JPH11180919A - ジエン化合物およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 医薬品などの中間体として有用なトランス−
３−（３−ジメチルｔｅｒｔ−ブチルシロキシ−１−オ
クテニル）−５−ヒドロキシ−シクロペンテン等のジエ
ン化合物を効率よく合成する。 【解決手段】 反応容器に、テトラヒドロフラン、二塩
化ニッケルビストリフェニルホスフィンおよびヨウ化ナ
トリウムを加え、室温下に２０〜３０分撹拌しニッケル
触媒を調製した。上記の溶液温度を０℃とし、この中に
ボロネート、リチウム化合物の順に撹拌しながら加え
た。次に、２、２−ジメチルプロピオニトリルを加え、
１−アセトキシ−５−ヒドロキシ−シクロペンテンを滴
下し、目的のジエン化合物を合成した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、医薬品などの中間
体として有用な新規なシクロペンテン化合物およびその
合成法に適した新規なジエン化合物の製造方法に関する
ものである。

【０００２】

【従来技術】従来、トランス−３−（３−ジメチルｔｅ
ｒｔ−ブチルシロキシ−１−オクテニル）−５−ヒドロ
キシ−シクロペンテンは、プロスタグランジン中間体と
して有用な化合物として知られている。また、上記の化
合物のようにシクロペンテン化合物にアルケニル基を導
入したジエン化合物は、医薬品などの中間体として有用
と考えられる。

【０００３】このようなジエン化合物を合成する方法と
しては、例えば、シクロペンタジエンモノエポキシドを
パラジウム触媒の存在下にビニル基を有するスズ試薬と
反応させて、トランス−４−ビニル−１−ヒドロキシ−
２−シクロペンテンを合成する方法が報告されている
（Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ、ＶＯＬ．４５、Ｎｏ．４、
ｐｐ９７９−９９２、１９８９)。しかし、この反応で
は、反応原料としてエポキシ化合物を使用しているの
で、目的物の他に位置異性体であるトランス−５−ビニ
ル−１−ヒドロキシ−３−シクロペンテンも副成してし
まい、位置的な反応選択性を得ことができなかった。

【０００４】また、シス−３−ヒドロキシ−４−シクロ
ペンテニルアセテートを原料とし、ニッケル触媒の存在
下でトリメトキシフリルボレートと反応させ、トランス
−４−フリル−１−ヒドロキシ−２−シクロペンテンを
合成する方法が知られている（Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ
Ｌｅｔｔｅｒｓ，ＶＯＬ．３７，Ｎｏ．３４，ｐｐ６
１２５−６１２８、１９９６）。この方法に従って、使
用されているボレートのフリル基をアルケニル基に代え
て反応を行ったが、反応は進行しなかった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明者は、アルケニ
ル化されたシクロペンテン化合物を効率よく得るべく鋭
意検討を行った結果、ニッケル触媒下に特定のボレート
を１−アセトキシ−５−ヒドロキシ−シクロペンテンな
どの原料と反応させることにより、高選択的にアルケニ
ル基を導入したジエン化合物が得られることを見出し、
この知見に基づいて本発明に至った。

【０００６】

【課題を解決するための手段】かくして、本発明によれ
ば、式１で表されるジエン化合物が提供される。

【化５】（式中、Ａは、１−ヘプテニル基、３−ジメチ
ルｔｅｒｔ−ブチルシロキシ−４−フェノキシ−１−ブ
テニル基、３−ジメチルｔｅｒｔ−ブチルシロキシ−３
−シクロヘキシル−１−プロペニル基、３−ジメチルｔ
ｅｒｔ−ブチルシロキシ−１−プロペニル基、３−ｎ−
ブチル−１−ヘプテニル基である。ＢおよびＣの一方は
水素原子であり、他方は水酸基である。）

【０００７】また、式２で表される化合物

【化６】 （式２） （式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³およびＲ⁴は、水素原子または酸
素含有官能基もしくはケイ素含有官能基で置換されてい
ても良い炭素数１０以下の炭化水素基を表す。Ｃ¹とＣ⁴
とは直接または２価の炭化水素基を介して結合して環を
形成しても良い。Ｒ⁵は、炭素数１０以下の炭化水素
基、酸素含有官能基またはケイ素含有官能基である。Ｔ
は、アシル基または炭酸モノエステル残基である。）を
ニッケル触媒の存在下において式３で表されるボレート

【化７】 （式
３） （式中、Ｒは炭素数１０以下の飽和炭化水素基である。
Ｍは、アルカリ金属である。）と反応させて得られる式
４で表されるジエン化合物の製造方法が提供される。

【化８】 （式４） （式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴およびＲ⁵は、式２におけ
ると同様である。Ｒは、式３におけると同様である。）

【０００８】

【発明の実施の形態】本発明のジエン化合物は、式１で
表される。

【化９】 （式１） （式中、Ａは、１−ヘプテニル基、３−ジメチルｔｅｒ
ｔ−ブチルシロキシ−４−フェノキシ−１−ブテニル
基、３−ジメチルｔｅｒｔ−ブチルシロキシ−３−シク
ロヘキシル−１−プロペニル基、３−ジメチルｔｅｒｔ
−ブチルシロキシ−１−プロペニル基、３−ｎ−ブチル
−１−ヘプテニル基である。ＢおよびＣの一方は水素原
子であり、他方は水酸基である。）

【０００９】式中のＢが水素原子でＣが水酸基のときの
ジエン化合物は、３−置換−５−ヒドロキシ−シクロペ
ンテンである。また、式中のＢが水酸基でＣが水素原子
のときのジエン化合物は、３−置換−４−ヒドロキシ−
シクロペンテンである。

【００１０】３−置換−５−ヒドロキシ−シクロペンテ
ンは、具体的には、３−（１−ヘプテニル）−５−ヒド
ロキシ−シクロペンテン、３−（３−ジメチルｔｅｒｔ
−ブチルシロキシ−４−フェノキシ−１−ブテニル）−
５−ヒドロキシ−シクロペンテン、３−（３−ジメチル
ｔｅｒｔ−ブチルシロキシ−３−シクロヘキシル−１−
プロペニル）−５−ヒドロキシ−シクロペンテン、３−
（３−ジメチルｔｅｒｔ−ブチルシロキシ−１−プロペ
ニル）−５−ヒドロキシ−シクロペンテン、３−（３−
ｎ−ブチル−１−ヘプテニル）−５−ヒドロキシ−シク
ロペンテンである。

