JPH11150093A - デバイス付きウェーハのプラナリゼーションポリッシング方法及びその装置 - Google Patents
デバイス付きウェーハのプラナリゼーションポリッシング方法及びその装置Info
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- JPH11150093A JPH11150093A JP10258410A JP25841098A JPH11150093A JP H11150093 A JPH11150093 A JP H11150093A JP 10258410 A JP10258410 A JP 10258410A JP 25841098 A JP25841098 A JP 25841098A JP H11150093 A JPH11150093 A JP H11150093A
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- platen
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェハーのデバイス表面の高度な平坦化を可
能とした、プラナリゼーションポリッシング方法及びそ
の装置を提供する。 【解決手段】 加工面に研磨クロスを貼った定盤上にウ
ェハーのデバイス面を接触させて載置する。下面が内部
に圧力流体を密封した弾性体で形成されたトップリング
を、ウェハー上に押し付けてデバイス面を研磨クロスに
押圧する。定盤上にスリラーを供給しながら定盤を自転
を伴わない円運動を行わせて研磨クロスとウェハーのデ
バイス面を擦り合わせ、ウェハーのデバイス面の平坦化
を行う。ウェハーは、トップリングと共に定盤上を自転
しながら公転させるようにしても良い。
能とした、プラナリゼーションポリッシング方法及びそ
の装置を提供する。 【解決手段】 加工面に研磨クロスを貼った定盤上にウ
ェハーのデバイス面を接触させて載置する。下面が内部
に圧力流体を密封した弾性体で形成されたトップリング
を、ウェハー上に押し付けてデバイス面を研磨クロスに
押圧する。定盤上にスリラーを供給しながら定盤を自転
を伴わない円運動を行わせて研磨クロスとウェハーのデ
バイス面を擦り合わせ、ウェハーのデバイス面の平坦化
を行う。ウェハーは、トップリングと共に定盤上を自転
しながら公転させるようにしても良い。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、デバイス付きシリ
コンウェーハのデバイス表面の平坦化を行うプラナリゼ
ーションポリッシング方法及びそのための装置に関する
ものである。
コンウェーハのデバイス表面の平坦化を行うプラナリゼ
ーションポリッシング方法及びそのための装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、集積回路の発達に伴って積層構造
のデバイスが数多く製造されるようになった。このよう
な積層構造デバイスは、そのままでは表面に凹凸形状の
段差が生じてしまい、ウェーハ表面の配線の断線や、層
間絶縁不良等の障害の原因となってしまう。そこで、ウ
ェーハ表面を平坦化、平滑化する技術が重要となり、リ
フロー法、エッチバック法他、多数の平坦化技術が考案
された。
のデバイスが数多く製造されるようになった。このよう
な積層構造デバイスは、そのままでは表面に凹凸形状の
段差が生じてしまい、ウェーハ表面の配線の断線や、層
間絶縁不良等の障害の原因となってしまう。そこで、ウ
ェーハ表面を平坦化、平滑化する技術が重要となり、リ
フロー法、エッチバック法他、多数の平坦化技術が考案
された。
【０００３】近い将来の６４〜２５６Ｍビット以上の高
密度ＤＲＡＭ級超々ＬＳＩを実現する場合、例えば０．
３μm 以下の微細パターン化、高速度を考慮した低容量
・低抵抗化のための厚膜化、Ｂi-ＣＭＯＳなどの素子の
複合（階層）化等高度技術の導入・開発の方向で進むで
あろう。しかし、デバイス化の過程において、現在のリ
フロー又はエッチバック等による平坦化技術のみでは困
難であると予想される。
密度ＤＲＡＭ級超々ＬＳＩを実現する場合、例えば０．
３μm 以下の微細パターン化、高速度を考慮した低容量
・低抵抗化のための厚膜化、Ｂi-ＣＭＯＳなどの素子の
複合（階層）化等高度技術の導入・開発の方向で進むで
あろう。しかし、デバイス化の過程において、現在のリ
フロー又はエッチバック等による平坦化技術のみでは困
難であると予想される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】デバイス付きウェーハ
の平坦化技術は、ポリッシングと比較して次のような問
題点がある。即ち、デバイス面の許容される加工除却量
が、ポリッシングの場合の数十μm に対して０．５μm
程度と極端に少ないことである。このため、研磨クロス
と加工物の相対回転数を従来のように大きくできない。
の平坦化技術は、ポリッシングと比較して次のような問
題点がある。即ち、デバイス面の許容される加工除却量
が、ポリッシングの場合の数十μm に対して０．５μm
程度と極端に少ないことである。このため、研磨クロス
と加工物の相対回転数を従来のように大きくできない。
【０００５】一般に、ポリッシングにおける加工量Ｖ
（nm) は、 Ｖ＝ｋ・ｐ・ｖ・ｔ 但し、ｋ：加工条件によって定まる定数、 ｐ：加工圧
力（gf／cm2) ｖ：相対速度（cm／min)、 ｔ：加工時間（mi
n) で示されることが知られている。従って、デバイス表面
を均一にポリッシングするためには、ｐとｖを確実にコ
ントロールすれば良い。しかし、従来のポリッシングマ
シンは定盤の中心を軸にした回転運動を行うため、回転
軸付近と外周付近では速度が生じてしまい、前述したよ
うに加工除却量が極めて少ないことを考慮すると大きな
問題となる。又、ウェーハのポリッシングと比較して、
デバイス表面の平行度ははるかに曖昧であってあてにな
らず、加工物の全面を均等に加圧することが難しい。
（nm) は、 Ｖ＝ｋ・ｐ・ｖ・ｔ 但し、ｋ：加工条件によって定まる定数、 ｐ：加工圧
力（gf／cm2) ｖ：相対速度（cm／min)、 ｔ：加工時間（mi
n) で示されることが知られている。従って、デバイス表面
を均一にポリッシングするためには、ｐとｖを確実にコ
ントロールすれば良い。しかし、従来のポリッシングマ
シンは定盤の中心を軸にした回転運動を行うため、回転
軸付近と外周付近では速度が生じてしまい、前述したよ
うに加工除却量が極めて少ないことを考慮すると大きな
問題となる。又、ウェーハのポリッシングと比較して、
