JPH11172446A - プラズマ処理装置および光学部品の製造法 - Google Patents
プラズマ処理装置および光学部品の製造法Info
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- JPH11172446A JPH11172446A JP9343086A JP34308697A JPH11172446A JP H11172446 A JPH11172446 A JP H11172446A JP 9343086 A JP9343086 A JP 9343086A JP 34308697 A JP34308697 A JP 34308697A JP H11172446 A JPH11172446 A JP H11172446A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 面内均一に優れ、ピンホールや局所的に欠陥
の少ない被覆性に優れた被覆を形成し得るプラズマ処理
装置を提供する。 【解決手段】 減圧可能な容器と、プラズマを励起する
為のガスを該容器内に供給する為のガス供給手段と、容
器内を排気する為の排気手段と、容器内にマイクロ波を
供給するマイクロ波供給手段と、を有し、被処理体に表
面処理を施すプラズマ処理装置である。このプラズマ処
理装置は、マイクロ波供給手段は、被処理体に対向する
面が被処理体の被処理面に対応した形状の非平面であ
る。
の少ない被覆性に優れた被覆を形成し得るプラズマ処理
装置を提供する。 【解決手段】 減圧可能な容器と、プラズマを励起する
為のガスを該容器内に供給する為のガス供給手段と、容
器内を排気する為の排気手段と、容器内にマイクロ波を
供給するマイクロ波供給手段と、を有し、被処理体に表
面処理を施すプラズマ処理装置である。このプラズマ処
理装置は、マイクロ波供給手段は、被処理体に対向する
面が被処理体の被処理面に対応した形状の非平面であ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、凸レンズ，凹レン
ズ，凹面鏡等の非平面状の被処理面を有する光学部品の
表面処理に適したプラズマ処理装置とそれを用いた光学
部品の製造法の技術分野に属する。
ズ，凹面鏡等の非平面状の被処理面を有する光学部品の
表面処理に適したプラズマ処理装置とそれを用いた光学
部品の製造法の技術分野に属する。
【０００２】
【従来の技術】非平面状の被処理面を有する被処理体
に、クリーニングや被膜形成といった表面処理を行う技
術が求められている。
に、クリーニングや被膜形成といった表面処理を行う技
術が求められている。
【０００３】その代表例に凸レンズへの反射防止膜の形
成が挙げられる。
成が挙げられる。
【０００４】従来は、特開平２−２３２３６７号公報に
開示されているようにスパッタリング等のＰＤＶ法を用
いて成膜がなされていた。
開示されているようにスパッタリング等のＰＤＶ法を用
いて成膜がなされていた。
【０００５】ＰＶＤ法は凹凸を有する面への被覆性に劣
るために、本発明者らはＣＶＤ法による被膜形成を試み
た。
るために、本発明者らはＣＶＤ法による被膜形成を試み
た。
【０００６】熱ＣＶＤは、被処理体の熱変形の点で不向
きであり、光ＣＶＤはスループットの点で充分なもので
はない。
きであり、光ＣＶＤはスループットの点で充分なもので
はない。
【０００７】現在ＰＶＤ法で得られている反射防止膜よ
り高透過率（低吸収率）で耐光性，耐環境性に優れた膜
を得るには、１３．５６ＭＨｚのＲＦ電源を用いたプラ
ズマ励起ＣＶＤ（ＰＥ−ＣＶＤ）でも不充分であり、よ
り高密度のプラズマが得られるＰＥ−ＣＶＤでなければ
ならない。
り高透過率（低吸収率）で耐光性，耐環境性に優れた膜
を得るには、１３．５６ＭＨｚのＲＦ電源を用いたプラ
ズマ励起ＣＶＤ（ＰＥ−ＣＶＤ）でも不充分であり、よ
り高密度のプラズマが得られるＰＥ−ＣＶＤでなければ
ならない。
【０００８】１０10ｃｍ-3以上の高密度プラズマが得ら
れるＰＥ−ＣＶＤとしては、エレクトロン・サイクロト
ロン共鳴ＣＶＤ（ＥＣＲ−ＰＥＣＶＤ）等マイクロ波を
用いた無電極ＰＥＣＶＤがある。
