JPH11154391A - Storage device - Google Patents
Storage deviceInfo
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- JPH11154391A JPH11154391A JP32157697A JP32157697A JPH11154391A JP H11154391 A JPH11154391 A JP H11154391A JP 32157697 A JP32157697 A JP 32157697A JP 32157697 A JP32157697 A JP 32157697A JP H11154391 A JPH11154391 A JP H11154391A
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- JP
- Japan
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- address
- storage device
- information
- bit width
- signal
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- Dram (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は各種データの記憶に
用いられる記憶装置に関する。The present invention relates to a storage device used for storing various data.
【0002】[0002]
【従来の技術】図11は、従来の演算処理を行うシステ
ムの概略構成を示す。このシステム60は、演算処理を
行う論理回路61,62及びMPU63を備える。論理
回路61,62及びMPU63は演算処理に用いられる
データを読み出したり、演算処理したデータを格納する
ためのデータ記憶手段として、DRAMやSRAMなど
のメモリからなる記憶装置を使用する。一般的に複数の
論理回路61,62やMPU63が演算に用いるデータ
のビット幅は異なる場合が多く、各々が使用しやすいよ
うに、その使用するデータのビット幅を持つ専用の記憶
装置64,65,66が用いられている。そのため通常
は、システム60を構成するために、ビット幅の異なる
各別の記憶装置64,65,66が必要となり、システ
ム60をマザーボード上で構成する場合には半導体パッ
ケージが複数個必要となり、またLSI上でシステムを
構成する場合には記憶装置が複数ブロック必要となる。2. Description of the Related Art FIG. 11 shows a schematic configuration of a conventional system for performing arithmetic processing. The system 60 includes logic circuits 61 and 62 for performing arithmetic processing and an MPU 63. The logic circuits 61 and 62 and the MPU 63 use a storage device including a memory such as a DRAM or an SRAM as a data storage unit for reading data used for the arithmetic processing and storing the processed data. In general, the bit widths of the data used by the plurality of logic circuits 61 and 62 and the MPU 63 for the calculation are often different, and dedicated storage devices 64 and 65 having the bit widths of the data used so that each can be easily used. , 66 are used. Therefore, usually, separate memory devices 64, 65, and 66 having different bit widths are required to configure the system 60. When the system 60 is configured on a motherboard, a plurality of semiconductor packages are required. When a system is configured on an LSI, a plurality of storage devices are required.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記記憶装置
を各別に持つことは、システム60をマザーボード上で
構成する場合には複数個の半導体パッケージをマザーボ
ード上に実装することとなり、マザーボードの大型化、
消費電力の増大化、高コスト化の原因となる。また、L
SI上でシステムを構成する場合には、必要なビット幅
と容量を持つ異なる記憶装置を必要数だけ設計すること
となり、開発期間の長大化、高コスト化の原因となる。However, having the above-mentioned storage devices separately requires a plurality of semiconductor packages to be mounted on the motherboard when the system 60 is configured on the motherboard. ,
This causes an increase in power consumption and an increase in cost. Also, L
When a system is configured on the SI, a required number of different storage devices having a required bit width and capacity are designed as many as necessary, which causes an increase in development period and an increase in cost.
【0004】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたものであって、その目的は、異なるビット幅による
共通アクセスを可能として、開発期間の短縮化及び低コ
スト化を実現することのできる記憶装置を提供すること
にある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to enable a common access with different bit widths, thereby shortening the development period and reducing the cost. It is to provide a storage device.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1に記載の発明は、所定の記憶容量を持つ記
憶手段と、アクセス信号のビット幅情報に基づいてその
指定されるアドレスを該記憶手段の内部アドレスにマッ
ピングするアドレスマッピング手段と、を備える記憶装
置をその要旨とする。In order to achieve the above object, according to the present invention, a storage means having a predetermined storage capacity and an address designated based on bit width information of an access signal are stored. The gist of the present invention is a storage device including an address mapping means for mapping to an internal address of the storage means.
【0006】請求項2に記載の発明は、所定の記憶容量
を持つ記憶手段と、アクセス信号のビット幅情報及び使
用容量情報に基づいてその指定されるアドレスを該記憶
手段の内部アドレスにマッピングするアドレスマッピン
グ手段と、を備える記憶装置をその要旨とする。According to a second aspect of the present invention, based on a storage means having a predetermined storage capacity, an address designated based on bit width information and used capacity information of an access signal is mapped to an internal address of the storage means. The gist is a storage device including an address mapping unit.
【0007】請求項3に記載の発明は、請求項2に記載
の記憶装置において、記憶手段は、複数種のアクセス信
号の各使用容量情報に基づいて予めその記憶領域が分割
され、アドレスマッピング手段は、指定されるアドレス
を記憶手段の該分割された記憶領域に応じてその内部ア
ドレスにアドレス変換することをその要旨とする。According to a third aspect of the present invention, in the storage device according to the second aspect, the storage area is divided in advance based on the used capacity information of a plurality of types of access signals, and the address mapping means Is to convert the specified address into its internal address in accordance with the divided storage area of the storage means.
【0008】請求項4に記載の発明は、請求項2又は3
に記載の記憶装置において、複数種のアクセス信号の各
アドレス情報を選択的に取り込むアドレス切り換え手段
を更に備えることをその要旨とする。[0008] The invention described in claim 4 is the invention according to claim 2 or 3.
The gist of the storage device described in (1) is that it further includes an address switching means for selectively taking in each address information of a plurality of types of access signals.
【0009】請求項5に記載の発明は、請求項2〜4の
いずれか1項に記載の記憶装置において、複数種のアク
セス信号に対応した入力データを選択的に取り込む入力
データ切り換え手段を更に備えることをその要旨とす
る。According to a fifth aspect of the present invention, in the storage device according to any one of the second to fourth aspects, input data switching means for selectively inputting input data corresponding to a plurality of types of access signals is further provided. The point is to prepare.
【0010】請求項6に記載の発明は、請求項2〜5の
いずれか1項に記載の記憶装置において、複数種のアク
セス信号に対応した出力データを選択的に出力する出力
データ切り換え手段を更に備えることをその要旨とす
る。According to a sixth aspect of the present invention, in the storage device according to any one of the second to fifth aspects, output data switching means for selectively outputting output data corresponding to a plurality of types of access signals is provided. The point is to provide further.
【0011】請求項7に記載の発明は、請求項1〜6の
いずれか1項に記載の記憶装置において、記憶手段は、
アクセス信号の最小ビット幅に対応した複数のメモリセ
ルブロックと、それら複数のメモリセルブロックの各単
位セルをマッピングされる内部アドレスに基づき各別に
アクセスするX−Yデコーダとを備えて構成されること
をその要旨とする。According to a seventh aspect of the present invention, in the storage device according to any one of the first to sixth aspects, the storage means comprises:
A plurality of memory cell blocks corresponding to a minimum bit width of an access signal, and an XY decoder for individually accessing each unit cell of the plurality of memory cell blocks based on an mapped internal address. Is the gist.
【0012】請求項8に記載の発明は、請求項1に記載
の記憶装置において、アクセス信号のビット幅情報を記
憶し、そのビット幅情報をアドレスマッピング手段に出
力する記憶回路と、アクセス信号のアドレス情報を保持
してアドレスマッピング手段に出力するアドレス入力手
段と、アクセス信号に対応した入力データを取り込むデ
ータ入力手段と、アクセス信号に対応したデータを出力
するデータ出力手段と、を備えることをその要旨とす
る。According to an eighth aspect of the present invention, in the storage device according to the first aspect, a storage circuit for storing bit width information of an access signal and outputting the bit width information to an address mapping means; Address input means for holding the address information and outputting it to the address mapping means, data input means for capturing input data corresponding to the access signal, and data output means for outputting data corresponding to the access signal. Make a summary.
【0013】請求項9に記載の発明は、請求項4に記載
の記憶装置において、アクセス信号のビット幅情報及び
使用容量情報を記憶し、そのビット幅情報及び使用容量
情報をアドレスマッピング手段に出力する記憶回路と、
アドレス切り換え手段によって取り込まれたアドレス情
報を保持してアドレスマッピング手段に出力するアドレ
ス入力手段と、を備えることをその要旨とする。According to a ninth aspect of the present invention, in the storage device according to the fourth aspect, the bit width information and the used capacity information of the access signal are stored, and the bit width information and the used capacity information are output to the address mapping means. Memory circuit
An address input unit that holds the address information captured by the address switching unit and outputs the address information to the address mapping unit.
【0014】請求項10に記載の発明は、請求項2又は
3に記載の記憶装置において、アクセス信号のビット幅
情報及び使用容量情報を記憶し、そのビット幅情報及び
使用容量情報をアドレスマッピング手段に出力する記憶
回路と、アクセス信号のアドレス情報を保持してアドレ
スマッピング手段に出力するアドレス入力手段と、複数
種のアクセス信号に対応した入力データを選択的に取り
込む入力データ切り換え手段と、複数種のアクセス信号
に対応した出力データを選択的に出力する出力データ切
り換え手段と、を備えることをその要旨とする。According to a tenth aspect of the present invention, in the storage device according to the second or third aspect, the bit width information and the used capacity information of the access signal are stored, and the bit width information and the used capacity information are stored in the address mapping means. A storage circuit that outputs address data of an access signal to an address mapping unit; and an input data switching unit that selectively takes in input data corresponding to a plurality of types of access signals. And output data switching means for selectively outputting output data corresponding to the access signal.
