JPH11176882A - 半導体素子を含む電子回路装置 - Google Patents
半導体素子を含む電子回路装置Info
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- JPH11176882A JPH11176882A JP35233297A JP35233297A JPH11176882A JP H11176882 A JPH11176882 A JP H11176882A JP 35233297 A JP35233297 A JP 35233297A JP 35233297 A JP35233297 A JP 35233297A JP H11176882 A JPH11176882 A JP H11176882A
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- Japan
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- resin layer
- semiconductor element
- protective resin
- bump electrode
- circuit board
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1301—Thyristor
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 バンプ電極にクラックが生じて断線すること
がある。 【解決手段】 回路基板３上に配置されたバンプ電極１
を有する半導体素子２の本体部２ａと回路基板３との間
にエポキシ樹脂から成る第１の保護樹脂層５ａを設け
る。半導体素子２の本体部２ａの上面及び金属細線８の
接続部を覆うようにシリコ−ンラバ−から成る第２の保
護樹脂層６を設ける。回路基板３を金属支持板１１の上
に配置し、エポキシ樹脂から成る樹脂封止体１２で被覆
する。第１の保護樹脂層５ａの硬度を第２の保護樹脂層
６の硬度よりも大きくする。
がある。 【解決手段】 回路基板３上に配置されたバンプ電極１
を有する半導体素子２の本体部２ａと回路基板３との間
にエポキシ樹脂から成る第１の保護樹脂層５ａを設け
る。半導体素子２の本体部２ａの上面及び金属細線８の
接続部を覆うようにシリコ−ンラバ−から成る第２の保
護樹脂層６を設ける。回路基板３を金属支持板１１の上
に配置し、エポキシ樹脂から成る樹脂封止体１２で被覆
する。第１の保護樹脂層５ａの硬度を第２の保護樹脂層
６の硬度よりも大きくする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はバンプ電極（突起電極）
を有する半導体素子を含む電子回路装置に関する。
を有する半導体素子を含む電子回路装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１に示すようにバンプ電極１を備えた
半導体素子２を回路基板３上に搭載した電子回路装置は
公知である。半導体素子２はバンプ電極１を回路基板３
の配線導体４に半田付けすることによって取付けられ、
外部から水分等の異物が侵入することを防止するために
第１及び第２の保護樹脂層５、６によって被覆されてい
る。第１の保護樹脂層５はシリコーンゲルから成り、バ
ンプ電極１を被覆し且つ半導体素子２の本体部２ａの下
面と回路基板３との間を充填するように設けられてい
る。第２の保護樹脂層６はシリコーンラバーから成り、
半導体素子２の本体部２ａの上面及び第１の保護樹脂層
５を被覆すると共に高集積化のために半導体素子２の近
傍に配置された別の回路素子に接続された金属細線８の
接続部分も被覆するように形成されている。回路基板３
は上面に金属細線接続用の配線導体９を有し、下面に金
属層１０を有する。なお、半導体素子２の下面を含めて
全体を被覆するようにシリコーンラバーから成る第２の
保護樹脂層６を設けないのは、半導体素子２の下面にシ
リコーンラバーを注入すると、シリコーンラバーは比較
的大きな弾性を有するために半導体素子２を上方に持ち
上げてバンプ電極１を破断するおそれがあるためであ
る。また、半導体素子２の上面も含めて全体を被覆する
ようにシリコーンゲルから成る第１の保護樹脂層５を設
けないのは、シリコーンゲルはシリコーンラバーに比べ
て粘度が十分に小さいため、シリコーンゲルのみでは半
導体素子２の全体を良好に被覆することができないため
である。
半導体素子２を回路基板３上に搭載した電子回路装置は
公知である。半導体素子２はバンプ電極１を回路基板３
の配線導体４に半田付けすることによって取付けられ、
外部から水分等の異物が侵入することを防止するために
第１及び第２の保護樹脂層５、６によって被覆されてい
る。第１の保護樹脂層５はシリコーンゲルから成り、バ
