JPH11144912A - 半導体チタン酸バリウム膜の成膜方法およびｐｔｃ薄膜層からなるヒーターミラーへの応用と製造方法 - Google Patents
半導体チタン酸バリウム膜の成膜方法およびｐｔｃ薄膜層からなるヒーターミラーへの応用と製造方法Info
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- JPH11144912A JPH11144912A JP9322143A JP32214397A JPH11144912A JP H11144912 A JPH11144912 A JP H11144912A JP 9322143 A JP9322143 A JP 9322143A JP 32214397 A JP32214397 A JP 32214397A JP H11144912 A JPH11144912 A JP H11144912A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板上に半導体チタン酸バリウム膜を低い温
度で焼結できるようにして、使用可能な基板材料の制約
を緩和する。 【解決手段】 予め１２５０〜１４００℃で焼結させた
半導体チタン酸バリウム焼結体粒子とチタン酸バリウム
を生成する原料成分を含むゾル溶液とを混合した混合液
２７を基板１２に塗布する。基板１２を６００〜８００
℃で必要時間熱処理して半導体チタン酸バリウム膜１６
を成膜する。
度で焼結できるようにして、使用可能な基板材料の制約
を緩和する。 【解決手段】 予め１２５０〜１４００℃で焼結させた
半導体チタン酸バリウム焼結体粒子とチタン酸バリウム
を生成する原料成分を含むゾル溶液とを混合した混合液
２７を基板１２に塗布する。基板１２を６００〜８００
℃で必要時間熱処理して半導体チタン酸バリウム膜１６
を成膜する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体チタン酸
バリウム膜を基板上に成膜する方法に関し、低い熱処理
温度で基板上に半導体チタン酸バリウム膜を焼結できる
ようにして、使用可能な基板材料の制約を緩和したもの
である。また、この発明はこの成膜方法を利用してＰＴ
Ｃヒーター付きのミラーを製造する方法およびこの方法
を利用して作ることができるＰＴＣヒーターミラーに関
する。
バリウム膜を基板上に成膜する方法に関し、低い熱処理
温度で基板上に半導体チタン酸バリウム膜を焼結できる
ようにして、使用可能な基板材料の制約を緩和したもの
である。また、この発明はこの成膜方法を利用してＰＴ
Ｃヒーター付きのミラーを製造する方法およびこの方法
を利用して作ることができるＰＴＣヒーターミラーに関
する。
【０００２】
【従来の技術】半導体チタン酸バリウム（ＢａＴｉ
Ｏ3 ）はＰＴＣサーミスタ（正特性サーミスタ）として
温度センサや面ヒーターとして利用されている。ＰＴＣ
サーミスタの構造として、基板上に半導体チタン酸バリ
ウム膜を成膜した膜形ＰＴＣサーミスタが例えば特公昭
５３−２９３６６号に公報に記載されている。
Ｏ3 ）はＰＴＣサーミスタ（正特性サーミスタ）として
温度センサや面ヒーターとして利用されている。ＰＴＣ
サーミスタの構造として、基板上に半導体チタン酸バリ
ウム膜を成膜した膜形ＰＴＣサーミスタが例えば特公昭
５３−２９３６６号に公報に記載されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】膜形ＰＴＣサーミスタ
は、基板上に半導体チタン酸バリウム原料成分を塗布
し、これを熱処理（焼成）して、半導体チタン酸バリウ
ム膜を焼結させることにより作られる。ところが、半導
体チタン酸バリウムの焼結温度は高い（１２５０〜１４
００℃）ため、溶融温度が低い材料は基板として用いる
ことができなかった。また、アルミナ等の基板を用いる
と、熱処理の際に基板と半導体チタン酸バリウムとが化
学反応を起こし、所望のＰＴＣ特性が得られなかった。
このため、特公昭５３−２９３６６号公報に記載のもの
では、基板を絶縁体チタン酸バリウム系セラミックスで
構成することにより、化学反応を防止していた。このよ
うに、従来の膜形ＰＴＣサーミスタでは、熱処理の温度
が高いため、使用できる基板材料が限られ、ガラス基板
等を使用することができなかった。
は、基板上に半導体チタン酸バリウム原料成分を塗布
し、これを熱処理（焼成）して、半導体チタン酸バリウ
ム膜を焼結させることにより作られる。ところが、半導
体チタン酸バリウムの焼結温度は高い（１２５０〜１４
００℃）ため、溶融温度が低い材料は基板として用いる
ことができなかった。また、アルミナ等の基板を用いる
と、熱処理の際に基板と半導体チタン酸バリウムとが化
学反応を起こし、所望のＰＴＣ特性が得られなかった。
このため、特公昭５３−２９３６６号公報に記載のもの
では、基板を絶縁体チタン酸バリウム系セラミックスで
構成することにより、化学反応を防止していた。このよ
うに、従来の膜形ＰＴＣサーミスタでは、熱処理の温度
が高いため、使用できる基板材料が限られ、ガラス基板
等を使用することができなかった。
【０００４】この発明は、前記従来の技術における問題
点を解決して、低い熱処理温度で基板上に半導体チタン
