リーニングブレード間で摩擦熱が上昇し、熱定着に用い
られる残留現像剤は、この摩擦熱によって光受容部材の
表面に強固に付着する融着現象が発生する場合がある。
特にこの融着現象は、現像剤の小粒径化に比例して顕著
であり初期の段階では画像には影響しない程度の微小な
ものであるが、繰り返しの使用で微小な融着が核となり
徐々に成長し画像に黒スジ状の画像欠陥となる。

【００１５】以上述べたような問題の解決方法として、
クリーニングブレードの押し付け圧力を高くする方法
や、弾性ゴムブレードの硬度を高める等の方法がある。
しかし、これらの方法はブレードと光受容部材表面との
摩擦力の上昇をもたらすため、表面層のムラ削れが悪化
することがある。また、ブレードの硬度を高める方法は
ブレード材質が脆くなりブレードの寿命が短くなるとい
う問題がある。

【００１６】このようなムラ削れの対策として従来、マ
グネットローラーあるいはウレタンゴムや、シリコンゴ
ム等のクリーニングローラーを設けクリーニングブレー
ドに達する現像剤を均一に分散し、ブレード面の現像剤
の滞留ムラを緩和する手段を設けることが必須であっ
た。

【００１７】また、上記マグネットローラーあるいはウ
レタンゴムや、シリコンゴム等のクリーニングローラー
のもう一つの重要な役割としては、光受容部材表面のコ
ロナ放電生成物を除去することを目的としている。

【００１８】このコロナ放電生成物はコロナ放電に伴い
オゾンが発生し、空気中の窒素を酸化して窒素酸化物
（ＮＯｘ）を生成する。さらに、この窒素酸化物は空気
中の水分と反応して硝酸等を生じさせる。そして窒素酸
化物、硝酸等のコロナ放電による生成物は光受容部材表
面や周辺の機器に付着堆積してそれらの表面を汚損す
る。

【００１９】コロナ放電生成物は吸湿性が強く、その吸
着を生じた光受容部材表面は付着コロナ放電生成物の吸
湿による光受容部材表面の低抵抗化で実質的に電荷保持
能力が全面的にあるいは、部分的に低下して、画像流れ
（光受容部材表面電荷が面方向にリークして静電荷潜像
パターンが崩れるあるいは形成されない）と称される画
像欠陥を生ずる原因となる。

【００２０】また、コロナ帯電器のシールド板内面に付
着したコロナ放電生成物は電子写真装置の稼働中のみな
らず夜間等の装置の休止中にも揮発遊離し、それが該帯
電器の放電開口に対応した光受容部材表面に付着する。
このコロナ放電生成物が吸湿し光受容部材表面を低抵抗
化させるために、電子写真装置の長期休止後の最稼働時
に出力される一枚目あるいは数枚のコピーに上記の装置
休止中の帯電器開口部領域に対応する光受容部材表面に
帯電器跡流れと称される画像流れが生じ易い。

【００２１】この画像流れ現象を防止する対策として、
前述のクリーニングローラー等の摺擦手段と併用して、
光受容部材を加温するためのヒーターを設けたり温風送
風装置により光受容部材に送風する等の手段を設け、光
受容部材表面を約３０〜５０℃に加温する手段を設けて
いた。この加温手段により相対湿度を低下させ光受容部
表面に付着しているコロナ放電生成物やコロナ放電生成
物が吸収した水分を揮発させることによって光受容部材
表面の実質的な低抵抗化を抑えることが電子写真装置設
計において必須条件であった。

【００２２】しかし、この加温手段の問題点として、電
子写真装置の小型化及び低コスト化に伴い光受容部材の
小径化及び光受容部材の導電性基体の薄肉化を行った場
合、回転円筒状現像剤担持体の回転周期で部分的に画像
濃度に濃い部分と薄い部分の画像濃度ムラが発生する場
合がある。この原因は装置の休止中に該光受容部材の熱
により、該回転円筒状現像剤担持体が膨張し該光受容部
材対向部との距離が短くなり、現像剤が通常よりも転移
し易くなるためである。

【００２３】近年、複写機やプリンターのパーソナルユ
ース化に伴い小型化・低コスト・メンテナンスフリーが
重要な課題である。

【００２４】また、このような加温手段を設けることは
電子写真装置の小型化・低コスト化・メンテナンスフリ
ーに対する要請に反するものであり、また、省エネルギ
ー、エコロジーといった観点からも、光受容部材を直接
加温する手段を設けない設計が望ましい。

【００２５】また、画像流れの問題に加え、近年の複写
画像に対する要求の高まりから、高画質を安定して供給
する技術が切望されている。複写機の用途が文字中心の
複写原稿から写真等の画像に移り、市場のニーズとして
ハーフトーンを多用する複写原稿が増えてきたため、濃
度の安定性に関して、以前に増して厳しい基準が要求さ
れるようになってきた。

【００２６】このような状況下において、加温手段を設
けずに画像流れが発生しない光受容部材及び、如何なる
電子写真プロセス条件においても、ムラ削れが発生せず
濃度ムラのない高画質を安定して供給することが可能な
電子写真装置が求められている。

【００２７】本発明は、上記問題点を解決するためにな
されたものであり、その目的とするところは、小粒径の
現像剤で現像を行いかつ、クリーニングローラー等の摺
擦手段を設けないクリーニング方法を用いた電子写真プ
ロセスにおいても光受容部材の表面がムラ削れせず均一
に摩耗する光受容部材を用いることによって、現像剤の
飛散を防止し帯電器ワイヤー汚れやクリーニング不良、
融着が発生しない電子写真装置を提供することにある。
さらには、光受容部材の加温手段や、光受容部材の表面
摺擦手段を設けずとも高湿環境下での画像流れといった
画像欠陥が発生しない電子写真装置を提供することによ
り電子写真装置設計のラチチュードを大幅に広げること
にある。

【００２８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、電子写真
プロセスと光受容部材の表面層の摩耗量との関係に着目
し、ムラ削れに厳しい電子写真プロセスにおける光受容
部材表面の摩耗性を向上させることを試みた。その結
果、本発明の電子写真プロセス及び本発明のａ−Ｃ：Ｈ
膜を光受容部材の表面層に用いた光受容部材の組み合わ
せにより、ムラ削れに厳しい電子写真装置構成でもムラ
削れせず、クリーニング不良や、融着が発生しない。さ
らに如何なる環境条件においても光受容部材の加温手段
を設けずとも画像流れが発生しないことを見出した。

