JPH11163588A - 電磁干渉抑制体の製造方法 - Google Patents
電磁干渉抑制体の製造方法Info
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- JPH11163588A JPH11163588A JP34699097A JP34699097A JPH11163588A JP H11163588 A JPH11163588 A JP H11163588A JP 34699097 A JP34699097 A JP 34699097A JP 34699097 A JP34699097 A JP 34699097A JP H11163588 A JPH11163588 A JP H11163588A
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- JP
- Japan
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- electromagnetic interference
- interference suppressor
- polymer resin
- suppressor
- metal machining
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Abstract
(57)【要約】
本発明は、一般には産業廃棄物となる金属機械加工によ
り生成される加工屑とその基本的なる物性の特性が満た
されながら機械的寸法或いはヒビ、カケなどの欠陥によ
り本来の商品として利用する事が出来ないものを粉砕し
て高分系の樹脂に充填混合した後所定の形状に成型した
る事を特徴とする極めて経済的なる電波干渉抑制体の製
造方法に関するものである。
り生成される加工屑とその基本的なる物性の特性が満た
されながら機械的寸法或いはヒビ、カケなどの欠陥によ
り本来の商品として利用する事が出来ないものを粉砕し
て高分系の樹脂に充填混合した後所定の形状に成型した
る事を特徴とする極めて経済的なる電波干渉抑制体の製
造方法に関するものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波送受信に伴
う電磁波の干渉抑制体の製造方法に関するものである。
本発明は、金属加工により生成する廃棄加工屑を高分子
系の樹脂と一体化させる事を特徴とする経済的なる電磁
干渉抑制体の製造方法に関するものである。
う電磁波の干渉抑制体の製造方法に関するものである。
本発明は、金属加工により生成する廃棄加工屑を高分子
系の樹脂と一体化させる事を特徴とする経済的なる電磁
干渉抑制体の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】理想の電磁干渉抑制体として必要な電磁
気的性能を要する材料に就いては古くから磁気変成器等
に使用されていた強磁性体としては、各種フェライトを
始めとする比較的導磁率の高いものとしてパーマロイや
その他のＮｉ系金属或いは硅素鋼材やカボニールアイア
ンや還元鉄粉など飽和磁束密度の高いもの更には導電性
のカーボンブラックを充填したものなどで、その材質の
基本特性のみならず形状を含めて熟知されているがそれ
等のものは総て価格が高く、反乱する電磁波の抜本的な
る抑制の為に多量に使用する必要がある今日に際して
は、経済性に欠けると云う重大なる課題があった。
気的性能を要する材料に就いては古くから磁気変成器等
に使用されていた強磁性体としては、各種フェライトを
始めとする比較的導磁率の高いものとしてパーマロイや
その他のＮｉ系金属或いは硅素鋼材やカボニールアイア
ンや還元鉄粉など飽和磁束密度の高いもの更には導電性
のカーボンブラックを充填したものなどで、その材質の
基本特性のみならず形状を含めて熟知されているがそれ
等のものは総て価格が高く、反乱する電磁波の抜本的な
る抑制の為に多量に使用する必要がある今日に際して
は、経済性に欠けると云う重大なる課題があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述のように従来の方
法では、理想的な材料を経済性に乏しいながらも常識的
な材料を使用していた為に多量に経済性を高くする事が
出来なかった。そこで、本発明はかかる従来の実情に鑑
