JPH11176976A - 電子部品用パッケージの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高密度配線に対応でき、かつ外部端子の接続
部における端子シェア強度を安定できる多層キャビティ
付プラスチックパッケージ等の電子部品用パッケージの
製造方法を提供する。 【解決手段】 外部に表出している表層部導体パターン
を備えた表層部絶縁体層と、一部が外部に表出している
内層部導体パターンを備えた内層部絶縁体層を有する電
子部品用パッケージの製造方法である。表層部絶縁体層
の導体パターン形成用材料層と内層部導体パターンを電
気的に接続したパッケージ用積層体を作成する。該導体
パターン形成用材料層に電解メッキ処理した表層部導体
パターンを形成する。該電解メッキ処理をする際、該導
体パターン形成用材料層と電気的に接続されている内層
部導体パターンを電解メッキ処理する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品用パッケ
ージの製造方法に係り、より詳細には、多段キャビティ
付プラスチックパッケージのように、外部に表出してい
る表層部導体パターンを備えた表層部絶縁体層と、一部
が外部に表出している内層部導体パターンを備えた内層
部絶縁体層を有する電子部品用パッケージにおいて、高
密度配線に対応でき、かつ外部端子の接続部の強度を安
定できる電子部品用パッケージの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子部品用プラスチックパッケージとし
ては、種々の形態のものがあるが、近年、外部接続端
子の多端子化、チップ実装性、低コスト化、放熱
特性、低インピーダンス化、等の観点からボールグリッ
ドアレイタイプのプラスチックパッケージ（ＢＧＡ）が
多く使用されている。このＢＧＡは、両面にＣｕ箔を張
って形成した導体層を備えたＢＴ樹脂（ビスマイレイミ
ドトリアジンを主成分とした樹脂）やポリイミド樹脂等
からなる１層または多層の高耐熱性樹脂板を基板として
用いて、該高耐熱性樹脂板にヒートスラグを接合したキ
ャビティダウンタイプや、直接モールディングするタイ
プがある。そして、前記導体層にはエッチング等によっ
て導体パターンが形成してあり、また該樹脂板内部には
垂直導体パターンが形成してある。

【０００３】前記キャビティダウンタイプのＢＧＡは、
該高耐熱性樹脂板の中央部分に、その周縁部分に多段
（多層）のワイヤボンディング用導体パターンを形成し
たチップ搭載用キャビティを備え、該高耐熱性樹脂板の
裏面に放熱用銅板（ヒートスラグ）を接合して、該放熱
用銅板の上面をチップ搭載用キャビティに表出させチッ
プ搭載部を形成し、また該高耐熱性樹脂板の最表層に外
部接続端子となる半田ボールを接合した構成からなる。
そして、この種のＢＧＡは、小型で、前記多端子化、高
放熱化、高密度化に対応するパッケージを得ることがで
きるという利点を有する。

【０００４】ところで、電子部品用パッケージにおいて
は、その外表面に露出する導体パターン（ワイヤボンデ
ィング用導体パターンと外部接続端子用導体パターン）
をＮｉ／Ａｕメッキ処理している。このメッキ処理とし
ては、そのメッキ接合強度等の観点から電解メッキ処理
が好ましい。しかし、電子部品用パッケージのパターン
密度が高くなると、特に、前記ワイヤボンディング用導
体パターンと外部接続端子用導体パターンが同一面側に
位置する場合、配線の高密度化という観点から該面に該
ワイヤボンディング用導体パターンからの電解メッキ処
理用の引き出しパターンを形成することが難しいという
課題がある。そのため、通常、該導体パターンのメッキ
処理にメッキ処理用引き出しパターンが不要の無電解メ
ッキ処理を用いている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、前述したよう
な無電解メッキ処理方法を採用する電子部品用パッケー
ジの製造方法の場合、次のような課題がある。すなわ
ち、 前記外部接続端子となる半田ボールを、前記外部接
続端子用導体パターン（半田ボールパッド）に接合した
際のシェア強度が低い。 そのため、半田ボールが外部接続端子用導体パター
ンから剥がれ易く、パッケージの歩留りが低下する。 等の課題がある。

