JPH11162864A - ｐ型ＧａＮ系化合物半導体の製造方法 - Google Patents
ｐ型ＧａＮ系化合物半導体の製造方法Info
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- JPH11162864A JPH11162864A JP32895897A JP32895897A JPH11162864A JP H11162864 A JPH11162864 A JP H11162864A JP 32895897 A JP32895897 A JP 32895897A JP 32895897 A JP32895897 A JP 32895897A JP H11162864 A JPH11162864 A JP H11162864A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高キャリア濃度のｐ型ＧａＮ系化合物半導体
の製造方法を提供する。 【解決手段】 ８００℃以上の温度に加熱されているＧ
ａＮ系化合物半導体にＭｇ，Ｚｎ，Ｂｅの群から選ばれ
る少なくとも１種のｐ型不純物をイオン注入し、つい
で、窒素ガスと前記ｐ型不純物を含有するガスから成
り、かつ圧が２.０２６MPa以上である混合ガスの中で、
イオン注入された前記ＧａＮ系化合物半導体に温度１２
００℃以上で１０分間以上の熱処理を施す。
の製造方法を提供する。 【解決手段】 ８００℃以上の温度に加熱されているＧ
ａＮ系化合物半導体にＭｇ，Ｚｎ，Ｂｅの群から選ばれ
る少なくとも１種のｐ型不純物をイオン注入し、つい
で、窒素ガスと前記ｐ型不純物を含有するガスから成
り、かつ圧が２.０２６MPa以上である混合ガスの中で、
イオン注入された前記ＧａＮ系化合物半導体に温度１２
００℃以上で１０分間以上の熱処理を施す。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はｐ型ＧａＮ系化合物
半導体の製造方法に関し、更に詳しくは、ＧａＮ系化合
物半導体にドーピングされたｐ型不純物を効果的に活性
化してそのＧａＮ系化合物半導体を高キャリア濃度のｐ
型半導体に転化する方法に関する。
半導体の製造方法に関し、更に詳しくは、ＧａＮ系化合
物半導体にドーピングされたｐ型不純物を効果的に活性
化してそのＧａＮ系化合物半導体を高キャリア濃度のｐ
型半導体に転化する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＮ，ＡｌＧａＮ，ＩｎＧａＮ，Ａｌ
ＩｎＧａＮなどのＧａＮ系化合物半導体から成るエピタ
キシャル成長層の場合、ＭＯＣＶＤ法またはガス源ＭＢ
Ｅ法のいずれを適用しても、高キャリア濃度のｐ型層は
得られていない。これは、ＧａＮ系化合物半導体の場
合、そこにドーピングされたｐ型不純物のうち、１／１
００００〜１／１０００程度しか活性化されないためで
ある。
ＩｎＧａＮなどのＧａＮ系化合物半導体から成るエピタ
キシャル成長層の場合、ＭＯＣＶＤ法またはガス源ＭＢ
Ｅ法のいずれを適用しても、高キャリア濃度のｐ型層は
得られていない。これは、ＧａＮ系化合物半導体の場
合、そこにドーピングされたｐ型不純物のうち、１／１
００００〜１／１０００程度しか活性化されないためで
ある。
【０００３】現在までに報告されているｐ型層のキャリ
ア濃度における最高値は１×１０17cm-3である。そし
て、これを用いた発光ダイオードのような光デバイスが
市販されている。しかしながら、この程度のキャリア濃
度では、高出力のバイポーラトランジスタや高耐圧ダイ
オードなどを製作することはできない。そのため、Ｇａ
Ｎ系化合物半導体に関しては、高キャリア濃度のｐ型層
を形成するための研究が進められている。
ア濃度における最高値は１×１０17cm-3である。そし
て、これを用いた発光ダイオードのような光デバイスが
市販されている。しかしながら、この程度のキャリア濃
度では、高出力のバイポーラトランジスタや高耐圧ダイ
オードなどを製作することはできない。そのため、Ｇａ
Ｎ系化合物半導体に関しては、高キャリア濃度のｐ型層
を形成するための研究が進められている。
