JPH1116852A - ３−５族化合物半導体用電極の製造方法と３−５族化合物半導体素子 - Google Patents
３−５族化合物半導体用電極の製造方法と３−５族化合物半導体素子Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】３−５族化合物半導体に用いられる接触抵抗の
小さな電極の製造方法、特にＣ軸成長した良好な結晶品
質の３−５族化合物半導体に用いられる接触抵抗の小さ
な電極の製造方法および該製造方法により得られた電極
を用いた３−５族化合物半導体素子を提供する。 【解決手段】一般式ＩｎxＧａyＡｌzＮ（ただし、ｘ＋
ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で
表される３−５族化合物半導体表面に電極を製造する方
法において、該半導体表面に湿式エッチング法によりエ
ッチピットからなる凹凸を形成した後に電極６を形成す
る工程を有する３−５族化合物半導体用電極の製造方
法。
小さな電極の製造方法、特にＣ軸成長した良好な結晶品
質の３−５族化合物半導体に用いられる接触抵抗の小さ
な電極の製造方法および該製造方法により得られた電極
を用いた３−５族化合物半導体素子を提供する。 【解決手段】一般式ＩｎxＧａyＡｌzＮ（ただし、ｘ＋
ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で
表される３−５族化合物半導体表面に電極を製造する方
法において、該半導体表面に湿式エッチング法によりエ
ッチピットからなる凹凸を形成した後に電極６を形成す
る工程を有する３−５族化合物半導体用電極の製造方
法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般式ＩｎxＧａy
ＡｌzＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、
０≦ｚ≦１）で表される３−５族化合物半導体用電極の
製造方法と該製造方法で得られた電極を有する３−５族
化合物半導体素子に関する。
ＡｌzＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、
０≦ｚ≦１）で表される３−５族化合物半導体用電極の
製造方法と該製造方法で得られた電極を有する３−５族
化合物半導体素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】紫外から青色、緑色の可視領域における
発光ダイオード（以下、ＬＥＤと記すことがある。）や
レーザダイオード等の発光素子、紫外から青色、緑色の
可視領域に感度を有する受光素子、または高温、高周
波、ハイパワーの動作が可能な電界効果トランジスタや
ヘテロバイポーラトランジスタ等の電子素子の材料とし
て、一般式ＩｎxＧａyＡｌzＮ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝
１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される
窒化物系３−５族化合物半導体が知られている。とくに
ＩｎＮを混晶比で１０％以上含むものは、Ｉｎ濃度に応
じて可視領域での発光波長を調整できるため、表示用途
等に重要である。また、ＩｎＮの混晶比が１０％未満の
ものは、紫外線領域での発光が可能なため紫外線レーザ
ーダイオード等の用途に有用である。
発光ダイオード（以下、ＬＥＤと記すことがある。）や
レーザダイオード等の発光素子、紫外から青色、緑色の
可視領域に感度を有する受光素子、または高温、高周
波、ハイパワーの動作が可能な電界効果トランジスタや
ヘテロバイポーラトランジスタ等の電子素子の材料とし
て、一般式ＩｎxＧａyＡｌzＮ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝
１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される
窒化物系３−５族化合物半導体が知られている。とくに
ＩｎＮを混晶比で１０％以上含むものは、Ｉｎ濃度に応
じて可視領域での発光波長を調整できるため、表示用途
等に重要である。また、ＩｎＮの混晶比が１０％未満の
ものは、紫外線領域での発光が可能なため紫外線レーザ
ーダイオード等の用途に有用である。
【０００３】ＬＥＤやレーザーダイオード等の発光素子
では、正負の電荷（電子と正孔）を効率よく注入するた
めに接触抵抗の小さな電極が必要である。ｎ型の化合物
半導体に用いる電極材料としては、接触抵抗の十分小さ
なものが知られているが、ｐ型の化合物半導体に用いる
電極材料としては、接触抵抗の十分小さなものは知られ
ていない。このため、現状では、比較的接触抵抗の小さ
なｐ電極材料として、ＮｉＡｕ合金やＭｇＡｕ合金等が
用いられているが、ｎ電極材料に比べると依然として接
触抵抗が大きいため、主にｐ電極の接触抵抗によって素
子の駆動電圧が大きくなっており、特に高い電流密度で
駆動する半導体レーザーでは大きな問題となっている。
そこで接触抵抗を低減させる方法として、電極形成後に
電極材料に応じて適当な温度で熱処理をすることが一般
に行われている。しかしながらこの方法でも、十分小さ
な接触抵抗のｐ電極を得ることはできていなかった。
では、正負の電荷（電子と正孔）を効率よく注入するた
めに接触抵抗の小さな電極が必要である。ｎ型の化合物
半導体に用いる電極材料としては、接触抵抗の十分小さ
なものが知られているが、ｐ型の化合物半導体に用いる
電極材料としては、接触抵抗の十分小さなものは知られ
ていない。このため、現状では、比較的接触抵抗の小さ
なｐ電極材料として、ＮｉＡｕ合金やＭｇＡｕ合金等が
用いられているが、ｎ電極材料に比べると依然として接
触抵抗が大きいため、主にｐ電極の接触抵抗によって素
子の駆動電圧が大きくなっており、特に高い電流密度で
駆動する半導体レーザーでは大きな問題となっている。
そこで接触抵抗を低減させる方法として、電極形成後に
電極材料に応じて適当な温度で熱処理をすることが一般