デバイス表面の平行度ははるかに曖昧であってあてにな
らず、加工物の全面を均等に加圧することが難しい。
【０００６】本発明は、このような従来の問題点に鑑み
なされたもので、ウェーハの鏡面加工に用いられるポリ
ッシング技術を応用してデバイス表面の高度な平坦化を
可能とした、ウェーハのプラナリゼーションポリッシン
グ方法と、それに用いるポリッシング装置を提供するこ
とを技術的課題としたものである。
なされたもので、ウェーハの鏡面加工に用いられるポリ
ッシング技術を応用してデバイス表面の高度な平坦化を
可能とした、ウェーハのプラナリゼーションポリッシン
グ方法と、それに用いるポリッシング装置を提供するこ
とを技術的課題としたものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この技術的課題を解決す
るための手段として、本発明は、半導体ウェーハのデバ
イス面の平坦化を行うプラナリゼーションポリッシング
方法において、前記ウェーハを、研磨クロスが貼られて
加工面が形成された定盤上に、前記デバイス面を接触さ
せて載置させると共に、所要荷重が負荷されたトップリ
ングで押圧し、前記定盤に自転の伴わない円運動をさせ
ると共に、前記定盤上で該定盤に対して相対的に前記ウ
ェーハを前記トップリングに伴わせて公転させること
で、前記研磨クロスと前記デバイス面を擦り合わせ、ウ
ェーハのデバイス面の平坦化を行うようにしたデバイス
付きウェーハのプラナリゼーションポリッシング方法を
要旨とする。又、前記トップリングに伴わせて前記ウェ
ーハを前記定盤上で自転させることを特徴とするもので
ある。
るための手段として、本発明は、半導体ウェーハのデバ
イス面の平坦化を行うプラナリゼーションポリッシング
方法において、前記ウェーハを、研磨クロスが貼られて
加工面が形成された定盤上に、前記デバイス面を接触さ
せて載置させると共に、所要荷重が負荷されたトップリ
ングで押圧し、前記定盤に自転の伴わない円運動をさせ
ると共に、前記定盤上で該定盤に対して相対的に前記ウ
ェーハを前記トップリングに伴わせて公転させること
で、前記研磨クロスと前記デバイス面を擦り合わせ、ウ
ェーハのデバイス面の平坦化を行うようにしたデバイス
付きウェーハのプラナリゼーションポリッシング方法を
要旨とする。又、前記トップリングに伴わせて前記ウェ
ーハを前記定盤上で自転させることを特徴とするもので
ある。
【０００８】更に、本発明は、半導体ウェーハのデバイ
ス面の平坦化を行うプラナリゼーションポリッシング装
置において、研磨クロスが貼られて加工面が形成された
定盤と、該定盤上の加工面に前記デバイス面が接触され
て載置された前記ウェーハを押圧するよう、所要荷重が
負荷されるトップリングと、前記定盤に自転の伴わない
円運動をさせる定盤の運動機構と、前記定盤上で該定盤
に対して相対的に前記ウェーハを前記トップリングに伴
わせて公転させるトップリングの運動機構とを具備する
デバイス付きウェーハのプラナリゼーションポリッシン
グ装置を要旨とする。又、前記定盤に連繋されたクラン
クカムと、該複数のクランクカムの少なくとも一つを軸
回転させることで前記定盤を自転の伴わない円運動をさ
せる定盤駆動用モーターとを具備すること、前記トップ
リングの運動機構は、前記定盤の中央部近傍に設けた太
陽ギヤと、該太陽ギヤとほぼ同一面内で且つ軸線が一致
するようにして前記定盤の外周部近傍に設けたインター
ナルギヤと、該インターナルギヤと前記太陽ギヤとの間
に噛合する外歯歯車を有する前記トップリングと、前記
太陽ギヤと前記インターナルギヤの少なくともどちらか
一方を強制回転する駆動源とを備え、前記定盤上で該定
盤に対して前記ウェーハを前記トップリングに伴わせて
公転させると共に自転させること、前記トップリング
は、下面に前記ウェーハが取り付けられ、該ウェーハの
デバイス面を前記研磨クロスに押圧するように構成され
たこと、を特徴とするものである。
ス面の平坦化を行うプラナリゼーションポリッシング装
置において、研磨クロスが貼られて加工面が形成された
定盤と、該定盤上の加工面に前記デバイス面が接触され
て載置された前記ウェーハを押圧するよう、所要荷重が
負荷されるトップリングと、前記定盤に自転の伴わない
円運動をさせる定盤の運動機構と、前記定盤上で該定盤
に対して相対的に前記ウェーハを前記トップリングに伴
わせて公転させるトップリングの運動機構とを具備する
デバイス付きウェーハのプラナリゼーションポリッシン
グ装置を要旨とする。又、前記定盤に連繋されたクラン
クカムと、該複数のクランクカムの少なくとも一つを軸
回転させることで前記定盤を自転の伴わない円運動をさ
せる定盤駆動用モーターとを具備すること、前記トップ
リングの運動機構は、前記定盤の中央部近傍に設けた太
陽ギヤと、該太陽ギヤとほぼ同一面内で且つ軸線が一致
するようにして前記定盤の外周部近傍に設けたインター
ナルギヤと、該インターナルギヤと前記太陽ギヤとの間
に噛合する外歯歯車を有する前記トップリングと、前記
太陽ギヤと前記インターナルギヤの少なくともどちらか
一方を強制回転する駆動源とを備え、前記定盤上で該定
盤に対して前記ウェーハを前記トップリングに伴わせて
公転させると共に自転させること、前記トップリング
は、下面に前記ウェーハが取り付けられ、該ウェーハの
デバイス面を前記研磨クロスに押圧するように構成され
たこと、を特徴とするものである。
【０００９】
【作 用】研磨クロスの貼られた定盤は、自転運動を伴
わない円運動を行うため、定盤上のどの位置においても
デバイス表面との相対速度を一定に保つことができる。
ウェーハを押圧するトップリングのウェーハ接触面を、
内部に圧力流体を密閉した弾性体で構成することによっ
て、ウェーハのデバイス面の平行度、平坦度が不十分で
あってもウェーハ全面を均等に加圧することができる。
ウェーハを定盤の円運動の速度と比較して問題にならな
いくらいの低速で、トップリングと共に定盤上を自転し
ながら公転させることで、ウェーハの軌跡は定盤上の一
定の位置を移動するのではなく定盤の全面にわたって移
動する。
わない円運動を行うため、定盤上のどの位置においても
デバイス表面との相対速度を一定に保つことができる。
ウェーハを押圧するトップリングのウェーハ接触面を、
内部に圧力流体を密閉した弾性体で構成することによっ
て、ウェーハのデバイス面の平行度、平坦度が不十分で
あってもウェーハ全面を均等に加圧することができる。
ウェーハを定盤の円運動の速度と比較して問題にならな
いくらいの低速で、トップリングと共に定盤上を自転し
ながら公転させることで、ウェーハの軌跡は定盤上の一
定の位置を移動するのではなく定盤の全面にわたって移