【００１１】３−置換−４−ヒドロキシ−シクロペンテ
ンは、具体的には、３−（１−ヘプテニル）−４−ヒド
ロキシ−シクロペンテン、３−（３−ジメチルｔｅｒｔ
−ブチルシロキシ−４−フェノキシ−１−ブテニル）−
４−ヒドロキシ−シクロペンテン、３−（３−ジメチル
ｔｅｒｔ−ブチルシロキシ−３−シクロヘキシル−１−
プロペニル）−４−ヒドロキシ−シクロペンテン、３−
（３−ジメチルｔｅｒｔ−ブチルシロキシ−１−プロペ
ニル）−４−ヒドロキシ−シクロペンテン、３−（３−
ｎ−ブチル−１−ヘプテニル）−４−ヒドロキシ−シク
ロペンテンである。

【００１２】本発明の製造方法は、式２で表される化合
物

【化１０】 （式２） （式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³およびＲ⁴は、水素原子または酸
素含有官能基もしくはケイ素含有官能基で置換されてい
ても良い炭素数１０以下の炭化水素基を表す。Ｃ¹とＣ⁴
とは直接または２価の炭化水素基を介して結合して環を
形成しても良い。Ｒ⁵は、炭素数１０以下の炭化水素
基、酸素含有官能基またはケイ素含有官能基である。Ｔ
は、アシル基または炭酸モノエステル残基である。）を
ニッケル触媒の存在下において式３で表されるボレート

【化１１】 （式３） （式中、Ｒは炭素数１０以下の飽和炭化水素基である。
Ｍは、アルカリ金属である。）と反応させることを特徴
とする式４で表されるジエン化合物の製造方法である。

【００１３】

【化１２】 （式４） （式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴およびＲ⁵は、式２におけ
ると同様である。Ｒは、式３におけると同様である。）

【００１４】本製造方法で使用される原料は、前記式２
で表される化合物である。式２で表わされる化合物のＲ
¹、Ｒ²、Ｒ³およびＲ⁴は、水素原子または酸素含有官能
基もしくはケイ素含有官能基で置換されていてもよい炭
素数１０以下の炭化水素基を表す。

【００１５】炭素数１０以下の炭化水素基は、分岐して
も良い鎖状もしくは環状の飽和炭化水素基またはアリー
ル基であり、酸素含有官能基もしくはケイ素含有官能基
に置換されていても良い。分岐しても良い鎖状の飽和炭
化水素基の炭素数は、好ましくは５以下である。分岐し
ても良い鎖状の飽和炭化水素基の具体例としては、例え
ば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基等が挙げられる。

【００１６】環状の飽和炭化水素基の炭素数は、好まし
くは６以下である。環状の飽和炭化水素基の具体例とし
ては、例えば、シクロブチル基、メチルシクロブチル
基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられ
る。アリール基の炭素数は、好ましくは１０以下であ
る。アリール基の具体例としては、例えば、フェニル
基、トリル基、ナフチル基、キシリル基等が挙げられ
る。

【００１７】上記炭化水素基は、酸素含有官能基もしく
はケイ素含有官能基で置換されていてもよい。酸素含有
官能基としては、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシル
基などを例示することができる。ケイ素含有官能基とし
ては、トリアルキルシロキシ基、トリアルキルシリル基
等を例示することができる。

【００１８】アルコキシ基の具体例としては、例えば、
メトキシ基、エトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−
ブトキシ基等が挙げられる。アシル基の具体例として
は、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基
等が挙げられる。

【００１９】トリアルキルシロキシ基の具体例として
は、例えば、トリメチルシロキシ基、トリエチルシロキ
シ基、ジメチル−ｔｅｒｔ−ブチルシロキシ基等が挙げ
られる。トリアルキルシリル基の具体例としては、例え
ば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリ
（ｔｅｒｔ−ブチル）シリル基等が挙げられる。

【００２０】また、式２の化合物は、Ｃ¹とＣ⁴とが直接
結合しても良いし、２価の炭化水素基を介して結合して
環を形成しても良い。上記Ｃ¹とＣ⁴とが直接結合して環
を形成結合する場合は、式２のＣ¹とＣ⁴とにそれぞれ結
合しているＲ¹とＲ⁴は、式２から除かれる。

【００２１】式２のＣ¹とＣ⁴とが直接結合した場合は、
式２の化合物は、シクロブテン化合物となる。上記Ｃ¹
とＣ⁴とが２価の炭化水素基を介して結合して環を形成
結合する場合は、式２のＣ¹が２価の炭化水素基に当た
り、Ｃ⁴に結合しているＲ⁴は式２から除かれる。２価の
炭化水素基の具体例としては、例えば、メチレン基、エ
チレン基、ｎ−プロピレン基、ｎ−ブチレン基等が挙げ
られる。

【００２２】式２のＣ¹とＣ⁴とが２価の炭化水素基を介
して結合して環を形成した場合は、式２の化合物は、例
えば、シクロペンテン化合物、シクロヘキセン化合物、
シクロヘプテン化合物等となり、好ましくは、シクロペ
ンテン化合物である。

【００２３】式２のＲ⁵は、炭素数１０以下の炭化水素
基、酸素含有官能基またはケイ素含有官能基である。炭
素数１０以下の炭化水素基は、上記のＲ¹、Ｒ²、Ｒ³お
よびＲ⁴と同様である。酸素含有官能基およびケイ素含
有官能基は、上記のＲ¹、Ｒ²、Ｒ³およびＲ⁴と同様であ
る。

【００２４】式２で表される化合物のＴは、アシル基ま
たは炭酸モノエステル残基である。アシル基は、その炭
素数が５以下である。アシル基の具体例としては、例え
ば、アセチル基、プロピオニル基等が挙げられる。

【００２５】炭酸モノエステル残基は、その炭素数が５
以下である。炭酸モノエステル残基の具体例としては、
例えば、炭酸モノメチルエステル基（−ＣＯＯ−Ｃ
Ｈ₃）、炭酸モノエチルエステル基（−ＣＯＯ−Ｃ
₂Ｈ₅）、炭酸モノプロピルエステル基（−ＣＯＯ−Ｃ₃
Ｈ₇）等が挙げられる。

【００２６】式２で表される化合物としては、鎖状化合
物、環状化合物がある。鎖状化合物の具体例としては、
例えば、２−ブテン−１，４−ジオールモノ酢酸エステ
ル、２−ブテン−１，４−ジオールモノプロピオン酸エ
ステル、２−ブテン−１，４−ジオールモノ安息香酸エ
ステル、１−トリメチルシロキシメチル−２−ブテン−
１，４−ジオールモノ酢酸エステル（１位のモノエステ
ルと４位のモノエステルの２種）、１，４−ジフェニル
−２−ブテン−１，４−ジオールモノ酢酸エステルなど
のブテン化合物；２−ペンテン−１，４−ジオールモノ
酢酸エステル（１位のモノエステルと４位のモノエステ
ルの２種）などのペンテン化合物；２−ヘキセン−１，
４−ジオールのモノ酢酸エステル（１位のモノエステル
と４位のモノエステルの２種）、３−ヘキセン−２，５
−ジオールモノ酢酸エステルなどのヘキセン化合物；
２，７−ジメチル−４−オクテン−３，６−ジオールモ
ノ酢酸エステルなどのオクテン化合物；などが挙げられ
る。