【０００４】例えば、ｐ型不純物をドーピングしたのち
に、窒素ガスまたはアンモニアガス雰囲気の中で熱処理
することも試みられている。しかしながら、そのような
処理を行っても、得られたｐ型層のキャリア濃度は上記
した値よりも大きな値にはなっていない。また、ｐ型不
純物のドーピングをイオン注入法で行うことも試みられ
ている。しかしながら、イオン注入されたｐ型不純物を
活性化して高キャリア濃度を実現したという報告は現在
までのところない。
に、窒素ガスまたはアンモニアガス雰囲気の中で熱処理
することも試みられている。しかしながら、そのような
処理を行っても、得られたｐ型層のキャリア濃度は上記
した値よりも大きな値にはなっていない。また、ｐ型不
純物のドーピングをイオン注入法で行うことも試みられ
ている。しかしながら、イオン注入されたｐ型不純物を
活性化して高キャリア濃度を実現したという報告は現在
までのところない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ＧａＮ系化
合物半導体にドーピングされているｐ型不純物を効果的
に活性化させ、そのことにより、前記した従来のキャリ
ア濃度よりも超かに高キャリア濃度のｐ型層を形成する
ことができるｐ型ＧａＮ系化合物半導体の製造方法の提
供を目的とする。
合物半導体にドーピングされているｐ型不純物を効果的
に活性化させ、そのことにより、前記した従来のキャリ
ア濃度よりも超かに高キャリア濃度のｐ型層を形成する
ことができるｐ型ＧａＮ系化合物半導体の製造方法の提
供を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明においては、８００℃以上の温度に加熱
されているＧａＮ系化合物半導体にＭｇ，Ｚｎ，Ｂｅの
群から選ばれる少なくとも１種のｐ型不純物をイオン注
入し、ついで、窒素ガスと前記ｐ型不純物を含有するガ
スから成り、かつ圧が２.０２６MPa以上である混合ガス
の中で、イオン注入された前記ＧａＮ系化合物半導体に
温度１２００℃以上で１０分間以上の熱処理を施すこと
を特徴とするｐ型ＧａＮ系化合物半導体の製造方法が提
供される。
ために、本発明においては、８００℃以上の温度に加熱
されているＧａＮ系化合物半導体にＭｇ，Ｚｎ，Ｂｅの
群から選ばれる少なくとも１種のｐ型不純物をイオン注
入し、ついで、窒素ガスと前記ｐ型不純物を含有するガ
スから成り、かつ圧が２.０２６MPa以上である混合ガス
の中で、イオン注入された前記ＧａＮ系化合物半導体に
温度１２００℃以上で１０分間以上の熱処理を施すこと
を特徴とするｐ型ＧａＮ系化合物半導体の製造方法が提
供される。
【０００７】とくに、前記イオン注入に際しては、前記
ｐ型不純物とともにＳｉまたはＧｅが同時にイオン注入
されるｐ型ＧａＮ系化合物半導体の製造方法が提供され
る。
ｐ型不純物とともにＳｉまたはＧｅが同時にイオン注入
されるｐ型ＧａＮ系化合物半導体の製造方法が提供され
る。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明方法の１例を図面に
則して説明する。最初に、サファイアのような半絶縁性
の基板１の上に、ＧａＮバッファ層２、例えばＳｉがド
ーピングされているｎ型ＡｌＧａＮ層３、例えばＭｇが
ドーピングされているｐ型ＡｌＧａＮ層４がこの順序で
積層されている図１で示した積層構造Ａ１が製作され
る。そして、本発明においては、この積層構造Ａ１のｐ
型ＡｌＧａＮ層４におけるｐ型不純物（Ｍｇ）が活性化
されることにより、この層４が高キャリア濃度のｐ型層
に転化する。
則して説明する。最初に、サファイアのような半絶縁性
の基板１の上に、ＧａＮバッファ層２、例えばＳｉがド
ーピングされているｎ型ＡｌＧａＮ層３、例えばＭｇが
ドーピングされているｐ型ＡｌＧａＮ層４がこの順序で
積層されている図１で示した積層構造Ａ１が製作され
る。そして、本発明においては、この積層構造Ａ１のｐ
型ＡｌＧａＮ層４におけるｐ型不純物（Ｍｇ）が活性化
されることにより、この層４が高キャリア濃度のｐ型層
に転化する。
【０００９】まず、図２で示したように、積層構造Ａ１
