JPH11150795A - 薄膜エレクトレットコンデンサマイクロホン及びその製造方法 - Google Patents
薄膜エレクトレットコンデンサマイクロホン及びその製造方法Info
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- JPH11150795A JPH11150795A JP33124597A JP33124597A JPH11150795A JP H11150795 A JPH11150795 A JP H11150795A JP 33124597 A JP33124597 A JP 33124597A JP 33124597 A JP33124597 A JP 33124597A JP H11150795 A JPH11150795 A JP H11150795A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 エレクトレット層の厚さ等のばらつきに起因
する性能の個体差を生じることがなく、しかもより高性
能にする。 【解決手段】 バックエレクトレット方式の薄膜エレク
トレットコンデンサマイクロホンであり、背極板４の表
面上に高分子ＦＥＰの微粒子で薄膜１２０を直接形成す
る薄膜形成工程（Ａ）〜（Ｄ）と、薄膜１２０に分極処
理を施す分極工程（Ｅ）又は（Ｆ）とを有している。薄
膜形成工程は、高分子ＦＥＰの微粒子を分散した有機溶
媒１００をスピンオンコート法で背極板４上に塗布する
工程（Ａ）と、有機溶媒１００が塗布された背極板４を
加熱して有機溶媒１１０のみを除去する工程（Ｂ）と、
有機溶媒１１０のみを除去した背極板４をより高い温度
で加熱して高分子ＦＥＰの薄膜を形成する工程（Ｄ）と
を有している。分極工程は、薄膜形成工程の後に水等の
溶液２００で背極板４を冷却することで行なう。
する性能の個体差を生じることがなく、しかもより高性
能にする。 【解決手段】 バックエレクトレット方式の薄膜エレク
トレットコンデンサマイクロホンであり、背極板４の表
面上に高分子ＦＥＰの微粒子で薄膜１２０を直接形成す
る薄膜形成工程（Ａ）〜（Ｄ）と、薄膜１２０に分極処
理を施す分極工程（Ｅ）又は（Ｆ）とを有している。薄
膜形成工程は、高分子ＦＥＰの微粒子を分散した有機溶
媒１００をスピンオンコート法で背極板４上に塗布する
工程（Ａ）と、有機溶媒１００が塗布された背極板４を
加熱して有機溶媒１１０のみを除去する工程（Ｂ）と、
有機溶媒１１０のみを除去した背極板４をより高い温度
で加熱して高分子ＦＥＰの薄膜を形成する工程（Ｄ）と
を有している。分極工程は、薄膜形成工程の後に水等の
溶液２００で背極板４を冷却することで行なう。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はエレクトレットコン
デンサマイクロホンとその製造方法とに関する。
デンサマイクロホンとその製造方法とに関する。
【０００２】
【従来の技術】振動板と電極板とエレクトレット材とで
コンデンサ部を形成するエレクトレットコンデンサマイ
クロホンは、振動板とエレクトレット材の位置関係によ
ってバックエレクトレット方式とホイルエレクトレット
方式に大別され、最近ではフロントエレクトレット方式
と呼ばれるものも出願人により開発されている。これら
のうち、バックエレクトレットのコンデンサマイクロホ
ンとフロントエレクトレット方式のコンデンサマイクロ
ホンの各概略構造を図２及び図３に示す。
コンデンサ部を形成するエレクトレットコンデンサマイ
クロホンは、振動板とエレクトレット材の位置関係によ
ってバックエレクトレット方式とホイルエレクトレット
方式に大別され、最近ではフロントエレクトレット方式
と呼ばれるものも出願人により開発されている。これら
のうち、バックエレクトレットのコンデンサマイクロホ
ンとフロントエレクトレット方式のコンデンサマイクロ
ホンの各概略構造を図２及び図３に示す。
【０００３】バックエレクトレット方式のコンデンサマ
イクロホンは、図２に示されるように、カプセル１内に
後面側から前面側へプリント基板２、保持体３、背極板
４、エレクトレット層５、スペーサ６、振動板７及びリ
ング８を順番に配置し、保持体３の内側にＩＣ素子９を
配置した構造になっている。
イクロホンは、図２に示されるように、カプセル１内に
後面側から前面側へプリント基板２、保持体３、背極板
４、エレクトレット層５、スペーサ６、振動板７及びリ
ング８を順番に配置し、保持体３の内側にＩＣ素子９を
配置した構造になっている。
【０００４】エレクトレット層５は、ここではスペーサ
６により形成された空間を介して振動板７の後面側に位
置している。このために、この方式はバックエレクトレ
ット方式と呼ばれている。そしてエレクトレット層５
は、電極板としての背極板４の表面に溶着された１２．
５〜２５μｍ程度の高分子フィルム（通常ＦＥＰ）によ