酸バリウム膜を焼結できるようにして、使用可能な基板
材料の制約を緩和した半導体チタン酸バリウム膜の成膜
方法およびＰＴＣヒーターミラーの製造方法およびこの
製造方法を利用して作ることができるＰＴＣヒーターミ
ラーを提供しようとするものである。
点を解決して、低い熱処理温度で基板上に半導体チタン
酸バリウム膜を焼結できるようにして、使用可能な基板
材料の制約を緩和した半導体チタン酸バリウム膜の成膜
方法およびＰＴＣヒーターミラーの製造方法およびこの
製造方法を利用して作ることができるＰＴＣヒーターミ
ラーを提供しようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明の半導体チタン
酸バリウム膜の成膜方法は、ＰＴＣ特性を示す粒径を有
する半導体チタン酸バリウム焼結体粒子とチタン酸バリ
ウム原料成分を含むゾル溶液とを混合した液を基板に塗
布して乾燥し、該基板を６００〜８００℃で熱処理して
チタン酸バリウム微粒子を析出させて、前記基板の表面
に、前記半導体チタン酸バリウム焼結体粒子相互間に前
記チタン酸バリウム微粒子を介在させて該半導体チタン
酸バリウム焼結体粒子を相互につないだものである。チ
タン酸バリウム微粒子は絶縁体であるが、半導体チタン
酸バリウム焼結体粒子相互間の距離は十分短いので導通
し、成膜された半導体チタン酸バリウム膜はＰＴＣ特性
を示す。
酸バリウム膜の成膜方法は、ＰＴＣ特性を示す粒径を有
する半導体チタン酸バリウム焼結体粒子とチタン酸バリ
ウム原料成分を含むゾル溶液とを混合した液を基板に塗
布して乾燥し、該基板を６００〜８００℃で熱処理して
チタン酸バリウム微粒子を析出させて、前記基板の表面
に、前記半導体チタン酸バリウム焼結体粒子相互間に前
記チタン酸バリウム微粒子を介在させて該半導体チタン
酸バリウム焼結体粒子を相互につないだものである。チ
タン酸バリウム微粒子は絶縁体であるが、半導体チタン
酸バリウム焼結体粒子相互間の距離は十分短いので導通
し、成膜された半導体チタン酸バリウム膜はＰＴＣ特性
を示す。
【０００６】半導体チタン酸バリウムの焼結には１２５
０〜１４００℃もの高温での熱処理が必要であるが、こ
の発明によれば、予め高温で熱処理して半導体化してい
る半導体チタン酸バリウム焼結体粒子を用いるので、ゾ
ル溶液を基板に塗布した後の熱処理は、チタン酸バリウ
ム微粒子が析出して半導体チタン酸バリウム焼結体粒子
相互間をつないで膜構造を保持する６００〜８００℃程
度の低い温度ですむ。したがって、使用可能な基板材料
の制約が緩和され、ガラス基板を用いることが可能とな
る。特に、透明ガラス基板を用いれば、基板の裏面に反
射膜を成膜し、反射膜の表面に半導体チタン酸バリウム
膜を成膜するミラー構造を実現できる。
０〜１４００℃もの高温での熱処理が必要であるが、こ
の発明によれば、予め高温で熱処理して半導体化してい
る半導体チタン酸バリウム焼結体粒子を用いるので、ゾ
ル溶液を基板に塗布した後の熱処理は、チタン酸バリウ
ム微粒子が析出して半導体チタン酸バリウム焼結体粒子
相互間をつないで膜構造を保持する６００〜８００℃程
度の低い温度ですむ。したがって、使用可能な基板材料
の制約が緩和され、ガラス基板を用いることが可能とな
る。特に、透明ガラス基板を用いれば、基板の裏面に反
射膜を成膜し、反射膜の表面に半導体チタン酸バリウム
膜を成膜するミラー構造を実現できる。
【０００７】なお、半導体チタン酸バリウム焼結体粒子
とチタン酸バリウム原料成分を含むゾル溶液とを混合し
た液に、シリカコロイドまたはガラス化成分を添加する
ことにより、半導体チタン酸バリウム焼結体粒子相互間
にチタン酸バリウム微粒子とともにシリカコロイド粒子
またはガラス化成分粒子が介在し、生成される半導体チ
タン酸バリウム膜の膜強度を向上させることができる。
とチタン酸バリウム原料成分を含むゾル溶液とを混合し
た液に、シリカコロイドまたはガラス化成分を添加する
ことにより、半導体チタン酸バリウム焼結体粒子相互間
にチタン酸バリウム微粒子とともにシリカコロイド粒子
またはガラス化成分粒子が介在し、生成される半導体チ
タン酸バリウム膜の膜強度を向上させることができる。
【０００８】また、この発明のＰＴＣヒーターミラーの
製造方法は、透明ガラス基板の裏面に反射膜を成膜し、
ＰＴＣ特性を示す粒径を有する半導体チタン酸バリウム
焼結体粒子とチタン酸バリウム原料成分を含むゾル溶液
とを混合した液を該反射膜の表面に塗布して乾燥し、該
基板を６００〜８００℃で熱処理してチタン酸バリウム
微粒子を析出させて、前記反射膜の表面に、前記半導体
チタン酸バリウム焼結体粒子相互間に前記チタン酸バリ
ウム微粒子を介在させて該半導体チタン酸バリウム焼結
体粒子を相互につないだ、全体としてＰＴＣ特性を示す
半導体チタン酸バリウム膜を固定形成し、該半導体チタ
ン酸バリウム膜の表面に正負両電極を成膜し、これら正
負両電極からそれぞれリード線を外部に引き出し、前記
半導体チタン酸バリウム膜および前記正負両電極を覆う
ように前記基板の裏面に絶縁性保護膜を被覆してなるも
のである。この製造方法によれば、透明ガラス基板の裏
面に反射膜を成膜したＰＴＣヒーターミラーを作ること
ができる。
製造方法は、透明ガラス基板の裏面に反射膜を成膜し、
