JPH11163334A - GaN系絶縁ゲート型トランジスタ及びその形成方法 - Google Patents
GaN系絶縁ゲート型トランジスタ及びその形成方法Info
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- JPH11163334A JPH11163334A JP32763297A JP32763297A JPH11163334A JP H11163334 A JPH11163334 A JP H11163334A JP 32763297 A JP32763297 A JP 32763297A JP 32763297 A JP32763297 A JP 32763297A JP H11163334 A JPH11163334 A JP H11163334A
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Abstract
Tを提供することである。 【解決手段】 本発明のGaN系絶縁ゲート型トランジ
スタ10は、金属ゲート−ゲート絶縁膜−GaN系半導
体層からなるGaN系絶縁ゲート型トランジスタであっ
て、ゲート絶縁膜28が、高抵抗のダイヤモンド層24
と、AlリッチAlGaN層26との積層構造により形
成されている。トランジスタは、p型半絶縁性基板12
上に、順次、形成されたp型バッファ層14と、p型A
lGaN層16と、AlGaN層上部に埋め込み形成さ
れたn型AlGaN層からなるソース/ドレイン領域1
8、20と、少なくともゲート電極領域にはダイヤモン
ド層の密着層として形成された高濃度カーボンドープの
AlGaN層22とを備えている。絶縁膜28は密着層
上に形成されている。
Description
ト型トランジスタに関し、更に詳細には、高温で安定し
て動作するGaN系絶縁ゲート型トランジスタに関する
ものである。
らなる絶縁ゲート型トランジスタ、即ちMISFET
は、従来、シリコン系材料を使用したものが多く開発、
実用化されている。シリコン系MOSFETは、MIS
FETの一種であって、例えば半導体層にSi基板を、
絶縁層にSiO2 膜を、及び金属電極にポリシリコン電
極を使用している。シリコン系MOSFET40を形成
する場合には、例えば、図5に示すように、p型Si半
導体を基板42として用い、ソース/ドレイン電極形成
領域の半導体基板層にn型不純物を拡散させてn+ 反転
層44を形成する。次いで、半導体基板全面を酸化し
て、半導体基板面にSiO2 膜46を形成する。次に、
フォトリソグラフィ及びエッチング技術を用いて、Si
O2 膜をパターニングして、ゲート電極形成領域にのみ
SiO2 膜を残し、ソース、ドレイン電極を形成領域の
SiO2 膜を除去する。このようなパターニングを行っ
た後、SiO2 膜46上にソース電極48を、反転層4
4上にそれぞれドレイン電極50及びゲート電極52を
形成する。
(金属−絶縁層−半導体)構造を持つ電界効果型トラン
ジスタの開発が、最近、盛んに行われているものの、G
a As 系MISFETの開発が主流となっており、Ga
Asよりも高温で動作可能であり、しかも耐放射線性に
優れるGaN,AlGaNなどのワイドギャップ半導体
系のGaN系MISFETは、今のところその開発が緒
についたばかりであって、その形成プロセスは確立され
ていない。また、従来、特にゲート絶縁膜にどのような
材料がこのましいのかが問題であった。
動作するGaN系MISFETを提供することである。
ギャップエネルギーが5.5eVと大きく、不純物が添
加されていないダイヤモンドはほぼ絶縁体と評価できる
高抵抗体になる。また、AINはバンドギャップエネル
ギーが6.2eVと大きく、AlリッチのAlGaNも
高抵抗になる。このAlGaNとダイヤモンドとを積層
した積層膜は、それぞれの層における貫通転位を防ぐこ
とができ、漏れ電流のない高絶縁性の良好な絶縁層に形
成することができる。そこで、本発明者は、高抵抗ダイ
ヤモンドとAlGaNとを積層した積層構造絶縁膜をゲ
ート絶縁膜とするGaN系MISFETを着想し、実験
を重ねて本発明を完成するに到った。