みて提案されたものであって一般には産業廃棄物として
厄介な代物を有効に活用出来る経済的なる方法を提案す
るものである。
法では、理想的な材料を経済性に乏しいながらも常識的
な材料を使用していた為に多量に経済性を高くする事が
出来なかった。そこで、本発明はかかる従来の実情に鑑
みて提案されたものであって一般には産業廃棄物として
厄介な代物を有効に活用出来る経済的なる方法を提案す
るものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の目的を達
成する為に金属機械加工により生成される加工屑を洗浄
後形状毎に篩選別し異常に大きなものは簡単なる大きさ
の調整処理とシュレッターを用いて切断して微細なる屑
片とした。一方その電磁干渉抑制体の使用目的に応じ
て、吸収型のものには、強磁性体の屑片と共にフェライ
トの研磨加工屑を併用して、高分子系の樹脂に充填し
た。他方透過型のものには、金属機械加工により生成さ
れる加工屑としては導電性があれば強磁性体でなくとも
その目的は達成される訳であり強誘電体の研磨屑とか性
能的には充分な特性を備えながらも機械的なクラックな
ど欠陥により本来の目的に供しないセラミック材料の廃
品を粉砕加工した粒子と共に高分子系の樹脂に充填す
る。又、電磁干渉抑制体の機械的或いは物理的な強度並
びに柔軟性などの要求によっては金属機械加工により生
成される加工屑と高分子系の樹脂のみからも電磁干渉抑
制体を製造する事を特徴とするものである。
成する為に金属機械加工により生成される加工屑を洗浄
後形状毎に篩選別し異常に大きなものは簡単なる大きさ
の調整処理とシュレッターを用いて切断して微細なる屑
片とした。一方その電磁干渉抑制体の使用目的に応じ
て、吸収型のものには、強磁性体の屑片と共にフェライ
トの研磨加工屑を併用して、高分子系の樹脂に充填し
た。他方透過型のものには、金属機械加工により生成さ
れる加工屑としては導電性があれば強磁性体でなくとも
その目的は達成される訳であり強誘電体の研磨屑とか性
能的には充分な特性を備えながらも機械的なクラックな
ど欠陥により本来の目的に供しないセラミック材料の廃
品を粉砕加工した粒子と共に高分子系の樹脂に充填す
る。又、電磁干渉抑制体の機械的或いは物理的な強度並
びに柔軟性などの要求によっては金属機械加工により生
成される加工屑と高分子系の樹脂のみからも電磁干渉抑
制体を製造する事を特徴とするものである。
【０００５】
【発明の実施の形態】金属機械加工により生成される加
工屑は洗浄後、形状の選別をし大きなるものは簡単なる
大きさ調整を施し吸収型電磁干渉抑制体に対しては、フ
ェライトなどの強磁性体充填物の磁気継鉄としての作用
と又、透過型電磁干渉抑制体に対しては、強誘電体充填
物の為の導電性の電極としての作用をさせた事により廃
棄物からなる材料をもって経済性の優れたる電磁干渉抑
制体を製造する事が出来る。
工屑は洗浄後、形状の選別をし大きなるものは簡単なる
大きさ調整を施し吸収型電磁干渉抑制体に対しては、フ
ェライトなどの強磁性体充填物の磁気継鉄としての作用
と又、透過型電磁干渉抑制体に対しては、強誘電体充填
物の為の導電性の電極としての作用をさせた事により廃
棄物からなる材料をもって経済性の優れたる電磁干渉抑
制体を製造する事が出来る。
【０００６】
【実施例１】先ず総での実施例に用いた強磁性体の粉体
としてＭｎ−Ｚｎ系フェライトの研磨屑と磁気特性は所
望の性能が備わりながらも機械、寸法、外観不良、クラ
ック品などを粉砕したものを混合したものを利用した。
古くよりフェライトの研磨屑を高分子系の樹脂と混合し
てゴム磁石やプラスチック磁石に用いられていた事は、
周知の事実であり更に特許出願公開平４−５５３２１号
などに改めて軽磁性フェライト微粉末の製造方法が提案
されているが、これ等の窯業製品の回収方法としては関
係業界では、硬磁性体から軟磁性体にその磁気特性が変
わっただけで本質的には変わるものではない為に常套の
手法となっている。次に強磁性を備える金属機械加工に
より生成される加工屑として、一般の低炭素鋼の加工屑
をトリクレン溶液を用いて洗浄し１６メッシュの篩で一
次選別し大きな屑は、シュレッターを通して裁断した後
改めて篩を貫通させた物を用いた。測定は、アドバンテ
スト社製ＴＲ１７３０２型プラスチックシールド材評価
器でその性能の概要は、測定範囲：１０ＭＨｚ〜１ＧＨ