【0015】請求項11に記載の発明は、請求項4に記
載の記憶装置において、アドレス切り換え手段によって
取り込まれたアドレス情報を保持してアドレスマッピン
グ手段に出力するアドレス入力手段と、複数種のアクセ
ス信号に対応した入力データを選択的に取り込む入力デ
ータ切り換え手段と、複数種のアクセス信号に対応した
出力データを選択的に出力する出力データ切り換え手段
と、を備えることをその要旨とする。According to an eleventh aspect of the present invention, in the storage device of the fourth aspect, address input means for holding the address information fetched by the address switching means and outputting the address information to the address mapping means; The gist of the invention is to provide input data switching means for selectively taking in input data corresponding to a signal and output data switching means for selectively outputting output data corresponding to a plurality of types of access signals.
【0016】請求項12に記載の発明は、請求項11に
記載の記憶装置において、アクセス信号のビット幅情報
及び使用容量情報を記憶し、そのビット幅情報及び使用
容量情報をアドレスマッピング手段に出力する記憶回路
をさらに備えることをその要旨とする。According to a twelfth aspect of the present invention, in the storage device according to the eleventh aspect, the bit width information and the used capacity information of the access signal are stored, and the bit width information and the used capacity information are output to the address mapping means. The gist of the present invention is to further include a storage circuit for performing the above.
【0017】請求項13に記載の発明は、請求項2又は
3に記載の記憶装置において、アクセス信号のビット幅
情報及び使用容量情報を記憶し、そのビット幅情報及び
使用容量情報をアドレスマッピング手段に出力する記憶
回路と、複数種のアクセス信号の各アドレス情報を保持
するアドレス入力手段と、アドレス入力手段に保持され
た複数種のアクセス信号の各アドレス情報を選択的に取
り込んでアドレスマッピング手段に出力するアドレス切
り換え手段と、複数種のアクセス信号に対応した入力デ
ータを選択的に取り込む入力データ切り換え手段と、複
数種のアクセス信号に対応した出力データを選択的に出
力する出力データ切り換え手段と、を備えることをその
要旨とする。According to a thirteenth aspect of the present invention, in the storage device according to the second or third aspect, the bit width information and the used capacity information of the access signal are stored, and the bit width information and the used capacity information are stored in the address mapping means. A memory circuit that outputs the address information of a plurality of types of access signals; and an address mapping unit that selectively captures each piece of address information of the plurality of types of access signals held by the address input unit. Address switching means for outputting, input data switching means for selectively capturing input data corresponding to a plurality of access signals, output data switching means for selectively outputting output data corresponding to a plurality of access signals, The point is to provide
【0018】[0018]
【発明の実施の形態】(第1実施形態)以下、本発明を
具体化した第1実施形態を図1〜図4に従って説明す
る。(First Embodiment) A first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.
【0019】図4は本実施形態の記憶装置を用いたシス
テムの概略構成を示す。このシステム10は、演算処理
部として論理回路11,12及びMPU13を備える。
論理回路11,12及びMPU13が演算処理に用いる
データを読み出したり、演算処理したデータを書き込む
ためのデータ記憶手段として1つの記憶装置20が設け
られている。本実施形態において、論理回路11,12
及びMPU13が演算に用いるデータのビット幅はそれ
ぞれ異なっているものとする。例えば、論理回路11は
8ビット幅のデータDi11,Do11を用い、論理回
路12は16ビット幅のデータDi12,Do12を用
い、さらにMPU13は24ビット幅のデータDi1
3,Do13を用いるものとする。また、論理回路11
は記憶装置20をアクセスするためにアドレス信号AD
11を出力し、論理回路12は記憶装置20をアクセス
するためにアドレス信号AD12を出力し、MPU13
は記憶装置20をアクセスするためにアドレス信号AD
12を出力する。記憶装置20は8ビット幅、16ビッ
ト幅、及び24ビット幅という異なるビット幅と異なる
ワード深さ(容量)とによるアクセスを実現可能にして
いる。FIG. 4 shows a schematic configuration of a system using the storage device of the present embodiment. The system 10 includes logic circuits 11 and 12 and an MPU 13 as operation processing units.
One storage device 20 is provided as data storage means for reading data used by the logic circuits 11 and 12 and the MPU 13 for operation processing, and writing data subjected to operation processing. In the present embodiment, the logic circuits 11 and 12
And the bit width of the data used by the MPU 13 for the calculation is different from each other. For example, the logic circuit 11 uses 8-bit data Di11 and Do11, the logic circuit 12 uses 16-bit data Di12 and Do12, and the MPU 13 uses the 24-bit data Di1.
3, Do13. Also, the logic circuit 11
Is an address signal AD for accessing the storage device 20.
11, the logic circuit 12 outputs an address signal AD12 to access the storage device 20, and the MPU 13
Is an address signal AD for accessing the storage device 20.
12 is output. The storage device 20 enables access with different bit widths, such as 8-bit width, 16-bit width, and 24-bit width, and different word depths (capacities).
【0020】MPU13はいずれかの演算処理部(論理
回路11,12及びMPU13)が記憶装置20にアク
セスする際、その演算処理部に応じた選択信号SLを記
憶装置20に出力し、アクセスしている演算処理部の情
報を記憶装置20に与える。本実施形態においては、論
理回路11,12に対応してそれぞれ選択信号SL1,
SL2が出力され、MPU13に対応して選択信号SL
3が出力されるものとする。When any of the arithmetic processing units (the logic circuits 11 and 12 and the MPU 13) accesses the storage device 20, the MPU 13 outputs a selection signal SL corresponding to the arithmetic processing unit to the storage device 20 and accesses the storage device 20. The information of the arithmetic processing unit that is present is given to the storage device 20. In the present embodiment, the selection signals SL1 and SL1 correspond to the logic circuits 11 and 12, respectively.
SL2 is output and the selection signal SL corresponding to the MPU 13 is output.
3 is output.
【0021】次に、この記憶装置20を図1及び図2に
従って詳細に説明する。記憶装置20は例えばDRAM
(dynamic random access memory)よりなり、レジスタと
その書き込み回路とを有する記憶回路21、アドレス切
り換え手段としてのアドレスマルチプレクサ22、アド
レス入力手段としてのアドレス入力バッファ23、アド
レスマッピング手段としてのアドレスマッピング回路2
4、入力データ切り換え手段としてのデータ入力マルチ
プレクサ25、出力データ切り換え手段としてのデータ
出力マルチプレクサ26、記憶手段としてのメモリセル
アレイ27、Xデコーダ28、Yデコーダ29及びセン
スアンプ30を備えている。Next, the storage device 20 will be described in detail with reference to FIGS. The storage device 20 is, for example, a DRAM
(Dynamic Random Access Memory), a storage circuit 21 having a register and its write circuit, an address multiplexer 22 as address switching means, an address input buffer 23 as address input means, and an address mapping circuit 2 as address mapping means
4, a data input multiplexer 25 as input data switching means, a data output multiplexer 26 as output data switching means, a memory cell array 27 as storage means, an X decoder 28, a Y decoder 29 and a sense amplifier 30.
【0022】図2に示すように、メモリセルアレイ27
は複数(本実施形態では4つ)のブロック31〜34に
分割されている。各ブロック31〜34は複数のワード
線及び複数のビット線間に接続された多数のメモリセル
を備え、各々所定ビット幅(本形態では8ビット幅)の
データを入出力可能である。各ブロック31〜34には
同記憶装置20をアクセスする論理回路11,12及び
MPU13(図4)のビット幅及びワード深さ(容量)
に対応してそれぞれ3つの領域311〜313,321
〜323,331〜333,341〜343が設定され
ている。As shown in FIG. 2, the memory cell array 27
Is divided into a plurality of (four in the present embodiment) blocks 31 to 34. Each of the blocks 31 to 34 includes a plurality of memory cells connected between a plurality of word lines and a plurality of bit lines, and is capable of inputting and outputting data having a predetermined bit width (8 bit width in this embodiment). Each of the blocks 31 to 34 has a bit width and a word depth (capacity) of the logic circuits 11 and 12 and the MPU 13 (FIG. 4) for accessing the storage device 20.
Corresponding to three regions 311 to 313 and 321 respectively.
To 323, 331 to 333, and 341 to 343 are set.
【0023】図1に示す記憶回路21には、記憶装置2
0の電源投入後に、演算処理部(論理回路11,12及
びMPU13)がアクセスする記憶領域のビット幅の情
報及びワード深さの情報が、MPU13等から一定のプ
ロトコルにて書き込まれる。そして、記憶回路21は各
演算処理部(論理回路11,12及びMPU13)がア
クセスする領域に対応するビット幅を示す信号BW及び
ワード深さ(容量)を示す信号WDをアドレスマッピン
グ回路24に出力する。The storage circuit 21 shown in FIG.
After the power is turned on, the bit width information and the word depth information of the storage area accessed by the arithmetic processing units (the logic circuits 11 and 12 and the MPU 13) are written from the MPU 13 and the like according to a certain protocol. Then, the storage circuit 21 outputs to the address mapping circuit 24 a signal BW indicating a bit width and a signal WD indicating a word depth (capacity) corresponding to an area accessed by each arithmetic processing unit (the logic circuits 11, 12 and the MPU 13). I do.
【0024】アドレスマルチプレクサ22は同記憶装置
20にアクセスしている演算処理部(論理回路11,1
2及びMPU13)に応じてMPU13から出力される
選択信号SL(SL1〜SL3)に基づいて、その演算
処理部に対応するアドレス信号AD(AD11〜AD1
3)を選択する。The address multiplexer 22 is an arithmetic processing unit (logic circuits 11, 1) accessing the storage device 20.
