JPH11153419A - 結晶粒径測定方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 スパングル及びその他の結晶粒との濃淡差が
小さい場合においても、正確な結晶粒径の測定が可能な
結晶粒径測定方法及び装置を提供する。 【解決手段】 光源２から被測定面１１へ照射される光
を被測定面１１内に存在するスパングルのみにて反射さ
せ、その反射方向に撮像器３を設けて撮像し、撮像結果
からスパングルの粒径を画像処理装置４を用いて算出す
ることでスパングルの粒径を測定する構成とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、画像処理により金
属表面の結晶粒径を測定する結晶粒径測定方法及び装置
に関し、特にメッキ表面に析出するスパングルの粒径を
測定する方法及びその装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、自動車の外装材及び内装材，家
庭用電化製品の外装材，並びに建築用材として広く用い
られている表面処理鋼板は、冷延薄鋼板の表面に防錆性
及び耐食性の強化を目的として、亜鉛，鉄，アルミニウ
ム，及び錫を主成分とした合金でメッキ処理し、さらに
防錆性を高めるために、無色又は極淡黄色のクロメート
等のコーティング材で表面を被覆することにより製造さ
れ、特に自動車及び家庭用電化製品に用いられる表面処
理鋼板は、塗料との親和性の高いコーティング材を用い
て表面コーティングされた後で塗装処理される。

【０００３】最近では、メッキ処理技術の進歩により、
耐食性が著しく優れた表面処理鋼板の製造が可能とな
り、特に家庭用電化製品の外装材及び建築用材において
は、塗装を要しないＡｌ−Ｚｎ合金メッキを用いた表面
処理鋼板が既に製品化されている。

【０００４】このような塗装を要しない表面処理鋼板に
おいては、メッキ剤塗布後の冷却過程で鋼板表面にスパ
ングルと呼ばれる結晶粒が不可避的に析出するため、メ
ッキ処理された鋼板表面が無色又は極淡黄色のコーティ
ング膜を通した外観上の品質が損なわれるという問題が
あり、この結晶粒の粒径を均一にして外観上の品質低下
を抑制する試みがなされている。なお、ここでいう粒径
とは、結晶粒の面積に相当する大きさの円の直径の平均
値である。

【０００５】一方、結晶粒径のフィードバック制御及び
検査の観点から、製造ライン上で結晶粒径の自動測定を
実現する試みがなされており、特開平５−４５１３８号
公報には、被測定面をカメラ等の撮像器を用いて撮像し
た後で２値化し、２値化画像情報における直交２方向の
投影データから所定幅の累積値を演算し、各方向の累積
値をさらに所定の閾値に応じて２値化し、この２値化情
報における０から１に変化する点の個数と被測定面の大
きさとに基づいて結晶粒径を演算する結晶粒径測定装置
が開示されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上述の如き
結晶粒径測定装置においては、スパングル及びその他の
結晶粒との濃淡差が小さい場合、撮像画像データを２値
化したときに粒界が不鮮明となり、正確な結晶粒径の測
定ができないという問題があった。

【０００７】本願発明者は、メッキ表面においてスパン
グル等の測定対象とする結晶粒を含む全ての種類の結晶
粒が、固有の光学的指向性を有する樹枝状結晶であるこ
とに着目し、光源から上述の如きメッキ表面に光を照射
したとき、スパングルからの反射光のみを撮像器に取込
むことにより、撮像の段階にて撮像領域の背景を略黒色
とし、かつ、スパングルのみを略白色として抽出するこ
とができることを知り得たものである。

【０００８】本発明は斯かる知見に鑑みてなされたもの
であり、光源から前記被測定面へ照射される光を、スパ
ングルの如き測定対象とする結晶粒の表面にて反射さ
せ、その反射方向に撮像器を設けて撮像することによ
り、スパングル及びその他の結晶粒との濃淡差が小さい
場合においても、正確なスパングルの結晶粒径の測定が
できる結晶粒径測定方法及び装置を提供することを目的
とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】第１発明に係る結晶粒径
測定方法は、撮像器を用いて被測定物の表面を撮像し、
撮像結果から被測定面に析出する所定種類の結晶粒の粒
径を画像処理手段を用いて算出することで前記結晶粒の
粒径を測定する結晶粒径測定方法において、光源から前
記被測定面へ照射される光を前記所定種類の結晶粒の表
面にて反射させ、その反射方向に前記撮像器を設けて撮
像することを特徴とする。

【００１０】第２発明に係る結晶粒径測定方法は、第１
発明の結晶粒径測定方法において、前記光源の光量を前
記撮像器の感度に応じて調整することを特徴とする。

【００１１】第３発明に係る結晶粒径測定装置は、撮像
器を用いて被測定物の表面を撮像し、撮像結果から被測
定面に析出する所定種類の結晶粒の粒径を算出すること
で前記結晶粒の粒径を測定する結晶粒径測定装置におい
て、前記撮像結果を量子化する量子化手段と、該量子化
手段の量子化結果を所定の輝度閾値に基づいて２値化す
ることによって前記所定種類の結晶粒を識別する２値化
／識別手段と、該２値化／識別手段に識別された前記所
定種類の結晶粒の画素を計数する計数手段と、該計数手
段の計数結果に応じた面積を演算する面積演算手段と、
該面積演算手段の演算結果に対応する円の直径を演算す
る直径演算手段と、該直径演算手段の演算結果に基づい
て前記粒径を演算する粒径演算手段とを備えることを特
徴とする。

【００１２】第４発明に係る結晶粒径測定装置は、第３
発明の結晶粒径測定装置において、前記被測定面へ光を
照射する光照射手段を更に備えることを特徴とする。

【００１３】第５発明に係る結晶粒径測定装置は、第４
発明の結晶粒径測定装置において、前記光照射手段の光
量を増減する光量増減手段と、該光量増減手段が前記光
量を増減する都度演算される前記粒径と所定値との偏差
を演算する手段と、該手段の演算結果が最小となる前記
光量を選択する光量選択手段とを更に備えることを特徴
とする。

【００１４】第６発明に係る結晶粒径測定装置は、第４
又は第５発明の結晶粒径測定装置において、前記光照射
手段の前記被測定面への照射角度を変更する角度変更手
段と、該角度変更手段が前記照射角度を変更する都度演
算される前記粒径と所定値との偏差を演算する手段と、
該手段の演算結果が最小となる前記照射角度を選択する
角度選択手段とを更に備えることを特徴とする。