れるＰＥ−ＣＶＤとしては、エレクトロン・サイクロト
ロン共鳴ＣＶＤ（ＥＣＲ−ＰＥＣＶＤ）等マイクロ波を
用いた無電極ＰＥＣＶＤがある。
【０００９】図５は特開平６−２１６０４７号公報に記
載されているプラズマ処理装置である。
載されているプラズマ処理装置である。
【００１０】この装置は、プラズマ生成室２と、処理室
４を備え、プラズマ生成室２には、マイクロ波電力導入
手段５，６，８および磁界印加手段１０が設置してある
と共に、プラズマ原料ガス導入系２０が接続してあり、
処理室４には、化学反応材料ガス導入系２２が接続して
あると共に、試料台１４にＲＦ電力導入手段１８が接続
してあり、マイクロ波電力の発生源８およびＲＦ電力の
発生源１８に対して、それぞれの電力を変調するための
制御装置２７が設置してある。ＲＦ電力とマイクロ波電
力を互いに同期して変調し、成膜が優先する条件とスパ
ッタエッチングが優先する条件を交互に繰り返して、Ｃ
ＶＤ膜を形成するものである。
４を備え、プラズマ生成室２には、マイクロ波電力導入
手段５，６，８および磁界印加手段１０が設置してある
と共に、プラズマ原料ガス導入系２０が接続してあり、
処理室４には、化学反応材料ガス導入系２２が接続して
あると共に、試料台１４にＲＦ電力導入手段１８が接続
してあり、マイクロ波電力の発生源８およびＲＦ電力の
発生源１８に対して、それぞれの電力を変調するための
制御装置２７が設置してある。ＲＦ電力とマイクロ波電
力を互いに同期して変調し、成膜が優先する条件とスパ
ッタエッチングが優先する条件を交互に繰り返して、Ｃ
ＶＤ膜を形成するものである。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】図５の装置で凸レンズ
への反射防止膜の形成を行うと平均的に緻密な膜ができ
るものの面内均一性が劣る膜となってしまう。
への反射防止膜の形成を行うと平均的に緻密な膜ができ
るものの面内均一性が劣る膜となってしまう。
【００１２】また、反応副生成物が被処理面近傍に滞留
する確率が高く、膜にピンホールが生じたり、局所的に
組成比の異なる膜になってしまう。
する確率が高く、膜にピンホールが生じたり、局所的に
組成比の異なる膜になってしまう。
【００１３】本発明の目的は、面内均一性に優れ、ピン
ホールや局所的に欠陥の少ない被覆性に優れた被覆を形
成し得るプラズマ処理装置を提供することにある。
ホールや局所的に欠陥の少ない被覆性に優れた被覆を形
成し得るプラズマ処理装置を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ために、本発明によるプラズマ処理装置は減圧可能な容
器と、プラズマを励起する為のガスを該容器内に供給す
る為のガス供給手段と、前記容器内を排気する為の排気
手段と、前記容器内にマイクロ波を供給するマイクロ波
供給手段と、を有し、被処理体に表面処理を施すプラズ
マ処理装置において、前記マイクロ波供給手段は、前記
被処理体に対向する面が該被処理体の被処理面に対応し
た形状の非平面であることを特徴とする。
ために、本発明によるプラズマ処理装置は減圧可能な容
器と、プラズマを励起する為のガスを該容器内に供給す
る為のガス供給手段と、前記容器内を排気する為の排気
手段と、前記容器内にマイクロ波を供給するマイクロ波
供給手段と、を有し、被処理体に表面処理を施すプラズ
マ処理装置において、前記マイクロ波供給手段は、前記
被処理体に対向する面が該被処理体の被処理面に対応し
た形状の非平面であることを特徴とする。
【００１５】ここで前記マイクロ波供給手段は球面状の
スロット付導体からなるアンテナを含むことができる。
スロット付導体からなるアンテナを含むことができる。
【００１６】前記ガス供給手段のガス放出口が前記スロ
ット付導体からなるアンテナの端部に設けられていると
好適である。
ット付導体からなるアンテナの端部に設けられていると
好適である。
【００１７】前記マイクロ波供給手段の被処理体対向面
と前記被処理体の被処理面との間隔が１０ｍｍ乃至５０
ｍｍであることが好ましい。
と前記被処理体の被処理面との間隔が１０ｍｍ乃至５０
ｍｍであることが好ましい。
【００１８】本発明による光学部品の製造法は、上述し