ｚ、測定ダイナミック・レンジ（ＴＲ４１７２併用
時）：４０ｄＢ以上（１０ＭＨｚ〜１００ＭＨｚ）、５
０ｄＢ以上（１００ＭＨｚ〜１０００ＭＨｚ）、質量：
約５ｋｇ、外形寸法：約２３０（幅）×５５０（長さ）
×２７０（奥行）ｍｍ、入出力インピーダンス：公称５
０Ω、試料寸法：１５０（±１）×５０（±１）ｍｍで
あり具体的なる測定の原理と構成は第１図に示す通りで
ある。詳細に記述すると 発信器より生じた電磁波をア
ンテナＡTから放射し受信側のアンテナＡRに達する行程
に１５０×５０ｍｍの穴を設けその部分に試料を装填し
てその受信号を透過型電磁干渉抑制体の性能としてスペ
クトルアナライザでＴＲ４１７２でプロットをしたもの
をデータとした。先ず高分子系の樹脂として、入手が簡
単なゴム糊を用いた。配合割合は、重量比でゴム糊１０
０、フェライト１００、金属機械加工により生成される
加工屑８０と定めて、充分混合させたる後に２ｍｍ厚の
板としてサンプルを作り前述の１５０×５０ｍｍの試料
治具に装填して測定した結果表１が得られた。この結果
からこの試材は、透過型電磁干渉抑制体としての性能で
はなく、吸収型（結合減衰型）に用いる事が可能である
事が試料を装填しない基準線以上に試料を装填した場合
には透過量が増加している事実から知られる。
としてＭｎ−Ｚｎ系フェライトの研磨屑と磁気特性は所
望の性能が備わりながらも機械、寸法、外観不良、クラ
ック品などを粉砕したものを混合したものを利用した。
古くよりフェライトの研磨屑を高分子系の樹脂と混合し
てゴム磁石やプラスチック磁石に用いられていた事は、
周知の事実であり更に特許出願公開平４−５５３２１号
などに改めて軽磁性フェライト微粉末の製造方法が提案
されているが、これ等の窯業製品の回収方法としては関
係業界では、硬磁性体から軟磁性体にその磁気特性が変
わっただけで本質的には変わるものではない為に常套の
手法となっている。次に強磁性を備える金属機械加工に
より生成される加工屑として、一般の低炭素鋼の加工屑
をトリクレン溶液を用いて洗浄し１６メッシュの篩で一
次選別し大きな屑は、シュレッターを通して裁断した後
改めて篩を貫通させた物を用いた。測定は、アドバンテ
スト社製ＴＲ１７３０２型プラスチックシールド材評価
器でその性能の概要は、測定範囲：１０ＭＨｚ〜１ＧＨ
ｚ、測定ダイナミック・レンジ（ＴＲ４１７２併用
時）：４０ｄＢ以上（１０ＭＨｚ〜１００ＭＨｚ）、５
０ｄＢ以上（１００ＭＨｚ〜１０００ＭＨｚ）、質量：
約５ｋｇ、外形寸法：約２３０（幅）×５５０（長さ）
×２７０（奥行）ｍｍ、入出力インピーダンス：公称５
０Ω、試料寸法：１５０（±１）×５０（±１）ｍｍで
あり具体的なる測定の原理と構成は第１図に示す通りで
ある。詳細に記述すると 発信器より生じた電磁波をア
ンテナＡTから放射し受信側のアンテナＡRに達する行程
に１５０×５０ｍｍの穴を設けその部分に試料を装填し
てその受信号を透過型電磁干渉抑制体の性能としてスペ
クトルアナライザでＴＲ４１７２でプロットをしたもの
をデータとした。先ず高分子系の樹脂として、入手が簡
単なゴム糊を用いた。配合割合は、重量比でゴム糊１０
０、フェライト１００、金属機械加工により生成される
加工屑８０と定めて、充分混合させたる後に２ｍｍ厚の
板としてサンプルを作り前述の１５０×５０ｍｍの試料
治具に装填して測定した結果表１が得られた。この結果
からこの試材は、透過型電磁干渉抑制体としての性能で
はなく、吸収型（結合減衰型）に用いる事が可能である
事が試料を装填しない基準線以上に試料を装填した場合
には透過量が増加している事実から知られる。
【実施例２】金属機械加工により生成される加工屑とし
て非強磁性体であるアルミ金属を採用して前述と同様の
方法でその配合割合を重量比で、ゴム糊１００、フェラ
イト２４０、金属機械加工により生成される加工屑４０
とした試料の性能は表２に示す如く、フェライトの増加
に伴い吸収量、換言すると結合減衰型として性能が高く
なっている事が判る。
て非強磁性体であるアルミ金属を採用して前述と同様の
方法でその配合割合を重量比で、ゴム糊１００、フェラ
イト２４０、金属機械加工により生成される加工屑４０
とした試料の性能は表２に示す如く、フェライトの増加
に伴い吸収量、換言すると結合減衰型として性能が高く
なっている事が判る。
【実施例３】次ぎに金属機械加工により生成される加工