ＰＴＣ特性を示す粒径を有する半導体チタン酸バリウム
焼結体粒子とチタン酸バリウム原料成分を含むゾル溶液
とを混合した液を該反射膜の表面に塗布して乾燥し、該
基板を６００〜８００℃で熱処理してチタン酸バリウム
微粒子を析出させて、前記反射膜の表面に、前記半導体
チタン酸バリウム焼結体粒子相互間に前記チタン酸バリ
ウム微粒子を介在させて該半導体チタン酸バリウム焼結
体粒子を相互につないだ、全体としてＰＴＣ特性を示す
半導体チタン酸バリウム膜を固定形成し、該半導体チタ
ン酸バリウム膜の表面に正負両電極を成膜し、これら正
負両電極からそれぞれリード線を外部に引き出し、前記
半導体チタン酸バリウム膜および前記正負両電極を覆う
ように前記基板の裏面に絶縁性保護膜を被覆してなるも
のである。この製造方法によれば、透明ガラス基板の裏
面に反射膜を成膜したＰＴＣヒーターミラーを作ること
ができる。
【０００９】また、この発明のＰＴＣヒーターミラーの
別の製造方法は、ＰＴＣ特性を示す粒径を有する半導体
チタン酸バリウム焼結体粒子とチタン酸バリウム原料成
分を含むゾル溶液とを混合した液を基板に塗布して乾燥
し、該基板を６００〜８００℃で熱処理してチタン酸バ
リウム微粒子を析出させて、前記基板の表面に、前記半
導体チタン酸バリウム焼結体粒子相互間に前記チタン酸
バリウム微粒子を介在させて該半導体チタン酸バリウム
焼結体粒子を相互につないだ、全体としてＰＴＣ特性を
示す半導体チタン酸バリウム膜を固定形成し、該半導体
チタン酸バリウム膜の表面に正負両電極を成膜し、これ
ら正負両電極からそれぞれリード線を外部に引き出し、
前記半導体チタン酸バリウム膜および前記正負両電極を
覆うように前記基板の裏面に絶縁性保護膜を被覆し、該
基板のおもて面に適宜の時点で反射膜を成膜してなるも
のである。この製造方法によれば、ガラス基板のおもて
面に反射膜を成膜したＰＴＣヒーターミラーを作ること
ができる。
別の製造方法は、ＰＴＣ特性を示す粒径を有する半導体
チタン酸バリウム焼結体粒子とチタン酸バリウム原料成
分を含むゾル溶液とを混合した液を基板に塗布して乾燥
し、該基板を６００〜８００℃で熱処理してチタン酸バ
リウム微粒子を析出させて、前記基板の表面に、前記半
導体チタン酸バリウム焼結体粒子相互間に前記チタン酸
バリウム微粒子を介在させて該半導体チタン酸バリウム
焼結体粒子を相互につないだ、全体としてＰＴＣ特性を
示す半導体チタン酸バリウム膜を固定形成し、該半導体
チタン酸バリウム膜の表面に正負両電極を成膜し、これ
ら正負両電極からそれぞれリード線を外部に引き出し、
前記半導体チタン酸バリウム膜および前記正負両電極を
覆うように前記基板の裏面に絶縁性保護膜を被覆し、該
基板のおもて面に適宜の時点で反射膜を成膜してなるも
のである。この製造方法によれば、ガラス基板のおもて
面に反射膜を成膜したＰＴＣヒーターミラーを作ること
ができる。
【００１０】また、この発明のＰＴＣヒーターミラー
は、透明ガラス基板の裏面に反射膜を固定形成し、該反
射膜の表面に、ＰＴＣ特性を示す粒径を有する半導体チ
タン酸バリウム焼結体粒子相互間にチタン酸バリウム微
粒子を介在させて該半導体チタン酸バリウム焼結体粒子
を相互につないだ、全体としてＰＴＣ特性を示す半導体
チタン酸バリウム膜を固定形成し、該半導体チタン酸バ
リウム膜の表面に正負両電極を固定形成し、これら正負
両電極からそれぞれリード線を外部に引き出し、前記半
導体チタン酸バリウム膜および前記正負両電極を覆うよ
うに前記基板の裏面に絶縁性保護膜を被覆してなるもの
である。
は、透明ガラス基板の裏面に反射膜を固定形成し、該反
射膜の表面に、ＰＴＣ特性を示す粒径を有する半導体チ
タン酸バリウム焼結体粒子相互間にチタン酸バリウム微
粒子を介在させて該半導体チタン酸バリウム焼結体粒子
を相互につないだ、全体としてＰＴＣ特性を示す半導体
チタン酸バリウム膜を固定形成し、該半導体チタン酸バ
リウム膜の表面に正負両電極を固定形成し、これら正負
両電極からそれぞれリード線を外部に引き出し、前記半
導体チタン酸バリウム膜および前記正負両電極を覆うよ
うに前記基板の裏面に絶縁性保護膜を被覆してなるもの
である。
【００１１】また、この発明の別のＰＴＣヒーターミラ
ーは、ガラス基板の裏面に、ＰＴＣ特性を示す粒径を有
する半導体チタン酸バリウム焼結体粒子相互間にチタン
酸バリウム微粒子を介在させて該半導体チタン酸バリウ
ム焼結体粒子を相互につないだ、全体としてＰＴＣ特性
を示す半導体チタン酸バリウム膜を固定形成し、該半導
体チタン酸バリウム膜の表面に正負両電極を固定形成
し、これら正負両電極からそれぞれリード線を外部に引
き出し、前記半導体チタン酸バリウム膜および前記正負
両電極を覆うように前記基板の裏面に絶縁性保護膜を被
覆し、該基板のおもて面に反射膜を固定形成してなるも
のである。
ーは、ガラス基板の裏面に、ＰＴＣ特性を示す粒径を有
する半導体チタン酸バリウム焼結体粒子相互間にチタン
酸バリウム微粒子を介在させて該半導体チタン酸バリウ
ム焼結体粒子を相互につないだ、全体としてＰＴＣ特性
を示す半導体チタン酸バリウム膜を固定形成し、該半導
体チタン酸バリウム膜の表面に正負両電極を固定形成
し、これら正負両電極からそれぞれリード線を外部に引
