JPH11163753A - 中間周波フィルタ - Google Patents
中間周波フィルタInfo
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- JPH11163753A JPH11163753A JP34381997A JP34381997A JPH11163753A JP H11163753 A JPH11163753 A JP H11163753A JP 34381997 A JP34381997 A JP 34381997A JP 34381997 A JP34381997 A JP 34381997A JP H11163753 A JPH11163753 A JP H11163753A
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- JP
- Japan
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- tuning
- secondary coil
- transformer
- coil
- ceramic filter
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 同調トランスの二次側コイルとセラミックフ
ィルタの入力端子側の容量で同調回路が形成されること
により発生するスプリアスを防止する。 【解決手段】 セラミックフィルタ１３と、セラミック
フィルタの入力側に接続する同調トランスＴ１を備え
る。同調トランスは、一次側コイルＬ１に容量素子Ｃ１
を並列に接続して同調回路が形成され、二次側コイルＬ
２に抵抗１６が直列に接続される。そして、同調トラン
スの一次側コイルと二次側コイルは、磁気的に結合させ
て二次側コイルとセラミックフィルタの入力側容量によ
り形成される同調回路の同調周波数が同調トランスの一
次側に形成された同調回路の同調周波数近傍になる様
に、−１＜Ｋ＜１なる関係をもたせる。ただし、Ｋは一
次側コイルと二次側コイルの結合係数である。
ィルタの入力端子側の容量で同調回路が形成されること
により発生するスプリアスを防止する。 【解決手段】 セラミックフィルタ１３と、セラミック
フィルタの入力側に接続する同調トランスＴ１を備え
る。同調トランスは、一次側コイルＬ１に容量素子Ｃ１
を並列に接続して同調回路が形成され、二次側コイルＬ
２に抵抗１６が直列に接続される。そして、同調トラン
スの一次側コイルと二次側コイルは、磁気的に結合させ
て二次側コイルとセラミックフィルタの入力側容量によ
り形成される同調回路の同調周波数が同調トランスの一
次側に形成された同調回路の同調周波数近傍になる様
に、−１＜Ｋ＜１なる関係をもたせる。ただし、Ｋは一
次側コイルと二次側コイルの結合係数である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミックフィル
タと同調トランスとにより構成され、ラジオ受信機の中
間周波数増幅段に用いられる中間周波フィルタに関する
ものである。
タと同調トランスとにより構成され、ラジオ受信機の中
間周波数増幅段に用いられる中間周波フィルタに関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の中間周波フィルタは、セラミック
フィルタと同調トランスを図９の様に接続している。同
調トランスＴ５は、一次側コイルＬ１０と二次側コイル
Ｌ１１を備え、一次側コイルＬ１０と二次側コイルＬ１
１を磁気的に結合させてある。一次側コイルＬ１０は、
入力端子９１Ａ、９１Ｂ間に接続され、入力端子９１
Ａ、９１Ｂ間にコンデンサＣ５を一次側コイルＬ１０と
並列になる様に接続して同調回路が形成される。また、
一次側コイルＬ１０の途中にミキサ回路へバイアス電圧
を加えるためのタップ９１Ｃを設けている。また、同調
トランスＴ５の二次側コイルＬ１１は、アース用端子９
２Ｂと出力端子９２Ａ間に接続されており、出力端子９
２Ａがセラミックフィルタ９３の入力端子９４に接続さ
れている。セラミックフィルタ９３は、三端子型セラミ
ックフィルタであり、入力端子９４が二次側コイルＬ１
１の出力端子９２Ａに接続され、出力端子９５が中間周
波フィルタの出力端子も兼ねている。この中間周波フィ
ルタは、同調トランスＴ５の一次側コイルＬ１０とコン
デンサＣ５によって形成される同調回路及び、セラミッ
クフィルタ９３が中間周波数の信号に同調する様に、同
調回路の同調周波数とセラミックフィルタ９３の共振周
波数が中間周波数に設定されると共に、同調トランスＴ