【００２９】すなわち本発明によれば、光受容部材を回
転させ、帯電、露光、現像、転写、クリーニングを順次
繰り返す電子写真装置において、平均粒径５〜８μｍの
現像剤を該光受容部材に現像、転写材へ転写し、現像剤
が転写された後の光受容部材表面を硬度が７０度以上８
０度以下の弾性ゴムブレードでスクレープクリーニング
する電子写真装置であって、光受容部材の表面層が非単
結晶質水素化炭素膜からなり、Ａ４版の複写工程を転写
紙に行った後の前記表面層の摩耗量が１Å／１万枚以上
１０Å／１万枚以下であることを特徴とする電子写真装
置が提供される。

【００３０】本発明の電子写真装置に用いるクリーニン
グブレード硬度はＪＩＳ硬度（ＪＩＳＫ６３０１の測
定法におけるＡ型により測定したゴム硬度）で７０度以
上８０度以下が好適である。ブレードの硬度が８０度を
超えるとブレードの特性としては、ゴム的状態からガラ
ス状態に近づくため、材質としては脆くなりブレードの
寿命を短くする方向であり、また、ＪＩＳ硬度７０度よ
り低いと、クリーニング性が低下したりブレードが捲れ
てしまい光受容部材表面にダメージを与えてしまう等の
問題が発生する場合がある。また本発明の電子写真装置
に用いられるクリーニングブレードの材質としては、ウ
レタンゴム、シリコンゴム、ブタジエンゴム、イソプレ
ンゴム、ニトリルゴム、天然ゴム等があり、特に硬度お
よび加工のし易さといった点から、ウレタンゴム、シリ
コンゴムが一般的に用いられる。

【００３１】一方、クリーニング性を向上させるため
に、特開昭５４−１４３１４９号公報に記載されている
ような溝付きブレードや、特開昭５７−１２４７７７号
公報に記載されているような突起付きブレード、等が考
案されているが、小粒径の現像剤を使用し、クリーニン
グローラー等の摺擦手段を設けずさらに、光受容部材の
加温手段を設けない電子写真装置と非晶質水素化炭素膜
を表面層に設けた光受容部材表面の摩耗量との関係に関
する記載はなされていない。

【００３２】本発明においては、光受容部材に用いる表
面層はａ−Ｃ：Ｈからなり膜中に含まれる水素量はＨ／
（Ｃ＋Ｈ）で４１％〜６０％、好適には４５％〜５５％
が適している。水素量が４０％以下であると感度の点で
電子写真装置に適さない場合がある。また６０％を超え
ると膜の緻密性が損なわれ、機械的強度が低下する。

【００３３】さらに該表面層は上記、水素量の範囲でＡ
４版の複写工程を転写紙に行った後の摩耗量が１Å／１
万枚以上１０Å／１万枚以下の範囲とすることことによ
り摩擦によるブレードのビビリが少なく、ブレード面の
部分的なストレスが抑えられるため、現像剤の部分的な
滞留が緩和される。その結果、ムラ削れせず均一に表面
層が摩耗することにより、クリーニング性に優れ、トナ
ーの飛散がなく、ワイヤー汚れ及び、削れの効果により
融着を防止することが可能であることを見出した。ま
た、表面層が均一に摩耗することにより、光受容部材表
面に付着したコロナ放電生成物が効率よくムラなく削り
取られるため、光受容部材を加温する手段及び、光受容
部材表面を摺擦する手段を設けずとも、如何なる環境条
件下においても画像流れが発生しないことを見出したも
のである。

【００３４】本発明に用いる光受容部材の表面層の摩耗
量が、１０Å／１万枚より大きい値になると機械的強度
が損なわれる場合があり、１Å／１万枚より小さい値に
なると表面層が摩耗しにくくなりコロナ放電生成物を削
り取る効果が低減し画像流れた発生する場合がある。

【００３５】さらに本発明の光受容部材に用いる表面層
の膜厚としては表面層の摩耗量と電子写真装置の寿命と
の関係から最適な膜厚が決定できるが、一般には０．０
１μｍ〜１０μｍ、好ましくは０．１μｍ〜１μｍの範
囲とする。表面層の膜厚が０．０１μｍ以下だと機械的
強度が損なわれ、１０μｍ以上になると残留電位が高く
なる場合がある。

【００３６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。

【００３７】図１の（Ａ）及び（Ｂ）は本発明による光
受容部材の模式的な断面図の一例であり図１において
（Ａ）は光導電層が機能分離されていない単一層からな
る単層型光受容部材である。また（Ｂ）は光導電層が電
荷発生層と電荷輸送層とに分離された機能分離型光受容
部材である。

【００３８】図１（Ａ）に示すａ−Ｓｉ系光受容部材は
アルミニウム等の導電性基体１０１と、導電性基体１０
１の表面に順次積層された電荷注入阻止層１０２と光導
電層１０３及び表面層１０４からなる。ここで、電荷注
入阻止層１０２は導電性基体１０１から光導電層１０３
への電荷の注入を阻止するものであり、必要に応じて設
けられる。また、光導電層１０３は少なくともシリコン
原子を含む非晶質材料で構成され、光導電性を示すもの
である。さらに表面層１０４は炭素原子と水素原子を含
むａ−Ｃ：Ｈ膜からなり、電子写真装置における顕像を
保持する能力をもつものである。

【００３９】以下の説明では、電荷注入素子層１０２の
有無により効果が異なる場合を除いては電荷注入阻止層
１０２が存在するものとする。

【００４０】図１（Ｂ）に示すａ−Ｓｉ系光受容部材
は、光導電層１０３が少なくともシリコン原子と炭素原
子を含む非晶質材料で構成された電荷輸送層１０６と、
少なくともシリコン原子を含む非晶質材料で構成された
電荷発生層１０５が順次積層された構成の機能分離型と
した光受容部材である。この光受容部材に光照射する主
として電荷発生層１０５で生成されたキャリアーが電荷
輸送層１０６を通過して導電性基体１０１に至る。