動する。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて
詳説する。まず、ウェーハの加工圧力ｐの均等化の原理
について説明すると、図１に示すように荷重プレートａ
の下面側に弾性薄膜によるバックｂを形成し、このバッ
ク内に空気又は水の圧力流体ｃを充填し、平面工具定盤
ｄの薄膜ポリシャｅの上に載置したデバイス付きシリコ
ンウェーハｆをバックｂで押し付けるものである。これ
はＡir／Ｗater bag方式で、平面工具定盤ｄ面に押し付
けてウエハーの反りを矯正しつつ等分布圧力を確保する
ことができる。
詳説する。まず、ウェーハの加工圧力ｐの均等化の原理
について説明すると、図１に示すように荷重プレートａ
の下面側に弾性薄膜によるバックｂを形成し、このバッ
ク内に空気又は水の圧力流体ｃを充填し、平面工具定盤
ｄの薄膜ポリシャｅの上に載置したデバイス付きシリコ
ンウェーハｆをバックｂで押し付けるものである。これ
はＡir／Ｗater bag方式で、平面工具定盤ｄ面に押し付
けてウエハーの反りを矯正しつつ等分布圧力を確保する
ことができる。
【００１１】次に、相対速度ｖについては、従来の研磨
装置のようにポリシャ工具定盤を単一に回転させるので
はなくサブミクロン量のみ均一ポリッシングすることを
考えて、ウェーハのどの点でも同一の小円運動軌跡を描
かせる運動機構を導入し、ｖ＝３０〜１８００cm／min
の範囲で任意の点で均一相対速度を得る。ポリシャの不
均一摩耗を避けるために、小円運動量よりも無視できる
程度でウェーハ試料又は工具定盤に僅かな公転を与える
方法を導入する。
装置のようにポリシャ工具定盤を単一に回転させるので
はなくサブミクロン量のみ均一ポリッシングすることを
考えて、ウェーハのどの点でも同一の小円運動軌跡を描
かせる運動機構を導入し、ｖ＝３０〜１８００cm／min
の範囲で任意の点で均一相対速度を得る。ポリシャの不
均一摩耗を避けるために、小円運動量よりも無視できる
程度でウェーハ試料又は工具定盤に僅かな公転を与える
方法を導入する。
【００１２】図２は、このような原理を応用したポリッ
シング装置の実施例であり、その具体的な構成について
説明する。図中、１はフレームであり、定盤駆動用モー
ター２がモーターベース３を介して固定されている。
シング装置の実施例であり、その具体的な構成について
説明する。図中、１はフレームであり、定盤駆動用モー
ター２がモーターベース３を介して固定されている。
【００１３】前記定盤駆動用モーター２の回転軸２ａに
は円盤状のクランクカム４が取り付けられ、その偏心位
置にカムフロア５が立設されている。
は円盤状のクランクカム４が取り付けられ、その偏心位
置にカムフロア５が立設されている。
【００１４】６は定盤であり、その上面に研磨クロス７
が貼着され、中央部には円形の逃げ孔６ａがあけられて
いる。この定盤６の下面にはカムフロアガイド８が取り
付けられ、前記カムフロア５がベアリング９及びベアリ
ング受け10を介して摺動自在に係合している。
が貼着され、中央部には円形の逃げ孔６ａがあけられて
いる。この定盤６の下面にはカムフロアガイド８が取り
付けられ、前記カムフロア５がベアリング９及びベアリ
ング受け10を介して摺動自在に係合している。
【００１５】カムフロアガイド８は、図３に示すように
前記定盤６の下面の円周方向に120度の間隔をあけて３
箇所設けられ、これらに対応させて前記カムフロア５も
３箇所設けられ、クランクカム４のうち２つは前記定盤
駆動用モーター２の回転軸２ａに取り付けられ、残りの
１つはフリー回転可能となっている。前記クランクカム
４は全て同方向（図３において反時計方向）に回転させ
られ、これにより前記定盤６は自転を伴わない小円運動
をするようにしてある。
前記定盤６の下面の円周方向に120度の間隔をあけて３
箇所設けられ、これらに対応させて前記カムフロア５も
３箇所設けられ、クランクカム４のうち２つは前記定盤
駆動用モーター２の回転軸２ａに取り付けられ、残りの
１つはフリー回転可能となっている。前記クランクカム
４は全て同方向（図３において反時計方向）に回転させ
られ、これにより前記定盤６は自転を伴わない小円運動
をするようにしてある。
【００１６】11は前記フレーム１に立設された円筒型の
ハウジングであり、内部にシャフト12が保持されこのシ
ャフト12は前記定盤６の逃げ孔６ａを通って突出し、そ
の先端部には太陽ギヤ13が固定される一方、下端部には
伝導用ギヤ14が固定されている。
ハウジングであり、内部にシャフト12が保持されこのシ
ャフト12は前記定盤６の逃げ孔６ａを通って突出し、そ
の先端部には太陽ギヤ13が固定される一方、下端部には
伝導用ギヤ14が固定されている。
【００１７】15は前記フレーム１に取り付けられた太陽
ギヤ駆動用モーターであり、その回転軸には駆動用ギヤ
16が取り付けられて前記伝導用ギヤ14に噛合している。
従って、太陽ギヤ駆動用モーター15により前記太陽ギヤ
13を回転させることができる。
ギヤ駆動用モーターであり、その回転軸には駆動用ギヤ
16が取り付けられて前記伝導用ギヤ14に噛合している。
従って、太陽ギヤ駆動用モーター15により前記太陽ギヤ
13を回転させることができる。
【００１８】17は前記フレーム１の上部に取り付けられ
たインターナルギヤであり、前記太陽ギヤ13とほぼ同一
面内でかつ軸線が一致するようにして前記定盤６の外周
部付近に設けてある。
たインターナルギヤであり、前記太陽ギヤ13とほぼ同一
面内でかつ軸線が一致するようにして前記定盤６の外周
部付近に設けてある。
【００１９】18はトップリングであり、図６に示すよう
にそのウェイトホルダー19の下面に弾性体20が取り付け
られ、外周部に外歯を有する外歯歯車21が固定され、こ
の外歯歯車21は前記太陽ギヤ13及びインターナルギヤ17
との間に噛合して所謂遊星歯車機構を構成している。従
って、太陽ギヤ13が回転するとトップリング18は自転
し、しかもインターナルギヤ17に沿って太陽ギヤ13の周
りを公転するようになっている。
にそのウェイトホルダー19の下面に弾性体20が取り付け
られ、外周部に外歯を有する外歯歯車21が固定され、こ
の外歯歯車21は前記太陽ギヤ13及びインターナルギヤ17
との間に噛合して所謂遊星歯車機構を構成している。従
って、太陽ギヤ13が回転するとトップリング18は自転
し、しかもインターナルギヤ17に沿って太陽ギヤ13の周
りを公転するようになっている。
【００２０】前記ウェイトホルダー19は流体供給路19ａ
が軸線に沿って設けられ、その上端部に開閉用の栓22を
有し、流体供給用パイプ（図示せず）を接続することに