【０００６】ところで、このような無電解メッキを採用
する方法のほかに、メッキ処理した導体パターンを形成
する方法としては、『パッケージを形成するそれぞれの
高耐熱性樹脂板の両面に設けてある導体層上に光硬化性
材からなるドライフィルムを貼った後、該ドライフィル
ムを露光マスクを介して露光し、硬化させた後、該ドラ
イフィルムの非硬化部分を取り除いて、前記導体層の一
部を外部に露出させると共に、該露出した一部の導体層
を電解Ｎｉ／Ａｕメッキし、更に該ドライフィルムを剥
離し、また該電解メッキされていない部分をエッチング
して導体パターン層を形成するという方法』が知られて
いる。この方法の場合、各高耐熱性樹脂板について、良
好なメッキ処理をした導体パターンを形成できるが、該
高耐熱性樹脂板を積層して多段キャビティ付プラスチッ
クパッケージ等の積層パッケージを製造すると、該高耐
熱性樹脂板上の導体パターンにＡｕメッキ面があるた
め、該パッケージの内層部の接合状態が低下するという
課題が生じる。

【０００７】本発明は、以上のような課題に対処して創
作したものであって、その目的とする処は、外部に表出
している表層部導体パターンを備えた表層部絶縁体層
と、一部が外部に表出している内層部導体パターンを備
えた内層部絶縁体層を有する電子部品用パッケージにお
いて、高密度配線に対応でき、かつ外部端子の接続部に
おける端子シェア強度を安定できる多層キャビティ付プ
ラスチックパッケージ等の電子部品用パッケージの製造
方法を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】そして、上記課題を解決
するための手段としての本発明の電子部品用パッケージ
の製造方法は、表面に導体パターン形成用材料層、内
部に垂直方向導体パターンを備え、該パッケージの表層
部を形成する表層部絶縁体層用基材を準備する工程と、
表面に内層部導体パターンを備え、該パッケージの内
層部を形成する内層部絶縁体層用基材を準備する工程
と、該内層部絶縁体層用基材と該表層部絶縁体層用基
材を接合して、内層部絶縁体層と表層部絶縁体層を備
え、該内層部絶縁体層上の内層部導体パターンの一部が
外部に表出し、かつ該外部に表出した内層部導体パター
ンと、該表層部絶縁体層の導体パターン形成用材料層を
前記垂直方向導体パターンを介して電気的に接続した積
層体を作成する工程と、前記表層部絶縁体層上の導体
パターン形成用材料層上に、前記表層部導体パターンの
逆パターンのレジストパターンを形成する工程と、該
レジストパターンで覆われていない部分の導体パターン
形成用材料層と、前記内層部絶縁体層上の内層部導体パ
ターンのうちで外部に表出している内層部導体パターン
とを電解メッキする工程と、前記レジストパターンを
取り除き、表層部絶縁体層上に前記電解メッキされた部
分と、電解メッキされていない部分を備えた導体パター
ン材料層を表出させる工程と、該電解メッキされてい
ない部分を取り除いて、表層部絶縁体層上に電解メッキ
された表層部導体パターンを形成する工程、を有するこ
とを特徴とする。また、本発明の電子部品用パッケージ
の製造方法は、前記発明において、前記レジストパター
ンを形成する工程が、前記積層体の表層部絶縁体層の導
体パターン形成用材料層上に光硬化性材をコートし、該
光硬化性材を前記表層部導体パターンと同じパターンを
有する露光マスクを介して露光、硬化させた後、該光硬
化性材の非硬化部分を取り除いて、前記表層部導体パタ
ーンの逆パターンの硬化して光硬化性材からなるレジス
トパターンを形成する工程からなることも特徴とする。
更に、本発明の電子部品用パッケージの製造方法は、前
記各発明において、前記内層部導体パターンがワイヤボ
ンディング用導体パターンであり、前記表層部導体パタ
ーンがボールパッドおよび／またはワイヤボンディング
用導体パターンであることも特徴とする。