の層４に、イオン注入装置を用いてＭｇ，Ｚｎ，Ｂｅの
１種または２種以上がｐ型不純物５としてイオン注入さ
れ、ｐ型ＡｌＧａＮ層４のｐ型不純物濃度が高くなって
いる積層構造Ａ２が形成される。このとき積層構造Ａ１
は８００℃以上の温度に加熱されていることが必要であ
る。積層構造Ａ１の温度が８００℃より低い場合は、ド
ーピングした不純物が半導体の結晶中で適切なサイトへ
移動することができずキャリアとして活性化されにくく
なるからである。しかしながら、加熱温度が高くなりす
ぎると、半導体それ自体の熱破壊が起こるのでその上限
は各層を構成する半導体が熱破壊を起こさないような温
度に設定すべきである。通常、８００〜１２００℃に設
定することが好ましい。
の層４に、イオン注入装置を用いてＭｇ，Ｚｎ，Ｂｅの
１種または２種以上がｐ型不純物５としてイオン注入さ
れ、ｐ型ＡｌＧａＮ層４のｐ型不純物濃度が高くなって
いる積層構造Ａ２が形成される。このとき積層構造Ａ１
は８００℃以上の温度に加熱されていることが必要であ
る。積層構造Ａ１の温度が８００℃より低い場合は、ド
ーピングした不純物が半導体の結晶中で適切なサイトへ
移動することができずキャリアとして活性化されにくく
なるからである。しかしながら、加熱温度が高くなりす
ぎると、半導体それ自体の熱破壊が起こるのでその上限
は各層を構成する半導体が熱破壊を起こさないような温
度に設定すべきである。通常、８００〜１２００℃に設
定することが好ましい。
【００１０】なお、このイオン注入時には、上記したｐ
型不純物と一緒にＳｉまたはＧｅを同時にイオン注入す
ると、後述の過程でｐ型不純物の活性化が有効に進み、
もって高キャリア濃度のｐ型層を形成することができる
ので好適である。このＳｉやＧｅは次のような働きをし
ているものと考えられる。すなわち、ＧａＮ系化合物半
導体のエピタキシャル成長層には１cm2当たり１０10個
程度の欠陥が存在していてこれら欠陥がｐ型不純物の効
果的な活性化を阻害しているものと考えられるが、同時
に注入されたＳｉやＧｅが上記欠陥と相互作用すること
により、ｐ型不純物の活性化が効果的に進行するのであ
る。
型不純物と一緒にＳｉまたはＧｅを同時にイオン注入す
ると、後述の過程でｐ型不純物の活性化が有効に進み、
もって高キャリア濃度のｐ型層を形成することができる
ので好適である。このＳｉやＧｅは次のような働きをし
ているものと考えられる。すなわち、ＧａＮ系化合物半
導体のエピタキシャル成長層には１cm2当たり１０10個
程度の欠陥が存在していてこれら欠陥がｐ型不純物の効
果的な活性化を阻害しているものと考えられるが、同時
に注入されたＳｉやＧｅが上記欠陥と相互作用すること
により、ｐ型不純物の活性化が効果的に進行するのであ
る。
【００１１】このようにして得られた積層構造Ａ２は、
次に、後述するガス雰囲気中で熱処理される。まず、ガ
スは、窒素ガスとｐ型不純物を含有するガスとの混合ガ
スが使用される。窒素ガスは積層構造Ａ２を構成してい
るＧａＮ系化合物半導体からＮが解離することを抑制す
る。そして、ｐ型不純物を含有するガスは、ｐ型ＡｌＧ
ａＮ層４’にドーピングされているｐ型不純物が解離す
ることを抑制する。
次に、後述するガス雰囲気中で熱処理される。まず、ガ
スは、窒素ガスとｐ型不純物を含有するガスとの混合ガ
スが使用される。窒素ガスは積層構造Ａ２を構成してい
るＧａＮ系化合物半導体からＮが解離することを抑制す
る。そして、ｐ型不純物を含有するガスは、ｐ型ＡｌＧ
ａＮ層４’にドーピングされているｐ型不純物が解離す
ることを抑制する。
【００１２】また、上記混合ガスは２.０２６MPa以上の
加圧状態にあることが必要である。２.０２６MPaより低
圧の場合は、ｐ型不純物の活性化が効果的に進行しない
だけではなく、Ｎやｐ型不純物の解離が起こりはじめる
からである。好ましくは２.０２６〜１０.０MPaであ
る。積層構造Ａ２は、上記ガス雰囲気下において温度１
２００℃以上で１０分以上熱処理されることが必要であ
る。
加圧状態にあることが必要である。２.０２６MPaより低
圧の場合は、ｐ型不純物の活性化が効果的に進行しない
だけではなく、Ｎやｐ型不純物の解離が起こりはじめる