より前記弾性体20とウェイトホルダー19との間に圧力流
体23を供給して密閉できるようにしてある。24はウェイ
トホルダー19の上部に積み重ねた複数個のウェイトであ
る。
が軸線に沿って設けられ、その上端部に開閉用の栓22を
有し、流体供給用パイプ（図示せず）を接続することに
より前記弾性体20とウェイトホルダー19との間に圧力流
体23を供給して密閉できるようにしてある。24はウェイ
トホルダー19の上部に積み重ねた複数個のウェイトであ
る。
【００２１】25はスラリー供給パイプであり、図２に示
すように前記定盤６の研磨クロス７上にスラリーを供給
できるようにしてある。26は定盤６の周縁部に取り付け
られた廃液受けであり、排出パイプ27の上部受けに臨ん
でおり、定盤６からこぼれる廃液を排出パイプ27に流し
込めるようにしてある。定盤６の中央部の逃げ孔６ａか
らこぼれた廃液は、前記ハウジング11の上部に取り付け
た廃液受け28及び排出パイプ29により排出する。
すように前記定盤６の研磨クロス７上にスラリーを供給
できるようにしてある。26は定盤６の周縁部に取り付け
られた廃液受けであり、排出パイプ27の上部受けに臨ん
でおり、定盤６からこぼれる廃液を排出パイプ27に流し
込めるようにしてある。定盤６の中央部の逃げ孔６ａか
らこぼれた廃液は、前記ハウジング11の上部に取り付け
た廃液受け28及び排出パイプ29により排出する。
【００２２】本発明に係るプラナリゼーションポリッシ
ング装置は上記のように構成され、前記定盤６の研磨ク
ロス７にデバイス面が接触するようにしてウェーハＷを
載置し、そのウェーハＷをトップリング18で押さえ付
け、所要荷重のウェイト24を負荷すると共に弾性体20と
ウェイトホルダー19との間に圧力流体23を送り込んでそ
の圧力を所定圧力に設定し、定盤６及び太陽ギヤ13を動
かし、研磨クロス７上にスラリーを供給してポリッシン
グ作業が行われる。
ング装置は上記のように構成され、前記定盤６の研磨ク
ロス７にデバイス面が接触するようにしてウェーハＷを
載置し、そのウェーハＷをトップリング18で押さえ付
け、所要荷重のウェイト24を負荷すると共に弾性体20と
ウェイトホルダー19との間に圧力流体23を送り込んでそ
の圧力を所定圧力に設定し、定盤６及び太陽ギヤ13を動
かし、研磨クロス７上にスラリーを供給してポリッシン
グ作業が行われる。
【００２３】定盤６の駆動は定盤駆動用モーター２によ
り行われ、その回転はクランクカム４に伝達され、その
クランクカム４の偏心位置に取り付けられたカムフロア
５により定盤６は自転運動を伴わない円運動をする。即
ち、定盤６自体は回転しないが定盤６の軸線が円運動を
行い、その円の半径はクランクカム４におけるカムフロ
ア５の偏心量に相当する。定盤６の中央部にはシャフト
12が貫通しているが、その周りには逃げ孔６ａが形成さ
れているので、定盤６が動く際にシャフト12にぶつかる
ことはない。
り行われ、その回転はクランクカム４に伝達され、その
クランクカム４の偏心位置に取り付けられたカムフロア
５により定盤６は自転運動を伴わない円運動をする。即
ち、定盤６自体は回転しないが定盤６の軸線が円運動を
行い、その円の半径はクランクカム４におけるカムフロ
ア５の偏心量に相当する。定盤６の中央部にはシャフト
12が貫通しているが、その周りには逃げ孔６ａが形成さ
れているので、定盤６が動く際にシャフト12にぶつかる
ことはない。
【００２４】太陽ギヤ13の駆動は太陽ギヤ駆動用モータ
ー15により行われ、その回転は駆動用ギヤ16、伝導用ギ
ヤ14を介してシャフト12に伝達され、このシャフト12に
よって太陽ギヤ13が回転される。太陽ギヤ13が回転する
と、トップリング18に設けられた外歯歯車21が回転する
と共に、インターナルギヤ17に沿って転動する。つま
り、トップリング18は自転しながらインターナルギヤ17
に沿って公転することになる。公転速度は、定盤６の円
運動の速度と比較して問題にならないくらいの低速とす
る。
ー15により行われ、その回転は駆動用ギヤ16、伝導用ギ
ヤ14を介してシャフト12に伝達され、このシャフト12に
よって太陽ギヤ13が回転される。太陽ギヤ13が回転する
と、トップリング18に設けられた外歯歯車21が回転する
と共に、インターナルギヤ17に沿って転動する。つま
り、トップリング18は自転しながらインターナルギヤ17
に沿って公転することになる。公転速度は、定盤６の円
運動の速度と比較して問題にならないくらいの低速とす
る。
【００２５】このような定盤６の自転を伴わない円運動
と、トップリング18の自転を伴う公転運動とによってウ
ェーハＷのデバイス面は研磨クロス７との擦り合いによ
ってポリッシングされる。この際、ウェーハＷを押圧す
るトップリングの接触面は内部に圧力流体23を密閉した
弾性体20で形成されているので、例えウェーハＷのデバ
イス面の平行度、平坦度が不均一であっても、ウェーハ
全面を均等に加圧することができる。従って、デバイス
面を均一にポリッシングすることが可能となる。
と、トップリング18の自転を伴う公転運動とによってウ
ェーハＷのデバイス面は研磨クロス７との擦り合いによ
ってポリッシングされる。この際、ウェーハＷを押圧す
るトップリングの接触面は内部に圧力流体23を密閉した
弾性体20で形成されているので、例えウェーハＷのデバ
イス面の平行度、平坦度が不均一であっても、ウェーハ
全面を均等に加圧することができる。従って、デバイス
面を均一にポリッシングすることが可能となる。
【００２６】研磨クロス７を貼られた定盤６は、自転運
動を伴わない円運動を行っているため、定盤６上のどの
位置においてもデバイス表面との相対速度を一定に保持
することができる。又、その相対速度を完全にコントロ
ールすることも可能である。
動を伴わない円運動を行っているため、定盤６上のどの
位置においてもデバイス表面との相対速度を一定に保持
することができる。又、その相対速度を完全にコントロ
ールすることも可能である。
【００２７】ウェーハＷはトップリング18と共に定盤６
上を自転しながら公転するので、ウェーハＷの軌跡は定
盤６上の一定の位置を移動するのではなく、定盤面の全
域に亙って移動する。このため、研磨クロス７の局部的
な偏摩耗を未然に防止し、ポリッシングがむらなく行わ
れることになる。場合によっては、トップリングを動か
さない（太陽ギヤを駆動しない）で実施することもあ
る。
上を自転しながら公転するので、ウェーハＷの軌跡は定
盤６上の一定の位置を移動するのではなく、定盤面の全
域に亙って移動する。このため、研磨クロス７の局部的
な偏摩耗を未然に防止し、ポリッシングがむらなく行わ