【００２７】環状化合物の具体例としては、ジオールモ
ノエステルとして、例えば、シス−シクロペンテン−
３，５−ジオールモノ酢酸エステル、シス−シクロペン
テン−３，５−ジオールモノプロピオン酸エステル、シ
ス−シクロペンテン−３，５−ジオールモノ安息香酸エ
ステル、シス−シクロヘキセン−３，６−ジオールモノ
酢酸エステル、トランス−シクロペンテン−３，５−ジ
オールモノ酢酸エステル、トランス−シクロペンテン−
３，５−ジオールモノプロピオン酸エステル、トランス
−シクロペンテン−３，５−ジオールモノ安息香酸エス
テル、トランス−シクロヘキセン−３，６−ジオールモ
ノプロピオン酸エステル等；カルボン酸エステルとして
は、例えば、（以下“／／”で結ばれた置換基は互いに
シスであり、“／”の両側は互いにトランスであること
を示す）４−メチル／／３−アセトキシ／／５−ヒドロ
キシシクロペンテン、４−メチル／３−アセトキシ／／
５−ヒドロキシシクロペンテン、４−メチル／３−ベン
ゾイルオキシ／／５−ヒドロキシシクロペンテン、４／
／４−ジメチル−３−アセトキシ−５−ヒドロキシシク
ロペンテン、４−メトキシメチル／／３−アセトキシ／
／５−ヒドロキシシクロペンテン、４−メトキシメチル
／３−アセトキシ／／５−ヒドロキシシクロペンテン、
４／／５−ジメチル、３−アセトキシ／／６−ヒドロキ
シシクロヘキセン、４／／５−ジメチル／３−アセトキ
シ／／６−ヒドロキシシクロヘキセン、４−メチル／／
３−アセトキシ／５−ヒドロキシシクロペンテン等；エ
ポキシ化合物としては、例えば、シクロペンタジエンモ
ノエポキシド、シクロヘキサジエンモノエポキシド等；
などがあげられる。

【００２８】なかでも、高い立体選択性を発現できるこ
とから環状が好ましく、特に、シス−シクロペンテン−
３／／５−ジオールモノ酢酸エステル、シス−シクロペ
ンテン−３／／５−ジオールモノプロピオン酸エステ
ル、シス−シクロペンテン−３／／５−ジオールモノ安
息香酸エステル、シス−シクロヘキセン−３／／６−ジ
オールモノ酢酸エステル、４−メチル／／３−アセトキ
シ／／５−ヒドロキシシクロペンテン、４−メチル／３
−アセトキシ、５−ヒドロキシシクロペンテン、４−メ
チル／３−ベンゾイルオキシ／／５−ヒドロキシシクロ
ペンテン等のシクロペンテン系化合物が好ましい。

【００２９】式２で表される化合物は、公知の方法（例
えば、ＪｏｕｒｎａｌｏｆＡｍｅｒｉｃａｎＣｈｅｍｉ
ｃａｌＳｏｃｉｅｔｙ、１９８４、１０６、３６９５ま
たはＳｙｎｔｈｅｓｉｓ、１９８８、１９などに記載さ
れている）に従って合成することができる。

【００３０】本反応で使用されるボレートは、前記式３
で表される。式中、Ｒは、炭素数１０以下の飽和炭化水
素基であり、その具体例としては、例えば、メチル基、
エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチ
ル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基等のペンチ
ル基類、ｎ−ヘキシル基などのヘキシル基類、ｎ−ヘプ
チル基やシクロヘキシルメチル基などのヘプチル基類、
ｎ−オクチル基などのオクチル基類、等が挙げられる。

【００３１】また、上記飽和炭化水素基の水素原子を、
酸素含有官能基またはケイ素含有官能基で置換したもの
でもよい。酸素含有官能基およびケイ素含有官能基は、
上記のＲ¹、Ｒ²、Ｒ³およびＲ⁴と同様である。

【００３２】Ｍは、アルカリ金属であり、ナトリウム、
カリウム、リチウムが好ましく、リチウムがもっとも好
ましい。ボレートの具体例としては、例えば、Ｂ−ビニ
ル−Ｂ−（ｎ−ブチル）−１−ボラ−２，５−ジオキサ
−３，４−ジメチルシクロペンタンのリチウム塩、Ｂ−
（１−プロペニル）−Ｂ−（ｎ−ブチル）−１−ボラ−
２，５−ジオキサ−３，４−ジメチルシクロペンタンの
リチウム塩、Ｂ−（１−ブテニル）−Ｂ−（ｎ−ブチ
ル）−１−ボラ−２，５−ジオキサ−３，４−ジメチル
シクロペンタンのリチウム塩等が挙げられる。

【００３３】ボレートの使用量は、式２で表される化合
物に対して、通常、１〜２倍モル、好ましくは１．２〜
１．８倍モルである。式３で表されるボレートは、公知
の方法（Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌ，１９８３，２，１３
１６−１３１９、Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌ，１９８３，
２，１３１１−１３１６等に記載されている）に従って
調製することができる。

【００３４】本発明で使用されるニッケル触媒は、特に
制限はないが、ハロゲン化ニッケルにホスフィンが配位
した錯体が挙げられる。かかるニッケル錯体の具体例と
しては、例えば、二塩化ニッケルビストリフェニルホス
フィン、二臭化ニッケルビストリフェニルホスフィン、
二塩化ニッケルビストリブチルホスフィン、二塩化ニッ
ケルジフェニルホスフィノエタン、二塩化ニッケルジフ
ェニルホスフィノプロパン等が挙げられる。なかでも二
塩化ニッケルビストリフェニルホスフィンが好適であ
る。これらのニッケル触媒は、単独で使用してもよく、
２種以上組み合わせて使用することもできる。

【００３５】ニッケル触媒の使用量は、上記式（１）で
表される化合物に対して０．１〜２０モル％の範囲であ
り、好ましくは１〜１５モル％、特に好ましくは１〜１
０モル％である。使用量は、少ないほど経済的である
が、反応効率との兼ね合いで決められる。

【００３６】さらに、上記のニッケル触媒に、助触媒と
して、極性物質と金属ヨウ化物を適当量加えることによ
り、ジエン化合物を効率よく合成することができる。極
性物質としては、ニトリル化合物、アミド化合物、スル
ホキシド化合物等が挙げられ、なかでもニトリル化合物
が好ましい。かかるニトリル化合物としては、２，２−
ジメチルプロピオニトリル、バレロニトリル、ブチロニ
トリル等が好ましい。

【００３７】これらの極性物質は、単独で使用してもよ
く、２種以上組み合わせて使用することもできる。極性
物質の使用量は、通常、上記式（１）で表される化合物
に対し１〜１０倍モル、好ましくは１〜７倍モル、特に
好ましくは２〜５倍モルである。

【００３８】また、金属ヨウ化物は、アルカリ金属ヨウ
化物、アルカリ土類金属ヨウ化物、遷移金属ヨウ化物な
どが挙げらる。アルカリ金属ヨウ化物の具体例として
は、例えば、ヨウ化リチウム、ヨウ化ナトリウム、ヨウ
化カリウム等；アルカリ土類金属ヨウ化物の具体例とし
ては、例えば、ヨウ化マグネシウム、ヨウ化カルシウム
等；遷移金属ヨウ化物の具体例としては、例えば、ヨウ
化亜鉛、ヨウ化鉄等；等が挙げられ、好ましくは、アル
カリ金属ヨウ化物であり、なかでもヨウ化ナトリウムが
特に好ましい。

【００３９】これらの金属ヨウ化物は、単独で使用して
もよく、２種以上組み合わせて使用することもできる。
金属ヨウ化物の使用量は、上記式（１）で表される化合
物に対し通常０．０１〜２倍モル、好ましくは０．１〜
１．５倍モル、特に好ましくは０．５〜１倍モルであ
る。

【００４０】本反応には溶剤を用いてもよい。溶剤とし
ては、通常、極性溶剤であり、好ましくは、エーテル系
溶剤、アミド系溶剤、スルホキシド系溶剤であり、より
好ましくはエーテル系溶剤である。エーテル系溶剤とし
ては、例えば、テトラヒドロフラン、１、４−ジオキサ
ン、ジメチルエーテルが挙げられる。溶剤の使用量は、
特に制限されないが、通常、上記式２で表される化合物
の重量に対して１〜２０倍であり、好ましくは５〜１０
倍である。

【００４１】反応の圧力は、特に制限されるものではな
いが、常圧程度の圧力が推奨される。反応温度も、ま
た、特に限定されるものではないが、−２０〜＋５０℃
程度が好ましく、さらに０〜２５℃が好ましい。

【００４２】反応終了後の操作としては、反応液を水に
投入し、有機層を酢酸エチル等の有機溶媒で抽出し、乾
燥させ、濃縮する。得られた残渣は、シリカカラムクロ
マトグラフィーまたは蒸留等の通常の方法で精製すれば
よい。

【００４３】本反応で得られるジエン化合物は、前記式
４で表される。式４で表わされる化合物のＲ¹、Ｒ²、Ｒ
³、Ｒ⁴およびＲ⁵は、式２におけると同様である。式４
のＲは、式３におけると同様である。また、式４の化合
物は、Ｃ¹とＣ⁴とが直接結合しても良いし、２価の炭化
水素基を介して結合して環を形成しても良いことは、式
（１）で表される化合物と同様である。

【００４４】式４で表わされる化合物の基本構造は、鎖
状または環状であり、環状が好ましい。式４で表される
化合物としては、鎖状化合物、環状化合物があり、環状
化合物が好適である。

【００４５】式４で表される環状化合物の具体例として
は、例えば、３−ビニル−５−ヒドロキシ−シクロペン
テン、３−ビニル−５−エチル−シクロペンテン、３−
（３−ジメチルｔｅｒｔ−ブチルシロキシ−１−ヘプテ
ニル）−５−メトキシ−シクロペンテン、３−（１−ヘ
プテニル）−５−ヒドロキシ−シクロペンテン、３−
（３−ジメチルｔｅｒｔ−ブチルシロキシ−１−オクテ
ニル）−５−ヒドロキシ−シクロペンテン、３−（３−
ジメチルｔｅｒｔ−ブチルシロキシ−４−フェノキシ−
１−ブテニル）−５−ヒドロキシ−シクロペンテン、３
−（３−ジメチルｔｅｒｔ−ブチルシロキシ−３−シク
ロヘキシル−１−プロペニル）−５−ヒドロキシ−シク
ロペンテン、３−（３−ジメチルｔｅｒｔ−ブチルシロ
キシ−１−プロペニル）−５−ヒドロキシ−シクロペン
テン、３−（３−ｎ−ブチル−１−ヘプテニル）−５−
ヒドロキシ−シクロペンテンなどが挙げられる。

【００４６】式２で表される化合物が環状で式中の−Ｏ
−ＴがＲ⁵に対してトランス配置であるとき、反応生成
物である式４で表されるジエン化合物のＲ⁵と−ＣＨ＝
ＣＨ−Ｒは、シス配置が高い選択比で生成する。また、
式２の環状化合物の−Ｏ−ＴがＲ⁵に対してシス配置で
あるとき、反応生成物である式４で表されるジエン化合
物のＲ⁵と−ＣＨ＝ＣＨ−Ｒは、トランス配置が高い選
択比で生成する。

【００４７】発明の好ましい実施の形態を以下にまとめ
る。 １．式２で表わされる化合物のＲ¹、Ｒ²、Ｒ³およびＲ⁴
は、水素原子、炭素数１０以下の炭化水素基または酸素
含有官能基もしくはケイ素含有官能基で置換されていて
もよい炭化水素基である。 ２．式２で表される化合物のＴは、アシル基または炭酸
モノエステル残基である。 ３．上記３のアシル基は、アセチル基、プロピオニル基
である。 ４．上記３の炭酸モノエステル残基は、炭酸モノメチル
エステル基（−ＣＯＯ−Ｍｅ）、炭酸モノエチルエステ
ル基（−ＣＯＯ−Ｅｔ）、炭酸モノプロピルエステル基
（−ＣＯＯ−Ｐｒ）である。

【００４８】５．式２で表される化合物は、鎖状化合
物、環状化合物があり、環状化合物が好適である。 ６．式３のＭは、アルカリ金属であり、ナトリウム、カ
リウム、リチウムが好ましく、リチウムがもっとも好ま
しい。 ７．ボレートの使用量は、式２で表される化合物に対し
て、１．２〜１．８倍モルである。 ８．ニッケル触媒は、ハロゲン化ニッケルにホスフィン
が配位した錯体である。 ９．ニッケル触媒の使用量は、上記式（１）で表される
化合物に対して１〜１５モル％、特に好ましくは１〜１
０モル％である。

【００４９】１０．ニッケル触媒に、助触媒として、極
性物質と金属ヨウ化物を使用する。 １１．極性物質の使用量は、上記式（１）で表される化
合物に対し１〜７倍モルである。 １２．金属ヨウ化物は、ヨウ化ナトリウムである。 １３．金属ヨウ化物の使用量は、上記式（１）で表され
る化合物に対して、０．１〜１．５倍モルである。

【００５０】以下、実施例により本発明を更に詳しく説
明するが、本発明はこれらの例によって制限されるもの
ではない。

【００５１】

【実施例１−７】よく乾燥し、窒素ガスで十分に内部の
空気を置換した反応器に、テトラヒドロフラン６ｇ、二
塩化ニッケルビストリフェニルホスフィン０．０９２ｇ
およびヨウ化ナトリウム０．２６ｇ（１．７ミリモル）
を加え、室温下に２０〜３０分撹拌しニッケル触媒を調
製した。上記の溶液温度を０℃とし、この中に式５で表
わされるボロネート１．７ミリモル、リチウム化合物Ｌ
ｉＲ⁶（２．１ミリモル、表１にＲ⁶を示す。）の順に撹
拌しながら加えボレートを調製した。

【化１３】

【００５２】次に、ここに溶媒である２、２−ジメチル
プロピオニトリル０．５８ｇを加え、最後に１−アセト
キシ−５−ヒドロキシ−シクロペンテン１．４ミリモル
を滴下した。滴下後、２時間かけて温度を室温（２５
℃）に上昇させ、そのままの状態で撹拌を続けた。反応
時間は、ボレートや原料により変化するが、原料の滴下
終了後から１２時間以内とした。反応終了後、反応液を
水に投入し、有機層を酢酸エチルで抽出した後、減圧濃
縮し、残渣をシリカカラムクロマトグラフィーで精製し
た。表１の収率で生成物が得られた。

【表１】

【００５３】得られた生成物中、目的物である３−Ｒ⁶
−５−ヒドロキシシクロペンテン（Ａ）と副生成物であ
る３−Ｒ⁶−４−ヒドロキシシクロペンテン（Ｂ）の生
成比は、表１のとおりであった。

【００５４】実施例１−７で得られた３−Ｒ⁶−５−ヒ
ドロキシシクロペンテン（Ａ）と副生成物である３−Ｒ
⁶−４−ヒドロキシシクロペンテン（Ｂ）のデータを以
下に示す。

【００５５】実施例１ 目的物（Ａ）；３−（トランス−１−ヘプテニル）−５
−ヒドロキシ−シクロペンテン（ラセミ体）：¹ ＨＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃）ｄ０．９０
（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，３Ｈ），１．１−１．５（ｍ，７
Ｈ），１．７８−１．９７（ｍ，４Ｈ），３．４７
（ｑ，Ｊ＝７Ｈｚ，１Ｈ），４．８５−４．９１（ｍ，
１Ｈ），５．２２（ｄｄｔ，Ｊ＝８，１５，１Ｈｚ，１
Ｈ），５．４４（ｄｔ，Ｊ＝１５，７Ｈｚ，１Ｈ），
５．８２（ｂｒｓ，２Ｈ）．¹³ ＣＮＭＲ（７５ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃）ｄ１３９．３，
１３３．１，１３２．８，１３０．２，７７．１，４
７．０，４１．２，３２．２，３１．２，２９．０，２
２．４，１３．９． ＩＲ（ｎｅａｔ）３３５０，３０４９，１６０６ｃ
ｍ^-1． Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ₁₂Ｈ₂₀Ｏ：Ｃ，７９．９４；
Ｈ，１１．１８．Ｆｏｕｎｄ：Ｃ，７９．７９；Ｈ，１
１．２４．

【００５６】副生成物（Ｂ）；３−（トランス−１−ヘ
プテニル）−４−ヒドロキシ−シクロペンテン（ラセミ
体）：¹ ＨＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃）ｄ０．８７
（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，３Ｈ），１．１−１．５（ｍ，６
Ｈ），１．７０（ｄ，Ｊ＝５Ｈｚ，１Ｈ），１．９７
（ｑ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，２Ｈ），２．２６（ｄｏｕｂｌ
ｅｔ ｏｆ ｓｅｘｔｅｔ，Ｊ＝１７，２Ｈｚ，１
Ｈ），２．６８（ｄｄｑ，Ｊ＝７，１７，２Ｈｚ，１
Ｈ），３．０９−３．１８（ｍ，１Ｈ），４．１０−
４．１８（ｍ，１Ｈ），５．３２（ｄｄ，Ｊ＝８，１５
Ｈｚ，１Ｈ），５．４９（ｄｔ，Ｊ＝７，１５Ｈｚ，１
Ｈ），５．６１（ｄｑ，Ｊ＝６，２Ｈｚ，１Ｈ），５．
７０（ｄｑ，Ｊ＝６，２Ｈｚ，１Ｈ）． ＩＲ（ｎｅａｔ）３３８６，３０５５，１６１０，１５
１０ｃｍ^-1

【００５７】実施例２ 目的物（Ａ）；３−（シス−１−ヘプテニル）−５−ヒ
ドロキシ−シクロペンテン（ラセミ体）：¹ ＨＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃）ｄ０．９１
（ｔ，Ｊ＝７Ｈ，３Ｈ），１．２−１．５（ｍ，６
Ｈ），１．６（ｂｒｓ，１Ｈ），１．８５（ｄｄｄ，Ｊ
＝５，７，１４Ｈｚ，１Ｈ），２．０１（ｄｄｄ，Ｊ＝
２．５，８，１４Ｈｚ，１Ｈ），２．０８（ｄｑ，Ｊ＝
１，７Ｈｚ，２Ｈ），３．７８−３．８９（ｍ，１
Ｈ），４．８６−４．９４（ｍ，１Ｈ），５．０９（ｔ
ｔ，Ｊ＝１．５，１０Ｈｚ，１Ｈ），５．３８（ｄｄ
ｔ，Ｊ＝１，１０，７Ｈｚ，１Ｈ），５．８０（ｄｄ，
Ｊ＝２，５．５Ｈｚ，１Ｈ），５．８７（ｄｔ，Ｊ＝
２，５．５Ｈｚ，１Ｈ）．¹³ ＣＮＭＲ（７５ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃）ｄ１４０．０，
１３３．１，１３２．５，１３０．４，７７．２，４
１．９，４１．４，３１．３，２９．３，２７．３，２
２．４，１３．９． ＩＲ（ｎｅａｔ）３３９０，１５９５，７５２，６９０
ｃｍ^-1． Ａｎａｌ．Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ₁₂Ｈ₂₀Ｏ：Ｃ，７
９．９４；Ｈ，１１．１８．Ｆｏｕｎｄ：Ｃ，７９．８
１；Ｈ，１０．９７．