たプラズマ処理装置を用いて光学部品の被覆を行う工程
を含むことを特徴とする。
たプラズマ処理装置を用いて光学部品の被覆を行う工程
を含むことを特徴とする。
【００１９】
【発明の実施の形態】図１は本発明のプラズマ処理装置
の一実施形態を示す模式的断面図である。
の一実施形態を示す模式的断面図である。
【００２０】１０１は減圧可能な真空容器であり、排気
口１０２に接続される不図示の排気手段により１．３３
×１０-6Ｐａ〜１３３Ｐａ程度に減圧できるように構成
されている。
口１０２に接続される不図示の排気手段により１．３３
×１０-6Ｐａ〜１３３Ｐａ程度に減圧できるように構成
されている。
【００２１】容器１０１にはガス放出口１０３が多数設
けられていて、マイクロ波等のＵＨＦ，ＳＨＦ，ＥＨＦ
帯の高周波エネルギーによってプラズマとなるガスがこ
こから導入される。
けられていて、マイクロ波等のＵＨＦ，ＳＨＦ，ＥＨＦ
帯の高周波エネルギーによってプラズマとなるガスがこ
こから導入される。
【００２２】また、容器１０１内には、被処理体Ｗを載
置し、保持するためのホルダー１０４が設けられてお
り、その上下位置を適宜選択できるように上下動可能に
なっており、また自転可能になっている。ホルダー１０
４にはバイアス電位が印加できるようになっている。そ
してホルダーの駆動機構１０５がホルダー１０４を上下
動および自転させる。
置し、保持するためのホルダー１０４が設けられてお
り、その上下位置を適宜選択できるように上下動可能に
なっており、また自転可能になっている。ホルダー１０
４にはバイアス電位が印加できるようになっている。そ
してホルダーの駆動機構１０５がホルダー１０４を上下
動および自転させる。
【００２３】１０６はガス供給口が多数設けられた誘電
体からなる誘電板である。
体からなる誘電板である。
【００２４】この誘電板１０６は、マイクロ波透過性の
誘電体であり、アルミナ，石英，アルミニウムナイトラ
イド（ＡｌＮ），フッ化カルシウム，フッ化マグネシウ
ム等が用いられる。
誘電体であり、アルミナ，石英，アルミニウムナイトラ
イド（ＡｌＮ），フッ化カルシウム，フッ化マグネシウ
ム等が用いられる。
【００２５】不図示のガス供給系に接続されたガス導入
口１０７から導入されたガスは、誘電板１０６のガス放
出口１０３を経てプラズマプロセス空間Ａ内に供給され
る。
口１０７から導入されたガスは、誘電板１０６のガス放
出口１０３を経てプラズマプロセス空間Ａ内に供給され
る。
【００２６】本例では被処理体として凸の球面を有する
レンズ表面の処理を想定しているので、誘電板１０６は
凹の球面を有している。
レンズ表面の処理を想定しているので、誘電板１０６は
凹の球面を有している。
【００２７】１１５は真空シールのための０リングであ
る。
る。
【００２８】マイクロ波の導入は以下のようになる。
【００２９】マイクロ波供給手段は、同軸管１１０と多
数のスロットを有する球面状の導体アンテナ１１１とマ
イクロ波供給窓である誘電体薄膜１１２，１１３とを有
する。導体アンテナ１１１の中心には同軸管１１０の内
導体１１０ａが接続されている。１１４はアンテナアダ
プタである。
数のスロットを有する球面状の導体アンテナ１１１とマ
イクロ波供給窓である誘電体薄膜１１２，１１３とを有
する。導体アンテナ１１１の中心には同軸管１１０の内
導体１１０ａが接続されている。１１４はアンテナアダ
プタである。
【００３０】不図示のマイクロ波発振器にて発生したマ
イクロ波は同軸管１１０を伝わって導体アンテナ１１１
に伝搬する。アンテナ１１１に設けられた多数のスロッ
トより伝搬してきたマイクロ波が放射される。
イクロ波は同軸管１１０を伝わって導体アンテナ１１１
に伝搬する。アンテナ１１１に設けられた多数のスロッ
トより伝搬してきたマイクロ波が放射される。
【００３１】本発明に用いられるマイクロ波供給手段
は、特開平１−１８４９２３号公報や米国特許第５，０
３４，０８６号、或いは特開平８−１１１２９７号公
報、特開平４−４８８０５号公報等に詳しく記されてい
るラジアルラインスロットアンテナ（ＲＬＳＡ）を球面
状に曲げ加工したものである。
は、特開平１−１８４９２３号公報や米国特許第５，０
