JPH11135811A - Ｃｉｓ系太陽電池モジュール及びその製造方法 - Google Patents
Ｃｉｓ系太陽電池モジュール及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH11135811A JPH11135811A JP9295711A JP29571197A JPH11135811A JP H11135811 A JPH11135811 A JP H11135811A JP 9295711 A JP9295711 A JP 9295711A JP 29571197 A JP29571197 A JP 29571197A JP H11135811 A JPH11135811 A JP H11135811A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solar cell
- cis
- thin film
- cell module
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板面積を縮小することなく重量を低減した
取り扱いの簡単なＣＩＳ系太陽電池モジュールを低コス
トで提供する提供する。 【解決手段】 表面に耐熱性電気絶縁膜１ａを成膜した
金属薄膜１ｂよりなる基板１を有するＣＩＳ系太陽電池
モジュールとする。前記耐熱性電気絶縁膜１ａは、例え
ば、酸化珪素を主成分とする材料で構成されるセラミッ
ク薄膜又は耐熱性樹脂材料で構成される樹脂薄膜であ
る。前記樹脂薄膜を可撓性の樹脂材料で構成すると、ro
ll to roll 方式でＣＩＳ系太陽電池のサブモジュール
化をすることが可能となる。さらに、熱可塑性透明樹脂
層を介して可撓性の透明樹脂フィルムを表面保護層とし
て設けると、ＣＩＳ系太陽電池のサブモジュールに可撓
性を付与することができる。
取り扱いの簡単なＣＩＳ系太陽電池モジュールを低コス
トで提供する提供する。 【解決手段】 表面に耐熱性電気絶縁膜１ａを成膜した
金属薄膜１ｂよりなる基板１を有するＣＩＳ系太陽電池
モジュールとする。前記耐熱性電気絶縁膜１ａは、例え
ば、酸化珪素を主成分とする材料で構成されるセラミッ
ク薄膜又は耐熱性樹脂材料で構成される樹脂薄膜であ
る。前記樹脂薄膜を可撓性の樹脂材料で構成すると、ro
ll to roll 方式でＣＩＳ系太陽電池のサブモジュール
化をすることが可能となる。さらに、熱可塑性透明樹脂
層を介して可撓性の透明樹脂フィルムを表面保護層とし
て設けると、ＣＩＳ系太陽電池のサブモジュールに可撓
性を付与することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＩＳ系太陽電池
モジュール及びその製造方法に関する。
モジュール及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】化合物半導体太陽電としては、周期律表
のＩＩＩ族の元素（Ｇａ、Ｉｎ等）及びＶ族の元素
（Ｐ、Ａｓ等）から構成されるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体太陽電池、並びに、周期律表のＩＩ族の元素（Ｚｎ、
Ｃｄ等）及びＶＩ族の元素（Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ等）から構
成されるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体太陽電池が知られて
いる。最近では、ＣｕＩｎＳｅ2 （ＣＩＳ）等のカルコ
パイライト化合物の薄膜を用いた太陽電池が提案されて
いる。特に、ＣＩＳは、光吸収係数が大きく、また、薄
膜化に適しているので、低コストで大面積の太陽電池を
提供するために、ＣＩＳを用いた太陽電池の開発が期待
されている。
のＩＩＩ族の元素（Ｇａ、Ｉｎ等）及びＶ族の元素
（Ｐ、Ａｓ等）から構成されるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体太陽電池、並びに、周期律表のＩＩ族の元素（Ｚｎ、
Ｃｄ等）及びＶＩ族の元素（Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ等）から構
成されるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体太陽電池が知られて
いる。最近では、ＣｕＩｎＳｅ2 （ＣＩＳ）等のカルコ
パイライト化合物の薄膜を用いた太陽電池が提案されて
いる。特に、ＣＩＳは、光吸収係数が大きく、また、薄
膜化に適しているので、低コストで大面積の太陽電池を
提供するために、ＣＩＳを用いた太陽電池の開発が期待
されている。
【０００３】図４は、従来の太陽電池モジュールの断面
説明図である。図４において、４０は、太陽電池モジュ
ールである。太陽電池モジュール４０においては、多数
接続された結晶系Ｓｉ太陽電池素子３３が厚さ１〜３ｍ
ｍの無機ガラス板よりなる基板３１及び厚さ１〜３ｍｍ
の無機ガラス板よりなる表面保護板３５の間の透明樹脂
層３２の中に封止されている。結晶系Ｓｉ太陽電池素子
３３の相互は、インターコネクタ３４によって、接続さ
れている。前記透明樹脂としては、ポリビニルブチロー
ル、エチレンビニルアセテート等が用いられている。こ
の太陽電池モジュール４０は、アルミ枠３６の中に納め
られ、その表面保護板３５より受光する。
説明図である。図４において、４０は、太陽電池モジュ
ールである。太陽電池モジュール４０においては、多数
接続された結晶系Ｓｉ太陽電池素子３３が厚さ１〜３ｍ
ｍの無機ガラス板よりなる基板３１及び厚さ１〜３ｍｍ
の無機ガラス板よりなる表面保護板３５の間の透明樹脂
層３２の中に封止されている。結晶系Ｓｉ太陽電池素子
３３の相互は、インターコネクタ３４によって、接続さ
れている。前記透明樹脂としては、ポリビニルブチロー
ル、エチレンビニルアセテート等が用いられている。こ
の太陽電池モジュール４０は、アルミ枠３６の中に納め
られ、その表面保護板３５より受光する。
【０００４】図５は、他の従来の太陽電池サブモジュー
ルの断面説明図である。図５において、５０は、薄膜太
陽電池サブモジュールである。薄膜太陽電池サブモジュ
ール５０は、ガラス板よりなる基板４１を有している。