【０００９】ここで、前記パッケージの表層部とは、外
部に表出するパッケージ上部側または下部側に位置する
絶縁体層をいい、この絶縁体層を形成する前記絶縁体層
用基材としては、ＢＴ樹脂（ビスマイレイミドトリアジ
ンを主成分とした樹脂）やポリイミド樹脂等の樹脂板を
用いることができる。また絶縁体層用基材の表裏両面に
形成されている導体パターン形成用材料層は、通常、銅
箔、その他の導電性金属膜を接合することで形成してい
る。前記光硬化性材としては、ポリオキシエチル化トリ
メチロールプロパントリアクリレート、エチル化ペンタ
エリスリトールトリアクリレート等の感光性成分を含ん
だ感光性樹脂組成物を用いることができる。そして、通
常、このような感光性樹脂組成物からなるドライフィル
ムを用いることが好ましい。前記電解メッキは、まず、
電解Ｎｉメッキ処理し、その表面に電解Ａｕメッキ処理
を行う。また、前記電解メッキされていない部分を取り
除いて、表層部絶縁体層上に導体パターン層を形成する
工程において、該電解メッキされていない部分を取り除
く手段としては、エッチング処理を用いることができ
る。また、前記表層部（内層部）導体パターンの逆パタ
ーンとは、両パターンが、所謂、ネガパターンとポジパ
ターンの関係にあることをいう。しかし、完全なネガパ
ターンとポジパターンの関係にあることを要求されるも
のではない。通常、ほぼ、その関係にあればよい。前記
レジストパターンとは、このパターンを形成した個所を
レジストできるパターンをいう。また、前記内層部絶縁
体層用基材を準備する工程としては、該内層部絶縁体層
用基材として、表裏両面に導体パターン形成用材料層を
有する内層部絶縁体層用基材を準備し、該導体パターン
形成用材料層上に前記内層部導体パターンの逆パターン
のレジストパターンを形成した後、該導体パターン形成
用材料層上にレジストパターンが形成されていない部分
を取り除き、該内層部絶縁体層用基材上に内層部導体パ
ターンを形成する工程を用いることができる。そして、
この場合において、該導体パターン形成用材料層が、Ｃ
ｕ層である場合は、該内層部導体パターンを黒化処理す
ることで、該絶縁体層用基材の積層体を形成した際、十
分な接合強度を得ることができる。

【００１０】本発明は、特に、多段キャビティ付セラミ
ックパッケージにおける電解メッキ処理した導体パター
ンを得る工程に適用することができる。すなわち、該パ
ッケージのチップ搭載部に実装するためのワイヤボンデ
ィングパターンが多段形成されているセラミックパッケ
ージにおいて、該ワイヤボンディングパターンへの電解
Ｎｉ／Ａｕメッキ処理と、パッケージ表面のボールパッ
ド等の電解Ｎｉ／Ａｕメッキ処理済導体パターンの形成
を一連の作業でもって行うことができる。

【００１１】

【発明の効果】以上の説明より明らかなように、本発明
の電子部品用パッケージの製造方法によれば、表層部絶
縁体層の表面の導体パターン形成用材料層にボールパッ
ド等の表層部導体パターンを形成する前段階で、該導体
パターン形成用材料層を電解メッキ用端子とし、該表層
部導体パターンとなる部分に電解メッキ処理することに
より、該導体パターン形成用材料層と電気的に接続され
ているワイヤボンディングパターン等のように外部に表
出した内層部絶縁体層上の内層部導体パターンについて
も同時にメッキ処理できるので、従来の手法と異なり、
外部に表出した内層部絶縁体層上の内層部導体パターン
の電解メッキするために、別途、電解メッキ処理用の引
き出しパターンを、隣接するボールパッド等の表層部導
体パターン間に形成する必要がない。従って、多段のワ
イヤボンディングパターン等を備えた導体パターンの高
密度化と、外部端子の接続部のシェア強度の安定化が要
求される多段キャビティ付プラスチックパッケージのよ
うな電子部品用パッケージを容易に製造できる。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発
明を具体化した好ましい実施の形態について説明する。
ここに、図１〜図２は、本発明の一つの実施形態を示
し、図１は電子部品用パッケージの拡大した部分断面
図、図２は電子部品用パッケージの製造工程図、図３は
内層部導体パターンの形成工程図、図４は表層部導体パ
ターン（ボールパッドおよび／またはワイヤボンディン
グ用導体パターン）の形成工程図である。