明に係るGaN系絶縁ゲート型トランジスタは、金属ゲ
ート−ゲート絶縁膜−GaN系半導体層からなるGaN
系絶縁ゲート型トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜
が、高抵抗のダイヤモンド層と、GaN系高抵抗性半導
体層との積層構造により形成されていることを特徴とし
ている。GaN系高抵抗性半導体層は、例えばAlリッ
チAlGaN層を使用することにより実現できる。
導電型の半導体基板と、第1の導電型の半導体基板上に
形成された第1の導電型のGaN系半導体層と、第1の
GaN系半導体層上部に埋め込み形成された第2の導電
型のGaN系半導体層からなるソース/ドレイン領域
と、少なくともゲート領域上に形成されている、ダイヤ
モンド層とのGaN系密着層とを備え、ゲート絶縁膜が
密着層上に形成されている。本発明で使用するGaN系
半導体層には、AlGaN層、InGaN層、GaN
層、InGaAlN層等がある。
ジスタの形成方法は、第1の導電型の半導体基板上に第
1の導電型のGaN系半導体層を形成する工程と、第1
の導電型のGaN系半導体層をエッチングして、その上
部にソース/ドレイン領域形成部を凹部状に形成する工
程と、凹部状のソース/ドレイン領域形成部内に第2の
導電型のGaN系半導体層を選択的に埋め込み成長させ
る工程と、少なくともゲート電極形成領域にダイヤモン
ド層との密着層として、高濃度でカーボンドープされた
薄い膜厚のGaN系半導体層を選択的に成長させる工程
と、密着層上に、ダイヤモンド層とGaN系絶縁層との
積層構造の絶縁膜を選択的に形成する工程とを有するこ
とを特徴としている。
導体層は、p型GaN系エピタキシャル層を予め基板全
面に形成しておき、次にソース/ドレイン領域となる部
分に選択成長法によりn型GaNを選択成長させ、更に
選択成長法を用いてゲート電極領域にゲート絶縁膜とし
て、ダイヤモンド層とAlリッチAlGaN層とを交互
に成長させる。
膜等のナイトライド系の半導体は、ワイドバンドギャッ
プ半導体として、Siなどをドーパンドとして用いれ
ば、容易にn型の半導体層になって、電子デバイスの活
性層に用いることができるので、絶縁ゲート型トランジ
スタのソース/ドレイン領域として用いることができ
る。また、ダイヤモンド層とAlリッチAlGaN層と
を積層させたものをゲート絶縁膜として用いる。p型半
導体領域にn型半導体領域を局所的に形成する際、Si
系半導体ではイオン注入法が一般的に用いられている
が、GaN系ではイオン注入法によりイオン注入して
も、キャリアとして活性化するのが、非常に難しく、今
までのところ、イオン注入の成功報告は見当たらない。
そこで、本発明では、p型半導体層内に形成した凹部に
n型半導体層を選択成長法により形成することにより、
活性な領域を容易に形成することができる。以下に、実
施形態例を挙げ、添付図面を参照して、本発明の実施の
形態を具体的かつ詳細に説明する。
の実施形態の一例であって、図1(a)は本実施形態例
の絶縁ゲート型半導体装置の層構造を示す基板断面図、
図1(b)は本実施形態例の絶縁ゲート型半導体装置の
積層構造のゲート絶縁膜を示す断面図である。本実施形
態例の絶縁ゲート型半導体装置10(以下、簡単に半導
体装置10と言う)は、図1(a)に示すように、サフ
ァイア等のp型半絶縁性基板12と、基板12上に、順
次、分子線エピタキシャル成長法により成膜されたp型
GaNバッファ層14と、p型AlGaN層16とを備
えている。また、半導体装置10は、p型AlGaN層
16の上部に埋め込み形成されたn型AlGaN層から
なるソース/ドレイン領域18、20と、上層のダイヤ
モンド層とp型AlGaN層16との結晶のつながりを
良くするためにソース/ドレイン領域18、20以外の
領域に設けられた1×1019cm-3以上の高濃度でカー
ボンドープした膜厚50Å程度のAlGaN層22とを
備えている。更に、半導体装置10は、ゲート絶縁膜と
して、AlGaN層22上に選択的に成長させた、膜厚
50Åのダイヤモンド層24と、膜厚30Åの絶縁性の
高いAlリッチAlGaN層26との積層構造を周期的
に繰り返して膜厚500Åの積層絶縁膜28を備えてい