【００１５】第７発明に係る結晶粒径測定装置は、第４
乃至第６発明の何れかの結晶粒径測定装置において、前
記輝度閾値を変更する閾値変更手段と、該閾値変更手段
が前記輝度閾値を変更する都度演算される前記粒径と所
定値との偏差を演算する手段と、該手段の演算結果が最
小となる前記輝度閾値を選択する閾値選択手段とを更に
備えることを特徴とする。

【００１６】第８発明に係る結晶粒径測定装置は、撮像
器を用いて被測定物の表面を撮像し、撮像結果から被測
定面に析出する所定種類の結晶粒の粒径を画像処理手段
を用いて算出することで前記結晶粒の粒径を測定する結
晶粒径測定装置において、前記被測定面への照射角度の
変更自在に設けられた光源と、前記被測定面に対する光
軸角度の変更自在に設けられた撮像器と、前記光源の光
量を前記撮像器の感度に応じて調整する手段とを備える
ことを特徴とする。

【００１７】第１，第８発明に係る結晶粒径測定方法及
び装置によれば、被測定面への光源の照射角度に対する
スパングル等の所定種類の結晶粒での反射方向に撮像器
が配置されるように光源の照射角度又はこの照射角度に
対する撮像器の光軸角度を設定し、スパングルのみの反
射光を撮像器に取込ませる構成としたので、スパングル
及びその他の結晶粒の濃淡差の大きい撮像画像を得るこ
とができ、この撮像画像から正確な結晶粒径の演算結果
を安定的に得ることができる。

【００１８】第２発明に係る結晶粒径測定方法によれ
ば、第１発明の結晶粒径測定方法において、上述の如き
光源の光量を調整可能とすることにより、撮像されるス
パングル及びその他の結晶粒の濃淡差を撮像器の撮像感
度に合わせることができ、これにより更に正確な結晶粒
径の演算結果を安定的に得ることができる。

【００１９】第３発明に係る結晶粒径測定装置によれ
ば、撮像器を用いて撮像した被測定面の画像情報を量子
化し、量子化結果を所定の輝度閾値に基づいて２値化す
ることによってスパングルをその他の結晶粒から識別
し、識別されたスパングルの画素を計数し、計数結果に
応じた面積を演算し、演算結果に対応する円の直径を演
算して、演算結果に基づいてスパングルの結晶粒径を演
算する構成としたので、撮像画像から正確な結晶粒径の
演算結果を安定的に得ることができる。

【００２０】第４発明に係る結晶粒径測定装置によれ
ば、第３発明の結晶粒径測定装置において、被測定面へ
光を照射する光照射手段を設ける構成としたので、撮像
されるスパングル及びその他の結晶粒の濃淡差を更に明
確にすることができる。

【００２１】第５発明に係る結晶粒径測定装置によれ
ば、第４発明の結晶粒径測定装置において、光照射手段
の光量を増減する都度、前記結晶の粒径を第３発明の如
く演算するとともに、演算結果と所定値との偏差を演算
し、これらの演算を光量の増減に応じて繰り返し、演算
した粒径の中から偏差が最小となる光量を選択する構成
としたので、撮像されるスパングル及びその他の結晶粒
の濃淡差を明確にする最適な光量の選択が可能となる。

【００２２】第６発明に係る結晶粒径測定装置によれ
ば、第４，第５発明の結晶粒径測定装置において、光照
射手段の被測定面への照射角度を変更する都度、前記結
晶の粒径を第３発明の如く演算するとともに、演算結果
と所定値との偏差を演算し、これらの演算を照射角度の
変更に応じて繰り返し、演算した粒径の中から偏差が最
小となる照射角度を選択する構成としたので、撮像され
るスパングル及びその他の結晶粒の濃淡差を明確にする
最適な照射角度の選択が可能となる。

【００２３】第７発明に係る結晶粒径測定装置によれ
ば、第４〜第６発明の結晶粒径測定装置において、２値
化に用いる輝度閾値を変更する都度、前記結晶の粒径を
第３発明の如く演算するとともに、演算結果と所定値と
の偏差を演算し、これらの演算を輝度閾値の変更に応じ
て繰り返し、演算した粒径の中から偏差が最小となる輝
度閾値を選択する構成としたので、撮像されるスパング
ル及びその他の結晶粒の濃淡差を明確にする最適な輝度
閾値の選択が可能となる。

【００２４】

【発明の実施の形態】実施の形態１．以下本発明をその
実施の形態を示す図面に基づいて詳述する。図１は、実
施の形態１に係る結晶粒径測定装置の構成を示すブロッ
ク図である。

【００２５】図１において、１は、例えば表面コーティ
ング処理後のＡｌ−Ｚｎメッキ処理鋼板を用いてなる被
測定物であり、被測定物１の被測定面１１側には、被測
定面１１への照射角度θ及び光量の調整可能な光源２が
設けられ、また、同側には、カメラ，ＣＣＤ等の撮像器
３が被測定面１１に対向して設けられている。撮像器３
による撮像画像データは、画像処理装置４に与えられ、
画像処理装置４により被測定面１１における結晶粒径が
演算されるようになっている。なお、光源２には被測定
面１１に均一な光量を照射すべく線光源又は面光源を用
いるのが望ましい。

【００２６】画像処理装置４は、Ａ／Ｄ変換器，フレー
ムメモリ等を具備した撮像器３のインターフェースとし
ての画像入力部４１と、画像入力部４１から与えられた
画像データを２値化する２値化処理部４２と、ノイズ除
去，穴埋め等の前処理を行なう前処理部４３と、前処理
後の２値化データに基づいて結晶粒径を演算する結晶粒
径演算部４４とを備えてなる。なお、結晶粒径演算部４
４にて演算された結晶粒径は、図示しない表示装置に表
示させることができるほか、結晶粒径を制御する制御装
置へのフィードバック値としても利用することができ
る。

【００２７】図２，図３は、被測定面１１の撮像画像の
一例を示す模式図であり、特に図２は、上述の如き構成
の結晶粒径測定装置における光源２を用いず、自然光を
被測定面１１に照射した状態での撮像結果を示し、図３
は、本発明に係る結晶粒径測定装置による撮像結果を夫
々示している。