からである。好ましくは２.０２６〜１０.０MPaであ
る。積層構造Ａ２は、上記ガス雰囲気下において温度１
２００℃以上で１０分以上熱処理されることが必要であ
る。
【００１３】温度が１２００℃より低い場合は、ｐ型不
純物の活性化は進行せず、高キャリア濃度のｐ型層を形
成することができない。しかしながら、過度に高い温度
にすると、半導体の熱破壊が起こりはじめるのでその上
限は半導体の熱破壊が起こらないような温度に設定すべ
きである。通常、１２００〜１６００℃であることが好
ましい。
純物の活性化は進行せず、高キャリア濃度のｐ型層を形
成することができない。しかしながら、過度に高い温度
にすると、半導体の熱破壊が起こりはじめるのでその上
限は半導体の熱破壊が起こらないような温度に設定すべ
きである。通常、１２００〜１６００℃であることが好
ましい。
【００１４】また処理時間が１０分より短い場合は、同
じくｐ型不純物の活性化は充分に進まない。しかし、あ
まり長時間の熱処理を行ってもｐ型不純物の活性化にと
っては無駄である。このようなことから、処理時間は１
５〜３０分に設定することが好ましい。このような熱処
理を行うことにより、積層構造Ａ２のｐ型ＡｌＧａＮ層
４’におけるｐ型不純物は活性化し、図３で示したよう
に、高キャリア濃度のｐ型ＡｌＧａＮ層４”を有する積
層構造Ａ３が得られる。
じくｐ型不純物の活性化は充分に進まない。しかし、あ
まり長時間の熱処理を行ってもｐ型不純物の活性化にと
っては無駄である。このようなことから、処理時間は１
５〜３０分に設定することが好ましい。このような熱処
理を行うことにより、積層構造Ａ２のｐ型ＡｌＧａＮ層
４’におけるｐ型不純物は活性化し、図３で示したよう
に、高キャリア濃度のｐ型ＡｌＧａＮ層４”を有する積
層構造Ａ３が得られる。
【００１５】
【実施例】次のようにして、図１で示した積層構造Ａ１
を製作した。温度６４０度のサファイア基板１の上に、
分子線エピタキシャル成長法でジメチルヒドラジン（３
×１０ー6Torr）とＧａ（５×１０-7Torr）を用いてＧａ
Ｎバッファ層２を形成した。
を製作した。温度６４０度のサファイア基板１の上に、
分子線エピタキシャル成長法でジメチルヒドラジン（３
×１０ー6Torr）とＧａ（５×１０-7Torr）を用いてＧａ
Ｎバッファ層２を形成した。
【００１６】ついで、基板１の温度を８５０℃に設定
し、ガス源ＭＢＥ法で、Ｇａ（１×１０-6Torr），Ａｌ
（５×１０-7Torr），ＮＨ3（５×１０-5Torr）を用
い、かつｎ型ドーパントとしてＳｉ（５×１０-8Torr）
を用いることにより、ＧａＮバッファ層２の上に、厚み
５０００Åのｎ型ＡｌＧａＮ層３を形成し、更にその上
に、Ｇａ（１×１０-6Torr），Ａｌ（５×１０-7Tor
r），ＮＨ3（５×１０-5Torr）を用い、かつｐ型ドーパ
ントとしてＭｇ（５×１０-8Torr）を用いることにより
厚み５０００Åのｐ型ＡｌＧａＮ層４を形成した。
し、ガス源ＭＢＥ法で、Ｇａ（１×１０-6Torr），Ａｌ
（５×１０-7Torr），ＮＨ3（５×１０-5Torr）を用
い、かつｎ型ドーパントとしてＳｉ（５×１０-8Torr）
を用いることにより、ＧａＮバッファ層２の上に、厚み
５０００Åのｎ型ＡｌＧａＮ層３を形成し、更にその上
に、Ｇａ（１×１０-6Torr），Ａｌ（５×１０-7Tor
r），ＮＨ3（５×１０-5Torr）を用い、かつｐ型ドーパ
ントとしてＭｇ（５×１０-8Torr）を用いることにより
厚み５０００Åのｐ型ＡｌＧａＮ層４を形成した。
【００１７】このｐ型ＡｌＧａＮ層４におけるＭｇ濃度
は、質量分析装置による分析の結果、１×１０18cm-3程
度であった。なお、上記Ｍｇ濃度では、その１／１００
００〜１／１０００が活性化する程度であるため、その
濃度を電気的な方法で測定することは不可能である。次
に、上記積層構造Ａ１をイオン注入装置にセットし、基
板１を１２００℃に加熱し、イオン加圧電圧８０ｋＶ
で、ＭｇとＳｉを同時にイオン注入して積層構造Ａ２を
製造した。このときのＭｇの注入量は濃度換算で５×１
０19cm-3，Ｓｉの注入量は濃度換算で１×１０19cm-3に