き出し、前記半導体チタン酸バリウム膜および前記正負
両電極を覆うように前記基板の裏面に絶縁性保護膜を被
覆し、該基板のおもて面に反射膜を固定形成してなるも
のである。
【００１２】この発明のＰＴＣヒーターミラーによれ
ば、ガラス基板を用いたので、絶縁体チタン酸バリウム
系セラミックス基板を使用する場合に比べて安価に構成
でき、しかも表面鏡（基板のおもて面に反射膜が成膜さ
れているミラー）、裏面鏡（基板の裏面に反射膜が成膜
されているミラー）のいずれも実現することができる。
ば、ガラス基板を用いたので、絶縁体チタン酸バリウム
系セラミックス基板を使用する場合に比べて安価に構成
でき、しかも表面鏡（基板のおもて面に反射膜が成膜さ
れているミラー）、裏面鏡（基板の裏面に反射膜が成膜
されているミラー）のいずれも実現することができる。
【００１３】なお、半導体チタン酸バリウム膜を基板裏
面の外周縁よりも内側の範囲内に固定形成することによ
り、絶縁性保護膜で半導体チタン酸バリウム膜および正
負両電極を確実に被覆して漏電を防止することができ
る。
面の外周縁よりも内側の範囲内に固定形成することによ
り、絶縁性保護膜で半導体チタン酸バリウム膜および正
負両電極を確実に被覆して漏電を防止することができ
る。
【００１４】
【発明の実施の形態】この発明の実施の形態を以下説明
する。図２はこの発明によるＰＴＣヒーターミラーを示
す。ＰＴＣヒーターミラー１０は耐熱が熱処理温度より
高い透明ガラスで構成された１〜５mmの厚さの基板１２
の裏面１２ａの全面に、Ｃｒ，Ａｇ，Ａｌ等の金属ある
いはＮｉ−Ｃｒ等の合金を反射性能を満たす任意の厚さ
（例えば０．０８〜０．７μｍ）に成膜して、反射膜１
４を固定形成している。反射膜１４の表面には、基板裏
面１２ａの外周縁１２ｃよりも内側の範囲内に半導体チ
タン酸バリウム膜１６が０．１〜１mm程度の厚さに固定
形成されている。
する。図２はこの発明によるＰＴＣヒーターミラーを示
す。ＰＴＣヒーターミラー１０は耐熱が熱処理温度より
高い透明ガラスで構成された１〜５mmの厚さの基板１２
の裏面１２ａの全面に、Ｃｒ，Ａｇ，Ａｌ等の金属ある
いはＮｉ−Ｃｒ等の合金を反射性能を満たす任意の厚さ
（例えば０．０８〜０．７μｍ）に成膜して、反射膜１
４を固定形成している。反射膜１４の表面には、基板裏
面１２ａの外周縁１２ｃよりも内側の範囲内に半導体チ
タン酸バリウム膜１６が０．１〜１mm程度の厚さに固定
形成されている。
【００１５】半導体チタン酸バリウム膜１６の表面に
は、該膜１６の範囲内に、正負両電極（一体化して図示
している。）１８が任意の厚さでくし歯状等に対向配置
して固定形成されている。正負両電極１８からはリード
線２０，２２が外部に引き出されている。基板１２の裏
面１２ａには、半導体チタン酸バリウム膜１６および正
負両電極１８、リード線２０，２２の接続端子等導電部
分全体を覆うように、絶縁性保護膜２４が任意の厚さで
被覆されている。基板１２のおもて面１２ｂには、必要
に応じて保護膜、撥水膜、親水膜等の透明コーティング
膜２６が任意の厚さで被覆される。
は、該膜１６の範囲内に、正負両電極（一体化して図示
している。）１８が任意の厚さでくし歯状等に対向配置
して固定形成されている。正負両電極１８からはリード
線２０，２２が外部に引き出されている。基板１２の裏
面１２ａには、半導体チタン酸バリウム膜１６および正
負両電極１８、リード線２０，２２の接続端子等導電部
分全体を覆うように、絶縁性保護膜２４が任意の厚さで
被覆されている。基板１２のおもて面１２ｂには、必要
に応じて保護膜、撥水膜、親水膜等の透明コーティング
膜２６が任意の厚さで被覆される。
【００１６】図２のＰＴＣヒーターミラー１０の製造方
法の一例を図１を参照して説明する。基板裏面１２ａに
は、予め反射膜１４を成膜しておく。初めに、半導体チ
タン酸バリウム焼結体粒子と半導体チタン酸バリウム原
料成分を含むゾル溶液を用意する（Ｓ１，Ｓ２）。半導
体チタン酸バリウム焼結体粒子は、例えば、チタン酸バ
リウムを生成するための原料成分とチタン酸バリウムの
Ｂａの一部を置換してチタン酸バリウムを半導体化する
Ｌａ，Ｙ等の元素のほか、チタン酸バリウムのＢａの一
部を置換してキュリー温度を所望の値に移動させるＳ
ｒ，Ｐｂ等の元素、焼結助成剤であるＡｌ2 Ｏ3 ，Ｔｉ
Ｏ2 ，ＳｉＯ2 、抵抗急変量増加剤であるＭｎ等を混合
した半導体チタン酸バリウム原料成分を含むゾル溶液を
室温で乾燥し、１２５０〜１４００℃で熱処理して半導
体チタン酸バリウムを焼結させ、これをＰＴＣ特性を示
す最小の粒径よりも大きな粒子に粒砕することにより得
られる。
法の一例を図１を参照して説明する。基板裏面１２ａに
は、予め反射膜１４を成膜しておく。初めに、半導体チ
タン酸バリウム焼結体粒子と半導体チタン酸バリウム原
料成分を含むゾル溶液を用意する（Ｓ１，Ｓ２）。半導
体チタン酸バリウム焼結体粒子は、例えば、チタン酸バ
リウムを生成するための原料成分とチタン酸バリウムの
Ｂａの一部を置換してチタン酸バリウムを半導体化する
Ｌａ，Ｙ等の元素のほか、チタン酸バリウムのＢａの一
部を置換してキュリー温度を所望の値に移動させるＳ
ｒ，Ｐｂ等の元素、焼結助成剤であるＡｌ2 Ｏ3 ，Ｔｉ