５の二次側コイルＬ１１のインダクタンス値をセラミッ
クフィルタ９３の動作インピーダンスに一致させてい
る。また、この中間周波フィルタの同調トランスＴ５
は、図１０に示す様に一次側コイルＬ１０と二次側コイ
ルＬ１１をフェライトからなるドラムコア１００の同じ
巻溝に巻回して形成される。
フィルタと同調トランスを図９の様に接続している。同
調トランスＴ５は、一次側コイルＬ１０と二次側コイル
Ｌ１１を備え、一次側コイルＬ１０と二次側コイルＬ１
１を磁気的に結合させてある。一次側コイルＬ１０は、
入力端子９１Ａ、９１Ｂ間に接続され、入力端子９１
Ａ、９１Ｂ間にコンデンサＣ５を一次側コイルＬ１０と
並列になる様に接続して同調回路が形成される。また、
一次側コイルＬ１０の途中にミキサ回路へバイアス電圧
を加えるためのタップ９１Ｃを設けている。また、同調
トランスＴ５の二次側コイルＬ１１は、アース用端子９
２Ｂと出力端子９２Ａ間に接続されており、出力端子９
２Ａがセラミックフィルタ９３の入力端子９４に接続さ
れている。セラミックフィルタ９３は、三端子型セラミ
ックフィルタであり、入力端子９４が二次側コイルＬ１
１の出力端子９２Ａに接続され、出力端子９５が中間周
波フィルタの出力端子も兼ねている。この中間周波フィ
ルタは、同調トランスＴ５の一次側コイルＬ１０とコン
デンサＣ５によって形成される同調回路及び、セラミッ
クフィルタ９３が中間周波数の信号に同調する様に、同
調回路の同調周波数とセラミックフィルタ９３の共振周
波数が中間周波数に設定されると共に、同調トランスＴ
５の二次側コイルＬ１１のインダクタンス値をセラミッ
クフィルタ９３の動作インピーダンスに一致させてい
る。また、この中間周波フィルタの同調トランスＴ５
は、図１０に示す様に一次側コイルＬ１０と二次側コイ
ルＬ１１をフェライトからなるドラムコア１００の同じ
巻溝に巻回して形成される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この様に形成された中
間周波フィルタは、同調トランスＴ５の一次側コイルＬ
１０と二次側コイルＬ１１の結合係数が１に近くなって
一次側コイルＬ１０と二次側コイルＬ１１が密に結合す
ると共に、この同調トランスＴ５の二次側コイルＬ１１
にセラミックフィルタ９３が接続されるので、図１１に
示す様に同調トランスＴ５の一次側コイルＬ１０とコン
デンサＣ５によって形成された同調回路と、セラミック
フィルタ９３によって形成される共振回路１１３の他
に、セラミックフィルタ９３の入力端子側の容量１１７
と同調トランスＴ５の二次側コイルＬ１１によって同調
回路が形成される。従って、従来の中間周波フィルタ
は、このセラミックフィルタ９３の入力端子側の容量１
１７と同調トランスＴ５の二次側コイルＬ１１によって
形成された同調回路によって図１２に示すように中間周
波数Ｆ０以外の周波数Ｆ１にスプリアスが発生し、この
スプリアスによってラジオの受信周波数よりもスプリア
スが発生する周波数Ｆ１分高い周波数に妨害波が発生し
て混信が起き、ラジオの性能が悪化するという問題があ
った。このスプリアスが発生する周波数Ｆ１は、セラミ
ックフィルタの入力端子側の容量のバラツキによって変
動するので、従来の中間周波フィルタを組み込んだラジ
オ受信機は後段の検波回路等でスプリアスを除去するこ
とができなかった。
間周波フィルタは、同調トランスＴ５の一次側コイルＬ
１０と二次側コイルＬ１１の結合係数が１に近くなって
一次側コイルＬ１０と二次側コイルＬ１１が密に結合す
ると共に、この同調トランスＴ５の二次側コイルＬ１１
にセラミックフィルタ９３が接続されるので、図１１に
示す様に同調トランスＴ５の一次側コイルＬ１０とコン
デンサＣ５によって形成された同調回路と、セラミック
フィルタ９３によって形成される共振回路１１３の他
に、セラミックフィルタ９３の入力端子側の容量１１７
と同調トランスＴ５の二次側コイルＬ１１によって同調
回路が形成される。従って、従来の中間周波フィルタ
は、このセラミックフィルタ９３の入力端子側の容量１
１７と同調トランスＴ５の二次側コイルＬ１１によって
形成された同調回路によって図１２に示すように中間周
波数Ｆ０以外の周波数Ｆ１にスプリアスが発生し、この
スプリアスによってラジオの受信周波数よりもスプリア
スが発生する周波数Ｆ１分高い周波数に妨害波が発生し
て混信が起き、ラジオの性能が悪化するという問題があ
った。このスプリアスが発生する周波数Ｆ１は、セラミ
ックフィルタの入力端子側の容量のバラツキによって変