【００２８】図２において、最も濃い黒色の部分（クロ
スハッチング部分）がスパングルｓ，ｓ，…であり、図
２に示す如く自然光による撮像画像では、スパングル
ｓ，ｓ，…及びその他の結晶粒（ハッチング部分）との
濃淡差が少なく、この状態の撮像画像を画像処理装置４
に与えても前述の如く正確な結晶粒径を測定することは
困難であるが、本発明に係る結晶粒径測定装置では、後
述する所定の照射角度θ及び所定の光量に設定された光
源２を設けることにより、図３に示す如く被測定面１１
を撮像する段階にてスパングルｓ，ｓ，…（クロスハッ
チング部分）及びその他の結晶粒（白色部分）との濃淡
差を大きくすることができるようになっている。

【００２９】図４は、Ａｌ−Ｚｎメッキ鋼板を被測定物
１としたときの照射角度θと、その際の撮像画像から得
られる結晶粒径の測定誤差との関係を示すグラフであ
り、横軸に照射角度θ（°）、縦軸に結晶粒径測定誤差
（ｍｍ）を夫々配置している。また、図５は、Ａｌ−Ｚ
ｎメッキ鋼板を被測定物１としたときの、光源２による
被測定面１１の照度ｗと、その際の撮像画像から得られ
る結晶粒径の測定誤差との関係を示すグラフであり、横
軸に照度ｗ（ｋＬｕｘ）、縦軸に結晶粒径測定誤差（ｍ
ｍ）を夫々配置している。

【００３０】これらのグラフは、まず、照射角度θ又は
照度ｗの何れか一方の値を粒径が測定可能な範囲内で適
当な値に固定した状態で、他方の値を調整し、撮像画像
を表示装置で観察しながら視覚的にスパングルとその他
の結晶粒が図３に示す如く明瞭に区別できる状態となる
値で前記他方の値を固定し、前記一方の値を変化させつ
つ測定したものである。

【００３１】図４，図５に夫々示す如く、照射角度θが
１３°＜θ＜２３°、照度ｗが１３ｋＬｕｘ＜ｗ＜２５
ｋＬｕｘのときに結晶粒径測定誤差が夫々±約０．１ｍ
ｍとなり、実用に十分耐えうる測定精度を有しているこ
とがわかる。従って、Ａｌ−Ｚｎメッキ鋼板に限らず、
同様の結晶構造を有する被測定物１に対して、上述の如
き照射角度θ及び照度ｗの関係を実験的に測定してお
き、この範囲の照射角度θ及び照度となるように光源２
の光軸角度を設定しておくことにより、撮像器３にて得
られる撮像画像における特定の結晶粒とそれ以外の結晶
粒との濃淡差を大きくして、各結晶粒が有する本来の配
光性の相違を強調して特定の結晶粒のみを抽出すること
ができる。

【００３２】図６は、画像処理装置４における粒径演算
の処理手順を示すフローチャートである。まず、撮像器
３から画像入力部４１に与えられた図３の如き撮像画像
データを量子化し（ステップ１）、２値化処理部４２に
て図７に示す如く２値化する（ステップ２）。

【００３３】図７は、図３に示した撮像画像を画像処理
装置４にて２値化した結果を示す模式図である。上述の
如き範囲に光源２から被測定面１１に照射される光の照
射角度θと、この照射光による被測定面１１での照度ｗ
を予め設定した状態においては、図７に示す如く、被測
定面１１の撮像画像データからスパングルｓ，ｓ，…の
みを白色で抽出することができる。

【００３４】次いで、２値化画像データにノイズ除去及
び穴埋め等の前処理を行なった（ステップ３）後、図７
に示す如きスパングルに相当する白色の部分を構成する
画素数を演算し（ステップ４）、この画素数に基づいて
面積を演算し（ステップ５）、この面積に相当する円の
直径を演算する（ステップ６）。ステップ４〜ステップ
６を全てのスパングルについて行ったか否かを確認し
（ステップ７）、全てのスパングルについて行った場合
には、ステップ６にて演算された直径の平均値を演算し
（ステップ８）、これをスパングルの結晶粒径とする。
なお、ステップ７にて全てのスパングルについて行って
いない場合には、ステップ４〜ステップ７を繰り返す。

【００３５】図８は、本発明に係る結晶粒径測定装置の
測定精度を示すグラフであり、横軸にはＪＩＳ Ｇ ０
５５１に準拠した方法にて測定された平均粒径測定値
（ｍｍ）を配置し、縦軸には横軸に対応する本発明に係
る結晶粒径測定装置により測定された平均粒径測定値
（ｍｍ）を夫々配置してある。

【００３６】図８に示す如く、横軸及び縦軸の平均粒径
測定値の関係は略直線上に収束しており、本発明に係る
結晶粒径測定装置は、特定の結晶粒とそれ以外の結晶粒
との濃淡差が小さい場合でも特定の結晶粒のみを抽出し
て高精度に結晶粒径を測定できることがわかる。

【００３７】以上の実施の形態において、光源２の被測
定面１１への照射角度θを変更できる構成としたが、こ
れに限らず、光源２を所定の照射角度θで固定してお
き、これに応じて撮像器３の被測定面１１に対する光軸
角度を変更する構成とすることもできるのはいうまでも
ない。

【００３８】さらに、表面コーティング処理後にてスパ
ングル等の特定の結晶粒の粒径を測定する構成とした
が、表面コーティング処理前に測定を行なう構成とする
こともできるのはいうまでもなく、また、測定対象をス
パングルに限るものではない。

【００３９】実施の形態２．図９は、実施の形態２に係
る結晶粒径測定装置の構成を示すブロック図である。図
９において、被測定物１の被測定面１１側には、光源制
御装置５によって、被測定面１１への照射角度θ及び光
量の調整可能な光源２が設けられ、また、同側には、Ｃ
ＣＤを用いてなる撮像器３が被測定面１１に対向して設
けられている。撮像器３による撮像画像データは、画像
処理装置４に与えられ、画像処理装置４により被測定面
１１における結晶粒径が演算されるようになっている。

