JPH11176718A - 半導体装備の実時間制御方法 - Google Patents
半導体装備の実時間制御方法Info
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- JPH11176718A JPH11176718A JP15085598A JP15085598A JPH11176718A JP H11176718 A JPH11176718 A JP H11176718A JP 15085598 A JP15085598 A JP 15085598A JP 15085598 A JP15085598 A JP 15085598A JP H11176718 A JPH11176718 A JP H11176718A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 117
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B19/00—Programme-control systems
- G05B19/02—Programme-control systems electric
- G05B19/04—Programme control other than numerical control, i.e. in sequence controllers or logic controllers
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 工程不良発生を未然に防止して、どんな原因
により工程異常が発生したかを短時間内で正確に判断で
きるようにする。 【解決手段】 ホストコンピュータ内に半導体装備の稼
働及び製品の進行を自動に中止させることができるイン
タロックモジュールを構築して、計測工程で発生した計
測データがホストコンピュータに設定された最適の計測
データ及びメイン特定ルールに付合されない場合、これ
を通して実時間で単位工程が実施された半導体装備の稼
働中止、単位工程が完了された製品の進行中止、または
半導体装備の稼働中止と製品の進行中止とを同時に行う
ようにした半導体装備の実時間制御方法を提供する。
により工程異常が発生したかを短時間内で正確に判断で
きるようにする。 【解決手段】 ホストコンピュータ内に半導体装備の稼
働及び製品の進行を自動に中止させることができるイン
タロックモジュールを構築して、計測工程で発生した計
測データがホストコンピュータに設定された最適の計測
データ及びメイン特定ルールに付合されない場合、これ
を通して実時間で単位工程が実施された半導体装備の稼
働中止、単位工程が完了された製品の進行中止、または
半導体装備の稼働中止と製品の進行中止とを同時に行う
ようにした半導体装備の実時間制御方法を提供する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体生産装備を制
御する制御方法に係り、より詳細には計測データを利用
して各単位工程を実時間（Real Time)で制御できるよう
にした半導体装備の実時間制御方法に関する。
御する制御方法に係り、より詳細には計測データを利用
して各単位工程を実時間（Real Time)で制御できるよう
にした半導体装備の実時間制御方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程は、完製品を生産するた
め多数の単位工程ステップが要求されることにより、半
導体製造ラインには各単位工程を処理するため精密加工
が可能な多数の半導体装備（例えば、スパッタリング装
備、蝕刻装備等）が配置される。
め多数の単位工程ステップが要求されることにより、半
導体製造ラインには各単位工程を処理するため精密加工
が可能な多数の半導体装備（例えば、スパッタリング装
備、蝕刻装備等）が配置される。
【０００３】図６は従来の半導体装備制御方法を示す工
程順序図である。図示されるように、進行される工程が
該当ステップ別に最適の工程条件下で進行されたかを判
断する従来の一般的な半導体装備制御方法について説明
すると次のようになる。
程順序図である。図示されるように、進行される工程が
該当ステップ別に最適の工程条件下で進行されたかを判
断する従来の一般的な半導体装備制御方法について説明
すると次のようになる。
【０００４】多数ステップの工程を進行した後、計測工
程で単位工程結果生成された製品の特性値を計測し、そ
の計測工程で発生したデータがホストコンピュータ(Hos
t)のデータベース(Data Base)に格納されて、O/I PC(O
perator Interface PersonalComputer)の画面に実時間
モニタリングされる。O/I PCで電算作業を実行していた
作業者は、モニタリングされた計測データと作業初期に
設定された最適の計測データ値とを比較し、該当工程の
特性値が製品に正確に適用されたかを判断する。その
後、該当製品に不良が発生したことが確認されると、そ
の判断結果によって製品を不良処理／再処理するか、ま
たはメイン工程が進行された該当設備に処置を行い、不
良を予防する方式で工程制御が行われる。
程で単位工程結果生成された製品の特性値を計測し、そ
の計測工程で発生したデータがホストコンピュータ(Hos
t)のデータベース(Data Base)に格納されて、O/I PC(O
perator Interface PersonalComputer)の画面に実時間
モニタリングされる。O/I PCで電算作業を実行していた
作業者は、モニタリングされた計測データと作業初期に
設定された最適の計測データ値とを比較し、該当工程の
特性値が製品に正確に適用されたかを判断する。その
後、該当製品に不良が発生したことが確認されると、そ
の判断結果によって製品を不良処理／再処理するか、ま
たはメイン工程が進行された該当設備に処置を行い、不
良を予防する方式で工程制御が行われる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような従
来の方式により半導体装備を制御する場合、次に示すよ
うな問題点があった。
来の方式により半導体装備を制御する場合、次に示すよ
うな問題点があった。
【０００６】１．一連の単位工程を数回継続進行した
後、計測ステップで誤りが発見されると、作業者はどの
半導体装備でどんな工程を実行した時に問題が発生した
かを、ホストコンピュータに実時間モニタリングされた
計測データを利用して逆追跡することで問題が発生した
工程ステップを検索する。その後、このステップが実行
