JPH11173850A - 角速度センサ - Google Patents
角速度センサInfo
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- JPH11173850A JPH11173850A JP9341460A JP34146097A JPH11173850A JP H11173850 A JPH11173850 A JP H11173850A JP 9341460 A JP9341460 A JP 9341460A JP 34146097 A JP34146097 A JP 34146097A JP H11173850 A JPH11173850 A JP H11173850A
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Abstract
部、フィードバック素子部を配置した小型の角速度セン
サにおいて、オフセット信号の低減を図る。 【解決手段】 半導体基板をエッチングすることによっ
て振動子2を形成し、振動子2の表面に、駆動素子部
8、8’と、検知素子部9、9’と、フィードバック素
子部10、10’を形成した半導体式の角速度センサで
あって、フィードバック素子部10、10’と検知素子
部9、9’の静電容量が等しくなるように、両者の面積
を等しくした。
Description
機、ロボット等の運動体の角速度を検出する角速度セン
サに関し、例えば、車両の姿勢制御のために用いるのに
好適なるものである。
のものが提案されている。この中で、特開平9−105
634号公報には、シリコンマイクロ技術を用いた半導
体式の角速度センサが開示されている。具体的には、半
導体基板をエッチングして半導体基板面内に振動子を形
成するとともに、この振動子表面に、振動子を駆動振動
させる駆動素子部と、角速度を検出する検知素子部とを
形成している。これら駆動素子部と検知素子部は、振動
子の表面に圧電体と電極を積層して形成されている。
サを構成することによって、小型化を図ることができ
る。
速度センサには示されていないが、この種の角速度セン
サにおいては、振動子の振動を参照して駆動素子部をフ
ィードバック駆動し自励発振を行わせる手段が設けられ
ている。そこで、本発明者等は、上記した半導体式の角
速度センサに対し、振動子の振動を参照するフィードバ
ック素子部を形成して、自励発振により駆動素子部を駆
動するものについて検討を行った。
図8中のA−A断面図を示す。この角速度センサにおい
ては、シリコン基板等の半導体基板に所定領域をフォト
リソグラフィ技術等を用いてエッチング除去することに
より、半導体基板の中央部に音叉型の半導体振動子2が
形成され、振動子2の外周にフレーム部1が形成されて
いる。
らなる直交座標系にてz軸方向を軸としてフレーム部1
に支持されている。振動子2は、上下に互いに平行に延
びる一対のアーム部3、3’と、アーム部3、3’を連
結し振動子2をフレーム部1に支持するための連結部4
とからなっている。さらに、アーム部3、3’は、幅広
アーム部5、5’と、幅狭アーム部6、6’と、質量部
7、7’とからそれぞれ構成されている。
軸方向に振動させる駆動素子部8、8’と、振動子2の
y軸方向の振動に応じた信号を出力する検知素子部9、
9’と、振動子2のx軸方向の振動に応じた信号を出力
するフィードバック素子部10、10’が形成されてい
る。また、フレーム部1には、駆動素子部8、8’と配
線18a、18a’を介して接続される電極パッド18
b、18b’と、検知素子部9、9’と配線19a、1
9a’を介して接続される電極パッド19b、19b’
と、フィードバック素子部10、10’と配線20a、
20a’を介して接続される電極パッド20b、20
b’が形成されている。なお、それらの配線および電極
パッドはAlで形成されている。
2を構成する半導体基板上に、絶縁膜11、11’、1
2、12’が形成され、絶縁膜11と12、絶縁膜1
1’と12’の間の半導体基板上に、ZnO、PZT等
からなる圧電体9a、9a’と電極9b、9b’をスパ
ッタリング、蒸着等で成膜し積層することによって、検
知素子部9、9’が形成されている。また、絶縁膜1
1、11’の上には、フィードバック素子部10、1
0’からの配線20a、20a’が形成されており、全
体が保護膜13、13’で覆われている。なお、駆動素