に行われている。しかしながらこの方法でも、十分小さ
な接触抵抗のｐ電極を得ることはできていなかった。
【０００４】接触抵抗を低減させる他の方法として、Ｇ
ａＮのいわゆるプリズム面である｛１０−１０｝面また
は｛−１２−１０｝面に電極を形成する方法が有効であ
ることが理論的に予想されている（第４４回応用物理学
関係連合講演会２８ｐ-Ｄ-１３）。しかしながら、一般
に窒化物系３−５族化合物半導体は、良好な結晶を得る
ためにサファイアＣ面または｛１１−２０｝面上に成長
させるが、この場合には窒化物半導体はＣ軸方向に成長
するので、表面は｛０００１｝面となり、これまでプリ
ズム面を露出させることはできなかった。サファイアの
｛０１−１２｝面を利用すれば、ＧａＮのプリズム面で
ある｛１１−２０｝が成長表面になることが知られてい
る。しかしながら、この面方位で成長した結晶は、品質
が十分でなく、いまだ発光素子に利用できるものは得ら
れていない。
ａＮのいわゆるプリズム面である｛１０−１０｝面また
は｛−１２−１０｝面に電極を形成する方法が有効であ
ることが理論的に予想されている（第４４回応用物理学
関係連合講演会２８ｐ-Ｄ-１３）。しかしながら、一般
に窒化物系３−５族化合物半導体は、良好な結晶を得る
ためにサファイアＣ面または｛１１−２０｝面上に成長
させるが、この場合には窒化物半導体はＣ軸方向に成長
するので、表面は｛０００１｝面となり、これまでプリ
ズム面を露出させることはできなかった。サファイアの
｛０１−１２｝面を利用すれば、ＧａＮのプリズム面で
ある｛１１−２０｝が成長表面になることが知られてい
る。しかしながら、この面方位で成長した結晶は、品質
が十分でなく、いまだ発光素子に利用できるものは得ら
れていない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、３−
５族化合物半導体に用いられる接触抵抗の小さな電極の
製造方法、特にＣ軸成長した良好な結晶品質の３−５族
化合物半導体に用いられる接触抵抗の小さな電極の製造
方法および該製造方法により得られた電極を用いた３−
５族化合物半導体素子を提供することにある。
５族化合物半導体に用いられる接触抵抗の小さな電極の
製造方法、特にＣ軸成長した良好な結晶品質の３−５族
化合物半導体に用いられる接触抵抗の小さな電極の製造
方法および該製造方法により得られた電極を用いた３−
５族化合物半導体素子を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、このよう
な事情をみて鋭意検討した結果、特定の湿式エッチング
条件で形成されるエッチピットが六角柱形の構造を有
し、その側面がほぼ表面に直角なプリズム面からなるこ
とを見出した。この湿式エッチング処理によりｐ層表面
にプリズム面を形成し、しかる後にｐ電極を形成するこ
とにより良好な電流注入特性を示すｐ電極が得られるこ
とを見出し、本発明を完成した。
な事情をみて鋭意検討した結果、特定の湿式エッチング
条件で形成されるエッチピットが六角柱形の構造を有
し、その側面がほぼ表面に直角なプリズム面からなるこ
とを見出した。この湿式エッチング処理によりｐ層表面
にプリズム面を形成し、しかる後にｐ電極を形成するこ
とにより良好な電流注入特性を示すｐ電極が得られるこ
とを見出し、本発明を完成した。
【０００７】すなわち、本発明は、［１］一般式Ｉｎx
ＧａyＡｌzＮ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、
０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される３−５族化合物半
導体表面に電極を製造する方法において、該半導体表面
に湿式エッチング法によりエッチピットからなる凹凸を
形成した後に電極を形成する工程を有する３−５族化合
物半導体用電極の製造方法に係るものである。
ＧａyＡｌzＮ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、
０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される３−５族化合物半
導体表面に電極を製造する方法において、該半導体表面
に湿式エッチング法によりエッチピットからなる凹凸を
形成した後に電極を形成する工程を有する３−５族化合
物半導体用電極の製造方法に係るものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】次に本発明を詳細に説明する。本
発明における３−５族化合物半導体とは、一般式Ｉｎx
ＧａyＡｌzＮ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、
０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される窒化物系３−５族
化合物半導体である。
発明における３−５族化合物半導体とは、一般式Ｉｎx
ＧａyＡｌzＮ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、
０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される窒化物系３−５族
化合物半導体である。
【０００９】本発明の３−５族化合物半導体用電極の製
造方法は、窒化物系３−５族化合物半導体に電極を形成
する前に、該半導体表面に湿式エッチング法によりエッ
チピットからなる凹凸を形成した後に電極を形成する工
程を有することを特徴とする。該半導体表面の成長表
面、特に成長表面である｛０００１｝面を湿式エッチン
グして、表面に対して傾斜した面または表面に直角な面
を有するエッチピットを形成することが好ましい。本発
明において、該湿式エッチングに用いる湿式エッチング
剤として、以下に述べる３種類の物質群の中の少なくと
も一つを用いることが好ましい。すなわち、本発明は、
該湿式エッチングに用いる湿式エッチング剤として、
（１）ＰＯ4、ＰＯ3、ＰＯ2、Ｐ2Ｏ7、Ｐ2Ｏ6もしくは