基板４１の上には、裏面電極４２が形成され、その裏面
電極４２の上には、ｐ型半導体４３が形成され、そのｐ
型半導体４３の上には、ｎ型半導体４４ａが形成され、
さらに、そのｎ型半導体４４ａの上には、直列接続用集
電体４６が形成されている。薄膜太陽電池サブモジュー
ル５０の一方端のｎ型半導体４４ｂの上には、−電極４
７が設けられ、そして、その他方端の裏面電極４２の上
には、＋電極４５が設けられている。
ルの断面説明図である。図５において、５０は、薄膜太
陽電池サブモジュールである。薄膜太陽電池サブモジュ
ール５０は、ガラス板よりなる基板４１を有している。
基板４１の上には、裏面電極４２が形成され、その裏面
電極４２の上には、ｐ型半導体４３が形成され、そのｐ
型半導体４３の上には、ｎ型半導体４４ａが形成され、
さらに、そのｎ型半導体４４ａの上には、直列接続用集
電体４６が形成されている。薄膜太陽電池サブモジュー
ル５０の一方端のｎ型半導体４４ｂの上には、−電極４
７が設けられ、そして、その他方端の裏面電極４２の上
には、＋電極４５が設けられている。
【０００５】図６は、従来のＣＩＳ系薄膜太陽電池の製
造ラインの一例を示す概略説明図である。６０は、反応
室である。反応室６０は、基板挿入室６０ａ、Ｍｏ膜形
成室６０ｂ、ＣＩＳ膜形成室６０ｃ、ＣｄＳ膜形成室６
０ｄ、ＺｎＯ膜形成室６０ｅ、ＡｌをドープしたＺｎＯ
膜形成室６０ｆ及び基板取り出し室６０ｇを有してい
る。これらの反応室は、それぞれ、入口及び出口にシャ
ッターを有し、そして、真空ポンプによる排気によって
真空に保持されている。基板５１は、シャッター５２を
開けて順次各反応室に導入される。Ｍｏ膜形成室６０
ｂ、ＣＩＳ膜形成室６０ｃ、ＣｄＳ膜形成室６０ｄ、Ｚ
ｎＯ膜形成室６０ｅ及びＡｌをドープしたＺｎＯ膜形成
室６０ｆでは、ＲＦ電源の印加により発生させたイオン
が加速させてそれらの膜反応室に設けられたターゲッ
ト、即ち、「Ｍｏ」、「Ｃｕ、Ｉｎ、Ｓｅ」、「Ｃｄ
Ｓ」、「ＺｎＯ」及び「ＡｌをドープしたＺｎＯ」にそ
れぞれ衝突する。そして、それらの衝突ではじき出され
たターゲットの原子、分子が基板５１の上に順次堆積さ
れてＣＩＳ系薄膜太陽電池が形成される。
造ラインの一例を示す概略説明図である。６０は、反応
室である。反応室６０は、基板挿入室６０ａ、Ｍｏ膜形
成室６０ｂ、ＣＩＳ膜形成室６０ｃ、ＣｄＳ膜形成室６
０ｄ、ＺｎＯ膜形成室６０ｅ、ＡｌをドープしたＺｎＯ
膜形成室６０ｆ及び基板取り出し室６０ｇを有してい
る。これらの反応室は、それぞれ、入口及び出口にシャ
ッターを有し、そして、真空ポンプによる排気によって
真空に保持されている。基板５１は、シャッター５２を
開けて順次各反応室に導入される。Ｍｏ膜形成室６０
ｂ、ＣＩＳ膜形成室６０ｃ、ＣｄＳ膜形成室６０ｄ、Ｚ
ｎＯ膜形成室６０ｅ及びＡｌをドープしたＺｎＯ膜形成
室６０ｆでは、ＲＦ電源の印加により発生させたイオン
が加速させてそれらの膜反応室に設けられたターゲッ
ト、即ち、「Ｍｏ」、「Ｃｕ、Ｉｎ、Ｓｅ」、「Ｃｄ
Ｓ」、「ＺｎＯ」及び「ＡｌをドープしたＺｎＯ」にそ
れぞれ衝突する。そして、それらの衝突ではじき出され
たターゲットの原子、分子が基板５１の上に順次堆積さ
れてＣＩＳ系薄膜太陽電池が形成される。
【０００６】このように、従来の太陽電池モジュールに
おいては、ガラス板が基板として用いられているが、そ
の理由は、ガラス板が絶縁性及び耐候性に優れているか
らである。
おいては、ガラス板が基板として用いられているが、そ
の理由は、ガラス板が絶縁性及び耐候性に優れているか
らである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ガラスは、脆く、割れ
やすいという性質があるので、上記したようなＣＩＳ系
太陽電池モジュールの製造においては、基板として板厚
の厚いガラス板を用いている。しかしながら、ガラス板
を厚くすると、ＣＩＳ系太陽電池モジュールの総重量が
重くなって、その取り扱いが不便になるという問題があ
り、かかる問題を回避しようとすると、ガラス板よりな
る基板の面積を、小さくしなければならない、即ち、制
限しなければならない、という問題がある。
やすいという性質があるので、上記したようなＣＩＳ系
太陽電池モジュールの製造においては、基板として板厚
の厚いガラス板を用いている。しかしながら、ガラス板
を厚くすると、ＣＩＳ系太陽電池モジュールの総重量が
重くなって、その取り扱いが不便になるという問題があ
り、かかる問題を回避しようとすると、ガラス板よりな
る基板の面積を、小さくしなければならない、即ち、制
限しなければならない、という問題がある。
【０００８】本発明は、かかる問題を解決することを目
的としている。即ち、本発明は、基板面積を縮小するこ
となく重量を低減した取り扱いの簡単なＣＩＳ系太陽電
池モジュールを低コストで提供することを目的とする。
的としている。即ち、本発明は、基板面積を縮小するこ
となく重量を低減した取り扱いの簡単なＣＩＳ系太陽電
池モジュールを低コストで提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者は、このような
課題を解決するために、ＣＩＳ系太陽電池モジュールに
おける基板として金属薄膜を用いること思いついたが、
金属薄膜は、良導電性であるために、そのままではＣＩ
Ｓ系太陽電池モジュールにおける基板として用いること
ができないので、ＣＩＳ系太陽電池モジュールにおける
基板として金属薄膜を用いることができるような方策を
鋭意実験を重ね探求している内に、金属薄膜の表面に酸
化珪素を主成分とするセラミックス、耐熱性樹脂材料等
の耐熱性電気絶縁膜を形成したところ、かかる電気絶縁
膜が表面に形成された金属薄膜よりなる基板がＣＩＳ系
太陽電池モジュールにおける基板として有効に用いるこ
とができることを発見して本発明を完成するに至った。
課題を解決するために、ＣＩＳ系太陽電池モジュールに
おける基板として金属薄膜を用いること思いついたが、
金属薄膜は、良導電性であるために、そのままではＣＩ
Ｓ系太陽電池モジュールにおける基板として用いること
ができないので、ＣＩＳ系太陽電池モジュールにおける
基板として金属薄膜を用いることができるような方策を
鋭意実験を重ね探求している内に、金属薄膜の表面に酸