【００１３】本実施形態は、図１に示すようなボールグ
リッドアレイタイプ（ＢＧＡ）の多段キャビティ付プラ
スチックパッケージの製造方法である。このプラスチッ
クパッケージ１は、外観上、従来の多段キャビティ付プ
ラスチックパッケージと同一であって、内層部絶縁体層
用基材２と表層部絶縁体層用基材３を接着材（プリプレ
グ）４で接合・積層した積層体５の中央部分にキャビテ
ィ部６を備え、かつキャビティ部６の周縁部分に多段
（多層）のワイヤボンディング用導体パターン７，８を
備え、また積層体５の裏面に放熱用銅板（ヒートスラ
グ）９を接着材（プリプレグ）１０で接合し、放熱用銅
板９の上面をキャビティ部６に表出させて形成したチッ
プ搭載部１１を備え、また積層体５の最表層にボールパ
ッド１２を備え、このボールパッド１２に半田ボール３
２を接合した構成からなる。ここで、ワイヤボンディン
グ用導体パターン７，８とボールパッド１２には、Ｎｉ
／Ａｕメッキ処理してある。また、内層部絶縁体層用基
材２と表層部絶縁体層用基材３には、垂直方向導体パタ
ーン（導体ビア）１３と水平方向導体パターン１４が設
けてある。

【００１４】そして、本実施形態のプラスチックパッケ
ージの製造方法は、図２に示すように、概略すると、
表層部絶縁体層用基材準備工程、内層部絶縁体層用基
材準備工程、積層体作成工程、光硬化性材コート工
程、導体パターン形成用材料層（Ｃｕ薄層）一部表出
工程、電解メッキ処理工程、表層部導体パターン形
成工程、の各工程を有している。

【００１５】−表層部絶縁体層用基材準備工程− 本工程は、パッケージの表層部を形成する表層部絶縁体
層用基材３を準備する工程である（図２(a) 、図２(b)
、図３参照）。表層部絶縁体層用基材３は、ＢＴ樹脂
（ビスマイレイミドトリアジンを主成分とした樹脂）板
３ａの表裏両面にＣｕ薄層３ｂ，３ｃを形成した銅張積
層板からなる。そして、表層部絶縁体層３ａの裏面側、
すなわちパッケージ内部側の面のＣｕ薄層３ｃはエッチ
ング処理によって内部配線を構成する表層部裏面導体パ
ターン１４ａが形成してあり、また表層部絶縁体層３ａ
の内部には基材表裏面間を電気的に接続する導体ビア１
３が形成してある。また、表層部裏面導体パターン１４
ａは、その表面が黒化処理（ブラックオキサイドと呼ば
れる酸化処理）して、その表面に酸化第２銅被膜を形成
し接合強度を強化している。