れることになる。場合によっては、トップリングを動か
さない（太陽ギヤを駆動しない）で実施することもあ
る。
【００２８】ポリッシング中に定盤６の周縁からこぼれ
たスラリーは、廃液受け26に流れ込むと共に排出パイプ
27に流入して外部に排出され、定盤６の逃げ孔６ａから
こぼれたスラリーは、廃液受け28及び排出パイプ29によ
って外部に排出される。
たスラリーは、廃液受け26に流れ込むと共に排出パイプ
27に流入して外部に排出され、定盤６の逃げ孔６ａから
こぼれたスラリーは、廃液受け28及び排出パイプ29によ
って外部に排出される。
【００２９】尚、前記実施例では圧力流体を密閉した弾
性体をトップリング側に設けたが、これに限定されるこ
となく定盤側に設けて実施することも可能である。即
ち、図７に示すように、定盤30の上部に凹部30ａを形成
し、その凹部30ａを弾性体31で覆うと共に凹部30ａに通
じる流体供給路32を設けて圧力流体を内部に密閉すれば
良い。この場合、弾性体31の表面には研磨クロス33を貼
付し、定盤30の下面には前記実施例と同様に偏心位置に
カムフロア34を係合させ、このカロフロア34を定盤駆動
用モーター35で回転させることにより、自転を伴わない
円運動をさせるようにしてある。
性体をトップリング側に設けたが、これに限定されるこ
となく定盤側に設けて実施することも可能である。即
ち、図７に示すように、定盤30の上部に凹部30ａを形成
し、その凹部30ａを弾性体31で覆うと共に凹部30ａに通
じる流体供給路32を設けて圧力流体を内部に密閉すれば
良い。この場合、弾性体31の表面には研磨クロス33を貼
付し、定盤30の下面には前記実施例と同様に偏心位置に
カムフロア34を係合させ、このカロフロア34を定盤駆動
用モーター35で回転させることにより、自転を伴わない
円運動をさせるようにしてある。
【００３０】一方、トップリング36は、下面にデバイス
付きウェーハ37を吸着等の手段により取り付けられるよ
うにし、そのデバイス面を前記研磨クロス33に押圧して
ポリッシング加工する。38はトップリング36に掛けたウ
ェイトであり、39は太陽ギヤ、40はインターナルギヤで
ある。この実施例の場合は、圧力流体を密閉した弾性体
が前記実施例とは上下逆になっただけであり、前記と同
様な作用・効果を期待することができる。
付きウェーハ37を吸着等の手段により取り付けられるよ
うにし、そのデバイス面を前記研磨クロス33に押圧して
ポリッシング加工する。38はトップリング36に掛けたウ
ェイトであり、39は太陽ギヤ、40はインターナルギヤで
ある。この実施例の場合は、圧力流体を密閉した弾性体
が前記実施例とは上下逆になっただけであり、前記と同
様な作用・効果を期待することができる。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明方法及び装
置によれば、ウェーハのポリッシング加工において、圧
力流体を密閉した弾性体をトップリングに設けてウェー
ハ全体を均一に押し付けて加工圧力を一定とし、かつ定
盤は自転を伴わない円運動としたので局部的に速度差が
生じることなく加工相対速度を一定に保持することがで
き、これによりデバイス面を均一にポリッシングするこ
とが可能となり、特にデバイス面の許容加工除却量の少
ないウェーハのプラナリゼーションポリッシングに適用
するとその効果は極めて顕著である。
置によれば、ウェーハのポリッシング加工において、圧
力流体を密閉した弾性体をトップリングに設けてウェー
ハ全体を均一に押し付けて加工圧力を一定とし、かつ定
盤は自転を伴わない円運動としたので局部的に速度差が
生じることなく加工相対速度を一定に保持することがで
き、これによりデバイス面を均一にポリッシングするこ
とが可能となり、特にデバイス面の許容加工除却量の少
ないウェーハのプラナリゼーションポリッシングに適用
するとその効果は極めて顕著である。
【図１】 本発明方法の原理を説明するための説明図で
ある。
ある。
【図２】 本発明に係る装置の実施例を示す要部の断面
図である。
図である。
【図３】 定盤の駆動機構を示す概略平面図である。
【図４】 図３の左側面図である。
【図５】 図３の右側面図である。
【図６】 トップリング部の拡大断面図である。
【図７】 本発明に係る装置の他の実施例を示す説明図
である。
である。
１…フレーム ２…定盤駆動用モーター ２ａ…回
転軸 ３…モーターベース ４…クランクカム
５…カムフロア ６…定盤 ６ａ…逃げ孔 ７…研磨クロス ８…カムフロアガイド ９…ベア
リング 10…ベアリング受け 11…ハウジング
12…シャフト 13…太陽ギヤ 14…伝導用ギヤ
15…太陽ギヤ駆動用モーター 16…駆動用ギヤ 17
…インターナルギヤ 18…トップリング 19…ウェ
イトホルダー 19ａ…流体供給路 20…弾性体 21…外歯歯車 22…開閉用栓 23…
圧力流体 24…ウェイト 25…スラリー供給パイプ
26…廃液受け 27…排出パイプ 28…廃液受け
29…排出パイプ 30…定盤 30ａ…凹部 31
…弾性体 32…流体供給路 33…研磨クロス 34
…カムフロア 35…定盤駆動用モーター 36…トッ
プリング 37…デバイス付きウェーハ 38…ウェイ
ト 39…太陽ギヤ 40…インターナルギヤ
転軸 ３…モーターベース ４…クランクカム
５…カムフロア ６…定盤 ６ａ…逃げ孔 ７…研磨クロス ８…カムフロアガイド ９…ベア
リング 10…ベアリング受け 11…ハウジング
12…シャフト 13…太陽ギヤ 14…伝導用ギヤ
15…太陽ギヤ駆動用モーター 16…駆動用ギヤ 17
…インターナルギヤ 18…トップリング 19…ウェ
イトホルダー 19ａ…流体供給路 20…弾性体 21…外歯歯車 22…開閉用栓 23…
圧力流体 24…ウェイト 25…スラリー供給パイプ
26…廃液受け 27…排出パイプ 28…廃液受け
29…排出パイプ 30…定盤 30ａ…凹部 31
…弾性体 32…流体供給路 33…研磨クロス 34
…カムフロア 35…定盤駆動用モーター 36…トッ
プリング 37…デバイス付きウェーハ 38…ウェイ
ト 39…太陽ギヤ 40…インターナルギヤ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１０年１０月９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００５】一般に、ポリッシングにおける加工量Ｖ
(nm) は、 Ｖ＝ｋ・ｐ・ｖ・ｔ 但し、ｋ：加工条件によって定まる定数、 ｐ：加工圧
力 (gf／cm2) ｖ：相対速度 (cm／min)、 ｔ：加工時間 (mi
