JPH11162007A

JPH11162007A - 光記録媒体及び光記録再生方法

Info

Publication number: JPH11162007A
Application number: JP9327421A
Authority: JP
Inventors: Tetsuya Kato; 哲也加藤
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1997-11-28
Filing date: 1997-11-28
Publication date: 1999-06-18

Abstract

(57)【要約】【課題】所定の波長の光に対して高反射率と優れた信
号出力特性を有し読み出し破壊がない記録再生が可能な
光記録媒体及び光記録再生方法を提供することを目的と
する。【解決手段】本発明は、透明基板１上に、少なくと
も、半透明反射層２、記録光を吸収する色素を含有する
記録層３、中間層４、反射層５が順次形成された構成を
有し、記録光の記録波長及び再生光の再生波長における
記録層の複素比誘電率εの実部をε₁、虚部をε₂とした
とき（ε＝ε₁-iε₂）、以下の（数１）で示されるεの
絶対値ｒが、ｒ≧１０を満足する光記録媒体や、かかる
構成で記録光の記録波長未満の光を基板側から入射した
場合の反射率が２０％以上である光記録媒体及びこのよ
うな媒体を用いた光記録再生方法である。【数１】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光記録媒体及び光
記録再生方法に関し、特に半透明反射層と中間層が付加
されたタイプの光記録媒体を用いたものに関する。

【０００２】

【従来の技術】レーザー光により情報を再生する光記録
媒体として、音楽再生用や情報端末用に、再生専用光デ
ィスク（以下ＣＤ、ＣＤ−ＲＯＭと称する）が広く普及
している。

【０００３】この光記録媒体は、厚さ１．２ｍｍの透明
基板の片側に凹凸のピット列を設けて情報を記録し、そ
の上からアルミ、金等の反射膜を、スパッタ法や蒸着法
により設け、その上に保護膜をコートした構成を有する
ことが一般的である。

【０００４】そして、この光記録媒体は、波長７８０ｎ
ｍの半導体レーザー光が、透明基板を介して入射されて
反射膜で反射される際の、予め記録された情報ピットの
凹凸に対応したその反射率の変化を読みとり、予め記録
された情報を再生するものである。

【０００５】しかしながら、ＣＤ、ＣＤ−ＲＯＭの場合
には、再生専用メディアであり、編集機能を持たない。

【０００６】そこで、記録可能な光記録媒体として、一
度だけ記録可能な追記型光ディスク（以下、ＣＤ−Ｒと
称する）、書き換え可能型光ディスク（以下、相変化型
と称する）等が開発、実用化されており、このような記
録可能な光ディスクは、再生機能において、ＣＤ、ＣＤ
−ＲＯＭとの互換性を有する。

【０００７】この再生互換性のためＣＤ−ＲＯＭ再生装
置を具備する情報端末装置で、記録されたＣＤ−Ｒの情
報を確実に再生することが可能である。

【０００８】そして、ＣＤ−ＲＯＭ装置にＣＤ−Ｒの記
録機能を付与することでＣＤ−ＲＯＭと同一容量である
１枚あたり６５０Ｍバイトの情報記録装置とすることが
可能である。

【０００９】このため、近年、特に、ＣＤ−Ｒは情報記
録媒体として広く普及することとなった。

【００１０】また、ＣＤ−ＲＯＭの情報内容の編集にあ
たって試験的にＣＤ−ＲＯＭを試作する必要がある。

【００１１】このような編集業務であるオーサリング業
務においてもＣＤ−ＲＯＭ再生機能互換のＣＤ−Ｒは、
ＣＤ−ＲＯＭの試作用において必要不可欠のキーデバイ
スとなっている。

【００１２】ここで、ＣＤ−Ｒでは、記録層にＴｅ等の
カルコゲナイト系化合物、希土類金属化合物、ポルフィ
リン系、シアニン系、ナフタロシアニン系等の有機化合
物を記録層に適用したものが実用化されている。

【００１３】近年、特にＣＤ−Ｒについては、価格、無
公害性、前述のＣＤ−ＲＯＭとの再生特性の完全互換性
の観点から、色素等の有機化合物を記録層に使用するも
のが主流となり、この構成においては、相対的に大出力
のレーザー光を情報信号に対応させて入射させ、入射さ
れたレーザー光は、記録層の有機化合物に吸収されて熱
に変換され、記録層の化学的変化や幾何学的形状変化を
引き起こし情報を追記することになる。

【００１４】さらに、このようにして記録された情報
を、一定値以下の相対的に低出力のレーザー光を照射し
て、反射率の変化、具体的には反射光量の変化として認
識し、記録情報の再生を行なうことになる。

【００１５】このような記録層に用いられる有機化合物
としては、例えば、ポルフィリン化合物については、特
開平１−１４５１８８号公報等、特にテトラアザポルフ
ィリン化合物については、特開平３−１３３８２号、特
開平３−１３３８４号、特開平７−２７６８０４号公報
等に開示があり、さらに、フタロシアニン化合物につい
ては、特開平２−２７６６７６公報等、ナフタロシアニ
ン化合物については、特公平４−２０９４５号公報等に
開示がなされている。

【００１６】一方では、次世代の高密度光記録媒体の開
発が活発に進んでいる。この次世代高密度光記録媒体の
大きな特徴は、レーザー光の波長を６２０〜６９０ｎｍ
に短波長化し、トラックピッチの間隔、長さを短縮化す
ることで記録密度を向上させて、現行ＣＤ−ＲＯＭの記
録容量６５０Ｍバイトに対し、５〜１０倍の３〜１０Ｇ
バイトのデジタルデータの取扱いを可能とするものであ
る。