動するので、従来の中間周波フィルタを組み込んだラジ
オ受信機は後段の検波回路等でスプリアスを除去するこ
とができなかった。
【０００４】本発明の課題は、スプリアスが発生するの
を防止し、ラジオの性能が悪化するのを防止できる中間
周波フィルタを提供することを目的とする。
を防止し、ラジオの性能が悪化するのを防止できる中間
周波フィルタを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の中間周波フィル
タは、セラミックフィルタと、このセラミックフィルタ
の入力側に接続される同調トランスを備え、同調トラン
スは、一次側コイルに容量素子を並列に接続して同調回
路が形成され、二次側コイルに抵抗を直列に接続し、一
次側コイルと二次側コイルを磁気的に結合させて二次側
コイルとセラミックフィルタの入力容量から形成される
同調回路の同調周波数が同調トランスの一次側に形成さ
れた同調回路の同調周波数近傍になるように−１＜Ｋ＜
１からなる関係を持たせたものである。但し、Ｋは一次
側コイルと二次側コイルの結合係数である。
タは、セラミックフィルタと、このセラミックフィルタ
の入力側に接続される同調トランスを備え、同調トラン
スは、一次側コイルに容量素子を並列に接続して同調回
路が形成され、二次側コイルに抵抗を直列に接続し、一
次側コイルと二次側コイルを磁気的に結合させて二次側
コイルとセラミックフィルタの入力容量から形成される
同調回路の同調周波数が同調トランスの一次側に形成さ
れた同調回路の同調周波数近傍になるように−１＜Ｋ＜
１からなる関係を持たせたものである。但し、Ｋは一次
側コイルと二次側コイルの結合係数である。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の中間周波フィルタは、セ
ラミックフィルタと、このセラミックフィルタの入力側
に接続される同調トランスを備える。同調トランスは、
一次側コイルに容量素子を並列に接続して同調回路が形
成され、二次側コイルの一端と該セラミックフィルタの
入力端子間又は、二次側コイルの他端とアース間に抵抗
が接続される。同調トランスの一次側コイルと二次側コ
イルは、互いに磁気的に結合させ、同調トランスの二次
側コイルとセラミックフィルタの入力側容量により形成
される同調回路の同調周波数が同調トランスの一次側に
形成された同調回路の同調周波数近傍になるように一次
側コイルと二次側コイルの結合係数が−１よりも大きく
１よりも小さく設定される。
ラミックフィルタと、このセラミックフィルタの入力側
に接続される同調トランスを備える。同調トランスは、
一次側コイルに容量素子を並列に接続して同調回路が形
成され、二次側コイルの一端と該セラミックフィルタの
入力端子間又は、二次側コイルの他端とアース間に抵抗
が接続される。同調トランスの一次側コイルと二次側コ
イルは、互いに磁気的に結合させ、同調トランスの二次
側コイルとセラミックフィルタの入力側容量により形成
される同調回路の同調周波数が同調トランスの一次側に
形成された同調回路の同調周波数近傍になるように一次
側コイルと二次側コイルの結合係数が−１よりも大きく
１よりも小さく設定される。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の中間周波フィルタの実施例を
示す図１乃至図８を参照して説明する。図１は本発明の
中間周波フィルタの第１の実施例の回路図、図２は同調
トランスの回路図である。図１、図２において、Ｔ１は
同調トランス、１３はセラミックフィルタである。同調
トランスＴ１は、互いに磁気的に結合した一次側コイル
Ｌ１と二次側コイルＬ２を備える。一次側コイルＬ１
は、前段のミキサー回路に接続される入力端子１１Ａ、
１１Ｂ間に接続され、コンデンサＣ１が一次側コイルＬ
１と並列に接続される。また、一次側コイルＬ１の途中
にミキサー回路へバイアス電圧を加えるタップ１１Ｃを
設けている。二次側コイルＬ２は、一端が出力端子１２
Ａに、他端がアース用端子１２Ｂにそれぞれ接続され
る。そして、出力端子１２Ａが、抵抗１６を介してセラ
ミックフィルタ１３に接続される。セラミックフィルタ
１３は、三端子型のセラミックフィルタが用いられ、入
力端子１４が二次側コイルＬ２の出力端子１２Ａに接続
され、出力端子１５が中間周波フィルタの出力端子も兼
ねている。
示す図１乃至図８を参照して説明する。図１は本発明の
中間周波フィルタの第１の実施例の回路図、図２は同調
トランスの回路図である。図１、図２において、Ｔ１は
同調トランス、１３はセラミックフィルタである。同調