屑を全く混入する事なく次ぎの割合で強誘電体材料とし
て、ＰｂＯ（ＴｉＯ2＋ＺｒＯ2）系のセラミックの研磨
屑と誘電率が１７００以上で初期の物性的な特性は達成
しながらも製品としては使用に供さないヒビや欠けによ
る不良品を粉砕して用いた。ゴム糊１００、フェライト
１５０、セラミック１８０。前述と同様の測定を行った
所表３に示す如く電磁干渉抑制体として機能が殆ど発揮
されない事が判った。換言すると、電波干渉抑制体とし
て導電性の材料の混合の必要性を示すものである。
屑を全く混入する事なく次ぎの割合で強誘電体材料とし
て、ＰｂＯ（ＴｉＯ2＋ＺｒＯ2）系のセラミックの研磨
屑と誘電率が１７００以上で初期の物性的な特性は達成
しながらも製品としては使用に供さないヒビや欠けによ
る不良品を粉砕して用いた。ゴム糊１００、フェライト
１５０、セラミック１８０。前述と同様の測定を行った
所表３に示す如く電磁干渉抑制体として機能が殆ど発揮
されない事が判った。換言すると、電波干渉抑制体とし
て導電性の材料の混合の必要性を示すものである。
【実施例４】前実施例３に基づいて金属機械加工により
生成される加工屑の重要性が認識出来たので非強磁性体
ではあるが導電体の真鍮材を用いて次の重量比配合で試
料を作った。ゴム糊１００、フェライト１７０、金属機
械加工により生成される加工屑１４０。この電磁干渉抑
制体は表４に示す如く、電磁波が透過時に減衰される事
が判明した。
生成される加工屑の重要性が認識出来たので非強磁性体
ではあるが導電体の真鍮材を用いて次の重量比配合で試
料を作った。ゴム糊１００、フェライト１７０、金属機
械加工により生成される加工屑１４０。この電磁干渉抑
制体は表４に示す如く、電磁波が透過時に減衰される事
が判明した。
【実施例５】前実施例４の各材料の配合割合を次の目的
で、すなわち試料の柔軟性を良くす為にフェライトを減
量し、表面の電気抵抗を高くする為に、金属機械加工に
より生成される加工屑を半減させて次の通りとした。ゴ
ム糊１００、フェライト９０、金属機械加工により生成
される加工屑７０。その性能は表５に示す通り低周波減
衰効果が見受けられる。
で、すなわち試料の柔軟性を良くす為にフェライトを減
量し、表面の電気抵抗を高くする為に、金属機械加工に
より生成される加工屑を半減させて次の通りとした。ゴ
ム糊１００、フェライト９０、金属機械加工により生成
される加工屑７０。その性能は表５に示す通り低周波減
衰効果が見受けられる。
【実施例６】電磁干渉抑制体の表面に於ける電気抵抗値
或いは、機械的なる柔軟性などを考慮する事なく、強磁
性、非強磁性などを問わず単に導電性を有する金属機械
加工により生成される加工屑のみをベースにゴム糊は単
なる金属機械加工により生成される加工屑の接着剤とし
ての機能を持たせる状態、すなわち、ゴム糊１００、金
属機械加工により生成される加工屑４００として混合し
た後、機械プレスによって加圧し各金属機械加工により
生成される加工屑が連鎖状につながり且つ積層板となっ
て、殆ど金属に近い表面抵抗値を示す試料は、表６に示
す如く透過減衰特性は良くなるが、高分子系樹脂の機能
が殆ど損なわれてしまい、金属板としての扱いをしなけ
ればならなくなり、この様な配合は本来の電磁干渉抑制
体としての機能を充分満たしていない。又、本発明の経
済的なる電磁干渉抑制体の製造方法とは言いえないすな
わち、金属板の方がより経済的であるから本発明の主旨
に反する。以上実施例に就いて詳述したが、その使用上
片面若しくは両面に接着剤を設けるなど一般の電気絶縁
テープの如き付加処理を施す事は当然関係業では常套手
段である。尚、表の見方について以下に若干説明する。
０ｄＢは最上線が０ｄＢである事を、５００ＭＨｚは縦
軸の中央線が５００ＭＨｚである事を、１ＧＨｚは縦軸
の最右線が１ＧＨｚである事を、１０ｄＢは縦１目盛が
１０ｄＢである事を、３００ＫＨｚＷは、スペクトルア
ナライザーが３００ＫＨｚ幅（ｗｉｄｔｈ）の強度の平
均を示す事を、ＮＯＲＭは、ＮＯＲＭＡＲＩＺＥの略で
生の信号を１００％規格化処理をしている事を、ＤＬ−
３０ｄＢｍは、ＤＩＳＰＬＡＹ−ＬＩＮＥの基準線を縦
目盛で３目盛、すなわち、−３０ｄＢｍの位置に設定し
た事を示す、ＳＴ：１０ｍｓは走電時間が１０ｍｓｅｃ
である事を、ＡＴＴ１０ｄＢは、スペクトルアナライザ
ーの保護の為に１０ｄＢの減衰をかけている事をそれぞ