n) で示されることが知られている。従って、デバイス表面
を均一にポリッシングするためには、ｐとｖを確実にコ
ントロールすれば良い。しかし、従来のポリッシングマ
シンは定盤の中心を軸にした回転運動を行うため、回転
軸付近と外周付近では速度差が生じてしまい、前述した
ように加工除去量が極めて少ないことを考慮すると大き
な問題となる。
(nm) は、 Ｖ＝ｋ・ｐ・ｖ・ｔ 但し、ｋ：加工条件によって定まる定数、 ｐ：加工圧
力 (gf／cm2) ｖ：相対速度 (cm／min)、 ｔ：加工時間 (mi
n) で示されることが知られている。従って、デバイス表面
を均一にポリッシングするためには、ｐとｖを確実にコ
ントロールすれば良い。しかし、従来のポリッシングマ
シンは定盤の中心を軸にした回転運動を行うため、回転
軸付近と外周付近では速度差が生じてしまい、前述した
ように加工除去量が極めて少ないことを考慮すると大き
な問題となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】この技術的課題を解決す
るための手段として、本発明は、半導体ウェーハのデバ
イス面の平坦化を行うプラナリゼーションポリッシング
方法において、前記ウェーハを、研磨クロスが貼られて
加工面が形成された定盤上に、前記デバイス面を接触さ
せて載置させると共に、所要荷重が負荷されたトップリ
ングで押圧し、前記定盤に自転の伴わない円運動をさせ
ると共に、前記定盤上で該定盤に対して相対的に前記ウ
ェーハを前記トップリングに伴わせて公転させること
で、前記研磨クロスと前記デバイス面を擦り合わせ、ウ
ェーハのデバイス面の平坦化を行うデバイス付きウェー
ハのプラナリゼーションポリッシング方法を要旨とする
ものである。この方法において、前記トップリングに伴
わせて前記ウェーハを前記定盤上で自転させることで、
更に均一に研磨することが可能であり、デバイス面を好
適に平坦化できる。
るための手段として、本発明は、半導体ウェーハのデバ
イス面の平坦化を行うプラナリゼーションポリッシング
方法において、前記ウェーハを、研磨クロスが貼られて
加工面が形成された定盤上に、前記デバイス面を接触さ
せて載置させると共に、所要荷重が負荷されたトップリ
ングで押圧し、前記定盤に自転の伴わない円運動をさせ
ると共に、前記定盤上で該定盤に対して相対的に前記ウ
ェーハを前記トップリングに伴わせて公転させること
で、前記研磨クロスと前記デバイス面を擦り合わせ、ウ
ェーハのデバイス面の平坦化を行うデバイス付きウェー
ハのプラナリゼーションポリッシング方法を要旨とする
ものである。この方法において、前記トップリングに伴
わせて前記ウェーハを前記定盤上で自転させることで、
更に均一に研磨することが可能であり、デバイス面を好
適に平坦化できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】又、本発明は、半導体ウェーハのデバイス
面の平坦化を行うプラナリゼーションポリッシング装置
において、研磨クロスが貼られて加工面が形成された定
盤と、該定盤上の加工面に前記デバイス面が接触されて
載置された前記ウェーハを押圧するよう、所要荷重が負
荷されるトップリングと、前記定盤に自転の伴わない円
運動をさせる定盤の運動機構と、前記定盤上で該定盤に
対して相対的に前記ウェーハを前記トップリングに伴わ
せて公転させるトップリングの運動機構とを具備するこ
とを特徴とするデバイス付きウェーハのプラナリゼーシ
ョンポリッシング装置にもある。この装置において、前
記定盤の運動機構は、前記定盤に連繋された複数のクラ
ンクカムと、該複数のクランクカムの少なくとも一つを
軸回転させることで前記定盤を自転の伴わない円運動を
させる定盤駆動用モーターとを具備することで、構成が
複雑になることなく、好適に、定盤に自転の伴わない円
運動をさせることができる。又、前記トップリングの運
動機構は、前記定盤の中央部近傍に設けた太陽ギヤと、
該太陽ギヤとほぼ同一面内で且つ軸線が一致するように
して前記定盤の外周部近傍に設けたインターナルギヤ
と、該インターナルギヤと前記太陽ギヤとの間に噛合す
る外歯歯車を有する前記トップリングと、前記太陽ギヤ
と前記インターナルギヤの少なくともどちらか一方を強
制回転する駆動源とを備えることで、前記定盤上で該定
盤に対して前記ウェーハを前記トップリングに伴わせて
好適に公転させると共に自転させることができる。又、
前記トップリングは、下面に前記ウェーハが取り付けら
れ、該ウェーハのデバイス面を前記研磨クロスに押圧す
るように構成されたことで、トップリングにウェーハを
確実に伴わせて好適に運動させることができる。
面の平坦化を行うプラナリゼーションポリッシング装置
において、研磨クロスが貼られて加工面が形成された定
盤と、該定盤上の加工面に前記デバイス面が接触されて
載置された前記ウェーハを押圧するよう、所要荷重が負
荷されるトップリングと、前記定盤に自転の伴わない円
運動をさせる定盤の運動機構と、前記定盤上で該定盤に
対して相対的に前記ウェーハを前記トップリングに伴わ
せて公転させるトップリングの運動機構とを具備するこ
とを特徴とするデバイス付きウェーハのプラナリゼーシ
ョンポリッシング装置にもある。この装置において、前
記定盤の運動機構は、前記定盤に連繋された複数のクラ
ンクカムと、該複数のクランクカムの少なくとも一つを
軸回転させることで前記定盤を自転の伴わない円運動を
させる定盤駆動用モーターとを具備することで、構成が
複雑になることなく、好適に、定盤に自転の伴わない円
運動をさせることができる。又、前記トップリングの運
動機構は、前記定盤の中央部近傍に設けた太陽ギヤと、
該太陽ギヤとほぼ同一面内で且つ軸線が一致するように
して前記定盤の外周部近傍に設けたインターナルギヤ
と、該インターナルギヤと前記太陽ギヤとの間に噛合す
る外歯歯車を有する前記トップリングと、前記太陽ギヤ
と前記インターナルギヤの少なくともどちらか一方を強
制回転する駆動源とを備えることで、前記定盤上で該定
盤に対して前記ウェーハを前記トップリングに伴わせて
好適に公転させると共に自転させることができる。又、
前記トップリングは、下面に前記ウェーハが取り付けら
れ、該ウェーハのデバイス面を前記研磨クロスに押圧す
るように構成されたことで、トップリングにウェーハを
確実に伴わせて好適に運動させることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００９】
【作用】研磨クロスの貼られた定盤は、自転運動を伴わ
ない円運動を行うため、定盤上のどの位置においてもデ