３４，０８６号、或いは特開平８−１１１２９７号公
報、特開平４−４８８０５号公報等に詳しく記されてい
るラジアルラインスロットアンテナ（ＲＬＳＡ）を球面
状に曲げ加工したものである。
【００３２】図２は球面状のＲＬＳＡの外観を模式的に
描いた図であり、球面状（実際には半球面状）の導体１
１１に多数のスロット１１１Ｓが同心円状又はうず巻き
状に配されたものであり、その中心には同軸管１１０の
内導体１１０ａが接続されている。
描いた図であり、球面状（実際には半球面状）の導体１
１１に多数のスロット１１１Ｓが同心円状又はうず巻き
状に配されたものであり、その中心には同軸管１１０の
内導体１１０ａが接続されている。
【００３３】スロット１１１Ｓは互いに交差する向きを
もつ一対の切り欠きで構成され切り欠きの長さや、配置
間隔はマイクロ波の波長や必要とするプラズマ強度に応
じて適宜定められる。
もつ一対の切り欠きで構成され切り欠きの長さや、配置
間隔はマイクロ波の波長や必要とするプラズマ強度に応
じて適宜定められる。
【００３４】図３は本発明に用いられる球面状導体アン
テナの例であり、（ａ）は真球を２等分した正半球の球
面形状をもつアンテナ、（ｂ）は真球の一部分の球面形
状をもつアンテナ、（ｃ）は凸の球面形状をもつアンテ
ナであり、凹レンズの被覆用に用いられるものである。
テナの例であり、（ａ）は真球を２等分した正半球の球
面形状をもつアンテナ、（ｂ）は真球の一部分の球面形
状をもつアンテナ、（ｃ）は凸の球面形状をもつアンテ
ナであり、凹レンズの被覆用に用いられるものである。
【００３５】スロットの形状は省略して描いている。
【００３６】次に本発明の装置を用いた球面レンズへの
薄膜の形成動作について述べる。
薄膜の形成動作について述べる。
【００３７】装置内のホルダー１０４上に、凸レンズを
被処理面が上を向くように配置し固定する。
被処理面が上を向くように配置し固定する。
【００３８】駆動機構１０５によりホルダー１０４を上
昇させ、マイクロ波供給手段の被処理体対向面１０６ａ
と被処理体の被処理面Ｗａとの間隔Ｔｇが１０ｍｍない
し５０ｍｍになる位置で上昇を停止させる。
昇させ、マイクロ波供給手段の被処理体対向面１０６ａ
と被処理体の被処理面Ｗａとの間隔Ｔｇが１０ｍｍない
し５０ｍｍになる位置で上昇を停止させる。
【００３９】排気口１０２に接続された排気ポンプによ
り容器１０１内を１．３×１０-5Ｐａ程度まで減圧した
後、処理ガスをガス導入口１０３に接続されたガス供給
系より、ガス供給通路１０８を介してプラズマプロセス
空間Ａ内に導入する。容器内の圧力を、ガス供給量、排
気量を制御して、１３．３Ｐａないし１．３３×１０3
Ｐａから選択される適当な圧力に維持する。同軸管１１
０に接続されたマイクロ波発振器から同軸管１１０を通
してマイクロ波を球面状の導体アンテナ１１１に供給す
る。
り容器１０１内を１．３×１０-5Ｐａ程度まで減圧した
後、処理ガスをガス導入口１０３に接続されたガス供給
系より、ガス供給通路１０８を介してプラズマプロセス
空間Ａ内に導入する。容器内の圧力を、ガス供給量、排
気量を制御して、１３．３Ｐａないし１．３３×１０3
Ｐａから選択される適当な圧力に維持する。同軸管１１
０に接続されたマイクロ波発振器から同軸管１１０を通
してマイクロ波を球面状の導体アンテナ１１１に供給す
る。
【００４０】こうして、プラズマプロセス空間でグロー
放電が生起され、ガスのプラズマが生成される。この時
のプラズマ密度は１０11ないし１０13ｃｍ-3の高密度で
あり、緻密な良質の膜が形成できる。
放電が生起され、ガスのプラズマが生成される。この時
のプラズマ密度は１０11ないし１０13ｃｍ-3の高密度で
あり、緻密な良質の膜が形成できる。
【００４１】また、本例によればマイクロ波を用いても
プロセス空間の間隔Ｔｇを１０ｃｍ以下（本例では１０
ｃｍより充分小さい５０ｍｍ未満）と狭くできるので、
空間Ａ内で生じた反応副生成物を高速で排気除去でき
る。よって、ピンホールの少ない良質の膜が形成でき
る。
プロセス空間の間隔Ｔｇを１０ｃｍ以下（本例では１０
ｃｍより充分小さい５０ｍｍ未満）と狭くできるので、