Ｐ4Ｏ13を分子式中に含む化合物の溶融塩、または
（２）ＳＯ4、ＳＯ3、Ｓ2Ｏ4、Ｓ2Ｏ3、Ｓ2Ｏ7、Ｓ2Ｏ8
もしくはＳＯ8を分子式中に含む化合物の溶融塩、また
は（３）前記（１）の中の少なくとも１つの化合物と
（２）の中の少なくとも１つの化合物との混合物の溶融
塩を用いることが好ましい。
造方法は、窒化物系３−５族化合物半導体に電極を形成
する前に、該半導体表面に湿式エッチング法によりエッ
チピットからなる凹凸を形成した後に電極を形成する工
程を有することを特徴とする。該半導体表面の成長表
面、特に成長表面である｛０００１｝面を湿式エッチン
グして、表面に対して傾斜した面または表面に直角な面
を有するエッチピットを形成することが好ましい。本発
明において、該湿式エッチングに用いる湿式エッチング
剤として、以下に述べる３種類の物質群の中の少なくと
も一つを用いることが好ましい。すなわち、本発明は、
該湿式エッチングに用いる湿式エッチング剤として、
（１）ＰＯ4、ＰＯ3、ＰＯ2、Ｐ2Ｏ7、Ｐ2Ｏ6もしくは
Ｐ4Ｏ13を分子式中に含む化合物の溶融塩、または
（２）ＳＯ4、ＳＯ3、Ｓ2Ｏ4、Ｓ2Ｏ3、Ｓ2Ｏ7、Ｓ2Ｏ8
もしくはＳＯ8を分子式中に含む化合物の溶融塩、また
は（３）前記（１）の中の少なくとも１つの化合物と
（２）の中の少なくとも１つの化合物との混合物の溶融
塩を用いることが好ましい。
【００１０】第１の物質群は、ＰＯ4、ＰＯ3、ＰＯ2、
Ｐ2Ｏ7、Ｐ2Ｏ6もしくはＰ4Ｏ13を分子式中に含む化合
物の溶融塩である。なかでもＰＯ4またはＰＯ3を分子式
中に含む化合物の溶融塩が好ましい。ＰＯ4、ＰＯ3、Ｐ
Ｏ2、Ｐ2Ｏ7、Ｐ2Ｏ6もしくはＰ4Ｏ13を分子式中に含む
化合物の例として、リン酸２水素アンモニウム（ＮＨ4
Ｈ2ＰＯ4）、リン酸水素２アンモニウム（（ＮＨ4）2Ｈ
ＰＯ4）、リン酸アンモニウム３水和物（（ＮＨ4）3Ｐ
Ｏ4・３Ｈ2Ｏ）、メタリン酸（（ＨＰＯ3）n）、亜リン
酸（Ｈ3ＰＯ3）、次亜リン酸（Ｈ3ＰＯ2）、２リン酸
（Ｈ4Ｐ2Ｏ7）、次リン酸（Ｈ4Ｐ2Ｏ6）、ポクリン酸
（Ｈ6Ｐ4Ｏ13）などを好ましく用いることができる。な
かでもリン酸２水素アンモニウム（ＮＨ4Ｈ2ＰＯ4）、
メタリン酸（ＨＰＯ3）nが好ましい。
Ｐ2Ｏ7、Ｐ2Ｏ6もしくはＰ4Ｏ13を分子式中に含む化合
物の溶融塩である。なかでもＰＯ4またはＰＯ3を分子式
中に含む化合物の溶融塩が好ましい。ＰＯ4、ＰＯ3、Ｐ
Ｏ2、Ｐ2Ｏ7、Ｐ2Ｏ6もしくはＰ4Ｏ13を分子式中に含む
化合物の例として、リン酸２水素アンモニウム（ＮＨ4
Ｈ2ＰＯ4）、リン酸水素２アンモニウム（（ＮＨ4）2Ｈ
ＰＯ4）、リン酸アンモニウム３水和物（（ＮＨ4）3Ｐ
Ｏ4・３Ｈ2Ｏ）、メタリン酸（（ＨＰＯ3）n）、亜リン
酸（Ｈ3ＰＯ3）、次亜リン酸（Ｈ3ＰＯ2）、２リン酸
（Ｈ4Ｐ2Ｏ7）、次リン酸（Ｈ4Ｐ2Ｏ6）、ポクリン酸
（Ｈ6Ｐ4Ｏ13）などを好ましく用いることができる。な
かでもリン酸２水素アンモニウム（ＮＨ4Ｈ2ＰＯ4）、
メタリン酸（ＨＰＯ3）nが好ましい。
【００１１】第２の物質群は、ＳＯ4、ＳＯ3、Ｓ2Ｏ4、
Ｓ2Ｏ3、Ｓ2Ｏ7、Ｓ2Ｏ8もしくはＳＯ8を分子式中に含
む化合物の溶融塩である。なかでもＳＯ4、ＳＯ3を分子
式中に含む化合物の溶融塩が好ましい。ＳＯ4、ＳＯ3、
Ｓ2Ｏ4、Ｓ2Ｏ3、Ｓ2Ｏ7、Ｓ2Ｏ8もしくはＳＯ8を分子
式中に含む化合物の例として、硫酸水素アンモニウム
（ＮＨ4ＨＳＯ4）、硫酸アンモニウム（（ＮＨ4）2ＳＯ
4）、亜硫酸アンモニウム（（ＮＨ4）2ＳＯ3）、亜硫酸
水素アンモニウム（ＮＨ4ＨＳＯ3）、アミド硫酸アンモ
ニウム（（ＮＨ4ＳＯ3ＮＨ 2）などを好ましく用いるこ
とができる。なかでも硫酸水素アンモニウム（ＮＨ4Ｈ
ＳＯ4）、硫酸アンモニウム（（ＮＨ4）2ＳＯ4）が好ま
しい。
Ｓ2Ｏ3、Ｓ2Ｏ7、Ｓ2Ｏ8もしくはＳＯ8を分子式中に含
む化合物の溶融塩である。なかでもＳＯ4、ＳＯ3を分子
式中に含む化合物の溶融塩が好ましい。ＳＯ4、ＳＯ3、
Ｓ2Ｏ4、Ｓ2Ｏ3、Ｓ2Ｏ7、Ｓ2Ｏ8もしくはＳＯ8を分子
式中に含む化合物の例として、硫酸水素アンモニウム
（ＮＨ4ＨＳＯ4）、硫酸アンモニウム（（ＮＨ4）2ＳＯ
4）、亜硫酸アンモニウム（（ＮＨ4）2ＳＯ3）、亜硫酸
水素アンモニウム（ＮＨ4ＨＳＯ3）、アミド硫酸アンモ
ニウム（（ＮＨ4ＳＯ3ＮＨ 2）などを好ましく用いるこ
とができる。なかでも硫酸水素アンモニウム（ＮＨ4Ｈ
ＳＯ4）、硫酸アンモニウム（（ＮＨ4）2ＳＯ4）が好ま
しい。
【００１２】第３の物質群は、上記第１の物質群の中の
少なくとも１つの化合物と上記第２の物質群の中の少な
くとも１つの化合物との混合物の溶融塩である。
少なくとも１つの化合物と上記第２の物質群の中の少な
くとも１つの化合物との混合物の溶融塩である。
【００１３】以上のエッチング剤のいずれかを用いる
と、ＧａＮだけでなくＧａＮ以外の窒化物系３−５族化
合物半導体の表面をエッチングすることができる。この
エッチング剤の特徴は、窒化物系３−５族化合物半導体
に特有の高密度の転位等の結晶欠陥を介してエッチング
が進行してゆくことである。このためエッチングの初期
にはエッチピットが形成され、これがエッチングの進行
に伴い、横方向に拡大してゆく。拡大したエッチピット
どうしがつながり結晶表面がなくなると、実質的に表面
全体を掘り下げエッチングしたのと同じ状態にすること
もできる。
と、ＧａＮだけでなくＧａＮ以外の窒化物系３−５族化
合物半導体の表面をエッチングすることができる。この
エッチング剤の特徴は、窒化物系３−５族化合物半導体
に特有の高密度の転位等の結晶欠陥を介してエッチング
が進行してゆくことである。このためエッチングの初期
にはエッチピットが形成され、これがエッチングの進行
に伴い、横方向に拡大してゆく。拡大したエッチピット
どうしがつながり結晶表面がなくなると、実質的に表面
全体を掘り下げエッチングしたのと同じ状態にすること
もできる。
【００１４】エッチピット形状は、結晶の対称性を反映
したものになる。六方晶系の対称性を有する窒化物系３
−５族化合物半導体は通常、６回対称性をもつ｛０００