【００１７】しかしながら、現在の規格では、この高密
度光記録媒体も再生専用であり、編集機能を有さない。

【００１８】このため、編集機能を有する記録可能な高
密度追記型光ディスクについて、精力的に検討がなされ
ており、特に記録層においては、ＣＤ−Ｒ同様に有機材
料を使用することが望まれている。

【００１９】具体的に開示されたものとしては、シアニ
ン化合物の光吸収特性を短波長に移動させた記録媒体
が、特開平６−１９９０４５号公報に開示され、さら
に、インドリンイミン染料を記録層に適用した記録媒体
が、特開平５−３０５７７１号公報、特開平４−２５２
２７２号公報等に開示されている。

【００２０】このような高密度光記録媒体が開発されて
いる一方で、既に大量に普及している従来のシステムと
の互換性から、高密度記録対応のプレーヤーで再生可能
なＣＤ−Ｒ（以下、ＣＤ−Ｒ２と称する）の開発が行わ
れている。

【００２１】そして、従来のＣＤ、ＣＤ−ＲＯＭは、反
射率の波長依存性が小さいたいめ、高密度記録対応のプ
レーヤーで再生することが可能である。

【００２２】

【発明が解決しようとする課題】しかし、記録層に色素
を有する従来のＣＤ−Ｒは、色素の光学定数の波長依存
性が大きいため反射率の波長依存性が大きく、従って従
来のＣＤ−Ｒ、ＣＤ、ＣＤ−ＲＯＭプレーヤーでの記録
再生と、高密度記録対応プレーヤーでの再生とを両立さ
せることがそれだけ難しい。

【００２３】この点を考慮して、例えば、特開平８−２
６３８７２号公報、特開平８−２６３８７３号公報、特
開平８−３１０１０号公報では、光吸収層の屈折率、消
衰係数と膜厚とを、異なる波長に合わせて適切な範囲に
設定することにより、波長７７０〜８３０ｎｍの近赤外
レーザーでの反射率が６５％以上であって、波長６２０
〜６９０ｎｍの赤色レーザーでの反射率が１５％以上を
満たす光記録媒体ＣＤ−Ｒ２が提案されているが、記録
再生特性上十分なものとはいえない。

【００２４】本発明は、透明な基板上に、少なくとも、
半透明反射層、記録光を吸収する色素を含有する記録
層、中間層、反射層が順次形成された光記録媒体を用い
て、所定の波長の光に対して良好な記録再生、つまり高
い反射率と優れた信号出力特性を有し繰り返し再生によ
る読み出し破壊がない記録再生が可能な光記録媒体及び
光記録再生方法を提供することを目的とする。

【００２５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく、
本発明は、透明基板上に、少なくとも、半透明反射層、
記録光を吸収する色素を含有する記録層、中間層、反射
層が順次形成された構成を有し、記録光の記録波長及び
再生光の再生波長における記録層の複素比誘電率εの実
部をε₁、虚部をε₂としたとき（ε＝ε₁-iε₂）、以下
の（数２）で示されるεの絶対値ｒが、ｒ≧１０を満足
する光記録媒体や、かかる構成で記録光の記録波長未満
の光、例えば再生光を基板側から入射した場合の反射率
が２０％以上である光記録媒体及びこのような媒体を用
いた光記録再生方法である。

【００２６】

【数２】

【００２７】ここで、記録層の複素比誘電率εは、記録
層の屈折率ｎ、消衰係数ｋから、比透磁率μを１とし
て、ε₁=ｎ²-ｋ²、ε₂=2ｎｋより求まり、記録層の屈折
率ｎ、消衰係数ｋは、石英基板上に製膜した記録層に対
する反射率、及び透過率の膜厚依存性から決定される。

【００２８】このような構成により、透明な基板上に、
少なくとも、半透明反射層、記録光を吸収する色素を含
有する記録層、中間層、反射層が順次形成された光記録
媒体を用いて、所定の波長の光に対して良好な記録再生
が可能な光記録媒体及び光記録再生方法を提供する。

【００２９】

【発明の実施の形態】請求項１記載の本発明は、透明な
基板と、前記基板上に設けられた半透明反射層と、前記
半透明反射層上に設けられ記録光を吸収する色素を含有
する記録層と、前記記録層上に設けられた中間層と、前
記中間層上に設けられた反射層とを有し、前記記録光の
記録波長及び再生光の再生波長における前記記録層の複
素比誘電率εの実部をε₁、虚部をε₂としたとき（ε＝
ε₁-iε₂）、以下の（数３）で示されるεの絶対値ｒ
が、ｒ≧１０を満足する光記録媒体である。

【００３０】

【数３】

【００３１】このような構成により、半透明反射層と中
間層を設け、多重反射による干渉効果を利用するタイプ
の光記録媒体の半透明反射層、中間層、反射層等の効果
を最大限に引き出し、良好な記録再生が可能となる。

【００３２】かかる範囲をはずれると、このような層が
あってもほとんどその効果がみられず、反射率が低下し
たり、再生信号波形が乱れる等の現象を生じてしまう。

【００３３】ここで、請求項２記載のように、記録光及
び再生光の波長未満の光を基板側から入射した場合の反
射率が２０％以上であることが好ましく、より具体的に
は、請求項３記載のように、記録光の記録波長未満の再
生波長の再生光を基板側から入射した場合の反射率が２
０％以上であることが好ましい。

【００３４】反射率が２０％以下だと膜の吸収が大きす
ぎて、記録層単独膜の反射率及び／または透過率が小さ
くなって多重反射の干渉効果も小さくなり、やはり、反
射率の低下、再生信号の乱れ等が生じ好ましくない。