空間Ａ内で生じた反応副生成物を高速で排気除去でき
る。よって、ピンホールの少ない良質の膜が形成でき
る。
【００４２】図４は、誘電板１０６と被処理体Ｗの間隔
Ｔｇとプラズマ密度の関係を示すグラフである。Ｔｇが
１０ｍｍ以下であると間隔が少し異なるだけでプラズマ
密度が大きく変化してしまい、Ｔｇが５０ｍｍを越える
と急激にプラズマ密度の低下が生じる。変曲点が存在す
る１０ｍｍ＜Ｔｇ≦５０ｍｍの範囲であればプラズマの
相対密度差が２０％以内に収まり、その結果均一な膜が
できる。
Ｔｇとプラズマ密度の関係を示すグラフである。Ｔｇが
１０ｍｍ以下であると間隔が少し異なるだけでプラズマ
密度が大きく変化してしまい、Ｔｇが５０ｍｍを越える
と急激にプラズマ密度の低下が生じる。変曲点が存在す
る１０ｍｍ＜Ｔｇ≦５０ｍｍの範囲であればプラズマの
相対密度差が２０％以内に収まり、その結果均一な膜が
できる。
【００４３】本発明の装置は、凸面を有する球面レンズ
の表面処理だけではなく、凹面を有する球面レンズの表
面処理にも用いることができる。その場合は、凹凸の形
状を逆にしたアンテナをもつマイクロ波供給手段を用い
れば良い。
の表面処理だけではなく、凹面を有する球面レンズの表
面処理にも用いることができる。その場合は、凹凸の形
状を逆にしたアンテナをもつマイクロ波供給手段を用い
れば良い。
【００４４】本発明において処理し得る被処理体Ｗとし
ては、石英、蛍石等からなる絶縁性の透光性部材、アル
ミニウム等の導電性の非透光性部材が挙げられ、前者は
凸レンズ、凹レンズ、反射ミラー、窓部材として用いら
れ、後者は反射ミラーとして用いられる。
ては、石英、蛍石等からなる絶縁性の透光性部材、アル
ミニウム等の導電性の非透光性部材が挙げられ、前者は
凸レンズ、凹レンズ、反射ミラー、窓部材として用いら
れ、後者は反射ミラーとして用いられる。
【００４５】本発明の装置により施せる表面処理として
は、薄膜の形成、プラズマクリーニング、プラズマエッ
チング等である。特に本発明の装置は薄膜の形成に有利
であり、具体的には酸化アルミニウム、酸化シリコン、
酸化タンタル、酸化マグネシウム、フッ化アルミニウ
ム、フッ化マグネシウム膜の形成である。
は、薄膜の形成、プラズマクリーニング、プラズマエッ
チング等である。特に本発明の装置は薄膜の形成に有利
であり、具体的には酸化アルミニウム、酸化シリコン、
酸化タンタル、酸化マグネシウム、フッ化アルミニウ
ム、フッ化マグネシウム膜の形成である。
【００４６】薄膜の形成はプラズマＣＶＤであるので、
用いる原料ガスとしてはトリメチルアルミニウム（ＴＭ
Ａ）、トリイソブチルアルミニウム（ＴｉＢＡ）、ジメ
チルアルミニウムハイドライド（ＤＭＡＨ）等の有機ア
ルミニウム化合物、または、ＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 、Ｓ
ｉＦ4 、テトラエチルオルソシリケート（ＴＥＯＳ）等
のシリコン化合物、あるいはタンタルやビスエチルシク
ロペンタジエニルマグネシウム等のマグネシウムの有機
化合物である。さらにはこれら原料ガスに加えて、酸
素、酸化窒素、フッ素、ＮＦ3 等の酸化性ガスを用いる
ことが望ましく、必要に応じて、水素、ヘリウム、ネオ
ン、アルゴン、キセノン、クリプトン等のガスを添加し
てもよい。
用いる原料ガスとしてはトリメチルアルミニウム（ＴＭ
Ａ）、トリイソブチルアルミニウム（ＴｉＢＡ）、ジメ
チルアルミニウムハイドライド（ＤＭＡＨ）等の有機ア
ルミニウム化合物、または、ＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 、Ｓ
ｉＦ4 、テトラエチルオルソシリケート（ＴＥＯＳ）等
のシリコン化合物、あるいはタンタルやビスエチルシク
ロペンタジエニルマグネシウム等のマグネシウムの有機
化合物である。さらにはこれら原料ガスに加えて、酸
素、酸化窒素、フッ素、ＮＦ3 等の酸化性ガスを用いる
ことが望ましく、必要に応じて、水素、ヘリウム、ネオ
ン、アルゴン、キセノン、クリプトン等のガスを添加し
てもよい。
【００４７】マイクロ波発振器としては、２．４５ＧＨ
ｚ、５．０ＧＨｚ、８．３ＧＨｚ等の通常のマイクロ波