ンプ電極１を被覆し且つ半導体素子２の本体部２ａの下
面と回路基板３との間を充填するように設けられてい
る。第２の保護樹脂層６はシリコーンラバーから成り、
半導体素子２の本体部２ａの上面及び第１の保護樹脂層
５を被覆すると共に高集積化のために半導体素子２の近
傍に配置された別の回路素子に接続された金属細線８の
接続部分も被覆するように形成されている。回路基板３
は上面に金属細線接続用の配線導体９を有し、下面に金
属層１０を有する。なお、半導体素子２の下面を含めて
全体を被覆するようにシリコーンラバーから成る第２の
保護樹脂層６を設けないのは、半導体素子２の下面にシ
リコーンラバーを注入すると、シリコーンラバーは比較
的大きな弾性を有するために半導体素子２を上方に持ち
上げてバンプ電極１を破断するおそれがあるためであ
る。また、半導体素子２の上面も含めて全体を被覆する
ようにシリコーンゲルから成る第１の保護樹脂層５を設
けないのは、シリコーンゲルはシリコーンラバーに比べ
て粘度が十分に小さいため、シリコーンゲルのみでは半
導体素子２の全体を良好に被覆することができないため
である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図１に示す
電子回路装置ではバンプ電極１にクラックが発生し断線
に至ることがあった。これはシリコ−ンラバ−の線膨張
係数が大きいことに起因すると考えられる。即ち、シリ
コ−ンラバ−から成る第２の保護樹脂層６は回路基板３
と樹脂封止体（図示せず）とで囲まれて密閉された状態
にあるため、樹脂封止体が例えば温度サイクル試験等で
高温（１２５℃以上）になることで第２の保護樹脂層６
が膨張すると、回路基板３と第２の保護樹脂層６とで挟
まれた半導体素子２に機械的応力が加わる。このため、
バンプ電極１が押しつぶされる。一方、樹脂封止体が低
温状態に置かれると、第２の保護樹脂層６が収縮し、半
導体素子２の保護樹脂層６による押さえ付けが解かれ
る。この押さえ付けと、その解除との繰り返しによって
バンプ電極１にクラックが発生し、最終的には断線に至
る。半導体素子に加わる機械的応力を開放するために、
樹脂封止体にその上面から第２の保護樹脂層６に通じる
孔を形成することが考えられる。この構造によれば、熱
膨張時に第２の保護樹脂層６がこの孔に侵入するので、
半導体素子２に加わる機械的応力を低減することができ
る。しかし、この構造では孔を通じて樹脂封止体の内部
に湿気等を取り込み易くなるため信頼性の点で問題があ
る。
電子回路装置ではバンプ電極１にクラックが発生し断線
に至ることがあった。これはシリコ−ンラバ−の線膨張
係数が大きいことに起因すると考えられる。即ち、シリ
コ−ンラバ−から成る第２の保護樹脂層６は回路基板３
と樹脂封止体（図示せず）とで囲まれて密閉された状態
にあるため、樹脂封止体が例えば温度サイクル試験等で
高温（１２５℃以上）になることで第２の保護樹脂層６
が膨張すると、回路基板３と第２の保護樹脂層６とで挟
まれた半導体素子２に機械的応力が加わる。このため、
バンプ電極１が押しつぶされる。一方、樹脂封止体が低
温状態に置かれると、第２の保護樹脂層６が収縮し、半
導体素子２の保護樹脂層６による押さえ付けが解かれ
る。この押さえ付けと、その解除との繰り返しによって
バンプ電極１にクラックが発生し、最終的には断線に至
る。半導体素子に加わる機械的応力を開放するために、
樹脂封止体にその上面から第２の保護樹脂層６に通じる
孔を形成することが考えられる。この構造によれば、熱
膨張時に第２の保護樹脂層６がこの孔に侵入するので、
半導体素子２に加わる機械的応力を低減することができ
る。しかし、この構造では孔を通じて樹脂封止体の内部
に湿気等を取り込み易くなるため信頼性の点で問題があ
る。
【０００４】そこで、本発明は、バンプ電極を有する半
導体素子を良好に保護することができると共に耐湿性等
にも優れ、電気的特性が長期間にわたって良好に得るこ
とができる電子回路装置を提供することを目的とする。
導体素子を良好に保護することができると共に耐湿性等
にも優れ、電気的特性が長期間にわたって良好に得るこ
とができる電子回路装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し、上記
目的を達成するための本発明は、バンプ電極を備えた半
導体素子と、回路基板と、第１及び第２の保護樹脂層
と、樹脂封止体とから成り、前記半導体素子の平板状の
本体部は前記バンプ電極によって前記回路基板の配線導
体に接続され、前記第１の保護樹脂層は、前記半導体素
子の前記バンプ電極を被覆し且つ前記半導体素子の前記
本体部の一方の主面と前記回路基板との間を充填するよ
うに設けられ、前記第２の保護樹脂層は、前記半導体素
子の前記本体部の他方の主面とを被覆するように設けら
れ、前記樹脂封止体は前記第２の保護樹脂層を介して前
記回路基板を覆うように設けられ、前記第１の保護樹脂