化珪素を主成分とするセラミックス、耐熱性樹脂材料等
の耐熱性電気絶縁膜を形成したところ、かかる電気絶縁
膜が表面に形成された金属薄膜よりなる基板がＣＩＳ系
太陽電池モジュールにおける基板として有効に用いるこ
とができることを発見して本発明を完成するに至った。
【００１０】即ち、本第１発明は、上記目的を達成する
ために、表面に耐熱性電気絶縁膜を成膜した金属薄膜よ
りなる基板を有することを特徴とするＣＩＳ系太陽電池
モジュールである。
ために、表面に耐熱性電気絶縁膜を成膜した金属薄膜よ
りなる基板を有することを特徴とするＣＩＳ系太陽電池
モジュールである。
【００１１】本第２発明は、第１発明において、耐熱性
電気絶縁膜がセラミック薄膜であることを特徴としてい
る。
電気絶縁膜がセラミック薄膜であることを特徴としてい
る。
【００１２】本第３発明は、第２発明において、セラミ
ック薄膜を酸化珪素を主成分とする材料で構成すること
を特徴としている。
ック薄膜を酸化珪素を主成分とする材料で構成すること
を特徴としている。
【００１３】本第４発明は、第３発明において、セラミ
ック薄膜を、次の式、
ック薄膜を、次の式、
【化３】 ＣＨ2Ｓｉ（ＯＨ） （１） 及び
【化４】 （式中、Ｒは、炭素数が１〜２の直鎖アルキル基をしめ
す。）で示される化合物から選ばれる少なくとも１種の
シラン化合物を重リン酸アルミニウムを触媒として加水
分解・重縮合反応させてサブミクロンサイズの超微粒子
が溶液中に分散した流動性を示すゾルとした無機コーテ
ィング組成物より、形成したことを特徴としている。
す。）で示される化合物から選ばれる少なくとも１種の
シラン化合物を重リン酸アルミニウムを触媒として加水
分解・重縮合反応させてサブミクロンサイズの超微粒子
が溶液中に分散した流動性を示すゾルとした無機コーテ
ィング組成物より、形成したことを特徴としている。
【００１４】第５発明は、第１発明において、耐熱性電
気絶縁膜を樹脂材料で構成することを特徴としている。
気絶縁膜を樹脂材料で構成することを特徴としている。
【００１５】第６発明は、第５発明において、樹脂材料
が可撓性の樹脂材料であることを特徴としている。
が可撓性の樹脂材料であることを特徴としている。
【００１６】第７発明は、第１，２，３，４，５又は６
発明において、熱可塑性透明樹脂層を介して無機ガラス
板を表面保護層として設けたことを特徴としている。
発明において、熱可塑性透明樹脂層を介して無機ガラス
板を表面保護層として設けたことを特徴としている。
【００１７】第８発明は、第６発明において、熱可塑性
透明樹脂接着剤層を介して可撓性の透明樹脂フィルムを
表面保護膜として設けたことを特徴としている。
透明樹脂接着剤層を介して可撓性の透明樹脂フィルムを
表面保護膜として設けたことを特徴としている。
【００１８】第９発明は、(イ) 表面に可撓性の樹脂材料
で構成された耐熱性電気絶縁膜を成膜した金属薄膜より
なる基板の耐熱性電気絶縁膜にＭｏ薄膜を形成する工
程、(ロ) 前記Ｍｏ薄膜にＣｕ膜を形成する工程、(ハ) 前
記Ｃｕ薄膜にＩｎ-Ｓｅ系化合物半導体薄膜を形成する
工程、(ニ) 前記ＣＩＳ系化合物半導体薄膜にＣｄＳ薄膜
を形成する工程、及び、(ホ) 前記ＣｄＳ薄膜にＺｎＯ薄
膜を形成する工程、を順次有するＣＩＳ系太陽電池モジ
ュールの製造において、可撓性樹脂材料で構成された耐
熱性電気絶縁膜を有する金属薄膜よりなる基板を、供給
ロールより連続的に送り出し、そして、巻き取りロール
で連続的に巻き取ることを特徴とするＣＩＳ系太陽電池
モジュールの製造方法である。
で構成された耐熱性電気絶縁膜を成膜した金属薄膜より
なる基板の耐熱性電気絶縁膜にＭｏ薄膜を形成する工
程、(ロ) 前記Ｍｏ薄膜にＣｕ膜を形成する工程、(ハ) 前
記Ｃｕ薄膜にＩｎ-Ｓｅ系化合物半導体薄膜を形成する
工程、(ニ) 前記ＣＩＳ系化合物半導体薄膜にＣｄＳ薄膜
を形成する工程、及び、(ホ) 前記ＣｄＳ薄膜にＺｎＯ薄
膜を形成する工程、を順次有するＣＩＳ系太陽電池モジ
ュールの製造において、可撓性樹脂材料で構成された耐
熱性電気絶縁膜を有する金属薄膜よりなる基板を、供給
ロールより連続的に送り出し、そして、巻き取りロール
で連続的に巻き取ることを特徴とするＣＩＳ系太陽電池
モジュールの製造方法である。
【００１９】第１０発明は、第９発明において、(ホ) 工
程に続いて、(ヘ) ＺｎＯ薄膜に熱可塑性透明樹脂接着剤
層を介して可撓性の透明樹脂フィルムを表面保護膜とし
て設ける工程を有することを特徴としている。
程に続いて、(ヘ) ＺｎＯ薄膜に熱可塑性透明樹脂接着剤
層を介して可撓性の透明樹脂フィルムを表面保護膜とし
て設ける工程を有することを特徴としている。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図１は、本発明の一実施の形態を
示すＣＩＳ系太陽電池モジュールの断面説明図である。
に基づいて説明する。図１は、本発明の一実施の形態を
示すＣＩＳ系太陽電池モジュールの断面説明図である。
【００２１】図１において、１０は、ＣＩＳ系太陽電池
モジュールである。ＣＩＳ系太陽電池モジュールは、耐
熱性電気絶縁膜１ｂを成膜した金属薄膜１ａよりなる基
板１を有している。この基板１の上に裏面電極２、ＣＩ
Ｓ系太陽電池素子３及び透明電極４が順次設けられ、そ
れらが熱可塑性透明樹脂５によって封止されている。表
面保護ガラス６は、熱可塑性透明樹脂５を介して設けら
れている。この太陽電池モジュール１０は、表面保護ガ
ラス６と同寸法で切り取られて、外枠７の中に納められ
て、強度を保持している。そして、この太陽電池モジュ
ール１０は、その表面保護ガラス６より受光する。
モジュールである。ＣＩＳ系太陽電池モジュールは、耐
熱性電気絶縁膜１ｂを成膜した金属薄膜１ａよりなる基
板１を有している。この基板１の上に裏面電極２、ＣＩ
Ｓ系太陽電池素子３及び透明電極４が順次設けられ、そ
れらが熱可塑性透明樹脂５によって封止されている。表
面保護ガラス６は、熱可塑性透明樹脂５を介して設けら
れている。この太陽電池モジュール１０は、表面保護ガ
ラス６と同寸法で切り取られて、外枠７の中に納められ
て、強度を保持している。そして、この太陽電池モジュ
ール１０は、その表面保護ガラス６より受光する。
【００２２】前記金属薄膜１ａとしては、例えば、ＳＵ
Ｓ、アルミムウムメッキ鋼板等が用いられる。前記金属