Ｏ2 ，ＳｉＯ2 、抵抗急変量増加剤であるＭｎ等を混合
した半導体チタン酸バリウム原料成分を含むゾル溶液を
室温で乾燥し、１２５０〜１４００℃で熱処理して半導
体チタン酸バリウムを焼結させ、これをＰＴＣ特性を示
す最小の粒径よりも大きな粒子に粒砕することにより得
られる。
【００１７】一方、半導体チタン酸バリウム原料成分を
含むゾル溶液は、チタン酸バリウムを生成するための原
料成分と、チタン酸バリウムのＢａの一部を置換してチ
タン酸バリウムを半導体化するＬａ，Ｙ等の元素のほ
か、チタン酸バリウムＢａの一部を置換してキュリー温
度を所望の値に移動させるＳｒ，Ｐｂ等の元素、焼結助
成剤であるＡｌ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，ＳｉＯ2 、抵抗急変
量増加剤であるＭｎ等を混合して溶液中に分散させるこ
とにより得られる。
含むゾル溶液は、チタン酸バリウムを生成するための原
料成分と、チタン酸バリウムのＢａの一部を置換してチ
タン酸バリウムを半導体化するＬａ，Ｙ等の元素のほ
か、チタン酸バリウムＢａの一部を置換してキュリー温
度を所望の値に移動させるＳｒ，Ｐｂ等の元素、焼結助
成剤であるＡｌ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，ＳｉＯ2 、抵抗急変
量増加剤であるＭｎ等を混合して溶液中に分散させるこ
とにより得られる。
【００１８】半導体チタン酸バリウム焼結体粒子と、半
導体チタン酸バリウムを生成するための原料成分を含む
ゾル溶液を混合する（Ｓ３）。このとき、膜強度を向上
させるためのシリカコロイド液やガラス化成分を添加す
ることもできる。
導体チタン酸バリウムを生成するための原料成分を含む
ゾル溶液を混合する（Ｓ３）。このとき、膜強度を向上
させるためのシリカコロイド液やガラス化成分を添加す
ることもできる。
【００１９】基板１２の裏面１２ａの反射膜１４の表面
に上記混合液を塗布する（Ｓ４）。この塗布は、印刷
法、スプレーコート法、ロールコート法等各種方法を用
いて行うことができる。なお、ゾル溶液は基板１２の外
周縁１２ｃよりも内側の範囲内に（すなわち、所定幅ｄ
の外周縁部１２ｄを残して）塗布する（あるいは、半導
体チタン酸バリウム膜を全面に成膜後、その外周縁部を
所定幅ｄで研削除去することもできる。）。
に上記混合液を塗布する（Ｓ４）。この塗布は、印刷
法、スプレーコート法、ロールコート法等各種方法を用
いて行うことができる。なお、ゾル溶液は基板１２の外
周縁１２ｃよりも内側の範囲内に（すなわち、所定幅ｄ
の外周縁部１２ｄを残して）塗布する（あるいは、半導
体チタン酸バリウム膜を全面に成膜後、その外周縁部を
所定幅ｄで研削除去することもできる。）。
【００２０】塗布した混合液２７を室温で乾燥させて
（Ｓ５）、６００〜８００℃で必要時間（例えば１時間
程度）熱処理する（Ｓ６）。このとき、半導体チタン酸
バリウム焼結体粒子２８は予め１２５０〜１４００℃で
熱処理されて半導体しているので、ここでの熱処理は、
チタン酸バリウム微粒子３０が析出（結晶化）する６０
０〜８００℃ですむ。この熱処理により、反射膜１４の
表面に半導体チタン酸バリウム膜１６が成膜される。
（Ｓ５）、６００〜８００℃で必要時間（例えば１時間
程度）熱処理する（Ｓ６）。このとき、半導体チタン酸
バリウム焼結体粒子２８は予め１２５０〜１４００℃で
熱処理されて半導体しているので、ここでの熱処理は、
チタン酸バリウム微粒子３０が析出（結晶化）する６０
０〜８００℃ですむ。この熱処理により、反射膜１４の
表面に半導体チタン酸バリウム膜１６が成膜される。
【００２１】反射膜１４の表面に半導体チタン酸バリウ
ム膜１６が成膜された状態を図３に示す。半導体チタン
酸バリウム膜１６は、半導体チタン酸バリウム焼結体粒
子２８相互間にチタン酸バリウム微粒子もしくはシリカ
コロイド粒子（またはガラス化成分粒子）３０が介在す
る。半導体チタン酸バリウム焼結体粒子２８の粒径は１
μｍより大きく、チタン酸バリウム微粒子３０の粒径は
０．９μｍより小さい。半導体チタン酸バリウム焼結体
粒子２８をチタン酸バリウム微粒子とシリカコロイド粒
子（またはガラス化成分粒子）３０で支えることで、半
導体チタン酸バリウム焼結体粒子２８相互間にネットワ
ークが生まれ、膜状態が保持される。特に、シリカコロ
イド粒子（またはガラス化成分粒子）３０を介在させる
ことで膜強度が向上する。
ム膜１６が成膜された状態を図３に示す。半導体チタン
酸バリウム膜１６は、半導体チタン酸バリウム焼結体粒
子２８相互間にチタン酸バリウム微粒子もしくはシリカ
コロイド粒子（またはガラス化成分粒子）３０が介在す
る。半導体チタン酸バリウム焼結体粒子２８の粒径は１
μｍより大きく、チタン酸バリウム微粒子３０の粒径は
０．９μｍより小さい。半導体チタン酸バリウム焼結体
粒子２８をチタン酸バリウム微粒子とシリカコロイド粒
子（またはガラス化成分粒子）３０で支えることで、半
導体チタン酸バリウム焼結体粒子２８相互間にネットワ
ークが生まれ、膜状態が保持される。特に、シリカコロ
イド粒子（またはガラス化成分粒子）３０を介在させる
ことで膜強度が向上する。
【００２２】チタン酸バリウム微粒子３０は６００〜８