トランスＴ１は、互いに磁気的に結合した一次側コイル
Ｌ１と二次側コイルＬ２を備える。一次側コイルＬ１
は、前段のミキサー回路に接続される入力端子１１Ａ、
１１Ｂ間に接続され、コンデンサＣ１が一次側コイルＬ
１と並列に接続される。また、一次側コイルＬ１の途中
にミキサー回路へバイアス電圧を加えるタップ１１Ｃを
設けている。二次側コイルＬ２は、一端が出力端子１２
Ａに、他端がアース用端子１２Ｂにそれぞれ接続され
る。そして、出力端子１２Ａが、抵抗１６を介してセラ
ミックフィルタ１３に接続される。セラミックフィルタ
１３は、三端子型のセラミックフィルタが用いられ、入
力端子１４が二次側コイルＬ２の出力端子１２Ａに接続
され、出力端子１５が中間周波フィルタの出力端子も兼
ねている。
【０００８】そして、同調トランスＴ１の一次側コイル
Ｌ１と二次側コイルＬ２は、図２に示す様にフェライト
からなるドラムコア２０に巻回される。ドラムコア２０
は、巻軸に３枚の鍔を設け、この鍔によって２つの巻溝
が形成される。そして、一次側コイルＬ１と二次側コイ
ルＬ２は、結合係数が式（１）になる様に、このドラム
コア２０の上側の巻溝に一次側コイルＬ１が、下側の巻
溝に二次側コイルＬ２が巻回される。 −１＜Ｋ＜１ （１） 但し、Ｋは一次側コイルと二次側コイルの結合係数であ
る。
Ｌ１と二次側コイルＬ２は、図２に示す様にフェライト
からなるドラムコア２０に巻回される。ドラムコア２０
は、巻軸に３枚の鍔を設け、この鍔によって２つの巻溝
が形成される。そして、一次側コイルＬ１と二次側コイ
ルＬ２は、結合係数が式（１）になる様に、このドラム
コア２０の上側の巻溝に一次側コイルＬ１が、下側の巻
溝に二次側コイルＬ２が巻回される。 −１＜Ｋ＜１ （１） 但し、Ｋは一次側コイルと二次側コイルの結合係数であ
る。
【０００９】この様な中間周波フィルタは、同調トラン
スＴ１の二次側コイルＬ２の出力端子１２Ａが抵抗１６
を介してセラミックフィルタ１３に接続されるので、図
３の様に同調トランスＴ１の一次側コイルＬ１とコンデ
ンサＣ１によって同調回路が、セラミックフィルタ１３
によって共振回路３３がそれぞれ形成されると共に、同
調トランスＴ１の二次側コイルＬ２、この二次側コイル
Ｌ２に直列に接続された抵抗１６、セラミックフィルタ
１３の入力端子側の容量３７によって同調回路３８が形
成される。そして、同調トランスＴ１の一次側に形成さ
れた同調回路の同調周波数と、セラミックフィルタ１３
の共振周波数が中間周波数に設定されると共に、同調回
路３８の同調周波数が中間周波数になる様に、同調トラ
ンスＴ１の一次側コイルＬ１と二次側コイルＬ２の結合
係数が式（１）内で調節される。この同調トランスＴ１
の二次側コイルＬ２は、抵抗１６が直列に接続されるの
で、そのＱ値は式（２）で表される。 Ｑ＝ω・Ｌ2 ／ｒ＋Ｒ （２） ただし、ωは角周波数、Ｌ2 は二次側コイルＬ２のイン
ダクタンス、ｒは二次側コイルＬ２の内部抵抗値、Ｒは
抵抗１６の抵抗値である。従って、同調回路３８は、抵
抗１６の抵抗値を変化させることにより二次側コイルＬ
２のＱ値を調節できると共に、同調回路のＱ値も調節で
きる。すなわち、同調回路３８のＱ値は、図４に示す様
に同調トランスＴ１の二次側コイルＬ２に抵抗１６を接
続しない場合に比べて小さくできる。図４は同調回路３
８の特性図であり、縦軸が減衰量、横軸が周波数、４１
が同調トランスＴ１の二次側コイルＬ２に抵抗１６を直
列に接続した場合、４２が同調トランスＴ１の二次側コ
イルＬ２に抵抗１６を接続しない場合を示している。ま
た、この同調回路３８の同調周波数のインピーダンスは
式（３）で表される。 Ｚ＝Ｒ＋ｒ （３）
スＴ１の二次側コイルＬ２の出力端子１２Ａが抵抗１６
を介してセラミックフィルタ１３に接続されるので、図
３の様に同調トランスＴ１の一次側コイルＬ１とコンデ
ンサＣ１によって同調回路が、セラミックフィルタ１３
によって共振回路３３がそれぞれ形成されると共に、同
調トランスＴ１の二次側コイルＬ２、この二次側コイル
Ｌ２に直列に接続された抵抗１６、セラミックフィルタ
１３の入力端子側の容量３７によって同調回路３８が形
成される。そして、同調トランスＴ１の一次側に形成さ
れた同調回路の同調周波数と、セラミックフィルタ１３
の共振周波数が中間周波数に設定されると共に、同調回
路３８の同調周波数が中間周波数になる様に、同調トラ
ンスＴ１の一次側コイルＬ１と二次側コイルＬ２の結合
係数が式（１）内で調節される。この同調トランスＴ１
の二次側コイルＬ２は、抵抗１６が直列に接続されるの