【００４０】光源２は、図示しない支持フレームに照射
角度θを０°〜９０°の範囲で変更可能なように支持さ
れている。光源２には、スポット，ライン，面，リング
等のあらゆる形態を有するものが使用可能であるが、被
測定面１１に均一な光量で照射し、撮像器３による撮像
視野内でのシェーディングの影響を最小限とするため
に、ライン光源又は面光源を用いるのが望ましい。ま
た、光源２には、ハロゲン，メタルハライド，キセノン
等の白色光源を用いることができるが、寿命が比較的に
長く、約１００Ｗ以上の大きいものを用いることが望ま
しい。なお、被測定面１１における照度については、光
源２と被測定面１１との距離，撮像視野の大きさ等によ
って変動することは言うまでもない。さらに、被測定面
１１が移動するような場合には、瞬時発光が可能なスト
ロボ型のものを用いることにより、撮像ぶれを抑制する
ことができる。

【００４１】光源２の照射角度θ及び光量を調整制御す
る光源制御装置５は、外部に設けられたテンキー等の入
力手段からの照射角度θ，光量の各指示値と、画像処理
装置４に予め入力された２値化閾値（輝度閾値）と、被
測定物１の標準サンプルにおいて予め求めたスパングル
の結晶粒径（結晶粒径真値）との入力により、最適な照
射角度θ，光量，２値化閾値を演算して光源２を調整制
御するほか、この演算に際して、演算した２値化閾値を
画像処理装置２へ与えるようにしてあるとともに、画像
処理装置２へトリガ信号を与える。なお、前述の如く、
ストロボ型の光源２を用いている場合には、照射角度
θ，光量のほかに、発光周期，パルス幅等が制御できる
構成とするのが望ましい。この光源制御装置５によって
制御される光源２の照射角度（入射角度）θは鋭角であ
るほうが、例えば被測定面１１に析出したスパングルの
結晶粒径を測定する場合に、このスパングルの光学的特
性によってスパングルでの反射光を増加させて強調する
ことができるが、これは光源２の光量，画像処理装置４
における２値化の閾値等によって定常的な効果ではな
い。

【００４２】被測定面１１を撮像する撮像器３は、フル
フレームメモリ（１画面分）を備えた一般的なＣＣＤで
あり、被測定面１１から十分に離隔して設けてあるが、
微小なスパングルの結晶粒径測定に応じて、ズーム倍率
（ズーム比）が手動又は自動により調整可能なズームレ
ンズを備えたものが望ましい。また、光源２からの光が
被測定面１１で正反射する光軸上（図９における破線
ａ）又はその近傍にある場合には、撮像される画像にハ
レーションが生じ、また撮像される被測定面１１のスパ
ングルに見掛けの変形が生じるので、撮像器３は被測定
面１１に垂直な光軸上（図９における破線ｂ）に設けら
れている。

【００４３】画像処理装置４は、図示しないＡ／Ｄ変換
器等を具備し、光源２の制御パラメータ，画像処理装置
４の測定パラメータ等の後述するパラメータの最適化に
先立って、光源制御装置５から与えられるトリガ信号に
応じて、撮像器３から与えられる被測定面１１の撮像画
像データをＡ／Ｄ変換し、光源制御装置５から与えられ
た２値化閾値に基づいて２値化し、前処理（ノイズ除
去，穴埋め等）し、前処理結果に基づいて結晶粒径を演
算することができる機能を有しており、演算結果（結晶
粒径測定値）を光源制御装置５へフィードバックする。
なお、上述の各パラメータの設定後における安定的な結
晶粒径の連続演算を行なうような場合には、光源制御装
置５からのトリガ信号なしに、内部タイマによって所定
周期で結晶粒径の演算処理を行なう。

【００４４】図１０，図１１は、光源制御装置５におけ
る照射角度θ，光量，２値化閾値の決定処理を示すフロ
ーチャートである。まず、入力された各値を照射角度
θ，２値化閾値を仮設定（固定）し（ステップ１，
２）、光量を予め設定された初期値に調整（変更）し
（ステップ３）、この状態におけるスパングルの結晶粒
径を演算させるべく、画像処理装置４へトリガ信号を出
力する（ステップ４）。次いで、画像処理装置４からフ
ィードバックされた結晶粒径測定値を、対応する光量と
ともに図示しない内部メモリに記憶し、全ての光量での
結晶粒径の測定が完了したか否かを確認する（ステップ
５）。全ての光量での結晶粒径の測定が完了していない
場合には、予め設定されたインクリメントで光量を変更
してステップ３〜ステップ５を繰り返す。

【００４５】ステップ５で、全ての光量での結晶粒径の
測定が完了している場合には、内部メモリに記憶した各
結晶粒径測定値と入力された結晶粒径真値との誤差を夫
々演算し（ステップ６）、これらの中から最小の誤差に
対応する光量を選択する（ステップ７）。

【００４６】今度は、ステップ７で選択された光量を固
定し、照射角度θを予め設定された初期値に調整し（ス
テップ８）、この状態におけるスパングルの結晶粒径を
演算させるべく、画像処理装置４へトリガ信号を出力す
る（ステップ９）。次いで、画像処理装置４からフィー
ドバックされた結晶粒径測定値を、対応する照射角度θ
とともに内部メモリに記憶し、全ての照射角度θでの結
晶粒径の測定が完了したか否かを確認する（ステップ１
０）。全ての照射角度θでの結晶粒径の測定が完了して
いない場合には、予め設定されたインクリメントで照射
角度θを変更してステップ８〜ステップ１０を繰り返
す。

【００４７】そして、ステップ１０で、全ての照射角度
θでの結晶粒径の測定が完了している場合には、内部メ
モリに記憶した各結晶粒径測定値と入力された結晶粒径
真値との誤差を夫々演算し（ステップ１１）、これらの
中から最小の誤差に対応する照射角度θを選択する（ス
テップ１２）。

【００４８】次に、ステップ１２で選択された照射角度
θを固定し、ステップ１２における最小誤差が予め設定
された閾値を越えているか否かを確認する（ステップ１
３）。

【００４９】ステップ１２における最小誤差が前記閾値
を越えていない場合には、２値化閾値を予め設定された
初期値に調整し（ステップ１４）、この状態におけるス
パングルの結晶粒径を演算させるべく、まず２値化閾値
を画像処理装置４へ出力し（ステップ１５）、続いて画
像処理装置４へトリガ信号を出力する（ステップ１
６）。次いで、画像処理装置４からフィードバックされ
た結晶粒径測定値を、対応する２値化閾値とともに内部
メモリに記憶し、全ての２値化閾値での結晶粒径の測定
が完了したか否かを確認する（ステップ１７）。全ての
２値化閾値での結晶粒径の測定が完了していない場合に
は、予め設定されたインクリメントで２値化閾値を変更
してステップ１４〜ステップ１７を繰り返す。