子部8、8’およびフィードバック素子部10、10’
も、検知素子部9、9’と同様に、振動子2を構成する
半導体基板上に圧電体と電極を積層することによって形
成されている。また、この半導体式の角速度センサにお
いては、半導体基板を接地して動作させるようになって
いる。
の幅方向(z軸方向)の中心(図中に点線で示す)より
下方向に位置をずらして形成されている。このため、駆
動素子部8、8’の電極に交流電圧を印加すると、駆動
素子部8、8’が伸縮を繰り返し、一対の振動子2をx
軸方向に対称振動させることができる。また、フィード
バック素子部10、10’は、図から明らかなように、
幅広アーム部5、5’の中心から左右方向にそれぞれオ
フセット(すなわち、検知素子部9、9’に対しx軸方
向にオフセット)した位置に形成されている。このた
め、振動子2が振動したとき、その振動方向(x軸方
向)に対しフィードバック素子部10とフィードバック
素子部10’から互いに同相となる成分の交流信号が出
力される。
の構成を示す。フィードバック素子部10、10’から
出力される信号は、加算増幅回路30にて加算される。
フィードバック素子部10、10’からはx軸方向の振
動に対し互いに同相となる成分の交流信号が出力される
ので、その合成の信号が加算増幅回路30から出力され
る。なお、角速度が生じて一対の振動子2がy軸方向で
互いに逆方向に振動したとき、フィードバック素子部1
0、10’からはy軸方向の振動に対し互いに逆相とな
る成分の信号が出力されるが、それは加算増幅回路30
での加算によってキャンセルされる。
交流信号を駆動素子部8、8’に印加することにより、
駆動素子部8、8’を駆動する。この場合、駆動素子部
8、8’によって駆動される振動子2の振動状態を検出
しその検出した信号により駆動素子部8、8’を駆動す
るようにしているので、自励発振によって駆動素子部
8、8’を駆動することができる。
動子2がx軸方向に振動しているとき、z軸回りに角速
度が加わると、振動子2の先端の質量部7、7’にはy
軸方向にコリオリ力が発生する。そして、これに応じた
応力が検知素子部9、9’に加わり交流信号を発生させ
る。この信号は、角速度による信号の他、振動子2を振
動させた時の漏れ振動や電気的な回り込みによるオフセ
ットノイズを伴っている。
る交流信号を、差動増幅回路31にて差動増幅し、バン
ドパスフィルタ(BPF)32を介して、同期検波回路
33により同期検波する。この場合、加算増幅回路30
から出力される交流信号とBPF32を介した交流信号
とは位相が90°ずれているので、加算増幅回路30か
ら出力される交流信号を90°位相回路34によって9
0°位相させ、その信号により同期検波回路33にて同
期検波を行う。この同期検波によって、角速度による信
号以外の不要なノイズ成分をカットすることができる。
そして、この同期検波回路33からの出力信号は、ロー
パスフィルタ(LPF)35、ゲイン調整回路36、0
点調整回路37を介し、直流の角速度信号として出力さ
れる。
幅回路31の具体的な構成を示す。加算増幅回路30
は、バッファアンプ30a、30b、および加算増幅器
30cから構成されており、フィードバック素子部1
0、10’からのそれぞれの交流信号を加算するように
構成されている。また、差動増幅回路31は、バッファ
アンプ31a、31b、および差動増幅器31cから構
成されており、検知素子部9、9’から出力される交流
信号を減算するように構成されている。
は、その原理上、小型化するにつれてコリオリ力が小さ
くなり、検知素子部9、9’から出力される信号も当然
のごとく小さくなる。また、振動子2が小さくなれば、
振動周波数が高くなる。このように、非常に微弱でかつ
周波数の高い信号を扱う場合、検知素子部9、9’の面
積を大きくするのが一般的である。しかしながら、検知
素子部9、9’の面積をフィードバック素子部10、1
0’の面積より大きくすると、加算増幅回路30および
差動増幅回路31の入力インピーダンスが異なってしま
うため、90°位相回路34から出力される90°移相
後のフィードバック信号と、BPF32から出力される
検知信号の位相に大きなずれが生じる。すなわち、角速
度が生じていないときに、図12の上段、中段の波形に
示すように、90°移相後のフィードバック信号と検知
信号(この場合、オフセット信号)に位相ずれが生じ
る。
が図12の下段に示すようになり、それを直流成分にし