【００１６】−内層部絶縁体層用基材準備工程− 本工程は、パッケージの内層部を形成する内層部絶縁体
層用基材２を準備する工程である（図２(a) 、図２(b)
、図３参照）。内層部絶縁体層用基材２は、表層部絶
縁体層用基材３と同じく、ＢＴ樹脂（ビスマイレイミド
トリアジンを主成分とした樹脂）板２ａの表裏両面にＣ
ｕ薄層２ｂ，２ｃを形成した銅張積層板からなる。そし
て、この表面（表層部絶縁体層３ａの裏面に形成してあ
る表層部裏面導体パターン１４ａに対面する面）側のＣ
ｕ薄板２ｂには、表層部絶縁体層３ａの裏面の場合と同
じく、内層部表面導体パターン１４ｂが形成してあり、
また、内層部絶縁体層２ａの内部には基材表裏面間を電
気的に接続する導体ビア１３が形成してあり、更に、内
層部表面導体パターン１４ｂには、その表面が黒化処理
され接合強度を強くしてある。ここで、内層部表面導体
パターン１４ｂは、図３に示すように、Ｃｕ薄層２ｂ，
２ｂ上に、内層部表面導体パターン１４ｂに対応するパ
ターン、換言すれば、逆パターンであるレジスト材を印
刷等してレジストパターン１５を形成した後、Ｃｕ薄層
２ｂのうちのレジストパターン１５で覆われた部分を残
し、レジストパターン１５で覆われていない部分をエッ
チング処理し、続いて、レジストパターン１５を取り除
くことにより形成する。また、導体ビア１３は、内層部
絶縁体層２ａの表裏面を貫通するホールをドリルあるい
はレーザ照射によって形成した後、無電解あるいは電解
Ｃｕメッキ処理（通常、無電解メッキ処理した後、厚付
けの電解メッキ処理）をして、Ｃｕ薄層２ｂ上にＣｕメ
ッキ層を形成すると共に、ホール内周面にＣｕ膜を形成
し、更に導体詰めして形成する。これにより、内層部表
面導体パターン１４ｂとＣｕ薄層２ｃ間を電気的に接続
する。ところで、先の表層部絶縁体層３ａにおける表層
部導体パターン１４ａの形成、導体ビア１３の形成も同
様にして形成する。前記黒化処理は、無電解あるいは電
解Ｃｕメッキ処理した後に行う。

【００１７】−積層体作成工程− 本工程は、表層部絶縁体層用基材３と内層部絶縁体層用
基材２を接着材４で接合、積層して積層体５を作成する
工程である（図２(b) 〜図２(h) 参照）。接着材４とし
てはシートにエポキシ系接着材を含浸したプリプレグ
（接着用樹脂シート）を用い、両基材３、２を接合・積
層する。この積層に先立って、まず表層部絶縁体層用基
材３の裏面に流動性の良い接着材４ａ′でＣｕ薄層３ｃ
面にできた凹凸面を充分に埋めつくした後、キャビティ
部６への接着材の流れ込みを防止するために、流動性の
低い接着材４ａを接合・積層して積層体５ａを作成し、
次に、キャビティ部６を形成するために、積層体５ａの
裏面に外周溝２０を形成する（図２(c) 参照）。ここ
で、この外周溝２０の外側縁２０ａが、キャビティ部６
の周縁６ａに位置するように形成することが肝要であ
る。続いて、積層体５ａの裏面に内層部絶縁体層用基材
２を接合・積層して積層体５ｂを作成し、この積層体５
ｂの裏面のＣｕ薄層２ｃに、前述した内層部表面導体パ
ターン１４ｂの場合と同様にして、内層部裏面導体パタ
ーン１４ｃを形成する（図２(d) 参照）。ここで、内層
部裏面導体パターン１４ｃについても電解または無電解
メッキ処理と黒化処理を行うことが好ましい。また、必
要に応じて、この積層体５ｂの表裏面を貫通するスルー
ホールビア１８を穿設した後、電解あるいは無電解Ｃｕ
メッキ処理して、スルーホールビア１８の内周面にＣｕ
膜を形成する。次に、この積層体５ｂの裏面に接着材４
ｂを積層して積層体５を作成し（図２(e) 参照）、その
後、カッティングによりキャビティ部６を形成する（図
２(f)参照）。そして、この積層体５の裏面に接着材１
０により放熱用銅板９を接合し、放熱用銅板９の上面を
キャビティ部６に表出させてチップ搭載部１１を形成す
る（図２(g) 〜図２(h) 参照）。