された半導体装備に一連の処理を行う方式で工程を進行
することにより、作業者が実時間モニタリングされた計
測データを分析して誤進行されたステップを発見する。
その後、このステップで発生した処理警報を現在進行中
である工程に反影するまでには長時間が所要される。し
たがって、作業が進行される間には工程条件が誤設定さ
れた該当半導体装備内で継続して各ステップ別に単位工
程が進行することになり、工程不良発生が防止できる機
会を失うという問題点があった。
後、計測ステップで誤りが発見されると、作業者はどの
半導体装備でどんな工程を実行した時に問題が発生した
かを、ホストコンピュータに実時間モニタリングされた
計測データを利用して逆追跡することで問題が発生した
工程ステップを検索する。その後、このステップが実行
された半導体装備に一連の処理を行う方式で工程を進行
することにより、作業者が実時間モニタリングされた計
測データを分析して誤進行されたステップを発見する。
その後、このステップで発生した処理警報を現在進行中
である工程に反影するまでには長時間が所要される。し
たがって、作業が進行される間には工程条件が誤設定さ
れた該当半導体装備内で継続して各ステップ別に単位工
程が進行することになり、工程不良発生が防止できる機
会を失うという問題点があった。
【０００７】ここで、誤設定された工程条件下で工程が
実行される場合として以下の場合がある。すなわち、例
えば、エンジニアの過失により特定ステップで最適の工
程条件ではない他の条件で工程条件が設定される場合、
半導体装備の工程条件値が誤入力された状態で継続ロッ
トを進行する場合、半導体装備自体の異常により最適の
工程条件設定値で工程状態を設定せず継続進行する場合
である。
実行される場合として以下の場合がある。すなわち、例
えば、エンジニアの過失により特定ステップで最適の工
程条件ではない他の条件で工程条件が設定される場合、
半導体装備の工程条件値が誤入力された状態で継続ロッ
トを進行する場合、半導体装備自体の異常により最適の
工程条件設定値で工程状態を設定せず継続進行する場合
である。
【０００８】２．半導体装備での工程制御が実時間で行
われなくて各該当単位工程が完了された後、すぐに不良
の有無が判断できないことにより、工程不良発生時にエ
ンジニアがその不良を解消するため正確な処理を行えな
いという問題点があった。
われなくて各該当単位工程が完了された後、すぐに不良
の有無が判断できないことにより、工程不良発生時にエ
ンジニアがその不良を解消するため正確な処理を行えな
いという問題点があった。
【０００９】本発明はこのような従来の技術の問題点を
解決するものであり、その目的は、ホストコンピュータ
内に半導体装備の稼働及び製品の進行を自動で中止させ
ることができるインタロックモジュールを構築する。そ
して、計測工程で発生した計測データがホストコンピュ
ータに設定された最適の計測データ及びメイン特定ルー
ルに適合しない場合、これを通して実時間で単位工程が
実施された半導体装備の稼働中止、単位工程が完了され
た製品の進行中止、または前記半導体装備の稼働中止と
製品の進行中止とを同時に行うことにより、不良発生を
未然に防止できるようにした半導体装備の実時間制御方
法を提供することにある。
解決するものであり、その目的は、ホストコンピュータ
内に半導体装備の稼働及び製品の進行を自動で中止させ
ることができるインタロックモジュールを構築する。そ
して、計測工程で発生した計測データがホストコンピュ
ータに設定された最適の計測データ及びメイン特定ルー
ルに適合しない場合、これを通して実時間で単位工程が
実施された半導体装備の稼働中止、単位工程が完了され
た製品の進行中止、または前記半導体装備の稼働中止と
製品の進行中止とを同時に行うことにより、不良発生を
未然に防止できるようにした半導体装備の実時間制御方
法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の本発明によれば、単位工程が完了された製品の特性値
である計測データがホストコンピュータに設定された最
適の計測データ範囲内に包含されるかを判断する段階
と、前記計測データが前記最適の計測データ範囲内に包
含されると前記計測データがメイン特定ルールを満足す
るかを第１判断する段階とを含む。また、前記第１判断
結果前記計測データが前記メイン特定ルールを満足する
と前記単位工程が進行された半導体装備を正常稼働させ
る段階と、前記第１判断結果前記計測データが前記メイ
ン特定ルールを満足しないと前記単位工程が進行された
半導体装備の稼働と前記製品の進行とを同時に中止させ
る段階とを含む。さらに、前記計測データが前記最適の
計測データ範囲内に包含されないと前記単位工程が完了
された製品の進行を中止させる段階と、前記単位工程が
完了された製品の進行を中止させた後前記計測データが
前記メイン特定ルールを満足するかを第２判断する段階
とを含む。また、前記第２判断結果前記報告された計測
データが前記メイン特定ルールを満足すると前記単位工
程が進行された半導体装備を正常稼働させる段階と、前
記第２判断結果前記報告された計測データが前記メイン
特定ルールを満足しないと前記単位工程が進行された半
導体装備の稼働を中止させる段階とを含む。
の本発明によれば、単位工程が完了された製品の特性値
である計測データがホストコンピュータに設定された最
適の計測データ範囲内に包含されるかを判断する段階
と、前記計測データが前記最適の計測データ範囲内に包
含されると前記計測データがメイン特定ルールを満足す
るかを第１判断する段階とを含む。また、前記第１判断
結果前記計測データが前記メイン特定ルールを満足する
と前記単位工程が進行された半導体装備を正常稼働させ
る段階と、前記第１判断結果前記計測データが前記メイ
ン特定ルールを満足しないと前記単位工程が進行された
半導体装備の稼働と前記製品の進行とを同時に中止させ
る段階とを含む。さらに、前記計測データが前記最適の
計測データ範囲内に包含されないと前記単位工程が完了
された製品の進行を中止させる段階と、前記単位工程が
完了された製品の進行を中止させた後前記計測データが
前記メイン特定ルールを満足するかを第２判断する段階
とを含む。また、前記第２判断結果前記報告された計測
データが前記メイン特定ルールを満足すると前記単位工
程が進行された半導体装備を正常稼働させる段階と、前
記第２判断結果前記報告された計測データが前記メイン
特定ルールを満足しないと前記単位工程が進行された半
導体装備の稼働を中止させる段階とを含む。
【００１１】ここで、前記メイン特定ルールとは、SPC