る。ソース/ドレイン領域18、20のn型AlGaN
層上及びゲート電極領域のゲート絶縁膜28上には、T
i/Al電極30、32、34が、それぞれ、設けられ
ている。
態例の半導体装置10の形成方法を説明する。図2
(a)から(c)、図3(d)から(f)、及び図4
(g)と(h)は、各工程毎の基板断面図である。超高
真空に維持できるエピタキシャル成長装置を使い、反応
ガスとして分圧3×10-6Torr のジメチルヒドラジン
と分圧5×10-7Torr のGaを用いて分子線エピタキ
シャル成長法により、成長温度640℃で、先ず、図2
(a)に示すように、成長室内の基板12上に膜厚50
nmのGaNバッファ層14をエピタキシャル成長させ
る。更に、反応ガスとして分圧1×10-6Torr のトリ
メチルガリウム(TMG)、分圧5×10-7Torr のト
リメチルアルミニウム(TMA)、及び分圧5×10-5
Torr のアンモニアを用い、かつドーパントとして分圧
5×10-8Torr のMgを用いて、成長温度850℃
で、GaNバッファ層14上に膜厚300nmのp型A
lGaN層16を形成する。
aN16とを有する基板12を成長室から取り出して、
図2(b)に示すように、SiO2 等の酸化膜17を基
板面に成膜し、ソース/ドレイン領域18、20が露出
するように、フォトリソグラフィ及びエッチングにより
酸化膜をパターニングしてマスク17を形成する。続い
て、そのマスク17を用いて、図2(c)に示すよう
に、プラズマエッチングによりソース/ドレイン領域1
8、20のp型AlGaN層16を選択的にエッチング
して、ソース/ドレイン領域形成部19、21を深さ2
000Åの凹部状に形成する。エッチングガスには、メ
タン、アルゴン及び水素の混合ガスをプラズマ化したも
のを用いる。
lGaN層16を選択的にエッチングした形成した凹部
19、21にn型AlGaNを選択的に埋め込み成長さ
せる。即ち、反応ガスとして分圧1×10-6Torr のG
a、分圧5×10-7Torr のAl、分圧5×10-5Torr
のアンモニアを用い、かつドーパントとして分圧5×1
0-8Torr のSiを用いて、マスク17を使って選択的
に、成長温度850℃で、厚さ2000Åのn型AlG
aN層18、20を埋め込み成長させる。
示すように、基板上にSiO2 膜を成膜し、続いてフォ
トリソグラフィ及びエッチングによりパターニングし
て、ソース/ドレイン領域18、20を覆うマスク23
を形成する。次いで、図3(f)に示すように、上層の
ダイヤモンド層と下層のp型AlGaN層16との結晶
のつながりを良くするために、1×1019cm-3以上の
高濃度でカーボンドープした、50Å程度の極薄いAl
GaN層22を、マスク23でマスクしたソース/ドレ
イン領域18、20以外の領域に、ジメチルヒドラジ
ン、Ga及びジメチルアルミニウムハイドライドを用い
て、選択的に成長させる。
23を載せたまま、マスク23でマスクしたソース/ド
レイン領域18、20以外の領域に絶縁層として50Å
程度の膜厚のダイヤモンド層24を選択的に成長させ
る。ダイヤモンド層24の形成に際しては、基板温度を
850℃に維持し、97容量%水素に3%容量メタンを
混ぜた圧力30Torrの混合ガスを20sccmの流量で流
し、2300℃に加熱したフィラメントにガスを接触さ
せる。加熱フィラメントに接触した混合ガスは、分解
し、ラジカル化した炭素系ガスが基板上に蒸着してダイ
ヤモンド層24を形成する。
ルヒドラジン、Ga及びジメチルアルミニウムハイドラ
イドを用い、絶縁層の結晶性を向上させる事を目的とし
て選択的に膜厚30Åの絶縁性AlリッチAlGaN層
26をダイヤモンド層24上に成長させる。更に、図1
(b)に示すように、AlリッチAlGaN層26上に
膜厚50Åのダイヤモンド層24を成長させる。膜厚5
0Åのダイヤモンド層24と膜厚30ÅのAlリッチA
lGaN層26とからなる積層構造を周期的に繰り返し
成長させることによって、500Å程度の積層構造の絶
縁膜28を選択的に形成する。マスク23上にも多結晶
のダイヤモンドが積層するので、積層構造の絶縁膜28