【００５０】次に、ステップ１７で、全ての２値化閾値
での結晶粒径の測定が完了している場合には、内部メモ
リに記憶した各結晶粒径測定値と入力された結晶粒径真
値との誤差を夫々演算し（ステップ１８）、これらの中
から最小の誤差に対応する２値化閾値を選択する（ステ
ップ１９）。また、ステップ１３で、最小誤差が前記閾
値を越える場合には、又はステップ１９の後で、終了と
なる。

【００５１】なお、以上の決定処理において、照射角度
θをまず固定として光量を変化させ、次に光量を固定と
して照射角度θを変化させる構成としたが、これとは逆
に光量をまず固定として照射角度θを変化させ、次に照
射角度θを固定として光量を変化させる構成とすること
もできる。

【００５２】以上の如き構成とすることにより、得られ
た最適な照射角度θ，光量，２値化閾値に基づいて、安
定的な測定を行なうことができ、実施の形態１と対応す
る部分には同一の参照符号を付して説明を省略する。

【００５３】図１２は、Ｚｎ−５５％Ａｌメッキ鋼板を
被測定物１とした場合の、図１０，図１１のステップ３
〜ステップ６において変化させた光量に対応する被測定
面１１の照度ｗと、その際に撮像画像から得られる結晶
粒径測定誤差との関係を示すグラフであり、横軸に照度
ｗ（ｋＬｕｘ）、縦軸に結晶粒径測定誤差（ｍｍ）を夫
々配置してある。また、図１３は、Ｚｎ−５５％Ａｌメ
ッキ鋼板を被測定物１とした場合の、図１０，図１１の
ステップ８〜ステップ１１において変化させた照射角度
θと、その際に撮像画像から得られる結晶粒径測定誤差
との関係を示すグラフであり、横軸に照射角度θ
（°）、縦軸に結晶粒径測定誤差（ｍｍ）を夫々配置し
ている。

【００５４】図１２，図１３に夫々示す如く、例えば設
定する結晶粒径測定誤差を±０．１ｍｍ以内とした場
合、照度ｗが１２ｋＬｕｘ〜２５ｋＬｕｘ、照射角度θ
が１３°〜２３°の範囲で最適な値が得られることにな
る。なお、この際の画像処理装置４における２値化閾値
は８０であった。

【００５５】図１４は、結晶粒径真値と画像処理装置４
において得られた結晶粒径測定値との関係をグラフであ
り、横軸には結晶粒径真値（ｍｍ）を配置し、縦軸には
横軸に対応する結晶粒径測定値（ｍｍ）を夫々配置して
ある。

【００５６】図１４に示す如く、結晶粒径測定値の結晶
粒径真値に対する誤差は±０．１ｍｍ程度であり、十分
な実用性を有していることがわかる。

【００５７】なお、結晶粒径真値の求め方については、
図１５を参照して説明する。図１５は、結晶粒径真値の
求め方を説明するための説明図であり、撮像器３によっ
て撮像されたスパングルｓ，ｓ，…の一部を示してい
る。図１５において、被測定面１１上で任意の長さ及び
方向の線分Ａ−Ａを設定し、この線分Ａ−Ａが横切るス
パングルｓ，ｓ，…の個数を目視で計数する。そして、
線分Ａ−Ａの長さを上述のスパングルｓ，ｓ，…の個数
で除すことによって結晶粒径真値を求めることができ
る。

【００５８】実施の形態３．図１６は、実施の形態３に
係る結晶粒径測定装置の構成を示すブロック図である。
図１６において、この結晶粒径測定装置は、Ａｌ−Ｚｎ
メッキ処理後に次工程へ搬送される鋼板（被測定物）１
の表面（被測定面）１１に析出するスパングルの結晶粒
径を測定すべく設けられている。

【００５９】帯状に成形された鋼板１は、２つのローラ
ｒ，ｒにより搬送されており、これらローラｒ，ｒの中
途における鋼板１へ光を照射する照明プローブ２１が照
射角度（入射角度）θを０°〜９０°の範囲で変更可能
なように図示しない支持フレームに支持されており、照
明プローブ２１は、光ファイバ２２を介して光源２に接
続されている。

【００６０】照明プローブ２１には、スポット，ライ
ン，面，リング等のあらゆる形態を有するものが使用可
能であるが、実施の形態１と同様の理由により、ライン
光源又は面光源の如き形態とするのが望ましい。さら
に、本実施の形態においては、鋼板１の搬送に伴って被
測定面１１が移動するために、瞬時発光が可能なストロ
ボ型のものを用いて撮像ぶれを抑制してある。発光周期
は、予め設定した周期で固定することもできるが、本実
施の形態においては、光源２に接続されたカメラ制御部
５３によって、鋼板１の搬送速度の変動に応じて調整さ
れるようになっている。

【００６１】カメラ（撮像器）３は、撮像周期を調整す
る画像フリーザ３１に接続されており、画像フリーザ３
１は、鋼板１の搬送速度と光源２の発光周期とに応じて
撮像ぶれが少なくなるように撮像周期を決定し、カメラ
３に撮像させるためのトリガ信号を出力し、またカメラ
３によって撮像された画像をフレーム単位で処理し、処
理結果を画像処理部４へ与える。なお、光源２の発光周
期が鋼板１の搬送速度に対して十分小さい場合には、撮
像ぶれが少ないので、この画像フリーザ３１を省略する
ことができる。

【００６２】画像処理部４は、マイクロプロセッサから
なり、画像フリーザ３１から与えられる被測定面１１の
画像データを量子化し、量子化した画像データをＣＲＴ
４２に出力して撮像画像データを表示させるとともに、
更にこの画像データを２値化，前処理（ノイズ除去，穴
埋め等）し、前処理結果に基づいて結晶粒径を演算した
後で、演算結果（結晶粒径測定値）をカメラ制御部５３
へ与える。また、画像処理部４は、必要に応じて演算結
果，撮像画像データを画像記憶部４３に格納する。