2 and MPU 13), based on selection signals SL (SL1 to SL3) output from MPU 13, address signals AD (AD11 to AD1) corresponding to the arithmetic processing unit.
Select 3).
【0025】アドレス入力バッファ23はアドレスマル
チプレクサ22によって選択されたアドレス信号ADを
保持し、アドレスマッピング回路24に出力する。アド
レスマッピング回路24は、アドレス入力バッファ23
から入力したアドレス信号AD(外部アドレス信号)
を、記憶回路21から出力される信号BW及び信号WD
に基づいて内部アドレス信号に変換する。これは、各演
算処理部(論理回路11,12及びMPU13)は記憶
装置20を独立した1つの記憶装置としてアドレス信号
ADを出力しているからである。すなわち、論理回路1
1のアドレス信号AD11は0番地からそのワード深さ
までであり、論理回路12のアドレス信号AD12も0
番地からそのワード深さまでであり、さらに、MPU1
3のアドレス信号AD13も0番地からそのワード深さ
までである。ところが、記憶装置20におけるアドレス
空間としては、図3に示すように0番地(♯0)から使
用容量に相当するアドレス(♯xxxx)までを使用す
ることとなる。そのため、記憶装置20側において、各
演算処理部に対して設定されたアクセス領域に割り当て
られた内部アドレスに変換を行う必要がある。The address input buffer 23 holds the address signal AD selected by the address multiplexer 22 and outputs it to the address mapping circuit 24. The address mapping circuit 24 includes an address input buffer 23
Signal AD (external address signal) input from
With the signals BW and WD output from the storage circuit 21
Is converted to an internal address signal based on This is because each arithmetic processing unit (the logic circuits 11, 12 and the MPU 13) outputs the address signal AD using the storage device 20 as one independent storage device. That is, the logic circuit 1
The address signal AD11 of 1 is from address 0 to the word depth, and the address signal AD12 of the logic circuit 12 is also 0.
From address to its word depth, and MPU1
The address signal AD13 of No. 3 also extends from address 0 to its word depth. However, as the address space in the storage device 20, as shown in FIG. 3, addresses from address 0 ($ 0) to addresses corresponding to the used capacity ($ xxxx) are used. Therefore, it is necessary for the storage device 20 to perform conversion to an internal address assigned to an access area set for each arithmetic processing unit.
【0026】例えば、論理回路12が記憶装置20をア
クセスした場合、論理回路12から出力される外部アド
レス信号AD12が0番地であるとすると、この場合、
記憶装置20の内部では、論理回路11が使用する領域
311,321,331,341のビット幅とワード深
さとで一意的に決まるアドレスを外部アドレスに加算
し、その内部アドレスは同図3に示す♯aaaaとな
る。For example, if the logic circuit 12 accesses the storage device 20 and the external address signal AD12 output from the logic circuit 12 is at address 0, then
Inside the storage device 20, an address uniquely determined by the bit width and the word depth of the areas 311, 321, 331, 341 used by the logic circuit 11 is added to the external address, and the internal address is shown in FIG. ♯aaaa.
【0027】また、MPU13が記憶装置20をアクセ
スした場合、MPU13から出力される外部アドレス信
号AD13が0番地であるとすると、この場合、記憶装
置20の内部では、論理回路11が使用する領域31
1,321,331,341のビット幅とワード深さと
で一意的に決まるアドレスと、論理回路12が使用する
領域312,322,332,342のビット幅とワー
ド深さとで一意的に決まるアドレスとを外部アドレスに
加算し、その内部アドレスはこれも図3に示す♯bbb
bとなる。If the external address signal AD13 output from the MPU 13 is at address 0 when the MPU 13 accesses the storage device 20, in this case, in the storage device 20, the area 31 used by the logic circuit 11 is used.
An address uniquely determined by the bit width and the word depth of 1,321,331,341, and an address uniquely determined by the bit width and the word depth of the regions 312,322,332,342 used by the logic circuit 12 Is added to the external address, and the internal address is {bbb} also shown in FIG.
b.
【0028】Xデコーダ28及びYデコーダ29はアド
レスマッピング回路24から出力される内部アドレス信
号をデコードしてブロック31〜34の所定のメモリセ
ルを選択する。従って、例えば、論理回路11が記憶装
置20をアクセスする場合には論理回路11は8ビット
幅のデータを用いるため、内部アドレスに基づいて図2
に示す領域311,321,331,341における1
つの領域のみが選択される。この場合、アドレス信号A
D11がインクリメントされるのに伴って、例えば領域
311,321,331,341の先頭の領域から順に
選択される。The X decoder 28 and the Y decoder 29 decode internal address signals output from the address mapping circuit 24 and select predetermined memory cells of the blocks 31 to 34. Therefore, for example, when the logic circuit 11 accesses the storage device 20, the logic circuit 11 uses 8-bit width data.
1 in the regions 311, 321, 331, and 341 shown in FIG.
Only one area is selected. In this case, the address signal A
As D11 is incremented, for example, areas are selected in order from the head area of areas 311, 321, 331, and 341.
【0029】また、論理回路12が記憶装置20をアク
セスする場合には、論理回路12は16ビット幅のデー
タを用いるため、内部アドレスに基づいて図2に示す領
域312,322におけるそれぞれ1つの領域または領
域332,342におけるそれぞれ1つの領域が選択さ
れる。この場合、アドレス信号AD12がインクリメン
トされるのに伴って、例えば領域312及び領域322
と、領域332及び領域342との各領域の先頭の領域
から順に選択される。When the logic circuit 12 accesses the storage device 20, since the logic circuit 12 uses 16-bit width data, each of the areas 312 and 322 shown in FIG. Alternatively, one region in each of the regions 332 and 342 is selected. In this case, as the address signal AD12 is incremented, for example, the area 312 and the area 322
And the region 332 and the region 342 are sequentially selected from the head region of each region.
【0030】さらに、MPU13が記憶装置20をアク
セスする場合には、MPU13は24ビット幅のデータ
を用いるため、内部アドレスに基づいて図2に示す4つ
の領域313,323,333,343のうち、3つの
領域におけるそれぞれ1つの領域が選択される。この場
合、アドレス信号AD13が0番地の場合には、例えば
まず、3つの領域313A,323A,333Aが選択
され、アドレス信号AD13がインクリメントされる
と、領域343A,313B,323Bが選択される。
以後、アドレス信号AD13がインクリメントされるの
に伴って、領域333B,343B,313C、領域3
23C,333C,343Cのように順次3つの領域が
選択される。Further, when the MPU 13 accesses the storage device 20, since the MPU 13 uses 24-bit data, the MPU 13 uses one of the four areas 313, 323, 333 and 343 shown in FIG. One of each of the three regions is selected. In this case, when the address signal AD13 is at address 0, for example, first, three areas 313A, 323A, and 333A are selected, and when the address signal AD13 is incremented, the areas 343A, 313B, and 323B are selected.
Thereafter, as the address signal AD13 is incremented, the area 333B, 343B, 313C, and the area 3
Three regions are sequentially selected like 23C, 333C, and 343C.
【0031】また、図1に示すセンスアンプ30は、デ
ータの読み出し時において、選択されたメモリセルのデ
ータを増幅し、データ出力マルチプレクサ26に出力す
る。データ出力マルチプレクサ26は、データの読み出
し時において、MPU13から出力される選択信号SL
(SL1〜SL3)に対応する演算処理部(論理回路1
1,12及びMPU13)を選択し、センスアンプ30
の出力データをその選択した演算処理部に対して出力デ
ータDo11〜Do13として出力する。Also, the sense amplifier 30 shown in FIG. 1 amplifies the data of the selected memory cell and outputs it to the data output multiplexer 26 when reading the data. The data output multiplexer 26 controls the selection signal SL output from the MPU 13 when reading data.
Arithmetic processing unit (logic circuit 1) corresponding to (SL1 to SL3)
1, 12 and the MPU 13) and select the sense amplifier 30
Are output as output data Do11 to Do13 to the selected processing unit.
【0032】データ入力マルチプレクサ25は、データ
の書き込み時において、MPU13から出力される選択
信号SL(SL1〜SL3)に対応する演算処理部(論
理回路11,12及びMPU13)を選択し、その選択
した演算処理部に対応する書込データDi11〜Di1
3を取り込む。The data input multiplexer 25 selects an arithmetic processing unit (logic circuits 11, 12 and MPU 13) corresponding to the selection signals SL (SL1 to SL3) output from the MPU 13 at the time of writing data, and selects the selected processing unit. Write data Di11 to Di1 corresponding to the arithmetic processing unit
Import 3
【0033】次に、上記のように構成されたシステム1
0における記憶装置20へのアクセス動作について説明
する。まず、記憶装置20への電源投入後に、記憶回路
21に対して演算処理部(論理回路11,12及びMP
U13)がアクセスする記憶領域のビット幅の情報及び
ワード深さの情報がMPU13によって書き込まれる。
その結果、記憶回路21から各演算処理部(論理回路1
1,12及びMPU13)がメモリセルアレイ27をア
クセスする領域に対応するビット幅を示す信号BW及び
ワード深さ(容量)を示す信号WDがアドレスマッピン
グ回路24に出力される。Next, the system 1 configured as described above
The operation of accessing the storage device 20 at 0 will be described. First, after the power supply to the storage device 20 is turned on, the arithmetic processing unit (the logic circuits 11 and 12 and the MP
The bit width information and the word depth information of the storage area accessed by U13) are written by MPU13.