【００１８】−光硬化性材コート工程− 本工程は、裏面に放熱用銅板９を備えた積層体５のＣｕ
薄層３ｂ上に光硬化性材１６をコートする工程である
（図４(b) 参照）。ここで、光硬化性材１６としては、
ポリオキシエチル化トリメチロールプロパントリアクリ
レート、エチル化ペンタエリスリトールトリアクリレー
ト等の感光性成分を含んだ感光性樹脂組成物を用いる。
光硬化性材１６は、取り扱いの観点から、この感光性樹
脂組成物をシート状にしたドライフィルムが好ましい。
そして、この光硬化性材コート工程と、後述する導体パ
ターン形成用材料層（Ｃｕ薄層）一部表出工程、電解メ
ッキ処理工程、および表層部導体パターン形成工程によ
って、表層部導体パターンを形成する。

【００１９】−導体パターン形成用材料層一部表出工程
− 本工程は、前工程の光硬化性材コート工程でＣｕ薄層３
ｂ上をコートした光硬化性材１６を、その上方から露光
マスク１７を介して露光し、光硬化性材１６の一部を硬
化させた後、現像して光硬化性材１６の非硬化部分を取
り除いて、導体パターン形成用材料層を構成するＣｕ薄
層３ｂの一部を外部に表出させる工程である（図４(c)
〜図４(e) 参照）。露光マスク１７は、表層部絶縁体層
３ａ上に形成しようとする表層部導体パターン（ワイヤ
ボンディング用導体パターン８とボールパッド１２）に
対応するパターンを備えたマスクである（図４(c) 参
照）。そして、この露光マスク１７を介して光硬化性材
１６を露光すると、該露光した部分の光硬化性材１６が
硬化する（図４(d) 参照）。次に、光硬化性材１６を現
像剤により現像すると、未硬化部分が取り除かれて、表
層部絶縁体層３上のＣｕ薄層３ｂの一部が外部に表出す
る。この外部に表出した部分のＣｕ薄層３ｂが表層部表
面導体パターンとなる（図４(e) 参照）。

【００２０】−電解メッキ処理工程− 本工程は、内層部絶縁体層２ａ上の内層部表面導体パタ
ーン１４ｂのうちの外部に表出しているワイヤボンディ
ング用導体パターン７と、外部に表出した表層部絶縁体
層３ａ上のＣｕ薄層３ｂを電解Ｎｉ／Ａｕメッキする工
程である（図４(f) 参照）。このＣｕ薄層３ｂは、この
段階ではベタパターンである。従って、各ワイヤボンデ
ィング用導体パターン７とＣｕ薄層３ｂは、内層部表面
導体パターン１４ｂと導体ビア１３、あるいは１本の電
解メッキ用引き出しパターンを介して電気的に接続され
ているので、積層体５をメッキ浴に浸漬・通電すると、
光硬化性材１６の残存している硬化部分１９をメッキレ
ジストとして、表層部絶縁体層３ａ上の外部に表出して
いるＣｕ薄層３ｂに電解Ｎｉ／Ａｕメッキ層２２が形成
でき、また、同時に、電気的に接続されているワイヤボ
ンディング用導体パターン７に電解Ｎｉ／Ａｕメッキ層
２１を形成できる。ここで、電解メッキは、従来の同様
のパッケージにおける導体パターンの場合と同じく、先
に、Ｎｉメッキで下地処理した後、Ａｕメッキ処理す
る。

【００２１】−表層部導体パターン形成工程− 本工程は、表層部絶縁体層３ａ上のＣｕ薄層３ｂのう
ち、前記電解メッキ処理工程で電解Ｎｉ／Ａｕメッキし
ていない光硬化性材１６の硬化部分１９と、この硬化部
分１９で覆われた部分のＣｕ薄層３ｂを除去して表層部
導体パターンを形成する工程である（図４(g) 〜図４
(h) 、図２(h) 参照）。光硬化性材１６の硬化部分１９
は、これを剥離することによって容易に除去でき、硬化
部分１９で覆われた部分のＣｕ薄層３ｂは、光硬化性材
１６の硬化部分１９を剥離した後、前記電解Ｎｉ／Ａｕ
メッキ層２２をエッチングレジストにしてエッチング処
理することで除去できる。これによって、表層部絶縁体
層３ａ上に、表面に電解Ｎｉ／Ａｕメッキ層２２を有す
る表層部導体パターン（ワイヤボンディング用導体パタ
ーン８とボールパッド１２）が形成できる。