１｝面が成長表面になるのでエッチピットは、六角形の
形状になる。また、エッチピットの立体形状は、六角錐
型と六角柱型のものがある。
したものになる。六方晶系の対称性を有する窒化物系３
−５族化合物半導体は通常、６回対称性をもつ｛０００
１｝面が成長表面になるのでエッチピットは、六角形の
形状になる。また、エッチピットの立体形状は、六角錐
型と六角柱型のものがある。
【００１５】六角柱型のエッチピットは、基板表面に平
行な底面があるのが特徴であり、その側面は、成長表面
にほぼ直角な面になる場合が多く、完全に直角な場合は
｛１２１０｝面になる。六角柱形エッチピットが形成さ
れた場合には、もとの表面である｛０００１｝面の他に
エッチピットの側面も、電極との接触面として利用でき
る。六角柱型のエッチピットでは、孔の径をエッチング
条件により、０.０１μｍから１０μｍ程度の範囲で調
整ができる。六角柱型のエッチピットは、深さ方向のエ
ッチング速度に比べて横方向のエッチング速度の方が大
きいために、深さに比べて径の大きな浅いエッチピット
になる。このため六角柱型のエッチピットを横方向に拡
大させ互いにつながるようにすると、もとの表面が消失
し、広い面積にわたって結晶の内部を露出させることも
可能である。
行な底面があるのが特徴であり、その側面は、成長表面
にほぼ直角な面になる場合が多く、完全に直角な場合は
｛１２１０｝面になる。六角柱形エッチピットが形成さ
れた場合には、もとの表面である｛０００１｝面の他に
エッチピットの側面も、電極との接触面として利用でき
る。六角柱型のエッチピットでは、孔の径をエッチング
条件により、０.０１μｍから１０μｍ程度の範囲で調
整ができる。六角柱型のエッチピットは、深さ方向のエ
ッチング速度に比べて横方向のエッチング速度の方が大
きいために、深さに比べて径の大きな浅いエッチピット
になる。このため六角柱型のエッチピットを横方向に拡
大させ互いにつながるようにすると、もとの表面が消失
し、広い面積にわたって結晶の内部を露出させることも
可能である。
【００１６】一般に六角柱型のエッチピットの深さは、
個々のエッチピットによってまちまちであるため、エッ
チピットのつながった部分に段差が生じ、エッチング面
には凹凸が残った状態となる。このようにしてできた結
晶内部の露出部には、他の方法、例えば従来用いられて
いるドライエッチング法で結晶内部を露出させた場合に
生じるダメージがないため、ダメージ層の除去やダメー
ジの回復の工程を行う必要がなく、ただちに通常の方法
で良好な電流注入特性をもつ電極を形成することができ
る。
個々のエッチピットによってまちまちであるため、エッ
チピットのつながった部分に段差が生じ、エッチング面
には凹凸が残った状態となる。このようにしてできた結
晶内部の露出部には、他の方法、例えば従来用いられて
いるドライエッチング法で結晶内部を露出させた場合に
生じるダメージがないため、ダメージ層の除去やダメー
ジの回復の工程を行う必要がなく、ただちに通常の方法
で良好な電流注入特性をもつ電極を形成することができ
る。
【００１７】六角錐型のエッチピットは、傾斜面と成長
表面との角度が約３０〜８０゜の範囲にある場合が多
い。六角錐型のエッチピットが形成された場合には、も
との表面である｛０００１｝面の他に、エッチピットの
傾斜面を電極との接触面として利用できる。六角錐型の
エッチピットの大きさも、エッチング条件によりある程
度制御できるが、六角柱型に比べて制御は難しい。径が
大きくなりすぎると、エッチピットが半導体薄膜を貫通
し、基板に達する場合がある。
表面との角度が約３０〜８０゜の範囲にある場合が多
い。六角錐型のエッチピットが形成された場合には、も
との表面である｛０００１｝面の他に、エッチピットの
傾斜面を電極との接触面として利用できる。六角錐型の
エッチピットの大きさも、エッチング条件によりある程
度制御できるが、六角柱型に比べて制御は難しい。径が
大きくなりすぎると、エッチピットが半導体薄膜を貫通
し、基板に達する場合がある。
【００１８】エッチピットの形成された半導体表面は、
エッチピットの形成されてない表面よりも表面積が増大
しているので、同一面積の電極を形成した場合には接触
抵抗を小さくすることができる。また、特にｐ型の化合
物半導体の場合には、電極との固有接触抵抗は価電子帯
のホールの有効質量に関係し、ホールの有効質量が小さ
い方が固有接触抵抗は小さくなる。ホールの有効質量は
結晶の対称性を反映した異方性を有し、窒化物系３−５
族化合物半導体の場合にはＣ面の方向で最大となり、プ
リズム面の方向で最小になる。従って、Ｃ面に対して直
角に近い面ほどｐ層と電極との固有接触抵抗は小さくな
る。すなわち、エッチピットの形成されたｐ層表面は、
エッチピットのない表面よりも表面積が増大しているだ
けでなく、増大した部分（すなわちエッチピット側面）
が固有接触抵抗が小さい面であるために電流注入特性が
さらに向上し、小さな接触抵抗を得ることができる。上
述のように、本発明の効果は、ｐ型およびｎ型半導体の
どちらの場合でも得ることができるが、ｐ型の半導体を
用いた場合に特に著しい。
エッチピットの形成されてない表面よりも表面積が増大
しているので、同一面積の電極を形成した場合には接触
抵抗を小さくすることができる。また、特にｐ型の化合
物半導体の場合には、電極との固有接触抵抗は価電子帯
のホールの有効質量に関係し、ホールの有効質量が小さ
い方が固有接触抵抗は小さくなる。ホールの有効質量は
結晶の対称性を反映した異方性を有し、窒化物系３−５
族化合物半導体の場合にはＣ面の方向で最大となり、プ
リズム面の方向で最小になる。従って、Ｃ面に対して直
角に近い面ほどｐ層と電極との固有接触抵抗は小さくな
る。すなわち、エッチピットの形成されたｐ層表面は、
エッチピットのない表面よりも表面積が増大しているだ
けでなく、増大した部分（すなわちエッチピット側面）
が固有接触抵抗が小さい面であるために電流注入特性が
さらに向上し、小さな接触抵抗を得ることができる。上
述のように、本発明の効果は、ｐ型およびｎ型半導体の