り形成されている。なお、背極板４は、前記高分子フィ
ルムが溶着された金属板をプレス加工で打ち抜くことに
よって形成される。
６により形成された空間を介して振動板７の後面側に位
置している。このために、この方式はバックエレクトレ
ット方式と呼ばれている。そしてエレクトレット層５
は、電極板としての背極板４の表面に溶着された１２．
５〜２５μｍ程度の高分子フィルム（通常ＦＥＰ）によ
り形成されている。なお、背極板４は、前記高分子フィ
ルムが溶着された金属板をプレス加工で打ち抜くことに
よって形成される。
【０００５】ＩＣ素子９はインピーダンス変換用のＦＥ
Ｔであり、その入力端子９ａは前面側の背極板４と接続
され、出力端子９ｂは後面側のプリント基板２と接続さ
れている。なお、１ａはカプセル１の前面部に形成され
た音孔、１′はその前面部の表面に貼り付けられた前面
クロスである。
Ｔであり、その入力端子９ａは前面側の背極板４と接続
され、出力端子９ｂは後面側のプリント基板２と接続さ
れている。なお、１ａはカプセル１の前面部に形成され
た音孔、１′はその前面部の表面に貼り付けられた前面
クロスである。
【０００６】一方、フロントエレクトレット方式のコン
デンサマイクロホンは、図３に示されるように、カプセ
ル１内に後面側から前面側へプリント基板２、保持体
３、振動板７、スペーサ６及びエレクトレット層５を順
番に配置し、保持体３の内側にＩＣ素子９を配置した構
造になっている。
デンサマイクロホンは、図３に示されるように、カプセ
ル１内に後面側から前面側へプリント基板２、保持体
３、振動板７、スペーサ６及びエレクトレット層５を順
番に配置し、保持体３の内側にＩＣ素子９を配置した構
造になっている。
【０００７】エレクトレット層５は、ここでは振動板７
の前面側に位置する電極板としてのカプセル前面部の裏
面に被覆されており、振動板７の前面側にエレクトレッ
ト層５が配置されている点で、この方式はフロントエレ
クトレット方式と呼ばれている。そしてエレクトレット
層５は、バックエレクトレット方式の場合と同様に、カ
プセル前面部の裏面に溶着された厚みが１２．５〜２５
μｍ程度の高分子フィルム（通常ＦＥＰ）により形成さ
れている。
の前面側に位置する電極板としてのカプセル前面部の裏
面に被覆されており、振動板７の前面側にエレクトレッ
ト層５が配置されている点で、この方式はフロントエレ
クトレット方式と呼ばれている。そしてエレクトレット
層５は、バックエレクトレット方式の場合と同様に、カ
プセル前面部の裏面に溶着された厚みが１２．５〜２５
μｍ程度の高分子フィルム（通常ＦＥＰ）により形成さ
れている。
【０００８】また、エレクトレット層５と振動板７の間
に空間を形成するためのスペーサ６としては、いずれの
方式の場合も、額縁状に打ち抜いて形成された厚みが３
０μｍ程度の高分子フィルム（通常ＰＥＴ）が使用され
ている。
に空間を形成するためのスペーサ６としては、いずれの
方式の場合も、額縁状に打ち抜いて形成された厚みが３
０μｍ程度の高分子フィルム（通常ＰＥＴ）が使用され
ている。
【０００９】なお、ホイルエレクトレット方式のコンデ
ンサマイクロホンは、背極板の前面側に設けられる振動
板自体をエレクトレット効果をもつ高分子フィルムによ
り形成したものであり、エレクトレット層が振動板から
分離していない点でバックエレクトレット方式及びフロ
ントエレクトレット方式のものとは区別される。
ンサマイクロホンは、背極板の前面側に設けられる振動
板自体をエレクトレット効果をもつ高分子フィルムによ
り形成したものであり、エレクトレット層が振動板から
分離していない点でバックエレクトレット方式及びフロ
ントエレクトレット方式のものとは区別される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のエレクトレットコンデンサマイクロホンには以
下のような問題点がある。すなわち、エレクトレット層
は、電極板としての背極板の表面に溶着及びプレス加工
された１２．５〜２５μｍ程度の高分子フィルムにより
形成されているため、高分子フィルムのロット間の品
質、厚みのばらつきや、背極板のプレス加工時に生じる
高分子フィルムのバリ等を原因とするエレクトレットコ
ンデンサマイクロホンの性能の個体差があった。
た従来のエレクトレットコンデンサマイクロホンには以
下のような問題点がある。すなわち、エレクトレット層
は、電極板としての背極板の表面に溶着及びプレス加工
された１２．５〜２５μｍ程度の高分子フィルムにより
形成されているため、高分子フィルムのロット間の品
質、厚みのばらつきや、背極板のプレス加工時に生じる
高分子フィルムのバリ等を原因とするエレクトレットコ
ンデンサマイクロホンの性能の個体差があった。
【００１１】また、振動板と背極板との間の間隔には、
高分子フィルムであるスペーサの厚み分が含まれるた
め、実質的には大きすぎて性能的に問題が生じていた。