を形成した後、HFを用いて、図4(h)に示すよう
に、SiO2 のマスク23を除去すると、マスク23上
に堆積した多結晶ダイヤモンドは、リフトオフされて除
去される。
形成した後、基板面にTi/Al電極を蒸着し、更にパ
ターニングして、ソース/ドレイン領域、ゲート領域に
電極30、32、34を形成する。このようにして、図
1(a)に示すような、絶縁ゲート型トランジスタの半
導体装置10を形成した。本実施形態例と同じようにし
て半導体装置を試作し、評価試験を行ったところ、30
0℃の加熱状態でも、トランジスタ特性は劣化せず、高
温での安定した動作を確認することができた。
が、InGaN,GaN,InGaAlNを用いても良
い。
層と、GaN系高抵抗性半導体層との積層構造でゲート
絶縁膜を形成することにより、高温で安定して動作する
高性能のGaN系絶縁ゲート型トランジスタを形成する
ことができる。
態例の絶縁ゲート型半導体装置の層構造を示す基板断面
図及び本実施形態例の絶縁ゲート型半導体装置の積層構
造の絶縁膜を示す断面図である。
態例の半導体装置の各工程毎の基板断面図である。
(c)に続く、本実施形態例の半導体装置の各工程毎の
基板断面図である。
に続く、本実施形態例の半導体装置の各工程毎の基板断
面図である。
図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 金属ゲート−ゲート絶縁膜−GaN系半
導体層からなるGaN系絶縁ゲート型トランジスタにお
いて、 ゲート絶縁膜が、高抵抗のダイヤモンド層と、GaN系
高抵抗性半導体層との積層構造により形成されているこ
とを特徴とするGaN系絶縁ゲート型トランジスタ。 - 【請求項2】 第1の導電型の半導体基板と、第1の導
電型の半導体基板上に形成された第1の導電型のGaN
系半導体層と、第1のGaN系半導体層上部に埋め込み
形成された第2の導電型のGaN系半導体層からなるソ
ース/ドレイン領域と、少なくともゲート領域上に形成
されている、ダイヤモンド層とのGaN系密着層とを備
え、 ゲート絶縁膜が密着層上に形成されていることを特徴と
する請求項1に記載のGaN系絶縁ゲート型トランジス
タ。 - 【請求項3】 第1の導電型の半導体基板上に第1の導
電型のGaN系半導体層を形成する工程と、 第1の導電型のGaN系半導体層をエッチングして、そ
の上部にソース/ドレイン領域形成部を凹部状に形成す
る工程と、 凹部状のソース/ドレイン領域形成部内に第2の導電型
のGaN系半導体層を選択的に埋め込み成長させる工程
と、 少なくともゲート電極形成領域にダイヤモンド層との密
着層として、高濃度でカーボンドープされた薄い膜厚の
GaN系半導体層を選択的に成長させる工程と、 密着層上に、ダイヤモンド層とGaN系絶縁層との積層
構造の絶縁膜を選択的に形成する工程とを有することを
特徴とするGaN系絶縁ゲート型トランジスタの形成方
法。
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JP32763297A JP3423598B2 (ja) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | GaN系絶縁ゲート型トランジスタ及びその形成方法 |
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JPH11163334A true JPH11163334A (ja) | 1999-06-18 |
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ID=18201227
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JP32763297A Expired - Lifetime JP3423598B2 (ja) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | GaN系絶縁ゲート型トランジスタ及びその形成方法 |
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