どちらの場合でも得ることができるが、ｐ型の半導体を
用いた場合に特に著しい。
【００１９】本発明の効果をより有効に発現させるため
には、エッチピットの密度、深さ、横方向のサイズを調
整することが重要である。エッチピット密度は、大きい
方が、エッチピット側面部の面積を大きくできるので好
ましい。一方、エッチピット密度が増えすぎると、結晶
内に転位が増えるので、電荷の輸送特性が低下して接触
抵抗が大きくなる場合がある。好ましいエッチピット密
度の範囲は、１０4ｃｍ-2以上１０10ｃｍ-2以下であ
る。エッチピット密度は、格子定数の異なる層を積層す
ることにより、ある程度調整ができる。 横方向のサイ
ズは、エッチピットどうしがつながらない程度の大きさ
に調整する方が、エッチピットどうしがつながるまで大
きくするよりも、エッチピットの側面部の面積が大きく
できるので好ましい。
には、エッチピットの密度、深さ、横方向のサイズを調
整することが重要である。エッチピット密度は、大きい
方が、エッチピット側面部の面積を大きくできるので好
ましい。一方、エッチピット密度が増えすぎると、結晶
内に転位が増えるので、電荷の輸送特性が低下して接触
抵抗が大きくなる場合がある。好ましいエッチピット密
度の範囲は、１０4ｃｍ-2以上１０10ｃｍ-2以下であ
る。エッチピット密度は、格子定数の異なる層を積層す
ることにより、ある程度調整ができる。 横方向のサイ
ズは、エッチピットどうしがつながらない程度の大きさ
に調整する方が、エッチピットどうしがつながるまで大
きくするよりも、エッチピットの側面部の面積が大きく
できるので好ましい。
【００２０】エッチピット深さは、深い方がエッチピッ
トの側面部の面積が大きくできるので好ましい。一方、
表面側がｐ層のｐｎ接合を有する構造においては、ｐ層
に形成したエッチピットがｎ層にまで達すると、ｐ電極
の電流注入特性が低下するので好ましくない。従ってエ
ッチピットの深さはｐ層を貫通せず、かつなるべく深い
ものが好ましい。また、深いエッチピットを形成するた
めにｐ層の層厚は、厚い方が好ましく、好ましいｐ層の
層厚は、１００Å以上１０μｍ以下である。ｐ層の厚さ
が１００Å未満では、ｐ層内部までの深さのエッチピッ
トを形成するのが難しくｐ層を貫通しやすいので好まし
くなく、１０μｍよりも厚いと、成長に時間がかかるの
で実用的ではない。
トの側面部の面積が大きくできるので好ましい。一方、
表面側がｐ層のｐｎ接合を有する構造においては、ｐ層
に形成したエッチピットがｎ層にまで達すると、ｐ電極
の電流注入特性が低下するので好ましくない。従ってエ
ッチピットの深さはｐ層を貫通せず、かつなるべく深い
ものが好ましい。また、深いエッチピットを形成するた
めにｐ層の層厚は、厚い方が好ましく、好ましいｐ層の
層厚は、１００Å以上１０μｍ以下である。ｐ層の厚さ
が１００Å未満では、ｐ層内部までの深さのエッチピッ
トを形成するのが難しくｐ層を貫通しやすいので好まし
くなく、１０μｍよりも厚いと、成長に時間がかかるの
で実用的ではない。
【００２１】エッチピットの立体形状は、エッチャント
組成、窒化物系３−５族化合物半導体の結晶品質、伝導
性等によって主に影響をうける。
組成、窒化物系３−５族化合物半導体の結晶品質、伝導
性等によって主に影響をうける。
【００２２】窒化物系３−５族化合物半導体結晶の伝導
性に関しては、ｎ型不純物またはｐ型不純物をドーピン
グして高い伝導性を有する結晶の方が、不純物ドーピン
グを行わず高抵抗の結晶よりも、六角柱型エッチピット
ができやすい傾向がある。高抵抗の結晶では、六角錐型
のエッチピットができやすい。通常、ＬＥＤや半導体レ
ーザーなどの発光素子や受光素子は、電極からの電荷の
注入をよくするため、また電流経路を発光面（受光面）
に均一に広げるために、活性層や特殊な機能をもたせる
ために導入した一部の層を除けば、ほとんどの層は高い
導電性を有する層で占められる。このため、本発明の方
法は、実用的な発光素子や受光素子の構造に対しては、
六角柱型エッチピットを形成させ、小さな接触抵抗の電
極を形成させるのに有効に作用する。
性に関しては、ｎ型不純物またはｐ型不純物をドーピン
グして高い伝導性を有する結晶の方が、不純物ドーピン
グを行わず高抵抗の結晶よりも、六角柱型エッチピット
ができやすい傾向がある。高抵抗の結晶では、六角錐型
のエッチピットができやすい。通常、ＬＥＤや半導体レ
ーザーなどの発光素子や受光素子は、電極からの電荷の
注入をよくするため、また電流経路を発光面（受光面）
に均一に広げるために、活性層や特殊な機能をもたせる
ために導入した一部の層を除けば、ほとんどの層は高い
導電性を有する層で占められる。このため、本発明の方
法は、実用的な発光素子や受光素子の構造に対しては、
六角柱型エッチピットを形成させ、小さな接触抵抗の電
極を形成させるのに有効に作用する。
【００２３】六角柱型エッチピットは、第１の物質群を
用いた場合に特にできやすい傾向がある。第１と第２の
物質群の混合物の溶融塩（すなわち第３の物質群）で
は、その混合比に応じてエッチピットの形状が変化す
る。第２の物質群は、第１の物質群と混合して用いた場
合エッチング速度を早める働きがあり、特に深さ方向の
エッチング速度を速める働きがある。このため、窒化物
系３−５族化合物半導体を完全に除去し、基板を露出さ
せる目的に用いる場合には、第２の物質群と第３の物質
群と混合して用いることが好ましい。
用いた場合に特にできやすい傾向がある。第１と第２の
物質群の混合物の溶融塩（すなわち第３の物質群）で
は、その混合比に応じてエッチピットの形状が変化す
る。第２の物質群は、第１の物質群と混合して用いた場
合エッチング速度を早める働きがあり、特に深さ方向の
エッチング速度を速める働きがある。このため、窒化物
系３−５族化合物半導体を完全に除去し、基板を露出さ
せる目的に用いる場合には、第２の物質群と第３の物質
群と混合して用いることが好ましい。
【００２４】第３の物質群を用いた場合（すなわち第
１、第２の物質群の混合物）に、六角柱型のエッチピッ
トを形成させるためには、リン（Ｐ）とイオウ（Ｓ）の