すなわち、スペーサの厚みは３０μｍであり、エレクト
レット層の厚さは１２．５〜２５μｍであるから、間隔
は４２．５〜５５μｍもあったのである。
高分子フィルムであるスペーサの厚み分が含まれるた
め、実質的には大きすぎて性能的に問題が生じていた。
すなわち、スペーサの厚みは３０μｍであり、エレクト
レット層の厚さは１２．５〜２５μｍであるから、間隔
は４２．５〜５５μｍもあったのである。
【００１２】本発明は上記事情に鑑みて創案されたもの
で、従来のようにエレクトレットコンデンサマイクロホ
ンにエレクトレット層の厚さ等のばらつきに起因する性
能の個体差を生じることがなく、しかもより高性能のエ
レクトレットコンデンサマイクロホンとすることができ
る薄膜エレクトレットコンデンサマイクロホン及びその
製造方法を提供することを目的としている。
で、従来のようにエレクトレットコンデンサマイクロホ
ンにエレクトレット層の厚さ等のばらつきに起因する性
能の個体差を生じることがなく、しかもより高性能のエ
レクトレットコンデンサマイクロホンとすることができ
る薄膜エレクトレットコンデンサマイクロホン及びその
製造方法を提供することを目的としている。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明に係る薄膜エレク
トレットコンデンサマイクロホンは、振動板と、その後
面側に配置された電極板としての背極板と、背極板の振
動板側の表面に形成されたエレクトレット層とでコンデ
ンサ部を形成するバックエレクトレット方式の薄膜コン
デンサマイクロホンにおいて、前記エレクトレット層は
高分子ＦＥＰの微粒子が分散された有機溶媒を塗布し、
熱で焼成することで形成された薄膜であって分極処理が
施されているものである。
トレットコンデンサマイクロホンは、振動板と、その後
面側に配置された電極板としての背極板と、背極板の振
動板側の表面に形成されたエレクトレット層とでコンデ
ンサ部を形成するバックエレクトレット方式の薄膜コン
デンサマイクロホンにおいて、前記エレクトレット層は
高分子ＦＥＰの微粒子が分散された有機溶媒を塗布し、
熱で焼成することで形成された薄膜であって分極処理が
施されているものである。
【００１４】また、本発明に係る薄膜エレクトレットコ
ンデンサマイクロホンの製造方法は、振動板と、その後
面側に配置された電極板としての背極板と、背極板の振
動板側の表面に形成されたエレクトレット層とでコンデ
ンサ部を形成するバックエレクトレット方式のコンデン
サマイクロホンであり、前記背極板の表面上に高分子Ｆ
ＥＰの微粒子で薄膜を直接形成する薄膜形成工程と、前
記薄膜に分極処理を施す分極工程とを有している。
ンデンサマイクロホンの製造方法は、振動板と、その後
面側に配置された電極板としての背極板と、背極板の振
動板側の表面に形成されたエレクトレット層とでコンデ
ンサ部を形成するバックエレクトレット方式のコンデン
サマイクロホンであり、前記背極板の表面上に高分子Ｆ
ＥＰの微粒子で薄膜を直接形成する薄膜形成工程と、前
記薄膜に分極処理を施す分極工程とを有している。
【００１５】そして、前記薄膜形成工程は、高分子ＦＥ
Ｐの微粒子を分散した有機溶媒を背極板上に塗布する工
程と、前記有機溶媒が塗布された背極板を加熱して有機
溶媒のみを除去する工程と、有機溶媒のみを除去した背
極板をより高い温度で加熱して高分子ＦＥＰの薄膜を形
成する工程とを有している。
Ｐの微粒子を分散した有機溶媒を背極板上に塗布する工
程と、前記有機溶媒が塗布された背極板を加熱して有機
溶媒のみを除去する工程と、有機溶媒のみを除去した背
極板をより高い温度で加熱して高分子ＦＥＰの薄膜を形
成する工程とを有している。
【００１６】さらに、前記分極工程は、薄膜形成工程の
後に背極板を冷却することで行う。
後に背極板を冷却することで行う。
【００１７】
【発明の実施の形態】図１は本発明の実施の形態に係る
薄膜エレクトレットコンデンサマイクロホンの製造方法
の各工程を示す概略的説明図である。
薄膜エレクトレットコンデンサマイクロホンの製造方法
の各工程を示す概略的説明図である。
【００１８】なお、本発明の実施の形態に係る薄膜エレ
クトレットコンデンサマイクロホン自体の構成は、エレ
クトレット膜５の厚さ以外は上述した従来のバックエレ
クトレット方式のエレクトレットコンデンサマイクロホ
ンと同様であるので、図２を流用する。
クトレットコンデンサマイクロホン自体の構成は、エレ
クトレット膜５の厚さ以外は上述した従来のバックエレ
クトレット方式のエレクトレットコンデンサマイクロホ
ンと同様であるので、図２を流用する。
【００１９】本発明の実施の形態に係る薄膜エレクトレ
ットコンデンサマイクロホンは、振動板７と、その後面
側に配置された電極板としての背極板４と、背極板４の
振動板７側の表面に形成されたエレクトレット層５とで
コンデンサ部を形成するバックエレクトレット方式の薄
膜エレクトレットコンデンサマイクロホンであって、前