【００５８】副生成物（Ｂ）；３−（シス−１−ヘプテ
ニル）−４−ヒドロキシ−シクロペンテン（ラセミ
体）：¹ ＨＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃）ｄ０．９０
（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，３Ｈ），１．２−１．５（ｍ，６
Ｈ），１．７（ｂｒｓ，１Ｈ），２．１４（ｑ，Ｊ＝７
Ｈｚ，２Ｈ），２．３０（ｄ ｏｆ ｓｅｘｔｅｔ，Ｊ
＝１７，２Ｈｚ，１Ｈ），２．７２（ｄｄｑ，Ｊ＝７，
１７，２Ｈｚ，１Ｈ），３．４９（ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，１
Ｈ），４．１１−４．１９（ｍ，１Ｈ），５．１１
（ｔ，Ｊ＝１１Ｈｚ，１Ｈ），５．４７（ｄｄｔ，Ｊ＝
１，１１，７Ｈｚ，１Ｈ），５．５５（ｄｑ，Ｊ＝６，
２Ｈｚ，１Ｈ），５．７２（ｄｑ，Ｊ＝６，２Ｈｚ，１
Ｈ）． ＩＲ（ｎｅａｔ）３３９０，１５９５ｃｍ^-1．

【００５９】実施例３ 目的物（Ａ）；３−（３−ジメチルｔｅｒｔ−ブチルシ
ロキシ−１−オクテニル）−５−ヒドロキシ−シクロペ
ンテン（ジアステレオ混合物）：¹ ＨＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃）（ｓｅｌｅｃｔ
ｅｄ ｄａｔａ）ｄ３．４９（ｑ，Ｊ＝７Ｈｚ，１
Ｈ），３．９９（ｑ，Ｊ＝６Ｈｚ，１Ｈ），４．８４−
４．９４（ｍ，１Ｈ），５．３５（ｄｄ，Ｊ＝７，１５
Ｈｚ，１Ｈ），５．４２（ｄｄ，Ｊ＝６，１５Ｈｚ，１
Ｈ），５．８１−５．８９（ｍ，２Ｈ）． Ａｎａｌ．Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ₁₉Ｈ₃₆Ｏ₂Ｓｉ：
Ｃ，７０．３１；Ｈ，１１．１８．Ｆｏｕｎｄ：Ｃ，７
０．３０；Ｈ，１１．２８．

【００６０】副生成物（Ｂ）；３−（３−ジメチルｔｅ
ｒｔ−ブチルシロキシ−１−オクテニル）−４−ヒドロ
キシ−シクロペンテン（ジアステレオ混合物）：¹ ＨＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃）ｄ−０．００２
ａｎｄ ０．０２３（２ｓ，６Ｈ），０．８７（ｂｒ
ｓ，１２Ｈ），１．１−１．７（ｍ，９Ｈ），２．２６
（ｄ，Ｊ＝１７Ｈｚ，１Ｈ），２．６８（ｄｄｑ，Ｊ＝
６，１７，２Ｈｚ，１Ｈ），３．１２−３．１９（ｍ，
１Ｈ），３．９７−４．０７（ｍ，１Ｈ），４．１０−
４．１８（ｍ，１Ｈ），５．３９−５．５１（ｍ，２
Ｈ），５．６３（ｄｑ，Ｊ＝６，２Ｈｚ，１Ｈ），５．
７４（ｄｑ，Ｊ＝６，２Ｈｚ，１Ｈ）． ＩＲ（ｎｅａｔ）３３９８，３０２６，１６２６，７５
０，６９２ｃｍ^-1．

【００６１】目的物（Ａ）（光学活性体）：¹ ＨＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃）ｄ−０．００３
（ｓ，３Ｈ），０．０２（ｓ，３Ｈ），０．８７（ｓ，
１２Ｈ），１．１８−１．５６（ｍ，８Ｈ），１．６
（ｂｒｓ，１Ｈ），１．８２−２．０４（ｍ，２Ｈ），
３．４９（ｑ，Ｊ＝７Ｈｚ，１Ｈ），３．９９（ｑ，Ｊ
＝６Ｈｚ，１Ｈ），４．８４−４．９４（ｍ，１Ｈ），
５．３５（ｄｄ，Ｊ＝７，１５Ｈｚ，１Ｈ），５．４２
（ｄｄ，Ｊ＝６，１５Ｈｚ，１Ｈ），５．８６（ｓ，２
Ｈ）．¹³ ＣＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃）ｄ１３８．
７，１３３．５３，１３３．５１，１３２．５，７７．
２，７３．５，４６．６，４１．０，３８．２，３１．
７，２５．８，２４．９，２２．５，１８．１，１３．
９，−４．３，−４．９． ＩＲ（ｎｅａｔ）３４０２，３０５７，１２５７ｃ
ｍ^-1． ［ａ］２１Ｄ＝＋１５２（ｃ０．７２８，ＣＨＣｌ₃）

【００６２】目的物（Ａ）（光学活性体）：¹ ＨＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃）ｄ−０．０１
（ｓ，３Ｈ），０．０１（ｓ，３Ｈ），０．８６（ｓ，
１２Ｈ），１．２０−１．５６（ｍ，８Ｈ），１．７６
（ｂｒｓ，１Ｈ），１．８２−２．０２（ｍ，２Ｈ），
３．４６（ｑ，Ｊ＝６Ｈｚ，１Ｈ），３．９９（ｑ，Ｊ
＝７Ｈｚ，１Ｈ），４．８３−４．９２（ｍ，１Ｈ），
５．３４（ｄｄ，Ｊ＝７，１６Ｈｚ，１Ｈ），５．４１
（ｄｄ，Ｊ＝６，１６Ｈｚ，１Ｈ），５．８０−５．８
９（ｍ，２Ｈ）．¹³ ＣＮＭＲ（７５ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃）ｄ１３８．７，
１３３．５３，１３３．４６，１３２．５，７７．１，
７３．４，４６．６，４０．９，３８．２，３１．６，
２５．８，２４．９，２２．５，１８．１，１３．９，
−４．３，−４．９． ＩＲ（ｎｅａｔ）３３２５，３０５５，１１７３ｃ
ｍ^-1． ［ａ］２０Ｄ＝−１５３（ｃ０．９８，ＣＨＣｌ₃）

