JPH11144677A - セラミック陰極 - Google Patents
セラミック陰極Info
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- JPH11144677A JPH11144677A JP31165397A JP31165397A JPH11144677A JP H11144677 A JPH11144677 A JP H11144677A JP 31165397 A JP31165397 A JP 31165397A JP 31165397 A JP31165397 A JP 31165397A JP H11144677 A JPH11144677 A JP H11144677A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】特に小型蛍光ランプにおいて、連続点灯寿命を
延ばし、安定してアーク放電を維持できるセラミック陰
極を提供する。 【解決手段】有底筒状電極容器1の内部または柱状電極
基材の表面に、電子放出材料からなる複数個の突起部2
を備える。前記電極容器1や電極基材は、導電性の高融
点金属、または表面もしくは全体に導電性を持つセラミ
ックスからなる。突起部2の水平断面は、円状または多
角形状をなす。
延ばし、安定してアーク放電を維持できるセラミック陰
極を提供する。 【解決手段】有底筒状電極容器1の内部または柱状電極
基材の表面に、電子放出材料からなる複数個の突起部2
を備える。前記電極容器1や電極基材は、導電性の高融
点金属、または表面もしくは全体に導電性を持つセラミ
ックスからなる。突起部2の水平断面は、円状または多
角形状をなす。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶ディスプレイ
装置のバックライト、電球形蛍光ランプ、ファクシミリ
やスキャナ等の読み取り用光源に用いられる小型の蛍光
放電ランプにおけるセラミック陰極に関する。
装置のバックライト、電球形蛍光ランプ、ファクシミリ
やスキャナ等の読み取り用光源に用いられる小型の蛍光
放電ランプにおけるセラミック陰極に関する。
【0002】
【従来の技術】最近、低消費電力で軽薄化が可能な液晶
ディスプレイが急速に広まってきている。これに伴い、
液晶ディスプレイの光源として、小型蛍光ランプの開発
が盛んに行われている。同様に、電球形蛍光ランプは、
白熱電球に比べて消費電力が少なく、寿命が長いことか
ら普及しつつある。
ディスプレイが急速に広まってきている。これに伴い、
液晶ディスプレイの光源として、小型蛍光ランプの開発
が盛んに行われている。同様に、電球形蛍光ランプは、
白熱電球に比べて消費電力が少なく、寿命が長いことか
ら普及しつつある。
【0003】一般に蛍光ランプは、熱電子放出によるア
ーク放電を利用した熱陰極ランプと、二次電子放出によ
るグロー放電を利用した冷陰極ランプに分けることがで
きる。
ーク放電を利用した熱陰極ランプと、二次電子放出によ
るグロー放電を利用した冷陰極ランプに分けることがで
きる。
【0004】熱陰極ランプは冷陰極ランプに比べ、陰極
降下電圧が小さく、電力に対する発光効率がよい。ま
た、熱電子放出のため、電流密度が大きくとれ、冷陰極
に比べて高輝度が可能である。このため、大画面の液晶
ディスプレイ用バックライト、電球形蛍光ランプ、ファ
クシミリやスキャナ等の読み取り用光源等、多量の光束
が必要となる場合の光源に適している。
降下電圧が小さく、電力に対する発光効率がよい。ま
た、熱電子放出のため、電流密度が大きくとれ、冷陰極
に比べて高輝度が可能である。このため、大画面の液晶
ディスプレイ用バックライト、電球形蛍光ランプ、ファ
クシミリやスキャナ等の読み取り用光源等、多量の光束
が必要となる場合の光源に適している。
【0005】従来の熱陰極ランプ用の電極として、タン
グステンコイルに遷移金属の一部とバリウムを含むアル
カリ土類金属を塗布した電極(特開昭59−75553
号公報)が知られている。
グステンコイルに遷移金属の一部とバリウムを含むアル
カリ土類金属を塗布した電極(特開昭59−75553
号公報)が知られている。
【0006】しかし、液晶表示装置の薄型化に伴い、光
源としての蛍光ランプも細管化の要求が強まっている
が、前記のような従来の熱陰極ランプでは、熱電子放出
を開始するための予熱回路が必要なため、4端子構造と
なり、冷陰極ランプ並みの細管化は難しかった。
源としての蛍光ランプも細管化の要求が強まっている
が、前記のような従来の熱陰極ランプでは、熱電子放出
を開始するための予熱回路が必要なため、4端子構造と
なり、冷陰極ランプ並みの細管化は難しかった。
【0007】また、放電中に生じたHgイオンやArイ
オンが電極に衝突して電子放出材料を飛散させる、いわ
ゆるイオンスパッタリングによる電極の劣化が顕著であ
った。このため、放電中に電子放出材料が枯渇し、安定
したアーク放電が長時間にわたって維持できない。さら
に、飛散した電子放射性物質によりランプのガラス管内
壁が黒化する、いわゆる管壁黒化により光束維持率が早
急に低下するという欠点を有していた。
オンが電極に衝突して電子放出材料を飛散させる、いわ
ゆるイオンスパッタリングによる電極の劣化が顕著であ
った。このため、放電中に電子放出材料が枯渇し、安定
したアーク放電が長時間にわたって維持できない。さら
に、飛散した電子放射性物質によりランプのガラス管内
壁が黒化する、いわゆる管壁黒化により光束維持率が早
急に低下するという欠点を有していた。
【0008】本発明者等は、これらの問題を解決する電
極材料を特開平2−186550号公報において提案
し、さらに電極材料、電極材料製造方法および電極を特
開平4−43546号公報、特開平6−267404号
公報、特開平7−296768号公報、さらに特開平9
−129177号公報において提案した。
極材料を特開平2−186550号公報において提案
し、さらに電極材料、電極材料製造方法および電極を特
開平4−43546号公報、特開平6−267404号
公報、特開平7−296768号公報、さらに特開平9
−129177号公報において提案した。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】前記公報に記載の電極
材料および電極は、耐熱衝撃性に優れた特性を有してい
るが、導電性電極容器に塊状または粒状の電子放出材料
を収容しているという構造上、放電中に塊状または粒状
の電子放出材料の脱落が生じ易く、蛍光ランプとして用
いた場合、点灯中に電子放射物質の不足によりアーク放
電からグロー放電へと移行し、熱陰極としての寿命がそ
れほど延びないという問題点があった。
材料および電極は、耐熱衝撃性に優れた特性を有してい
るが、導電性電極容器に塊状または粒状の電子放出材料
を収容しているという構造上、放電中に塊状または粒状
の電子放出材料の脱落が生じ易く、蛍光ランプとして用
いた場合、点灯中に電子放射物質の不足によりアーク放
電からグロー放電へと移行し、熱陰極としての寿命がそ
れほど延びないという問題点があった。
【0010】本発明は、上記問題点に鑑み、連続点灯寿
命を延ばし、安定してアーク放電を維持することができ
るセラミック陰極を提供することを目的とする。
命を延ばし、安定してアーク放電を維持することができ
るセラミック陰極を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明のセラミック陰極は、蛍光放電ランプに使用
されるセラミック陰極であって、有底円筒状電極容器の
内部または円柱状電極基材の表面に、電子放出材料から
なる複数個の突起部を持つことを特徴とする(請求項
1)。
め、本発明のセラミック陰極は、蛍光放電ランプに使用
されるセラミック陰極であって、有底円筒状電極容器の
内部または円柱状電極基材の表面に、電子放出材料から
なる複数個の突起部を持つことを特徴とする(請求項
1)。
【0012】また、本発明のセラミック陰極は、前記突
起部を5個以上備えることを特徴とする(請求項2)。
起部を5個以上備えることを特徴とする(請求項2)。
【0013】また、本発明のセラミック陰極は、前記電
極容器または電極基材が、導電性の高融点金属、または
表面もしくは全体に導電性を持つセラミックスからなる
ことを特徴とする(請求項3)。
極容器または電極基材が、導電性の高融点金属、または
表面もしくは全体に導電性を持つセラミックスからなる
ことを特徴とする(請求項3)。
【0014】また、本発明のセラミック陰極は、前記突
起部の水平断面が、円状または多角形状をなすことを特