記エレクトレット層５は高分子ＦＥＰの微粒子で形成さ
れた薄膜であって分極処理が施されているものである。
ットコンデンサマイクロホンは、振動板７と、その後面
側に配置された電極板としての背極板４と、背極板４の
振動板７側の表面に形成されたエレクトレット層５とで
コンデンサ部を形成するバックエレクトレット方式の薄
膜エレクトレットコンデンサマイクロホンであって、前
記エレクトレット層５は高分子ＦＥＰの微粒子で形成さ
れた薄膜であって分極処理が施されているものである。
【００２０】前記エレクトレット層５は、背極板４の表
面にＦＥＰ等を直接成膜して形成した厚みが１．Ｏ〜
２．Ｏμｍ程度の薄膜である。エレクトレット層５の周
縁部表面には、その前面側に配置される振動板との間に
空間を形成するためのスペーサ６が、スクリーン印刷に
より３０μｍ程度の厚みに形成されている。
面にＦＥＰ等を直接成膜して形成した厚みが１．Ｏ〜
２．Ｏμｍ程度の薄膜である。エレクトレット層５の周
縁部表面には、その前面側に配置される振動板との間に
空間を形成するためのスペーサ６が、スクリーン印刷に
より３０μｍ程度の厚みに形成されている。
【００２１】このような背極板４とエレクトレット層５
とスペーサ６の一体化部材を使用することにより、図２
に示すようなバックエレクトレット方式の薄膜エレクト
レットコンデンサマイクロホンが構成される。
とスペーサ６の一体化部材を使用することにより、図２
に示すようなバックエレクトレット方式の薄膜エレクト
レットコンデンサマイクロホンが構成される。
【００２２】前記エレクトレット層５は次のような工程
によって形成される。まず、熱伝導に優れた真鍮材から
なる背極板４の表面上に高分子ＦＥＰの直径が０．１μ
ｍ〜０．２５μｍ程度の微粒子で薄膜を直接形成する薄
膜形成工程と、前記薄膜に分極処理を施す分極工程とか
らなっている。
によって形成される。まず、熱伝導に優れた真鍮材から
なる背極板４の表面上に高分子ＦＥＰの直径が０．１μ
ｍ〜０．２５μｍ程度の微粒子で薄膜を直接形成する薄
膜形成工程と、前記薄膜に分極処理を施す分極工程とか
らなっている。
【００２３】詳述すると、前記薄膜形成工程は、高分子
ＦＥＰの微粒子を分散した有機溶媒１００を背極板４上
に塗布する工程と、高分子ＦＥＰの微粒子を分散した有
機溶媒１００が塗布された背極板４を加熱して有機溶媒
１１０のみを除去する工程と、有機溶媒１１０のみを除
去した背極板４をより高い温度で加熱して高分子ＦＥＰ
の薄膜を形成する工程とを有している。
ＦＥＰの微粒子を分散した有機溶媒１００を背極板４上
に塗布する工程と、高分子ＦＥＰの微粒子を分散した有
機溶媒１００が塗布された背極板４を加熱して有機溶媒
１１０のみを除去する工程と、有機溶媒１１０のみを除
去した背極板４をより高い温度で加熱して高分子ＦＥＰ
の薄膜を形成する工程とを有している。
【００２４】前記高分子ＦＥＰの微粒子としては、例え
ば四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン重合体微粒子
が用いられる。この高分子ＦＥＰの微粒子を分散させた
有機溶媒としては、例えばダイキン工業株式会社製のネ
オフロン（商標）ＦＥＰディスパージョンであるＮＤ−
１が適している。このＮＤ−１は、粘度が１０〜３０
ｃ．ｐ．，２５℃であり、背極板４への塗布に適してい
る。
ば四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン重合体微粒子
が用いられる。この高分子ＦＥＰの微粒子を分散させた
有機溶媒としては、例えばダイキン工業株式会社製のネ
オフロン（商標）ＦＥＰディスパージョンであるＮＤ−
１が適している。このＮＤ−１は、粘度が１０〜３０
ｃ．ｐ．，２５℃であり、背極板４への塗布に適してい
る。
【００２５】この高分子ＦＥＰの微粒子を分散させた有
機溶媒１００の背極板４への塗布の方法としては、図１
（Ａ）に示すように、スピンオンコート法がある。この
場合、スピナー５００で背極板４を１０００〜４０００
ｒｐｍで回転させながら、前記有機溶媒１００を背極板
４の上に滴下することによって行う。１つの背極板４に
対して１０〜２０秒程度が適している。このようにする
ことにより、図１（Ｂ）に示すように、１．０〜２．０
μｍの膜厚で有機溶媒１００が塗布される。
機溶媒１００の背極板４への塗布の方法としては、図１
（Ａ）に示すように、スピンオンコート法がある。この
場合、スピナー５００で背極板４を１０００〜４０００
ｒｐｍで回転させながら、前記有機溶媒１００を背極板
４の上に滴下することによって行う。１つの背極板４に
対して１０〜２０秒程度が適している。このようにする
ことにより、図１（Ｂ）に示すように、１．０〜２．０
μｍの膜厚で有機溶媒１００が塗布される。
【００２６】次に、図１（Ｃ）に示すように、前記有機
溶媒１００が塗布された背極板４を加熱するのである