【００４１】なお、表面層１０４の成膜ガスとしては、
ＣＨ₄、Ｃ₂Ｈ₆、Ｃ₃Ｈ₈、Ｃ₄Ｈ₁₀等のガス、及びガス化
し得る炭化水素が有効に使用されるものとして挙げられ
る。また、これらの炭素供給用の原料ガスを必要に応じ
てＨ₂ ，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ等のガスにより希釈して使用
してもよい。

【００４２】図２は、プラズマＣＶＤ法による光受容部
材の一般的堆積装置の一例を模式的に示した図である。

【００４３】この装置は大別すると、堆積装置２１０
０、原料ガスの供給装置２２００、反応容器２１１０内
を減圧するための排気装置（図示せず）から構成されて
いる。堆積装置２１００中の反応容器２１１０内にアー
スに接続された円筒状被成膜基体２１１２、円筒状被成
膜基体の加熱用ヒーター２１１３、原料ガス導入管２１
１４が設置され、さらに高周波マッチングボックス２１
１５を介して高周波電源２１２０が接続されている。

【００４４】原料ガス供給装置２２００は、ＳｉＨ₄、
Ｈ₂、ＣＨ₄、ＮＯ、Ｂ₂Ｈ₆、ＣＨ₄等の原料ガスボンベ
２２２１〜２２２６とバルブ２２３１〜２２３６，２２
４１〜２２４６、２２５１〜２２５６及びマスフローコ
ントローラー２２１１〜２２１６から構成され、各構成
ガスのボンベはバルブ２２６０を介して反応容器２１１
０内のガス導入管２１１４に接続されている。

【００４５】円筒状被成膜基体２１１２は導電性受け台
２１２３の上に設置されることによってアースに接続さ
れる。

【００４６】以下、図２の装置を用いた、光受容部材の
形成方法の手順の一例について説明する。

【００４７】反応容器２１１０内に円筒状被成膜基体２
１１２を設置し、不図示の排気装置（例えば真空ポン
プ）により反応容器２１１０内を排気する。続いて円筒
状被成膜基体加熱用ヒータ２１１３により円筒状被成膜
基体２１１２の温度を２０℃〜５００℃の所望の温度に
制御する。次いで、光受容部材形成用の原料ガスを反応
容器２１１０内に流入させるにはガスボンベのバルブ２
２３１〜２２３６、反応容器のリークバルブ２１１７が
閉じられていることを確認しまた、流入バルブ２２４１
〜２２４６、流出バルブ２２５１〜２２５６、補助バル
ブ２２６０が開かれていることを確認し、メインバルブ
２１１８を開いて反応容器２１１０及びガス供給配管２
１１６を排気する。

【００４８】その後、真空系２１１９の読みが５×１０
^-6Ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ２２６０、流出バ
ルブ２２５１〜２２５６を閉じる。その後ガスボンベ２
２２１〜２２２６より各ガスをバルブ２２３１〜２２３
６を開いて導入し圧力調整器２２６１〜２２６６により
各ガス圧を２ｋｇ／ｃｍ² に調整する。次に流入バルブ
２２４１〜２２４６を徐々に開けて各ガスをマスフロー
コントローラー２２１１〜２２１６内に導入する。

【００４９】以上の手順によって成膜準備を完了した
後、円筒状被成膜基体２１１２上に、まず光導電層の形
成を行う。

【００５０】すなわち、円筒状被成膜基体２１１２が所
望の温度になったところで、各流出バルブ２２５１〜２
２５６のうちの必要なものと補助バルブ２２６０とを徐
々に開き、各ガスボンベ２２２１〜２２２６から所望の
原料ガスをガス導入管２１１４を介して反応容器２１１
０内に導入する。次に、各マスフローコントローラー２
２１１〜２２１６によって、各原料ガスが所望の流量に
なるように調整する。その際、反応容器２１１０内が１
Ｔｏｒｒ以下の所望の圧力になるように、真空計２１１
９を見ながらメインバルブ２１１８の開口を調整する。
内圧が安定したところで、高周波電源２１２０を所望の
電力に設定して例えば、周波数１ＭＨｚ〜４５０ＭＨｚ
の高周波電力を高周波マッチングボックス２１１５を通
じてカソード電極２１１１に供給し高周波グロー放電を
生起させる。この放電エネルギーによって反応容器２１
１０内に導入させた各原料ガスを分解され、円筒状被成
膜基体２１１２上に所望のシリコン原子を主成分とする
光導電層が堆積される。所望の膜厚の形成が行われた
後、高周波電力の供給を止め、各流出バルブ２２５１〜
２２５６を閉じて反応容器２１１０への各原料ガスの流
入を止め、光導電層の形成を終える。

【００５１】光導電層の組成や膜厚は公知のものを使用
することができる。

【００５２】上記光導電層に表面層を形成する場合も基
本的には上記の操作を繰り返せばよい。

【００５３】図３は、高周波電源を用いたプラズマＣＶ
Ｄ法による光受容部材の堆積装置の別の一例を模式的に
示した図である。

【００５４】この装置は大別すると、堆積層３１００、
原料ガスの供給装置３２００、反応応容器３１１０内を
減圧するための排気装置（図示せず）から構成されてい
る。堆積装置３１００中の反応容器３１１０内にはアー
スに接続された円筒状被成膜基体３１１２、円筒状被成
膜基体の加熱用ヒーター３１１３、原料ガス導入管３１
１４が設置され、さらに高周波マッチングボックス３１
１５を介して高周波電源３１２０が接続されている。

【００５５】原料ガス供給装置３２００は、ＳｉＨ₄、
Ｈ₂、ＣＨ₄、ＮＯ、Ｂ₂Ｈ₆、ＣＨ₄等の原料ガスボンベ
３２２１〜３２２６とバルブ３２３１〜３２３６，３２
４１〜３２４６，３２５１〜３２５６及びマスフローコ
ントローラー３２１１〜３２１６から構成され、各構成
ガスのボンベはバルブ３２６０を介して反応容器３１１
０内のガス導入管３１１４に接続されている。

【００５６】円筒状被成膜基体３１１２は導電性受け台
３１２３の上に設置されることによってアースに接続さ
れる。また、カソード電極３１１１は導電性材料からな
り、絶縁材料３１２１によって絶縁されている。