As a result, from the storage circuit 21, each operation processing unit (logic circuit 1)
A signal BW indicating a bit width and a signal WD indicating a word depth (capacity) corresponding to a region where the MPU 13 accesses the memory cell array 27 are output to the address mapping circuit 24.
【0034】次に、例えば、論理回路11が記憶装置2
0に対してアクセス信号を出力すると、MPU13から
論理回路11に対応する選択信号SL1がアドレスマル
チプレクサ22、アドレスマッピング回路24、データ
入力マルチプレクサ25及びデータ出力マルチプレクサ
26に出力される。Next, for example, the logic circuit 11
When an access signal is output for 0, the selection signal SL1 corresponding to the logic circuit 11 is output from the MPU 13 to the address multiplexer 22, the address mapping circuit 24, the data input multiplexer 25, and the data output multiplexer 26.
【0035】アドレスマルチプレクサ22は選択信号S
L1に基づいて論理回路11から出力されるアドレス信
号AD11を選択して取り込み、このアドレス信号AD
11はアドレス入力バッファ23に保持されてアドレス
マッピング回路24に出力される。The address multiplexer 22 outputs a selection signal S
The address signal AD11 output from the logic circuit 11 is selected and taken in based on L1.
11 is held in the address input buffer 23 and output to the address mapping circuit 24.
【0036】アドレスマッピング回路24は選択信号S
L1に基づいて、アドレス信号AD11を、記憶回路2
1から出力される信号BW及び信号WDに対応する内部
アドレス信号に変換する。この場合にはアドレス信号A
D11はそのまま内部アドレス信号に変換される。The address mapping circuit 24 outputs a selection signal S
Based on L1, the address signal AD11 is stored in the storage circuit 2
1 is converted into an internal address signal corresponding to the signal BW and the signal WD output from the signal 1. In this case, the address signal A
D11 is directly converted to an internal address signal.
【0037】Xデコーダ28及びYデコーダ29はアド
レスマッピング回路24から出力される内部アドレス信
号(アドレス信号AD11)をデコードしてブロック3
1〜34の所定のメモリセルを選択する。この場合、内
部アドレス信号に基づいて領域311,321,33
1,341における1つの領域のメモリセルが選択され
る。アドレス信号AD11がインクリメントされるのに
伴って、領域311A、321A、331A、341
A、321B、331B・・・の順に選択される。The X decoder 28 and the Y decoder 29 decode the internal address signal (address signal AD11) output from the address mapping circuit 24 and block 3
1 to 34 predetermined memory cells are selected. In this case, the regions 311, 321, 33 are based on the internal address signal.
1, the memory cells in one area are selected. As the address signal AD11 is incremented, the areas 311A, 321A, 331A, 341
A, 321B, 331B...
【0038】データの読み出し時には、選択されたメモ
リセルのデータがセンスアンプ30によって増幅され
る。そして、データ出力マルチプレクサ26は、選択信
号SL1に対応する論理回路11を選択し、センスアン
プ30の出力データは出力データDo11として論理回
路11に出力される。At the time of reading data, the data of the selected memory cell is amplified by the sense amplifier 30. Then, the data output multiplexer 26 selects the logic circuit 11 corresponding to the selection signal SL1, and the output data of the sense amplifier 30 is output to the logic circuit 11 as the output data Do11.
【0039】また、データの書き込み時には、データ入
力マルチプレクサ25は選択信号SL1に基づいて論理
回路11の書込データDi11を選択して記憶装置20
内に取り込む。取り込まれた書込データDi11はXデ
コーダ28及びYデコーダ29によって選択された領域
のメモリセルに書き込まれる。When writing data, the data input multiplexer 25 selects the write data Di11 of the logic circuit 11 based on the selection signal SL1 and selects the write data Di11 for the storage device 20.
Take in. The fetched write data Di11 is written to a memory cell in an area selected by the X decoder 28 and the Y decoder 29.
【0040】また、論理回路12が記憶装置20に対し
てアクセス信号を出力すると、MPU13からは論理回
路12に対応する選択信号SL2がアドレスマルチプレ
クサ22、アドレスマッピング回路24、データ入力マ
ルチプレクサ25及びデータ出力マルチプレクサ26に
出力される。When the logic circuit 12 outputs an access signal to the storage device 20, the MPU 13 outputs a selection signal SL2 corresponding to the logic circuit 12 to the address multiplexer 22, the address mapping circuit 24, the data input multiplexer 25, and the data output multiplexer 25. Output to the multiplexer 26.
【0041】アドレスマルチプレクサ22は選択信号S
L2に基づいて論理回路12から出力されるアドレス信
号AD12を選択して取り込み、このアドレス信号AD
12はアドレス入力バッファ23に保持されてアドレス
マッピング回路24に出力される。The address multiplexer 22 outputs a selection signal S
Based on L2, an address signal AD12 output from the logic circuit 12 is selected and taken in.
12 is held in the address input buffer 23 and output to the address mapping circuit 24.
【0042】アドレスマッピング回路24は選択信号S
L2に基づいて、アドレス信号AD12を、記憶回路2
1から出力される信号BW及び信号WDに対応する内部
アドレス信号に変換する。この場合には、記憶装置20
の内部では、外部アドレス(アドレス信号AD12)に
対して論理回路11が使用する領域311,321,3
31,341のビット幅とワード深さとで一意的に決ま
るアドレスを加算することにより内部アドレスに変換さ
れる。従って、アドレス信号AD12の0番地に対応す
る内部アドレスは♯aaaaとなる。The address mapping circuit 24 selects the selection signal S
Based on L2, the address signal AD12 is stored in the storage circuit 2
1 is converted into an internal address signal corresponding to the signal BW and the signal WD output from the signal 1. In this case, the storage device 20
, Regions 311, 321, 3 used by the logic circuit 11 for an external address (address signal AD12)
By adding addresses uniquely determined by the bit widths and word depths of the bits 31 and 341, the addresses are converted to internal addresses. Therefore, the internal address corresponding to the address 0 of the address signal AD12 is $ aaa.
【0043】Xデコーダ28及びYデコーダ29はアド
レスマッピング回路24から出力される内部アドレス信
号をデコードしてブロック31〜34の所定のメモリセ
ルを選択する。この場合、論理回路12は16ビット幅
のデータを用いるため、内部アドレスに基づいて4つの
領域313,323,333,343のうち、2つの領
域におけるそれぞれ1つの領域が選択される。そして、
アドレス信号AD12が0番地の場合には、まず、2つ
の領域312A,322Aのメモリセルが選択される。
アドレス信号AD12がインクリメントされるのに伴っ
て、領域332A,342A、領域312B,322
B、領域332B,342Bのように順次2つの領域の
メモリセルが選択される。The X decoder 28 and the Y decoder 29 decode internal address signals output from the address mapping circuit 24 and select predetermined memory cells of the blocks 31 to 34. In this case, since the logic circuit 12 uses data having a width of 16 bits, one of the four areas 313, 323, 333, and 343 is selected based on the internal address. And
When the address signal AD12 is at address 0, first, the memory cells in the two areas 312A and 322A are selected.
As the address signal AD12 is incremented, the areas 332A and 342A and the areas 312B and 322
B, memory cells in two regions are sequentially selected as in regions 332B and 342B.
【0044】データの読み出し時には、選択されたメモ
リセルのデータがセンスアンプ30によって増幅され
る。そして、データ出力マルチプレクサ26は、選択信
号SL2に対応する論理回路12を選択し、センスアン
プ30の出力データは出力データDo12として論理回
路12に出力される。At the time of reading data, the data of the selected memory cell is amplified by the sense amplifier 30. Then, the data output multiplexer 26 selects the logic circuit 12 corresponding to the selection signal SL2, and the output data of the sense amplifier 30 is output to the logic circuit 12 as the output data Do12.
【0045】また、データの書き込み時には、データ入
力マルチプレクサ25は選択信号SL2に基づいて論理
回路12の書込データDi12を選択して記憶装置20
内に取り込む。取り込まれた書込データDi12はXデ
コーダ28及びYデコーダ29によって選択された領域
のメモリセルに書き込まれる。At the time of data writing, the data input multiplexer 25 selects the write data Di12 of the logic circuit 12 based on the selection signal SL2, and
Take in. The fetched write data Di12 is written to the memory cells in the area selected by the X decoder 28 and the Y decoder 29.
【0046】さらに、MPU13が記憶装置20に対し
てアクセス信号を出力すると、MPU13からはMPU
13に対応する選択信号SL3がアドレスマルチプレク
サ22、アドレスマッピング回路24、データ入力マル
チプレクサ25及びデータ出力マルチプレクサ26に出
力される。Further, when the MPU 13 outputs an access signal to the storage device 20, the MPU 13
The selection signal SL3 corresponding to 13 is output to the address multiplexer 22, the address mapping circuit 24, the data input multiplexer 25, and the data output multiplexer 26.
【0047】アドレスマルチプレクサ22は選択信号S
L3に基づいてMPU13から出力されるアドレス信号
AD13を選択して取り込み、このアドレス信号AD1
3はアドレス入力バッファ23に保持されてアドレスマ
ッピング回路24に出力される。The address multiplexer 22 outputs a selection signal S
Based on L3, an address signal AD13 output from the MPU 13 is selected and taken in.
3 is held in the address input buffer 23 and output to the address mapping circuit 24.