で、そのＱ値は式（２）で表される。 Ｑ＝ω・Ｌ2 ／ｒ＋Ｒ （２） ただし、ωは角周波数、Ｌ2 は二次側コイルＬ２のイン
ダクタンス、ｒは二次側コイルＬ２の内部抵抗値、Ｒは
抵抗１６の抵抗値である。従って、同調回路３８は、抵
抗１６の抵抗値を変化させることにより二次側コイルＬ
２のＱ値を調節できると共に、同調回路のＱ値も調節で
きる。すなわち、同調回路３８のＱ値は、図４に示す様
に同調トランスＴ１の二次側コイルＬ２に抵抗１６を接
続しない場合に比べて小さくできる。図４は同調回路３
８の特性図であり、縦軸が減衰量、横軸が周波数、４１
が同調トランスＴ１の二次側コイルＬ２に抵抗１６を直
列に接続した場合、４２が同調トランスＴ１の二次側コ
イルＬ２に抵抗１６を接続しない場合を示している。ま
た、この同調回路３８の同調周波数のインピーダンスは
式（３）で表される。 Ｚ＝Ｒ＋ｒ （３）
【００１０】この様に形成された中間周波フィルタは、
同調回路３８の同調周波数が中間周波数になる様に、同
調トランスＴ１の一次側コイルＬ１と二次側コイルＬ２
の結合係数が調整されると共に、二次側コイルＬ２に直
列接続された抵抗１６によって同調回路３８のＱ値が小
さくなる様に設定されるので、図５に示す様に同調トラ
ンスの一次側コイルと二次側コイルによって形成された
タップを有するコイルＬ３と、コンデンサＣ１とで入力
端子１１Ａとアース間に同調回路が形成され、この同調
回路のコイルＬ３のタップが出力端子１５に接続される
と共に、出力端子１５とアース間にセラミックフィルタ
１３によって共振回路３３が形成されることになる。従
って、この中間周波フィルタは、セラミックフィルタの
入力端子側の容量がばらついても、図３における同調回
路３８のＱ値が小さくなる様に設定されているので、中
間周波数以外の周波数の信号が出力端子１５に伝達され
ることがない。
同調回路３８の同調周波数が中間周波数になる様に、同
調トランスＴ１の一次側コイルＬ１と二次側コイルＬ２
の結合係数が調整されると共に、二次側コイルＬ２に直
列接続された抵抗１６によって同調回路３８のＱ値が小
さくなる様に設定されるので、図５に示す様に同調トラ
ンスの一次側コイルと二次側コイルによって形成された
タップを有するコイルＬ３と、コンデンサＣ１とで入力
端子１１Ａとアース間に同調回路が形成され、この同調
回路のコイルＬ３のタップが出力端子１５に接続される
と共に、出力端子１５とアース間にセラミックフィルタ
１３によって共振回路３３が形成されることになる。従
って、この中間周波フィルタは、セラミックフィルタの
入力端子側の容量がばらついても、図３における同調回
路３８のＱ値が小さくなる様に設定されているので、中
間周波数以外の周波数の信号が出力端子１５に伝達され
ることがない。
【００１１】図６は、本発明の中間周波フィルタの第２
の実施例を示す回路図である。図６において、Ｔ２は同
調トランス、６３はセラミックフィルタである。同調ト
ランスＴ２は、一次側コイルＬ４と二次側コイルＬ５を
備え、一次側コイルＬ４が入力端子６１Ａ、６１Ｂ間に
接続される。一次側コイルＬ４は、コンデンサＣ２が並
列に接続される。二次側コイルＬ５は、一端が出力端子
６２Ａに、他端がアース用端子６２Ｂにそれぞれ接続さ
れる。そして、同調トランスＴ２の二次側コイルＬ５の
アース用端子６２Ｂが抵抗６６を介してアースされ、出
力端子６２Ａがセラミックフィルタ６３に接続される。
セラミックフィルタ６３は、入力端子６４が同調トラン
スＴ２の出力端子６２Ａに接続され、出力端子６５が中
間周波フィルタの出力端子も兼ねている。そして、同調
トランスＴ２の一次側コイルＬ４と二次側コイルＬ５
は、２つの巻溝を有する樹脂製のボビンのそれぞれの巻
溝に分けて巻回し、二次側コイルＬ５とセラミックフィ
ルタ６３の入力端子側の容量とで形成された同調回路の
同調周波数が中間周波数になる様に、一次側コイルＬ４
と二次側コイルＬ５の結合係数が−１よりも大きく１よ
りも小さく設定される。また、一次側コイルＬ４とコン
デンサＣ２とで形成された同調回路の同調周波数とセラ
ミックフィルタ６３の共振周波数も中間周波数に設定さ
れる。この様に形成された中間周波フィルタは、同調ト
ランスＴ２の二次側コイルＬ５に抵抗６６が直列に接続
されるので、前述の実施例と同様に同調トランスの二次
側コイルのＱ値を小さくできる。
の実施例を示す回路図である。図６において、Ｔ２は同
調トランス、６３はセラミックフィルタである。同調ト
ランスＴ２は、一次側コイルＬ４と二次側コイルＬ５を
備え、一次側コイルＬ４が入力端子６１Ａ、６１Ｂ間に
接続される。一次側コイルＬ４は、コンデンサＣ２が並