徴とする(請求項4)。
起部の水平断面が、円状または多角形状をなすことを特
徴とする(請求項4)。
【0015】また、本発明のセラミック陰極は、前記突
起部の先端が1つもしくは複数個の凸曲面部または尖頭
部からなることを特徴とする(請求項5)。
起部の先端が1つもしくは複数個の凸曲面部または尖頭
部からなることを特徴とする(請求項5)。
【0016】また、本発明のセラミック陰極は、前記突
起部の水平断面形状が正方形または真円状をなし、該水
平断面の直径もしくは一辺の長さをA、突起部間の間隔
をB、突起部の長さをCとすると、20μm≦A≦30
0μm、0.13≦A/B≦2、0.083≦A/C≦
1であることを特徴とする(請求項6)。
起部の水平断面形状が正方形または真円状をなし、該水
平断面の直径もしくは一辺の長さをA、突起部間の間隔
をB、突起部の長さをCとすると、20μm≦A≦30
0μm、0.13≦A/B≦2、0.083≦A/C≦
1であることを特徴とする(請求項6)。
【0017】また、本発明のセラミック陰極は、前記突
起部が、Ba、Sr、Caのうち少なくとも一種以上を
含む化合物を含む第一成分と、Zrおよび/またはTi
を含む化合物からなる第二成分と、Taおよび/または
Nbを含む化合物からなる第三成分とを含む材料からな
ることを特徴とする(請求項7)。
起部が、Ba、Sr、Caのうち少なくとも一種以上を
含む化合物を含む第一成分と、Zrおよび/またはTi
を含む化合物からなる第二成分と、Taおよび/または
Nbを含む化合物からなる第三成分とを含む材料からな
ることを特徴とする(請求項7)。
【0018】また、本発明のセラミック陰極は、前記突
起部が、第一成分、第二成分、第三成分のモル比をそれ
ぞれX、Y、Zとして、 0.8≦X/(Y+Z)≦2.0 0.05≦Y≦0.6 0.4≦Z≦0.95 である材料からなる ことを特徴とする(請求項8)。
起部が、第一成分、第二成分、第三成分のモル比をそれ
ぞれX、Y、Zとして、 0.8≦X/(Y+Z)≦2.0 0.05≦Y≦0.6 0.4≦Z≦0.95 である材料からなる ことを特徴とする(請求項8)。
【0019】また、本発明のセラミック陰極は、前記突
起部の表面に、TaまたはNbの炭化物および/または
窒化物のスパッタリング防止層が形成されることを特徴
とする(請求項9)。
起部の表面に、TaまたはNbの炭化物および/または
窒化物のスパッタリング防止層が形成されることを特徴
とする(請求項9)。
【0020】
【作用】本発明においては、有底筒状電極容器の内部ま
たは柱状電極基材の表面に、電子放出材料からなる複数
個の突起部を備えているので、放電が突起部の1つに集
中し、安定したアーク放電を長期にわたって維持するこ
とが可能となり、また、粉体等を用いる場合における電
子放出材料の脱落の問題が解消される。
たは柱状電極基材の表面に、電子放出材料からなる複数
個の突起部を備えているので、放電が突起部の1つに集
中し、安定したアーク放電を長期にわたって維持するこ
とが可能となり、また、粉体等を用いる場合における電
子放出材料の脱落の問題が解消される。
【0021】
【発明の実施の形態】(蛍光ランプの全体構成)図1
(a)は本発明によるセラミック陰極の一実施の形態を
示す蛍光ランプの一端側の一部断面側面図、図1(b)
はそのセラミック陰極部を示す拡大側面図である。図1
において、9は蛍光ランプのバルブであり、内面に蛍光
体が塗布されている。バルブ9の内部には希ガスが封入
され、両端部において気密封止され、内部は放電空間1
0を構成している。
(a)は本発明によるセラミック陰極の一実施の形態を
示す蛍光ランプの一端側の一部断面側面図、図1(b)
はそのセラミック陰極部を示す拡大側面図である。図1
において、9は蛍光ランプのバルブであり、内面に蛍光
体が塗布されている。バルブ9の内部には希ガスが封入
され、両端部において気密封止され、内部は放電空間1
0を構成している。
【0022】バルブ9の両端部には導体でなるリード線
5が固定され、該リード線5のバルブ9内端部にはリー
ド線5の拡大部6を設け、該拡大部6は、金属または導
電性セラミックス等の導電性の高い材料からなる導電性
パイプ7の一端部に電気的に接続して挿入されている。
なお、リード線5は導電性パイプ7に接続される構造で
あればよく、拡大部6は必ずしも必要ではない。
5が固定され、該リード線5のバルブ9内端部にはリー
ド線5の拡大部6を設け、該拡大部6は、金属または導
電性セラミックス等の導電性の高い材料からなる導電性
パイプ7の一端部に電気的に接続して挿入されている。
なお、リード線5は導電性パイプ7に接続される構造で
あればよく、拡大部6は必ずしも必要ではない。
【0023】また、導電性電極容器1が、導電性パイプ
7の他方端部(放電空間10側)に嵌合して取付けられ
ている。これにより、リード線5と電極容器1とは、導
電性パイプ7を介して電気的に接続される。導電性パイ
プ7の材質は、導電性の高い材料なら特に問題はない
が、真空中でガス放出の少ないNi等の材料であれば、
ランプ製造時に不純物質を含むガスの発生によって放電
が不安定になることがないという点において好ましい。
7の他方端部(放電空間10側)に嵌合して取付けられ
ている。これにより、リード線5と電極容器1とは、導
電性パイプ7を介して電気的に接続される。導電性パイ
プ7の材質は、導電性の高い材料なら特に問題はない
が、真空中でガス放出の少ないNi等の材料であれば、
ランプ製造時に不純物質を含むガスの発生によって放電
が不安定になることがないという点において好ましい。
【0024】3は放電空間10内に水銀蒸気を供給する
水銀ディスペンサ材料であり、該材料は水銀合金等をプ
レス成形してなるものであり、Ni等の金属製パイプ4
に充填されている。該金属製パイプ4は導電性パイプ7
内の電極容器1とリード線拡大部6との間に内蔵されて
いる。導電性パイプ7には先端部からスリット状の開口
部8が形成されている。そして、蛍光ランプの製作時に
おいて、バルブ9の外周にコイルを巻き、そのコイルに
高周波電流を流すことにより、水銀ディスペンサ材料3
をうず電流により800℃程度に加熱して水銀蒸気を発
生させて開口部8より放電空間10に放出するように構
成されている。この開口部8の形状は、電極容器1の保
持が可能でかつ水銀蒸気放出可能な構造であれば、スリ
ット以外に窓状とする等、どのような形状であってもよ
い。また、水銀ディスペンサ材料3は必ずしも配置する
必要はなく、封止の過程で水銀を供給するようにしても
よい。
水銀ディスペンサ材料であり、該材料は水銀合金等をプ
レス成形してなるものであり、Ni等の金属製パイプ4
に充填されている。該金属製パイプ4は導電性パイプ7
内の電極容器1とリード線拡大部6との間に内蔵されて
いる。導電性パイプ7には先端部からスリット状の開口
部8が形成されている。そして、蛍光ランプの製作時に
おいて、バルブ9の外周にコイルを巻き、そのコイルに
高周波電流を流すことにより、水銀ディスペンサ材料3
をうず電流により800℃程度に加熱して水銀蒸気を発
生させて開口部8より放電空間10に放出するように構
成されている。この開口部8の形状は、電極容器1の保
持が可能でかつ水銀蒸気放出可能な構造であれば、スリ
ット以外に窓状とする等、どのような形状であってもよ
い。また、水銀ディスペンサ材料3は必ずしも配置する
必要はなく、封止の過程で水銀を供給するようにしても
よい。
【0025】電極容器1は放電空間10側が開口部にな
っており、この開口部側に、電子放出材料からなる複数
個の突起部2が一体に形成されてセラミック陰極を構成
している。放電空間10にはアルゴン(Ar)ガス、ネ
オン(Ne)ガス、クリプトン(Kr)ガス、キセノン
(Xe)ガスの少なくとも一種以上が1330Pa〜2
2000Pa(10Torr〜170Torr)程度の
封入圧で封入されており、リード線5を通じて両電極間
に電位差を与えることで放電を開始する。
っており、この開口部側に、電子放出材料からなる複数
個の突起部2が一体に形成されてセラミック陰極を構成
している。放電空間10にはアルゴン(Ar)ガス、ネ
オン(Ne)ガス、クリプトン(Kr)ガス、キセノン
(Xe)ガスの少なくとも一種以上が1330Pa〜2
2000Pa(10Torr〜170Torr)程度の
封入圧で封入されており、リード線5を通じて両電極間
に電位差を与えることで放電を開始する。
【0026】(電極容器)本発明の最も特徴的な構造で
ある電子放出材料からなる複数個の突起部2を有する電
極容器1は、有底筒状をなし、図1の例は円筒状をな
す。この電極容器1の代わりに、図2(a)の正面図、
図2(b)の側面図に1Aで示すように、柱状、特に円
柱状の電極基材1Aを用いてもよい。これらの電極容器
1または電極基材1Aの材質は、その全体がW、Ta、
Ni等の導電性の高い材料で形成されることが好ましい
が、これに限らず、導電性材料でなくとも、表面に導電
性物質がコーティングされている材料で形成されたもの
を用いることができる。
ある電子放出材料からなる複数個の突起部2を有する電
極容器1は、有底筒状をなし、図1の例は円筒状をな
す。この電極容器1の代わりに、図2(a)の正面図、
図2(b)の側面図に1Aで示すように、柱状、特に円
柱状の電極基材1Aを用いてもよい。これらの電極容器
1または電極基材1Aの材質は、その全体がW、Ta、
Ni等の導電性の高い材料で形成されることが好ましい
が、これに限らず、導電性材料でなくとも、表面に導電
性物質がコーティングされている材料で形成されたもの
を用いることができる。
【0027】該電極容器1または電極基材1Aは、好ま
しくは電子放出材料からなる突起部2の成分に近い材料
であるならば、突起部2が形成される電極容器1または
電極基材1Aと突起部2との熱膨張差が少なく、ヒート
サイクルに強くなるという点において好ましい。例え
ば、電極容器1または電極基材1Aとして、Ba、S
r、Caのうち少なくとも一種以上を含む化合物を含む
第一成分と、Zrおよび/またはTiを含む化合物から
なる第二成分と、Taおよび/またはNbを含む化合物
からなる第三成分とを含む材料が用いられる。
しくは電子放出材料からなる突起部2の成分に近い材料
であるならば、突起部2が形成される電極容器1または
電極基材1Aと突起部2との熱膨張差が少なく、ヒート
サイクルに強くなるという点において好ましい。例え
ば、電極容器1または電極基材1Aとして、Ba、S
r、Caのうち少なくとも一種以上を含む化合物を含む
第一成分と、Zrおよび/またはTiを含む化合物から
なる第二成分と、Taおよび/またはNbを含む化合物
からなる第三成分とを含む材料が用いられる。
【0028】(突起部(電子放出材料))本発明におけ
る電子放出材料は、効率の良い電子放出材料であれば何
でもよい。一例として、好ましくは、本発明者等による
先の出願(特開平9−12977号)を利用したものを
用いることができる。これは、前記電極容器1または電
極基材1Aとして記載したように、Ba、Sr、Caの
うち少なくとも一種以上を含む化合物を含む第一成分
と、Zrおよび/またはTiを含む化合物からなる第二
成分と、Taおよび/またはNbを含む化合物からなる
第三成分とを含む材料が用いられる。そして、この材料
を用いて電極容器1または電極基材1Aを成形し、表面
をサンドブラスト等で研磨して突起部2を得る。なお、
研削は、電極容器1または電極基材1Aの焼成前でも焼
成後でもよい。
る電子放出材料は、効率の良い電子放出材料であれば何
でもよい。一例として、好ましくは、本発明者等による
先の出願(特開平9−12977号)を利用したものを
用いることができる。これは、前記電極容器1または電
極基材1Aとして記載したように、Ba、Sr、Caの
うち少なくとも一種以上を含む化合物を含む第一成分
と、Zrおよび/またはTiを含む化合物からなる第二
成分と、Taおよび/またはNbを含む化合物からなる
第三成分とを含む材料が用いられる。そして、この材料
を用いて電極容器1または電極基材1Aを成形し、表面
をサンドブラスト等で研磨して突起部2を得る。なお、
研削は、電極容器1または電極基材1Aの焼成前でも焼
成後でもよい。
【0029】なお、この突起部2の表面にはTaまたは
Nbの炭化物および/または窒化物からなるスパッタリ
ング防止層が形成されていることが好ましい。
Nbの炭化物および/または窒化物からなるスパッタリ
ング防止層が形成されていることが好ましい。
【0030】前記各成分のうち、第一成分は主に低仕事
関数の電子放出材料である。また、第二成分は電子放出
材料の高融点化および低電気抵抗化のための成分であ
り、第三成分は電子放出材料表面に形成されるスパッタ
リング防止層となる炭化物および/または窒化物の供給
源となる。
関数の電子放出材料である。また、第二成分は電子放出
材料の高融点化および低電気抵抗化のための成分であ
り、第三成分は電子放出材料表面に形成されるスパッタ
リング防止層となる炭化物および/または窒化物の供給
源となる。
【0031】これらの第一成分、第二成分、第三成分の
モル比をそれぞれX、Y、Zとして、0.8≦X/(Y
+Z)≦2.0、第二成分は、0.05≦Y≦0.6、
第三成分は、0.4≦Z≦0.95の範囲にあることが
好ましい。
モル比をそれぞれX、Y、Zとして、0.8≦X/(Y
+Z)≦2.0、第二成分は、0.05≦Y≦0.6、
第三成分は、0.4≦Z≦0.95の範囲にあることが
好ましい。
【0032】前記特開平9−12977号公報において
記載したように、第一成分が上記範囲の下限より少なく
なると、電子放出材料の量が不足し、早期に点灯不良と
なる。一方、上記範囲の上限より多くなると、放電中に
電子放出材料の蒸発飛散が顕著となり、ランプ管壁の黒
化が激しく、輝度が低下し、実用上好ましくない。
記載したように、第一成分が上記範囲の下限より少なく
なると、電子放出材料の量が不足し、早期に点灯不良と
なる。一方、上記範囲の上限より多くなると、放電中に
電子放出材料の蒸発飛散が顕著となり、ランプ管壁の黒
化が激しく、輝度が低下し、実用上好ましくない。
【0033】また、前記第二成分のZrおよび/または
Tiを含む化合物が上記範囲の下限より少ないと、電子
放出材料が低融点化し、還元焼成の際、電子放出材料の
蒸発飛散する量が多くなり、放電が不安定になる。一
方、上記範囲の上限より多いと、電子放出材料が高抵抗
化し、放電が不安定となる。
Tiを含む化合物が上記範囲の下限より少ないと、電子
放出材料が低融点化し、還元焼成の際、電子放出材料の
蒸発飛散する量が多くなり、放電が不安定になる。一
方、上記範囲の上限より多いと、電子放出材料が高抵抗
化し、放電が不安定となる。
【0034】また、第三成分のTaおよび/またはNb
を含む化合物が上記範囲の下限より少ないと、還元雰囲
気中の焼成により、電子放出材料の表面にスパッタリン
グ防止層となる炭化物または窒化物が形成されにくい。
一方、上記範囲の上限より多いと、還元雰囲気中に焼成
により電子放出材料の蒸発飛散が激しくなり、製造上で
問題となる。
を含む化合物が上記範囲の下限より少ないと、還元雰囲
気中の焼成により、電子放出材料の表面にスパッタリン
グ防止層となる炭化物または窒化物が形成されにくい。
一方、上記範囲の上限より多いと、還元雰囲気中に焼成
により電子放出材料の蒸発飛散が激しくなり、製造上で
問題となる。
【0035】電子放出材料(突起部2)の表面に形成さ
れるスパッタリング防止層は炭化物、窒化物のいずれで
もよいし、Ta−Nb−C、Ta−N−C、Ta−Nb
−N−C等の固溶体でもよい。
れるスパッタリング防止層は炭化物、窒化物のいずれで
もよいし、Ta−Nb−C、Ta−N−C、Ta−Nb
−N−C等の固溶体でもよい。
【0036】また、特開平6−333534号公報にお
いて、HfC等の炭化物を含有する高圧放電ランプ用電
極が、管壁の黒化を防ぐ効果があることが記載されてい
るが、本発明に係るセラミック陰極の電子放出材料の表
面の炭化物および/または窒化物もイオンスパッタリン
グに強く、熱衝撃に優れているため、連続点灯における
ランプの管壁の黒化が少ない。
いて、HfC等の炭化物を含有する高圧放電ランプ用電
極が、管壁の黒化を防ぐ効果があることが記載されてい
るが、本発明に係るセラミック陰極の電子放出材料の表
面の炭化物および/または窒化物もイオンスパッタリン
グに強く、熱衝撃に優れているため、連続点灯における
ランプの管壁の黒化が少ない。
【0037】前記突起部2の形状は、図2に示したよう
に水平断面形状が四角形等の多角形をなす角柱状でもよ
いし、図3(a)〜(f)((a)、(c)、(e)は
それぞれ正面図であり、(b)、(d)、(f)はそれ
ぞれ(a)、(c)、(e)の縦断面図である)に示す
ように、円柱状等であってもよい。なお、図3(c)、
(d)は突起部2の高さを電極容器1と同高に形成し、
図3(e)、(f)は突起部2の高さを電極容器1の高
さより低く形成している。突起部2を円柱状とする場
合、水平断面形状が楕円や長円状であってもよい。
に水平断面形状が四角形等の多角形をなす角柱状でもよ
いし、図3(a)〜(f)((a)、(c)、(e)は
それぞれ正面図であり、(b)、(d)、(f)はそれ
ぞれ(a)、(c)、(e)の縦断面図である)に示す
ように、円柱状等であってもよい。なお、図3(c)、
(d)は突起部2の高さを電極容器1と同高に形成し、
図3(e)、(f)は突起部2の高さを電極容器1の高
さより低く形成している。突起部2を円柱状とする場
合、水平断面形状が楕円や長円状であってもよい。
【0038】以上の例は、図4(a)に拡大して示すよ
うに、突起部2の先端を凸曲面部20に形成したが、図
4(b)に示すように、複数個の凸曲面部21を形成し
てもよい。また、図4(c)に示すように、突起部2の
先端を1つの尖頭部22に形成してもよく、図4(d)
に示すように、突起部2の先端に複数の尖頭部23を形
成してもよい。図4(a)、(b)に示すように、突起
部2の先端を凸曲面に形成した場合は、電界が均一に加
わり、アークスポットの移動が少なく、アーク放電が安
定する。一方、図4(c)、(d)の尖頭部22、23
を形成した場合、電界が突起部2の先端に集中し、グロ
ー放電からアーク放電へすみやかに移行し、始動時のス
パッタリングが抑制される。
うに、突起部2の先端を凸曲面部20に形成したが、図
4(b)に示すように、複数個の凸曲面部21を形成し
てもよい。また、図4(c)に示すように、突起部2の
先端を1つの尖頭部22に形成してもよく、図4(d)
に示すように、突起部2の先端に複数の尖頭部23を形
成してもよい。図4(a)、(b)に示すように、突起
部2の先端を凸曲面に形成した場合は、電界が均一に加
わり、アークスポットの移動が少なく、アーク放電が安
定する。一方、図4(c)、(d)の尖頭部22、23
を形成した場合、電界が突起部2の先端に集中し、グロ
ー放電からアーク放電へすみやかに移行し、始動時のス
パッタリングが抑制される。
【0039】(セラミック陰極の製造方法)セラミック
陰極は、図5に示す工程で製造する。全体の製造工程は
一般的なセラミックスの製造方法とほぼ同様に行うこと
ができる。 (a)の秤量工程では各原料を上記で説明したように、
所定比になるように秤量する。ここでの各原料としては
通常、BaCO3、SrCO3、CaCO3、ZrO2、T
iO2、Ta2O5、Nb2O5等を用いるが、ここで上げ
たもの以外の酸化物、炭酸塩、シュウ酸塩等を用いても
良い。 (b)の混合工程では秤量工程(a)で秤量した各成分
の原料を混合し粉末を得る。混合法としては、ボールミ
ル法、摩擦ミル法、共沈法等の方法を用い、その後、脱
水加熱乾燥法または凍結乾燥法等で乾燥を行う。 (c)の仮焼き工程では混合工程(b)で混合された原
料粉末を仮焼きする。仮焼き温度は800℃〜1300
℃程度に設定し、電子放出材料の化合物を得る。この仮
焼きは、粉末の状態でも粉末を成形した状態で行っても
よい。 (d)の微粉砕工程では仮焼き工程(c)で得られた化
合物を微粉砕する。ボールミル法や気流粉砕等の方法で
行う。
陰極は、図5に示す工程で製造する。全体の製造工程は
一般的なセラミックスの製造方法とほぼ同様に行うこと
ができる。 (a)の秤量工程では各原料を上記で説明したように、
所定比になるように秤量する。ここでの各原料としては
通常、BaCO3、SrCO3、CaCO3、ZrO2、T
iO2、Ta2O5、Nb2O5等を用いるが、ここで上げ
たもの以外の酸化物、炭酸塩、シュウ酸塩等を用いても
良い。 (b)の混合工程では秤量工程(a)で秤量した各成分
の原料を混合し粉末を得る。混合法としては、ボールミ
ル法、摩擦ミル法、共沈法等の方法を用い、その後、脱
水加熱乾燥法または凍結乾燥法等で乾燥を行う。 (c)の仮焼き工程では混合工程(b)で混合された原
料粉末を仮焼きする。仮焼き温度は800℃〜1300
℃程度に設定し、電子放出材料の化合物を得る。この仮
焼きは、粉末の状態でも粉末を成形した状態で行っても
よい。 (d)の微粉砕工程では仮焼き工程(c)で得られた化
合物を微粉砕する。ボールミル法や気流粉砕等の方法で
行う。
【0040】(e)の造粒工程では微粉砕工程(d)で
得られた微粒子から適度の大きさの顆粒を得る。微粉砕
により得られた微粒子をポリビニルアルコール(PV
A)、ポリエチレングリコール(PEG)、ポリエチレ
ンオキサイド(PEO)等の有機系バインダーを含む水
溶液を用いて造粒し、顆粒状の電子放出材料の原料粉を
得る。この際、噴霧乾燥法、押出造粒法、転動造粒法あ
るいは乳鉢、乳棒を用いて造粒するが、造粒法は特にこ
れらの方法に限定されない。 (f)の成形工程では造粒工程(e)で得られた顆粒状
の電子放出材料粉から電極容器1または電極基材1Aを
得る。この時、一体成形により電極容器1または電極基
材1Aの片面に突起部2を形成してもよい。 (g)の研削工程では、成形工程(f)で得られた電極
容器1または電極基材1Aの成形体にサンドブラスト等
を用いて部分的に研削することにより突起部2を得る。
なお、研削は、還元焼成後に行ってもよい。 (h)の還元焼成工程では、研削工程(g)で得られた
突起部2を形成した成形体を還元焼成し、焼結体である
セラミック陰極を得る。そしてこの焼結体成分は、B
a、Sr、Caのうち少なくとも一種以上を含む化合物
からなる第一成分と、Zrおよび/またはTiを含む化
合物からなる第二成分と、Taおよび/またはNbを含
む化合物からなる第三成分を含む成分からなる。
得られた微粒子から適度の大きさの顆粒を得る。微粉砕
により得られた微粒子をポリビニルアルコール(PV
A)、ポリエチレングリコール(PEG)、ポリエチレ
ンオキサイド(PEO)等の有機系バインダーを含む水
溶液を用いて造粒し、顆粒状の電子放出材料の原料粉を
得る。この際、噴霧乾燥法、押出造粒法、転動造粒法あ
るいは乳鉢、乳棒を用いて造粒するが、造粒法は特にこ
れらの方法に限定されない。 (f)の成形工程では造粒工程(e)で得られた顆粒状
の電子放出材料粉から電極容器1または電極基材1Aを
得る。この時、一体成形により電極容器1または電極基
材1Aの片面に突起部2を形成してもよい。 (g)の研削工程では、成形工程(f)で得られた電極
容器1または電極基材1Aの成形体にサンドブラスト等
を用いて部分的に研削することにより突起部2を得る。
なお、研削は、還元焼成後に行ってもよい。 (h)の還元焼成工程では、研削工程(g)で得られた
突起部2を形成した成形体を還元焼成し、焼結体である
セラミック陰極を得る。そしてこの焼結体成分は、B
a、Sr、Caのうち少なくとも一種以上を含む化合物
からなる第一成分と、Zrおよび/またはTiを含む化
合物からなる第二成分と、Taおよび/またはNbを含
む化合物からなる第三成分を含む成分からなる。
【0041】なお、突起部2を形成した電極容器1また
は電極基材1Aの焼成温度は1400℃〜2000℃が
好ましい。この焼成温度が1400℃未満であると、セ
ラミック陰極表面にTaまたはNbの炭化物および/ま
たは窒化物からなるスパッタリング防止層が形成されな
い。また、2000℃を超えると、突起部2を形成した
電極容器1の構造を維持できない。
は電極基材1Aの焼成温度は1400℃〜2000℃が
好ましい。この焼成温度が1400℃未満であると、セ
ラミック陰極表面にTaまたはNbの炭化物および/ま
たは窒化物からなるスパッタリング防止層が形成されな
い。また、2000℃を超えると、突起部2を形成した
電極容器1の構造を維持できない。
【0042】また、この場合の焼成雰囲気は、例えば主
に炭化物をセラミック陰極表面に形成する場合、ベンゼ
ンや一酸化炭素を含むアルゴンや窒素等の不活性ガスを
流して焼成する。また、電極容器1をカーボン粉末に埋
没させて前記不活性ガスを流して焼成してもよい。ま
た、脱バインダーを不十分にする等、予め材料中に炭素
源を含ませて残留させておく場合には、特に焼成雰囲気
中に炭素源は不要である。主に窒化物をセラミック陰極
表面に形成する場合は、水素や一酸化炭素等の還元性ガ
スを含む窒素ガスを流して焼成する。
に炭化物をセラミック陰極表面に形成する場合、ベンゼ
ンや一酸化炭素を含むアルゴンや窒素等の不活性ガスを
流して焼成する。また、電極容器1をカーボン粉末に埋
没させて前記不活性ガスを流して焼成してもよい。ま
た、脱バインダーを不十分にする等、予め材料中に炭素
源を含ませて残留させておく場合には、特に焼成雰囲気
中に炭素源は不要である。主に窒化物をセラミック陰極
表面に形成する場合は、水素や一酸化炭素等の還元性ガ
スを含む窒素ガスを流して焼成する。
【0043】このように還元性雰囲気中で焼成すること
により、TaまたはNbの炭化物および/または窒化物
からなるスパッタリング防止層が電子放出材料表面に形
成される。
により、TaまたはNbの炭化物および/または窒化物
からなるスパッタリング防止層が電子放出材料表面に形
成される。
【0044】
【実施例】次に実施例により本発明をさらに詳細に説明
する。図5に示したセラミック陰極の製造方法における
工程のうち、工程(a)〜(e)に従ってBaCO3、
SrCO3、CaCO3、ZrO2、TiO2、Ta2O5、
Nb2O5等を出発原料とする未焼成の顆粒状の電子放出
材料の原料粉を作製する。以下にその一例を示すが、本
発明の電子放出材料は以下に示すものに限定されるもの
ではなく、前記した本発明者等により提案された特開平
9−129177号公報に示したもの等が好適に用いら
れる。
する。図5に示したセラミック陰極の製造方法における
工程のうち、工程(a)〜(e)に従ってBaCO3、
SrCO3、CaCO3、ZrO2、TiO2、Ta2O5、
Nb2O5等を出発原料とする未焼成の顆粒状の電子放出
材料の原料粉を作製する。以下にその一例を示すが、本
発明の電子放出材料は以下に示すものに限定されるもの
ではなく、前記した本発明者等により提案された特開平
9−129177号公報に示したもの等が好適に用いら
れる。
【0045】BaCO3、ZrO2、Ta2O5を出発原料
として、BaCO3が1モル、ZrO2が0.2モル、T
a2O5が0.8モルとなるように秤量した後、ボールミ
ル法により20時間程度湿式混合し、80℃〜130℃
の乾燥機にて乾燥した後、成形圧300MPa程度で成
形した。これを大気中で800℃〜1300℃にて2時
間程度仮焼きした。得られた粉末をボールミル法により
20時間程度粉砕し、80℃〜130℃の乾燥機にて乾
燥後、ポリビニルアルコールを含む水溶液を加え、乳
鉢、乳棒を用いて造粒を行った。
として、BaCO3が1モル、ZrO2が0.2モル、T
a2O5が0.8モルとなるように秤量した後、ボールミ
ル法により20時間程度湿式混合し、80℃〜130℃
の乾燥機にて乾燥した後、成形圧300MPa程度で成
形した。これを大気中で800℃〜1300℃にて2時
間程度仮焼きした。得られた粉末をボールミル法により
20時間程度粉砕し、80℃〜130℃の乾燥機にて乾
燥後、ポリビニルアルコールを含む水溶液を加え、乳
鉢、乳棒を用いて造粒を行った。
【0046】次に図5に示したセラミック陰極の製造方
法にし示される工程のうち、工程(f)〜(h)に従っ
て未焼成の顆粒状の電子放出材料の原料粉を用いて成形
後研削し、突起部2を形成した電極容器1または電極基
材1Aを作製し、これらを焼成してセラミック陰極を完
成する。以下実施例により詳細を説明する。
法にし示される工程のうち、工程(f)〜(h)に従っ
て未焼成の顆粒状の電子放出材料の原料粉を用いて成形
後研削し、突起部2を形成した電極容器1または電極基
材1Aを作製し、これらを焼成してセラミック陰極を完
成する。以下実施例により詳細を説明する。
【0047】(実施例1)図2に示すように、電極基材
1Aに9本の角柱状の突起部2を設けたものを作製し
た。この電極基材1Aは、成形後にサンドブラストで研
削して突起部2を形成した電極材料の周囲にカーボン粉
を置き、窒素を流しながら焼成し、セラミック陰極を作
製した。
1Aに9本の角柱状の突起部2を設けたものを作製し
た。この電極基材1Aは、成形後にサンドブラストで研
削して突起部2を形成した電極材料の周囲にカーボン粉
を置き、窒素を流しながら焼成し、セラミック陰極を作
製した。
【0048】このような方法で表1に示す各種の寸法、
間隔に設定された突起部2を持つセラミック陰極を作製
した。なお、図中、Aは図2に示す突起部2の水平断面
の一辺の長さ、Bは突起部2間の間隔、Cは突起部2の
長さ、COは電極基材1Aと突起部2を含めた全体の長
さ、Dは電極基材1Aの直径である。
間隔に設定された突起部2を持つセラミック陰極を作製
した。なお、図中、Aは図2に示す突起部2の水平断面
の一辺の長さ、Bは突起部2間の間隔、Cは突起部2の
長さ、COは電極基材1Aと突起部2を含めた全体の長
さ、Dは電極基材1Aの直径である。
【0049】次に上記方法により得られたセラミック陰
極を用いた蛍光ランプを作製し、その連続点灯試験を行
った。ここで、蛍光ランプの連続点灯試験における評価
方法について説明する。液晶表示用のバックライトの光
源として蛍光ランプを用いる場合、直下方式でもエッジ
ライト方式でもランプの管壁温度は90℃以下が望まし
い。90℃を超えると、バックライトの構成部品である
反射板、拡散板、導光板の劣化が激しく、実用的でな
い。しかしながら、蛍光ランプの管壁温度は点灯時間と
ともに上昇する。これは、点灯時間が長くなるに従い、
ランプ電圧が上昇し、ランプ電力が大きくなるためであ
る。そのため、ランプ寿命の目安として管壁温度が90
℃となる時間t1を測定し、連続寿命試験の評価とし
た。ランプ管壁の温度は以下に記す方法で測定した。ま
ず、バルブ9上の温度分布を赤外線放射型のサーモグラ
フィ装置により測定した。その結果、ランプ管端部付近
のバルブ上の位置が最も高かった。そこで25℃一定に
保った空間において、貼り付け型のK熱電対を、ランプ
管端部付近のバルブ上の位置、すなわち図1(a)に示
すように熱電対貼り付け部11に貼り付けて管壁温度を
測定した。
極を用いた蛍光ランプを作製し、その連続点灯試験を行
った。ここで、蛍光ランプの連続点灯試験における評価
方法について説明する。液晶表示用のバックライトの光
源として蛍光ランプを用いる場合、直下方式でもエッジ
ライト方式でもランプの管壁温度は90℃以下が望まし
い。90℃を超えると、バックライトの構成部品である
反射板、拡散板、導光板の劣化が激しく、実用的でな
い。しかしながら、蛍光ランプの管壁温度は点灯時間と
ともに上昇する。これは、点灯時間が長くなるに従い、
ランプ電圧が上昇し、ランプ電力が大きくなるためであ
る。そのため、ランプ寿命の目安として管壁温度が90
℃となる時間t1を測定し、連続寿命試験の評価とし
た。ランプ管壁の温度は以下に記す方法で測定した。ま
ず、バルブ9上の温度分布を赤外線放射型のサーモグラ
フィ装置により測定した。その結果、ランプ管端部付近
のバルブ上の位置が最も高かった。そこで25℃一定に
保った空間において、貼り付け型のK熱電対を、ランプ
管端部付近のバルブ上の位置、すなわち図1(a)に示
すように熱電対貼り付け部11に貼り付けて管壁温度を
測定した。
【0050】ランプ形状および連続点灯試験の条件は、
ランプ長:100mm、ランプ外径:4.8mmφ、ラ
ンプ電流:20mA、インバータ:30kHzとした。
ランプ長:100mm、ランプ外径:4.8mmφ、ラ
ンプ電流:20mA、インバータ:30kHzとした。
【0051】
【表1】
【0052】表1において、突起部2の数が9個の試料
1〜19のうち、試料19は前記時間t1が4300h
rとなり、最長となる。これに対し、試料1は前記時間
t1は1200hrと短い。これは、突起部2の長さC
が短いため、アークスポットを形成するために十分な熱
が蓄えられない。その結果、放電がグロー放電になり、
管壁温度が急激に上昇して実用的でない。
1〜19のうち、試料19は前記時間t1が4300h
rとなり、最長となる。これに対し、試料1は前記時間
t1は1200hrと短い。これは、突起部2の長さC
が短いため、アークスポットを形成するために十分な熱
が蓄えられない。その結果、放電がグロー放電になり、
管壁温度が急激に上昇して実用的でない。
【0053】試料7も、前記時間t1が1600hrと
短い。これは、突起部2の水平断面の一辺の長さAが短
いため、アークスポットの温度が上昇し、電子放出材料
の蒸発飛散が促進される。その結果、前記時間t1が短
くなり、実用的でない。
短い。これは、突起部2の水平断面の一辺の長さAが短
いため、アークスポットの温度が上昇し、電子放出材料
の蒸発飛散が促進される。その結果、前記時間t1が短
くなり、実用的でない。
【0054】試料13も、前記時間t1が2200hr
と短い。これは、突起部2の水平断面の一辺の長さAが
400μmと長いため、アークスポットを形成するため
の十分な熱が蓄えられず、突起部2の一部からアーク放
電しているためである。その結果、前記時間t1が短く
なり、実用的でない。
と短い。これは、突起部2の水平断面の一辺の長さAが
400μmと長いため、アークスポットを形成するため
の十分な熱が蓄えられず、突起部2の一部からアーク放
電しているためである。その結果、前記時間t1が短く
なり、実用的でない。
【0055】試料14および17はそれぞれ前記時間t
1が1900hr、2100hrと短い。これは、試料
14、17は突起部2、2間の間隔Bがそれぞれ50μ
m、100μmと短いため、アーク放電を安定に維持す
るために突起部2に蓄えられた熱が突起部2、2間に拡
散するためである。そのために前記時間t1が短くな
り、実用的でない。ただし、前記時間t1は間隔Bが5
0μmと短くても、前記一辺の長さAが100μmある
いは50μmと短い試料15、16においては、それぞ
れ前記時間t1が3000hr、2800hrと長くな
る。また、間隔Bが100μmであっても、前記一辺の
長さAが200μm、100μmと短い試料18、19
においては、前記時間t1がそれぞれ3600hr、4
300hrと長くなる。
1が1900hr、2100hrと短い。これは、試料
14、17は突起部2、2間の間隔Bがそれぞれ50μ
m、100μmと短いため、アーク放電を安定に維持す
るために突起部2に蓄えられた熱が突起部2、2間に拡
散するためである。そのために前記時間t1が短くな
り、実用的でない。ただし、前記時間t1は間隔Bが5
0μmと短くても、前記一辺の長さAが100μmある
いは50μmと短い試料15、16においては、それぞ
れ前記時間t1が3000hr、2800hrと長くな
る。また、間隔Bが100μmであっても、前記一辺の
長さAが200μm、100μmと短い試料18、19
においては、前記時間t1がそれぞれ3600hr、4
300hrと長くなる。
【0056】試料20は前記時間t1が2100時間と
短い。これは突起部2の数が4を少ないためであり、実
用的ではない。
短い。これは突起部2の数が4を少ないためであり、実
用的ではない。
【0057】試料2〜6、8〜12、15、16、1
8、19、21〜24は、突起部2のアークスポットを
形成するための十分な熱が蓄えられ、安定したアーク放
電を示した。その結果、前記時間t1はいずれも250
0hr以上であった。
8、19、21〜24は、突起部2のアークスポットを
形成するための十分な熱が蓄えられ、安定したアーク放
電を示した。その結果、前記時間t1はいずれも250
0hr以上であった。
【0058】表1の試料8に示すように、突起部2の水
平断面の一辺の長さAが20μmのものにおいて、前記
時間t1として2500hr以上の時間が得られ、ま
た、試料12に示すように、300μm以下であれば前
記時間t1として2500hr以上の時間が得られる。
従って、前記突起部2の水平断面の一辺の長さAは、2
0μm≦A≦300μmであることが好ましい。
平断面の一辺の長さAが20μmのものにおいて、前記
時間t1として2500hr以上の時間が得られ、ま
た、試料12に示すように、300μm以下であれば前
記時間t1として2500hr以上の時間が得られる。
従って、前記突起部2の水平断面の一辺の長さAは、2
0μm≦A≦300μmであることが好ましい。
【0059】また、A/Bの比は、試料15、18のよ
うに、A/Bが最大2以下であれば前記時間t1として
2500hr以上の時間が得られる。また、A/Bが
0.13である試料8においても、前記時間t1として
2500hr以上の時間が得られる。従って、0.13
≦A/B≦2であることが好ましい。
うに、A/Bが最大2以下であれば前記時間t1として
2500hr以上の時間が得られる。また、A/Bが
0.13である試料8においても、前記時間t1として
2500hr以上の時間が得られる。従って、0.13
≦A/B≦2であることが好ましい。
【0060】また、前記時間t1として2500hr以
上の時間が得られるA/C比の最大値は試料2のA/C
=1であり、また、A/Cの最小値は試料16のA/C
=0.083である。従って、0.083≦A/C≦1
であることが好ましい。
上の時間が得られるA/C比の最大値は試料2のA/C
=1であり、また、A/Cの最小値は試料16のA/C
=0.083である。従って、0.083≦A/C≦1
であることが好ましい。
【0061】また、突起部2の本数は試料21に示す5
本以上あれば前記時間t1として2500hr以上の時
間が得られる。さらに好ましくは、試料22〜24に示
すように、突起部2の個数が15〜60個あればさらに
前記時間t1を長くすることが可能である。
本以上あれば前記時間t1として2500hr以上の時
間が得られる。さらに好ましくは、試料22〜24に示
すように、突起部2の個数が15〜60個あればさらに
前記時間t1を長くすることが可能である。
【0062】なお、本発明は小型の蛍光ランプに適用さ
れ、電極容器1または電極基材1Aの水平断面の最大径
(または最大長)が約5mm程度になるという理由か
ら、突起部2として考えられる最大個数は、200個程
度である。
れ、電極容器1または電極基材1Aの水平断面の最大径
(または最大長)が約5mm程度になるという理由か
ら、突起部2として考えられる最大個数は、200個程
度である。
【0063】(実施例2)本発明のセラミック陰極を用
いて蛍光ランプを構成した場合について、ランプ電流と
突起部2の水平断面での一辺の長さAの組み合わせで、
アークスポットの状態を観察した結果を表2に示す。こ
こで、試験に用いたセラミック陰極は、図3の突起部2
が9個あるもので、形状は以下の通りである。(以下余
白)
いて蛍光ランプを構成した場合について、ランプ電流と
突起部2の水平断面での一辺の長さAの組み合わせで、
アークスポットの状態を観察した結果を表2に示す。こ
こで、試験に用いたセラミック陰極は、図3の突起部2
が9個あるもので、形状は以下の通りである。(以下余
白)
【0064】
【表2】
【0065】突起部2の水平断面での一辺の長さA:1
0、20、50、100、150、200、300、4
00μm 突起部2、2間の間隔B:200μm 電極基材1Aの全高Co:1.8mm 突起部2の長さC:0.6mm 電極基材1Aの断面の直径D:2.8mm
0、20、50、100、150、200、300、4
00μm 突起部2、2間の間隔B:200μm 電極基材1Aの全高Co:1.8mm 突起部2の長さC:0.6mm 電極基材1Aの断面の直径D:2.8mm
【0066】なお、突起部2の観察はキーエンス社のマ
イクロスコープを用いた。アークスポットと突起部2の
断面の大きさがほぼ一致するとき、アークスポットの移
動が少なく、最も安定である。また、安定なアーク放電
を維持できるランプ電流領域は、5mAから500mA
であり、表2から突起部2の水平断面の一辺の長さAが
20μm〜300μmの範囲にあるとき、安定したアー
クスポットを形成し、放電を長期にわたって維持でき
る。使用ランプ電流領域では、突起部2の水平断面の一
辺の長さAが20μm未満の時、アークスポットが頻繁
に移動するため、放電が不安定であり、突起部2の水平
断面の一辺の長さAが300μmより大きいと、熱電子
放出するための十分な熱が得られず、グロー放電に移行
し易い。
イクロスコープを用いた。アークスポットと突起部2の
断面の大きさがほぼ一致するとき、アークスポットの移
動が少なく、最も安定である。また、安定なアーク放電
を維持できるランプ電流領域は、5mAから500mA
であり、表2から突起部2の水平断面の一辺の長さAが
20μm〜300μmの範囲にあるとき、安定したアー
クスポットを形成し、放電を長期にわたって維持でき
る。使用ランプ電流領域では、突起部2の水平断面の一
辺の長さAが20μm未満の時、アークスポットが頻繁
に移動するため、放電が不安定であり、突起部2の水平
断面の一辺の長さAが300μmより大きいと、熱電子
放出するための十分な熱が得られず、グロー放電に移行
し易い。
【0067】なお、表2において、放電不安定とは、ア
ークスポットが5分以内に移動した場合をいい、ほぼ安
定とは突起部2に形成したアークスポットが1時間以上
移動しなかった場合をいい、安定とは突起部2に形成し
たアークスポットが10時間以上移動しなかった場合を
いい、グロー放電とはアークスポットを形成せずにセラ
ミック陰極全体が放電する場合をいい、突起部2の一部
とは突起部2の一部にアークスポットを形成して放電す
る場合をいう。
ークスポットが5分以内に移動した場合をいい、ほぼ安
定とは突起部2に形成したアークスポットが1時間以上
移動しなかった場合をいい、安定とは突起部2に形成し
たアークスポットが10時間以上移動しなかった場合を
いい、グロー放電とはアークスポットを形成せずにセラ
ミック陰極全体が放電する場合をいい、突起部2の一部
とは突起部2の一部にアークスポットを形成して放電す
る場合をいう。
【0068】(実施例3)表1の試料8〜12を用いて
蛍光ランプを構成した場合の突起部2の水平断面の一辺
の長さAと時間t1との関係を図6に示す。ただし、連
続点灯試験のランプの条件は実施例1と同じである。図
6から分かるように、ランプ電流20mAでは、突起部
2の水平断面の一辺の長さAが20μm以上、300μ
m以下であれば、2500hr以上のアーク放電を維持
することができ、突起部2の水平断面の一辺の長さAが
100μmのセラミック陰極の場合、前記時間t1は極
大点を持つ。また、表2の放電中のセラミック陰極の観
察結果から分かるように、ランプ電流20mAでは突起
部2の水平断面の一辺の長さAが100μmであるとき
にアークスポットが最も安定する。このように、アーク
スポットが安定であると、管壁温度の上昇を抑制し、安
定したアーク放電を長期にわたり維持することができ
る。
蛍光ランプを構成した場合の突起部2の水平断面の一辺
の長さAと時間t1との関係を図6に示す。ただし、連
続点灯試験のランプの条件は実施例1と同じである。図
6から分かるように、ランプ電流20mAでは、突起部
2の水平断面の一辺の長さAが20μm以上、300μ
m以下であれば、2500hr以上のアーク放電を維持
することができ、突起部2の水平断面の一辺の長さAが
100μmのセラミック陰極の場合、前記時間t1は極
大点を持つ。また、表2の放電中のセラミック陰極の観
察結果から分かるように、ランプ電流20mAでは突起
部2の水平断面の一辺の長さAが100μmであるとき
にアークスポットが最も安定する。このように、アーク
スポットが安定であると、管壁温度の上昇を抑制し、安
定したアーク放電を長期にわたり維持することができ
る。
【0069】以上の結果から、ランプの使用電流値に応
じた突起部2の水平断面の一辺の長さAを選択し、蛍光
ランプ用のセラミック陰極として用いることにより、管
壁の温度上昇の少ない安定したアーク放電を長期にわた
り維持できることが認められた。
じた突起部2の水平断面の一辺の長さAを選択し、蛍光
ランプ用のセラミック陰極として用いることにより、管
壁の温度上昇の少ない安定したアーク放電を長期にわた
り維持できることが認められた。
【0070】(実施例4)突起部2の形状は、突起部2
の水平断面の一辺の長さA、突起部2、2間の間隔B、
突起部2の長さCがそれぞれ、 20μm≦A≦300μm 0.13≦A/B≦2 0.083≦A/C≦1 を満足していれば、図2の形状でなくてもよく、図3に
示した形状でもt1≧2500hrを確認した。また、
図7(a)の正面図と図7(b)の断面図に示すよう
に、有底円筒状の電極容器1の底部に穴を開けてその穴
に円柱状の電子放出材料を挿入することにより、電極容
器1の内部に突起部2を設けた構造としてもよい。
の水平断面の一辺の長さA、突起部2、2間の間隔B、
突起部2の長さCがそれぞれ、 20μm≦A≦300μm 0.13≦A/B≦2 0.083≦A/C≦1 を満足していれば、図2の形状でなくてもよく、図3に
示した形状でもt1≧2500hrを確認した。また、
図7(a)の正面図と図7(b)の断面図に示すよう
に、有底円筒状の電極容器1の底部に穴を開けてその穴
に円柱状の電子放出材料を挿入することにより、電極容
器1の内部に突起部2を設けた構造としてもよい。
【0071】
【発明の効果】請求項1ないし4によれば、蛍光ランプ
の陰極として、電極容器あるいは電極基材に突起部を設
けたものを用いることにより、ランプ管壁の温度上昇を
抑制し、塊状あるいは粒状の電子放出材料を用いた場合
の電子放出材料の脱落の問題がなく、安定したアーク放
電を長期にわたり維持することが可能となる。また、蛍
光ランプの電流値に応じた突起部水平断面の一辺の長さ
を選択することで、効率的に熱電子を取り出すことがで
きるため、アークスポットの移動の少ない安定したアー
ク放電の実現が可能となる。
の陰極として、電極容器あるいは電極基材に突起部を設
けたものを用いることにより、ランプ管壁の温度上昇を
抑制し、塊状あるいは粒状の電子放出材料を用いた場合
の電子放出材料の脱落の問題がなく、安定したアーク放
電を長期にわたり維持することが可能となる。また、蛍
光ランプの電流値に応じた突起部水平断面の一辺の長さ
を選択することで、効率的に熱電子を取り出すことがで
きるため、アークスポットの移動の少ない安定したアー
ク放電の実現が可能となる。
【0072】請求項5によれば、前記突起部の先端が1
つもしくは複数個の凸曲面部または尖頭部からなり、突
起部の先端を凸曲面に形成した場合は、電界が均一に加
わり、アークスポットの移動が少なく、アーク放電が安
定し、一方、尖頭部を形成した場合、電界が突起部の先
端に集中し、グロー放電からアーク放電へすみやかに移
行し、始動時のスパッタリングが抑制されるという効果
がさらに得られる。
つもしくは複数個の凸曲面部または尖頭部からなり、突
起部の先端を凸曲面に形成した場合は、電界が均一に加
わり、アークスポットの移動が少なく、アーク放電が安
定し、一方、尖頭部を形成した場合、電界が突起部の先
端に集中し、グロー放電からアーク放電へすみやかに移
行し、始動時のスパッタリングが抑制されるという効果
がさらに得られる。
【0073】請求項6によれば、前記突起部の水平断面
形状が正方形または真円状をなし、該水平断面の直径も
しくは一辺の長さをA、突起部間の間隔をB、突起部の
長さをCとすると、20μm≦A≦300μm、0.1
3≦A/B≦2、0.083≦A/C≦1としたので、
より長期にわたり、アーク放電を維持することが可能と
なるという効果がさらに得られる。
形状が正方形または真円状をなし、該水平断面の直径も
しくは一辺の長さをA、突起部間の間隔をB、突起部の
長さをCとすると、20μm≦A≦300μm、0.1
3≦A/B≦2、0.083≦A/C≦1としたので、
より長期にわたり、アーク放電を維持することが可能と
なるという効果がさらに得られる。
【0074】請求項7によれば、前記突起部は、Ba、
Sr、Caのうち少なくとも一種以上を含む化合物を含
む第一成分と、Zrおよび/またはTiを含む化合物か
らなる第二成分と、Taおよび/またはNbを含む化合
物からなる第三成分とを含む材料からなるため、電子放
出が良好で、高融点かつ低抵抗であり、スパッタリング
防止作用の優れたセラミック陰極を提供することができ
るという効果がさらに得られる。
Sr、Caのうち少なくとも一種以上を含む化合物を含
む第一成分と、Zrおよび/またはTiを含む化合物か
らなる第二成分と、Taおよび/またはNbを含む化合
物からなる第三成分とを含む材料からなるため、電子放
出が良好で、高融点かつ低抵抗であり、スパッタリング
防止作用の優れたセラミック陰極を提供することができ
るという効果がさらに得られる。
【0075】請求項8によれば、前記突起部は、第一成
分、第二成分、第三成分のモル比をそれぞれX、Y、Z
として、 0.8≦X/(Y+Z)≦2.0 0.05≦Y≦0.6 0.4≦Z≦0.95としたので、請求項6の効果をよ
り良好に達成することができる。
分、第二成分、第三成分のモル比をそれぞれX、Y、Z
として、 0.8≦X/(Y+Z)≦2.0 0.05≦Y≦0.6 0.4≦Z≦0.95としたので、請求項6の効果をよ
り良好に達成することができる。
【0076】請求項9によれば、前記突起部の表面に、
TaまたはNbの炭化物および/または窒化物のスパッ
タリング防止層が形成されているため、電子放出材料の
放出飛散が防止され、寿命の長いセラミック陰極を提供
することができるという効果がさらに得られる。
TaまたはNbの炭化物および/または窒化物のスパッ
タリング防止層が形成されているため、電子放出材料の
放出飛散が防止され、寿命の長いセラミック陰極を提供
することができるという効果がさらに得られる。
【図1】(a)は本発明によるセラミック陰極の一実施
の形態を示す蛍光ランプの一端側の一部断面側面図、
(b)はそのセラミック陰極部を示す拡大側面図であ
る。
の形態を示す蛍光ランプの一端側の一部断面側面図、
(b)はそのセラミック陰極部を示す拡大側面図であ
る。
【図2】(a)、(b)はそれぞれ本発明のセラミック
陰極の一実施の形態を示す正面図、側面図である。
陰極の一実施の形態を示す正面図、側面図である。
【図3】(a)、(c)、(e)はそれぞれ本発明のセ
ラミック陰極の一実施の形態を示す正面図、(b)、
(d)、(f)はそれぞれ(a)、(c)、(e)の断
面図である。
ラミック陰極の一実施の形態を示す正面図、(b)、
(d)、(f)はそれぞれ(a)、(c)、(e)の断
面図である。
【図4】(a)〜(d)はそれぞれ本発明のセラミック
陰極の一実施の形態を示す側面図である。
陰極の一実施の形態を示す側面図である。
【図5】本発明のセラミック陰極の製造方法の一例を示
す工程図である。
す工程図である。
【図6】本発明のセラミック陰極の突起部の水平断面の
一辺の長さと管壁温度上昇時間との関係図である。
一辺の長さと管壁温度上昇時間との関係図である。
【図7】(a)、(b)はそれぞれ本発明のセラミック
陰極の他の実施の形態を示す正面図および断面図であ
る。
陰極の他の実施の形態を示す正面図および断面図であ
る。
【符号の説明】 1:電極容器、1A:電極基材、2:突起部、3:水銀
ディスペンサ材料、4:金属製パイプ、5:リード線、
6:リード線の拡大部、7:導電性パイプ、8:開口
部、9:バルブ、10:放電空間、11:熱電対貼り付
け部、20、21:凸曲面部、22、23:尖頭部
ディスペンサ材料、4:金属製パイプ、5:リード線、
6:リード線の拡大部、7:導電性パイプ、8:開口
部、9:バルブ、10:放電空間、11:熱電対貼り付
け部、20、21:凸曲面部、22、23:尖頭部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 原田 拓 東京都中央区日本橋一丁目13番1号 ティ −ディ−ケイ株式会社内
Claims (9)
- 【請求項1】蛍光放電ランプに使用されるセラミック陰
極であって、 有底筒状電極容器の内部または柱状電極基材の表面に、
電子放出材料からなる複数個の突起部を持つことを特徴
とするセラミック陰極。 - 【請求項2】請求項1において、 前記突起部を5個以上備えることを特徴とするセラミッ
ク陰極。 - 【請求項3】請求項1または2において、 前記電極容器または電極基材は、導電性の高融点金属、
または表面もしくは全体に導電性を持つセラミックスか
らなることを特徴とするセラミック陰極。 - 【請求項4】請求項1から3までのいずれかにおいて、 前記突起部の水平断面は、円状または多角形状をなすこ
とを特徴とするセラミック陰極。 - 【請求項5】請求項1から4までのいずれかにおいて、 前記突起部の先端が、1つもしくは複数個の凸曲面状部
または尖頭状部からなることを特徴とするセラミック陰
極。 - 【請求項6】請求項4または5において、 前記突起部の水平断面形状が正方形または真円状をな
し、該水平断面の直径もしくは一辺の長さをA、突起部
間の間隔をB、突起部の長さをCとして、 20μm≦A≦300μm、0.13≦A/B≦2、
0.083≦A/C≦1であることを特徴とするセラミ
ック陰極。 - 【請求項7】請求項1から6までのいずれかにおいて、 前記突起部は、Ba、Sr、Caのうち少なくとも一種
以上を含む化合物を含む第一成分と、 Zrおよび/またはTiを含む化合物からなる第二成分
と、 Taおよび/またはNbを含む化合物からなる第三成分
とを含む材料からなることを特徴とするセラミック陰
極。 - 【請求項8】請求項7において、 前記突起部は、第一成分、第二成分、第三成分のモル比
をそれぞれX、Y、Zとして、 0.8≦X/(Y+Z)≦2.0 0.05≦Y≦0.6 0.4≦Z≦0.95 である材料からなる ことを特徴とするセラミック陰極。 - 【請求項9】請求項1から8までのいずれかにおいて、 前記突起部の表面に、TaまたはNbの炭化物および/
または窒化物のスパッタリング防止層が形成されている
ことを特徴とするセラミック陰極。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31165397A JPH11144677A (ja) | 1997-11-13 | 1997-11-13 | セラミック陰極 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31165397A JPH11144677A (ja) | 1997-11-13 | 1997-11-13 | セラミック陰極 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11144677A true JPH11144677A (ja) | 1999-05-28 |
Family
ID=18019876
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31165397A Withdrawn JPH11144677A (ja) | 1997-11-13 | 1997-11-13 | セラミック陰極 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11144677A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004075242A1 (ja) * | 2003-02-18 | 2004-09-02 | Tadahiro Ohmi | 蛍光管及びその製造方法 |
CN100459020C (zh) * | 2006-04-05 | 2009-02-04 | 东南大学 | 一种多放电单元气体放电灯阴极 |
US7605527B2 (en) | 2004-05-31 | 2009-10-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Discharge lamp and discharge electrode having an electron-emitting layer including a plurality of protrusions separated by grooves |
JP2011074887A (ja) * | 2009-10-01 | 2011-04-14 | Japan Aerospace Exploration Agency | ホローカソード |
JP2012195265A (ja) * | 2011-03-18 | 2012-10-11 | Ushio Inc | フラッシュランプ |
US9818596B2 (en) | 2015-08-18 | 2017-11-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Arc lamp and substrate heating apparatus having the arc lamp |
-
1997
- 1997-11-13 JP JP31165397A patent/JPH11144677A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004075242A1 (ja) * | 2003-02-18 | 2004-09-02 | Tadahiro Ohmi | 蛍光管及びその製造方法 |
US7501764B2 (en) | 2003-02-18 | 2009-03-10 | Foundation For Advancement Of International Science | Fluorescent lamp and method of manufacturing same |
US7605527B2 (en) | 2004-05-31 | 2009-10-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Discharge lamp and discharge electrode having an electron-emitting layer including a plurality of protrusions separated by grooves |
CN100459020C (zh) * | 2006-04-05 | 2009-02-04 | 东南大学 | 一种多放电单元气体放电灯阴极 |
JP2011074887A (ja) * | 2009-10-01 | 2011-04-14 | Japan Aerospace Exploration Agency | ホローカソード |
JP2012195265A (ja) * | 2011-03-18 | 2012-10-11 | Ushio Inc | フラッシュランプ |
US9818596B2 (en) | 2015-08-18 | 2017-11-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Arc lamp and substrate heating apparatus having the arc lamp |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050201 |