発振器が用いられる。
ｚ、５．０ＧＨｚ、８．３ＧＨｚ等の通常のマイクロ波
発振器が用いられる。
【００４８】
【実施例】表面を球面状に研磨した石英からなる凸レン
ズを図１の装置のホルダー１０４上に配置固定した。
ズを図１の装置のホルダー１０４上に配置固定した。
【００４９】駆動機構１０５を動作させてホルダー１０
４を上昇させ、Ｔｇが２０〜３０ｍｍとなる位置にホル
ダー１０４を固定した。アルミニウム製の容器１内を
１．３×１０4 Ｐａまで一旦排気し減圧した後、ホルダ
ー１０４を自転させた。処理ガスとして気化させたＴＭ
ＡとＯ2 とを導入し、圧力を１３．３Ｐａとしてマイク
ロ波を供給して、ガスプラズマを生成した。こうして石
英の球面状の凸面には、酸化アルミニウムの膜が形成で
きた。
４を上昇させ、Ｔｇが２０〜３０ｍｍとなる位置にホル
ダー１０４を固定した。アルミニウム製の容器１内を
１．３×１０4 Ｐａまで一旦排気し減圧した後、ホルダ
ー１０４を自転させた。処理ガスとして気化させたＴＭ
ＡとＯ2 とを導入し、圧力を１３．３Ｐａとしてマイク
ロ波を供給して、ガスプラズマを生成した。こうして石
英の球面状の凸面には、酸化アルミニウムの膜が形成で
きた。
【００５０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
凹面または凸面の被処理面をもつ光学部品にも高密度マ
イクロ波プラズマを用いて均一な処理を行うことができ
る。
凹面または凸面の被処理面をもつ光学部品にも高密度マ
イクロ波プラズマを用いて均一な処理を行うことができ
る。
【図１】本発明によるプラズマ処理装置の一実施形態の
断面図である。
断面図である。
【図２】球面状のラジアルラインスロットアンテナの外
観を示す図である。
観を示す図である。
【図３】本発明に用いられる球面状導体アンテナの例を
示す側面図である。
示す側面図である。
【図４】誘電板と被処理体の間隔とプラズマ密度の関係
を示す線図である。
を示す線図である。
【図５】従来のプラズマ処理装置の断面図である。
１０１ 真空容器 １０２ 排気口 １０３ ガス放出口 １０４ ホルダー １０５ 駆動機構 １０６ 誘電板 １０７ ガス導入口 １１０ 同軸管 １１１ 球面状の導体アンテナ １１１Ｓ スロット １１３ 誘電体薄膜 １１５ Ｏリング Ａ プラズマプロセス空間 Ｗ 被処理体
フロントページの続き (72)発明者 田中 信義 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 平山 昌樹 宮城県仙台市若林区舟丁52 パンション相 原103 (72)発明者 大見 忠弘 宮城県仙台市青葉区米ケ袋２−１−17− 301
Claims (5)
- 【請求項１】 減圧可能な容器と、プラズマを励起する
為のガスを該容器内に供給する為のガス供給手段と、前
記容器内を排気する為の排気手段と、前記容器内にマイ
クロ波を供給するマイクロ波供給手段と、を有し、被処
理体に表面処理を施すプラズマ処理装置において、前記
マイクロ波供給手段は、前記被処理体に対向する面が該
被処理体の被処理面に対応した形状の非平面であること
を特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２】 前記マイクロ波供給手段は球面状のスロ
ット付導体からなるアンテナを含むことを特徴とする請
求項１記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項３】 前記ガス供給手段のガス放出口が前記ス
ロット付導体からなるアンテナの端部に設けられている
ことを特徴とする請求項２記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項４】 前記マイクロ波供給手段の被処理体対向
面と前記被処理体の被処理面との間隔が１０ｍｍ乃至５
０ｍｍであることを特徴とする請求項１記載のプラズマ
処理装置。 - 【請求項５】 請求項１に記載の装置を用いて光学部品
の被覆を行う工程を含むことを特徴とする光学部品の製