たときに、オフセット信号が出力される。このオフセッ
ト信号は温度によって変化し、いわゆるオフセット温度
ドリフトとなる。本発明は上記問題に鑑みたもので、振
動子の同一面上に駆動素子部、検知素子部、フィードバ
ック素子部を配置した小型の角速度センサにおいて、上
記した位相ずれによるオフセット信号を低減することを
目的とする。
め、請求項1に記載の発明においては、振動子(2)の
素子部形成面に、駆動素子部(8、8’)と、検知素子
部(9、9’)と、フィードバック素子部(10、1
0’)を備えた角速度センサであって、フィードバック
素子部(10、10’)と検知素子部(9、9’)の静
電容量を等しくしたことを特徴としている。
10’)と検知素子部(9、9’)の静電容量を等しく
することによって、回路手段(30〜37)への入力イ
ンピーダンスを等しくすることができるので、上記した
ような位相ずれによるオフセット信号を低減することが
できる。この場合、請求項2に記載の発明のように、フ
ィードバック素子部(10、10’)と検知素子部
(9、9’)の面積を等しくすることによって、フィー
ドバック素子部(10、10’)と検知素子部(9、
9’)の静電容量を等しくすることができる。
フィードバック素子部(10、10’)に容量補正素子
部(11、11’)を並列接続して、その合成の静電容
量と検知素子部(9、9’)の静電容量とが等しくなる
ようにしたことを特徴としている。この発明によっても
請求項1に記載の発明と同様の効果を奏する。
に、半導体基板をエッチングして振動子(2)を形成
し、振動子(2)の外周の半導体基板の表面に容量補正
素子部(11、11’)を形成することができる。そし
て、請求項5に記載の発明のように、検知素子部用電極
パッド(18b、18b’)とフィードバック素子部用
電極パッド(20b、20b’)を、配線の容量差を補
正するために異なった面積とすれば、より精度よくオフ
セット信号の低減を図ることができる。
0’)と検知素子部(9、9’)の静電容量を等しくす
るとは、完全に等しくなっている場合の他、実質的に等
しくなっているものも含むものである。
の第1実施形態を示す角速度センサの平面構成を示す。
図に示すように、図8に示す構成に対し、フィードバッ
ク素子部10、10’を、検知素子部9、9’と等しい
面積で、検知素子部9、9’に対しx軸方向にオフセッ
トした位置に形成している。その他の構成は、図8に示
すものと同じで、角速度センサの回路部の構成も図10
に示すものと同じである。
ック素子部10、10’は、圧電体をスパッタリング、
蒸着等で成膜しているためその膜厚は等しくなってい
る。従って、フィードバック素子部10、10’と検知
素子部9、9’の面積を等しくすることにより、フィー
ドバック素子部10、10’と検知素子部9、9’の静
電容量を等しくすることができる。
0’と検知素子部9、9’の静電容量を等しくすること
によって、加算増幅回路30および差動増幅回路31の
入力インピーダンスを等しくすることができ、90°位
相回路34から出力される90°移相後のフィードバッ
ク信号と、BPF32から出力される検知信号の位相の
ずれをなくすことができる。
ック信号と、検知信号と、同期検波後の波形を示す。な
お、図2は角速度が0の場合、図3は角速度が生じてい
る場合の波形を示している。図2に示すように、90°
移相後のフィードバック信号と、検知信号におけるオフ
セットノイズは、互いに90°位相が異なる関係にあ
る。このため、同期検波後においては、オフセットノイ
ズの成分はカットされ、最終的な出力信号にはオフセッ
ト信号が生じない。また、角速度が生じている場合に
は、図3に示すように、検知信号に、オフセット信号と
ともに角速度による信号が重畳しており、角速度による
信号は90°移相後のフィードバック信号と同位相とな
るため、同期検波後には、オフセットノイズのみが除去
され、直流の角速度信号を取り出すことができる。 (第2実施形態)上記第1実施形態では、フィードバッ
ク素子部10、10’と検知素子部9、9’の面積を等
しくするものを示したが、このようにすると、検知素子
部9、9’の面積が図8に示すものに比べて小さくな
る。
すように、検知素子部9、9’、フィードバック素子部
10、10’を図8に示すものと同じ、すなわち検知素
子部9、9’の方の面積を大きくし、検知素子部9、
9’とフィードバック素子部10、10’の面積の差に