列に接続される。二次側コイルＬ５は、一端が出力端子
６２Ａに、他端がアース用端子６２Ｂにそれぞれ接続さ
れる。そして、同調トランスＴ２の二次側コイルＬ５の
アース用端子６２Ｂが抵抗６６を介してアースされ、出
力端子６２Ａがセラミックフィルタ６３に接続される。
セラミックフィルタ６３は、入力端子６４が同調トラン
スＴ２の出力端子６２Ａに接続され、出力端子６５が中
間周波フィルタの出力端子も兼ねている。そして、同調
トランスＴ２の一次側コイルＬ４と二次側コイルＬ５
は、２つの巻溝を有する樹脂製のボビンのそれぞれの巻
溝に分けて巻回し、二次側コイルＬ５とセラミックフィ
ルタ６３の入力端子側の容量とで形成された同調回路の
同調周波数が中間周波数になる様に、一次側コイルＬ４
と二次側コイルＬ５の結合係数が−１よりも大きく１よ
りも小さく設定される。また、一次側コイルＬ４とコン
デンサＣ２とで形成された同調回路の同調周波数とセラ
ミックフィルタ６３の共振周波数も中間周波数に設定さ
れる。この様に形成された中間周波フィルタは、同調ト
ランスＴ２の二次側コイルＬ５に抵抗６６が直列に接続
されるので、前述の実施例と同様に同調トランスの二次
側コイルのＱ値を小さくできる。
【００１２】図７は、本発明の中間周波フィルタの第３
の実施例を示す回路図である。図７において、Ｔ３は同
調トランス、７３はセラミックフィルタである。同調ト
ランスＴ３は、一次側コイルＬ６と二次側コイルＬ７を
備え、一次側コイルＬ６にコンデンサＣ３を並列に接続
して同調回路が形成される。この同調回路は、入力端子
７１に接続されると共に、一次側コイルＬ６にタップが
形成され、このタップがアースされる。また、二次側コ
イルＬ７は、一端が出力端子７２Ａに接続され、この出
力端子７２Ａが抵抗７６を介してセラミックフィルタ７
３の入力端子７４に接続される。二次側コイルＬ７の他
端は、アース用端子７２Ｂを介してアースされる。セラ
ミックフィルタ７３の出力端子７５は、中間周波フィル
タの出力端子も兼ねている。そして、同調トランスＴ３
の一次側コイルＬ６と二次側コイルＬ７は、磁気的に疎
に結合する様に、結合係数が−１よりも大きく１よりも
小さく設定され、二次側コイルＬ７とセラミックフィル
タ７３の入力側の容量とで形成された同調回路の同調周
波数が一次側の同調回路の同調周波数近傍に設定され
る。
の実施例を示す回路図である。図７において、Ｔ３は同
調トランス、７３はセラミックフィルタである。同調ト
ランスＴ３は、一次側コイルＬ６と二次側コイルＬ７を
備え、一次側コイルＬ６にコンデンサＣ３を並列に接続
して同調回路が形成される。この同調回路は、入力端子
７１に接続されると共に、一次側コイルＬ６にタップが
形成され、このタップがアースされる。また、二次側コ
イルＬ７は、一端が出力端子７２Ａに接続され、この出
力端子７２Ａが抵抗７６を介してセラミックフィルタ７
３の入力端子７４に接続される。二次側コイルＬ７の他
端は、アース用端子７２Ｂを介してアースされる。セラ
ミックフィルタ７３の出力端子７５は、中間周波フィル
タの出力端子も兼ねている。そして、同調トランスＴ３
の一次側コイルＬ６と二次側コイルＬ７は、磁気的に疎
に結合する様に、結合係数が−１よりも大きく１よりも
小さく設定され、二次側コイルＬ７とセラミックフィル
タ７３の入力側の容量とで形成された同調回路の同調周
波数が一次側の同調回路の同調周波数近傍に設定され
る。
【００１３】図８は、本発明の中間周波フィルタの第４
の実施例を示す回路図である。同調トランスＴ４は、一
次側コイルＬ８にコンデンサＣ４を並列に接続して同調
回路が形成され、二次側コイルＬ９が出力端子８２Ａと
アース用端子８２Ｂ間に接続される。同調トランスＴ４
の一次側に形成された同調回路は、入力端子８１に接続
されると共に、一次側コイルＬ８に形成されたタップが
アースされる。二次側コイルＬ９の一端が接続された出
力端子８２Ａは、セラミックフィルタ８３の入力端子８
４に接続される。また、二次側コイルＬ９の他端が接続
されたアース用端子８２Ｂは、抵抗８６を介してアース
される。なお、８５はセラミックフィルタ８３の出力端
子であり、中間周波フィルタの出力端子も兼ねている。
同調トランスＴ４の一次側コイルＬ８と二次側コイルＬ
９の結合係数は、同調トランスＴ４の二次側コイルＬ９
とセラミックフィルタ８３の入力端子側の容量とで形成
された同調回路の同調周波数と、一次側に形成された同
調回路の同調周波数がほぼ一致する様に、−１よりも大
きく１よりも小さく設定される。
の実施例を示す回路図である。同調トランスＴ４は、一