【００３５】以上の構成で、請求項４記載のように、半
透明反射層が、金属層であることが半透明な反射を確実
に呈する上で好ましい。

【００３６】また、請求項５記載のように、反射層が、
金属層であることがその反射機能の良好性故に好まし
い。

【００３７】そして、請求項６記載のように、反射層の
外方に保護層を有する構成であってもよい。

【００３８】一方、方法に係る本発明は、請求項７記載
のように、請求項１から６のいずれかに記載の光記録媒
体を用いて、波長範囲７７０〜８３０ｎｍのレーザ光を
照射して情報を記録する光記録方法であって、かかる波
長範囲内のレーザ光により確実に記録を行う。

【００３９】または、請求項８記載のように、請求項１
から６のいずれかに記載の光記録媒体を用いて、波長範
囲６２０〜６９０ｎｍのレーザ光を照射して情報を記録
する光記録方法であって、かかる波長範囲内のレーザ光
により確実に記録を行う。

【００４０】または、請求項９記載のように、請求項１
から６のいずれかに記載の光記録媒体を用いて、波長範
囲７７０〜８３０ｎｍのレーザ光を照射して、記録され
た情報を再生する光再生方法であって、かかる波長範囲
内のレーザ光により確実に再生を行う。

【００４１】または、請求項１０記載のように、請求項
１から６のいずれかに記載の光記録媒体を用いて、波長
範囲６２０〜６９０ｎｍのレーザ光を照射して、記録さ
れた情報を再生する光再生方法であって、かかる波長範
囲内のレーザ光により確実に再生を行う。

【００４２】または、請求項１１記載のように、請求項
３から６のいずれかに記載の光記録媒体を用いて、波長
範囲７７０〜８３０ｎｍまたは６２０〜６９０ｎｍのレ
ーザ光を照射して情報を記録し、波長範囲７７０〜８３
０ｎｍまたは６２０〜６９０ｎｍのレーザ光であって、
記録光の波長よりも短い波長を照射して、記録された情
報を再生する光記録再生方法であって、かかる波長範囲
内のレーザ光により確実に記録及び再生を行う。

【００４３】即ち、本発明者は、透明な基板上に、少な
くとも、半透明反射層、記録光を吸収する色素を含有す
る記録層、中間層、反射層が順次形成された光記録媒体
において、特定範囲の波長の光に対して良好な記録再生
を実現すべく、鋭意検討を重ねた結果、基板と半透明反
射層間、半透明反射層と記録層間、記録層と中間層間、
中間層と反射層間の反射率を制御することが非常に重要
であり、そのためには、光記録媒体の設計指針として、
（１）記録層単独膜の透過率を抑えて記録層の反射率を
有効に利用する、（２）記録層単独膜の反射率を抑えて
記録層以外の反射率を有効に利用する、のいずれかを選
択することが重要なポイントになることを見いだした。

【００４４】そして、このポイントをふまえ、記録層の
物性を詳細に調べた結果、記録層の比誘電率が非常に重
要なパラメータであることを見いだしたものである。

【００４５】すなわち、ある特定の波長の記録光及びそ
れと等しい波長の再生光に対して、記録層の複素比誘電
率の絶対値ｒを特定の範囲に設定することによって、良
好な記録及び再生が可能な光記録媒体を、またさらに
は、ある特定の波長の記録光よりも短い波長の再生光に
対して、反射率を特定の範囲に設定することによって、
良好な記録再生が可能な光記録媒体を見出し、本発明に
至ったものである。

【００４６】なお、以上において、基板の材質としては
基本的に記録、再生光の波長で透明であればよく、さら
に好ましくは熱伝導率の小さいものがよい。具体的に
は、例えばポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポ
キシ樹脂、ガラス、非晶質ポリオレフィン等が使用可能
である。

【００４７】また、基板形状としては、板状でもフィル
ム状でもカード状でもよいが、使用光源であるレーザー
光の光学系の焦点に対して、適正な厚みと直径で規定さ
れる円盤状が好ましく、この基板の片側には案内溝が設
けられていることがより望ましく、切削加工や射出成形
で形成可能であるものがよい。

【００４８】また、半透明反射層は使用光源波長に対し
て反射率の高い材料を薄く用いる。使用する材料は金属
が望ましく、アルミニュウム、銀、金、鉄、ニッケル、
コバルト、錫、亜鉛、銅などが好ましく、これらを単独
または合金として使用することができる。この半透明反
射層は、スパッタ法などにより５０ｎｍ程度以下の厚さ
に形成する。

【００４９】また、記録層は、記録光に対し適切な吸
収、熱変換効率を有し、記録光の相対的に強いエネルギ
ーを与えることにより物理的、化学的な分解、変質、変
形を伴うものであれば特に限定されない。

【００５０】具体的には、色素系が好ましいが、フタロ
シアン系色素、ナフタロシアニン系色素、ポルフィリン
系色素、デトラアザポルフィリン系色素、シアニン系色
素、アゾ系色素等があげられる。また、これらに金属が
含まれてもよい。

【００５１】また、記録層はスピンコート法や真空蒸着
法、スパッタ法等を用いられ形成し得る。

【００５２】スピンコート法では、有機色素を溶剤に溶
解し、透明基板を回転させつつ前記色素溶液を滴下して
記録層を形成する。

【００５３】この色素溶液は０．５〜５重量％の色素濃
度に調整されていることが望ましく、色素溶液を作製す
る溶媒は、色素を溶解し透明基板に無害であれば使用可
能である。