【００５７】導電性受け台３１２３に用いる導電性材料
としては、銅、アルミニウム、金、白金、鉛、ニッケ
ル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、チタン、ステ
ンレス及び、これらの材料の２種類以上の複合材料等が
使用できる。

【００５８】カソード電極３１１１を絶縁するための絶
縁材料としては、セラミックス、テフロン、マイカ、ガ
ラス、石英、シリコーンゴム、ポリエチレン、ポリプロ
ピレン等の絶縁材が使用できる。

【００５９】使用されるマッチングボックス３１１５は
高周波電源３１２０と負荷の整合をとることができるも
のであれば如何なる構成のものでも好適に使用できる。
また、整合をとる方法としては、自動的に調整されるも
のが好適であるが手動で調整されるものであっても本発
明の効果には全く影響はない。

【００６０】高周波電力が印加されるカソード電極３１
１１の材質としては銅、アルミニウム、金、銀、白金、
鉛、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、チ
タン、ステンレス及び、これらの材料の２種類以上の複
合材料等が使用できる。また、形状は円筒形状が好まし
いが必要に応じて楕円形状、多角形状を用いてもよい。

【００６１】カソード電極３１１１は必要に応じて冷却
手段を設けてもよい。具体的な冷却手段としては水、空
気、液体窒素、ペルチェ素子等による冷却が必要に応じ
て用いられる。

【００６２】本発明に用いる円筒状被成膜基体３１１２
は、使用目的に応じた材質や形状を有するものであれば
よい。例えば、形状に関しては、電子写真用感光体を製
造する場合には、円筒状が望ましいが、必要に応じて平
板状や、その他の形状であってもよい。また、材質にお
いては、銅、アルミニウム、金、銀、白金、鉛、ニッケ
ル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、チタン、ステ
ンレス及びこれらの材料の２種類以上の複合材料、さら
にはポリエステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、
セルロースアセテーロ、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニ
ル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ガラス、石
英、セラミックス、紙等の絶縁材料に導電性材料を被覆
したもの等が使用できる。

【００６３】以下、図３の装置を用いた、光受容部材の
形成方法の手順の一例について説明する。

【００６４】反応容器３１１０内に円筒状被成膜基体３
１１２を設置し、不図示の排気装置（例えば真空ポン
プ）により反応容器３１１０内を排気する。続いて円筒
状被成膜基体加熱用ヒータ３１１３により円筒状被成膜
基体３１１２の温度を２０℃〜５００℃の所望の温度に
制御する。

【００６５】光受容部材形成用の原料ガスを反応容器３
１１０内に流入させるにはガスボンベのバルブ３２３１
〜３２３６、反応容器のリークバルブ２１１７が閉じら
れていることを確認しまた、流入バルブ３２４１〜３２
４６、流出バルブ３２５１〜３２５６、補助バルブ３２
６０が開かれていることを確認し、メインバルブ３１１
８を開いて反応容器３１１０及びガス供給配管３１１６
を排気する。

【００６６】次に真空系３１１９の読みが５×１０^-6Ｔ
ｏｒｒになった時点で補助バルブ３２６０、流出バルブ
３２５１〜３２５６を閉じる。その後ガスボンベ３２２
１〜３２２６より各ガスをバルブ３２３１〜３２３６を
開いて導入し圧力調整器３２６１〜３２６６により各ガ
ス圧を２ｋｇ／ｃｍ² に調整する。次に流入バルブ３２
４１〜３２４６を徐々に開けて各ガスをマスフローコン
トローラー３２１１〜３２１６内に導入する。

【００６７】以上の手順によって成膜準備を完了した
後、円筒状被成膜基体３１１２上に光導電層の形成を行
う。

【００６８】円筒状被成膜基体３１１２が所望の温度に
なったところで、各流出バルブ３２５１〜３２５６のう
ちの必要なものと補助バルブ３２６０とを徐々に開く、
各ガスボンベ３２２１〜３２２６から所望の原料ガス導
入管３１１４を介して反応容器３１１０内に導入する。
次に、各マスフローコントローラ３２１１〜３２１６に
よって、各原料ガスが所定の流量になるように調整す
る。その際、反応容器３１１０内が１Ｔｏｒｒ以下の所
定の圧力になるように、真空計３１１９を見ながらメイ
ンバルブ３１１８の開口を調整する。内圧が安定したと
ころで、高周波電源３１２０を所望の電力に設定して例
えば、周波数１ＭＨｚ〜４５０ＭＨｚの高周波電力を高
周波マッチングボックス３１１５を通じてカソード電極
３１１１に供給し高周波グロー放電を生起させる。この
放電エネルギーによって反応容器３１１０内に導入させ
た各原料ガスを分解され、円筒状被成膜基体３１１２上
に所定のシリコン原子を主成分とする堆積膜が形成され
る。所望の膜厚の形成が行われた後、高周波電力の供給
を止め、各流出バルブ３２５１〜３２５６を閉じて反応
容器３１１０への各原料ガスの流入を止め、堆積膜の形
成を終える。

【００６９】また、本発明の表面層を形成する場合も基
本的には上記の操作を繰り返せばよい。

【００７０】具体的には、各流出バルブ３２５１〜３２
５６のうちの必要なものと補助バルブ３２６０とを徐々
に開き、各ガスボンベ３２２１〜３２２６から表面層に
必要な原料ガスをガス導入管２１１４を介して反応容器
２１１０内に導入する。次に、各マスフローコントロー
ラー３２１１〜３２１６によって、各原料ガスが所定の
流量になるように調整する。その際、反応容器３１１０
内が１Ｔｏｒｒ以下の所定の圧力になるように、真空計
３１１９を見ながらメインバルブ３１１８の開口を調整
する。内圧が安定したところで、高周波電源３１２０を
所望の電力に設定して周波数１ＭＨｚ〜４５０ＭＨｚの
高周波電力を高周波マッチングボックス３１１５を通じ
てカソード電極３１１１に供給し高周波グロー放電を生
起させる。この放電エネルギーによって反応容器３１１
０内に導入させた各原料ガスを分解され、表面層が形成
される。所望の膜厚の形成が行われた後、高周波電力の
供給を止め、各流出バルブ３２５１〜３２５６を閉じて
反応容器３１１０への各原料ガスの流入を止め、表面層
の形成を終える。