(Statistic Process Control)で使用される最大規格の
管理限界離脱線である上限値〜下限値(Upper Value〜Lo
wer Value)を示す。
(Statistic Process Control)で使用される最大規格の
管理限界離脱線である上限値〜下限値(Upper Value〜Lo
wer Value)を示す。
【００１２】本発明の一変形例によると、前記第１判断
結果、前記計測データが前記メイン特定ルールを満足す
ると、前記半導体装備を正常稼働させる段階以前に前記
計測データがサブ特定ルールを満足するかを第３判断す
る段階をさらに含む。そして、前記サブ特定ルールを満
足しないと、前記製品の進行中止と前記半導体装備の稼
働中止とを同時に実施して、前記第２判断結果、前記計
測データが前記メイン特定ルールを満足すると、前記半
導体装備を正常稼働させる段階以前に前記計測データが
サブ特定ルールを満足するかを第４判断する段階をさら
に含む。その結果、前記サブ特定ルールを満足しないと
前記半導体装備の稼働中止を実施する。
結果、前記計測データが前記メイン特定ルールを満足す
ると、前記半導体装備を正常稼働させる段階以前に前記
計測データがサブ特定ルールを満足するかを第３判断す
る段階をさらに含む。そして、前記サブ特定ルールを満
足しないと、前記製品の進行中止と前記半導体装備の稼
働中止とを同時に実施して、前記第２判断結果、前記計
測データが前記メイン特定ルールを満足すると、前記半
導体装備を正常稼働させる段階以前に前記計測データが
サブ特定ルールを満足するかを第４判断する段階をさら
に含む。その結果、前記サブ特定ルールを満足しないと
前記半導体装備の稼働中止を実施する。
【００１３】本発明の他の変形例によると、前記実施例
は前記第１判断結果、前記計測データが前記メイン特定
ルールを満足すると、前記半導体装備を正常稼働させる
段階以前に前記計測データがサブ特定ルールを満足する
かを第３判断する段階をさらに含む。そして、前記サブ
特定ルールを満足しないと前記製品の進行中止と前記半
導体装備の稼働中止とが同時に行われるように進行する
こともできる。
は前記第１判断結果、前記計測データが前記メイン特定
ルールを満足すると、前記半導体装備を正常稼働させる
段階以前に前記計測データがサブ特定ルールを満足する
かを第３判断する段階をさらに含む。そして、前記サブ
特定ルールを満足しないと前記製品の進行中止と前記半
導体装備の稼働中止とが同時に行われるように進行する
こともできる。
【００１４】また、本発明の他の変形例によると、前記
実施例は前記第２判断結果、前記計測データが前記メイ
ン特定ルールを満足すると前記半導体装備を正常稼働さ
せる段階以前に前記計測データがサブ特定ルールを満足
するかを第４判断する段階をさらに含む。そして、前記
サブ特定ルールを満足しないと前記製品の稼働中止とが
行われるように進行することもできる。
実施例は前記第２判断結果、前記計測データが前記メイ
ン特定ルールを満足すると前記半導体装備を正常稼働さ
せる段階以前に前記計測データがサブ特定ルールを満足
するかを第４判断する段階をさらに含む。そして、前記
サブ特定ルールを満足しないと前記製品の稼働中止とが
行われるように進行することもできる。
【００１５】ここで、前記サブ特定ルールとはＳＰＣで
使用される一般的な管理限界離脱線を示し、本実施例に
適用されるルールとしては、２／３ルール、４／５ルー
ル、５トレンドルールとがある。
使用される一般的な管理限界離脱線を示し、本実施例に
適用されるルールとしては、２／３ルール、４／５ルー
ル、５トレンドルールとがある。
【００１６】前記のように半導体装備での工程を制御し
た結果、計測データを利用して単位工程の実時間制御が
可能になることにより、該当工程が該当ステップの最適
の工程雰囲気下で進行されたかを計測工程が完了される
とすぐ判断できるようになるので、不良発生を未然に防
止できる。
た結果、計測データを利用して単位工程の実時間制御が
可能になることにより、該当工程が該当ステップの最適
の工程雰囲気下で進行されたかを計測工程が完了される
とすぐ判断できるようになるので、不良発生を未然に防
止できる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
による好ましい実施の形態について詳細に説明する。図
１は本発明による半導体装備の実施の形態である制御シ
ステムを概略的に示すブロック図である。
による好ましい実施の形態について詳細に説明する。図
１は本発明による半導体装備の実施の形態である制御シ
ステムを概略的に示すブロック図である。
【００１８】図示されるように、このブロック図におい
て、図面符号１は各ステップ別単位工程を実行する半導
体装備(Equipment）を示す。また、図面符号３は、各ス
テップ別に設定された最適の計測データが格納された半
導体装備の稼働及び製品の進行を自動で中止させるイン
タロックモジュール(Interlock Module)５が構築された
ホストコンピュータを示す。ここでは、半導体装備１と
ホストコンピュータ３との間はオンライン(On Line) で
接続され、ホストコンピュータ３のインタロックモジュ
ール５は半導体装備１と円滑なデータ送受信が可能であ
る。
て、図面符号１は各ステップ別単位工程を実行する半導
体装備(Equipment）を示す。また、図面符号３は、各ス
テップ別に設定された最適の計測データが格納された半
導体装備の稼働及び製品の進行を自動で中止させるイン
タロックモジュール(Interlock Module)５が構築された
ホストコンピュータを示す。ここでは、半導体装備１と
ホストコンピュータ３との間はオンライン(On Line) で
接続され、ホストコンピュータ３のインタロックモジュ
ール５は半導体装備１と円滑なデータ送受信が可能であ
る。
【００１９】図２及び図３は図１の半導体装備制御シス
テムに適用される半導体装備の実時間制御方法を説明す
るための工程順序図である。以下、図２及び図３を参照
してその制御方法について具体的に説明する。
テムに適用される半導体装備の実時間制御方法を説明す
るための工程順序図である。以下、図２及び図３を参照
してその制御方法について具体的に説明する。
【００２０】Ｓ１０段階では、単位工程で完了された製
品の特性値である計測データが、ホストコンピュータに
既に設定された最適の計測データの範囲内に包含される
か否かを判断する。Ｓ１０段階を４段階（Ｓ１２段階、
Ｓ１４段階、Ｓ１６段階、Ｓ１８段階）に分割してより
詳細に説明すると次のようになる。
品の特性値である計測データが、ホストコンピュータに
既に設定された最適の計測データの範囲内に包含される
か否かを判断する。Ｓ１０段階を４段階（Ｓ１２段階、
Ｓ１４段階、Ｓ１６段階、Ｓ１８段階）に分割してより
詳細に説明すると次のようになる。
【００２１】まず、Ｓ１２段階では、ステップ別に製造
される製品の最適特性値に該当する最適の計測データを
ホストコンピュータの記憶装置内に設定する。Ｓ１４段
階では、約２０〜２５枚のウェハがローディングされて
いる単位ロットを半導体装備内に装着して単位工程を進
行する。Ｓ１６段階では、単位工程の結果製造された製
品の特性値を計測して製品の特性値に該当する計測デー
タをホストコンピュータに報告する。
される製品の最適特性値に該当する最適の計測データを
ホストコンピュータの記憶装置内に設定する。Ｓ１４段
階では、約２０〜２５枚のウェハがローディングされて
いる単位ロットを半導体装備内に装着して単位工程を進
行する。Ｓ１６段階では、単位工程の結果製造された製
品の特性値を計測して製品の特性値に該当する計測デー
タをホストコンピュータに報告する。
【００２２】Ｓ１８段階では、報告された計測データが
ホストコンピュータの記憶装置内に格納された該当ステ
ップの最適の計測データ範囲内に包含されるかを判断す
る。ここで、ホストコンピュータに格納された最適の計
測データとは製品に影響を及ぼさない許容可能な最大限
のデータ規格範囲である。報告された計測データがホス
トコンピュータに格納された最適の計測データ範囲内に
包含されていれば、Ｓ２０段階では報告された計測デー
タがメイン特定ルールを満足するか第１判断する。
ホストコンピュータの記憶装置内に格納された該当ステ
ップの最適の計測データ範囲内に包含されるかを判断す
る。ここで、ホストコンピュータに格納された最適の計
測データとは製品に影響を及ぼさない許容可能な最大限
のデータ規格範囲である。報告された計測データがホス
トコンピュータに格納された最適の計測データ範囲内に
包含されていれば、Ｓ２０段階では報告された計測デー
タがメイン特定ルールを満足するか第１判断する。
【００２３】ここで、メイン特定ルールとは、ＳＰＣで
使用される最大規格の管理限界離脱線（例えば、最大上
限値〜最小下限値）を示している。この管理限界離脱線
は、単位工程進行結果、製作された製品の特性を測定し
た計測データにより統計的に計算された値で、工程の変
化を表す指標である。即ち、その管理限界離脱線を離脱
したということは、その工程を進行した設備に異常が発
生していると判断できる。
使用される最大規格の管理限界離脱線（例えば、最大上
限値〜最小下限値）を示している。この管理限界離脱線
は、単位工程進行結果、製作された製品の特性を測定し
た計測データにより統計的に計算された値で、工程の変
化を表す指標である。即ち、その管理限界離脱線を離脱
したということは、その工程を進行した設備に異常が発
生していると判断できる。
【００２４】また、このように報告された計測データが
ホストコンピュータに設定された最適の計測データ範囲
に包含されても、計測データがメイン特定ルールを満足
するかを判断する理由を以下に示す。即ち、半導体装備
に異常が発生したにもかかわらず該当ステップ別最適の
工程条件下で該当単位工程が進行されて、工程完了後に
測定された計測データが最適の計測データ範囲内に包含
されると、現計測工程では製品が不良判定されなかった
としても後続工程進行時にはその原因により工程不良が
発生する可能性が高くなる。このため、不良が発生する
可能性が高い製品または異常が発生した半導体装備を、
各々既に正常製品及び正常稼働半導体装備と選別するこ
とにより、不良発生を未然に防止する必要があるからで
ある。
ホストコンピュータに設定された最適の計測データ範囲
に包含されても、計測データがメイン特定ルールを満足
するかを判断する理由を以下に示す。即ち、半導体装備
に異常が発生したにもかかわらず該当ステップ別最適の
工程条件下で該当単位工程が進行されて、工程完了後に
測定された計測データが最適の計測データ範囲内に包含
されると、現計測工程では製品が不良判定されなかった
としても後続工程進行時にはその原因により工程不良が
発生する可能性が高くなる。このため、不良が発生する
可能性が高い製品または異常が発生した半導体装備を、
各々既に正常製品及び正常稼働半導体装備と選別するこ
とにより、不良発生を未然に防止する必要があるからで
ある。
【００２５】一方、報告された計測データがホストコン
ピュータに格納された最適の計測データ範囲を離脱する
と、Ｓ３０段階ではホストコンピュータに構築されたイ
ンタロックモジュール５を利用して製品の進行を中止さ
せる。また、報告された計測データが前記メイン特定ル
ールを満足するかに対するＳ２０段階での判断結果、メ
イン特定ルールを満足すると、Ｓ４０段階では半導体装
備を正常稼働させて次の工程を進行する。
ピュータに格納された最適の計測データ範囲を離脱する
と、Ｓ３０段階ではホストコンピュータに構築されたイ
ンタロックモジュール５を利用して製品の進行を中止さ
せる。また、報告された計測データが前記メイン特定ル
ールを満足するかに対するＳ２０段階での判断結果、メ
イン特定ルールを満足すると、Ｓ４０段階では半導体装
備を正常稼働させて次の工程を進行する。
【００２６】逆に、メイン特定ルールを満足しないと、
Ｓ５０段階ではホストコンピュータに構築されたインタ
ロックモジュール５を通して製品の進行及び半導体装備
稼働を中止させる。ここで、メイン特定ルールを満足し
ない場合とは、最大上限値〜最小下限値間の範囲内に計
測データが存在しない場合である。
Ｓ５０段階ではホストコンピュータに構築されたインタ
ロックモジュール５を通して製品の進行及び半導体装備
稼働を中止させる。ここで、メイン特定ルールを満足し
ない場合とは、最大上限値〜最小下限値間の範囲内に計
測データが存在しない場合である。
【００２７】次に、Ｓ６０段階では、エンジニアにより
稼働が中止された前記半導体装備に一連の処理を行って
異常発生を解決すると、半導体装備は次の工程に進行で
きるようになる。Ｓ７０段階では、前記Ｓ３０段階での
製品進行中止後、前記報告された計測データがメイン特
定ルールを満足するかを第２判断する。
稼働が中止された前記半導体装備に一連の処理を行って
異常発生を解決すると、半導体装備は次の工程に進行で
きるようになる。Ｓ７０段階では、前記Ｓ３０段階での
製品進行中止後、前記報告された計測データがメイン特
定ルールを満足するかを第２判断する。
【００２８】このように、工程進行が中止された製品に
対して報告された計測データがメイン特定ルールを満足
するかを判断する理由は、計測工程で発生した計測デー
タは工程進行方式（例えばバッチタイプで工程を進行し
たかまたはシングルタイプで工程を進行したか等）によ
って、多様な性格を持つ。したがって、計測データが最
適計測データ範囲を離脱しても製品に重大な影響を及ぼ
さないものはインタロック対象から除外させる必要があ
るからである。
対して報告された計測データがメイン特定ルールを満足
するかを判断する理由は、計測工程で発生した計測デー
タは工程進行方式（例えばバッチタイプで工程を進行し
たかまたはシングルタイプで工程を進行したか等）によ
って、多様な性格を持つ。したがって、計測データが最
適計測データ範囲を離脱しても製品に重大な影響を及ぼ
さないものはインタロック対象から除外させる必要があ
るからである。
【００２９】Ｓ７０段階で報告された計測データがメイ
ン特定ルールを満足するか判断した結果、メイン特定ル
ールを満足すると、Ｓ８０段階では半導体装備を正常稼
働させて次の工程を進行する。反面、メイン特定ルール
を満足しないと、Ｓ９０段階ではホストコンピュータに
構築されたインタロックモジュール５を通して半導体装
備の稼働を中止させる。
ン特定ルールを満足するか判断した結果、メイン特定ル
ールを満足すると、Ｓ８０段階では半導体装備を正常稼
働させて次の工程を進行する。反面、メイン特定ルール
を満足しないと、Ｓ９０段階ではホストコンピュータに
構築されたインタロックモジュール５を通して半導体装
備の稼働を中止させる。
【００３０】次に、Ｓ１００段階では、エンジニアが稼
働を中止した半導体装備に一連の処理を行って異常発生
を解決すると、半導体装備が次の工程に進行できるよう
になる。このとき、Ｓ６０段階とＳ１００段階で半導体
装備に取られた一連の処理情報は、処理作業時毎にホス
トコンピュータに自動格納される。このように処理情報
を自動格納させる理由は、以後半導体装備での工程制御
時インタロックオプション(Interlock Option)に反映す
る重要ファクター(Factor)をサーチする時利用するため
である。
働を中止した半導体装備に一連の処理を行って異常発生
を解決すると、半導体装備が次の工程に進行できるよう
になる。このとき、Ｓ６０段階とＳ１００段階で半導体
装備に取られた一連の処理情報は、処理作業時毎にホス
トコンピュータに自動格納される。このように処理情報
を自動格納させる理由は、以後半導体装備での工程制御
時インタロックオプション(Interlock Option)に反映す
る重要ファクター(Factor)をサーチする時利用するため
である。
【００３１】以上のような全ての段階は全ての工程が完
了されるまで反復的に進行される。そして、稼働が中止
された半導体装備はすぐ作業者またはエンジニアに知ら
せるため、半導体装備及びホストコンピュータとオンラ
イン(On Line）接続されたＯ／Ｉコンピュータの画面
に、警報発生有無に関する情報を表示して迅速に対応で
きるようにする。
了されるまで反復的に進行される。そして、稼働が中止
された半導体装備はすぐ作業者またはエンジニアに知ら
せるため、半導体装備及びホストコンピュータとオンラ
イン(On Line）接続されたＯ／Ｉコンピュータの画面
に、警報発生有無に関する情報を表示して迅速に対応で
きるようにする。
【００３２】図４及び図５は図２及び図３の本実施の形
態の一変形例を示す工程順序図である。図示されるよう
に、本発明の一変形例は、Ｓ２０段階とＳ４０段階間、
また、Ｓ７０段階とＳ８０段階間で報告された計測デー
タがサブ特定ルールを満足するかを判断するＳ１１０段
階とＳ１２０段階とをさらに含む方式により半導体装備
を制御する。これについて具体的に説明すると次のよう
である。
態の一変形例を示す工程順序図である。図示されるよう
に、本発明の一変形例は、Ｓ２０段階とＳ４０段階間、
また、Ｓ７０段階とＳ８０段階間で報告された計測デー
タがサブ特定ルールを満足するかを判断するＳ１１０段
階とＳ１２０段階とをさらに含む方式により半導体装備
を制御する。これについて具体的に説明すると次のよう
である。
【００３３】Ｓ２０段階での第１判断結果、計測データ
がメイン特定ルールを満足すると、半導体装備を正常稼
働させるＳ４０段階以前に報告された計測データがサブ
特定ルールを満足するかを第３判断するＳ１１０段階を
さらに含む。サブ特定ルールを満足しないと、製品の進
行中止と前記半導体装備の稼働中止とが同時に行われる
ようにする。そして、Ｓ７０段階での第２判断結果、計
測データがメイン特定ルールを満足すると、半導体装備
を正常稼働させる段階以前に計測データがサブ特定ルー
ルを満足するかを第４判断する段階をさらに含む。その
結果、サブ特定ルールを満足しないと半導体装備の稼働
中止が行われるように半導体装備を実時間で制御する。
がメイン特定ルールを満足すると、半導体装備を正常稼
働させるＳ４０段階以前に報告された計測データがサブ
特定ルールを満足するかを第３判断するＳ１１０段階を
さらに含む。サブ特定ルールを満足しないと、製品の進
行中止と前記半導体装備の稼働中止とが同時に行われる
ようにする。そして、Ｓ７０段階での第２判断結果、計
測データがメイン特定ルールを満足すると、半導体装備
を正常稼働させる段階以前に計測データがサブ特定ルー
ルを満足するかを第４判断する段階をさらに含む。その
結果、サブ特定ルールを満足しないと半導体装備の稼働
中止が行われるように半導体装備を実時間で制御する。
【００３４】一方、本発明の他の実施の形態として、Ｓ
２０段階と半導体装備を正常稼働させるＳ４０段階の間
に、報告された計測データがサブ特定ルールを満足する
かを判断するＳ１１０段階をさらに含むことで、半導体
装備を制御するようにしてもよい。また、Ｓ７０段階と
半導体装備を正常稼働させるＳ８０段階の間に報告され
た計測データがサブ特定ルールを満足するかを判断する
Ｓ１２０段階をさらに含んで半導体装備を制御すること
もできる。
２０段階と半導体装備を正常稼働させるＳ４０段階の間
に、報告された計測データがサブ特定ルールを満足する
かを判断するＳ１１０段階をさらに含むことで、半導体
装備を制御するようにしてもよい。また、Ｓ７０段階と
半導体装備を正常稼働させるＳ８０段階の間に報告され
た計測データがサブ特定ルールを満足するかを判断する
Ｓ１２０段階をさらに含んで半導体装備を制御すること
もできる。
【００３５】この場合、サブ特定ルールを満足するかに
対する判断を、Ｓ２０段階と半導体装備を正常稼働させ
るＳ４０段階間でだけ実施するか、またはＳ７０段階と
半導体装備を正常稼働させる段階Ｓ８０段階間でだけ実
施するかは、方法上の差があるだげで、その基本制御方
式においては上述の一変形例と同一に進行させるからそ
の部分に対する具体的な説明は省略する。
対する判断を、Ｓ２０段階と半導体装備を正常稼働させ
るＳ４０段階間でだけ実施するか、またはＳ７０段階と
半導体装備を正常稼働させる段階Ｓ８０段階間でだけ実
施するかは、方法上の差があるだげで、その基本制御方
式においては上述の一変形例と同一に進行させるからそ
の部分に対する具体的な説明は省略する。
【００３６】ここで、サブ特定ルールとは、ＳＰＣで使
用される一般的な管理限界離脱線を示すもので、本実施
の形態で適用される管理ルールとしては２／３ルール、
４／５ルール、トレンドルールがある。このとき、報告
された計測データがサブ特定ルールを満足するかを第３
及び第４判断するＳ１１０段階とＳ１２０段階は、どの
単位工程を進行したかによってその判断対象の選別に差
があるが、本発明の場合には以下に示す７通りの場合が
適用可能である。このように、多様な判断を経る理由は
誤判断により工程に悪影響が及ぶことを防止するためで
ある。
用される一般的な管理限界離脱線を示すもので、本実施
の形態で適用される管理ルールとしては２／３ルール、
４／５ルール、トレンドルールがある。このとき、報告
された計測データがサブ特定ルールを満足するかを第３
及び第４判断するＳ１１０段階とＳ１２０段階は、どの
単位工程を進行したかによってその判断対象の選別に差
があるが、本発明の場合には以下に示す７通りの場合が
適用可能である。このように、多様な判断を経る理由は
誤判断により工程に悪影響が及ぶことを防止するためで
ある。
【００３７】１．サブ特定ルールである２／３ルール、
４／５ルール、５トレンドルールを全て判断対象として
半導体装備を制御する場合。 ２．２／３ルールだけを判断対象として半導体装備を制
御する場合。 ３．４／５ルールだけを判断対象として半導体装備を制
御する場合。 ４．５トレンドルールだけを判断対象として半導体装備
を制御する場合。 ５．２／３ルールと４／５ルールとを判断対象として半
導体装備を制御する場合。 ６．２／３ルールと５トレンドルールとを判断対象とし
て半導体装備を制御する場合。 ７．４／５ルールと５トレンドルールとを判断対象とし
て半導体装備を制御する場合とがある。
４／５ルール、５トレンドルールを全て判断対象として
半導体装備を制御する場合。 ２．２／３ルールだけを判断対象として半導体装備を制
御する場合。 ３．４／５ルールだけを判断対象として半導体装備を制
御する場合。 ４．５トレンドルールだけを判断対象として半導体装備
を制御する場合。 ５．２／３ルールと４／５ルールとを判断対象として半
導体装備を制御する場合。 ６．２／３ルールと５トレンドルールとを判断対象とし
て半導体装備を制御する場合。 ７．４／５ルールと５トレンドルールとを判断対象とし
て半導体装備を制御する場合とがある。
【００３８】まず、上記した１〜７の場合がＳ１１０段
階に適用される場合について説明する。ここでは、一例
として１の場合について説明する。この場合、Ｓ１１０
段階は、Ｓ１１２段階、Ｓ１１４段階、Ｓ１１６段階に
分割でき、これを具体的に説明すると次のようになる。
階に適用される場合について説明する。ここでは、一例
として１の場合について説明する。この場合、Ｓ１１０
段階は、Ｓ１１２段階、Ｓ１１４段階、Ｓ１１６段階に
分割でき、これを具体的に説明すると次のようになる。
【００３９】Ｓ１１２段階では、報告された計測データ
がサブ特定ルールである２／３ルールを満足するかを判
断する。この判断結果、２／３ルールを満足するとＳ１
１４段階では報告された計測データがサブ特定ルールで
ある４／５ルールを満足するかを判断する。
がサブ特定ルールである２／３ルールを満足するかを判
断する。この判断結果、２／３ルールを満足するとＳ１
１４段階では報告された計測データがサブ特定ルールで
ある４／５ルールを満足するかを判断する。
【００４０】Ｓ１１４段階での判断結果４／５ルールを
満足すると、Ｓ１１６段階では報告された計測データが
サブ特定ルールである５トレンドルールを満足するかを
判断する。上記２〜７の場合がＳ１１０段階に適用され
た場合は、判断対象にだけ差があり、その基本制御方法
は１の場合と同様に進行されるから、ここでは各々の場
合についての具体的な説明は省略する。
満足すると、Ｓ１１６段階では報告された計測データが
サブ特定ルールである５トレンドルールを満足するかを
判断する。上記２〜７の場合がＳ１１０段階に適用され
た場合は、判断対象にだけ差があり、その基本制御方法
は１の場合と同様に進行されるから、ここでは各々の場
合についての具体的な説明は省略する。
【００４１】次に、１〜７の場合がＳ１２０段階に適用
される場合について１の場合を例として説明する。この
場合、Ｓ１２０段階は、Ｓ１２２段階、Ｓ１２４段階、
Ｓ１２６段階とに分割されて、これを具体的に説明する
と次のようになる。
される場合について１の場合を例として説明する。この
場合、Ｓ１２０段階は、Ｓ１２２段階、Ｓ１２４段階、
Ｓ１２６段階とに分割されて、これを具体的に説明する
と次のようになる。
【００４２】Ｓ１２２段階では、報告された計測データ
がサブ特定ルールである２／３ルールを満足するかを判
断する。この判断結果、２／３ルールを満足するとＳ１
２４段階では、報告された計測データがサブ特定ルール
である４／５ルールを満足するかを判断する。
がサブ特定ルールである２／３ルールを満足するかを判
断する。この判断結果、２／３ルールを満足するとＳ１
２４段階では、報告された計測データがサブ特定ルール
である４／５ルールを満足するかを判断する。
【００４３】Ｓ１２４段階での判断結果、４／５ルール
を満足するとＳ１２６段階では報告された計測データが
サブ特定ルールである５トレンドルールを満足するかを
判断する。上記２〜７の場合がＳ１２０段階に適用され
る場合は判断対象にだけ差があり、その基本制御方法は
１の場合と同一に進行されるから、ここではその各々の
場合について具体的な説明は省略する。
を満足するとＳ１２６段階では報告された計測データが
サブ特定ルールである５トレンドルールを満足するかを
判断する。上記２〜７の場合がＳ１２０段階に適用され
る場合は判断対象にだけ差があり、その基本制御方法は
１の場合と同一に進行されるから、ここではその各々の
場合について具体的な説明は省略する。
【００４４】ここで、Ｓ１１０段階とＳ１２０段階進行
時、２／３ルールを満足しない場合とは、報告された計
測データで連続する３点の中で２点が２σ〜３σ間の領
域(Zone)に存在する場合を示す。４／５ルールを満足し
ない場合とは、報告された計測データで連続する５点の
中で４点が−１σ〜１σの領域外に存在する場合を示
す。報告された計測データが前記５トレンドルールを満
足しない場合とは、報告された計測データで５点以上が
連続上向または連続下向のトレンド(Trend) が発生する
場合を示す。
時、２／３ルールを満足しない場合とは、報告された計
測データで連続する３点の中で２点が２σ〜３σ間の領
域(Zone)に存在する場合を示す。４／５ルールを満足し
ない場合とは、報告された計測データで連続する５点の
中で４点が−１σ〜１σの領域外に存在する場合を示
す。報告された計測データが前記５トレンドルールを満
足しない場合とは、報告された計測データで５点以上が
連続上向または連続下向のトレンド(Trend) が発生する
場合を示す。
【００４５】半導体装備を制御する場合、工程の実時間
制御が可能になって、異常発生時、即時的に製品の進行
中止、半導体装備の稼働中止、製品の進行及び半導体装
備の稼働中止のような一連の処理が取られるようにする
ことにより、異常発生を感知する機会の損失による工程
不良発生が未然に防止できるようになる。
制御が可能になって、異常発生時、即時的に製品の進行
中止、半導体装備の稼働中止、製品の進行及び半導体装
備の稼働中止のような一連の処理が取られるようにする
ことにより、異常発生を感知する機会の損失による工程
不良発生が未然に防止できるようになる。
【００４６】このような半導体装備の制御方法は、上述
のように実時間に工程が制御されるように実施すること
ができ、場合によっては計測工程直前の工程だけではな
く工程異常発生に影響を及ぶ特定工程も一挙に複数イン
タロックをかけて半導体装備を制御することもできる。
逆に、工程に柔軟性を持つため使用者が必要によって選
択した重要工程だけが前記のような方式で制御されるよ
うに半導体装備を制御することもできる。
のように実時間に工程が制御されるように実施すること
ができ、場合によっては計測工程直前の工程だけではな
く工程異常発生に影響を及ぶ特定工程も一挙に複数イン
タロックをかけて半導体装備を制御することもできる。
逆に、工程に柔軟性を持つため使用者が必要によって選
択した重要工程だけが前記のような方式で制御されるよ
うに半導体装備を制御することもできる。
【００４７】以上、本発明の好ましい実施形態について
詳細に記述したが、本発明が属する技術分野において通
常の知識を持つ者によって、添付された請求範囲に定義
された本発明の精神及び範囲を離脱しない本発明の多様
な変形または変更は、本発明の範疇に含まれる。
詳細に記述したが、本発明が属する技術分野において通
常の知識を持つ者によって、添付された請求範囲に定義
された本発明の精神及び範囲を離脱しない本発明の多様
な変形または変更は、本発明の範疇に含まれる。
【００４８】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように本発明によ
れば、該当工程が該当ステップの最適の工程雰囲気下で
進行されたかを計測工程が完了されるとすぐ実時間で判
断できる。これにより、設備不良に伴う不良発生を未然
に防止でき、特定ルール及びサブ特定ルールのような多
様な統計データに基づいて工程の異常の有無が判断され
る。したがって、どんな原因（例えば誤設定された工程
条件によるか半導体装備自体の問題であるか）により工
程異常が発生したかを短時間内で正確に判断できるよう
になる。
れば、該当工程が該当ステップの最適の工程雰囲気下で
進行されたかを計測工程が完了されるとすぐ実時間で判
断できる。これにより、設備不良に伴う不良発生を未然
に防止でき、特定ルール及びサブ特定ルールのような多
様な統計データに基づいて工程の異常の有無が判断され
る。したがって、どんな原因（例えば誤設定された工程
条件によるか半導体装備自体の問題であるか）により工
程異常が発生したかを短時間内で正確に判断できるよう
になる。
【図１】本発明によるス半導体装備制御システムを概略
的に示すブロック図である。
的に示すブロック図である。
【図２】本発明による半導体装備の実時間制御方法を説
明するための工程順序図である。
明するための工程順序図である。
【図３】図２に連結される本発明による半導体装備の実
時間制御方法を説明するための工程順序図である。
時間制御方法を説明するための工程順序図である。
【図４】図２及び図３の一変形例を示す工程順序図であ
る。
る。
【図５】図４に連結される図２及び図３の一変形例を示
す工程順序図である。
す工程順序図である。
【図６】従来の半導体装備制御方法を説明するための工
程順序図である。
程順序図である。
１ 半導体装備 ３ ホストコンピュータ ５ インタロックモジュール
Claims (20)
- 【請求項１】 単位工程で完了された製品の特性値であ
る計測データがホストコンピュータに設定された最適の
計測データ範囲内に包含されるかを判断する段階と、 前記計測データが前記最適の計測データ範囲内に包含さ
れると、前記計測データがメイン特定ルールを満足する
かを第１判断する段階と、 前記第１判断結果、前記計測データが前記メイン特定ル
ールを満足すると前記単位工程が実行された半導体装備
を正常稼働させる段階と、 前記第１判断結果、前記計測データが前記メイン特定ル
ールを満足しないと前記単位工程が進行された半導体装
備の稼働と前記製品の進行とを同時に中止させる段階
と、 前記計測データが前記最適の計測データ範囲内に包含さ
れないと、前記単位工程が完了された製品の進行を中止
させる段階と、 前記単位工程が完了された製品の進行を中止させた後、
前記計測データが前記メイン特定ルールを満足するかを
第２判断する段階と、 前記第２判断結果、前記報告された計測データが前記メ
イン特定ルールを満足すると前記単位工程が進行された
半導体装備を正常稼働させる段階と、 前記第２判断結果、前記報告された計測データが前記メ
イン特定ルールを満足しないと前記単位工程が進行され
た半導体装備の稼働を中止させる段階とを有することを
特徴とする半導体装備の実時間制御方法。 - 【請求項２】 前記メイン特定ルールは、ＳＰＣで使用
される最大規格の管理限界離脱線である“最大上限値〜
最小下限値”の範囲を示すことを特徴とする請求項１記
載の半導体装備の実時間制御方法。 - 【請求項３】 前記第１判断結果、前記計測データが前
記メイン特定ルールを満足すると、前記半導体装備を正
常稼働させる段階以前に前記計測データがサブ特定ルー
ルを満足するかを第３判断する段階をさらに含み、前記
サブ特定ルールを満足しないと前記製品の進行中止と前
記半導体装備の稼働中止とを同時に実施し、 前記第２判断結果、前記計測データが前記メイン特定ル
ールを満足すると、前記半導体装備を正常稼働させる段
階以前に前記計測データがサブ特定ルールを満足するか
を第４判断する段階をさらに含み、前記サブ特定ルール
を満足しないと前記半導体装備の稼働中止を実施するこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体装備の実時間制御
方法。 - 【請求項４】 前記第１判断結果、前記計測データが前
記メイン特定ルールを満足すると、前記半導体装備を正
常稼働させる段階以前に前記計測データがサブ特定ルー
ルを満足するかを第３判断する段階をさらに含み、 前記サブ特定ルールを満足しないと前記製品の進行中止
と前記半導体装備の可動中止とを同時に実施することを
特徴とする請求項１記載の半導体装備の実時間制御方
法。 - 【請求項５】 前記第２判断結果、前記計測データが前
記メイン特定ルールを満足すると、前記半導体装備を正
常稼働させる段階以前に前記計測データがサブ特定ルー
ルを満足するかを第４判断する段階をさらに含み、前記
サブ特定ルールを満足しないと前記半導体装備の稼働中
止を実施することを特徴とする請求項１記載の半導体装
備の実時間制御方法。 - 【請求項６】 前記サブ特定ルールは、前記ＳＰＣで使
用される一般規格の管理限界離脱線である２／３ルー
ル、４／５ルール、５トレンドルールを示すことを特徴
とする請求項３〜請求項５の中のいずれかに記載の半導
体装備の実時間制御方法。 - 【請求項７】 前記計測データが前記サブ特定ルールを
満足するかを第３判断する段階は、前記計測データが２
／３ルールを満足するかを判断する段階であることを特
徴とする請求項３又は請求項４に記載の半導体装備の実
時間制御方法。 - 【請求項８】 前記計測データが前記サブ特定ルールを
満足するかを第３判断する段階は、前記計測データが４
／５ルールを満足するかを判断する段階であることを特
徴とする請求項３又は請求項４に記載の半導体装備の実
時間制御方法。 - 【請求項９】 前記計測データが前記サブ特定ルールを
満足するかを第３判断する段階は、前記計測データが５
トレンドルールを満足するかを判断する段階であること
を特徴とする請求項３又は請求項４に記載の半導体装備
の実時間制御方法。 - 【請求項１０】 前記計測データが前記サブ特定ルール
を満足するかを第３判断する段階は、 前記計測データが２／３ルールを満足するかを判断する
段階と、前記２／３ルールを満足すると前記計測データ
が４／５ルールを満足するかを判断する段階とでなるこ
とを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の半導体装
備の実時間制御方法。 - 【請求項１１】 前記計測データが前記サブ特定ルール
を満足するかを第３判断する段階は、 前記計測データが２／３ルールを満足するかを判断する
段階と、前記２／３ルールを満足すると前記計測データ
が５トレンドルールを満足するかを判断する段階とでな
ることを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の半導
体装備の実時間制御方法。 - 【請求項１２】 前記計測データが前記サブ特定ルール
を満足するかを第３判断する段階は、 前記計測データが４／５ルールを満足するかを判断する
段階と、前記４／５ルールを満足すると前記計測データ
が５トレンドルールを満足するかを判断する段階とでな
ることを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の半導
体装備の実時間制御方法。 - 【請求項１３】 前記計測データが前記サブ特定ルール
を満足するかを第３判断する段階は、 前記計測データが２／３ルールを満足するかを判断する
段階と、前記２／３ルールを満足すると前記計測データ
が４／５ルールを満足するかを判断する段階と、前記４
／５ルールを満足すると前記計測データが前記５トレン
ドルールを満足するかを判断する段階とでなることを特
徴とする請求項３又は請求項４に記載の半導体装備の実
時間制御方法。 - 【請求項１４】 前記計測データが前記サブ特定ルール
を満足するかを第４判断する段階は、前記計測データが
２／３ルールを満足するかを判断する段階になることを
特徴とする請求項３又は請求項５に記載の半導体装備の
実時間制御方法。 - 【請求項１５】 前記計測データが前記サブ特定ルール
を満足するかを第４判断する段階は、前記計測データが
４／５ルールを満足するかを判断する段階になることを
特徴とする請求項３又は請求項５に記載の半導体装備の
実時間制御方法。 - 【請求項１６】 前記計測データが前記サブ特定ルール
を満足するかを第４判断する段階は、前記計測データが
５トレンドルールを満足するかを判断する段階になるこ
とを特徴とする請求項３又は請求項５に記載の半導体装
備の実時間制御方法。 - 【請求項１７】 前記計測データが前記サブ特定ルール
を満足するかを第４判断する段階は、 前記計測データが２／３ルールを満足するかを判断する
段階と、前記２／３ルールを満足すると前記計測データ
が４／５ルールを満足するかを判断する段階とでなるこ
とを特徴とする請求項３又は請求項５に記載の半導体装
備の実時間制御方法。 - 【請求項１８】 前記計測データが前記サブ特定ルール
を満足するかを第４判断する段階は、 前記計測データが４／５ルールを満足するかを判断する
段階と、前記４／５ルールを満足すると前記計測データ
が５トレンドルールを満足するかを判断する段階とでな
ることを特徴とする請求項３又は請求項５に記載の半導
体装備の実時間制御方法。 - 【請求項１９】 前記計測データが前記サブ特定ルール
を満足するかを第４判断する段階は、 前記計測データが２／３ルールを満足するかを判断する
段階と、前記２／３ルールを満足すると前記計測データ
が５トレンドルールを満足するかを判断する段階とでな
ることを特徴とする請求項３又は請求項５に記載の半導
体装備の実時間制御方法。 - 【請求項２０】 前記計測データが前記サブ特定ルール
を満足するかを第４判断する段階は、 前記計測データが２／３ルールを満足するかを判断する
段階と、前記２／３ルールを満足すると前記計測データ
が４／５ルールを満足するかを判断する段階と、前記４
／５ルールを満足すると前記計測データが前記５トレン
ドルールを満足するかを判断する段階とでなることを特
徴とする請求項３又は請求項５に記載の半導体装備の実
時間制御方法。
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