次側コイルＬ８にコンデンサＣ４を並列に接続して同調
回路が形成され、二次側コイルＬ９が出力端子８２Ａと
アース用端子８２Ｂ間に接続される。同調トランスＴ４
の一次側に形成された同調回路は、入力端子８１に接続
されると共に、一次側コイルＬ８に形成されたタップが
アースされる。二次側コイルＬ９の一端が接続された出
力端子８２Ａは、セラミックフィルタ８３の入力端子８
４に接続される。また、二次側コイルＬ９の他端が接続
されたアース用端子８２Ｂは、抵抗８６を介してアース
される。なお、８５はセラミックフィルタ８３の出力端
子であり、中間周波フィルタの出力端子も兼ねている。
同調トランスＴ４の一次側コイルＬ８と二次側コイルＬ
９の結合係数は、同調トランスＴ４の二次側コイルＬ９
とセラミックフィルタ８３の入力端子側の容量とで形成
された同調回路の同調周波数と、一次側に形成された同
調回路の同調周波数がほぼ一致する様に、−１よりも大
きく１よりも小さく設定される。
【００１４】以上、本発明の中間周波フィルタの実施例
を述べたがこれらの実施例に限られるものではない。例
えば、同調トランスの一次側コイルと二次側コイルは、
磁気的に疎に結合する様に、一次側コイルと二次側コイ
ルの結合係数が−１よりも大きく１よりも小さく設定さ
れていればよく、３つ以上の巻溝を有するフェライト製
のドラムコア又は樹脂製のボビンに、一次側コイルが複
数の巻溝に分割して巻回され、一次側コイルが巻回され
ていない別の巻溝に二次側コイルが巻回されてもよい。
を述べたがこれらの実施例に限られるものではない。例
えば、同調トランスの一次側コイルと二次側コイルは、
磁気的に疎に結合する様に、一次側コイルと二次側コイ
ルの結合係数が−１よりも大きく１よりも小さく設定さ
れていればよく、３つ以上の巻溝を有するフェライト製
のドラムコア又は樹脂製のボビンに、一次側コイルが複
数の巻溝に分割して巻回され、一次側コイルが巻回され
ていない別の巻溝に二次側コイルが巻回されてもよい。
【００１５】
【発明の効果】本発明の中間周波フィルタは、セラミッ
クフィルタの入力側に接続される同調トランスの二次側
コイルに抵抗を直列に接続し、同調トランスの一次側コ
イルと二次側コイルが磁気的に疎に結合するように、結
合係数を−１よりも大きく１よりも小さくしているの
で、セラミックフィルタの入力端子側の容量の影響を受
けてスプリアスが発生するのを防止できると共に、この
スプリアスによるラジオの性能が悪化するのを防止でき
る。また、本発明の中間周波フィルタは、同調トランス
の二次側コイルとセラミックフィルタの入力端子側の容
量によって形成される同調回路の同調周波数のインピー
ダンスをゼロとし、同調トランスの二次側コイルに直列
接続された抵抗によってセラミックフィルタとのインピ
ーダンス整合を行っているので、ミキサー回路とセラミ
ックフィルタ間のインピーダンス整合をし易くできると
共に、ミキサー回路とセラミックフィルタ間のインピー
ダンス整合に共振インピーダンスを使用していないの
で、インピーダンスのバラツキを小さくできる。
クフィルタの入力側に接続される同調トランスの二次側
コイルに抵抗を直列に接続し、同調トランスの一次側コ
イルと二次側コイルが磁気的に疎に結合するように、結
合係数を−１よりも大きく１よりも小さくしているの
で、セラミックフィルタの入力端子側の容量の影響を受
けてスプリアスが発生するのを防止できると共に、この
スプリアスによるラジオの性能が悪化するのを防止でき
る。また、本発明の中間周波フィルタは、同調トランス
の二次側コイルとセラミックフィルタの入力端子側の容
量によって形成される同調回路の同調周波数のインピー
ダンスをゼロとし、同調トランスの二次側コイルに直列
接続された抵抗によってセラミックフィルタとのインピ
ーダンス整合を行っているので、ミキサー回路とセラミ
ックフィルタ間のインピーダンス整合をし易くできると
共に、ミキサー回路とセラミックフィルタ間のインピー
ダンス整合に共振インピーダンスを使用していないの
で、インピーダンスのバラツキを小さくできる。
【図１】 本発明の中間周波フィルタの第１の実施例の
回路図である。
回路図である。
【図２】 本発明の中間周波フィルタの第１の実施例に
おける同調トランスの回路図である。
おける同調トランスの回路図である。
【図３】 図１の等価回路である。
【図４】 同調回路の特性図である。
【図５】 図１の動作上の等価回路である。
【図６】 本発明の中間周波フィルタの第２の実施例の
回路図である。
回路図である。
【図７】 本発明の中間周波フィルタの第３の実施例の
回路図である。