【００７１】なお、膜形成を行っている間は円筒状被成
膜基体３１１２を駆動装置（不図示）によって所定の速
度で回転させてもよい。

【００７２】図４は電子写真装置の画像形成プロセスの
一例を説明するための電子写真装置一例を示す概略図で
あって、光受容部材４０１は内側に設けられた面状ヒー
ター４２３によって温度コントロール可能とされ、必要
に応じて矢印Ｘ方向に回転する。光受容部材４０１の周
辺には、主帯電器４０２、静電潜像形成部位４０３、現
像器４０４、転写材供給系４０５、転写帯電器４０６
（ａ）、分離帯電器４０６（ｂ）、クリーナー４２５、
搬送系４０８、除電光源４０９等が必要に応じて配設さ
れている。

【００７３】以下、さらに具体的に画像形成のプロセス
の一例を説明する。光受容部材４０１は＋６〜８ｋＶの
高電圧を印加した主帯電器４０２により一様に帯電され
る。これに静電潜像部位に、ランプ４１０から発した光
が原稿台４１１上に置かれた原稿４１２に反射し、ミラ
ー４１３，４１４，４１５を経由し、レンズユニット４
１７のレンズ４１８によって結像され、ミラー４１６を
経由して導かれ、情報を担った光として投影され、光受
容部材４０１上に静電潜像が形成される。この潜像の現
像器４０４からネガ極性の現像剤が供給されて現像剤像
が形成される。なお、この露光は原稿４１２からの反射
によらず、ＬＥＤアレーやレーザービーム、もしくは液
晶シャッター等を用いて情報を担った光を走査露光する
ようにしてもよい。

【００７４】一方、紙等の転写材Ｐは転写材供給系４０
５を通って、レジストローラー４２２によって先端供給
タイミングを調整され、光受容部材４０１方向に供給さ
れる。転写材Ｐは＋７〜８ｋＶの高電圧を印加した転写
帯電器４０６（ａ）と光受容部材４０１の間隙において
背面から、現像剤とは逆極性の正電界を与えられ、これ
によって光受容部材表面のネガ極性の現像剤像は転写材
Ｐに転写する。次いで、１２〜１４ｋＶｐ−ｐ、３００
〜６００Ｈｚの高圧ＡＣ電圧を印加した分離帯電器４０
６（ｂ）により、光受容部材４０１から分離される。続
いて転写材Ｐは転写搬送系４０８を通って定着装置４２
４に至り、現像剤像が定着されて装置外に搬出される。

【００７５】光受容部材４０１上に残留する現像剤はク
リーナー４２５のクリーニングローラー４０７、及びシ
リコーンゴムやウレタンゴム等の弾性材料からなるクリ
ーニングブレード４２１によって回収され、残留する静
電潜像は除電光源４０９によって消去される。

【００７６】なお、４２０はブランク露光ＬＥＤで光受
容部材４０１の転写材Ｐの幅を越える部分及び余白部分
等の非画像部領域に不要な現像剤が付着しないように必
要に応じて光受容部材４０１を露光するために設けられ
る。

【００７７】

【実施例】以下、本発明を実施例を用いて具体的に説明
するが、本発明はこれらにより何ら限定されるものでは
ない。

【００７８】［実施例１］図２に記載のプラズマＣＶＤ
装置を用いて表１の条件により円筒状導電性基体上に阻
止層、光導電層を積層した後、表２の条件での表面層を
０．５μｍ堆積しＡ〜Ｃの光受容部材を製造した。さら
に表面層の水素含有量を測定するためのサンプルとして
シリコンウエハー上にも表２の条件でＡ〜Ｃのａ−Ｈ：
Ｃ表面層サンプルを作成した。

【００７９】このＡ〜Ｃの表面層サンプルに対して、Ｉ
Ｒによる水素量Ｈ／（Ｃ＋Ｈ）の測定を行った。

【００８０】その結果、光受容部材Ａ〜Ｃに積層した表
面層の水素量は、表３に示した値であった。

【００８１】次いで、光受容部材Ａ〜Ｃをキャノン製複
写機ＮＰ−６０６０の改造機に搭載したＡ４版の連続通
紙耐久を１０万枚行いクリーニング性の評価を行った。
ただしクリーニング条件はクリーニングローラー４０７
は設けずに弾性ゴムブレード４２１のみでスクレープク
リーニングを行うようにセッティングした。なお、弾性
ゴムブレード４２１はＪＩＳ硬度７０度のウレタンゴム
ブレードを使用し、また、使用する現像剤に関しては、
現像剤の粒径が小さいほど、融着が発生し易いことから
粒径が６．５μｍのものを使用した。さらに光受容部材
の表面温度を６０℃にコントロールすることにより融着
が発生し易い条件とした。

【００８２】以上の評価で得られた結果を表８に示す。
また耐久後の表面層の摩耗量を表３に示す。この表面層
の摩耗量は耐久前後の表面層膜厚を反射分光式干渉計に
より測定し、この値から１万枚当たりの摩耗量に換算し
たものである。

【００８３】さらにＡ〜Ｃの光受容部材を加温手段を設
けずに、３５℃相対湿度９０％の環境下で１０万枚の耐
久を行い、画像流れの評価を行った。ただしクリーニン
グ条件はクリーニングローラー４０７は設けず弾性ゴム
ブレード４２１のみのクリーニングとし、ブレードの押
し圧を通常の８０％の圧力でスクレープクリーニングを
行うようにセッティングした。

【００８４】以上の評価で得られた結果を表９に示す。
Ａ，Ｂ，Ｃいずれの光受容部材においても１０万枚の耐
久後でもムラ削れによって発生する黒スジ状の画像欠陥
は全くなく、クリーニング不良や融着等の画像欠陥に関
しても全く発生しなかった。さらに、画像流れに関して
も光受容部材の加温手段を設けずとも、良好な画像特性
が得られた。