【００６３】実施例４ 目的物（Ａ）；３−（３−ジメチルｔｅｒｔ−ブチルシ
ロキシ−４−フェノキシ−１−ブテニル）−５−ヒドロ
キシ−シクロペンテン（ラセミ体）：¹ ＨＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃）ｄ０．０９
（ｓ，６Ｈ），０．９０（ｓ，９Ｈ），１．８６（ｍ，
３Ｈ），３．５６（ｑ，Ｊ＝６Ｈｚ，１Ｈ），３．８４
（ｄ，Ｊ＝６Ｈｚ，２Ｈ），４．４６（ｑ，Ｊ＝６Ｈ
ｚ，１Ｈ），４．８８−４．９１（ｍ，１Ｈ），５．５
５（ｄｄ，Ｊ＝６，１５Ｈｚ，１Ｈ），５．６３（ｄｄ
ｄ，Ｊ＝２，６，１５Ｈｚ，１Ｈ），５．８３−５．９
１（ｍ，２Ｈ），６．８７−６．９５（ｍ，３Ｈ），
７．２４−７．３１（ｍ２Ｈ）．¹³ ＣＮＭＲ（７５ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃）ｄ１５８．９，
１３８．２３，１３８．２０，１３４．９５，１３４．
９１，１３３．８，１２９．４，１２９．０６，１２
９．０３，１２０．６，１１４．５，７６．９０，７
６．８９，７２．２，７１．６７，７１．６３，４６．
６２，４６．５９，４０．７７，４０．７４，２５．
７，１８．２，−４．７７，−４．８３． ＩＲ（ｎｅａｔ）３３４６，３０５９，１６０１，１４
９６，１２４８ｃｍ^-1． Ａｎａｌ．Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ₂₁Ｈ₃₂Ｏ₃Ｓｉ：
Ｃ，６９．９５；Ｈ，８．９４．Ｆｏｕｎｄ：Ｃ，６
９．４９；Ｈ，８．８４．

【００６４】副生成物（Ｂ）；３−（３−ジメチルｔｅ
ｒｔ−ブチルシロキシ−４−フェノキシ−１−ブテニ
ル）−４−ヒドロキシ−シクロペンテン（ラセミ体）：¹ ＨＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃）ｄ０．０８
（ｓ，６Ｈ），０．８９（ｓ，９Ｈ），１．７２（ｂｒ
ｓ，１Ｈ），２．２７，（ｄ，Ｊ＝１７Ｈｚ，１Ｈ），
２．６９（ｄｄ，Ｊ＝６，１７Ｈｚ，１Ｈ），３．１７
−３．２５（ｍ，１Ｈ），３．８４（ｄ，Ｊ＝６Ｈｚ，
２Ｈ），４．１３−４．２０（ｍ，１Ｈ），４．４８
（ｑ，Ｊ＝６Ｈｚ，１Ｈ），５．５６−５．７９（ｍ，
４Ｈ），６．８４−６．９７（ｍ，３Ｈ），７．２２−
７．３２（ｍ，２Ｈ）． ＩＲ（ｎｅａｔ）３３６９，３０４７，１５９５，７５
４ｃｍ^-1．

【００６５】実施例５ 目的物（Ａ）；３−（３−ジメチルｔｅｒｔ−ブチルシ
ロキシ−３−シクロヘキシル−１−プロペニル）−５−
ヒドロキシ−シクロペンテン（ラセミ体）：¹ ＨＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃）ｄ−０．０３
（ｓ，３Ｈ），０．００３（ｓ，３Ｈ），０．８７
（ｓ，９Ｈ），１．０５−１．８８（ｍ，１２Ｈ），
１．８８−２．０４（ｍ，２Ｈ），３．５０（ｑ，Ｊ＝
７Ｈｚ，１Ｈ），３．６９（ｄｔ，Ｊ＝２，７Ｈｚ，１
Ｈ），４．８４−４．９４（ｍ，１Ｈ），５．３１（ｄ
ｄ，Ｊ＝７，１５Ｈｚ，１Ｈ），５．３８（ｄｄ，Ｊ＝
７，１５Ｈｚ，１Ｈ），５．８３−５．８９（ｍ，２
Ｈ）．¹³ ＣＮＭＲ（７５ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃）ｄ１３８．８，
１３８．６，１３３．６０，１３３．５６，１３３．５
１，１３２．１，７８．１，７７．１８，７７．１５，
４６．７，４４．４，４１．０，４０．９，２９．０，
２８．６，２８．５，２６．６，２６．１７，２６．１
２，２５．８，１８．１，−４．１，−４．９． ＩＲ（ｎｅａｔ）３４２１，１７０１，１２５４，８３
５，７７５ｃｍ^-1． Ａｎａｌ．Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ₂₀Ｈ₃₆Ｏ₂Ｓｉ：
Ｃ，７１．３７；Ｈ，１０．７８．Ｆｏｕｎｄ：Ｃ，７
１．４０；Ｈ，１０．５５．

【００６６】副生成物（Ｂ）；３−（３−ジメチルｔｅ
ｒｔ−ブチルシロキシ−３−シクロヘキシル−１−プロ
ペニル）−４−ヒドロキシ−シクロペンテン（ラセミ
体）：¹ ＨＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃）ｄ−０．０３
５，−０．０２１，０．００３ａｎｄ０．０１１（４
ｓ，６Ｈ），０．８６５ａｎｄ０．８７４（２ｓ，９
Ｈ），１．１−１．９（ｍ，１２Ｈ），２．２７（ｄ，
Ｊ＝１７Ｈｚ，１Ｈ），２．６９（ｄｍ，Ｊ＝１７Ｈ
ｚ，１Ｈ），３．１４−３．２０（ｍ，１Ｈ），３．７
０−３．７５（ｍ，１Ｈ），４．１１−４．１８（ｍ，
１Ｈ），５．３４−５．４９（ｍ，２Ｈ），５．５９−
５．６５（ｍ，１Ｈ），５．７２−５．７７（ｍ，１
Ｈ）． ＩＲ（ｎｅａｔ）３３６７，１５９５，１２５２ｃ
ｍ^-1．