相当する面積を有する容量補正素子部11、11’をフ
レーム部1に形成し、容量補正素子部11、11’を、
配線21a、21a’を介して電極パッド20b、20
b’に電気接続するようにしている。なお、容量補正素
子部11、11’は、フィードバック素子部10、1
0’などと同様に、圧電体、電極をスパッタリング、蒸
着等で成膜して形成されている。
ック素子部10、10’と容量補正素子部11、11’
はそれぞれ並列接続されることになり、フィードバック
素子部10、10’と容量補正素子部11、11’のそ
れぞれの合成の静電容量を、検知素子部9、9’の静電
容量とそれぞれ等しくすることができる。図6に、容量
補正素子部11、11’を設けた場合(図6(a)に示
す)と、図8に示すように容量補正素子部11、11’
を設けない場合(図6(b)に示す)の、90°移相後
のフィードバック信号と検知信号の位相差の温度に対す
る変化を示す。なお、室温のときの位相差を0としてい
る。図6(a)、(b)から明らかなように、容量補正
素子部11、11’を設けることによって、位相差の温
度に対する変化が少なくなっていることが分かる。
合には、図7に示すように配線の容量も補正するよう
に、検知素子部9、9’に接続された電極パッド18
b、18b’とフィードバック素子部10、10’に接
続された電極パッド20b、20b’の面積を異なるよ
うにするのが好ましい。なお、その配線容量の補正のた
めに電極パッドの面積を変えるのは、第1実施形態にお
いても同様に適用することができる。
0、10’と検知素子部9、9’の面積を同じにする
か、あるいはフィードバック素子部10、10’に容量
補正素子部11、11’を並列接続することによって、
両者の静電容量を等しくすることができ、検知信号と9
0°位相後のフィードバック信号の位相差を低減するこ
とができるため、位相差によるオフセット信号を低減す
ることができ、温度変化によって生じるオフセット温度
ドリフトも低減することができる。
ては、駆動素子部8、8’を連結部4の左右に設けるも
のを示したが、特開平9−105634号公報に記載さ
れているように、上下に駆動素子部を設け、それらを逆
位相で駆動するように構成してもよい。また、本発明は
半導体式の角速度センサに適用されるものの他、例えば
セラミックにより振動子を構成し、その振動子の一面に
駆動素子部、検知素子部、フィードバック素子部を配置
した角速度センサに同様に適用することができる。
面構成を示す図である。
の場合の、90°移相後のフィードバック信号と、検知
信号と、同期検波後の波形を示す図である。
じている場合の、90°移相後のフィードバック信号
と、検知信号と、同期検波後の波形を示す図である。
面構成を示す図である。
示す図である。
化に対する位相差の変化を示す図である。
ある。
平面構成を示す図である。
る。
す図である。
0および差動増幅回路31の具体的な構成を示す図であ
る。
ための波形図である。
…連結部、5、5’…幅広アーム部、6、6’…幅狭ア
ーム部、7、7’…質量部、8、8’…駆動素子部、
9、9’…検知素子部、10、10’…フィードバック
素子部、11、11’…容量補正素子部、18b、18
b’、19b、19b’20b、20b’…電極パッ
ド。
Claims (5)
- 【請求項1】 x軸、y軸、z軸からなる直交座標系に
てz軸方向を軸として支持され前記y軸と直交する素子
部形成面を有する振動子(2)と、 前記素子部形成面に形成され前記振動子(2)を前記x
軸方向に振動させる駆動素子部(8、8’)と、 前記素子部形成面に形成され前記振動子(2)の前記y
軸方向の振動に応じた信号を出力する検知素子部(9、
9’)と、 前記素子部形成面に形成され前記振動子(2)の前記x
軸方向の振動に応じた信号を出力するフィードバック素
子部(10、10’)と、 このフィードバック素子部(10、10’)から出力さ
れる信号に基づいて前記駆動素子部(8、8’)を駆動
し、この駆動素子の駆動によって前記振動子(2)が前
記x軸方向に振動しているときに前記検知素子部(9、
9’)から出力される信号を、前記フィードバック素子
部(10、10’)から出力される信号に基づき同期検
波して角速度信号を出力する回路手段(30〜37)を
備え、 前記フィードバック素子部(10、10’)と前記検知
素子部(9、9’)の静電容量が等しくなっていること