【００２２】ところで、以上の工程を経て、電解Ｎｉ／
Ａｕメッキ層２２を有する表層部導体パターン（ワイヤ
ボンディング用導体パターン８とボールパッド１２）
と、電解Ｎｉ／Ａｕメッキ層２１を有するワイヤボンデ
ィング用導体パターン７を形成し、かつ裏面に放熱用銅
板９を備えた積層体５は、次に、その表面に、図１に示
すように、所定のダム３０および半田マスク３１を形成
し、またボールパッド１２に半田ボール３２を接合する
ことで、ボールグリッドアレイタイプ（ＢＧＡ）の多段
キャビティ付プラスチックパッケージを作成することが
できる。

【００２３】そして、本実施形態のボールグリッドアレ
イタイプ（ＢＧＡ）の多段キャビティ付プラスチックパ
ッケージの製造方法の場合、該パッケージの表層部絶縁
体層３ａ上のＣｕ薄層３ｂに表層部表面導体パターン
８，１２を形成する前段階で、Ｃｕ薄層３ｂを電解メッ
キ用端子とし、表層部表面導体パターン８，１２となる
部分に電解メッキ処理することにより、Ｃｕ薄層３ｂと
電気的に接続されているワイヤボンディング用導体パタ
ーン７等のように外部に表出した内層部絶縁体層２ａ上
の内層部導体パターン１４ｂについても同時に電解Ｎｉ
／Ａｕメッキ処理することができる。これに対して、従
来のパッケージの製造方法の場合、外部に表出した内層
部絶縁体層上の内層部導体パターンの電解Ｎｉ／Ａｕメ
ッキするためには、別途、複数本の電解メッキ処理用引
き出しパターン（パッド）を、隣接するボールパッド等
の表層部導体パターン間に形成する必要があるため、パ
ッケージにおける導体パターンのパターン密度を高密度
化ができなかった。しかし、本実施形態の製造方法にお
いては、電解Ｎｉ／Ａｕメッキ処理した表層部表面導体
パターンの形成と、外部に表出する内層部表面導体パタ
ーンへの電解Ｎｉ／Ａｕメッキ処理を、該表層部表面導
体パターン形成のためのＣｕ薄層３ｂを電極端子として
利用するので、前記電解メッキ処理用引き出しパターン
（パッド）が不要であり、配線の高密度化ができ、かつ
電解メッキ処理を行えるので、ボールパッドに接合した
半田ボールのボールシェア強度を安定化することができ
る。

【００２４】なお、本発明は、上述した実施形態に限定
されるものでなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で変
形、実施できる。因みに、前記電解メッキは、電解Ｎｉ
メッキした後、電解Ａｕメッキするというものでなく、
他の電解金属メッキを用いてもよい。また、内層部導体
パターンの形成は、フォトリソグラフィ法、あるいは酸
化処理などによっても形成できる。また、該内層部導体
パターンの接合性を良好にするために黒化処理している
が、これに代えて、無電解メッキ処理を利用することも
できる。また、前述した実施形態では、パッケージとし
て、多段キャビティ付プラスチックパッケージについて
説明したが、多層パッケージで、内層部絶縁体層に形成
してある導体パターンの一部が外部に表出している形態
であれば、どのような形態のパッケージであっても本発
明を適用することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施形態を示す電子部品用パッケー
ジの拡大した部分断面図である。