薄膜１ａは、ＣＩＳ系太陽電池素子３の成膜時に支障を
きたさない膜厚を有し、例えば、０．０２５〜０．５ｍ
ｍの膜厚を有する。前記耐熱性電気絶縁膜１ｂは、３５
０〜５５０℃のセレン化温度に耐えられる材料で構成さ
れるものであればどのような材料で構成されていても良
いが、好適には、セラミック又は耐熱性樹脂によって構
成される。前記耐熱性電気絶縁膜１ｂは、０．００４〜
０．０１０ｍｍの膜厚を有する。
Ｓ、アルミムウムメッキ鋼板等が用いられる。前記金属
薄膜１ａは、ＣＩＳ系太陽電池素子３の成膜時に支障を
きたさない膜厚を有し、例えば、０．０２５〜０．５ｍ
ｍの膜厚を有する。前記耐熱性電気絶縁膜１ｂは、３５
０〜５５０℃のセレン化温度に耐えられる材料で構成さ
れるものであればどのような材料で構成されていても良
いが、好適には、セラミック又は耐熱性樹脂によって構
成される。前記耐熱性電気絶縁膜１ｂは、０．００４〜
０．０１０ｍｍの膜厚を有する。
【００２３】前記セラミックよりなる薄膜は、例えば、
酸化珪素を主成分とする材料で形成され、好ましくは、
次の式、
酸化珪素を主成分とする材料で形成され、好ましくは、
次の式、
【化５】 ＣＨ2Ｓｉ（ＯＨ） （１） 及び
【化６】 （式中、Ｒは、炭素数が１〜２の直鎖アルキル基をしめ
す。）で示される化合物から選ばれる少なくとも１種の
シラン化合物を重リン酸アルミニウムを触媒として加水
分解・重縮合反応させて、サブミクロンサイズの超微粒
子が溶液中に分散した流動性を示すゾルからなる無機コ
ーティング組成物より形成される。即ち、セラミックス
薄膜（１ｂ）は、前記ゾルよりなる無機系コーティング
組成物を金属薄膜１ａの表面に被覆して該超微粒子同士
が３次元的に成長した見かけ上固化したゲルとし、さら
に、これを加熱することにより形成される。このような
無機系コーティング組成物は、例えば、特開平３−３５
０７３号公報に示されているように斯界でよく知られた
ものであり、『グラスモドキ』Ｘ−５００ＰＡ（テー・
エス・ビー社製）として市販されているものである。
す。）で示される化合物から選ばれる少なくとも１種の
シラン化合物を重リン酸アルミニウムを触媒として加水
分解・重縮合反応させて、サブミクロンサイズの超微粒
子が溶液中に分散した流動性を示すゾルからなる無機コ
ーティング組成物より形成される。即ち、セラミックス
薄膜（１ｂ）は、前記ゾルよりなる無機系コーティング
組成物を金属薄膜１ａの表面に被覆して該超微粒子同士
が３次元的に成長した見かけ上固化したゲルとし、さら
に、これを加熱することにより形成される。このような
無機系コーティング組成物は、例えば、特開平３−３５
０７３号公報に示されているように斯界でよく知られた
ものであり、『グラスモドキ』Ｘ−５００ＰＡ（テー・
エス・ビー社製）として市販されているものである。
【００２４】前記耐熱性樹脂よりなる薄膜は、１種のア
ルコキシシランの加水分解物、もしくは、その部分縮合
物からなるポリシロキサン、メチルトリメトキシシラ
ン、メチルトリエトキシシラン等の樹脂材料により形成
される。
ルコキシシランの加水分解物、もしくは、その部分縮合
物からなるポリシロキサン、メチルトリメトキシシラ
ン、メチルトリエトキシシラン等の樹脂材料により形成
される。
【００２５】前記ＣＩＳ系太陽電池素子４を構成するカ
ルコパイライト化合物としては、例えば、ＣｕＩｎＳｅ
2 、ＣｕＩｎＳ2、Ｃｕ（Ｉｎ1-xＧａx）Ｓｅ2、ＣｕＩ
ｎ（ＳxＳｅ1-x）2 、Ｃｕ（Ｉｎ1-xＧａx）（ＳyＳｅ
1-Y）2 等（これらの式中、ｘ及びｙはそれぞれ０≦ｘ
≦１及び０≦ｙ≦１で示される値である。）がある。
ルコパイライト化合物としては、例えば、ＣｕＩｎＳｅ
2 、ＣｕＩｎＳ2、Ｃｕ（Ｉｎ1-xＧａx）Ｓｅ2、ＣｕＩ
ｎ（ＳxＳｅ1-x）2 、Ｃｕ（Ｉｎ1-xＧａx）（ＳyＳｅ
1-Y）2 等（これらの式中、ｘ及びｙはそれぞれ０≦ｘ
≦１及び０≦ｙ≦１で示される値である。）がある。
【００２６】前記熱可塑性透明樹脂としては、ポリビニ
ルブチロール、エチレンビニルアセテート、ウレタン樹
脂、シリコン樹脂、フッ素樹脂等が用いられている。
ルブチロール、エチレンビニルアセテート、ウレタン樹
脂、シリコン樹脂、フッ素樹脂等が用いられている。
【００２７】図２は、本発明の他の一実施の形態を示す
ＣＩＳ系太陽電池モジュールの断面説明図であり、そし
て、図３は、そのＣＩＳ系太陽電池の製造ラインを示す
概略説明図である。
ＣＩＳ系太陽電池モジュールの断面説明図であり、そし
て、図３は、そのＣＩＳ系太陽電池の製造ラインを示す
概略説明図である。
【００２８】図２において、２０は、ＣＩＳ系太陽電池
モジュールである。ＣＩＳ系太陽電池モジュール２０
は、可撓性の樹脂材料で構成される耐熱性電気絶縁膜１
１ｂを成膜した金属薄膜１１ａよりなる可撓性の基板１
１を有している。この基板上にＣＩＳ系太陽電池素子１
２が多数設けられ、そして、それらのＣＩＳ系太陽電池
素子１２は、配線１３によって接続されている。配線１
３によって接続されたＣＩＳ系太陽電池素子１２は、熱
可塑性透明樹脂接着剤層１４によって封止され、そし
て、その熱可塑性透明樹脂接着剤層１４の上には、透明
樹脂フィルム１５が設けられている。１６，１６は、Ｃ
ＩＳ系太陽電池素子１２の電極（図示せず）に接続され
たリード線である。
モジュールである。ＣＩＳ系太陽電池モジュール２０
は、可撓性の樹脂材料で構成される耐熱性電気絶縁膜１
１ｂを成膜した金属薄膜１１ａよりなる可撓性の基板１
１を有している。この基板上にＣＩＳ系太陽電池素子１
２が多数設けられ、そして、それらのＣＩＳ系太陽電池
素子１２は、配線１３によって接続されている。配線１
３によって接続されたＣＩＳ系太陽電池素子１２は、熱
可塑性透明樹脂接着剤層１４によって封止され、そし
て、その熱可塑性透明樹脂接着剤層１４の上には、透明
樹脂フィルム１５が設けられている。１６，１６は、Ｃ
ＩＳ系太陽電池素子１２の電極（図示せず）に接続され
たリード線である。
【００２９】前記耐熱性電気絶縁膜１ｂを構成する可撓
性の樹脂材料としては、ポリイミド、ポリエーテルイミ
ド、パラ系アラミド、フッ素系樹脂等の樹脂により成膜
された膜であって高温に耐えられるものが用いられる。
性の樹脂材料としては、ポリイミド、ポリエーテルイミ
ド、パラ系アラミド、フッ素系樹脂等の樹脂により成膜