を特徴とする角速度センサ。 - 【請求項2】 前記フィードバック素子部(10、1
0’)は、前記検知素子部(9、9’)と面積が等し
く、かつ前記検知素子部(9、9’)に対し前記x軸方
向にオフセットした位置に形成されていることを特徴と
する請求項1に記載の角速度センサ。 - 【請求項3】 x軸、y軸、z軸からなる直交座標系に
てz軸方向を軸として支持され前記y軸と直交する素子
部形成面を有する振動子(2)と、 前記素子部形成面に形成され前記振動子(2)を前記x
軸方向に振動させる駆動素子部(8、8’)と、 前記素子部形成面に形成され前記振動子(2)の前記y
軸方向の振動に応じた信号を出力する検知素子部(9、
9’)と、 前記素子部形成面に形成され前記振動子(2)の前記x
軸方向の振動に応じた信号を出力するフィードバック素
子部(10、10’)と、 このフィードバック素子部(10、10’)から出力さ
れる信号に基づいて前記駆動素子部(8、8’)を駆動
し、この駆動素子の駆動によって前記振動子(2)が前
記x軸方向に振動しているときに前記検知素子部(9、
9’)から出力される信号を、前記フィードバック素子
部(10、10’)から出力される信号に基づき同期検
波して角速度信号を出力する回路手段(30〜37)を
備え、 前記フィードバック素子部(10、10’)に容量補正
素子部(11、11’)を並列接続して、その合成の静
電容量と前記検知素子部(9、9’)の静電容量とが等
しくなるようにしたことを特徴とする角速度センサ。 - 【請求項4】 前記振動子(2)は、半導体基板をエッ
チングして形成されたものであって、前記駆動素子部
(8、8’)、前記検知素子部(9、9’)、および前
記フィードバック素子部(10、10’)は、前記振動
子(2)の表面に形成され、前記容量補正素子部(1
1、11’)は、前記振動子(2)の外周の前記半導体
基板の表面に形成されていることを特徴とする請求項3
に記載の角速度センサ。 - 【請求項5】 前記振動子(2)の外周の前記半導体基
板の表面に、前記検知素子部(9、9’)からの信号を
外部に取り出すための検知素子部用電極パッド(18
b、18b’)と、前記フィードバック素子部(10、
10’)からの信号を外部に取り出すためのフィードバ
ック素子部用電極パッド(20b、20b’)が形成さ
れており、前記検知素子部用電極パッド(18b、18
b’)と前記フィードバック素子部用電極パッド(20
b、20b’)は、それぞれに電気接続される配線の容
量差を補正するために異なった面積となっていることを
特徴とする請求項4に記載の角速度センサ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34146097A JP3780673B2 (ja) | 1997-12-11 | 1997-12-11 | 角速度センサ |
US09/208,451 US6116087A (en) | 1997-12-11 | 1998-12-10 | Angular velocity sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34146097A JP3780673B2 (ja) | 1997-12-11 | 1997-12-11 | 角速度センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPH11173850A true JPH11173850A (ja) | 1999-07-02 |
JP3780673B2 JP3780673B2 (ja) | 2006-05-31 |
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ID=18346246
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP34146097A Expired - Fee Related JP3780673B2 (ja) | 1997-12-11 | 1997-12-11 | 角速度センサ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6116087A (ja) |
JP (1) | JP3780673B2 (ja) |
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