合計モル数に対するリンのモル分率が大きいことが必要
である。具体的には２０％以上１００％以下の範囲、さ
らに好ましくは５０％以上１００％以下の範囲で六角柱
型のエッチピットが形成できる。リン（Ｐ）とイオウ
（Ｓ）の合計モル数に対するリン（Ｐ）のモル分率が２
０％未満の場合には、六角錐型のエッチピットが形成さ
れやすい。
１、第２の物質群の混合物）に、六角柱型のエッチピッ
トを形成させるためには、リン（Ｐ）とイオウ（Ｓ）の
合計モル数に対するリンのモル分率が大きいことが必要
である。具体的には２０％以上１００％以下の範囲、さ
らに好ましくは５０％以上１００％以下の範囲で六角柱
型のエッチピットが形成できる。リン（Ｐ）とイオウ
（Ｓ）の合計モル数に対するリン（Ｐ）のモル分率が２
０％未満の場合には、六角錐型のエッチピットが形成さ
れやすい。
【００２５】エッチングの好ましい温度は、２００℃以
上４００℃以下であり、さらに好ましくは２３０℃以上
３７０℃以下である。エッチング温度が２００℃より低
いと、塩が溶融しない場合があるので実用的でなく、ま
た溶融してもほとんどエッチピットが形成しないため好
ましくない。また、エッチング温度が４００℃より高い
とエッチングが進行しすぎてエピタキシャル結晶が消失
する場合があるため好ましくない。
上４００℃以下であり、さらに好ましくは２３０℃以上
３７０℃以下である。エッチング温度が２００℃より低
いと、塩が溶融しない場合があるので実用的でなく、ま
た溶融してもほとんどエッチピットが形成しないため好
ましくない。また、エッチング温度が４００℃より高い
とエッチングが進行しすぎてエピタキシャル結晶が消失
する場合があるため好ましくない。
【００２６】半導体素子を作製するためには、ウエーハ
ーの必要な場所だけエッチングできるように、マスクが
必要となる。好ましいマスク材料としては、エッチング
剤によって溶解されない金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）等の
貴金属単体、またはこれらを主として含む金属積層膜ま
たは合金、あるいはＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4などを好適に用い
ることができる。これらの中で、金（Ａｕ）、白金（Ｐ
ｔ）等の貴金属を主として含む金属積層膜または合金
は、窒化物系３−５族化合物半導体のｐ電極に利用でき
るものが含まれる。窒化物系３−５族化合物半導体に形
成されたｐ電極パターンをそのままエッチングの際のマ
スクとして利用することもできる。ｐ電極パターンをマ
スクとして利用することにより、発光素子および受光素
子の作製プロセスの一部を簡素化することができる。
ーの必要な場所だけエッチングできるように、マスクが
必要となる。好ましいマスク材料としては、エッチング
剤によって溶解されない金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）等の
貴金属単体、またはこれらを主として含む金属積層膜ま
たは合金、あるいはＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4などを好適に用い
ることができる。これらの中で、金（Ａｕ）、白金（Ｐ
ｔ）等の貴金属を主として含む金属積層膜または合金
は、窒化物系３−５族化合物半導体のｐ電極に利用でき
るものが含まれる。窒化物系３−５族化合物半導体に形
成されたｐ電極パターンをそのままエッチングの際のマ
スクとして利用することもできる。ｐ電極パターンをマ
スクとして利用することにより、発光素子および受光素
子の作製プロセスの一部を簡素化することができる。
【００２７】ｐ層に接触させる電極（ｐ電極）用の材料
の例としては、仕事関数が比較的大きな金属と貴金属と
の積層構造、または合金が挙げられる。具体的にはＮ
ｉ、Ｃｏ、Ｇｅ、Ｐｄの少なくとも１つと、Ａｕあるい
はＰｔとの積層構造または合金が挙げられる。また、別
のｐ電極の例としては、ＧａＮ中でアクセプタとなる金
属と貴金属との積層構造、または合金が挙げられる。具
体的には、Ｍｇ、Ｃａ、Ｚｎ、ＣｄもしくはＢｅの少な
くとも１つの金属と貴金属との積層構造または合金が挙
げられる。
の例としては、仕事関数が比較的大きな金属と貴金属と
の積層構造、または合金が挙げられる。具体的にはＮ
ｉ、Ｃｏ、Ｇｅ、Ｐｄの少なくとも１つと、Ａｕあるい
はＰｔとの積層構造または合金が挙げられる。また、別
のｐ電極の例としては、ＧａＮ中でアクセプタとなる金
属と貴金属との積層構造、または合金が挙げられる。具
体的には、Ｍｇ、Ｃａ、Ｚｎ、ＣｄもしくはＢｅの少な
くとも１つの金属と貴金属との積層構造または合金が挙
げられる。
【００２８】ｎ層に接触させる電極（ｎ電極）用の材料
の例としては、Ａｌ、ＴｉＡｌ、ＰｄＡｌ、Ｉｎ、Ｉｎ
Ｓｎなどが挙げられる。これらの電極材料が酸化しやす
い性質の場合には、この上にＡｕ、Ｐｔ等の貴金属を積
層して安定性を向上させることができる。
の例としては、Ａｌ、ＴｉＡｌ、ＰｄＡｌ、Ｉｎ、Ｉｎ
Ｓｎなどが挙げられる。これらの電極材料が酸化しやす
い性質の場合には、この上にＡｕ、Ｐｔ等の貴金属を積
層して安定性を向上させることができる。
【００２９】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳しく説明する
が、本発明はこれらに限定されるものではない。 実施例１ 図１に示す構造の窒化ガリウム系半導体試料と、該試料
の表面の層であるｐ層の接触抵抗評価用の電極を作製し
た。窒化ガリウム系半導体はＭＯＶＰＥ法により成長し
た。基板１はサファイアＣ面を鏡面研磨したものを有機
洗浄して用いた。まず５５０℃で、水素をキャリアガス
としてＴＭＧとアンモニアを供給して、ＧａＮバッファ
層２を５００Å成長した。次に１１００℃でＴＭＧ、ア
ンモニアを用いてＧａＮ層３を３μｍ成長した。次に７
８５℃で、キャリアガスを窒素とし、ＴＥＧ、ＴＥＡを
用いて、Ｇａ0. 8Ａｌ0.2Ｎ層４を３００Å成長した。次
に、１１００℃でアンモニアおよびドーパント原料であ