が、ここでは有機溶媒１１０のみを除去する仮焼成とし
て、雰囲気温度を１００〜１２０℃程度とし、５分程度
加熱する。この加熱によって有機溶媒１１０のみが除去
され、高分子ＦＥＰの微粒子の堆積物１３０が背極板４
の上に形成される。
溶媒１００が塗布された背極板４を加熱するのである
が、ここでは有機溶媒１１０のみを除去する仮焼成とし
て、雰囲気温度を１００〜１２０℃程度とし、５分程度
加熱する。この加熱によって有機溶媒１１０のみが除去
され、高分子ＦＥＰの微粒子の堆積物１３０が背極板４
の上に形成される。
【００２７】さらに、高分子ＦＥＰを薄膜化するため
に、すなわち前記高分子ＦＥＰの微粒子の堆積物１３０
を薄膜化するために、前記仮焼成より高い雰囲気温度、
例えば３８０〜４５０°で本焼成を行う。この本焼成は
１０分程度行う。この本焼成によって高分子ＦＥＰの薄
膜１２０が形成される。
に、すなわち前記高分子ＦＥＰの微粒子の堆積物１３０
を薄膜化するために、前記仮焼成より高い雰囲気温度、
例えば３８０〜４５０°で本焼成を行う。この本焼成は
１０分程度行う。この本焼成によって高分子ＦＥＰの薄
膜１２０が形成される。
【００２８】この本焼成の後に分極工程を行うが、この
分極工程では薄膜形成工程の後に背極板４を冷却するこ
とで行う。例えば、溶液２００としての水に前記背極板
４を浸漬して急冷することで行う。この急冷によって、
高分子ＦＥＰの薄膜１２０の分子配向が変化しエレクト
レット層５として機能するようになる。
分極工程では薄膜形成工程の後に背極板４を冷却するこ
とで行う。例えば、溶液２００としての水に前記背極板
４を浸漬して急冷することで行う。この急冷によって、
高分子ＦＥＰの薄膜１２０の分子配向が変化しエレクト
レット層５として機能するようになる。
【００２９】このようにして得られたエレクトレット層
５は、１．０〜２．０μｍの厚さに形成され、その表面
抵抗は厚さ２．０μｍのもので、１×１０13Ωとなって
いた。ここで、従来のように、ＦＥＰフィルムを背極板
４の表面に溶着するものであれば、厚さ１２．５μｍの
もので２×１０13Ωとなっていた。すなわち、本実施例
に係る製造方法で製造するほうが、同等の抵抗値であり
ながら極めて薄いエレクトレット層５を形成できるので
ある。
５は、１．０〜２．０μｍの厚さに形成され、その表面
抵抗は厚さ２．０μｍのもので、１×１０13Ωとなって
いた。ここで、従来のように、ＦＥＰフィルムを背極板
４の表面に溶着するものであれば、厚さ１２．５μｍの
もので２×１０13Ωとなっていた。すなわち、本実施例
に係る製造方法で製造するほうが、同等の抵抗値であり
ながら極めて薄いエレクトレット層５を形成できるので
ある。
【００３０】なお、上述した実施の形態では、薄膜形成
工程において、高分子ＦＥＰが分散された有機溶媒１０
０をスピンオンコート法で塗布していたが、背極板４を
前記有機溶媒１００にディップすることによって塗布し
てもよい。すなわち、背極板４を前記有機溶媒１００に
浸漬することで塗布するのである。この場合には、スピ
ンオンコート法に比較して作業性の点で優れている。
工程において、高分子ＦＥＰが分散された有機溶媒１０
０をスピンオンコート法で塗布していたが、背極板４を
前記有機溶媒１００にディップすることによって塗布し
てもよい。すなわち、背極板４を前記有機溶媒１００に
浸漬することで塗布するのである。この場合には、スピ
ンオンコート法に比較して作業性の点で優れている。
【００３１】また、上述した実施の形態では、分極工程
で背極板４を急冷するのに溶液２００としての水に背極
板４を浸漬することで行ったが、水ではなくメチルアル
コールであってもよい。メチルアルコールを用いる場合
には、水を用いる場合に比較して配向の点で優れてい
る。
で背極板４を急冷するのに溶液２００としての水に背極
板４を浸漬することで行ったが、水ではなくメチルアル
コールであってもよい。メチルアルコールを用いる場合
には、水を用いる場合に比較して配向の点で優れてい
る。
【００３２】さらに、分極工程における急冷は、図１
（Ｆ）に示すように、溶液２００ではなく冷却用気体、
例えば冷たい空気３００を噴射することで行ってもよ
い。いわば空冷である。この場合には、溶液２００を用
いる場合と比較して作業性の点で優れている。
（Ｆ）に示すように、溶液２００ではなく冷却用気体、
例えば冷たい空気３００を噴射することで行ってもよ
い。いわば空冷である。この場合には、溶液２００を用
いる場合と比較して作業性の点で優れている。
【００３３】
【発明の効果】本発明に係る薄膜エレクトレットコンデ
ンサマイクロホンは、振動板と、その後面側に配置され
た電極板としての背極板と、背極板の振動板側の表面に
形成されたエレクトレット層とでコンデンサ部を形成す
るバックエレクトレット方式の薄膜コンデンサマイクロ
ホンにおいて、前記エレクトレット層は高分子ＦＥＰの