【００６７】実施例６ 目的物（Ａ）；３−（３−ジメチルｔｅｒｔ−ブチルシ
ロキシ−１−プロペニル）−５−ヒドロキシ−シクロペ
ンテン（ラセミ体）：¹ ＨＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃）ｄ０．０６
（ｓ，６Ｈ），０．８９（ｓ，９Ｈ），１．５（ｂｒ
ｓ，１Ｈ），１．８７−２．０３（ｍ，２Ｈ），３．５
４（ｑ，Ｊ＝７Ｈｚ，１Ｈ），４．１２（ｄ，Ｊ＝４．
５Ｈｚ，１Ｈ），４．８４−４．９３（ｍ，１Ｈ），
５．４８（ｄｄ，Ｊ＝７，１６Ｈｚ，１Ｈ），５．５６
（ｄｔ，Ｊ＝１６，４．５Ｈｚ，１Ｈ），５．８７（ｂ
ｒｓ，２Ｈ）．¹³ ＣＮＭＲ（７５ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃）ｄ１３８．７，
１３３．６，１３３．５，１２８．９，７７．１，６
３．７，４６．６，４０．９，２５．９，１８．３，−
５．３． ＩＲ（ｎｅａｔ）３３６９，１２５５，８３７，７７５
ｃｍ^-1． Ａｎａｌ．Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ₁₄Ｈ₂₆Ｏ₂Ｓｉ：
Ｃ，６６．０９；Ｈ，１０．３０．Ｆｏｕｎｄ：Ｃ，６
６．１２；Ｈ，１０．３０．

【００６８】副生成物（Ｂ）；３−（３−ジメチルｔｅ
ｒｔ−ブチルシロキシ−１−プロペニル）−４−ヒドロ
キシ−シクロペンテン（ラセミ体）：¹ ＨＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃）（ｄｉａｇｎｏ
ｓｔｉｃ ｓｉｇｎａｌｓ）ｄ３．１５−３．２２
（ｍ，１Ｈ），５．５７−５．６６（ｍ，３Ｈ），５．
７２−５．７７（ｍ，１Ｈ）． ＩＲ（ｎｅａｔ）３３９８，８３７，７７５ｃｍ^-1．

【００６９】実施例７ 目的物（Ａ）；３−（３−ｎ−ブチル−１−ヘプテニ
ル）−５−ヒドロキシ−シクロペンテン（ラセミ体）：¹ ＨＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃）ｄ０．８６
（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，６Ｈ），１．０５−１．４０（ｍ，
１２Ｈ），１．６４（ｂｒｓ，１Ｈ），１．７７−１．
８８（ｍ，１Ｈ），１．９０（ｄｄｄ，Ｊ＝５，７，１
４Ｈｚ，１Ｈ），１．９８（ｄｄｄ，Ｊ＝３，８，１４
Ｈｚ，１Ｈ），３．４４−３．５２（ｍ，１Ｈ），４．
８６−４．９２（ｍ，１Ｈ），５．０７−５．２１
（ｍ，２Ｈ），５．８２−５．８８（ｍ，２Ｈ）．¹³ ＣＮＭＲ（７５ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃）ｄ１３９．４，
１３４．８，１３３．０，１３２．５，７７．１，４
７．１，４２．５，４１．３，３４．９８，３４．９
２，２９．３，２２．６４，２２．６２，１３．９． ＩＲ（ｎｅａｔ）３３５０，３０５５，１０２２ｃ
ｍ^-1． Ａｎａｌ．Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ₁₆Ｈ₂₈Ｏ：Ｃ，８
１．２９；Ｈ，１１．９４．Ｆｏｕｎｄ：Ｃ，８１．１
０；Ｈ，１１．７３．

【００７０】副生成物（Ｂ）；３−（３−ｎ−ブチル−
１−ヘプテニル）−４−ヒドロキシ−シクロペンテン
（ラセミ体）：¹ ＨＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃）ｄ０．８７
（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，６Ｈ），１．１−１．４（ｍ，１２
Ｈ），１．６２−１．９２（ｍ，２Ｈ），２．２５（ｄ
ｏｆｓｅｘｔｅｔ，Ｊ＝１７，２Ｈｚ，１Ｈ），２．６
８（ｄｄｑ，Ｊ＝６，１７，３Ｈｚ，１Ｈ），３．０９
−３．１６（ｍ，１Ｈ），４．１３（ｄｔ，Ｊ＝６，３
Ｈｚ，１Ｈ），５．１８（ｄｄ，Ｊ＝８，１５Ｈｚ，１
Ｈ），５．２４（ｄｄ，Ｊ＝７，１５Ｈｚ，１Ｈ），
５．６２（ｄｑ，Ｊ＝６，２Ｈｚ，１Ｈ），５．７２
（ｄｑ，Ｊ＝６，２Ｈｚ，１Ｈ）． ＩＲ（ｎｅａｔ）３３６５，３０５７，８０２，７１４
ｃｍ^-1．

【００７１】

【発明の効果】本発明によれば、医薬品などの中間体と
して有用と思われる上記式１で表される新規なジエン化
合物が得られる。また、本発明の製造方法により、トラ
ンス−３−（３−ジメチルｔｅｒｔ−ブチルシロキシ−
１−オクテニル）−５−ヒドロキシ−シクロペンテン等
のジエン化合物を効率よく合成することができる。

【化５】

【化５】

【化１４】

【化１５】

【化１６】

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 式１で表されるジエン化合物。 【化１】 （式中、Ａは、１−ヘプテニル基、３−ジメチルｔｅｒ
   ｔ−ブチルシロキシ−４−フェノキシ−１−ブテニル
   基、３−ジメチルｔｅｒｔ−ブチルシロキシ−３−シク
   ロヘキシル−１−プロペニル基、３−ジメチルｔｅｒｔ
   −ブチルシロキシ−１−プロペニル基、３−ｎ−ブチル
   −１−ヘプテニル基である。ＢおよびＣの一方は水素原
   子であり、他方は水酸基である。）
2. 【請求項２】 式２で表される化合物 【化２】 （式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³およびＲ⁴は、水素原子または酸
   素含有官能基もしくはケイ素含有官能基で置換されてい
   ても良い炭素数１０以下の炭化水素基を表す。Ｃ¹とＣ⁴
   とは直接または２価の炭化水素基を介して結合して環を
   形成しても良い。Ｒ⁵は、炭素数１０以下の炭化水素
   基、酸素含有官能基またはケイ素含有官能基である。Ｔ
   は、アシル基または炭酸モノエステル残基である。）を
   ニッケル触媒の存在下において式３で表されるボレート 【化３】 （式３） （式中、Ｒは炭素数１０以下の飽和炭化水素基である。
   Ｍは、アルカリ金属である。）と反応させることを特徴
   とする式４で表されるジエン化合物の製造方法。 【化４】 （式４） （式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴およびＲ⁵は、式２におけ
   ると同様である。Ｒは、式３におけると同様である。）