造法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9343086A JPH11172446A (ja) | 1997-12-12 | 1997-12-12 | プラズマ処理装置および光学部品の製造法 |
| US09/209,496 US20020011215A1 (en) | 1997-12-12 | 1998-12-11 | Plasma treatment apparatus and method of manufacturing optical parts using the same |
| US10/449,106 US6929830B2 (en) | 1997-12-12 | 2003-06-02 | Plasma treatment method and method of manufacturing optical parts using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9343086A JPH11172446A (ja) | 1997-12-12 | 1997-12-12 | プラズマ処理装置および光学部品の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11172446A true JPH11172446A (ja) | 1999-06-29 |
Family
ID=18358841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9343086A Withdrawn JPH11172446A (ja) | 1997-12-12 | 1997-12-12 | プラズマ処理装置および光学部品の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11172446A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1306893A1 (en) * | 2000-07-11 | 2003-05-02 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| WO2005040454A1 (ja) * | 2003-10-29 | 2005-05-06 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | 表面処理方法及び装置 |
-
1997
- 1997-12-12 JP JP9343086A patent/JPH11172446A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1306893A1 (en) * | 2000-07-11 | 2003-05-02 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| EP1306893A4 (en) * | 2000-07-11 | 2005-09-28 | Tokyo Electron Ltd | PLASMA TREATMENT DEVICE |
| US7395779B2 (en) | 2000-07-11 | 2008-07-08 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| WO2005040454A1 (ja) * | 2003-10-29 | 2005-05-06 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | 表面処理方法及び装置 |
| US7459187B2 (en) | 2003-10-29 | 2008-12-02 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Surface-treatment method and equipment |
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Legal Events
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