るビスシクロペンタジエニルマグネシウム（以下Ｃｐ2
Ｍｇと略記することがある。）を用いて、ｐ型ＧａＮ
（Ｍｇドープ）層５を５０００Å成長した。成長終了
後、基板を取り出し、窒素中８００℃で熱処理を行な
い、Ｍｇドープのｐ型ＧａＮ層５を低抵抗のｐ型層にし
た。
が、本発明はこれらに限定されるものではない。 実施例１ 図１に示す構造の窒化ガリウム系半導体試料と、該試料
の表面の層であるｐ層の接触抵抗評価用の電極を作製し
た。窒化ガリウム系半導体はＭＯＶＰＥ法により成長し
た。基板１はサファイアＣ面を鏡面研磨したものを有機
洗浄して用いた。まず５５０℃で、水素をキャリアガス
としてＴＭＧとアンモニアを供給して、ＧａＮバッファ
層２を５００Å成長した。次に１１００℃でＴＭＧ、ア
ンモニアを用いてＧａＮ層３を３μｍ成長した。次に７
８５℃で、キャリアガスを窒素とし、ＴＥＧ、ＴＥＡを
用いて、Ｇａ0. 8Ａｌ0.2Ｎ層４を３００Å成長した。次
に、１１００℃でアンモニアおよびドーパント原料であ
るビスシクロペンタジエニルマグネシウム（以下Ｃｐ2
Ｍｇと略記することがある。）を用いて、ｐ型ＧａＮ
（Ｍｇドープ）層５を５０００Å成長した。成長終了
後、基板を取り出し、窒素中８００℃で熱処理を行な
い、Ｍｇドープのｐ型ＧａＮ層５を低抵抗のｐ型層にし
た。
【００３０】このようにして得られた試料表面にＡｕを
１５００Å蒸着した後、この上にフォトリソグラフィに
よってフォトレジストのパターンを形成し、純水で３倍
に稀釈した王水を用いて、露出したＡｕ部分をエッチン
グして除去し、必要部分だけｐ型ＧａＮの露出し他はＡ
ｕで覆われた試料を作製した。このＡｕマスクのついた
試料をリン酸２水素アンモニウム（ＮＨ4Ｈ2ＰＯ4）の
溶融塩で湿式エッチングした。エッチング温度、時間は
３００℃、１４分である。湿式エッチングの終わった試
料を水洗、乾燥してエッチング剤を除去した後、光学顕
微鏡で表面状態を観察し、六角柱型のエッチピットが多
数できていることを確認した。次にエッチピットの形成
された領域の上に、ｐ電極を形成した。これを行うため
に、通常のフォトリソグラフィーによりフォトレジスト
パターン形成した後、真空蒸着法により、Ｎｉを３０
Å、引き続いてＡｕを１１５０Å堆積させた後、有機溶
剤を用いたリフトオフにより、不要なＮｉＡｕ部分を取
り除き、ｐ電極６のパターンを形成した。ｐ電極のパタ
ーンは図２に示すものを用いた。この図にはｐ電極領域
内のエッチピットの状態を模式的に示してある。
１５００Å蒸着した後、この上にフォトリソグラフィに
よってフォトレジストのパターンを形成し、純水で３倍
に稀釈した王水を用いて、露出したＡｕ部分をエッチン
グして除去し、必要部分だけｐ型ＧａＮの露出し他はＡ
ｕで覆われた試料を作製した。このＡｕマスクのついた
試料をリン酸２水素アンモニウム（ＮＨ4Ｈ2ＰＯ4）の
溶融塩で湿式エッチングした。エッチング温度、時間は
３００℃、１４分である。湿式エッチングの終わった試
料を水洗、乾燥してエッチング剤を除去した後、光学顕
微鏡で表面状態を観察し、六角柱型のエッチピットが多
数できていることを確認した。次にエッチピットの形成
された領域の上に、ｐ電極を形成した。これを行うため
に、通常のフォトリソグラフィーによりフォトレジスト
パターン形成した後、真空蒸着法により、Ｎｉを３０
Å、引き続いてＡｕを１１５０Å堆積させた後、有機溶
剤を用いたリフトオフにより、不要なＮｉＡｕ部分を取
り除き、ｐ電極６のパターンを形成した。ｐ電極のパタ
ーンは図２に示すものを用いた。この図にはｐ電極領域
内のエッチピットの状態を模式的に示してある。
【００３１】比較例１ 該化合物半導体の成長後リン酸２水素アンモニウム（Ｎ
Ｈ4Ｈ2ＰＯ4）の溶融塩による湿式エッチング処理を行
わなかったことを除いては、実施例１と同様にして窒化
ガリウム系半導体試料と、ｐ層の接触抵抗評価用の電極
を作製し、実施例１と同様の評価を行なった。実施例１
と比較例１の間隔１０μｍのｐ電極間の電流電圧特性を
図３に示す。湿式エッチングを行った実施例１の場合の
方が電流がよく流れ、接触抵抗が低減していることがわ
かる。
Ｈ4Ｈ2ＰＯ4）の溶融塩による湿式エッチング処理を行
わなかったことを除いては、実施例１と同様にして窒化
ガリウム系半導体試料と、ｐ層の接触抵抗評価用の電極
を作製し、実施例１と同様の評価を行なった。実施例１
と比較例１の間隔１０μｍのｐ電極間の電流電圧特性を
図３に示す。湿式エッチングを行った実施例１の場合の
方が電流がよく流れ、接触抵抗が低減していることがわ
かる。
【００３２】
【発明の効果】本発明の３−５族化合物半導体用電極の
製造方法によれば、接触抵抗の小さな電極が得られ、特
にＣ軸成長した良好な結晶品質の３−５族化合物半導体
に適用して接触抵抗の小さな電極が得られ、該製造方法
により得られた電極を用いることにより、駆動電圧を小
さくすることができる発光素子等の３−５族化合物半導
体素子が得られるので、きわめて有用であり、工業的価
値が大きい。
製造方法によれば、接触抵抗の小さな電極が得られ、特
にＣ軸成長した良好な結晶品質の３−５族化合物半導体
に適用して接触抵抗の小さな電極が得られ、該製造方法
により得られた電極を用いることにより、駆動電圧を小
さくすることができる発光素子等の３−５族化合物半導
体素子が得られるので、きわめて有用であり、工業的価
値が大きい。
【図１】実施例１で用いた化合物半導体の構造を示す断
面図。
面図。
【図２】実施例１で用いたｐ電極のパターンを示す図。
【図３】実施例１と比較例１における電流電圧特性を示
す図。
す図。
１・・・基板 ２・・・バッファ層 ３・・・アンドープＧａＮ層 ４・・・ＡｌＧａＮ層 ５・・・Ｍｇドープｐ型ＧａＮ層 ６・・・ｐ電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 33/00 Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｆ Ｈ０１Ｓ 3/18 Ｂ 31/10 Ｈ
Claims (5)
- 【請求項１】一般式ＩｎxＧａyＡｌzＮ（ただし、ｘ＋
ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で
表される３−５族化合物半導体表面に電極を製造する方
法において、該半導体表面に湿式エッチング法によりエ
ッチピットからなる凹凸を形成した後に電極を形成する
工程を有することを特徴とする３−５族化合物半導体用
電極の製造方法。 - 【請求項２】湿式エッチングに用いる湿式エッチング剤
として、（１）ＰＯ4、ＰＯ3、ＰＯ 2、Ｐ2Ｏ7、Ｐ2Ｏ6
もしくはＰ4Ｏ13を分子式中に含む化合物の溶融塩、ま
たは（２）ＳＯ4、ＳＯ3、Ｓ2Ｏ4、Ｓ2Ｏ3、Ｓ2Ｏ7、Ｓ
2Ｏ8もしくはＳＯ8を分子式中に含む化合物の溶融塩、
または（３）前記（１）の中の少なくとも１つの化合物
と（２）の中の少なくとも１つの化合物との混合物の溶
融塩を用いることを特徴とする請求項１記載の３−５族
化合物半導体用電極の製造方法。 - 【請求項３】一般式ＩｎxＧａyＡｌzＮ（ただし、ｘ＋
ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で
表される３−５族化合物半導体がｐ型の伝導性を有する
ことを特徴とする請求項１または２記載の３−５族化合
物半導体用電極の製造方法。 - 【請求項４】一般式ＩｎxＧａyＡｌzＮ（ただし、ｘ＋
ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で
表される３−５族化合物半導体がＣ軸方向に成長してな
るものであることを特徴とする請求項１、２または３記
載の３−５族化合物半導体用電極の製造方法。 - 【請求項５】請求項１、２、３または４記載の３−５族
化合物半導体用電極の製造方法で製造された電極を有す
ることを特徴とする３−５族化合物半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16845997A JP4013288B2 (ja) | 1997-06-25 | 1997-06-25 | ３−５族化合物半導体用電極の製造方法と３−５族化合物半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16845997A JP4013288B2 (ja) | 1997-06-25 | 1997-06-25 | ３−５族化合物半導体用電極の製造方法と３−５族化合物半導体素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1116852A true JPH1116852A (ja) | 1999-01-22 |
| JP4013288B2 JP4013288B2 (ja) | 2007-11-28 |
Family
ID=15868513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16845997A Expired - Fee Related JP4013288B2 (ja) | 1997-06-25 | 1997-06-25 | ３−５族化合物半導体用電極の製造方法と３−５族化合物半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4013288B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1305186C (zh) * | 2003-12-29 | 2007-03-14 | 中国科学院半导体研究所 | 电泵浦边发射半导体微腔激光器的制作方法 |
| JP2008108844A (ja) * | 2006-10-24 | 2008-05-08 | Toyota Central R&D Labs Inc | トレンチ構造またはメサ構造を有するｉｉｉ族窒化物半導体装置およびその製造方法 |
| US7407859B2 (en) | 2003-01-27 | 2008-08-05 | Fujitsu Limited | Compound semiconductor device and its manufacture |
| WO2010113399A1 (ja) * | 2009-04-02 | 2010-10-07 | パナソニック株式会社 | 窒化物系半導体素子およびその製造方法 |
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| US8648378B2 (en) | 2008-11-06 | 2014-02-11 | Panasonic Corporation | Nitride-based semiconductor device and method for fabricating the same |
| US8748899B2 (en) | 2009-12-25 | 2014-06-10 | Panasonic Corporation | Nitride-based semiconductor device and method for fabricating the same |
| US8933543B2 (en) | 2010-04-02 | 2015-01-13 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Nitride semiconductor element having m-plane angled semiconductor region and electrode including Mg and Ag |
-
1997
- 1997-06-25 JP JP16845997A patent/JP4013288B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| CN102007611A (zh) * | 2009-04-02 | 2011-04-06 | 松下电器产业株式会社 | 氮化物系半导体元件及其制造方法 |
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