制御した。
は、質量分析装置による分析の結果、１×１０18cm-3程
度であった。なお、上記Ｍｇ濃度では、その１／１００
００〜１／１０００が活性化する程度であるため、その
濃度を電気的な方法で測定することは不可能である。次
に、上記積層構造Ａ１をイオン注入装置にセットし、基
板１を１２００℃に加熱し、イオン加圧電圧８０ｋＶ
で、ＭｇとＳｉを同時にイオン注入して積層構造Ａ２を
製造した。このときのＭｇの注入量は濃度換算で５×１
０19cm-3，Ｓｉの注入量は濃度換算で１×１０19cm-3に
制御した。
【００１８】ついで、この積層構造Ａ２を、III−Ｖ族
化合物半導体の単結晶引き上げに用いる液体封じ引き上
げ装置のるつぼの中にセットした。装置内温度を１５０
０℃とし、装置内にＮ2９９体積％，Ｍｇガス１体積％
から成り、全体の圧が７.５MPaである混合ガスを封入し
て約３０分間の熱処理を行った。
化合物半導体の単結晶引き上げに用いる液体封じ引き上
げ装置のるつぼの中にセットした。装置内温度を１５０
０℃とし、装置内にＮ2９９体積％，Ｍｇガス１体積％
から成り、全体の圧が７.５MPaである混合ガスを封入し
て約３０分間の熱処理を行った。
【００１９】得られた積層構造Ａ３のｐ型ＡｌＧａＮ層
４”は電気的な方法でキャリア濃度の測定が可能であ
り、その値は２×１０18cm-3であり、従来にない高キャ
リア濃度のｐ型層になっていた。なお、上記した実施例
は、ガス源ＭＢＥ法で結晶成長を行った場合であるが、
本発明は、ＭＯＣＶＤ法で行った場合でも同様の効果を
発揮する。また、上記実施例においては、積層構造Ａ１
における最上層が予めｐ型層である場合を説明している
が、本発明では、これに限定されることなく、ｐ型不純
物をイオン注入する最上層がノンドープ層やｎ型層であ
ってもよい。
４”は電気的な方法でキャリア濃度の測定が可能であ
り、その値は２×１０18cm-3であり、従来にない高キャ
リア濃度のｐ型層になっていた。なお、上記した実施例
は、ガス源ＭＢＥ法で結晶成長を行った場合であるが、
本発明は、ＭＯＣＶＤ法で行った場合でも同様の効果を
発揮する。また、上記実施例においては、積層構造Ａ１
における最上層が予めｐ型層である場合を説明している
が、本発明では、これに限定されることなく、ｐ型不純
物をイオン注入する最上層がノンドープ層やｎ型層であ
ってもよい。
【００２０】更に実施例ではｐ型不純物としてＭｇを用
いているが、ＺｎやＢｅを用いても同様の効果が得られ
る。Ｚｎを用いた場合には、高温高圧下における熱処理
時に混合ガスとしてＺｎを１体積％程度含有せしめれば
よく、またＢｅを用いた場合には、Ｂｅを窒素ガスに混
合した混合ガスを用いればよい。本発明は、実施例で示
したＡｌＧａＮに限定されることなく、ＧａＮ，ＩｎＧ
ａＮ，ＡｌＩｎＧａＮなどのＧａＮ系化合物半導体の全
てに対して適用することができる。
いているが、ＺｎやＢｅを用いても同様の効果が得られ
る。Ｚｎを用いた場合には、高温高圧下における熱処理
時に混合ガスとしてＺｎを１体積％程度含有せしめれば
よく、またＢｅを用いた場合には、Ｂｅを窒素ガスに混
合した混合ガスを用いればよい。本発明は、実施例で示
したＡｌＧａＮに限定されることなく、ＧａＮ，ＩｎＧ
ａＮ，ＡｌＩｎＧａＮなどのＧａＮ系化合物半導体の全
てに対して適用することができる。
【００２１】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明方
法によれば、ＧａＮ系化合物半導体にドーピングされて
いるｐ型不純物を効果的に活性化することができ、もっ
てそのＧａＮ系化合物半導体を高キャリア濃度のｐ型に
することができるので、高性能のＧａＮ系のトランジス
タなどの電子デバイスを製作する上で非常に有用であ
る。
法によれば、ＧａＮ系化合物半導体にドーピングされて
いるｐ型不純物を効果的に活性化することができ、もっ
てそのＧａＮ系化合物半導体を高キャリア濃度のｐ型に
することができるので、高性能のＧａＮ系のトランジス
タなどの電子デバイスを製作する上で非常に有用であ
る。
【図１】基板上にＧａＮ系化合物半導体層を形成した積
層構造Ａ１を示す断面図である。
層構造Ａ１を示す断面図である。
【図２】積層構造Ａ１の最上層にｐ型不純物をイオン注
入した積層構造Ａ２を示す断面図である。
入した積層構造Ａ２を示す断面図である。
【図３】ｐ型不純物を活性化させた積層構造Ａ３を示す
断面図である。
断面図である。
１ サファイア基板 ２ ＧａＮバッファ層 ３ ｎ型ＡｌＧａＮ層 ４ ｐ型ＡｌＧａＮ層 ４’ Ｍｇがイオン注入されたｐ型ＡｌＧａＮ層 ４” Ｍｇが活性化したｐ型ＡｌＧａＮ層
Claims (2)
- 【請求項１】 ８００℃以上の温度に加熱されているＧ
ａＮ系化合物半導体にＭｇ，Ｚｎ，Ｂｅの群から選ばれ
る少なくとも１種のｐ型不純物をイオン注入し、つい
で、窒素ガスと前記ｐ型不純物を含有するガスから成
り、かつ圧が２.０２６MPa以上である混合ガスの中で、
イオン注入された前記ＧａＮ系化合物半導体に温度１２
００℃以上で１０分間以上の熱処理を施すことを特徴と
するｐ型ＧａＮ系化合物半導体の製造方法。 - 【請求項２】 前記イオン注入に際しては、前記ｐ型不
純物とともにＳｉまたはＧｅが同時にイオン注入される
ｐ型ＧａＮ系化合物半導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32895897A JP3398031B2 (ja) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | ｐ型ＧａＮ系化合物半導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32895897A JP3398031B2 (ja) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | ｐ型ＧａＮ系化合物半導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11162864A true JPH11162864A (ja) | 1999-06-18 |
| JP3398031B2 JP3398031B2 (ja) | 2003-04-21 |
Family
ID=18216021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32895897A Expired - Lifetime JP3398031B2 (ja) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | ｐ型ＧａＮ系化合物半導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3398031B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001210657A (ja) * | 2000-01-25 | 2001-08-03 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2002176004A (ja) * | 2000-12-08 | 2002-06-21 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | Ｉｉｉ族窒化物半導体の製造方法及びｉｉｉ族窒化物半導体素子 |
| JP2007258722A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Samsung Corning Co Ltd | 窒化物半導体基板の亜鉛イオン注入方法 |
| JP2008135700A (ja) * | 2006-11-01 | 2008-06-12 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Ｉｉｉ族窒化物膜の製造方法及びｉｉｉ族窒化物半導体素子 |
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Citations (1)
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