バイス表面との相対速度を一定に保つことができる。ウ
ェーハを定盤の円運動の速度と比較して問題にならない
くらいの低速で、トップリングと共に定盤上を公転させ
ることで、ウェーハの軌跡は定盤上の一定の位置を移動
するのではなく定盤の全面にわたって移動する。
ない円運動を行うため、定盤上のどの位置においてもデ
バイス表面との相対速度を一定に保つことができる。ウ
ェーハを定盤の円運動の速度と比較して問題にならない
くらいの低速で、トップリングと共に定盤上を公転させ
ることで、ウェーハの軌跡は定盤上の一定の位置を移動
するのではなく定盤の全面にわたって移動する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば、定盤に自転の伴わない
円運動をさせると共に、定盤上でその定盤に対して相対
的にウェーハをトップリングに伴わせて公転させる。こ
のため、前記定盤の自転の伴わない円運動によって、局
部的に速度差が生じることなく加工相対速度を一定に保
持することができ、薄板状であるウェーハを均一に研磨
できる。又、前記相対的な公転によって、定盤のウェー
ハの研磨に用いられる位置が順次変化するため、ウェー
ハの軌跡は定盤上の一定の位置を移動するのではなく定
盤の全面にわたって移動する。従って、ポリシャの不均
一研磨を避けることができる。即ち、ウェーハの表面に
運動軌跡の筋が付くような研磨を避けることができる。
これにより、デバイス面を好適に平坦化することが可能
となり、特にデバイス面の許容加工除去量の少ないウェ
ーハのプラナリゼーションポリッシングに適用するとそ
の効果は極めて顕著である。そして、ウェーハ研磨用の
平坦で大きな定盤の全面を、効率良く利用することがで
き、生産性を向上できるという顕著な効果を奏する。
円運動をさせると共に、定盤上でその定盤に対して相対
的にウェーハをトップリングに伴わせて公転させる。こ
のため、前記定盤の自転の伴わない円運動によって、局
部的に速度差が生じることなく加工相対速度を一定に保
持することができ、薄板状であるウェーハを均一に研磨
できる。又、前記相対的な公転によって、定盤のウェー
ハの研磨に用いられる位置が順次変化するため、ウェー
ハの軌跡は定盤上の一定の位置を移動するのではなく定
盤の全面にわたって移動する。従って、ポリシャの不均
一研磨を避けることができる。即ち、ウェーハの表面に
運動軌跡の筋が付くような研磨を避けることができる。
これにより、デバイス面を好適に平坦化することが可能
となり、特にデバイス面の許容加工除去量の少ないウェ
ーハのプラナリゼーションポリッシングに適用するとそ
の効果は極めて顕著である。そして、ウェーハ研磨用の
平坦で大きな定盤の全面を、効率良く利用することがで
き、生産性を向上できるという顕著な効果を奏する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 土肥 俊郎 埼玉県所沢市美原町３の2970の53 (72)発明者 中川 威雄 神奈川県川崎市中原区市ノ坪223−４−416 (72)発明者 河西 敏雄 埼玉県浦和市大字塚本323の37 (72)発明者 市川 浩一郎 長野県長野市松代町清野1650番地 不二越 機械工業株式会社内 (72)発明者 稲田 安雄 長野県長野市松代町清野1650番地 不二越 機械工業株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】半導体ウェーハのデバイス面の平坦化を行
うプラナリゼーションポリッシング方法において、 前記ウェーハを、研磨クロスが貼られて加工面が形成さ
れた定盤上に、前記デバイス面を接触させて載置させる
と共に、所要荷重が負荷されたトップリングで押圧し、 前記定盤に自転の伴わない円運動をさせると共に、前記
定盤上で該定盤に対して相対的に前記ウェーハを前記ト
ップリングに伴わせて公転させることで、前記研磨クロ
スと前記デバイス面を擦り合わせ、ウェーハのデバイス
面の平坦化を行うことを特徴とするデバイス付きウェー
ハのプラナリゼーションポリッシング方法。 - 【請求項２】前記トップリングに伴わせて前記ウェーハ
を前記定盤上で自転させることを特徴とする請求項１記
載のデバイス付きウェーハのプラナリゼーションポリッ
シング方法。 - 【請求項３】半導体ウェーハのデバイス面の平坦化を行
うプラナリゼーションポリッシング装置において、 研磨クロスが貼られて加工面が形成された定盤と、 該定盤上の加工面に前記デバイス面が接触されて載置さ
れた前記ウェーハを押圧するよう、所要荷重が負荷され
るトップリングと、 前記定盤に自転の伴わない円運動をさせる定盤の運動機
構と、 前記定盤上で該定盤に対して相対的に前記ウェーハを前
記トップリングに伴わせて公転させるトップリングの運
動機構とを具備することを特徴とするデバイス付きウェ
ーハのプラナリゼーションポリッシング装置。 - 【請求項４】前記定盤に連繋されたクランクカムと、 該複数のクランクカムの少なくとも一つを軸回転させる
ことで前記定盤を自転の伴わない円運動をさせる定盤駆
動用モーターとを具備することを特徴とする請求項３記
載のデバイス付きウェーハのプラナリゼーションポリッ
シング装置。 - 【請求項５】前記トップリングの運動機構は、 前記定盤の中央部近傍に設けた太陽ギヤと、 該太陽ギヤとほぼ同一面内で且つ軸線が一致するように
して前記定盤の外周部近傍に設けたインターナルギヤ
と、 該インターナルギヤと前記太陽ギヤとの間に噛合する外
歯歯車を有する前記トップリングと、 前記太陽ギヤと前記インターナルギヤの少なくともどち
らか一方を強制回転する駆動源とを備え、 前記定盤上で該定盤に対して前記ウェーハを前記トップ
リングに伴わせて公転させると共に自転させることを特
徴とする請求項３又は４記載のデバイス付きウェーハの
プラナリゼーションポリッシング装置。 - 【請求項６】前記トップリングは、下面に前記ウェーハ
が取り付けられ、該ウェーハのデバイス面を前記研磨ク
ロスに押圧するように構成されたことを特徴とする請求
項３、４又は５記載のデバイス付きウェーハのプラナリ
ゼーションポリッシング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10258410A JPH11150093A (ja) | 1991-09-13 | 1998-09-11 | デバイス付きウェーハのプラナリゼーションポリッシング方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26147291A JP3233664B2 (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | デバイス付きウェーハのプラナリゼーションポリッシング方法及びその装置 |
