JPH11168066A - 熱処理装置のクリーニング方法 - Google Patents

熱処理装置のクリーニング方法

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JPH11168066A
JPH11168066A JP33434997A JP33434997A JPH11168066A JP H11168066 A JPH11168066 A JP H11168066A JP 33434997 A JP33434997 A JP 33434997A JP 33434997 A JP33434997 A JP 33434997A JP H11168066 A JPH11168066 A JP H11168066A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
heat treatment
cleaning
reactive
processing chamber
Prior art date
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Pending
Application number
JP33434997A
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English (en)
Inventor
Yoko Ono
洋子 小野
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Shibaura Mechatronics Corp
Original Assignee
Shibaura Mechatronics Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】クリーニングガスと反応する反応性部材の損傷
を回避することを課題とする。 【解決手段】処理室23と、この処理室内に配置され、ウ
ェハを支持するサセプタと、前記ウェハを加熱するヒー
タ27と、前記処理室内に前記ウェハと対向するように配
置された整流板30と、前記処理室に接続され、処理室内
にクリーニングガスを送給するガス導入管31と、前記ク
リーニングガスと反応する材料からなる反応性部材とを
具備する熱処理装置のクリーニング方法において、熱処
理による付着物が付着し難くかつ前記反応性部材がある
箇所に、反応性ガスと不活性なガスを流し、前記クリー
ニングガスを希釈又は搬送して排気することを特徴とす
る熱処理装置のクリーニング方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は熱処理装置のクリー
ニング方法に関し、特に熱処理による付着物を除去する
ために流すガスと反応しやすい部材を保護するように改
良した熱処理装置のクリーニング方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、熱処理装置としては、図2に示す
ものが知られている。図中の付番1は上部が開口された
有底の筒状体であり、該筒状体1の上部に設けられた蓋
体としての天板2とともに処理室3を構成している。こ
の処理室3内には、ウェハ4を支持するサセプタ5が配
置されている。このサセプタ5は、下方に配置された駆
動機構6により駆動するようになっている。前記サセプ
タ5の内側にはウェハ4を加熱するヒータ7が配置され
ている。前記サセプタ5の外側寄りには、リング状の遮
蔽部材8が配置されている。前記筒状体1の上側には、
支持部材9により支持された整流板10が設けられてい
る。この整流板10には、ウェハ4主面に反応ガスを流す
複数のノズル穴10aが設けられている。前記筒状体1の
上部側壁には、処理室3内に反応性ガスやクリーニング
ためのClF3 (三弗化塩素)ガスを流すガス導入管11
が設けられている。前記筒状体1の下部側には処理室3
内の反応性ガスなどを排気する排気管12が設けられてい
る。
【0003】こうした熱処理装置において、熱処理後は
処理室3内あるいは排気管12内等に反応性ガスによる付
着物が付着するため、ClF3 をガス導入管11から処理
室内に流して付着物を除去するクリーニングを行なって
いる。なお、ClF3 を用いる理由は、ClF3 は反応
性が高く、短時間で処理室3や排気管12内の付着物を除
去でき、生産性を低下させることがないためである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図1の熱処
理装置において、処理室3内に止むをえずClF3 と反
応する材料を使用しなければならない場合、クリーニン
グ処理時にこれらの材料がエッチングされ、損傷を受け
る。また、エッチングされた材料が気体となり、次の膜
堆積等の熱処理時の汚染源となる可能性がある。
【0005】本発明はこうした事情を考慮してなされた
もので、熱処理による付着物が付着し難くかつ前記反応
性部材がある箇所に、反応性ガスと不活性なガスを流
し、クリーニングガスを希釈又は搬送して排気すること
により、クリーニングガスと反応する反応性部材の損傷
を回避しえる熱処理装置のクリーニング方法を提供する
ことを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、処理室と、こ
の処理室内に配置され、ウェハを支持するサセプタと、
前記ウェハを加熱するヒータと、前記処理室内に前記ウ
ェハと対向するように配置された整流板と、前記処理室
に接続され、処理室内にクリーニングガスを送給するガ
ス導入管と、前記クリーニングガスと反応する材料から
なる反応性部材とを具備する熱処理装置のクリーニング
方法において、熱処理による付着物が付着し難くかつ前
記反応性部材がある箇所に、反応性ガスと不活性なガス
を流し、前記クリーニングガスを希釈又は搬送して排気
することを特徴とする熱処理装置のクリーニング方法で
ある。
【0007】本発明において、反応性ガスと不活性なガ
スとしては、例えばN2 ガスが挙げられるが、これに限
定されない。また、反応性ガスと不活性なガスはサセプ
タの内部の圧力と外部の圧力が等しくなるように流すこ