００℃での熱処理では半導体化しない（絶縁体のままで
ある）が、半導体チタン酸バリウム焼結体粒子２８どう
しの間の距離は十分短いので導通し、成膜された半導体
チタン酸バリウム膜１６はＰＴＣ特性を示す。
００℃での熱処理では半導体化しない（絶縁体のままで
ある）が、半導体チタン酸バリウム焼結体粒子２８どう
しの間の距離は十分短いので導通し、成膜された半導体
チタン酸バリウム膜１６はＰＴＣ特性を示す。
【００２３】半導体チタン酸バリウム膜１６の表面に正
負両電極１８を任意の厚さに成膜する（Ｓ７）。正負両
電極１８の端子にリード２０，２２を接続する（Ｓ
８）。基板裏面１２ａ全体を絶縁性保護膜２４で被覆す
る（Ｓ９）。必要に応じて、基板おもて面１２ｂに保護
膜、撥水膜、親水膜等の透明コーティング膜２６を被覆
して完成する。
負両電極１８を任意の厚さに成膜する（Ｓ７）。正負両
電極１８の端子にリード２０，２２を接続する（Ｓ
８）。基板裏面１２ａ全体を絶縁性保護膜２４で被覆す
る（Ｓ９）。必要に応じて、基板おもて面１２ｂに保護
膜、撥水膜、親水膜等の透明コーティング膜２６を被覆
して完成する。
【００２４】この発明によるＰＴＣヒーターミラーの別
の構成例を図４に示す。前記図２のＰＴＣヒーターミラ
ー１０と共通する部分には、同一の符号を用いる。この
ＰＴＣヒーターミラー３２は、耐熱が熱処理温度より高
いガラス等で構成された１〜５mmの厚さの基板１２のお
もて面１２ｂに、Ｃｒ，Ａｇ，Ａｌ等の金属あるいはＮ
ｉ−Ｃｒ等の合金を反射性能を満たす任意の厚さ（例え
ば０．０８〜０．７μｍ）に成膜して、反射膜１４を固
定形成している。反射膜１４の表面には、必要に応じ
て、保護膜、撥水膜、親水膜等の透明コーティング膜２
６が被覆される。
の構成例を図４に示す。前記図２のＰＴＣヒーターミラ
ー１０と共通する部分には、同一の符号を用いる。この
ＰＴＣヒーターミラー３２は、耐熱が熱処理温度より高
いガラス等で構成された１〜５mmの厚さの基板１２のお
もて面１２ｂに、Ｃｒ，Ａｇ，Ａｌ等の金属あるいはＮ
ｉ−Ｃｒ等の合金を反射性能を満たす任意の厚さ（例え
ば０．０８〜０．７μｍ）に成膜して、反射膜１４を固
定形成している。反射膜１４の表面には、必要に応じ
て、保護膜、撥水膜、親水膜等の透明コーティング膜２
６が被覆される。
【００２５】基板１２の裏面１２ａの外周縁１２ｃより
も内側の範囲内には、半導体チタン酸バリウム膜１６が
０．１〜１mm程度の厚さに固定形成されている。半導体
チタン酸バリウム膜１６の表面には、該膜１６の範囲内
に、正負両電極１８が任意の厚さでくし歯状等に対向配
置して固定形成している。正負両電極１８からはリード
線２０，２２が外部に引き出されている。基板１２の裏
面１２ａには、半導体チタン酸バリウム膜１６および正
負両電極１８、リード線２０，２２の接続端子等導電部
分全体を覆うように、絶縁性保護膜２４が任意の厚さで
被覆されている。このＰＴＣヒーターミラー３２は例え
ば前記図１と同様の手順で製造することができる。ただ
し、反射膜１４の成膜は、熱処理による酸化を防ぐた
め、熱処理工程（図１の工程Ｓ６）よりも後で行うのが
望ましい。
も内側の範囲内には、半導体チタン酸バリウム膜１６が
０．１〜１mm程度の厚さに固定形成されている。半導体
チタン酸バリウム膜１６の表面には、該膜１６の範囲内
に、正負両電極１８が任意の厚さでくし歯状等に対向配
置して固定形成している。正負両電極１８からはリード
線２０，２２が外部に引き出されている。基板１２の裏
面１２ａには、半導体チタン酸バリウム膜１６および正
負両電極１８、リード線２０，２２の接続端子等導電部
分全体を覆うように、絶縁性保護膜２４が任意の厚さで
被覆されている。このＰＴＣヒーターミラー３２は例え
ば前記図１と同様の手順で製造することができる。ただ
し、反射膜１４の成膜は、熱処理による酸化を防ぐた
め、熱処理工程（図１の工程Ｓ６）よりも後で行うのが
望ましい。
【００２６】尚、図２、図３の構成において、絶縁性保
護膜２４は図５、図６に示すように、基板１２の外周面
１２ｅ全体を覆うように被覆することができる。
護膜２４は図５、図６に示すように、基板１２の外周面
１２ｅ全体を覆うように被覆することができる。
【００２７】また、上記実施の形態では、チタン酸バリ
ウム原料成分を含むゾル溶液として、チタン酸バリウム
原料成分のほか半導体化成を含むゾル溶液を用いたが、
チタン酸バリウム微粒子３０はＰＴＣ特性を有する必要
がないので、半導体化成分を含まないゾル溶液を用いる
こともできる。
ウム原料成分を含むゾル溶液として、チタン酸バリウム
原料成分のほか半導体化成を含むゾル溶液を用いたが、
チタン酸バリウム微粒子３０はＰＴＣ特性を有する必要
がないので、半導体化成分を含まないゾル溶液を用いる
こともできる。
【００２８】また、この発明のＰＴＣヒーターミラーは
自動車用アウターミラー、浴室用ミラー、洗面所用ミラ
ー等各種ミラーに適用することができる。
自動車用アウターミラー、浴室用ミラー、洗面所用ミラ
ー等各種ミラーに適用することができる。
【図１】 図２のＰＴＣヒーターミラーの製造方法の実
施の形態を示す工程図である。
施の形態を示す工程図である。
【図２】 この発明のＰＴＣヒーターミラーの実施の形
態を示す断面図である。