【００８５】（ムラ削れ評価方法）以下に、ムラ削れの
評価方法を図４を用いて説明する。

【００８６】現像器４０４位置における暗部電位が４０
０Ｖになるように主帯電器４０２の帯電電流量を調整
し、原稿台４１１にベタ黒の縦ラインを設けた原稿４１
２を置き、光受容部材表面の母線方向において常に現像
剤で摺擦される部分と摺擦されない部分を設け耐久を行
った後、現像器４０４位置における暗部電位が４００Ｖ
になるように主帯電器４０２の帯電電流量を調整し、原
稿台４１１にベタ白原稿４１２を置き、明部電位が５０
Ｖになるようにハロゲンランプ４１０の点灯電圧を調整
した後、反射濃度が０．３の原稿４１２を置く、このと
きの電位ムラを測定し、正常部分の電位に対するムラ削
れした部分の電位が何％変化しているかを評価する。

【００８７】 ○…感度ムラがなく良好な画像。 △…２．５％以下の電位ムラがあるが画像は実用上問題
のないレベル。 ×…２．５％を越える電位ムラが発生し画像にスジ状の
濃度ムラが発生。

【００８８】（融着評価方法）以下に、融着の評価方法
を図４を用いて説明する。現像器４０４位置における暗
部電位が４００Ｖになるように主帯電器４０２の帯電電
流量を調整し、原稿台４１１にベタ白の原稿４１２を置
き、明部電位が５０Ｖになるようにハロゲンランプ４１
０の点灯電圧を調整した後、Ａ３版のベタ白画像を作成
した。この画像によって現像剤の融着により発生する黒
ポチを観察し、さらに顕微鏡により光受容部材表面を観
察する。

【００８９】 ○…融着がなく良好な画像。 △…画像には黒ポチは発生しないが顕微鏡観察で１０μ
ｍ以下の微小な融着が認められる（実用上問題なし）。 ×…画像上に黒ポチとして発生。

【００９０】（クリーニング不良評価方法）以下に、ク
リーニング不良の評価方法を図４を用いて説明する。現
像器４０４位置における暗部電位が４００Ｖになるよう
に主帯電器４０２の帯電電流量を調整し、原稿台４１１
に反射濃度が０．３の原稿４１２を置き、明部電位が２
００Ｖになるようにハロゲンランプ４１０の点灯電圧を
調整し、Ａ３版のハーフトーン画像を作成した。この画
像によってスジ状に発生するクリーニング不良を観察す
る。

【００９１】 ○…クリーニング不良がない良好な画像。 △…幅１ｍｍ長さ１ｃｍ以内のクリーニング不良が２個
所以下あるが実用上問題のないレベル。 ×…幅１ｍｍ長さ１ｃｍ以内のクリーニング不良が３個
所以上発生、または幅１ｍｍ長さ１ｃｍを越えるクリー
ニング不良が発生。

【００９２】

【表１】

【００９３】

【表２】

【００９４】

【表３】

【００９５】［比較例１］実施例１と同様に、図２に記
載のプラズマＣＶＤ装置を用いて表１の条件で円筒状導
電性基体上に阻止層、光導電層を積層した後、表４の条
件で表面層を０．５μｍ堆積しＡ’〜Ｃ’の光受容部材
を製造した。さらに、シリコンウエハー上にも表４の条
件でＡ’〜Ｃ’のａ−ＳｉＣ表面層サンプルを作成し、
実施例１と同様の方法によりＡ’〜Ｃ’の表面層の水素
量を測定した。

【００９６】その結果、光受容部材Ａ’〜Ｃ’の表面層
の水素量は、表５に示した値であった。

【００９７】次いで、この光受容部材Ａ’〜Ｃ’をキャ
ノン製複写機ＮＰ−６０６０の改造機に搭載し、実施例
１と同様の条件で耐久試験を行った。ただし、ブレード
はＪＩＳ硬度７３度のウレタンゴムブレードを使用し
た。この耐久後の表面層の摩耗量を表５に示す。

【００９８】その結果、１０万枚耐久によってムラ削れ
によるスジ状の画像欠陥が発生した。さらに、画像流れ
に関しても光受容部材の加温手段やクリーニングローラ
ーを設けない条件での耐久では、画像流れが発生し良好
な画像が得られなかった。

【００９９】

【表４】

【０１００】

【表５】

【０１０１】［実施例２］実施例１と同様に、図２に記
載のプラズマＣＶＤ装置を用いて表１の条件で円筒状導
電性基体上に阻止層、光導電層を積層した後、表６の条
件で表面層を０．５μｍ堆積しＤ〜Ｆの光受容部材を製
造した。さらに、シリコンウエハー上にも表６の条件で
Ｄ〜Ｆのａ−Ｃ：Ｈ表面層サンプルを作成し、実施例１
と同様の方法によりＤ〜Ｆの表面層の水素量を測定し
た。

【０１０２】その結果、光受容部材Ｄ〜Ｆの表面層の水
素量は、表７に示した値であった。次いで、この光受容
部材Ｄ〜Ｆをキャノン製複写機ＮＰ−６０６０の改造機
に搭載し、実施例１と同様の条件で耐久試験を行った。
ただし、ブレードはＪＩＳ硬度７３度のウレタンゴムブ
レードを使用した。この耐久後の表面層の摩耗量を表７
に示す。

【０１０３】以上の評価で得られた結果を表８及び表９
に示す。その結果、光受容部材Ｄ〜Ｆいずれの光受容部
材においても１０万枚の耐久後でもムラ削れによって発
生するスジ状の画像欠陥は全くなく、クリーニング不良
や融着等の画像欠陥に関しても全く発生しなかった。さ
らに、画像流れに関しても光受容部材の加温手段を設け
ずとも、良好な画像特性が得られた。

【０１０４】

【表６】

【０１０５】

【表７】

【０１０６】

【表８】

【０１０７】

【表９】

【０１０８】［比較例２］実施例１と同様に、図２に記
載のプラズマＣＶＤ装置を用いて表１の条件で円筒状導
電性基体上に阻止層、光導電層を積層した後、表１０の
条件で表面層を０．５μｍ堆積しＤ’〜Ｆ’の光受容部
材を製造した。さらに、シリコンウエハー上にも表１０
の条件でＤ’〜Ｆ’のａ−ＳｉＣ表面層サンプルを作成
し、実施例１と同様の方法によりＤ’〜Ｆ’の表面層の
水素量を測定した。その結果、光受容部材Ｄ’〜Ｆ’の
表面層の水素量は、表１１に示した値であった。