された膜であって高温に耐えられるものが用いられる。
【００３０】前記熱可塑性透明樹脂接着剤としては、ポ
リビニルブチロール、エチレンビニルアセテート、ウレ
タン樹脂、シリコン樹脂、フッ素樹脂等の基板との充分
な接着性を確保でき、しかも、長期耐久に優れ、熱膨
張、熱収縮に耐えられる柔軟性を兼ね備えた樹脂が用い
られる。
リビニルブチロール、エチレンビニルアセテート、ウレ
タン樹脂、シリコン樹脂、フッ素樹脂等の基板との充分
な接着性を確保でき、しかも、長期耐久に優れ、熱膨
張、熱収縮に耐えられる柔軟性を兼ね備えた樹脂が用い
られる。
【００３１】前記透明樹脂フィルムとしては、フッ素樹
脂、アクリル樹脂等のフィルムがあるが、耐候性、機械
的強度及び透明性の観点から、延伸処理していない四フ
ッ化エチレン共重合体フィルム、あるいは、コロナ処理
又はプラズマ処理を行い、さらに、延伸処理を施してあ
る他のフィルム等が用いられる。
脂、アクリル樹脂等のフィルムがあるが、耐候性、機械
的強度及び透明性の観点から、延伸処理していない四フ
ッ化エチレン共重合体フィルム、あるいは、コロナ処理
又はプラズマ処理を行い、さらに、延伸処理を施してあ
る他のフィルム等が用いられる。
【００３２】ＣＩＳ系太陽電池モジュール２０は、例え
ば、図３に示されるＣＩＳ系太陽電池の製造ラインによ
って製造される。３０は、反応室である。反応室３０
は、基板挿入室３０ａ、Ｍｏ膜形成室３０ｂ、Ｃｕ膜形
成室３０ｃ、Ｉｎ−Ｓｅ膜形成室３０ｄ、Ｓｅ化室３０
ｅ、ＣｄＳ膜形成室３０ｆ、ＺｎＯ膜形成室３０ｇ及び
基板取り出し室３０ｈを有している。可撓性の基板２２
は、基板挿入室３０ａに設けられた供給ロール２２から
各反応室に順次導入される。Ｍｏ膜形成室３０ｂ、Ｃｕ
膜形成室３０ｃ、Ｉｎ−Ｓｅ膜形成室３０ｄ、ＣｄＳ膜
形成室３０ｆ及びＺｎＯ膜形成室３０ｇでは、ＲＦ電源
の印加により発生させたイオンが加速されてそれらの膜
反応室に設けられたターゲット、即ち、「Ｍｏ」、「Ｃ
ｕ」、「Ｉｎ−Ｓｅ」、「ＣｄＳ」及び「ＺｎＯ」にそ
れぞれ衝突し、そして、それらの衝突ではじき出された
ターゲットの原子、分子が可撓性の基板２２の上に順次
堆積されてＣＩＳ系太陽電池が形成される。その際、Ｓ
ｅ化室３０ｅでは、積層された膜が外部電源（図示せ
ず）に接続されたヒータ２３，２４の加熱によって４０
０〜５５０℃に加熱されてＳｅ化され、ＣＩＳ薄膜が形
成される。そして、基板取り出し室３０ｈでは、このよ
うにＣＩＳ系太陽電池が形成され可撓性基板が巻き取り
ロール２５により巻き取られる。
ば、図３に示されるＣＩＳ系太陽電池の製造ラインによ
って製造される。３０は、反応室である。反応室３０
は、基板挿入室３０ａ、Ｍｏ膜形成室３０ｂ、Ｃｕ膜形
成室３０ｃ、Ｉｎ−Ｓｅ膜形成室３０ｄ、Ｓｅ化室３０
ｅ、ＣｄＳ膜形成室３０ｆ、ＺｎＯ膜形成室３０ｇ及び
基板取り出し室３０ｈを有している。可撓性の基板２２
は、基板挿入室３０ａに設けられた供給ロール２２から
各反応室に順次導入される。Ｍｏ膜形成室３０ｂ、Ｃｕ
膜形成室３０ｃ、Ｉｎ−Ｓｅ膜形成室３０ｄ、ＣｄＳ膜
形成室３０ｆ及びＺｎＯ膜形成室３０ｇでは、ＲＦ電源
の印加により発生させたイオンが加速されてそれらの膜
反応室に設けられたターゲット、即ち、「Ｍｏ」、「Ｃ
ｕ」、「Ｉｎ−Ｓｅ」、「ＣｄＳ」及び「ＺｎＯ」にそ
れぞれ衝突し、そして、それらの衝突ではじき出された
ターゲットの原子、分子が可撓性の基板２２の上に順次
堆積されてＣＩＳ系太陽電池が形成される。その際、Ｓ
ｅ化室３０ｅでは、積層された膜が外部電源（図示せ
ず）に接続されたヒータ２３，２４の加熱によって４０
０〜５５０℃に加熱されてＳｅ化され、ＣＩＳ薄膜が形
成される。そして、基板取り出し室３０ｈでは、このよ
うにＣＩＳ系太陽電池が形成され可撓性基板が巻き取り
ロール２５により巻き取られる。
【００３３】
（実施例１）０．２ｍｍのアルミニウムメッキ鋼板に耐
熱性電気絶縁膜として無機ガラスを成膜して基板を形成
した。その上に、裏面電極としてＭｏ膜をスパッタリン
グにより成膜した後、この膜を０．５ｍｍの間隔にスク
ライブして基板上にスクライブラインを形成した。次
に、このＭｏ膜の上にＣＩＳ薄膜及びＣｄＳ膜を順次ス
ッパタリングにより成膜した後、これらの膜を前記スク
ライブラインに沿って０．２ｍｍの間隔にスクライブし
て基板上にスクライブラインを形成した。続いて、この
ＣｄＳ薄膜の上にＺｎＯ膜及びＡｌをドープしたＺｎＯ
膜を順次スッパタリングにより成膜した後、これらの膜
を０．２ｍｍの間隔にスクライブしてスクライブライン
を形成することによりサブモジュールとした。そして、
これらのサブモジュールよりＡｇ電極を取り出し、その
上をエチレン−酢酸ビニル共重合体で封止すると同時に
１ｍｍの厚さの表面保護ガラスを設けて、５０ｍｍ×５
０ｍｍの正方形の太陽電池モジュールを得た。このよう
にして得られた太陽電池モジュールの変換効率は、２％
であった。なお、本実施例においては、「変換効率」
は、人工光源（Solar simulatｏr）を用いて太陽電池に
光を照射して出力した結果により測定した。測定条件
は、光の強度；１００ｍＷ／ｃｍ2 、エアーマス（Ａ
Ｍ）；１．５、及び、温度；２５℃とした。以下、同様
とする。
熱性電気絶縁膜として無機ガラスを成膜して基板を形成
した。その上に、裏面電極としてＭｏ膜をスパッタリン
グにより成膜した後、この膜を０．５ｍｍの間隔にスク
ライブして基板上にスクライブラインを形成した。次
に、このＭｏ膜の上にＣＩＳ薄膜及びＣｄＳ膜を順次ス
ッパタリングにより成膜した後、これらの膜を前記スク
ライブラインに沿って０．２ｍｍの間隔にスクライブし
て基板上にスクライブラインを形成した。続いて、この
ＣｄＳ薄膜の上にＺｎＯ膜及びＡｌをドープしたＺｎＯ
膜を順次スッパタリングにより成膜した後、これらの膜
を０．２ｍｍの間隔にスクライブしてスクライブライン
を形成することによりサブモジュールとした。そして、
これらのサブモジュールよりＡｇ電極を取り出し、その
上をエチレン−酢酸ビニル共重合体で封止すると同時に
１ｍｍの厚さの表面保護ガラスを設けて、５０ｍｍ×５
０ｍｍの正方形の太陽電池モジュールを得た。このよう
にして得られた太陽電池モジュールの変換効率は、２％
であった。なお、本実施例においては、「変換効率」