層は液状エポキシ樹脂に基づいて形成され、前記第２の
保護樹脂層はシリコ−ンラバ−（弾性を有するシリコ−
ン樹脂）から成り、前記第１の保護樹脂層は前記第２の
保護樹脂層よりも大きい硬度（かたさ）を有しているこ
とを特徴とする電子回路装置に係わるものである。な
お、本発明において、半導体素子とはトランジスタ、ダ
イオード、サイリスタ、集積回路、混成集積回路等の半
導体を含む全ての素子又は部品を意味する。また、電子
回路装置は、半導体集積回路装置、混成集積回路装置、
複合半導体素子、半導体装置等の種々の回路装置を意味
する。
目的を達成するための本発明は、バンプ電極を備えた半
導体素子と、回路基板と、第１及び第２の保護樹脂層
と、樹脂封止体とから成り、前記半導体素子の平板状の
本体部は前記バンプ電極によって前記回路基板の配線導
体に接続され、前記第１の保護樹脂層は、前記半導体素
子の前記バンプ電極を被覆し且つ前記半導体素子の前記
本体部の一方の主面と前記回路基板との間を充填するよ
うに設けられ、前記第２の保護樹脂層は、前記半導体素
子の前記本体部の他方の主面とを被覆するように設けら
れ、前記樹脂封止体は前記第２の保護樹脂層を介して前
記回路基板を覆うように設けられ、前記第１の保護樹脂
層は液状エポキシ樹脂に基づいて形成され、前記第２の
保護樹脂層はシリコ−ンラバ−（弾性を有するシリコ−
ン樹脂）から成り、前記第１の保護樹脂層は前記第２の
保護樹脂層よりも大きい硬度（かたさ）を有しているこ
とを特徴とする電子回路装置に係わるものである。な
お、本発明において、半導体素子とはトランジスタ、ダ
イオード、サイリスタ、集積回路、混成集積回路等の半
導体を含む全ての素子又は部品を意味する。また、電子
回路装置は、半導体集積回路装置、混成集積回路装置、
複合半導体素子、半導体装置等の種々の回路装置を意味
する。
【０００６】
【発明の作用及び効果】本発明は次の作用及び効果を有
する。液状エポキシ樹脂から成る第１の保護樹脂層が半
導体素子のバンプ電極を被覆し且つ半導体素子の本体部
の一方の主面と回路基板との間を充填しているので、温
度サイクルが多数繰り返されてもバンプ電極にクラック
が生じて断線することがない。即ち、液状エポキシから
成る第１の保護樹脂層は半導体素子と回路基板の両方に
対して良好に密着し、且つシリコンゲルやシリコ−ンラ
バ−から成る保護樹脂層に比べて硬度及び剛性が大きく
半導体素子に対して硬い台座として機能する。このた
め、第２の樹脂層の熱膨張によって半導体素子に対して
下向き（回路基板側に向う方向）の押さえ付けが加わっ
たとき、この応力を第１の保護樹脂層が支持し、バンプ
電極に大きな応力（圧縮力）が加わることが阻止され
る。この結果、バンプ電極のクラック及び破断が防止さ
れる。
する。液状エポキシ樹脂から成る第１の保護樹脂層が半
導体素子のバンプ電極を被覆し且つ半導体素子の本体部
の一方の主面と回路基板との間を充填しているので、温
度サイクルが多数繰り返されてもバンプ電極にクラック
が生じて断線することがない。即ち、液状エポキシから
成る第１の保護樹脂層は半導体素子と回路基板の両方に
対して良好に密着し、且つシリコンゲルやシリコ−ンラ
バ−から成る保護樹脂層に比べて硬度及び剛性が大きく
半導体素子に対して硬い台座として機能する。このた
め、第２の樹脂層の熱膨張によって半導体素子に対して
下向き（回路基板側に向う方向）の押さえ付けが加わっ
たとき、この応力を第１の保護樹脂層が支持し、バンプ
電極に大きな応力（圧縮力）が加わることが阻止され
る。この結果、バンプ電極のクラック及び破断が防止さ
れる。
【０００７】
【実施形態及び実施例】次に、図２を参照して本発明の
実施例に係わる電子回路装置を説明する。図２に示す電
子回路装置は混成集積回路であって、図１と同様に金属
突起から成るバンプ電極１を有する半導体素子２と例え
ばセラミックから成る絶縁性回路基板３と電子回路素子
７と内部リード細線としての金属細線８とを備えてい
る。半導体素子２のバンプ電極１は回路基板３上の配線
導体４に半田付けされている。即ち半導体素子２のＰＮ
接合等を含む平板状の本体部２ａの一方の主面が回路基
板３の主面に所定の間隔を有して対向するようにフェー
スダウンボンディングされている。例えば直径２００μ
ｍのＡｌワイヤから成る金属細線８の一端は半導体素子
２の近傍に配置された回路基板３上の配線導体９に周知
のワイヤボンディング法によってステッチボンディング
され、この他端は電子回路素子７の上面の電極にワイヤ
ボンディング法によってステッチボンディングされてい
る。
実施例に係わる電子回路装置を説明する。図２に示す電
子回路装置は混成集積回路であって、図１と同様に金属
突起から成るバンプ電極１を有する半導体素子２と例え
ばセラミックから成る絶縁性回路基板３と電子回路素子
７と内部リード細線としての金属細線８とを備えてい