微粒子が分散された有機溶媒を塗布することによって形
成された薄膜であって分極処理が施されているものであ
る。
ンサマイクロホンは、振動板と、その後面側に配置され
た電極板としての背極板と、背極板の振動板側の表面に
形成されたエレクトレット層とでコンデンサ部を形成す
るバックエレクトレット方式の薄膜コンデンサマイクロ
ホンにおいて、前記エレクトレット層は高分子ＦＥＰの
微粒子が分散された有機溶媒を塗布することによって形
成された薄膜であって分極処理が施されているものであ
る。
【００３４】このため、ＦＥＰフィルムを背極板に溶着
した従来の薄膜エレクトレットコンデンサマイクロホン
のような、エレクトレット層の品質、厚みのばらつきが
ないため、品質の均一化が図れる。また、背極板に高分
子ＦＥＰのフィルムを溶着した後にプレス加工をするつ
必要がないため、従来のように性能の劣化の原因となる
フィルムのバリが生じるという問題がない。
した従来の薄膜エレクトレットコンデンサマイクロホン
のような、エレクトレット層の品質、厚みのばらつきが
ないため、品質の均一化が図れる。また、背極板に高分
子ＦＥＰのフィルムを溶着した後にプレス加工をするつ
必要がないため、従来のように性能の劣化の原因となる
フィルムのバリが生じるという問題がない。
【００３５】さらに、エレクトレット層は、高分子ＦＥ
Ｐが分散された有機溶媒の塗布によって形成されている
ため、従来のエレクトレット層より極めて薄く形成する
ことが可能である。これにより、振動膜と背極板との間
の間隔は、１２．５μｍから２．０μｍというように従
来のものより極めて小さくなった。そのため、マイクロ
ホンとしての感度を向上させることができる。例えば、
振動膜と背極板との間の間隔が１２．５μｍの従来品
と、前記間隔が２．０μｍとなった本案品とでは、本案
品の方が感度が最低でも６ｄＢ向上したことが実験で確
認されている。
Ｐが分散された有機溶媒の塗布によって形成されている
ため、従来のエレクトレット層より極めて薄く形成する
ことが可能である。これにより、振動膜と背極板との間
の間隔は、１２．５μｍから２．０μｍというように従
来のものより極めて小さくなった。そのため、マイクロ
ホンとしての感度を向上させることができる。例えば、
振動膜と背極板との間の間隔が１２．５μｍの従来品
と、前記間隔が２．０μｍとなった本案品とでは、本案
品の方が感度が最低でも６ｄＢ向上したことが実験で確
認されている。
【００３６】また、本発明に係る薄膜エレクトレットコ
ンデンサマイクロホンの製造方法は、振動板と、その後
面側に配置された電極板としての背極板と、背極板の振
動板側の表面に形成されたエレクトレット層とでコンデ
ンサ部を形成するバックエレクトレット方式のコンデン
サマイクロホンであり、前記背極板の表面上に高分子Ｆ
ＥＰの微粒子で薄膜を直接形成する薄膜形成工程と、前
記薄膜に分極処理を施す分極工程とを備えている。
ンデンサマイクロホンの製造方法は、振動板と、その後
面側に配置された電極板としての背極板と、背極板の振
動板側の表面に形成されたエレクトレット層とでコンデ
ンサ部を形成するバックエレクトレット方式のコンデン
サマイクロホンであり、前記背極板の表面上に高分子Ｆ
ＥＰの微粒子で薄膜を直接形成する薄膜形成工程と、前
記薄膜に分極処理を施す分極工程とを備えている。
【００３７】この製造方法によると、背極板に形成され
るエレクトレット層をより均一に形成することができる
とともに、従来のものより極めて薄く形成することがで
きる。よって、より性能が均一で優れた薄膜エレクトレ
ットコンデンサマイクロホンを製造することが可能とな
る。
るエレクトレット層をより均一に形成することができる
とともに、従来のものより極めて薄く形成することがで
きる。よって、より性能が均一で優れた薄膜エレクトレ
ットコンデンサマイクロホンを製造することが可能とな
る。
【００３８】さらに、前記薄膜形成工程を高分子ＦＥＰ
の微粒子を分散した有機溶媒を背極板上に塗布する工程
と、前記有機溶媒が塗布された背極板を加熱して有機溶
媒のみを除去する工程と、有機溶媒のみを除去した背極
板をより高い温度で加熱して高分子ＦＥＰの薄膜を形成
する工程とから構成すると、均一なエレクトレット層を
容易に形成することが可能となる。
の微粒子を分散した有機溶媒を背極板上に塗布する工程
と、前記有機溶媒が塗布された背極板を加熱して有機溶
媒のみを除去する工程と、有機溶媒のみを除去した背極
板をより高い温度で加熱して高分子ＦＥＰの薄膜を形成
する工程とから構成すると、均一なエレクトレット層を
容易に形成することが可能となる。
【００３９】また、高分子ＦＥＰの粒子を分散した有機
溶媒を背極板上に塗布する工程を背極板への前記有機溶
媒のスピンオンコート、又は背極板の前記有機溶媒への
ディップによって行うとすると、均一なエレクトレット
層を容易に形成することができる。
溶媒を背極板上に塗布する工程を背極板への前記有機溶
媒のスピンオンコート、又は背極板の前記有機溶媒への
ディップによって行うとすると、均一なエレクトレット
層を容易に形成することができる。
【００４０】さらに、前記分極工程を薄膜形成工程の後
に背極板を冷却するとすると、分極が容易に生じて好都
合である。
に背極板を冷却するとすると、分極が容易に生じて好都
合である。
【００４１】また、この背極板の冷却を、薄膜形成工程
後の背極板を溶液に浸漬するか、又は薄膜形成工程後の
背極板に冷却用気体を噴射することとすると、簡単な設
備でエレクトレット層の分極が可能となる。
後の背極板を溶液に浸漬するか、又は薄膜形成工程後の
背極板に冷却用気体を噴射することとすると、簡単な設
備でエレクトレット層の分極が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係る薄膜エレクトレット
コンデンサマイクロホンの製造方法の各工程を示す概略
的説明図である。
コンデンサマイクロホンの製造方法の各工程を示す概略
的説明図である。
【図２】従来のエレクトレットコンデンサマイクロホン
（バックエレクトレット方式）の概略的縦断面図であ
る。
（バックエレクトレット方式）の概略的縦断面図であ
る。
【図３】従来のエレクトレットコンデンサマイクロホン
（フロントエレクトレット方式）の概略的縦断面図であ
る。
（フロントエレクトレット方式）の概略的縦断面図であ
る。
４ 背極板 ５ エレクトレット層 １００ 高分子ＦＥＰの微粒子が分散された有機溶媒 １１０ 有機溶媒 １２０ 薄膜
Claims (6)
- 【請求項１】 振動板と、その後面側に配置された電極
板としての背極板と、背極板の振動板側の表面に形成さ
れたエレクトレット層とでコンデンサ部を形成するバッ
クエレクトレット方式のエレクトレットコンデンサマイ
クロホンにおいて、前記エレクトレット層は高分子ＦＥ
Ｐの微粒子が分散された有機溶媒を塗布することで形成
された薄膜であって分極処理が施されているものである
ことを特徴とする薄膜エレクトレットコンデンサマイク
ロホン。 - 【請求項２】 振動板と、その後面側に配置された電極
板としての背極板と、背極板の振動板側の表面に形成さ
れたエレクトレット層とでコンデンサ部を形成するバッ
クエレクトレット方式のエレクトレットコンデンサマイ
クロホンであり、前記背極板の表面上に高分子ＦＥＰの
微粒子で薄膜を直接形成する薄膜形成工程と、前記薄膜
に分極処理を施す分極工程とを具備したことを特徴とす
る薄膜エレクトレットコンデンサマイクロホンの製造方
法。 - 【請求項３】 前記薄膜形成工程は、高分子ＦＥＰの微
粒子を分散した有機溶媒を背極板上に塗布する工程と、
前記有機溶媒が塗布された背極板を加熱して有機溶媒の
みを除去する工程と、有機溶媒のみを除去した背極板を
より高い温度で加熱して高分子ＦＥＰの薄膜を形成する
工程とを具備したことを特徴とする請求項２記載の薄膜
エレクトレットコンデンサマイクロホンの製造方法。 - 【請求項４】 請求項３における高分子ＦＥＰの粒子を
分散した有機溶媒を背極板上に塗布する工程では、背極
板への前記有機溶媒のスピンオンコート、又は背極板の
前記有機溶媒へのディップによって行うことを特徴とす
る薄膜エレクトレットコンデンサマイクロホンの製造方
法。 - 【請求項５】 前記分極工程は、薄膜形成工程の後に背
極板を冷却することで行うことを特徴とする請求項２、
３又は４記載の薄膜エレクトレットコンデンサマイクロ
ホンの製造方法。 - 【請求項６】 請求項５における背極板の冷却は、薄膜
形成工程後の背極板を溶液に浸漬するか、又は薄膜形成
工程後の背極板に冷却用気体を噴射することで行うこと
を特徴とする請求項５記載の薄膜エレクトレットコンデ
ンサマイクロホンの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33124597A JP3356668B2 (ja) | 1997-11-14 | 1997-11-14 | 薄膜エレクトレットコンデンサマイクロホン及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33124597A JP3356668B2 (ja) | 1997-11-14 | 1997-11-14 | 薄膜エレクトレットコンデンサマイクロホン及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11150795A true JPH11150795A (ja) | 1999-06-02 |
| JP3356668B2 JP3356668B2 (ja) | 2002-12-16 |
Family
ID=18241530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33124597A Expired - Fee Related JP3356668B2 (ja) | 1997-11-14 | 1997-11-14 | 薄膜エレクトレットコンデンサマイクロホン及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3356668B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1427250A3 (en) * | 2002-12-03 | 2005-08-10 | Hosiden Corporation | Electret microphone |
| WO2010119869A1 (ja) | 2009-04-14 | 2010-10-21 | 日東電工株式会社 | エレクトレット材の製造方法 |
| WO2010126012A1 (ja) * | 2009-04-27 | 2010-11-04 | 日東電工株式会社 | エレクトレット材および静電型音響変換器 |
| EP2437519A1 (en) | 2003-07-22 | 2012-04-04 | Toho Kasei Co., Ltd. | Heat resistant electret material and heat resistant electret |
| CN108900958A (zh) * | 2018-08-27 | 2018-11-27 | 湖南声仪测控科技有限责任公司 | 工作可靠性强的传声器 |
-
1997
- 1997-11-14 JP JP33124597A patent/JP3356668B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1427250A3 (en) * | 2002-12-03 | 2005-08-10 | Hosiden Corporation | Electret microphone |
| US7171012B2 (en) | 2002-12-03 | 2007-01-30 | Hosiden Corporation | Microphone |
| CN100334921C (zh) * | 2002-12-03 | 2007-08-29 | 星电株式会社 | 麦克风 |
| EP2437519A1 (en) | 2003-07-22 | 2012-04-04 | Toho Kasei Co., Ltd. | Heat resistant electret material and heat resistant electret |
| WO2010119869A1 (ja) | 2009-04-14 | 2010-10-21 | 日東電工株式会社 | エレクトレット材の製造方法 |
| US8747961B2 (en) | 2009-04-14 | 2014-06-10 | Nitto Denko Corporation | Process for production of electret material |
| CN102227789A (zh) * | 2009-04-27 | 2011-10-26 | 日东电工株式会社 | 驻极体材料和静电型声音变换器 |
| KR20120011837A (ko) | 2009-04-27 | 2012-02-08 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 일렉트릿재 및 정전형 음향 변환기 |
| US20110249834A1 (en) * | 2009-04-27 | 2011-10-13 | Nitto Denko Corporation | Electret material and electrostatic-type acoustic transducer |
| CN103474241A (zh) * | 2009-04-27 | 2013-12-25 | 日东电工株式会社 | 驻极体材料和静电型声音变换器 |
| WO2010126012A1 (ja) * | 2009-04-27 | 2010-11-04 | 日東電工株式会社 | エレクトレット材および静電型音響変換器 |
| US8971553B2 (en) | 2009-04-27 | 2015-03-03 | Nitto Denko Corporation | Electret material and electrostatic-type acoustic transducer |
| CN108900958A (zh) * | 2018-08-27 | 2018-11-27 | 湖南声仪测控科技有限责任公司 | 工作可靠性强的传声器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3356668B2 (ja) | 2002-12-16 |
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