は、人工光源（Solar simulatｏr）を用いて太陽電池に
光を照射して出力した結果により測定した。測定条件
は、光の強度；１００ｍＷ／ｃｍ2 、エアーマス（Ａ
Ｍ）；１．５、及び、温度；２５℃とした。以下、同様
とする。
【００３４】（実施例２）０．２ｍｍのアルミニウムメ
ッキ鋼板に耐熱性電気絶縁膜としてポリイミド樹脂を成
膜して基板を形成した。その上に、裏面電極としてＭｏ
膜をスパッタリングにより成膜した後、この膜を０．５
ｍｍの間隔にスクライブして基板上にスクライブライン
を形成した。次に、このＭｏ膜の上にＣＩＳ薄膜及びＣ
ｄＳ膜を順次スッパタリングにより成膜した後、これら
の膜を前記スクライブラインに沿って０．２ｍｍの間隔
にスクライブして基板上にスクライブラインを形成し
た。続いて、このＣｄＳ薄膜の上にＺｎＯ膜及びＡｌを
ドープしたＺｎＯ膜を順次スッパタリングにより成膜し
た後、これらの膜を０．２ｍｍの間隔にスクライブして
スクライブラインを形成することによりサブモジュール
とした。そして、これらのサブモジュールよりＡｇ電極
を取り出し、その上を市販の０．１ｍｍの厚さの四フッ
カエチレン共重合体よりなる表面保護フィルムでラミネ
ートして、５０ｍｍ×５０ｍｍの正方形の太陽電池モジ
ュールを得た。このようにして得られた太陽電池モジュ
ールの変換効率は、１．８６であった。
ッキ鋼板に耐熱性電気絶縁膜としてポリイミド樹脂を成
膜して基板を形成した。その上に、裏面電極としてＭｏ
膜をスパッタリングにより成膜した後、この膜を０．５
ｍｍの間隔にスクライブして基板上にスクライブライン
を形成した。次に、このＭｏ膜の上にＣＩＳ薄膜及びＣ
ｄＳ膜を順次スッパタリングにより成膜した後、これら
の膜を前記スクライブラインに沿って０．２ｍｍの間隔
にスクライブして基板上にスクライブラインを形成し
た。続いて、このＣｄＳ薄膜の上にＺｎＯ膜及びＡｌを
ドープしたＺｎＯ膜を順次スッパタリングにより成膜し
た後、これらの膜を０．２ｍｍの間隔にスクライブして
スクライブラインを形成することによりサブモジュール
とした。そして、これらのサブモジュールよりＡｇ電極
を取り出し、その上を市販の０．１ｍｍの厚さの四フッ
カエチレン共重合体よりなる表面保護フィルムでラミネ
ートして、５０ｍｍ×５０ｍｍの正方形の太陽電池モジ
ュールを得た。このようにして得られた太陽電池モジュ
ールの変換効率は、１．８６であった。
【００３５】以上説明したように、本発明の構成によれ
ば、次のような利点がある。即ち、表面に耐熱性電気絶
縁膜、例えば、セラミック薄膜又は樹脂薄膜、を成膜し
た金属薄膜よりなる基板を用いているので、基板の割
れがないこと、表面保護ガラスの大きさに応じて基板
の切断を行えること、基板の放熱性がよいこと、Ｃ
ＩＳ系太陽電池モジュールを軽することができること、
材料コストを低く抑えることができること等の利点が
ある。また、前記樹脂薄膜の材料として可撓性の樹脂材
料を用いているので、roll to roll 方式でＣＩＳ系
太陽電池のサブモジュール化を可能とすること、連続
製造工程の採用によりＣＩＳ系太陽電池モジュールの製
造コストを低く抑えることができること等の利点があ
る。さらに、表面保護材として可撓性の樹脂を用いてい
るので、ＣＩＳ系太陽電池のサブモジュールに可撓性
を付与することができる等の利点がある。
ば、次のような利点がある。即ち、表面に耐熱性電気絶
縁膜、例えば、セラミック薄膜又は樹脂薄膜、を成膜し
た金属薄膜よりなる基板を用いているので、基板の割
れがないこと、表面保護ガラスの大きさに応じて基板
の切断を行えること、基板の放熱性がよいこと、Ｃ
ＩＳ系太陽電池モジュールを軽することができること、
材料コストを低く抑えることができること等の利点が
ある。また、前記樹脂薄膜の材料として可撓性の樹脂材
料を用いているので、roll to roll 方式でＣＩＳ系
太陽電池のサブモジュール化を可能とすること、連続
製造工程の採用によりＣＩＳ系太陽電池モジュールの製
造コストを低く抑えることができること等の利点があ
る。さらに、表面保護材として可撓性の樹脂を用いてい
るので、ＣＩＳ系太陽電池のサブモジュールに可撓性
を付与することができる等の利点がある。
【００３６】
【発明の効果】基板面積を縮小することなく重量を低減
した取り扱いの簡単なＣＩＳ系太陽電池モジュールを低
コストで提供することができる。
した取り扱いの簡単なＣＩＳ系太陽電池モジュールを低
コストで提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態を示すＣＩＳ系太陽電池
モジュールの断面説明図である。
モジュールの断面説明図である。
【図２】本発明の他の一実施の形態を示すＣＩＳ系太陽
電池モジュールの断面説明図である。
電池モジュールの断面説明図である。
【図３】そのＣＩＳ系太陽電池の製造ラインを示す概略
説明図である。
説明図である。
【図４】従来の太陽電池モジュールの断面説明図であ
る。
る。
【図５】他の従来の太陽電池サブモジュールの断面説明
図である。
図である。
【図６】従来のＣＩＳ系薄膜太陽電池の製造ラインの一
例を示す概略説明図である。
例を示す概略説明図である。
１，１１ 基板 １ａ，１１ａ 金属薄膜 １ｂ，１１ｂ 耐熱性電気絶縁膜 ２ 裏面電極 ３，１２ ＣＩＳ系太陽電池素子 ４ 透明電極 ５ 熱可塑性透明樹脂 ６ 表面保護ガラス ７ 外枠 １０，２０ ＣＩＳ系太陽電池モジュール １３ 配線 １４ 熱可塑性透明接着剤層 １５ 透明樹脂フィルム １６ リード線 ２１ 可撓性の基板 ２２ 供給ロール ２３，２４ 加熱板 ２５ 巻き取りロール ３０ 反応室 ３０ａ 板挿入室 ３０ｂ Ｍｏ膜形成室 ３０ｃ Ｃｕ膜形成室 ３０ｄ Ｉｎ−Ｓｅ膜形成室 ３０ｅ Ｓｅ化室 ３０ｆ ＣｄＳ膜形成室 ３０ｇ ＺｎＯ膜形成室 ３０ｈ 基板取り出し室
フロントページの続き (72)発明者 鈴木 和枝 静岡県裾野市御宿1500 矢崎総業株式会社 内
Claims (10)
- 【請求項１】 表面に耐熱性電気絶縁膜を成膜した金属
薄膜よりなる基板を有することを特徴とするＣＩＳ系太
陽電池モジュール。 - 【請求項２】 耐熱性電気絶縁膜がセラミック薄膜であ
ることを特徴とする請求項１記載のＣＩＳ系太陽電池モ
ジュール。 - 【請求項３】 セラミック薄膜を酸化珪素を主成分とす