【0048】アドレスマッピング回路24は選択信号S
L3に基づいて、アドレス信号AD13を、記憶回路2
1から入力される信号BW及び信号WDに対応する内部
アドレス信号に変換する。この場合には、記憶装置20
の内部では、外部アドレス(アドレス信号AD13)に
対して論理回路11が使用する領域311,321,3
31,341のビット幅とワード深さとで一意的に決ま
るアドレスと、論理回路12が使用する領域312,3
22,332,342のビット幅とワード深さとで一意
的に決まるアドレスとを加算することにより内部アドレ
スに変換される。従って、アドレス信号AD13の0番
地に対応する内部アドレスは♯bbbbとなる。The address mapping circuit 24 selects the selection signal S
Based on L3, the address signal AD13 is stored in the storage circuit 2
1 is converted to an internal address signal corresponding to the signal BW and the signal WD input from the input terminal 1. In this case, the storage device 20
, Regions 311, 321, 3 used by the logic circuit 11 for an external address (address signal AD13)
Addresses uniquely determined by the bit widths and word depths of the bits 31 and 341 and the areas 312 and 3 used by the logic circuit 12
The address is converted into an internal address by adding an address uniquely determined by the bit width of 22, 332, 342 and the word depth. Therefore, the internal address corresponding to address 0 of the address signal AD13 is $ bbbb.
【0049】Xデコーダ28及びYデコーダ29はアド
レスマッピング回路24から出力される内部アドレス信
号をデコードしてブロック31〜34の所定のメモリセ
ルを選択する。この場合、MPU13は24ビット幅の
データを用いるため、内部アドレスに基づいて4つの領
域313,323,333,343のうち、3つの領域
におけるそれぞれ1つの領域が選択される。そして、ア
ドレス信号AD13が0番地の場合には、まず、3つの
領域313A,323A,333Aのメモリセルが選択
される。アドレス信号AD13がインクリメントされる
のに伴って、領域343A,313B,323B、領域
333B,343B,313C、領域323C,333
C,343Cのように順次3つの領域のメモリセルが選
択される。The X decoder 28 and the Y decoder 29 decode internal address signals output from the address mapping circuit 24 and select predetermined memory cells of the blocks 31 to 34. In this case, since the MPU 13 uses data of a 24-bit width, one of each of the three areas 313, 323, 333, and 343 is selected based on the internal address. When the address signal AD13 is at address 0, first, the memory cells in the three areas 313A, 323A, and 333A are selected. As the address signal AD13 is incremented, the areas 343A, 313B, 323B, the areas 333B, 343B, 313C, and the areas 323C, 333
Memory cells in three regions are sequentially selected as in C and 343C.
【0050】データの読み出し時には、選択されたメモ
リセルのデータがセンスアンプ30によって増幅され
る。そして、データ出力マルチプレクサ26は、選択信
号SL3に対応するMPU13を選択し、センスアンプ
30の出力データは出力データDo13としてMPU1
3に出力される。At the time of reading data, the data of the selected memory cell is amplified by the sense amplifier 30. Then, the data output multiplexer 26 selects the MPU 13 corresponding to the selection signal SL3, and outputs the output data of the sense amplifier 30 as the output data Do13.
3 is output.
【0051】また、データの書き込み時には、データ入
力マルチプレクサ25は選択信号SL3に基づいてMP
U13の書込データDi13を選択して記憶装置20内
に取り込む。取り込まれた書込データDi13はXデコ
ーダ28及びYデコーダ29によって選択された領域の
メモリセルに書き込まれる。At the time of writing data, the data input multiplexer 25 outputs the MP signal based on the selection signal SL3.
The write data Di13 of U13 is selected and taken into the storage device 20. The fetched write data Di13 is written to a memory cell in an area selected by the X decoder 28 and the Y decoder 29.
【0052】以上詳述したように、本実施形態の記憶装
置によれば、以下に示す効果が得られるようになる。 ・メモリセルアレイ27を4つのブロック31〜34に
分割し、各ブロック31〜34に対してメモリセルアレ
イ27をアクセスする論理回路11,12及びMPU1
3のビット幅及びワード深さ(容量)に対応してそれぞ
れ3つの領域311〜313,321〜323,331
〜333,341〜343を設定した。そして、論理回
路11,12及びMPU13のアドレス信号AD11,
AD12,AD13を論理回路11,12及びMPU1
3がアクセスする領域のビット幅及びワード深さ(容
量)に基づいて内部アドレス信号に変換するアドレスマ
ッピング回路24を設けるとともに、論理回路11,1
2及びMPU13が用いるビット幅のデータを選択的に
入力するデータ入力マルチプレクサ25と、同じく選択
的に出力するデータ出力マルチプレクサ26を設けた。
そのため、1つの記憶装置20にて複数のビット幅・容
量を同時に実現することができ、よって同記憶装置20
を用いたシステム10の大型化を抑えて低コスト化を図
ることができるとともに、開発期間の短縮化を図ること
ができる。As described in detail above, according to the storage device of the present embodiment, the following effects can be obtained. -The memory cell array 27 is divided into four blocks 31 to 34, and the logic circuits 11, 12 and the MPU 1 that access the memory cell array 27 with respect to each of the blocks 31 to 34.
3 areas 311 to 313, 321 to 323, and 331 corresponding to a bit width and a word depth (capacity) of 3 respectively.
333, 341-343 were set. Then, the address signals AD11,
AD12 and AD13 are connected to logic circuits 11 and 12 and MPU1.
3 is provided with an address mapping circuit 24 for converting to an internal address signal based on the bit width and word depth (capacity) of the area to be accessed, and the logic circuits 11, 1
2 and a data input multiplexer 25 for selectively inputting bit width data used by the MPU 13 and a data output multiplexer 26 for selectively outputting data.
Therefore, a plurality of bit widths and capacities can be simultaneously realized in one storage device 20.
It is possible to reduce the cost by suppressing the size of the system 10 using, and to shorten the development period.
【0053】(第2実施形態)次に、本発明の第2実施
形態を図5に従って説明する。なお、重複説明を避ける
ため、図1において説明したものと同じ要素について
は、同じ参照番号が付されている。(Second Embodiment) Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In order to avoid redundant description, the same elements as those described in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals.
【0054】本実施形態の記憶装置40も第1実施形態
におけるシステム10(図4)に使用されるものであ
る。この記憶装置40においては、アドレス入力バッフ
ァ23を前段に設け、アドレスマルチプレクサ22を後
段に設けている点において、記憶装置20の構成と異な
っている。アドレス入力バッファ23は前記論理回路1
1,12及びMPU13から入力されるアドレス信号A
D11,AD12,AD13を保持し、これらのアドレ
ス信号AD11〜AD13をアドレスマルチプレクサ2
2に出力する。アドレスマルチプレクサ22は記憶装置
40をアクセスする演算処理部に対応してMPU13か
ら出力される選択信号SL(SL1〜SL3)に基づい
て、その演算処理部に対応するアドレス信号AD(AD
11〜AD13)を選択する。The storage device 40 of the present embodiment is also used for the system 10 (FIG. 4) of the first embodiment. The storage device 40 is different from the configuration of the storage device 20 in that an address input buffer 23 is provided in a preceding stage and an address multiplexer 22 is provided in a following stage. The address input buffer 23 is provided in the logic circuit 1
1, 12 and the address signal A input from the MPU 13
D11, AD12, and AD13, and these address signals AD11 to AD13 are transferred to the address multiplexer 2
Output to 2. The address multiplexer 22 responds to an arithmetic processing unit accessing the storage device 40 based on a selection signal SL (SL1 to SL3) output from the MPU 13 to generate an address signal AD (AD) corresponding to the arithmetic processing unit.
11 to AD13).
【0055】このように構成された本実施形態の記憶装
置40によっても、第1実施形態の記憶装置20と同様
の効果を得ることができる。 (第3実施形態)次に、本発明の第3実施形態を図6に
従って説明する。なお、重複説明を避けるため、図1に
おいて説明したものと同じ要素については、同じ参照番
号が付されている。With the storage device 40 of the present embodiment configured as described above, the same effects as those of the storage device 20 of the first embodiment can be obtained. (Third Embodiment) Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In order to avoid redundant description, the same elements as those described in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals.
【0056】本実施形態の記憶装置42も第1実施形態
におけるシステム10(図4)に使用されるものであ
る。この記憶装置42は第1実施形態の記憶装置20に
おける記憶回路21を省略し、記憶装置42の外部から
演算処理部(論理回路11,12及びMPU13)がア
クセスする記憶領域のビット幅情報の信号WD及びワー
ド深さ情報の信号BWをアドレスマッピング回路24に
直接入力するようにしている。The storage device 42 of the present embodiment is also used for the system 10 (FIG. 4) of the first embodiment. The storage device 42 omits the storage circuit 21 in the storage device 20 of the first embodiment, and outputs a signal of bit width information of a storage area accessed by an arithmetic processing unit (logic circuits 11, 12 and the MPU 13) from outside the storage device 42. The WD and the word depth information signal BW are directly input to the address mapping circuit 24.
【0057】このように構成された本実施形態の記憶装
置42によっても、第1実施形態の記憶装置20と同様
の効果を得ることができる。また、記憶装置42は記憶
回路21を省略した分だけ、小型化が可能になる。With the storage device 42 of the present embodiment configured as described above, the same effects as those of the storage device 20 of the first embodiment can be obtained. In addition, the storage device 42 can be reduced in size by omitting the storage circuit 21.
【0058】(第4実施形態)次に、本発明の第4実施
形態を図7に従って説明する。なお、重複説明を避ける
ため、図1において説明したものと同じ要素について
は、同じ参照番号が付されている。(Fourth Embodiment) Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In order to avoid redundant description, the same elements as those described in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals.