【０１０９】次いで、この光受容部材Ｄ’〜Ｆ’をキャ
ノン製複写機ＮＰ−６０６０の改造機に搭載し、実施例
１と同様の条件で耐久試験を行った。ただし、ブレード
はＪＩＳ硬度７３度のウレタンゴムブレードを使用し
た。この耐久後の表面層の摩耗量を表１１に示す。

【０１１０】以上の評価で得られた結果を表１２及び表
１３に示す。その結果、１０万枚耐久によってムラ削れ
によるスジ状の画像欠陥が発生した。さらに、画像流れ
に関しても光受容部材の加温手段やクリーニングローラ
ーを設けない条件での耐久では、画像流れが発生し良好
な画像が得られなかった。

【０１１１】

【表１０】

【０１１２】

【表１１】

【０１１３】

【表１２】

【０１１４】

【表１３】

【０１１５】［実施例３］実施例１と同様に、図３に記
載のプラズマＣＶＤ装置を用いて表１４の条件で円筒状
導電性基体上に阻止層、光導電層を積層した後、表１５
の条件で表面層を０．５μｍ堆積しＧ〜Ｉの光受容部材
を製造した。さらに、シリコンウエハー上にも表１５の
条件でＧ〜Ｉのａ−Ｃ：Ｈ表面層サンプルを作成し、実
施例１と同様の方法によりＧ〜Ｉの表面層の水素量を測
定した。その結果、光受容部材Ｇ〜Ｉの表面層の水素量
は、表１６に示した値であった。

【０１１６】次いで、この光受容部材Ｇ〜Ｉをキャノン
製複写機ＮＰ−６０６０の改造機に搭載し、実施例１と
同様の条件で耐久試験を行った。ただし、ブレードはＪ
ＩＳ硬度７６度のシリコンゴムブレードを使用した。こ
の耐久後の表面層の摩耗量を表１６に示す。

【０１１７】以上の評価で得られた結果を表２１及び表
２２に示す。

【０１１８】その結果、光受容部材Ｇ〜Ｉいずれの光受
容部材においても１０万枚の耐久後でもムラ削れによっ
て発生するスジ状の画像欠陥は全くなく、クリーニング
不良や融着等の画像欠陥に関しても全く発生しなかっ
た。さらに、画像流れに関しても光受容部材の加温手段
を設けずとも、良好な画像特性が得られた。

【０１１９】

【表１４】

【０１２０】

【表１５】

【０１２１】

【表１６】

【０１２２】［比較例３］実施例１と同様に、図３に記
載のプラズマＣＶＤ装置を用いて表１４の条件で円筒状
導電性基体上に阻止層、光導電層を積層した後、表１７
の条件で表面層を０．５μｍ堆積しＧ’〜Ｉ’の光受容
部材を製造した。さらに、シリコンウエハー上にも表１
７の条件でＧ’〜Ｉ’のａ−ＳｉＣ表面層サンプルを作
成し、実施例１と同様の方法によりＧ’〜Ｉ’の表面層
の水素量を測定した。

【０１２３】その結果、光受容部材Ｇ’〜Ｉ’の表面層
の水素量は、表１８に示した値であった。

【０１２４】次いで、この光受容部材Ｇ’〜Ｉ’をキャ
ノン製複写機ＮＰ−６０６０の改造機に搭載し、実施例
１と同様の条件で耐久試験を行った。ただし、ブレード
はＪＩＳ硬度７３度のシリコンゴムブレードを使用し
た。この耐久後の表面層の摩耗量を表１８に示す。

【０１２５】以上の評価で得られた結果を表２５及び表
２６に示す。

【０１２６】その結果、摩耗量が１Å／１万枚よりも小
さく、さらに水素含有量が６０％を超えた値を示すａ−
Ｃ：Ｈ膜では、１０万枚耐久によってムラ削れ融着、さ
らに画像流画発生する場合があることが判明した。

【０１２７】

【表１７】

【０１２８】

【表１８】

【０１２９】［実施例４］実施例１と同様に、図３に記
載のプラズマＣＶＤ装置を用いて表１４の条件で円筒状
導電性基体上に阻止層、光導電層を積層した後、表１９
の条件で表面層を０．５μｍ堆積しＪ〜Ｌの光受容部材
を製造した。さらに、シリコンウエハー上にも表１９の
条件でＪ〜Ｌのａ−Ｃ：Ｈ表面層サンプルを作成し、実
施例１と同様の方法によりＪ〜Ｌの表面層の水素量を測
定した。

【０１３０】その結果、光受容部材Ｊ〜Ｌの表面層の水
素量は、表２０に示した値であった。

【０１３１】次いで、この光受容部材Ｊ〜Ｌをキャノン
製複写機ＮＰ−６０６０の改造機に搭載し、実施例１と
同様の条件で耐久試験を行った。ただし、ブレードはＪ
ＩＳ硬度８０度のシリコンゴムブレードを使用した。こ
の耐久後の表面層の摩耗量を表２０に示す。

【０１３２】以上の評価で得られた結果を表２１及び表
２２に示す。

【０１３３】その結果、光受容部材Ｊ〜Ｌいずれの光受
容部材においても１０万枚の耐久後でもムラ削れによっ
て発生するスジ状の画像欠陥は全くなく、クリーニング
不良や融着等の画像欠陥に関しても全く発生しなかっ
た。さらに、画像流れに関しても光受容部材の加温手段
を設けずとも、良好な画像特性が得られた。

【０１３４】

【表１９】

【０１３５】

【表２０】

【０１３６】

【表２１】

【０１３７】

【表２２】

【０１３８】［比較例４］実施例１と同様に、図３に記
載のプラズマＣＶＤ装置を用いて表１４の条件で円筒状
導電性基体上に阻止層、光導電層を積層した後、表２３
の条件で表面層を０．５μｍ堆積しＪ’〜Ｌ’の光受容
部材を製造した。さらに、シリコンウエハー上にも表２
３の条件でＪ’〜Ｌ’のａ−Ｃ：Ｈ表面層サンプルを作
成し、実施例１と同様の方法によりＪ’〜Ｌ’の表面層
の水素量を測定した。

【０１３９】その結果、光受容部材Ｊ’〜Ｌ’の表面層
の水素量は、表２４に示した値であった。

【０１４０】次いで、この光受容部材Ｊ’〜Ｌ’をキャ
ノン製複写機ＮＰ−６０６０の改造機に搭載し、実施例
１と同様の条件で耐久試験を行った。ただし、ブレード
はＪＩＳ硬度７３度のシリコンゴムブレードを使用し
た。この耐久後の表面層の摩耗量を表２４に示す。

【０１４１】以上の評価で得られた結果を表２５及び表
２６に示す。

【０１４２】その結果、摩耗量が１Å／１万枚よりも大
きく、さらに水素含有量が４１％を下回る値を示すａ−
Ｃ：Ｈ膜では、１０万枚耐久後のムラ削れ、融着、さら
に画像流れは実用上問題のないレベルであったが、機械
的強度が低く白スジ状の摺擦傷が画像欠陥として発生し
た。

【０１４３】

【表２３】

【０１４４】

【表２４】

【０１４５】

【表２５】

【０１４６】

【表２６】

【０１４７】

【発明の効果】以上詳述したように本発明は、平均粒径
５〜８μｍの現像剤をＪＩＳ硬度７０度以上８０度以下
の弾性ゴムブレードでスクレープクリーニングする構成
を有する電子写真装置において、Ａ４版の複写工程を転
写紙に行った後の摩耗量が１Å／１万枚以上１０Å／１
万枚以下でありかつ、水素含有量が４１％以上６０％以
下である非単結晶水素化炭素膜で表面層を構成する光受
容部材を用いることにより、該表面層のクリーニングロ
ーラーによる摺擦手段を設けずとも、表面層を均一に摩
耗させることが可能であり、ムラ削れにより発生する画
像濃度ムラ及び、現像剤の融着を防止することが可能に
なった。

【０１４８】加えて、表面層を均一に１Å／１万枚以上
１０Å／１万枚以下の範囲で摩耗させることにより、如
何なる環境下でも光受容部材表面を直接加温する手段を
設けずに、画像流れや画像ボケといった画像欠陥を効果
的に防止することが可能である。

【０１４９】さらに、使用できる現像剤の種類及び電子
写真装置のコンパクト化、コストダウン等といった電子
写真装置設計のラチチュードを大幅に広げることが可能
となった。

【０１５０】なお、本発明の主旨の範囲内で適宜、変形
組み合わせを行うことができ、上記した各実施例に限定
されないことは言うまでもない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による光受容部材の一例を示す模式的断
面図である。

【図２】本発明に提供可能なＰＣＶＤ法により光受容部
材を製造するために用いられる堆積装置の一例を示す模
式的構成図である。

【図３】本発明に適用可能なＰＣＶＤ法により光受容部
材を製造するために用いられる堆積装置の一例を示す模
式的構成図である。

【図４】電子写真装置の一例を説明する模式的断面図で
ある。

【符号の説明】

１０１導電性基体１０２電荷注入阻止層１０３光導電層１０４表面層１０５電荷発生層１０６電荷輸送層２１００，３１００堆積装置２１１０，３１１０反応容器２１１１，３１１１カソード電極２１１２，３１１２導電性基体２１１３，３１１３基体加熱用ヒーター２１１４，３１１４ガス導入管２１１５，３１１５高周波マッチングボックス２１１６，３１１６ガス配管２１１７，３１１７リークバルブ２１１８，３１１８メインバルブ２１１９，３１１９真空系２１２０，３１２０高周波電源２１２１，３１２１絶縁材料３１２２絶縁シールド板２１２３，３１２３受け台２２００，３２００ガス供給装置２２１１〜２２１６，３１２２〜３２１６マスフロ
ーコントローラー２２２１〜２２２６，３２２１〜３２２６ボンベ２２３１〜２２３６，３２３１〜３２３６バルブ２２４１〜２２４６，３２４１〜３２４６流入バル
ブ２２５１〜２２５６，３２５１〜３２５６流出バル
ブ２２６０，３２６０補助バルブ２２６１〜２２６６，３２６１〜３２６６圧力調整
器４０１光受容部材４０２主帯電器４０３静電潜像形成部位４０４現像器４０５転写紙供給系４０６（ａ）転写帯電器４０６（ｂ）分離帯電器４０７クリーニングローラー４０８搬送系４０９除電光源４１０ハロゲンランプ４１１原稿台４１２原稿４１３ミラー４１４ミラー４１５ミラー４１６ミラー４１７レンズユニット４１８レンズ４１９給紙ガイド４２０ブランク露光ＬＥＤ４２１クリーニングブレード４２２レジストローラー４２３面状ヒーター４２４定着器４２５クリーナ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光受容部材を回転させ、帯電、露光、現
像、転写、クリーニングを順次繰り返す電子写真装置に
おいて、平均粒径５〜８μｍの現像剤を該光受容部材に
現像した後、転写材へ転写し、現像剤が転写された後の
光受容部材表面を硬度が７０度以上８０度以下の弾性ゴ
ムブレードでスクレープクリーニングする電子写真装置
であって、光受容部材の表面層が非単結晶質水素化炭素
膜からなり、Ａ４版の複写工程を転写紙に行った後の前
記表面層の摩耗量が１Å／１万枚以上１０Å／１万枚以
下であることを特徴とする電子写真装置。
【請求項２】前記光受容部材が、導電性基体上にシリ
コン原子を母体とする非単結晶材料からなる光導電層
と、非単結晶材料からなる表面層とを有してなることを
特徴とする請求項１に記載の電子写真装置。
【請求項３】前記非単結晶質水素化炭素膜の水素量が
４１〜６０％であることを特徴とする請求項１または２
に記載の電子写真装置。
【請求項４】前記表面層が、少なくとも炭化水素系の
ガスを含む原料ガスを用いて１〜４５０ＭＨｚの高周波
を用いたプラズマＣＶＤ法によって形成される請求項１
乃至３いずれかに記載の電子写真装置。
【請求項５】前記光受容部材が、電荷注入阻止層、光
導電層及び表面層を有してなることを特徴とする請求項
１乃至４いずれかに記載の電子写真装置。
【請求項６】前記光受容部材が、電荷輸送層、電荷発
生層及び表面層を有してなることを特徴とする請求項１
乃至５いずれかに記載の電子写真装置。