【００６３】カメラ制御部５３は、画像処理部４とは別
のマイクロプロセッサからなり、画像処理部４から与え
られた結晶粒径測定値をモデム，ルータ等からなる通信
制御部５２を介して、図示しない上位コンピュータへ送
出するようになっている。また、上位コンピュータから
は同様にして通信制御部５２を介して鋼板１の搬送速度
の情報が受信され、カメラ制御部５３は、この搬送速度
の情報をカメラ３へ与える。カメラ制御部５３は更に以
上の動作状態をＣＲＴ５１に出力する。

【００６４】なお、カメラ制御部５３の上位コンピュー
タへの送信は、カメラ３による撮像周期と一致させるこ
ともでき、また所定回数分の撮像画像からの結晶粒径測
定値の平均値を演算し、これを前記所定回数毎の撮像周
期で送出する構成とすることもできる。但し、送信速度
は画像処理部４及びカメラ制御部５３の処理速度によっ
て左右されるものであるが、実際には鋼板１の搬送方向
へのスパングル結晶粒径の変動は急激でないため、数Ｈ
ｚ〜数十Ｈｚに対応した周期で実用上十分である。

【００６５】なお、本実施の形態においては、Ａｌ−Ｚ
ｎメッキ処理後に次工程へ搬送される途中の鋼板１を撮
像する構成としたが、撮像位置はこれに限るものではな
い。但し、結晶粒径測定値の迅速なフィードバックと、
搬送される鋼板１のバタツキ，板伸び等による結晶粒径
の測定誤差の回避とを達成するために、撮像位置は可及
的にメッキポット後の凝固完了位置に近い位置とするの
が望ましく、また鋼板１のパスライン安定化のために、
何れかのロールｒ，ｒ近傍が望ましい。

【００６６】図１７は、画像処理部４における結晶粒径
演算の処理手順を示すフローチャートである。まず、画
像フリーザ３１から与えられた画像データを量子化し
（ステップ１）、実施の形態２に示したような手順で予
め設定された閾値を用いて２値化し（ステップ２）、２
値化画像データに一般的な画像処理手法である孤立点除
去及び穴埋め等の前処理を行なう（ステップ３）。次い
で、スパングルに相当する部分の画素数を演算し（ステ
ップ４）、この画素数と予め演算された１画素の実寸値
とに基づいて、この画素に相当する面積を演算し（ステ
ップ５）、演算した面積に相当する円の直径を演算する
（ステップ６）。そして、ステップ４〜ステップ６を全
てのスパングルについて行ったか否かを確認し（ステッ
プ７）、全てのスパングルについて行った場合には、予
め設定された閾値に基づいて、直径の小さいスパングル
を排除する（ステップ８：面積除去）。ステップ８にて
除去されず残ったスパングルの直径の平均値を演算し
（ステップ９）、これをスパングルの結晶粒径とする。
なお、ステップ７にて全てのスパングルについて行って
いない場合には、ステップ４〜ステップ６を繰り返す。

【００６７】なお、ステップ８における閾値には、スパ
ングルが析出していない状態（ゼロスパングル）で予め
上述と同様の結晶粒径測定を行ない、このときの測定値
を用いてある。

【００６８】図１８は、前述のステップ３の前処理にお
ける孤立点除去を説明するための説明図であり、ステッ
プ２における２値化後の状態を模式的に示してある。図
１８において、被測定面１１の撮像領域は格子状となっ
ており、格子で区切られた各矩形の領域が夫々１画素を
示している。各画素において、２値化後のスパングルは
「１」で示され、それ以外の部分は「０」で示される
が、被測定面１１のごみ，撮像時の何らかのノイズ等の
要因により、スパングル以外の部分でも「１」で表示さ
れる場合がある。そこで、この孤立点除去では、「１」
の画素に着目し、その画素を取り囲む８つの画素が全て
「０」である場合に、この画素を「０」に置換すること
により、上述の如き影響を排除することができる。

【００６９】図１９は、前述のステップ３の前処理にお
ける穴埋めを説明するための説明図であり、図１８と同
様にステップ２における２値化後の状態を模式的に示し
てある。図１９において、連続した「１」の画素群はス
パングルを示しており、それを取り囲む「０」の画素群
はその他の部分を示している。ところが、前述の孤立点
除去と同様の理由にてスパングルの画素群に「０」の画
素群が混在する場合がある。そこで、「１」の画素群に
囲まれた「０」の画素又はその画素群に着目し、この
「０」の画素又は画素群を「１」に置換することによ
り、上述の如き影響を排除することができる。

【００７０】図２０は、実施の形態３に係る結晶粒径測
定装置によって鋼板１のスパングル結晶粒径を測定した
結果とこれに対応する鋼板１の搬送速度との関係を示す
グラフであり、横軸には鋼板１の測定長（搬送方向長
さ：ｋｍ）を配置し、縦軸には横軸に対応する結晶粒径
測定値（ｍｍ）と、搬送速度（ｍ／ｍｉｎ）を夫々配置
してある。また、結晶粒径測定値のグラフ上には、任意
の測定長間隔にて結晶粒径真値を求めた結果が、Ｘ印で
プロットしてある。さらに、被測定対象となる鋼板１に
は、まず板厚０．７ｍｍの鋼板１ａが用いられ、測定長
が約０．５８ｋｍの時点で板厚１．３ｍｍの鋼板１ｂに
切り替えてある。

【００７１】図２０に示す如く、搬送速度の変動に拘わ
らず結晶粒径測定値が結晶粒径真値と一致していること
がわかる。

【００７２】本実施の形態は以上の如き構成としてあ
り、実施の形態２に対応する部分には同一の参照符号を
付して説明を省略する。

【００７３】実施の形態４．図２１は、実施の形態４に
係る結晶粒径測定装置の構成を示すブロック図である。

【００７４】図２１において、可動機構部３４は、鋼板
１の搬送方向と平行に配置され、また鋼板１に接離する
方向（白抜矢符方向）への移動自在に設けられたビーム
３４１と、前記白抜矢符方向へビーム３４１を貫通して
穿設されたネジ孔に螺合するガイドねじ３４２とからな
り、ガイドねじ３４２には、これを回転駆動するモータ
３３がその出力軸をガイドねじ３４２に同軸的に設けら
れている。また、ビーム３４１の中途部にはカメラ３が
鋼板１に対向して設けられている。

【００７５】ビーム３４１の中途部には、更に測距計３
２が鋼板１に対向して設けられている。この測距計３２
は、レーザを鋼板１の表面に照射し、その反射光に基づ
いて光学的にカメラ３と鋼板１の表面との距離（測定距
離）を測定するものであり、所定の時間周期で測定し、
この測定結果を画像処理部４へ与える。なお、測距計３
２には、上述したレーザ式のほかに、接触式，超音波
式，渦電流式等の一般的な測距手段を用いることが可能
であるが、鋼板１に傷をつけないように非接触式が望ま
しい。

【００７６】画像処理部４は、実施の形態３の画像処理
部４と同様の機能を有するとともに、前処理結果と測距
計３２からの測距結果とに基づいて結晶粒径を演算した
後で、演算結果（結晶粒径測定値）をカメラ制御部５３
へ与える。

【００７７】図２２は、画像処理部４における結晶粒径
演算の処理手順を示すフローチャートである。まず、実
施の形態３における図１７のステップ１〜３と同様に量
子化，２値化，前処理を行なう（ステップ１〜３）。続
いて、測距計３２による測距結果（測定距離）を読込み
（ステップ４）、読込結果に基づいて１画素の実寸法を
演算する（ステップ５）。そして、図１７のステップ４
〜９と同様の処理を行う（ステップ６〜１１）。

【００７８】図２３は、前述のステップ５における１画
素の実寸法の演算を説明するための説明図である。図２
３において、ｐは１画素の大きさを示しており、１，１
は鋼板を示している。鋼板１は通常ｂの位置（基準位
置）にあるが、バタツキ，厚みの変動等により、被測定
面１１である鋼板１の表面の位置とカメラ３との距離
（測定距離）が変動するために、画素の大きさを基準に
演算される被測定面１１のスパングルの大きさは上述の
測定距離の変動に応じて補正する必要がある。鋼板１が
基準位置ｂにある場合には、この基準位置ｂとカメラ３
との距離をＤｂ（基準測定距離）とし、そのときの１画
素の寸法をＸｂ（基準画素寸法）とする。そして、例え
ば図２３に示す如く鋼板１がｓの位置に移動した場合、
測距計３２で測定される位置ｂとカメラ３との距離をＤ
ｓとしたときの１画素の実寸法Ｘｓは、 Ｘｓ＝（Ｘｂ／Ｄｂ）・Ｄｓ の式で求めることができる。なお、基準測定距離Ｄｂ，
基準画素寸法Ｘｂについては、実測することにより予め
容易に得ることができるものである。

【００７９】図２４は、実施の形態４に係る結晶粒径測
定装置によって鋼板１のスパングル結晶粒径を測定した
結果とこれに対応する測定距離との関係を示すグラフで
あり、横軸には鋼板１の測定長（搬送方向長さ：ｋｍ）
を配置し、縦軸には横軸に対応する結晶粒径測定値（ｍ
ｍ）と、前述の如き基準測定距離に対する測定距離偏差
（ｍｍ）とを夫々配置してある。また、結晶粒径測定値
のグラフ上には、任意の測定長間隔にて結晶粒径真値を
求めた結果が、Ｘ印でプロットしてある。

【００８０】図２４に示す如く、測定距離の変動に拘わ
らず結晶粒径測定値が結晶粒径真値と一致していること
がわかる。

【００８１】本実施の形態は以上の如き構成としてあ
り、実施の形態３に対応する部分には同一の参照符号を
付して説明を省略する。

【００８２】

【発明の効果】以上詳述した如く本発明に係る結晶粒径
測定方法及び装置よれば、被測定面への光源の照射角度
に対するスパングル等の所定の結晶粒での反射方向に撮
像器が配置されるように光源の照射角度又はこの照射角
度に対する撮像器の光軸角度を設定し、スパングルのみ
の反射光を撮像器に取込ませることにより、スパングル
及びその他の結晶粒の濃淡差の大きい撮像画像を得るこ
とができ、この撮像画像から正確な結晶粒径の演算結果
を安定的に得ることができる。

【００８３】また、上述の如き光源の光量を調整可能と
することにより、撮像されるスパングル及びその他の結
晶粒の濃淡差を撮像器の撮像感度に合わせることがで
き、これにより更に正確な結晶粒径の演算結果を安定的
に得ることができる。

【００８４】また、撮像器を用いて撮像した被測定面の
画像情報を量子化し、量子化結果を所定の輝度閾値に基
づいて２値化することによってスパングルをその他の結
晶粒から識別し、識別されたスパングルの画素を計数
し、計数結果に応じた面積を演算し、演算結果に対応し
た円の直径を演算し、演算結果に基づいてスパングルの
結晶粒径を演算することにより、撮像画像から正確な結
晶粒径の演算結果を安定的に得ることができる。

【００８５】また、被測定面へ光を照射する光照射手段
を設けることにより、撮像されるスパングル及びその他
の結晶粒の濃淡差を更に明確にすることができる。

【００８６】また、光照射手段の光量を増減する都度、
前記結晶の粒径を前述の如く演算するとともに、演算結
果と所定値との偏差を演算し、これらの演算を光量の増
減に応じて繰り返し、演算した粒径の中から偏差が最小
となる光量を選択することにより、撮像されるスパング
ル及びその他の結晶粒の濃淡差を明確にする最適な光量
の選択が可能となる。

【００８７】また、光照射手段の被測定面への照射角度
を変更する都度、前記結晶の粒径を前述の如く演算する
とともに、演算結果と所定値との偏差を演算し、これら
の演算を照射角度の変更に応じて繰り返し、演算した粒
径の中から偏差が最小となる照射角度を選択することに
より、撮像されるスパングル及びその他の結晶粒の濃淡
差を明確にする最適な照射角度の選択が可能となる。

【００８８】さらに、２値化に用いる輝度閾値を変更す
る都度、前記結晶の粒径を前述の如く演算するととも
に、演算結果と所定値との偏差を演算し、これらの演算
を輝度閾値の変更に応じて繰り返し、演算した粒径の中
から偏差が最小となる輝度閾値を選択することにより、
撮像されるスパングル及びその他の結晶粒の濃淡差を明
確にする最適な輝度閾値の選択が可能となる等、本発明
は優れた効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る結晶粒径測定装置の構成を示すブ
ロック図である。

【図２】自然光のもとで撮像された被測定面の撮像画像
の一例を示す模式図である。

【図３】本発明に係る結晶粒径測定装置により撮像され
た被測定面の撮像画像の一例を示す模式図である。

【図４】Ａｌ−Ｚｎメッキ鋼板を被測定物としたときの
照射角度θと、その際の撮像画像から得られる結晶粒径
の測定誤差との関係を示すグラフである。

【図５】Ａｌ−Ｚｎメッキ鋼板を被測定物としたときの
被測定面の照度ｗと、その際の撮像画像から得られる結
晶粒径の測定誤差との関係を示すグラフである。

【図６】画像処理装置における粒径演算の処理手順を示
すフローチャートである。

【図７】図３に示した撮像画像の２値化結果を示す模式
図である。

【図８】本発明に係る結晶粒径測定装置の測定精度を示
すグラフである。

【図９】実施の形態２に係る結晶粒径測定装置の構成を
示すブロック図である。

【図１０】光源制御装置における照射角度θ，光量，２
値化閾値の決定処理を示すフローチャートである。

【図１１】光源制御装置における照射角度θ，光量，２
値化閾値の決定処理を示すフローチャートである。

【図１２】Ｚｎ−５５％Ａｌメッキ鋼板を被測定物１と
した場合の、図１０，図１１のステップ３〜ステップ６
において変化させた光量に対応する被測定面の照度と、
その際に撮像画像から得られる結晶粒径測定誤差との関
係を示すグラフである。

【図１３】Ｚｎ−５５％Ａｌメッキ鋼板を被測定物１と
した場合の、図１０，図１１のステップ８〜ステップ１
１において変化させた照射角度と、その際に撮像画像か
ら得られる結晶粒径測定誤差との関係を示すグラフであ
る。

【図１４】結晶粒径真値と画像処理装置において得られ
た結晶粒径測定値との関係をグラフである。

【図１５】結晶粒径真値の求め方を説明するための説明
図である。

【図１６】実施の形態３に係る結晶粒径測定装置の構成
を示すブロック図である。

【図１７】画像処理部における結晶粒径演算の処理手順
を示すフローチャートである。

【図１８】前述のステップ３の前処理における孤立点除
去を説明するための説明図である。

【図１９】前述のステップ３の前処理における穴埋めを
説明するための説明図である。

【図２０】実施の形態３に係る結晶粒径測定装置によっ
て鋼板のスパングル結晶粒径を測定した結果とこれに対
応する鋼板の搬送速度との関係を示すグラフである。

【図２１】実施の形態４に係る結晶粒径測定装置の構成
を示すブロック図である。

【図２２】画像処理部における結晶粒径演算の処理手順
を示すフローチャートである。

【図２３】前述のステップ５における１画素の実寸法の
演算を説明するための説明図である。

【図２４】実施の形態４に係る結晶粒径測定装置によっ
て鋼板のスパングル結晶粒径を測定した結果とこれに対
応する測定距離との関係を示すグラフである。

【符号の説明】

１ 被測定物 ２ 光源 ３ 撮像器 ４ 画像処理装置 １１ 被測定面 ４１ 画像入力部 ４２ ２値化処理部 ４３ 前処理部 ４４ 粒径演算部

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 撮像器を用いて被測定物の表面を撮像
   し、撮像結果から被測定面に析出する所定種類の結晶粒
   の粒径を画像処理手段を用いて算出することで前記結晶
   粒の粒径を測定する結晶粒径測定方法において、 光源から前記被測定面へ照射される光を前記所定種類の
   結晶粒の表面にて反射させ、その反射方向に前記撮像器
   を設けて撮像することを特徴とする結晶粒径測定方法。
2. 【請求項２】 前記光源の光量を前記撮像器の感度に応
   じて調整することを特徴とする請求項１記載の結晶粒径
   測定方法。
3. 【請求項３】 撮像器を用いて被測定物の表面を撮像
   し、撮像結果から被測定面に析出する所定種類の結晶粒
   の粒径を算出することで前記結晶粒の粒径を測定する結
   晶粒径測定装置において、 前記撮像結果を量子化する量子化手段と、該量子化手段
   の量子化結果を所定の輝度閾値に基づいて２値化するこ
   とによって前記所定種類の結晶粒を識別する２値化／識
   別手段と、該２値化／識別手段に識別された前記所定種
   類の結晶粒の画素を計数する計数手段と、該計数手段の
   計数結果に応じた面積を演算する面積演算手段と、該面
   積演算手段の演算結果に対応する円の直径を演算する直
   径演算手段と、該直径演算手段の演算結果に基づいて前
   記粒径を演算する粒径演算手段とを備えることを特徴と
   する結晶粒径測定装置。
4. 【請求項４】 前記被測定面へ光を照射する光照射手段
   を更に備えることを特徴とする請求項３記載の結晶粒径
   測定装置。
5. 【請求項５】 前記光照射手段の光量を増減する光量増
   減手段と、該光量増減手段が前記光量を増減する都度演
   算される前記粒径と所定値との偏差を演算する手段と、
   該手段の演算結果が最小となる前記光量を選択する光量
   選択手段とを更に備えることを特徴とする請求項４記載
   の結晶粒径測定装置。
6. 【請求項６】 前記光照射手段の前記被測定面への照射
   角度を変更する角度変更手段と、該角度変更手段が前記
   照射角度を変更する都度演算される前記粒径と所定値と
   の偏差を演算する手段と、該手段の演算結果が最小とな
   る前記照射角度を選択する角度選択手段とを更に備える
   ことを特徴とする請求項４又は５記載の結晶粒径測定装
   置。
7. 【請求項７】 前記輝度閾値を変更する閾値変更手段
   と、該閾値変更手段が前記輝度閾値を変更する都度演算
   される前記粒径と所定値との偏差を演算する手段と、該
   手段の演算結果が最小となる前記輝度閾値を選択する閾
   値選択手段とを更に備えることを特徴とする請求項４乃
   至６の何れかに記載の結晶粒径測定装置。
8. 【請求項８】 撮像器を用いて被測定物の表面を撮像
   し、撮像結果から被測定面に析出する所定種類の結晶粒
   の粒径を画像処理手段を用いて算出することで前記結晶
   粒の粒径を測定する結晶粒径測定装置において、 前記被測定面への照射角度の変更自在に設けられた光源
   と、前記被測定面に対する光軸角度の変更自在に設けら
   れた撮像器と、前記光源の光量を前記撮像器の感度に応
   じて調整する手段とを備えることを特徴とする結晶粒径
   測定装置。