とが好ましい。この理由は、ガスの流れが急になるとこ
ろでガスと反応する部材が反応しガス化することを防ぐ
ためである。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例について
説明する。まず、本発明に係る熱処理装置の構成につい
て図1を参照して説明する。図中の付番21は上部が開口
された有底の筒状体であり、該筒状体21の上部に設けら
れた蓋体としての天板22とともに処理室23を構成してい
る。この処理室23内には、ウェハ24を支持するサセプタ
25が配置されている。このサセプタ25は、下方に配置さ
れた駆動機構26により駆動するようになっている。前記
サセプタ25の内側にはウェハ24を加熱するヒータ27が配
置されている。前記サセプタ25の外側寄りには、筒状の
遮蔽部材28が配置されている。前記筒状体21の上側に
は、支持部材29により支持された整流板30が設けられて
いる。この整流板30には、ウェハ24主面に反応ガスを流
す複数のノズル穴30aが設けられている。前記筒状体21
の上部側壁には、処理室23内に反応性ガスやクリーニン
グためのClF3 ガスを流すガス導入管31が設けられて
いる。前記筒状体21の下部側には処理室23内の反応性ガ
スなどを排気する排気管32が設けられている。
【0009】こうした構成のの装置において、ウェハ24
の処理が終了した後、ウェハ24をサセプタ25から外した
後、ガス導入管31からクリーニングガスであるClF3
を流すとともに、筒状体21の底部に設けられた駆動機構
26部分よりN2 ガスを流してClF3 を希釈することに
よりクリーニングを行う。この際、サセプタ25の内側及
び外側の圧力が等しくなる量のN2 ガスを流す。
【0010】上記実施例に係る熱処理装置のクリーニン
グ方法によれば、ガス導入管31からClF3 を流すとと
もに、筒状体21の底部に設けられた駆動機構26部分より
2ガスを流してClF3 を希釈し、これらのガスを排
気管32から排出するクリーニングを行うため、サセプタ
25の内側に主として堆積されている熱処理による付着物
が付着し難くかつClF3 と反応しやすい反応性部材が
存在しても、サセプタ25の内側でClF3 がN2 により
希釈されるため、反応性部材がClF3 と反応しエッチ
ングされるのを抑制できる。また、N2 ガスをサセプタ
25の内側及び外側の圧力が等しくなる量流すため、反応
性部材がClF3 と反応するのを一層抑制することがで
きる。
【0011】なお、上記実施例では、筒状体の底部に設
けられた駆動機構部分よりN2 ガスを流す場合について
述べたが、これに限らず、熱処理による付着物が付着し
難くかつClF3 と反応しやすい反応性部材が存在する
箇所ならどこから流してもよい。また、上記実施例で
は、反応性ガスと不活性なガスとしてN2 を用いた場合
について述べたが、これに限らず、He,Arなどの不
活性ガスを用いてもよい。
【0012】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、熱
処理による付着物が付着し難くかつ前記反応性部材があ
る箇所に、反応性ガスと不活性なガスを流し、クリーニ
ングガスを希釈又は搬送して排気することにより、クリ
ーニングガスと反応する反応性部材の損傷を回避できる
とともに、反応性ガスと反応性のある材料も積極的に使
用可能となって選択の幅が広がる熱処理装置のクリーニ
ング方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係る熱処理装置の説明図。
【図2】従来の熱処理装置の説明図。
【符号の説明】
21…筒状体、 22…天板、 23…処理室、 24…ウェハ、 25…サセプタ、 26…駆動機構、 27…ヒータ、 30…整流板、 30a…ノズル穴、 31…ガス導入管、 32…排気管。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 処理室と、この処理室内に配置され、ウ
    ェハを支持するサセプタと、前記ウェハを加熱するヒー
    タと、前記処理室内に前記ウェハと対向するように配置
    された整流板と、前記処理室に接続され、処理室内にク
    リーニングガスを送給するガス導入管と、前記クリーニ
    ングガスと反応する材料からなる反応性部材とを具備す
    る熱処理装置のクリーニング方法において、 熱処理による付着物が付着し難くかつ前記反応性部材が
    ある箇所に、反応性ガスと不活性なガスを流し、前記ク
    リーニングガスを希釈又は搬送して排気することを特徴
    とする熱処理装置のクリーニング方法。
  2. 【請求項2】 反応性ガスと不活性なガスがN2 ガスで
    あることを特徴とする請求項1記載の熱処理装置のクリ
    ーニング方法。
  3. 【請求項3】 反応性ガスと不活性なガスを、サセプタ
    の内側の圧力と外部の圧力が等しい量流すことを特徴と
    する請求項1若しくは請求項2記載の熱処理装置のクリ
    ーニング方法。
JP33434997A 1997-12-04 1997-12-04 熱処理装置のクリーニング方法 Pending JPH11168066A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013207196A (ja) * 2012-03-29 2013-10-07 Nuflare Technology Inc 成膜装置および成膜方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013207196A (ja) * 2012-03-29 2013-10-07 Nuflare Technology Inc 成膜装置および成膜方法
US9735003B2 (en) 2012-03-29 2017-08-15 Nuflare Technology, Inc Film-forming apparatus and film-forming method

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