【0059】本実施形態の記憶装置44も第1実施形態
におけるシステム10(図4)に使用されるものであ
る。この記憶装置44は第1実施形態の記憶装置20に
おけるアドレスマルチプレクサ22を省略し、記憶装置
44の外部において演算処理部(論理回路11,12及
びMPU13)のアドレス信号AD11〜AD13のい
ずれか1つを選択し、そのアドレス信号ADをアドレス
入力バッファ23に直接入力するようにしている。The storage device 44 of this embodiment is also used for the system 10 (FIG. 4) of the first embodiment. In the storage device 44, the address multiplexer 22 in the storage device 20 of the first embodiment is omitted, and any one of the address signals AD11 to AD13 of the arithmetic processing units (the logic circuits 11, 12 and the MPU 13) is provided outside the storage device 44. And the address signal AD is directly input to the address input buffer 23.
【0060】このように構成された本実施形態の記憶装
置44によっても、第1実施形態の記憶装置20と同様
の効果を得ることができる。また、記憶装置44はアド
レスマルチプレクサ22を省略した分だけ、小型化が可
能になる。With the storage device 44 of the present embodiment configured as described above, the same effects as those of the storage device 20 of the first embodiment can be obtained. Further, the storage device 44 can be downsized by the amount of omitting the address multiplexer 22.
【0061】(第5実施形態)次に、本発明の第5実施
形態を図8に従って説明する。なお、重複説明を避ける
ため、図1において説明したものと同じ要素について
は、同じ参照番号が付されている。(Fifth Embodiment) Next, a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In order to avoid redundant description, the same elements as those described in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals.
【0062】本実施形態の記憶装置46も第1実施形態
におけるシステム10(図4)に使用されるものであ
る。この記憶装置46は第1実施形態の記憶装置20に
おけるデータ入力マルチプレクサ25及びデータ出力マ
ルチプレクサ26を省略し、その機能を外部の回路に持
たせるようにしている。The storage device 46 of this embodiment is also used for the system 10 (FIG. 4) of the first embodiment. In the storage device 46, the data input multiplexer 25 and the data output multiplexer 26 in the storage device 20 of the first embodiment are omitted, and an external circuit has the function.
【0063】このように構成された本実施形態の記憶装
置46によっても、第1実施形態の記憶装置20と同様
の効果を得ることができる。また、記憶装置46はデー
タ入力マルチプレクサ25及びデータ出力マルチプレク
サ26を省略した分だけ、小型化が可能になる。With the storage device 46 of the present embodiment configured as described above, the same effects as those of the storage device 20 of the first embodiment can be obtained. In addition, the storage device 46 can be reduced in size by omitting the data input multiplexer 25 and the data output multiplexer 26.
【0064】(第6実施形態)次に、本発明の第6実施
形態を図9,図10に従って説明する。なお、重複説明
を避けるため、図1において説明したものと同じ要素に
ついては、同じ参照番号が付されている。(Sixth Embodiment) Next, a sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In order to avoid redundant description, the same elements as those described in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals.
【0065】本実施形態の記憶装置48はシステムを構
成する1つの演算処理部に対して1つ設けられる。図9
に示すように、記憶装置48はDRAMよりなり、レジ
スタとその書き込み回路とを有する記憶回路49、アド
レス入力バッファ23、アドレスマッピング手段として
のアドレスマッピング回路50、データ入力手段として
のデータ入力バッファ51、データ出力手段としてのデ
ータ出力バッファ52、記憶手段としてのメモリセルア
レイ53、Xデコーダ28、Yデコーダ29及びセンス
アンプ30を備えている。One storage device 48 according to the present embodiment is provided for one arithmetic processing unit constituting the system. FIG.
As shown in the figure, the storage device 48 is composed of a DRAM, a storage circuit 49 having a register and its write circuit, an address input buffer 23, an address mapping circuit 50 as address mapping means, a data input buffer 51 as data input means, It comprises a data output buffer 52 as data output means, a memory cell array 53 as storage means, an X decoder 28, a Y decoder 29 and a sense amplifier 30.
【0066】図10に示すように、メモリセルアレイ5
3は複数(本実施形態では4つ)のブロック54〜57
に分割されている。これらのブロック54〜57は所定
ビット幅(本形態では8ビット幅)のデータを入出力可
能な複数の領域を備える。As shown in FIG. 10, the memory cell array 5
3 is a plurality (four in this embodiment) of blocks 54 to 57
Is divided into Each of these blocks 54 to 57 has a plurality of areas that can input and output data having a predetermined bit width (8 bit width in this embodiment).
【0067】記憶回路49には、記憶装置48の電源投
入後に、この記憶装置48をアクセスする演算処理部の
用いるデータのビット幅の情報が、図示しないMPU等
から一定のプロトコルにて書き込まれる。そして、記憶
回路49はビット幅を示す信号BWをアドレスマッピン
グ回路50に出力する。After the power of the storage device 48 is turned on, information on the bit width of the data used by the arithmetic processing unit accessing the storage device 48 is written into the storage circuit 49 from an MPU or the like (not shown) by a predetermined protocol. Then, the storage circuit 49 outputs a signal BW indicating the bit width to the address mapping circuit 50.
【0068】アドレス入力バッファ23は同記憶装置4
8をアクセスする演算処理部から入力されたアドレス信
号ADを保持し、アドレスマッピング回路50に出力す
る。アドレスマッピング回路50は、アドレス入力バッ
ファ23から入力したアドレス信号ADを、記憶回路4
9から入力される信号BWに基づいて内部アドレス信号
にマッピングする。The address input buffer 23 is provided in the storage device 4
8 holds the address signal AD input from the arithmetic processing unit for accessing the address 8 and outputs the address signal AD to the address mapping circuit 50. The address mapping circuit 50 converts the address signal AD input from the address input buffer 23 into the storage circuit 4
9 is mapped to an internal address signal based on the signal BW input from.
【0069】Xデコーダ28及びYデコーダ29はアド
レスマッピング回路50から出力される内部アドレス信
号をデコードし、メモリセルアレイ53の所定のメモリ
セルを選択する。従って、ビット幅信号BWが8ビット
幅の信号である場合には、内部アドレスに基づいてブロ
ック54,55,56,57における1つの領域のみが
選択される。この場合、アドレス信号AD(内部アドレ
ス)がインクリメントされるのに伴って、ブロック5
4,55,56,57の先頭の領域から順に選択され
る。また、ビット幅信号BWが16ビット幅の信号であ
る場合には、内部アドレスに基づいてブロック54及び
55におけるそれぞれ1つの領域またはブロック56及
び57におけるそれぞれ1つの領域が選択される。この
場合、アドレス信号AD(内部アドレス)がインクリメ
ントされるのに伴って、ブロック54,55と、ブロッ
ク56,57との先頭の領域から順に選択される。ま
た、ビット幅信号BWが24ビット幅の信号である場合
には、内部アドレスに基づいて4つのブロック54,5
5,56,57のうち、3つのブロックにおけるそれぞ
れ1つの領域が選択される。この場合、アドレス信号A
D(内部アドレス)が0番地の場合には、まず、3つの
領域54A,55A,56Aが選択され、アドレス信号
ADがインクリメントされると、領域57A,54B,
55Bが選択される。以後、アドレス信号ADがインク
リメントされるのに伴って、領域56B,57B,54
C、領域55C,56C,57Cのように順次3つの領
域が選択される。さらに、ビット幅信号BWが32ビッ
ト幅の信号である場合には、内部アドレスに基づいて4
つのブロック54,55,56,57におけるそれぞれ
1つの領域が順次選択される。X decoder 28 and Y decoder 29 decode the internal address signal output from address mapping circuit 50 and select a predetermined memory cell of memory cell array 53. Therefore, when the bit width signal BW is an 8-bit width signal, only one area in the blocks 54, 55, 56, 57 is selected based on the internal address. In this case, as the address signal AD (internal address) is incremented, the block 5
4, 55, 56, and 57 are selected in order from the first area. When the bit width signal BW is a 16-bit width signal, one area in each of the blocks 54 and 55 or one area in each of the blocks 56 and 57 is selected based on the internal address. In this case, as the address signal AD (internal address) is incremented, blocks are selected in order from the first area of the blocks 54 and 55 and the blocks 56 and 57. If the bit width signal BW is a 24-bit width signal, the four blocks 54, 5
One region in each of the three blocks is selected from 5, 56, and 57. In this case, the address signal A
When D (internal address) is address 0, first, three areas 54A, 55A, 56A are selected, and when the address signal AD is incremented, the areas 57A, 54B,
55B is selected. Thereafter, as the address signal AD is incremented, the areas 56B, 57B, 54
Three regions are sequentially selected, such as C, regions 55C, 56C, and 57C. Further, when the bit width signal BW is a signal having a 32-bit width, 4 bits are output based on the internal address.
One area in each of the blocks 54, 55, 56, and 57 is sequentially selected.
【0070】センスアンプ30は、データの読み出し時
において、選択されたメモリセルのデータを増幅し、デ
ータ出力マルチプレクサ26に出力する。データ出力バ
ッファ52は、データの読み出し時において、センスア
ンプ30の出力データを出力データDoとして出力す
る。At the time of data reading, sense amplifier 30 amplifies the data of the selected memory cell and outputs it to data output multiplexer 26. The data output buffer 52 outputs the output data of the sense amplifier 30 as the output data Do when reading the data.
【0071】データ入力バッファ51は、データの書き
込み時において、外部(演算処理部)から入力される書
込データDiを取り込む。次に、上記のように構成され
た記憶装置48へのアクセス動作について説明する。The data input buffer 51 takes in write data Di input from the outside (arithmetic processing unit) when writing data. Next, an access operation to the storage device 48 configured as described above will be described.