れ示している。
或いは、機械的なる柔軟性などを考慮する事なく、強磁
性、非強磁性などを問わず単に導電性を有する金属機械
加工により生成される加工屑のみをベースにゴム糊は単
なる金属機械加工により生成される加工屑の接着剤とし
ての機能を持たせる状態、すなわち、ゴム糊１００、金
属機械加工により生成される加工屑４００として混合し
た後、機械プレスによって加圧し各金属機械加工により
生成される加工屑が連鎖状につながり且つ積層板となっ
て、殆ど金属に近い表面抵抗値を示す試料は、表６に示
す如く透過減衰特性は良くなるが、高分子系樹脂の機能
が殆ど損なわれてしまい、金属板としての扱いをしなけ
ればならなくなり、この様な配合は本来の電磁干渉抑制
体としての機能を充分満たしていない。又、本発明の経
済的なる電磁干渉抑制体の製造方法とは言いえないすな
わち、金属板の方がより経済的であるから本発明の主旨
に反する。以上実施例に就いて詳述したが、その使用上
片面若しくは両面に接着剤を設けるなど一般の電気絶縁
テープの如き付加処理を施す事は当然関係業では常套手
段である。尚、表の見方について以下に若干説明する。
０ｄＢは最上線が０ｄＢである事を、５００ＭＨｚは縦
軸の中央線が５００ＭＨｚである事を、１ＧＨｚは縦軸
の最右線が１ＧＨｚである事を、１０ｄＢは縦１目盛が
１０ｄＢである事を、３００ＫＨｚＷは、スペクトルア
ナライザーが３００ＫＨｚ幅（ｗｉｄｔｈ）の強度の平
均を示す事を、ＮＯＲＭは、ＮＯＲＭＡＲＩＺＥの略で
生の信号を１００％規格化処理をしている事を、ＤＬ−
３０ｄＢｍは、ＤＩＳＰＬＡＹ−ＬＩＮＥの基準線を縦
目盛で３目盛、すなわち、−３０ｄＢｍの位置に設定し
た事を示す、ＳＴ：１０ｍｓは走電時間が１０ｍｓｅｃ
である事を、ＡＴＴ１０ｄＢは、スペクトルアナライザ
ーの保護の為に１０ｄＢの減衰をかけている事をそれぞ
れ示している。
【０００７】
【発明の効果】多くの実施例で示す如く、強磁性体金属
機械加工により生成される加工屑や非強磁性体の金属機
械加工により生成される加工屑と絶縁性のフェライト或
いは、セラミックの回収材料を高分子系樹脂に充填混合
して構成される電磁干渉抑制体は産業廃棄物の回収品の
再利用で経済的に秀れたるもので工業的に甚大な価値が
見込める。
機械加工により生成される加工屑や非強磁性体の金属機
械加工により生成される加工屑と絶縁性のフェライト或
いは、セラミックの回収材料を高分子系樹脂に充填混合
して構成される電磁干渉抑制体は産業廃棄物の回収品の
再利用で経済的に秀れたるもので工業的に甚大な価値が
見込める。
第１図は、測定の原理と構成である。これは、測定回路
の概要をダイヤブロックで示すものであり表１〜５は電
磁干渉抑制体の透過減衰法式による各実施試料の性能を
示すものである。
の概要をダイヤブロックで示すものであり表１〜５は電
磁干渉抑制体の透過減衰法式による各実施試料の性能を
示すものである。
【表１】
【表２】
【表３】
【表４】
【表５】
【表６】
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成９年１２月２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の目的を達
成する為に金属機械加工により生成される加工屑を洗浄
後形状毎に篩選別し異常に大きなものは簡単なる大きさ
の調整処理をシュレッターを用いて切断して微細なる屑
片とした。一方その電磁干渉抑制体の使用目的に応じ
て、吸収型のものには、強磁性体の屑片と共にフェライ
トの研磨加工屑を併用して、高分子系の樹脂に充填し
た。他方透過型のものには金属機械加工により生成され
る加工屑としては導電性があれば強磁性体でなくともそ
の目的は達成される訳であり強誘電体の研磨屑とか性能
的には充分な特性を備えながらも機械的なクラックなど
欠陥により本来の目的に供しないセラミック材料の廃品
を粉砕加工した粒子と共に高分子系の樹脂に充填する。
叉、電磁干渉抑制体の機械的或いは物理的な強度並びに
柔軟性などの要求によっては金属機械加工により生成さ
れる加工屑と高分子系の樹脂のみからも電磁干渉抑制体
を製造する事を特徴とするものである。
成する為に金属機械加工により生成される加工屑を洗浄
後形状毎に篩選別し異常に大きなものは簡単なる大きさ
の調整処理をシュレッターを用いて切断して微細なる屑