【図２】 電子部品用パッケージの製造工程図である。

【図３】 内層部導体パターンの形成工程図である。

【図４】 表層部導体パターン（ボールパッドおよび／
またはワイヤボンディング用導体パターン）の形成工程
図である。

【符号の説明】

１・・・多段キャビティ付プラスチックパッケージ、２
・・・内層部絶縁体層用基材、２ａ・・・内層部絶縁体
層、２ｂ，２ｃ・・・Ｃｕ薄層、３・・・表層部絶縁体
層用基材、３ａ・・・表層部絶縁体層、３ｂ，３ｃ・・
・Ｃｕ薄層、４，４ａ，４ａ′，４ｂ・・・接着材（プ
リプレグ）、５・・・積層体、６・・・キャビティ部、
６ａ・・・キャビティ部６の周縁、７，８・・・ワイヤ
ボンディング用導体パターン、９・・・放熱用銅板（ヒ
ートスラグ）、１０・・・接着材（プリプレグ）、１１
・・・チップ搭載部、１２・・・ボールパッド、１３・
・・垂直方向導体パターン（導体ビア）、１４・・・水
平方向導体パターン、１４ａ・・・表層部表面導体パタ
ーン、１４ｃ・・・内層部表面導体パターン、１５・・
・レジストパターン、１６・・・光硬化性材、１７・・
・露光マスク、１８・・・スルーホールビア、１９・・
・光硬化性材１６の残存している硬化部分、２０・・・
外周溝、２０ａ・・・溝の外側縁、２１，２２・・・電
解Ｎｉ／Ａｕメッキ層、３０・・・ダム、３１・・・半
田マスク、３２・・・半田ボール

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 外部に表出している表層部導体パターン
   を備えた表層部絶縁体層と、一部が外部に表出している
   内層部導体パターンを備えた内層部絶縁体層を有する電
   子部品用パッケージの製造方法において、 表面に導体パターン形成用材料層、内部に垂直方向導体
   パターンを備え、該パッケージの表層部を形成する表層
   部絶縁体層用基材を準備する工程と、 表面に内層部導体パターンを備え、該パッケージの内層
   部を形成する内層部絶縁体層用基材を準備する工程と、 該内層部絶縁体層用基材と該表層部絶縁体層用基材を接
   合して、内層部絶縁体層と表層部絶縁体層を備え、該内
   層部絶縁体層上の内層部導体パターンの一部が外部に表
   出し、かつ該外部に表出した内層部導体パターンと、該
   表層部絶縁体層の導体パターン形成用材料層を前記垂直
   方向導体パターンを介して電気的に接続した積層体を作
   成する工程と、 前記表層部絶縁体層上の導体パターン形成用材料層上
   に、前記表層部導体パターンの逆パターンのレジストパ
   ターンを形成する工程と、 該レジストパターンで覆われていない部分の導体パター
   ン形成用材料層と、前記内層部絶縁体層上の内層部導体
   パターンのうちで外部に表出している内層部導体パター
   ンとを電解メッキする工程と、 前記レジストパターンを取り除き、表層部絶縁体層上に
   前記電解メッキされた部分と、電解メッキされていない
   部分を備えた導体パターン材料層を表出させる工程と、 該電解メッキされていない部分を取り除いて、表層部絶
   縁体層上に電解メッキされた表層部導体パターンを形成
   する工程、 を有することを特徴とする電子部品用パッケージの製造
   方法。
2. 【請求項２】 前記レジストパターンを形成する工程
   が、前記積層体の表層部絶縁体層の導体パターン形成用
   材料層上に光硬化性材をコートし、該光硬化性材を前記
   表層部導体パターンと同じパターンを有する露光マスク
   を介して露光、硬化させた後、該光硬化性材の非硬化部
   分を取り除いて、前記表層部導体パターンの逆パターン
   の硬化して光硬化性材からなるレジストパターンを形成
   する工程からなる請求項１に記載の電子部品用パッケー
   ジの製造方法。
3. 【請求項３】 前記内層部導体パターンがワイヤボンデ
   ィング用導体パターンであり、前記表層部導体パターン
   がボールパッドおよび／またはワイヤボンディング用導
   体パターンである請求項１または２に記載の電子部品用
   パッケージの製造方法。