| JP10258410A JPH11150093A (ja) | 1991-09-13 | 1998-09-11 | デバイス付きウェーハのプラナリゼーションポリッシング方法及びその装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26147291A Division JP3233664B2 (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | デバイス付きウェーハのプラナリゼーションポリッシング方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11150093A true JPH11150093A (ja) | 1999-06-02 |
Family
ID=17362381
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26147291A Expired - Lifetime JP3233664B2 (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | デバイス付きウェーハのプラナリゼーションポリッシング方法及びその装置 |
| JP10258410A Pending JPH11150093A (ja) | 1991-09-13 | 1998-09-11 | デバイス付きウェーハのプラナリゼーションポリッシング方法及びその装置 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26147291A Expired - Lifetime JP3233664B2 (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | デバイス付きウェーハのプラナリゼーションポリッシング方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JP3233664B2 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5434107A (en) * | 1994-01-28 | 1995-07-18 | Texas Instruments Incorporated | Method for planarization |
| JPH09225819A (ja) * | 1996-02-21 | 1997-09-02 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 被加工物の保持機構 |
| JP3552845B2 (ja) * | 1996-04-25 | 2004-08-11 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置の製造方法 |
| DE69719847T2 (de) * | 1996-05-16 | 2004-02-05 | Ebara Corp. | Verfahren und Vorrichtung zum Polieren von Werkstücken |
| JP2000315665A (ja) | 1999-04-29 | 2000-11-14 | Ebara Corp | 研磨方法及び装置 |
| JP3560051B2 (ja) * | 1996-11-15 | 2004-09-02 | 株式会社荏原製作所 | 基板の研磨方法及び装置 |
| US6413156B1 (en) | 1996-05-16 | 2002-07-02 | Ebara Corporation | Method and apparatus for polishing workpiece |
| US6183354B1 (en) | 1996-11-08 | 2001-02-06 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a flexible membrane for a chemical mechanical polishing system |
| JP3027551B2 (ja) * | 1997-07-03 | 2000-04-04 | キヤノン株式会社 | 基板保持装置ならびに該基板保持装置を用いた研磨方法および研磨装置 |
| SG82058A1 (en) * | 1998-12-30 | 2001-07-24 | Applied Materials Inc | Carrier head with controllable pressure and loading area for chemical mechanical polishing |
| US6354922B1 (en) | 1999-08-20 | 2002-03-12 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
| US6358128B1 (en) | 1999-03-05 | 2002-03-19 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
| JP4137819B2 (ja) | 2004-03-04 | 2008-08-20 | ファナック株式会社 | 冷却機構を備えた工作機械 |
| CN101827685A (zh) * | 2007-11-20 | 2010-09-08 | 信越半导体股份有限公司 | 研磨头及研磨装置 |
| JP7117832B2 (ja) * | 2017-07-24 | 2022-08-15 | 京セラインダストリアルツールズ株式会社 | ポリッシャ |
-
1991
- 1991-09-13 JP JP26147291A patent/JP3233664B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-09-11 JP JP10258410A patent/JPH11150093A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3233664B2 (ja) | 2001-11-26 |
| JPH0574749A (ja) | 1993-03-26 |
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