片とした。一方その電磁干渉抑制体の使用目的に応じ
て、吸収型のものには、強磁性体の屑片と共にフェライ
トの研磨加工屑を併用して、高分子系の樹脂に充填し
た。他方透過型のものには金属機械加工により生成され
る加工屑としては導電性があれば強磁性体でなくともそ
の目的は達成される訳であり強誘電体の研磨屑とか性能
的には充分な特性を備えながらも機械的なクラックなど
欠陥により本来の目的に供しないセラミック材料の廃品
を粉砕加工した粒子と共に高分子系の樹脂に充填する。
叉、電磁干渉抑制体の機械的或いは物理的な強度並びに
柔軟性などの要求によっては金属機械加工により生成さ
れる加工屑と高分子系の樹脂のみからも電磁干渉抑制体
を製造する事を特徴とするものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】 第１図は、測定の原理と構成である。これは、測定回路
の概要をダイヤブロックで示すものであり表１〜５は電
磁干渉抑制体の透過減衰方式による各実施試料の性能を
示すものである。ＡTは送信アンテナ、ＡRは受信アンテ
ナ、Ｘ点は試料装填の治具をそれぞれ示す。
の概要をダイヤブロックで示すものであり表１〜５は電
磁干渉抑制体の透過減衰方式による各実施試料の性能を
示すものである。ＡTは送信アンテナ、ＡRは受信アンテ
ナ、Ｘ点は試料装填の治具をそれぞれ示す。
Claims (4)
- 【請求項１】金属機械加工により生成される加工屑を強
磁性体材料と共に高分子系樹脂にて一体化した事を特徴
とする電磁干渉抑制体の製造方法。 - 【請求項２】上記請求範囲１．の強磁性体材料と強誘電
体材料を併用したものを高分子系樹脂にて一体化した事
を特徴とする電磁干渉抑制体の製造方法。 - 【請求項３】金属加工により生成した加工層と強誘電体
材料を高分子系樹脂にて、一体化した電磁干渉抑制体の
製造方法。 - 【請求項４】金属加工により生成した加工層を高分子系
樹脂で一体化した電磁干渉抑制体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34699097A JPH11163588A (ja) | 1997-12-01 | 1997-12-01 | 電磁干渉抑制体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34699097A JPH11163588A (ja) | 1997-12-01 | 1997-12-01 | 電磁干渉抑制体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11163588A true JPH11163588A (ja) | 1999-06-18 |
Family
ID=18387186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34699097A Pending JPH11163588A (ja) | 1997-12-01 | 1997-12-01 | 電磁干渉抑制体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11163588A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9468089B2 (en) | 2013-09-20 | 2016-10-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | EBG structure, semiconductor device, and circuit board |
-
1997
- 1997-12-01 JP JP34699097A patent/JPH11163588A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9468089B2 (en) | 2013-09-20 | 2016-10-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | EBG structure, semiconductor device, and circuit board |
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