【0072】まず、記憶装置48への電源投入後に、記
憶回路49に対して演算処理部が用いるデータのビット
幅の情報がMPU等によって書き込まれる。その結果、
記憶回路49からビット幅を示す信号BWがアドレスマ
ッピング回路50に出力される。First, after the power to the storage device 48 is turned on, information on the bit width of the data used by the arithmetic processing unit is written into the storage circuit 49 by the MPU or the like. as a result,
A signal BW indicating a bit width is output from storage circuit 49 to address mapping circuit 50.
【0073】次に、演算処理部からのアドレス信号AD
が入力されると、アドレス信号ADはアドレス入力バッ
ファ23に保持されてアドレスマッピング回路50に出
力される。Next, the address signal AD from the arithmetic processing unit
Is input, the address signal AD is held in the address input buffer 23 and output to the address mapping circuit 50.
【0074】アドレスマッピング回路50は信号BWに
基づいてアドレス信号ADを内部アドレス信号にマッピ
ングする。アドレス信号ADはそのまま上記態様にて内
部アドレス信号にマッピングされる。Address mapping circuit 50 maps address signal AD to an internal address signal based on signal BW. The address signal AD is directly mapped to the internal address signal in the above-described manner.
【0075】Xデコーダ28及びYデコーダ29はアド
レスマッピング回路50から出力される内部アドレス信
号(アドレス信号AD)をデコードしてブロック54〜
57の所定のメモリセルを選択する。The X decoder 28 and the Y decoder 29 decode the internal address signal (address signal AD) output from the address mapping circuit 50, and
57 predetermined memory cells are selected.
【0076】データの読み出し時には、選択されたメモ
リセルのデータがセンスアンプ30によって増幅され
る。そして、センスアンプ30の出力データはデータ出
力バッファ52を介して出力データDoとして出力され
る。At the time of reading data, the data of the selected memory cell is amplified by the sense amplifier 30. The output data of the sense amplifier 30 is output as output data Do via the data output buffer 52.
【0077】また、データの書き込み時には、外部から
入力される書込データDiがデータ入力バッファ51に
よって取り込まれ、取り込まれた書込データDiはXデ
コーダ28及びYデコーダ29によって選択された領域
のメモリセルに書き込まれる。At the time of data writing, externally input write data Di is fetched by the data input buffer 51, and the fetched write data Di is stored in the memory of the area selected by the X decoder 28 and the Y decoder 29. Written to the cell.
【0078】このように構成された本実施形態の記憶装
置によれば、以下に示す効果が得られるようになる。 ・メモリセルアレイ53を単に4つのブロック54〜5
7を備えるものとし、記憶装置48をアクセスする演算
処理部が用いるデータのビット幅の情報に基づいてその
アドレス信号を内部アドレス信号にマッピングするアド
レスマッピング回路50を設けた。そのため、この記憶
装置48によれば、データのビット幅を設定するのみ
で、必要なビット幅の記憶装置を実現することができ、
開発期間の短縮化及び低コスト化を実現することができ
る。尚、実施の形態は上記に限定されるものではなく、
次のように変更してもよい。According to the storage device of this embodiment configured as described above, the following effects can be obtained. The memory cell array 53 is simply divided into four blocks 54 to 5
7, and an address mapping circuit 50 for mapping an address signal to an internal address signal based on information on a bit width of data used by an arithmetic processing unit that accesses the storage device 48. Therefore, according to the storage device 48, a storage device having a required bit width can be realized only by setting the bit width of data.
The development period can be shortened and the cost can be reduced. The embodiment is not limited to the above,
It may be changed as follows.
【0079】・第5実施形態に準じて、データ入力マル
チプレクサ25及びデータ出力マルチプレクサ26の一
方のみを省略した構成の記憶装置とすること。 ・第4及び第5実施形態に準じて、アドレスマルチプレ
クサ22、データ入力マルチプレクサ25及びデータ出
力マルチプレクサ26のすべてを省略した構成の記憶装
置とすること。According to the fifth embodiment, a storage device having a configuration in which only one of the data input multiplexer 25 and the data output multiplexer 26 is omitted. According to the fourth and fifth embodiments, a storage device having a configuration in which all of the address multiplexer 22, the data input multiplexer 25, and the data output multiplexer 26 are omitted.
【0080】・第6実施形態において、記憶回路49を
省略した記憶装置とすること。 ・上記第1〜第6実施形態においては、1つの記憶装置
をアクセスする演算処理部が3つの場合について説明し
たが、記憶装置をアクセスする演算処理部の数は2以上
の任意の数に設定してもよい。この場合にも、第1〜第
5実施形態と同様の効果を得ることができる。In the sixth embodiment, the storage device is such that the storage circuit 49 is omitted. In the first to sixth embodiments, the case where three arithmetic processing units access one storage device has been described, but the number of arithmetic processing units accessing the storage device is set to an arbitrary number of 2 or more. May be. In this case, the same effects as those of the first to fifth embodiments can be obtained.
【0081】・上記第1〜第5実施形態においては、メ
モリセルアレイ27あるいは53を8ビット幅のデータ
を入出力可能な複数のブロック31〜34あるいは54
〜57に分割したが、ブロックのビット幅をこれ以外の
任意の数(例えば4ビット)に変更してもよい。また、
ブロック数も任意である。これらの場合にも、第1〜第
6実施形態と同様の効果を得ることができる。In the first to fifth embodiments, the memory cell array 27 or 53 is provided with a plurality of blocks 31 to 34 or 54 capable of inputting and outputting 8-bit data.
However, the bit width of the block may be changed to any other number (for example, 4 bits). Also,
The number of blocks is also arbitrary. In these cases, the same effects as in the first to sixth embodiments can be obtained.
【0082】・上記各実施形態においては、記憶装置を
DRAMにより構成したが、これに限定されるものでは
なく、SRAM,ROM等により構成してもよい。本発
明に係る記憶装置はすべてのRAM並びにROMに対し
て適用することができる。In the above embodiments, the storage device is constituted by a DRAM. However, the present invention is not limited to this, and may be constituted by an SRAM, a ROM, or the like. The storage device according to the present invention can be applied to all RAMs and ROMs.
【0083】[0083]
【発明の効果】以上詳述したように、請求項1〜13の
いずれか1項に記載の発明によれば、異なるビット幅に
よる共通アクセスを可能として、開発期間の短縮化及び
低コスト化を実現することができる。As described above in detail, according to any one of the first to thirteenth aspects of the present invention, common access with different bit widths is enabled, thereby shortening the development period and reducing the cost. Can be realized.
【0084】請求項4又は9に記載の発明によれば、複
数種のアドレス信号のアドレス情報を選択的に取り込む
ことができる。請求項5に記載の発明によれば、複数種
のアドレス信号に対応した入力データを選択的に取り込
むことができる。According to the fourth or ninth aspect of the present invention, it is possible to selectively take in address information of a plurality of types of address signals. According to the invention described in claim 5, input data corresponding to a plurality of types of address signals can be selectively captured.
【0085】請求項6に記載の発明によれば、複数種の
アドレス信号に対応したデータを選択的に出力すること
ができる。請求項7又は8に記載の発明によれば、最小
ビット幅の整数倍のビット幅によるアクセスが可能にな
る。According to the present invention, data corresponding to a plurality of types of address signals can be selectively output. According to the seventh or eighth aspect of the present invention, access with a bit width that is an integral multiple of the minimum bit width becomes possible.
【0086】請求項10に記載の発明によれば、複数種
のアドレス信号に対応した入力データを選択的に取り込
むことができるとともに、複数種のアドレス信号に対応
したデータを選択的に出力することができる。According to the tenth aspect, input data corresponding to a plurality of types of address signals can be selectively taken in, and data corresponding to a plurality of types of address signals can be selectively output. Can be.
【0087】請求項11〜13のいずれか1項に記載の
発明によれば、複数種のアドレス信号のアドレス情報を
選択的に取り込み、複数種のアドレス信号に対応した入
力データを選択的に取り込むことができるとともに、複
数種のアドレス信号に対応したデータを選択的に出力す
ることができる。According to the invention as set forth in any one of claims 11 to 13, address information of a plurality of types of address signals is selectively captured, and input data corresponding to a plurality of types of address signals is selectively captured. And data corresponding to a plurality of types of address signals can be selectively output.
【図1】第1実施形態の記憶装置を示すブロック図FIG. 1 is a block diagram showing a storage device according to a first embodiment;
【図2】同じくメモリセルアレイを示すブロック図FIG. 2 is a block diagram showing a memory cell array.
【図3】同じく記憶装置のアドレス空間を示す説明図FIG. 3 is an explanatory diagram showing an address space of the storage device.
【図4】第1実施形態の記憶装置を使用したシステムを
示す概略図FIG. 4 is a schematic diagram showing a system using the storage device of the first embodiment;
【図5】第2実施形態の記憶装置を示すブロック図FIG. 5 is a block diagram illustrating a storage device according to a second embodiment;
【図6】第3実施形態の記憶装置を示すブロック図FIG. 6 is a block diagram illustrating a storage device according to a third embodiment;
【図7】第4実施形態の記憶装置を示すブロック図FIG. 7 is a block diagram showing a storage device according to a fourth embodiment;
【図8】第5実施形態の記憶装置を示すブロック図FIG. 8 is a block diagram illustrating a storage device according to a fifth embodiment.
【図9】第6実施形態の記憶装置を示すブロック図FIG. 9 is a block diagram showing a storage device according to a sixth embodiment;
【図10】同じくメモリセルアレイを示すブロック図FIG. 10 is a block diagram showing a memory cell array.
【図11】従来のシステムを示すブロック図FIG. 11 is a block diagram showing a conventional system.
21,49…記憶回路 22…アドレス切り換え手段としてのアドレスマルチプ
レクサ 23…アドレス入力手段としてのアドレス入力バッファ 24,50…アドレスマッピング手段としてのアドレス
マッピング回路 25…入力データ切り換え手段としてのデータ入力マル
チプレクサ 26…出力データ切り換え手段としてのデータ出力マル
チプレクサ 27,53…記憶手段としてのメモリセルアレイ 28…Xデコーダ 29…Yデコーダ 31〜34,54〜57…ブロック 51…データ入力手段としてのデータ入力バッファ 52…データ出力手段としてのデータ出力バッファ 311〜313,321〜323,331〜333,3
41〜343…記憶領域21, 49 ... Storage circuit 22 ... Address multiplexer as address switching means 23 ... Address input buffer 24, 50 ... Address mapping circuit as address mapping means 25 ... Data input multiplexer as input data switching means 26 ... Data output multiplexer 27, 53 as output data switching means Memory cell array 28 as storage means 28 X decoder 29 Y decoder 31-34, 54-57 Block 51 Data input buffer 52 as data input means 52 Data output Data output buffers 311-313, 321-323, 331-333, 3 as means
41 to 343: storage area
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 酒井 健 大阪府守口市京阪本通2丁目5番5号 三 洋電機株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Ken Sakai 2-5-5 Keihanhondori, Moriguchi-shi, Osaka Sanyo Electric Co., Ltd.
Claims (13)
アドレスを該記憶手段の内部アドレスにマッピングする
アドレスマッピング手段と、 を備える記憶装置。1. A storage device comprising: a storage unit having a predetermined storage capacity; and an address mapping unit that maps an address specified by the bit width information of an access signal to an internal address of the storage unit.
てその指定されるアドレスを該記憶手段の内部アドレス
にマッピングするアドレスマッピング手段と、 を備える記憶装置。2. A storage unit having a predetermined storage capacity, and an address mapping unit for mapping an address designated by the bit width information and the used capacity information of an access signal to an internal address of the storage unit. Storage device.
報に基づいて予めその記憶領域が分割され、 前記アドレスマッピング手段は、前記指定されるアドレ
スを記憶手段の該分割された記憶領域に応じてその内部
アドレスにアドレス変換する記憶装置。3. The storage device according to claim 2, wherein the storage unit divides the storage area in advance based on each used capacity information of a plurality of types of access signals, and wherein the address mapping unit specifies the designated address. Storage device for converting an address to an internal address according to the divided storage area of the storage means.
て、 前記複数種のアクセス信号の各アドレス情報を選択的に
取り込むアドレス切り換え手段を更に備える記憶装置。4. The storage device according to claim 2, further comprising address switching means for selectively taking in each address information of said plurality of types of access signals.
憶装置において、 前記複数種のアクセス信号に対応した入力データを選択
的に取り込む入力データ切り換え手段を更に備える記憶
装置。5. The storage device according to claim 2, further comprising input data switching means for selectively taking in input data corresponding to the plurality of types of access signals.
憶装置において、 前記複数種のアクセス信号に対応した出力データを選択
的に出力する出力データ切り換え手段を更に備える記憶
装置。6. The storage device according to claim 2, further comprising output data switching means for selectively outputting output data corresponding to the plurality of types of access signals.
憶装置において、 前記記憶手段は、前記アクセス信号の最小ビット幅に対
応した複数のメモリセルブロックと、それら複数のメモ
リセルブロックの各単位セルを前記マッピングされる内
部アドレスに基づき各別にアクセスするX−Yデコーダ
とを備えて構成される記憶装置。7. The storage device according to claim 1, wherein the storage unit includes a plurality of memory cell blocks corresponding to a minimum bit width of the access signal, and the plurality of memory cell blocks. And an XY decoder for individually accessing each unit cell based on the mapped internal address.
幅情報を前記アドレスマッピング手段に出力する記憶回
路と、 前記アクセス信号のアドレス情報を保持して前記アドレ
スマッピング手段に出力するアドレス入力手段と、 前記アクセス信号に対応した入力データを取り込むデー
タ入力手段と、 前記アクセス信号に対応したデータを出力するデータ出
力手段と、 を備える記憶装置。8. The storage device according to claim 1, wherein a storage circuit stores bit width information of the access signal, and outputs the bit width information to the address mapping means, and holds address information of the access signal. A storage device comprising: an address input unit that outputs the data to the address mapping unit; a data input unit that receives input data corresponding to the access signal; and a data output unit that outputs data corresponding to the access signal.
憶し、そのビット幅情報及び使用容量情報を前記アドレ
スマッピング手段に出力する記憶回路と、 前記アドレス切り換え手段によって取り込まれたアドレ
ス情報を保持して前記アドレスマッピング手段に出力す
るアドレス入力手段と、 を備える記憶装置。9. The storage device according to claim 4, wherein the storage circuit stores bit width information and used capacity information of the access signal, and outputs the bit width information and used capacity information to the address mapping means. An address input unit that holds the address information captured by the address switching unit and outputs the address information to the address mapping unit.
いて、 前記アクセス信号のビット幅情報及び使用容量情報を記
憶し、そのビット幅情報及び使用容量情報を前記アドレ
スマッピング手段に出力する記憶回路と、 前記アクセス信号のアドレス情報を保持して前記アドレ
スマッピング手段に出力するアドレス入力手段と、 複数種のアクセス信号に対応した入力データを選択的に
取り込む入力データ切り換え手段と、 複数種のアクセス信号に対応した出力データを選択的に
出力する出力データ切り換え手段と、 を備える記憶装置。10. The storage device according to claim 2, wherein the bit width information and the used capacity information of the access signal are stored, and the bit width information and the used capacity information are output to the address mapping unit. Address input means for holding address information of the access signal and outputting the address information to the address mapping means; input data switching means for selectively taking in input data corresponding to a plurality of types of access signals; And output data switching means for selectively outputting output data corresponding to.
ス情報を保持して前記アドレスマッピング手段に出力す
るアドレス入力手段と、 複数種のアクセス信号に対応した入力データを選択的に
取り込む入力データ切り換え手段と、 複数種のアクセス信号に対応した出力データを選択的に
出力する出力データ切り換え手段と、 を備える記憶装置。11. The storage device according to claim 4, wherein address input means for holding the address information fetched by said address switching means and outputting it to said address mapping means, and input corresponding to a plurality of types of access signals. A storage device comprising: input data switching means for selectively capturing data; and output data switching means for selectively outputting output data corresponding to a plurality of types of access signals.
て、 前記アクセス信号のビット幅情報及び使用容量情報を記
憶し、そのビット幅情報及び使用容量情報を前記アドレ
スマッピング手段に出力する記憶回路をさらに備える記
憶装置。12. The storage device according to claim 11, further comprising a storage circuit that stores bit width information and used capacity information of the access signal, and outputs the bit width information and used capacity information to the address mapping unit. Storage device.
いて、 前記アクセス信号のビット幅情報及び使用容量情報を記
憶し、そのビット幅情報及び使用容量情報を前記アドレ
スマッピング手段に出力する記憶回路と、 前記複数種のアクセス信号の各アドレス情報を保持する
アドレス入力手段と、 前記アドレス入力手段に保持された複数種のアクセス信
号の各アドレス情報を選択的に取り込んで前記アドレス
マッピング手段に出力するアドレス切り換え手段と、 複数種のアクセス信号に対応した入力データを選択的に
取り込む入力データ切り換え手段と、 複数種のアクセス信号に対応した出力データを選択的に
出力する出力データ切り換え手段と、 を備える記憶装置。13. The storage device according to claim 2, wherein bit width information and used capacity information of the access signal are stored, and the bit width information and used capacity information are output to the address mapping unit. Address input means for holding respective address information of the plurality of access signals; and selectively acquiring each address information of the plurality of access signals held in the address input means and outputting the address information to the address mapping means. Address switching means, input data switching means for selectively taking in input data corresponding to a plurality of types of access signals, and output data switching means for selectively outputting output data corresponding to a plurality of types of access signals Storage device.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32157697A JPH11154391A (en) | 1997-11-21 | 1997-11-21 | Storage device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32157697A JPH11154391A (en) | 1997-11-21 | 1997-11-21 | Storage device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11154391A true JPH11154391A (en) | 1999-06-08 |
Family
ID=18134112
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32157697A Pending JPH11154391A (en) | 1997-11-21 | 1997-11-21 | Storage device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11154391A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100371145B1 (en) * | 2000-12-29 | 2003-02-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | Data input/output device of embedded memory device |
JP2007219871A (en) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Megachips Lsi Solutions Inc | Data processing apparatus |
KR100864473B1 (en) | 2006-12-22 | 2008-10-20 | 후지쯔 마이크로일렉트로닉스 가부시키가이샤 | Memory device, memory controller and memory system |
-
1997
- 1997-11-21 JP JP32157697A patent/JPH11154391A/en active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100371145B1 (en) * | 2000-12-29 | 2003-02-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | Data input/output device of embedded memory device |
JP2007219871A (en) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Megachips Lsi Solutions Inc | Data processing apparatus |
KR100864473B1 (en) | 2006-12-22 | 2008-10-20 | 후지쯔 마이크로일렉트로닉스 가부시키가이샤 | Memory device, memory controller and memory system |
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