る材料で構成することを特徴とする請求項２記載のＣＩ
Ｓ系太陽電池モジュール。 - 【請求項４】 セラミック薄膜を、次の式 【化１】 ＣＨ2Ｓｉ（ＯＨ） （１） 及び 【化２】 （式中、Ｒは、炭素数が１〜２の直鎖アルキル基をしめ
す。）で示される化合物から選ばれる少なくとも１種の
シラン化合物を重リン酸アルミニウムを触媒として加水
分解・重縮合反応させてサブミクロンサイズの超微粒子
が溶液中に分散した流動性を示すゾルとした無機コーテ
ィング組成物より、形成したことを特徴とする請求項３
記載のＣＩＳ系太陽電池モジュール。 - 【請求項５】 耐熱性電気絶縁膜を樹脂材料で構成する
ことを特徴とする請求項１記載のＣＩＳ系太陽電池モジ
ュール。 - 【請求項６】 樹脂材料が可撓性の樹脂材料であること
することを特徴とする請求項５記載のＣＩＳ系太陽電池
モジュール。 - 【請求項７】 熱可塑性透明樹脂層を介して無機ガラス
板を表面保護層として設けたことを特徴とする請求項
１，２，３，４，５又は６記載のＣＩＳ系太陽電池モジ
ュール。 - 【請求項８】 熱可塑性透明樹脂接着剤層を介して可撓
性の透明樹脂フィルムを表面保護膜として設けたことを
特徴とする請求項６記載のＣＩＳ系太陽電池モジュー
ル。 - 【請求項９】 (イ) 表面に可撓性の樹脂材料で構成され
た耐熱性電気絶縁膜を成膜した金属薄膜よりなる基板の
耐熱性電気絶縁膜にＭｏ薄膜を形成する工程、(ロ) 前記
Ｍｏ薄膜にＣｕ膜を形成する工程、(ハ) 前記Ｃｕ薄膜に
Ｉｎ−Ｓｅ系化合物半導体薄膜を形成する工程、(ニ) 前
記ＣＩＳ系化合物半導体薄膜にＣｄＳ薄膜を形成する工
程、及び、(ホ) 前記ＣｄＳ薄膜にＺｎＯ薄膜を形成する
工程、を順次有するＣＩＳ系太陽電池モジュールの製造
において、可撓性樹脂材料で構成された耐熱性電気絶縁
膜を有する金属薄膜よりなる基板を、供給ロールより連
続的に送り出し、そして、巻き取りロールで連続的に巻
き取ることを特徴とするＣＩＳ系太陽電池モジュールの
製造方法。 - 【請求項１０】 前記請求項９記載のＣＩＳ系太陽電池
モジュールの製造において、(ホ) 工程に続いて、(ヘ) Ｚ
ｎＯ薄膜に熱可塑性透明樹脂接着剤層を介して可撓性の
透明樹脂フィルムを表面保護膜として設ける工程を有す
ることを特徴とするＣＩＳ系太陽電池モジュールの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9295711A JPH11135811A (ja) | 1997-10-28 | 1997-10-28 | Ｃｉｓ系太陽電池モジュール及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9295711A JPH11135811A (ja) | 1997-10-28 | 1997-10-28 | Ｃｉｓ系太陽電池モジュール及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11135811A true JPH11135811A (ja) | 1999-05-21 |
Family
ID=17824177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9295711A Withdrawn JPH11135811A (ja) | 1997-10-28 | 1997-10-28 | Ｃｉｓ系太陽電池モジュール及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11135811A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007129512A1 (ja) * | 2006-05-01 | 2007-11-15 | Showa Shell Sekiyu K.K. | Ｃｉｓ系薄膜太陽電池モジュールの改良された耐久性試験方法 |
| JP2010509779A (ja) * | 2006-11-10 | 2010-03-25 | ソロパワー、インコーポレイテッド | 太陽電池吸収体を形成するための前駆体膜のオープンリール式反応 |
| WO2011039933A1 (en) * | 2009-09-30 | 2011-04-07 | Fujifilm Corporation | Photoelectric converter |
| WO2012127742A1 (ja) * | 2011-03-18 | 2012-09-27 | 富士フイルム株式会社 | 太陽電池モジュールおよびその製造方法 |
| US8409418B2 (en) | 2009-02-06 | 2013-04-02 | Solopower, Inc. | Enhanced plating chemistries and methods for preparation of group IBIIIAVIA thin film solar cell absorbers |
| US8425753B2 (en) | 2008-05-19 | 2013-04-23 | Solopower, Inc. | Electroplating methods and chemistries for deposition of copper-indium-gallium containing thin films |
| JP2016524319A (ja) * | 2013-05-03 | 2016-08-12 | エヌウイクスセーイエス | Ｉ−ｉｉｉ金属前駆体の熱処理およびカルコゲン化によるｉ−ｉｉｉ−ｖｉ２半導体層の形成 |
-
1997
- 1997-10-28 JP JP9295711A patent/JPH11135811A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007129512A1 (ja) * | 2006-05-01 | 2007-11-15 | Showa Shell Sekiyu K.K. | Ｃｉｓ系薄膜太陽電池モジュールの改良された耐久性試験方法 |
| JP2007299969A (ja) * | 2006-05-01 | 2007-11-15 | Showa Shell Sekiyu Kk | Ｃｉｓ系薄膜太陽電池モジュールの改良された耐久性試験方法 |