る。半導体素子２のバンプ電極１は回路基板３上の配線
導体４に半田付けされている。即ち半導体素子２のＰＮ
接合等を含む平板状の本体部２ａの一方の主面が回路基
板３の主面に所定の間隔を有して対向するようにフェー
スダウンボンディングされている。例えば直径２００μ
ｍのＡｌワイヤから成る金属細線８の一端は半導体素子
２の近傍に配置された回路基板３上の配線導体９に周知
のワイヤボンディング法によってステッチボンディング
され、この他端は電子回路素子７の上面の電極にワイヤ
ボンディング法によってステッチボンディングされてい
る。
【０００８】この実施例においても、バンプ電極１を囲
み且つ半導体素子２の本体部２ａと回路基板３との間を
充填するように第１の保護樹脂層５ａが設けられ、ま
た、半導体素子２の本体部２ａの上面と第１の保護樹脂
層５ａと少なくとも金属細線８の配線導体９に対する接
続部を被覆するように第２の保護樹脂層６が設けられて
いる。しかし、この第１の保護樹脂層５ａの材料及び製
造方法が図１の従来の第１の保護樹脂層５と相違してい
る。本実施例の第１の保護樹脂層５ａは第２の保護樹脂
層６を形成するためのシリコ−ンラバ−に比べて粘度が
低く、従来の第１の保護樹脂層５を形成するシリコ−ン
ゲルに近い粘度を有する液状エポキシ樹脂を半導体素子
２の本体部２ａと回路基板３との間に充填し、しかる
後、硬化することによって形成したものである。また、
硬化した後において、第１の保護樹脂層５ａの硬度及び
剛性は第２の保護樹脂層６及び従来の第１の保護樹脂層
５のこれ等よりも大きい。このため第１の保護樹脂層５
ａは硬化前においては、半導体素子２と回路基板３との
対向する比較的狭い領域に良好に注入してこれを充填す
ることができ、硬化後においてはバンプ電極１を押し付
け力から保護するための台座として良好に機能する。
み且つ半導体素子２の本体部２ａと回路基板３との間を
充填するように第１の保護樹脂層５ａが設けられ、ま
た、半導体素子２の本体部２ａの上面と第１の保護樹脂
層５ａと少なくとも金属細線８の配線導体９に対する接
続部を被覆するように第２の保護樹脂層６が設けられて
いる。しかし、この第１の保護樹脂層５ａの材料及び製
造方法が図１の従来の第１の保護樹脂層５と相違してい
る。本実施例の第１の保護樹脂層５ａは第２の保護樹脂
層６を形成するためのシリコ−ンラバ−に比べて粘度が
低く、従来の第１の保護樹脂層５を形成するシリコ−ン
ゲルに近い粘度を有する液状エポキシ樹脂を半導体素子
２の本体部２ａと回路基板３との間に充填し、しかる
後、硬化することによって形成したものである。また、
硬化した後において、第１の保護樹脂層５ａの硬度及び
剛性は第２の保護樹脂層６及び従来の第１の保護樹脂層
５のこれ等よりも大きい。このため第１の保護樹脂層５
ａは硬化前においては、半導体素子２と回路基板３との
対向する比較的狭い領域に良好に注入してこれを充填す
ることができ、硬化後においてはバンプ電極１を押し付
け力から保護するための台座として良好に機能する。
【０００９】半導体素子２が固着された回路基板３は放
熱性を有する金属支持板１１の上に配置され、この下面
の金属層１０が半田（導電性接合材）１２によって支持
板１１に結合され、これ等はエポキシ樹脂から成る樹脂
封止体１３によって一体に成形されている。樹脂封止体
１３は、回路基板３、第２の保護樹脂層６、電子回路素
子７、金属細線８及び支持板１１を覆うように金型を使
用した周知のトランスファモールドで形成されている。
なお、図２には示されていないが、回路基板３上の端子
（電極）を外部回路に接続するための外部リードも設け
られており、この外部リードと回路基板３の端子とが金
属細線（内部リード）で接続され、これも樹脂封止体１
３で被覆されている。樹脂封止体１３の硬度は第２の保
護樹脂層６の硬度よりも大きく、第１の保護樹脂層５ａ
の硬度と同一又はこれよりも大きいことが望ましい。
熱性を有する金属支持板１１の上に配置され、この下面
の金属層１０が半田（導電性接合材）１２によって支持
板１１に結合され、これ等はエポキシ樹脂から成る樹脂
封止体１３によって一体に成形されている。樹脂封止体
１３は、回路基板３、第２の保護樹脂層６、電子回路素
子７、金属細線８及び支持板１１を覆うように金型を使
用した周知のトランスファモールドで形成されている。
なお、図２には示されていないが、回路基板３上の端子
（電極）を外部回路に接続するための外部リードも設け
られており、この外部リードと回路基板３の端子とが金
属細線（内部リード）で接続され、これも樹脂封止体１
３で被覆されている。樹脂封止体１３の硬度は第２の保
護樹脂層６の硬度よりも大きく、第１の保護樹脂層５ａ
の硬度と同一又はこれよりも大きいことが望ましい。
【００１０】上記の本実施例の電子回路装置によれば、
第１の保護樹脂層５ａが台座として機能するため、バン
プ電極１のクラック及び断線を良好に防止することがで
きる。
第１の保護樹脂層５ａが台座として機能するため、バン
プ電極１のクラック及び断線を良好に防止することがで
きる。
【００１１】
【変形例】本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 図２では金属細線８を電子回路素子７に接続し
ているが、この代りに外部リード（図示せず）に接続す
ることができる。 （２） 第２の保護樹脂層６を電子回路素子７及び金属
細線８の全部を被覆するように形成することができる。 （３） 支持板１１の下面を樹脂封止体１２で被覆しな
いように構成することができる。
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 図２では金属細線８を電子回路素子７に接続し
ているが、この代りに外部リード（図示せず）に接続す
ることができる。 （２） 第２の保護樹脂層６を電子回路素子７及び金属
細線８の全部を被覆するように形成することができる。 （３） 支持板１１の下面を樹脂封止体１２で被覆しな
いように構成することができる。
【図１】従来の電子回路装置を示す断面図である。
【図２】本発明の実施例に係わる電子回路装置を示す断
面図である。
面図である。
１ バンプ電極 ２ 半導体素子 ３ 回路基板 ５ａ 第１の保護樹脂層 ６ 第２の保護樹脂層 ８ 金属細線 １１ 支持板 １３ 樹脂封止体
Claims (1)
- 【請求項１】 バンプ電極を備えた半導体素子と、回路
基板と、第１及び第２の保護樹脂層と、樹脂封止体とか
ら成り、 前記半導体素子の平板状の本体部は前記バンプ電極によ
って前記回路基板の配線導体に接続され、 前記第１の保護樹脂層は、前記半導体素子の前記バンプ
電極を被覆し且つ前記半導体素子の前記本体部の一方の
主面と前記回路基板との間を充填するように設けられ、 前記第２の保護樹脂層は、前記半導体素子の前記本体部
の他方の主面を被覆するように設けられ、 前記樹脂封止体は前記第２の保護樹脂層を介して前記回
路基板を覆うように設けられ、 前記第１の保護樹脂層は液状エポキシ樹脂に基づいて形
成され、 前記第２の保護樹脂層はシリコ−ンラバ−から成り、 前記第１の保護樹脂層は前記第２の保護樹脂層よりも大
きい硬度を有していることを特徴とする電子回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35233297A JP3147157B2 (ja) | 1997-12-05 | 1997-12-05 | 半導体素子を含む電子回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35233297A JP3147157B2 (ja) | 1997-12-05 | 1997-12-05 | 半導体素子を含む電子回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11176882A true JPH11176882A (ja) | 1999-07-02 |
| JP3147157B2 JP3147157B2 (ja) | 2001-03-19 |
Family
ID=18423340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35233297A Expired - Fee Related JP3147157B2 (ja) | 1997-12-05 | 1997-12-05 | 半導体素子を含む電子回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3147157B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008227348A (ja) * | 2007-03-15 | 2008-09-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| WO2014109208A1 (ja) * | 2013-01-11 | 2014-07-17 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8955418B2 (en) | 2013-03-08 | 2015-02-17 | Black & Decker Inc. | Threaded fastener driving tool |
-
1997
- 1997-12-05 JP JP35233297A patent/JP3147157B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP3147157B2 (ja) | 2001-03-19 |
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