【００５４】この溶媒としてはメチルアルコール、エタ
ノール、プロパノール、ブタノール、テトラフルオロア
ルコール、アセトンメチルエチルケトン、ジエチルエー
テル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、テトラ
ヒドロフラン、ジオキサン、酢酸メチル、酢酸エチル、
酢酸プロピル、酢酸ブチル、ベンゼン、トルエン、キシ
レン、ナフタレン、ヘキサン、シクロヘキサン、塩化メ
チル、ジクロロメタン、クロロフォルム、四塩化炭素、
ジクロロエタン、トリクロロエタン、２−メトキシエタ
ノール、２−エトキシエタノール、２−イソプロポキシ
エタノール、アセトニトリル、トリエチルアミン、ジプ
ロピルアミン、ジメチルフォルムアミドなどがあげら
れ、色素溶解性、作業性、基板への影響、経済性を考慮
して決定される。

【００５５】もちろん、有機溶媒に色素を溶解して色素
溶液を作成する際に光安定剤、酸化防止剤が含まれてい
てもよい。この光安定剤としては一重項酸素クエンチャ
ーである金属錯体やジイモニュウム塩、ヒンダードアミ
ン化合物、紫外線吸収剤としてはベンゾトリアゾール化
合物、ベンゾフェノン化合物、酸化防止剤としては一次
酸化防止剤としてフェノール系酸化防止剤、アミン系酸
化防止剤、２次の酸化防止剤としては有機イオウ系２次
酸化防止剤、リン系２次酸化防止剤等があげられる。こ
れら光安定剤、酸化防止剤を単独もしくは複合して配合
してもよいものである。なお、添加量は色素重量１００
部に対して添加剤を０．１〜２００部程度が好ましい。

【００５６】また、色素溶液に結着剤として樹脂を添加
してもよく、これらの樹脂はニトロセルロース、リン酸
セルロース、硫酸セルロース、酢酸セルロース、プロピ
オン酸セルロース、酪酸セルロース、ミリスチン酸セル
ロース、パルミチン酸セルロース、酢酸・プロピオン酸
セルロース、酢酸・酪酸セルロースなどのセルロースエ
ステル類、メチルセルロース、エチルセルロース、プロ
ピルセルロース、ブチルセルロースなどのセルロースエ
ーテル類、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビ
ニル、ポリビニルブチラール、ポリビニルアセタール、
ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドンなどのビ
ニル樹脂類、スチレン−ブタジエンコポリマー、スチレ
ン−アクリロニトリルコポリマー、スチレン−ブタジエ
ン−アクリロニトリルコポリマー、塩化ビニル−酢酸ビ
ニルコポリマーなどの共重合樹脂類、ポリメチルメタク
リレート、ポリメチルアクリレート、ポリアクリル酸、
ポリメタクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリアクリル
ニトリルなどのアクリル樹脂類、ポリエチレンテレフタ
レートなどのポリエステル類、ポリ（４，４−イソプロ
ピリデンジフェニレン−コ−１，４−シクロヘキシレン
ジメチレンカーボネート）、ポリ（エチレンジオキシ−
３，３−フェニレンチオカーボネート）、ポリ（４，４
−イソプロピリデンジフェニレンカーボネート−コ−テ
レフタレート）、ポリ（４，４−イソプロピリデンジフ
ェニレンカーボネート）、ポリ（４，４−ｓｅｃ−ブチ
リデンジフェニレンカーボネート）、ポリ（４，４−イ
ソプロピリデンジフェニレンカーボネート−ブロック−
オキシエチレン）などのポリアクリレート樹脂類、ポリ
アミド類、エポキシ樹脂類、フェノール樹脂類、ポリエ
チレン、ポリプロピレン、塩素化ポリエチレンなどのポ
リオレフィン類などを用いることができる。これら樹脂
類は色素重量１００部に対し１〜１０００部の範囲にわ
たって添加することができる。

【００５７】スピンコート法によって記録層を形成する
には、色素濃度と回転数、回転時間で所望の膜厚に調整
する。

【００５８】蒸着などの方法で記録層を形成する場合に
は、１０^-2Ｐａ以下の真空度で蒸着されることが望まし
い。

【００５９】また、蒸着可能な光安定剤、酸化防止剤等
を同時に蒸着して記録層を形成することもできる。この
場合光安定剤、酸化防止剤などは上述の化合物から選択
される。蒸着は、記録層色素と添加剤を所定量混合して
一つの熱源で蒸着することも可能であり、添加剤と色素
を別々の熱源で蒸着してもよい。

【００６０】また、中間層は記録層に比べて消衰係数が
小さいものが好ましいが、必ずしも消衰係数が０である
必要はない。

【００６１】具体的には、フェノール系樹脂、ビニルア
ルコール系樹脂、ブチラール系樹脂、ポリイミド系樹
脂、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂やこれらの共重
合系樹脂などの有機材料、ケイ素、チタン、ジルコニウ
ム等の酸化物、窒化物、ＭｇＦ₂、ＺｎＳ等の無機材料
があげられる。

【００６２】また、反射層は使用光源波長に対して反射
率の高い材料を用いる。使用する材料は金属が望まし
く、アルミニュウム、銀、金、鉄、ニッケル、コバル
ト、錫、亜鉛、銅などが好ましく、これらを単独または
合金として使用することができる。この反射層は、スパ
ッタ法などにより１０〜２００ｎｍ程度の厚さに形成す
る。