| US8242795B2 (en) | 2006-05-01 | 2012-08-14 | Showa Shell Sekiyu K.K. | Method of testing durability of CIS based thin-film solar cell module |
| JP2010509779A (ja) * | 2006-11-10 | 2010-03-25 | ソロパワー、インコーポレイテッド | 太陽電池吸収体を形成するための前駆体膜のオープンリール式反応 |
| US8425753B2 (en) | 2008-05-19 | 2013-04-23 | Solopower, Inc. | Electroplating methods and chemistries for deposition of copper-indium-gallium containing thin films |
| US8409418B2 (en) | 2009-02-06 | 2013-04-02 | Solopower, Inc. | Enhanced plating chemistries and methods for preparation of group IBIIIAVIA thin film solar cell absorbers |
| WO2011039933A1 (en) * | 2009-09-30 | 2011-04-07 | Fujifilm Corporation | Photoelectric converter |
| JP2011077229A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Fujifilm Corp | 光電変換装置 |
| WO2012127742A1 (ja) * | 2011-03-18 | 2012-09-27 | 富士フイルム株式会社 | 太陽電池モジュールおよびその製造方法 |
| JP2016524319A (ja) * | 2013-05-03 | 2016-08-12 | エヌウイクスセーイエス | Ｉ−ｉｉｉ金属前駆体の熱処理およびカルコゲン化によるｉ−ｉｉｉ−ｖｉ２半導体層の形成 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Kessler et al. | Technological aspects of flexible CIGS solar cells and modules | |
| US20090260675A1 (en) | Encapsulation of solar modules | |
| CN102206801B (zh) | 基于碲化镉的薄膜光伏器件所用的导电透明氧化物膜层的形成方法 | |
| JP5901773B2 (ja) | 直列接続部を含む薄膜ソーラーモジュール、及び、複数の薄膜ソーラーセルを直列接続する方法 | |
| TW201101517A (en) | Solar battery | |
| JPH11284211A (ja) | 薄膜太陽電池のＺｎＯ系透明導電膜の製造方法 | |
| EP1135809B1 (en) | Hybrid roof covering element | |
| CN103650168A (zh) | 用于快速稳定薄层太阳能模块的额定功率的方法 | |
| JP6759464B2 (ja) | 多接合型太陽電池モジュール及び太陽光発電システム | |
| JPH11135811A (ja) | Ｃｉｓ系太陽電池モジュール及びその製造方法 | |
| AU2011202691A1 (en) | Modified cadmium telluride layer, a method of modifying a cadmium telluride layer, and a thin film device having a cadmium telluride layer | |
| AU2011203258B2 (en) | Thin film article and method for forming a reduced conductive area in transparent conductive films for photovoltaic modules | |
| US20140305492A1 (en) | Solar module with reduced power loss and process for the production thereof | |
| KR100995394B1 (ko) | 박막 태양전지의 박막 형성장치 | |
| JP4712127B2 (ja) | 太陽電池の製造方法及び製造装置 | |
| JP2006140414A (ja) | 太陽電池用基板及びこれを用いた太陽電池 | |
| AU2011202985A1 (en) | Transparent electrically conductive layer and method for forming same | |
| US20130255745A1 (en) | Thin layered solar module having a composite wafer structure | |
| JP2000183375A (ja) | 高放熱性太陽電池モジュール | |
| CN104835861B (zh) | 太阳能电池前接触层及其制造方法 | |
| JP2004327849A (ja) | 太陽電池およびその製造方法 | |
| TWM416200U (en) | Solar cell module | |
| JP2881496B2 (ja) | 太陽電池パネルの製造法 | |
| CN116600583B (zh) | 太阳能电池及其制备方法 | |
| AU2011203133A1 (en) | Selectively deposited thin film devices and methods for forming selectively deposited thin films |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050104 |