回路図である。
【図８】 本発明の中間周波フィルタの第４の実施例の
回路図である。
回路図である。
【図９】 従来の中間周波フィルタの回路図である。
【図１０】 従来の中間周波フィルタにおける同調トラ
ンスの回路図である。
ンスの回路図である。
【図１１】 図９の等価回路である。
【図１２】 従来の中間周波フィルタの特性図である。
Ｔ１ 同調トランス Ｌ１ 一次側コイル Ｌ２ 二次側コイル Ｃ１ コンデンサ １３ セラミックフィルタ
Claims (5)
- 【請求項１】 セラミックフィルタと、該セラミックフ
ィルタの入力側に接続される同調トランスを備える中間
周波フィルタにおいて、 同調トランスは、一次側コイルに容量素子を並列に接続
して同調回路が形成され、二次側コイルに抵抗を直列に
接続し、該一次側コイルと該二次側コイルを磁気的に結
合させて該二次側コイルと該セラミックフィルタの入力
側容量により形成される同調回路の同調周波数が該同調
トランスの一次側に形成された同調回路の同調周波数近
傍になるように次の式からなる関係を持たせたことを特
徴とする中間周波フィルタ。 −１＜Ｋ＜１ 但し、Ｋは一次側コイルと二次側コイルの結合係数 - 【請求項２】 セラミックフィルタと、該セラミックフ
ィルタの入力側に接続される同調トランスを備える中間
周波フィルタにおいて、 同調トランスは、一次側コイルに容量素子を並列に接続
して同調回路が形成され、二次側コイルの一端と該セラ
ミックフィルタの入力端子間に抵抗を接続し、該一次側
コイルと該二次側コイルを磁気的に結合させて該二次側
コイルと該セラミックフィルタの入力側容量により形成
される同調回路の同調周波数が該同調トランスの一次側
に形成された同調回路の同調周波数近傍になるように次
の式からなる関係を持たせたことを特徴とする中間周波
フィルタ。 −１＜Ｋ＜１ 但し、Ｋは一次側コイルと二次側コイルの結合係数 - 【請求項３】 セラミックフィルタと、該セラミックフ
ィルタの入力側に接続される同調トランスを備える中間
周波フィルタにおいて、 同調トランスは、一次側コイルに容量素子を並列に接続
して同調回路が形成され、一端が該セラミックフィルタ
の入力端子に接続された二次側コイルの他端とアース間
に抵抗を接続し、該一次側コイルと該二次側コイルを磁
気的に結合させて該二次側コイルと該セラミックフィル
タの入力側容量により形成される同調回路の同調周波数
が該同調トランスの一次側に形成された同調回路の同調
周波数近傍になるように次の式からなる関係を持たせた
ことを特徴とする中間周波フィルタ。 −１＜Ｋ＜１ 但し、Ｋは一次側コイルと二次側コイルの結合係数 - 【請求項４】 前記同調トランスの一次側コイルと二次
側コイルは、複数の巻溝を有するフェライト製のドラム
コアのそれぞれの巻溝に分けて巻回される請求項１、
２、３のいずれかに記載の中間周波フィルタ。 - 【請求項５】 前記同調トランスの一次側コイルと二次
側コイルは、複数の巻溝を有する樹脂製のボビンのそれ
ぞれの巻溝に分けて巻回される請求項１、２、３のいず
れかに記載の中間周波フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34381997A JPH11163753A (ja) | 1997-11-29 | 1997-11-29 | 中間周波フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34381997A JPH11163753A (ja) | 1997-11-29 | 1997-11-29 | 中間周波フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11163753A true JPH11163753A (ja) | 1999-06-18 |
Family
ID=18364488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34381997A Pending JPH11163753A (ja) | 1997-11-29 | 1997-11-29 | 中間周波フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11163753A (ja) |
-
1997
- 1997-11-29 JP JP34381997A patent/JPH11163753A/ja active Pending
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