【００６３】また、保護層は記録層または反射層に対す
る傷や汚れの保護や保存安定性のために設けられ、無機
材料としてはＳｉＯやＳｉＯ₂などが使用できる。有機
材料ではポリメチルアクリレート、ポリカーボネート、
エポキシ樹脂、ポリスチレン、ポリエステル樹脂、ビニ
ル樹脂、セルロース、脂肪族系炭化水素樹脂、芳香族系
炭化水素樹脂系、天然ゴム、ワックス、アルキッド樹
脂、乾性油、ロジン等の熱軟化性、熱溶融樹脂も用いる
ことができる。この保護層には、必要に応じ、難燃剤、
安定剤、帯電防止剤などを添加することができる。ま
た、接着剤によって樹脂基板をはりあわせてもよい。

【００６４】以下、本発明の光記録媒体及びそれを用い
た光記録再生方法を各実施の形態に則し具体的に説明す
る。

【００６５】（実施の形態１）図１は、本実施の形態の
光記録媒体の断面の拡大図である。

【００６６】図１において、１は透明基板、２は透明基
板１上に形成された半透明反射層、３は半透明反射層２
上に形成された記録層、４は記録層３上に形成された中
間層、５は中間層４上に形成された反射層、及び６は反
射層５上に形成された保護層である。

【００６７】ここで基板１は、ポリカーボネート製の円
盤状の透明基板であり、厚さ１．２ｍｍ、ピッチ１．６
μｍ、幅０．５μｍ、深さ５０ｎｍの形状に射出成形し
たものを用いた。

【００６８】次に、この基板１上に半透明反射層２とし
て、スパッタにより厚さ２０ｎｍの金薄膜を形成した。

【００６９】次に、半透明反射尾膜２上に記録層３とし
て、以下の化学式（化１）に示す塩化錫フタロシアニン
を代表的に用い、真空蒸着法により平均膜厚が５０ｎｍ
になるように製膜し、この上に中間層４として、ポリカ
ーボネートを真空蒸着法により、膜厚４０、６０、８
０、１００、及び１２０ｎｍに製膜した。

【００７０】

【化１】

【００７１】ここで、この記録層２の複素比誘電率の実
部、虚部は、波長７８０ｎｍにおいてε₁＝１７．３
４、ε₂＝６．７１であり、波長７６０ｎｍにおいてε₁
＝１０．３７、ε₂＝２０．７４であり、波長７５０ｎ
ｍにおいてε₁＝４．６８、ε₂＝２３．３２であり、波
長７４０ｎｍにおいてε₁＝−１．７２、ε₂＝１９．２
１であり、波長７２５ｎｍにおいてε₁＝−２．３５、
ε₂＝１１．５６であり、波長６５０ｎｍにおいてε₁＝
０．２２、ε₂＝３．０４である。

【００７２】従って、この記録層２の複素比誘電率の絶
対値ｒは、波長７８０ｎｍにおいてｒ＝１８．５９であ
り、波長７６０ｎｍにおいてｒ＝２３．１９であり、波
長７５０ｎｍにおいてｒ＝２３．７８であり、波長７４
０ｎｍにおいてｒ＝１９．２９であり、波長７２５ｎｍ
においてｒ＝１１．７９であり、波長６５０ｎｍにおい
てｒ＝３．０４である。

【００７３】また、この中間層４の光学定数は、ここで
用いたすべての波長において屈折率ｎ４＝１．５９、消
衰係数ｋ４＝０である。

【００７４】次に、この中間層４上に反射層５として厚
さ１００ｎｍの金薄膜をスパッタにより製膜した。

【００７５】さらに、反射層５上に紫外線硬化樹脂をス
ピンコート法により塗布し、紫外線を照射して硬化させ
これを保護層６とし光記録媒体を各１０個作製した。な
お、以下の測定値は、各１０個の平均値とした。

【００７６】以上の構成において、この光記録媒体の基
板面入射の７８０ｎｍでの反射率を中間層３の膜厚に対
応して測定した結果を、図２に示す。

【００７７】図２によれば、この光記録媒体は、記録層
２の消衰係数が０．７９とかなり大きいにも関わらず、
中間層３の膜厚４０〜１２０ｎｍの広い範囲にわたって
適正な反射率、具体的には約６５〜８０％の範囲の値を
もつことがわかる。

【００７８】さらに、中間層３の膜厚に対して反射率が
緩やかに変化することからその製膜のプロセス管理が比
較的楽であることもわかる。

【００７９】そして、これらの光記録媒体に、波長７８
０ｎｍの半導体レーザーを用いて、線速１．２ｍ／ｓｅ
ｃ、記録レーザーパワー８ｍＷでＥＦＭ変調信号を記録
し、この記録した信号を７８０ｎｍの半導体レーザー
０．５ｍＷで再生した。

【００８０】いずれの場合も、記録部では反射率が低下
しており、変調度は十分大きく、更にジッターも良好で
記録再生信号の波形には歪みがほとんど観測されなかっ
た。

【００８１】これは、波長７８０ｎｍにおいては、ｒの
条件を満足しているためと考えられる。

【００８２】さらに、同様に記録した信号を波長６５０
ｎｍの半導体レーザー０．５ｍＷの出力で再生した結
果、反射率は４０％以上であり、ジッターも良好であっ
た。

【００８３】これは、波長６５０ｎｍにおいて、反射率
の条件を満足しているためと考えられる。

【００８４】また、以上の構成の光記録媒体の基板面入
射の７６０ｎｍでの反射率は８０〜８５％であり、これ
らの光記録媒体に、波長７６０ｎｍの半導体レーザーを
用いて、線速１．２ｍ／ｓｅｃ、記録レーザーパワー８
ｍＷでＥＦＭ変調信号を記録し、この記録した信号を７
６０ｎｍの半導体レーザー０．５ｍＷで再生したとこ
ろ、記録部では反射率が低下しており、変調度は十分大
きく、更にジッターも良好で記録再生信号の波形には歪
みがほとんど観測されなかった。

【００８５】これも、波長７６０ｎｍにおいては、ｒの
条件を満足しているためと考えられる。

【００８６】また、以上の構成の光記録媒体の基板面入
射の７５０ｎｍでの反射率は８０〜８５％であり、これ
らの光記録媒体に、波長７５０ｎｍの半導体レーザーを
用いて、線速１．２ｍ／ｓｅｃ、記録レーザーパワー８
ｍＷでＥＦＭ変調信号を記録し、この記録した信号を７
５０ｎｍの半導体レーザー０．５ｍＷで再生したとこ
ろ、記録部では反射率が低下しており、変調度は十分大
きく、更にジッターも良好で記録再生信号の波形には歪
みがほとんど観測されなかった。

【００８７】これも、波長７５０ｎｍにおいては、ｒの
条件を満足しているためと考えられる。

【００８８】また、以上の構成の光記録媒体の基板面入
射の７４０ｎｍでの反射率は８０〜８５％であり、これ
らの光記録媒体に、波長７４０ｎｍの半導体レーザーを
用いて、線速１．２ｍ／ｓｅｃ、記録レーザーパワー８
ｍＷでＥＦＭ変調信号を記録し、この記録した信号を７
４０ｎｍの半導体レーザー０．５ｍＷで再生したとこ
ろ、記録部では反射率が低下しており、変調度は十分大
きく、更にジッターも良好で記録再生信号の波形には歪
みがほとんど観測されなかった。

【００８９】これも、波長７４０ｎｍにおいては、ｒの
条件を満足しているためと考えられる。

【００９０】また、以上の構成の光記録媒体の基板面入
射の７２５ｎｍでの反射率は６０〜７０％であり、これ
らの光記録媒体に、波長７２５ｎｍの半導体レーザーを
用いて、線速１．２ｍ／ｓｅｃ、記録レーザーパワー８
ｍＷでＥＦＭ変調信号を記録し、この記録した信号を７
２５ｎｍの半導体レーザー０．５ｍＷで再生したとこ
ろ、記録部では反射率が低下しており、変調度は十分大
きく、更にジッターも良好で記録再生信号の波形には歪
みがほとんど観測されなかった。

【００９１】これも、波長７２５ｎｍにおいては、ｒの
条件を満足しているためと考えられる。

【００９２】（比較例１）本比較例では、実施の形態１
における光記録媒体に対して、記録光に波長７００、６
７５、６３５ｎｍの半導体レーザーを用いた。

【００９３】この記録層の複素比誘電率の実部、虚部
は、波長７００ｎｍにおいてε₁＝−０．６８、ε₂＝
４．５５であり、波長６７５ｎｍにおいてε₁＝０．５
７、ε₂＝４．８４であり、波長６３５ｎｍにおいてε₁
＝０．１７、ε₂＝１．７８であり、従って、記録層の
複素比誘電率の絶対値ｒは、波長７００ｎｍにおいてｒ
＝４．６０であり、波長６７５ｎｍにおいてｒ＝４．８
８であり、波長６３５ｎｍにおいてｒ＝１．７９であっ
た。

【００９４】以上の構成においては、記録光と再生光を
同じ波長にして確認したところ、反射率が６０％より小
さく、ｒの条件を満足する場合がないため、実用に供し
得る記録特性すら得られなかった。

【００９５】さらに、実施の形態１の光記録媒体を用い
て、波長範囲７７０〜８３０ｎｍ及び６２０〜６９０ｎ
ｍで記録光と再生光を同じ波長にして検討したところ、
εの絶対値ｒが、ｒ≧１０を満足する場合には、上述の
波長７８０ｎｍによる記録再生の結果と同様に記録部で
は反射率が低下しており、変調度は十分大きく、更にジ
ッターも良好で記録再生信号の波形には歪みがほとんど
観測されなかった。

【００９６】また、波長範囲７７０〜８３０ｎｍ及び６
２０〜６９０ｎｍで再生光が記録光よりも短い場合につ
いて検討したところ、かかる再生光が基板側から入射し
た場合の反射率が２０％以上の条件を満足する場合に
は、上述の波長７８０ｎｍによる記録及び波長６５０ｎ
ｍの再生の場合の結果と同様に記録部では反射率が低下
しており、変調度は十分大きく、更にジッターも良好で
記録再生信号の波形には歪みがほとんど観測されなかっ
た。

【００９７】なお、以上において、再生を１０００回繰
り返したが再生特性には変化が見られなかった。

【００９８】（実施の形態２）本実施の形態では、中間
層として、ポリシロキサン樹脂をスピンコート法によ
り、同様の膜厚に製膜した以外は実施の形態１と同様に
光記録媒体を作製した。

【００９９】本実施の形態では、中間層の光学定数は、
ここで検討したすべての波長において屈折率ｎ４＝１．
４０、消衰係数ｋ４＝０である。

【０１００】以上の構成の光記録媒体の基板面入射の７
８０ｎｍでの反射率は、すべて７０〜８５％であった。

【０１０１】そして、これらの光記録媒体に、波長７８
０ｎｍの半導体レーザーを用いて、線速１．２ｍ／ｓｅ
ｃ、記録レーザーパワー８ｍＷでＥＦＭ変調信号を記録
し、この記録した信号を７８０ｎｍの半導体レーザー
０．５ｍＷで再生した。

【０１０２】その結果、記録部では反射率が低下してお
り、変調度は十分大きく、更にジッターは良好で記録再
生信号の波形には歪みがほとんど観測されなかった。

【０１０３】これは、波長７８０ｎｍにおいては、ｒの
条件を満足しているためと考えられる。

【０１０４】また、同様に記録した信号を波長６５０ｎ
ｍの半導体レーザー０．５ｍＷの出力で再生した結果、
反射率は２０％以上であり、ジッターも良好であった。

【０１０５】これは、波長６５０ｎｍにおいては、反射
率の条件を満足しているためと考えられる。

【０１０６】また、以上の構成の光記録媒体の基板面入
射の７６０ｎｍでの反射率は６５〜８５％であり、これ
らの光記録媒体に、波長７６０ｎｍの半導体レーザーを
用いて、線速１．２ｍ／ｓｅｃ、記録レーザーパワー８
ｍＷでＥＦＭ変調信号を記録し、この記録した信号を７
６０ｎｍの半導体レーザー０．５ｍＷで再生したとこ
ろ、記録部では反射率が低下しており、変調度は十分大
きく、更にジッターも良好で記録再生信号の波形には歪
みがほとんど観測されなかった。

【０１０７】これも、波長７６０ｎｍにおいては、ｒの
条件を満足しているためと考えられる。

【０１０８】また、以上の構成の光記録媒体の基板面入
射の７５０ｎｍでの反射率は６５〜８５％であり、これ
らの光記録媒体に、波長７５０ｎｍの半導体レーザーを
用いて、線速１．２ｍ／ｓｅｃ、記録レーザーパワー８
ｍＷでＥＦＭ変調信号を記録し、この記録した信号を７
５０ｎｍの半導体レーザー０．５ｍＷで再生したとこ
ろ、記録部では反射率が低下しており、変調度は十分大
きく、更にジッターも良好で記録再生信号の波形には歪
みがほとんど観測されなかった。

【０１０９】これも、波長７５０ｎｍにおいては、ｒの
条件を満足しているためと考えられる。

【０１１０】また、以上の構成の光記録媒体の基板面入
射の７４０ｎｍでの反射率は６５〜８５％であり、これ
らの光記録媒体に、波長７４０ｎｍの半導体レーザーを
用いて、線速１．２ｍ／ｓｅｃ、記録レーザーパワー８
ｍＷでＥＦＭ変調信号を記録し、この記録した信号を７
４０ｎｍの半導体レーザー０．５ｍＷで再生したとこ
ろ、記録部では反射率が低下しており、変調度は十分大
きく、更にジッターも良好で記録再生信号の波形には歪
みがほとんど観測されなかった。

【０１１１】これも、波長７４０ｎｍにおいては、ｒの
条件を満足しているためと考えられる。

【０１１２】また、以上の構成の光記録媒体の基板面入
射の７２５ｎｍでの反射率は６０〜７０％であり、これ
らの光記録媒体に、波長７２５ｎｍの半導体レーザーを
用いて、線速１．２ｍ／ｓｅｃ、記録レーザーパワー８
ｍＷでＥＦＭ変調信号を記録し、この記録した信号を７
２５ｎｍの半導体レーザー０．５ｍＷで再生したとこ
ろ、記録部では反射率が低下しており、変調度は十分大
きく、更にジッターも良好で記録再生信号の波形には歪
みがほとんど観測されなかった。

【０１１３】これも、波長７２５ｎｍにおいては、ｒの
条件を満足しているためと考えられ（比較例２）本比較例では、実施の形態２における光記
録媒体に対して、記録光、再生光ともに波長６５０ｎ
ｍ、６３５ｎｍの半導体レーザーを用いた。

【０１１４】いずれの場合も反射率が６０％より小さ
く、ｒの条件を満足する場合がないため、実用に供し得
る記録特性すら得られなかった。

【０１１５】さらに、実施の形態２の光記録媒体を用い
て、波長範囲７７０〜８３０ｎｍ及び６２０〜６９０ｎ
ｍで記録光と再生光を同じ波長にして検討したところ、
εの絶対値ｒが、ｒ≧１０を満足する場合には、実施の
形態１と同様に波長７８０ｎｍによる記録再生の結果と
同様に記録部では反射率が低下しており、変調度は十分
大きく、更にジッターも良好で記録再生信号の波形には
歪みがほとんど観測されなかった。

【０１１６】また、波長範囲７７０〜８３０ｎｍ及び６
２０〜６９０ｎｍで再生光が記録光よりも短い場合につ
いて検討したところ、かかる再生光が基板側から入射し
た場合の反射率が２０％以上の条件を満足する場合に
は、実施の形態１の波長７８０ｎｍによる記録及び波長
６５０ｎｍの再生の場合の結果と同様に記録部では反射
率が低下しており、変調度は十分大きく、更にジッター
も良好で記録再生信号の波形には歪みがほとんど観測さ
れなかった。

【０１１７】なお、以上において、再生を１０００回繰
り返したが再生特性には変化が見られなかった。

【０１１８】（実施の形態３）本実施の形態では、中間
層として、ＺｒＯ₂を真空蒸着法により、膜厚４０、６
０ｎｍに製膜した以外は実施の形態１と同様に光記録媒
体を作製した。

【０１１９】本実施の形態では、中間層の光学定数は、
ここで検討したすべての波長において屈折率ｎ４＝２．
２１、消衰係数ｋ４＝０であった。

【０１２０】以上の構成の光記録媒体の基板面入射の７
８０ｎｍでの反射率は、７０〜８０％であった。

【０１２１】そして、これらの光記録媒体に、波長７８
０ｎｍの半導体レーザーを用いて、線速１．２ｍ／ｓｅ
ｃ、記録レーザーパワー１０ｍＷでＥＦＭ変調信号を記
録し、この記録した信号を７８０ｎｍの半導体レーザー
０．５ｍＷで再生した。

【０１２２】その結果、記録部では反射率が低下してお
り、変調度は十分大きく、更にジッターは良好で記録再
生信号の波形には歪みがほとんど観測されなかった。

【０１２３】これは、波長７８０ｎｍにおいては、ｒの
条件を満足しているためと考えられる。

【０１２４】また、これらの記録した信号を波長６５０
ｎｍの半導体レーザー０．５ｍＷの出力で再生した結
果、反射率は４０％以上であり、ジッターも良好であっ
た。

【０１２５】これは、波長６５０ｎｍにおいては、反射
率の条件を満足しているためと考えられる。

【０１２６】また、以上の構成の光記録媒体の基板面入
射の７６０ｎｍでの反射率は７０〜８０％であり、これ
らの光記録媒体に、波長７６０ｎｍの半導体レーザーを
用いて、線速１．２ｍ／ｓｅｃ、記録レーザーパワー８
ｍＷでＥＦＭ変調信号を記録し、この記録した信号を７
６０ｎｍの半導体レーザー０．５ｍＷで再生したとこ
ろ、記録部では反射率が低下しており、変調度は十分大
きく、更にジッターも良好で記録再生信号の波形には歪
みがほとんど観測されなかった。

【０１２７】これも、波長７６０ｎｍにおいては、ｒの
条件を満足しているためと考えられる。

【０１２８】また、以上の構成の光記録媒体の基板面入
射の７５０ｎｍでの反射率は７０〜８０％であり、これ
らの光記録媒体に、波長７５０ｎｍの半導体レーザーを
用いて、線速１．２ｍ／ｓｅｃ、記録レーザーパワー８
ｍＷでＥＦＭ変調信号を記録し、この記録した信号を７
５０ｎｍの半導体レーザー０．５ｍＷで再生したとこ
ろ、記録部では反射率が低下しており、変調度は十分大
きく、更にジッターも良好で記録再生信号の波形には歪
みがほとんど観測されなかった。

【０１２９】これも、波長７５０ｎｍにおいては、ｒの
条件を満足しているためと考えられる。

【０１３０】さらに、実施の形態１と同様に、波長範囲
７７０〜８３０ｎｍ及び６２０〜６９０ｎｍで記録光と
再生光を同じ波長にした場合、また、波長範囲７７０〜
８３０ｎｍ及び６２０〜６９０ｎｍで再生光が記録光よ
りも短い場合について検討したところ、同様な結果を得
た。

【０１３１】（比較例３）本比較例では、実施の形態３
における光記録媒体に対して、記録光、再生光ともに波
長７００ｎｍ、６５０ｎｍの半導体レーザーを用いた。

【０１３２】反射率は６０％より小さく、ｒの条件を満
足する場合がないため、実用に供し得る記録特性すら得
られなかった。

【０１３３】

【発明の効果】以上のように、本発明の構成によれば、
透明な基板上に、少なくとも、半透明反射層、記録光を
吸収する色素を含有する記録層、中間層、反射層が順次
形成された光記録媒体を用いて、所定の波長の光に対し
て良好な記録再生が可能な光記録媒体及び光記録再生方
法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１の追記型光記録媒体の断
面図

【図２】同追記型光記録媒体の中間層の膜厚と反射率と
の関係を示す図

【符号の説明】

１透明基板２半透明反射層３記録層４中間層５反射層６保護層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明な基板と、前記基板上に設けられた
半透明反射層と、前記半透明反射層上に設けられ記録光
を吸収する色素を含有する記録層と、前記記録層上に設
けられた中間層と、前記中間層上に設けられた反射層と
を有し、前記記録光の記録波長及び再生光の再生波長に
おける前記記録層の複素比誘電率εの実部をε₁、虚部
をε₂としたとき（ε＝ε₁-iε₂）、以下の（数１）で
示されるεの絶対値ｒが、ｒ≧１０を満足する光記録媒
体。【数１】
【請求項２】記録光及び再生光の波長未満の光を基板
側から入射した場合の反射率が２０％以上である請求項
１記載の光記録媒体。
【請求項３】記録光の記録波長未満の再生波長の再生
光を基板側から入射した場合の反射率が２０％以上であ
る請求項１記載の光記録媒体。
【請求項４】半透明反射層が、金属層である請求項１
から３のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項５】反射層が、金属層である請求項１から４
のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項６】反射層の外方に保護層を有する請求項１
から５のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項７】請求項１から６のいずれかに記載の光記
録媒体を用いて、波長範囲７７０〜８３０ｎｍのレーザ
光を照射して情報を記録する光記録方法。
【請求項８】請求項１から６のいずれかに記載の光記
録媒体を用いて、波長範囲６２０〜６９０ｎｍのレーザ
光を照射して情報を記録する光記録方法。
【請求項９】請求項１から６のいずれかに記載の光記
録媒体を用いて、波長範囲７７０〜８３０ｎｍのレーザ
光を照射して、記録された情報を再生する光再生方法。
【請求項１０】請求項１から６のいずれかに記載の光
記録媒体を用いて、波長範囲６２０〜６９０ｎｍのレー
ザ光を照射して、記録された情報を再生する光再生方
法。
【請求項１１】請求項３から６のいずれかに記載の光
記録媒体を用いて、波長範囲７７０〜８３０ｎｍまたは
６２０〜６９０ｎｍのレーザ光を照射して情報を記録
し、波長範囲７７０〜８３０ｎｍまたは６２０〜６９０
ｎｍのレーザ光であって、記録光の波長よりも短い波長
を照射して、記録された情報を再生する光記録再生方
法。