態を示す断面図である。
【図３】 図１の工程Ｓ６の熱処理により成膜された半
導体チタン酸バリウム膜の膜構造を示す拡大断面図であ
る。
導体チタン酸バリウム膜の膜構造を示す拡大断面図であ
る。
【図４】 この発明のＰＴＣヒーターミラーの他の実施
の形態を示す断面図である。
の形態を示す断面図である。
【図５】 この発明のＰＴＣヒーターミラーの他の実施
の形成を示す断面図である。
の形成を示す断面図である。
【図６】 この発明のＰＴＣヒーターミラーの他の実施
の形成を示す断面図である。
の形成を示す断面図である。
１０，１０’，３２，３２’ ＰＴＣヒーターミラー １２ 基板 １２ａ 基板裏面 １２ｂ 基板おもて面 １２ｃ 基板裏面の外周縁 １４ 反射膜 １６ 半導体チタン酸バリウム膜 １８ 正負両電極 ２０，２２ リード線 ２４ 絶縁性保護膜 ２７ 混合液 ２８ 半導体チタン酸バリウム焼結体粒子
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成９年１２月１１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正内容】
【図２】
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図４】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 斉藤 昭三 静岡県静岡市緑が丘町18−２ (72)発明者 杉山 治 静岡県静岡市高松2449 (72)発明者 矢嶋 雅 静岡県島田市元島田9149−４ (72)発明者 佐藤 克己 静岡県御殿場市新橋964−19 (72)発明者 佐藤 英法 静岡県藤枝市田沼４−６−４ (72)発明者 増田 英明 静岡県藤枝市駿河台１−７−５ 203号 (72)発明者 小林 正樹 静岡県藤枝市青木３−５−32 Ａ−203号 (72)発明者 野崎 克幸 静岡県島田市元島田9515
Claims (9)
- 【請求項１】ＰＴＣ特性を示す粒径を有する半導体チタ
ン酸バリウム焼結体粒子とチタン酸バリウム原料成分を
含むゾル溶液とを混合した液を基板に塗布して乾燥し、
該基板を６００〜８００℃で熱処理してチタン酸バリウ
ム微粒子を析出させて、前記基板の表面に、前記半導体
チタン酸バリウム焼結体粒子相互間に前記チタン酸バリ
ウム微粒子を介在させて該半導体チタン酸バリウム焼結
体粒子を相互につないだ、全体としてＰＴＣ特性を示す
半導体チタン酸バリウム膜を固定形成する半導体チタン
酸バリウム膜の成膜方法。 - 【請求項２】透明ガラス基板の裏面に反射膜を成膜し、
ＰＴＣ特性を示す粒径を有する半導体チタン酸バリウム
焼結体粒子とチタン酸バリウム原料成分を含むゾル溶液
とを混合した液を該反射膜の表面に塗布して乾燥し、該
基板を６００〜８００℃で熱処理してチタン酸バリウム
微粒子を析出させて、前記反射膜の表面に、前記半導体
チタン酸バリウム焼結体粒子相互間に前記チタン酸バリ
ウム微粒子を介在させて該半導体チタン酸バリウム焼結
体粒子を相互につないだ、全体としてＰＴＣ特性を示す
半導体チタン酸バリウム膜を固定形成する半導体チタン
酸バリウム膜の成膜方法。 - 【請求項３】前記半導体チタン酸バリウム焼結体粒子と
チタン酸バリウム原料成分を含むゾル溶液とを混合した
液に、さらにシリカコロイドまたはガラス化成分を添加
して前記熱処理を行い、前記半導体チタン酸バリウム膜
の前記半導体チタン酸バリウム焼結体粒子相互間に前記
チタン酸バリウム微粒子とともにシリカコロイド粒子ま
たはガラス化成分粒子を介在させて該半導体チタン酸バ
リウム焼結体粒子を相互につないでなる請求項１または
２に記載の半導体チタン酸バリウム膜の成膜方法。 - 【請求項４】透明ガラス基板の裏面に反射膜を成膜し、
ＰＴＣ特性を示す粒径を有する半導体チタン酸バリウム
焼結体粒子とチタン酸バリウム原料成分を含むゾル溶液
とを混合した液を該反射膜の表面に塗布して乾燥し、該
基板を６００〜８００℃で熱処理してチタン酸バリウム
微粒子を析出させて、前記反射膜の表面に、前記半導体
チタン酸バリウム焼結体粒子相互間に前記チタン酸バリ
ウム微粒子を介在させて該半導体チタン酸バリウム焼結
体粒子を相互につないだ、全体としてＰＴＣ特性を示す
半導体チタン酸バリウム膜を固定形成し、該半導体チタ
ン酸バリウム膜の表面に正負両電極を成膜し、これら正
負両電極からそれぞれリード線を外部に引き出し、前記
半導体チタン酸バリウム膜および前記正負両電極を覆う
ように前記基板の裏面に絶縁性保護膜を被覆してなるＰ
ＴＣヒーターミラーの製造方法。 - 【請求項５】ＰＴＣ特性を示す粒径を有する半導体チタ
ン酸バリウム焼結体粒子とチタン酸バリウム原料成分を
含むゾル溶液とを混合した液を基板に塗布して乾燥し、
該基板を６００〜８００℃で熱処理してチタン酸バリウ
ム微粒子を析出させて、前記基板の表面に、前記半導体
チタン酸バリウム焼結体粒子相互間に前記チタン酸バリ
ウム微粒子を介在させて該半導体チタン酸バリウム焼結
体粒子を相互につないだ、全体としてＰＴＣ特性を示す
半導体チタン酸バリウム膜を固定形成し、該半導体チタ
ン酸バリウム膜の表面に正負両電極を成膜し、これら正
負両電極からそれぞれリード線を外部に引き出し、前記
半導体チタン酸バリウム膜および前記正負両電極を覆う
ように前記基板の裏面に絶縁性保護膜を被覆し、該基板
のおもて面に適宜の時点で反射膜を成膜してなるＰＴＣ
ヒーターミラーの製造方法。 - 【請求項６】前記半導体チタン酸バリウム焼結体粒子と
チタン酸バリウム原料成分を含むゾル溶液とを混合した
液に、シリカコロイドまたはガラス化成分を添加して前
記熱処理を行い、前記半導体チタン酸バリウム膜の前記
半導体チタン酸バリウム焼結体粒子相互間に前記チタン
酸バリウム微粒子とともにシリカコロイド粒子またはガ
ラス化成分粒子を介在させて該半導体チタン酸バリウム
焼結体粒子を相互につないでなる請求項４または５に記
載のＰＴＣヒーターミラーの製造方法。 - 【請求項７】透明ガラス基板の裏面に反射膜を固定形成
し、該反射膜の表面に、ＰＴＣ特性を示す粒径を有する
半導体チタン酸バリウム焼結体粒子相互間にチタン酸バ
リウム微粒子を介在させて該半導体チタン酸バリウム焼
結体粒子を相互につないだ、全体としてＰＴＣ特性を示
す半導体チタン酸バリウム膜を固定形成し、該半導体チ
タン酸バリウム膜の表面に正負両電極を固定形成し、こ
れら正負両電極からそれぞれリード線を外部に引き出
し、前記半導体チタン酸バリウム膜および前記正負両電
極を覆うように前記基板の裏面に絶縁性保護膜を被覆し
てなるＰＴＣヒーターミラー。 - 【請求項８】ガラス基板の裏面に、ＰＴＣ特性を示す粒
径を有する半導体チタン酸バリウム焼結体粒子相互間に
チタン酸バリウム微粒子を介在させて該半導体チタン酸
バリウム焼結体粒子を相互につないだ、全体としてＰＴ
Ｃ特性を示す半導体チタン酸バリウム膜を固定形成し、
該半導体チタン酸バリウム膜の表面に正負両電極を固定
形成し、これら正負両電極からそれぞれリード線を外部
に引き出し、前記半導体チタン酸バリウム膜および前記
正負両電極を覆うように前記基板の裏面に絶縁性保護膜
を被覆し、該基板のおもて面に反射膜を固定形成してな
るＰＴＣヒーターミラー。 - 【請求項９】前記半導体チタン酸バリウム膜が、半導体
チタン酸バリウム焼結体粒子相互間にシリカコロイド粒
子またはガラス化成分粒子をさらに介在させて該半導体
チタン酸バリウム焼結体粒子を相互につないでなる請求
項７または８記載のＰＴＣヒータミラー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32214397A JP3333441B2 (ja) | 1997-11-08 | 1997-11-08 | 半導体チタン酸バリウム膜の成膜方法およびｐｔｃ薄膜層からなるヒーターミラーへの応用と製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32214397A JP3333441B2 (ja) | 1997-11-08 | 1997-11-08 | 半導体チタン酸バリウム膜の成膜方法およびｐｔｃ薄膜層からなるヒーターミラーへの応用と製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11144912A true JPH11144912A (ja) | 1999-05-28 |
| JP3333441B2 JP3333441B2 (ja) | 2002-10-15 |
Family
ID=18140415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32214397A Expired - Fee Related JP3333441B2 (ja) | 1997-11-08 | 1997-11-08 | 半導体チタン酸バリウム膜の成膜方法およびｐｔｃ薄膜層からなるヒーターミラーへの応用と製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3333441B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020092059A (ko) * | 2001-06-01 | 2002-12-11 | 정규열 | 볼록거울 일체형 차량용 미러의 제조방법 |
| WO2012111384A1 (ja) * | 2011-02-17 | 2012-08-23 | 株式会社村田製作所 | 正特性サーミスタ |
-
1997
- 1997-11-08 JP JP32214397A patent/JP3333441B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020092059A (ko) * | 2001-06-01 | 2002-12-11 | 정규열 | 볼록거울 일체형 차량용 미러의 제조방법 |
| WO2012111384A1 (ja) * | 2011-02-17 | 2012-08-23 | 株式会社村田製作所 | 正特性サーミスタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3333441B2 (ja) | 2002-10-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |