JPH11135006A

JPH11135006A - プラズマディスプレイパネル用無機ペースト層の形成方法

Info

Publication number: JPH11135006A
Application number: JP30949597A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Obitani; 洋之帯谷; Toshimi Aoyama; 俊身青山
Original assignee: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Current assignee: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority date: 1997-10-27
Filing date: 1997-10-27
Publication date: 1999-05-21

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、１回の塗布で無機ペーストを均一な
膜厚に塗布できるとともに、塗着ペーストのダレが生ぜ
ず再現性よく無機ペースト層を形成する方法を提供する
こと。【構成】無機ペーストをスリットコーター装置を用いて
基材上に押し出し塗布する無機ペースト層の形成方法に
おいて、前記無機ペーストの粘度が５００〜１５００Ｐ
ａ、スリットコーター装置のスリット幅が１〜１０００
μｍの範囲にあることを特徴とするプラズマディスプレ
イパネル用無機ペースト層の形成方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、プラズマディスプレイ
パネル用無機ペースト層の形成方法に関し、さらに詳し
くはプラズマディスプレイパネルのバリアリブ、プライ
ミングリブ、蛍光体層、電極層の形成に好適な、均一な
膜厚の無機ペースト層を１回の塗布工程で再現性よく形
成する無機ペースト層の形成方法に関する。

【０００２】

【従来技術】近年、表示装置としてＣＲＴディスプレイ
と同程度の発光輝度を有し、構造が比較的簡単で大型化
が容易である上に装置をコンパクトにできるプラズマデ
ィスプレイパネル（以下ＰＤＰという）の実用化が強く
要望されている。このＰＤＰは、基材上にバリアリブを
形成してセルを作成し、そのセル内に電極層、蛍光体層
を設け、さらに背面ガラス基板上に透明電極層、誘電体
層およびプライミング層を設けて張り合わせ、セル空間
内に放電ガスを封入した表示素子であり、該表示素子の
各蛍光体が任意に発光して画像を表示するパネルであ
る。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記ＰＤＰのバリアリ
ブ、プライミングリブ、電極層または蛍光体層は、従
来、低融点ガラスフリットなどの無機粉末を含有する無
機ペーストをスクリーン印刷法等により印刷し、これを
所定温度で焼成することで形成されていたが、前記スク
リーン印刷で形成される膜厚は数μｍ〜７μｍ程度であ
るため、例えば１００〜２００μｍ程度の膜厚のバリア
リブ層を形成するには、前記スクリーン印刷を十数回〜
数十回繰り返す必要があり、作業性が悪い上に、塗着ペ
ーストのダレが生じ均一な膜厚の無機ペースト層を再現
性よく形成することが困難であった。この欠点を改善す
るためにワイヤーバーコーター、カーテンフローターな
ども検討されたが、いずれも均一な膜厚の無機ペースト
層を形成することができなかった。そのため、１回の塗
布で塗着ペーストにダレの発生がなく均一な膜厚に塗布
できる上に、無機ペースト層を再現性よく形成する方法
が強く望まれていた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】こうした現状を踏まえ
て、本発明者等は鋭意研究を続けた結果、特定の粘度を
有する無機ペーストを、特定のスリット幅を有するスリ
ットコーター装置を用いて、基材上に塗布することで上
記問題点が解消することを見出して、本発明を完成した
ものである。

【０００５】すなわち、本発明は、１回の塗布工程で無
機ペースト層を塗着ペーストのダレの発生がなく均一な
膜厚に再現性よく形成する無機ペースト層の形成方法を
提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、無機ペーストをスリットコーター装置を用いて基
材上に押し出し塗布する無機ペースト層の形成方法にお
いて、前記無機ペーストの粘度が５００〜１５００Ｐ
ａ、スリットコーター装置のスリット幅が１〜１０００
μｍの範囲にあることを特徴とするプラズマディスプレ
イパネル用無機ペースト層の形成方法に係る。

【０００７】本発明で用いられる無機ペーストは、無機
粉末を含有する樹脂組成物をいい、その粘度が５００〜
１５００Ｐａの範囲にあることが必要である。前記無機
ペーストとしては高分子バインダー、無機粉末および有
機溶媒を含有する無機ペースト、或は前記無機ペースト
にさらに光重合性モノマーおよび光重合開始剤を含有す
る感光性無機ペーストなどが挙げられる。特に感光性無
機ペーストはホトリソグラフィーによって精度の高いパ
ターンが形成できるところからプラズマディスプレイパ
ネルの絶縁層、導電層、蛍光体層などのパターンの形成
に好適である。前記無機ペーストの成分である高分子バ
インダーとしては、具体的にアクリル酸、メタクリル
酸、クロトン酸、シアノケイ皮酸、ケイ皮酸、マレイン
酸、フマル酸、イタコン酸、アクリル酸メチル、メタク
リル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチ
ル、アクリル酸プロピル、メタクリル酸プロピル、アク
リル酸イソプロピル、メタクリル酸イソプロピル、アク
リル酸Ｎ−ブチル、メタクリル酸Ｎ−ブチル、アクリル
酸ｔｅｒｔ−ブチル、メタクリル酸ｔｅｒｔ−ブチル、
アクリル酸２−ヒドロキシエチル、メタクリル酸２−ヒ
ドロキシエチル、アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、
メタクリル酸２−ヒドロキシプロピル、ベンジルアクリ
レート、ベンジルメタクリレート、フェノキシアクリレ
ート、フェノキシメタクリレート、イソボルニルアクリ
レート、イソボルニルメタクリレート、グリシジルメタ
クリレート、スチレン、アクリルアミド、メタアクリル
アミド、アクリロニトリル、メタアクリロニトリルなど
から選ばれた単量体を共重合させることによって得られ
た共重合体や共重合体側鎖に二重結合を導入したもの、
セルロース、ヒドロキシメチルセルロース、ヒドロキシ
エチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、カル
ボキシエチルセルロース、カルボキシエチルメチルセル
ロースなどのセルロース誘導体や側鎖にカルボキシル基
を有する酸性セルロース変性物や共重合体側鎖に二重結
合を導入したもの、ポリエチレンオキシド、ポリビニル
ピロリドン、アクリロニトリル、塩化ビニル、塩化ビニ
リデンとの共重合体、塩化ビニリデン、塩素化ポリオレ
フィン、または塩化ビニルと酢酸ビニルとの共重合体、
ポリ酢酸ビニル、アクリロニトリルとスチレンとの共重
合体、アクリロニトリルとスチレン、ブタジエンとの共
重合体、ポリビニルアルキルエーテル、ポリビニルアル
キルケトン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリウレタ
ン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンテレイ
ソフタレート、アセチルセルロースおよびポリビニルブ
チラール等を挙げることができる。特にセルロース、ヒ
ドロキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロー
ス、カルボキシメチルセルロース、カルボキシエチルセ
ルロース、カルボキシエチルメチルセルロースなどのセ
ルロース誘導体や、アクリル酸、メタクリル酸、クロト
ン酸、シアノケイ皮酸、ケイ皮酸、マレイン酸、フマル
酸、イタコン酸などカルボキシル基を有するモノマーと
アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸メ
チル、メタクリル酸エチル、２−ヒドロキシメチルアク
リレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、フマル
酸モノメチル、フマル酸モノエチル、エチレングリコー
ルモノメチルエーテルアクリレート、エチレングリコー
ルモノメチルエーテルメタクリレート、エチレングリコ
ールモノエチルエーテルアクリレート、エチレングリコ
ールモノエチルエーテルメタクリレート、グリセロール
（モノ）アクリレート、グリセロール（モノ）メタクリ
レート、アクリル酸アミド、メタクリル酸アミド、アク
リロニトリル、メタクリロニトリル、イソブチルアクリ
レート、イソブチルメタクリレート、２−エチルヘキシ
ルアクリレート、２−エチルヘキシルメタクリレート、
ベンジルアクリレート、ベンジルメタクリレート等のモ
ノマーを共重合したアルカリ可溶性アクリル重合体が好
ましく使用できる。前記アルカリ可溶性アクリル重合体
を用いる場合には、５０〜２５０の範囲の酸価を有する
高分子バインダーが好ましい。前記酸価が５０未満では
アルカリ水溶液での現像が困難となり、また２５０を超
えると塗膜性や分散性が悪くなる。

【０００８】上記高分子バインダーの好ましい重量平均
分子量は１，０００〜２００，０００、特に５，０００
〜１５０，０００の範囲である。分子量が４，０００未
満では基板への密着性が低下し、また無機粉末の保持性
が低下するので好ましくなく、分子量が５００，０００
を超えると塗布性が低下し再現性の高い無機ペーストパ
ターンが得られなくなる。

【０００９】また、無機粉末としては、ＰｂＯ−ＳｉＯ
₂系、ＰｂＯ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂系、ＺｎＯ−ＳｉＯ
₂系、ＺｎＯ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂系、ＢｉＯ−ＳｉＯ
₂系、ＢｉＯ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂系のホウ珪酸鉛ガラス、
ホウ珪酸亜鉛ガラス、ホウ珪酸ビスマスガラスなどガラ
ス粉末や酸化コバルト、酸化鉄、酸化クロム、酸化ニッ
ケル、酸化銅、酸化マンガン、酸化ネオジウム、酸化バ
ナジウム、酸化セリウムチペークイエロー、酸化カドミ
ウム、アルミナ、シリカ、マイカ、マグネシア、スピネ
ルなどのＮａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａ
ｌ等の各酸化物、ＢａＡｌ₁₂Ｏ₁₉：Ｍｎ、ＳｒＡｌ₁₃Ｏ
₁₉：Ｍｎ、ＣａＡｌ₁₂Ｏ₁₉：Ｍｎ、ＹＢＯ₃：Ｔｂ、Ｂ
ａＭｇＡｌ₁₄Ｏ₂₃：Ｍｎ、ＬｕＢＯ₃：Ｔｂ、ＧｄＢ
Ｏ₃：Ｔｂ、ＳｃＢＯ₃：Ｔｂ、Ｓｒ₆Ｓｉ₃Ｏ₃Ｃｌ₄：Ｅ
ｕ、ＺｎＳ：（Ｃｕ，Ａｌ）、ＺｎＳ：Ａｇ、Ｙ₂Ｏ
₂Ｓ：Ｅｕ、ＺｎＳ：Ｚｎ、（Ｙ，Ｃｄ）ＢＯ₃：Ｅｕ、
ＢａＭｇＡｌ₁₂Ｏ₂₃：Ｅｕ、ＺｎＯ：Ｚｎ、Ｚｎ₃（Ｐ
Ｏ₄）₂：Ｍｎ、Ｙ₂ＳｉＯ₅：Ｃｅ、ＣａＷＯ₄：Ｐｂ、
ＢａＭｇＡｌ₁₄Ｏ₂₃：Ｅｕ、ＺｎＳ：（Ａｇ，Ｃｄ）、
Ｙ₂Ｏ₃：Ｅｕ、Ｙ₂ＳｉＯ₅：Ｅｕ、Ｙ₃Ａｌ₅Ｏ₁₂：Ｅ
ｕ、ＹＢＯ₃：Ｅｕ、（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ₃：Ｅｕ、ＧｄＢ
Ｏ₃：Ｅｕ、ＳｃＢＯ₃：Ｅｕ、ＬｕＢＯ₃：Ｅｕ、Ｚｎ₂
ＳｉＯ₄：Ｍｎ等の蛍光体粉末、鉄、ニッケル、銅、ア
ルミニウム、銀、金等の金属粉末などが挙げられる。

【００１０】上記無機粉末は、無機ペーストの固形分１
００重量部に対し５０〜１０００重量部の範囲で含有す
ることができる。

【００１１】感光性無機ペーストの成分である光重合モ
ノマーとしては、アクリル酸、メタクリル酸、フマル
酸、マレイン酸、フマル酸モノメチル、フマル酸モノエ
チル、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロ
キシエチルメタクリレート、エチレングリコールモノメ
チルエーテルアクリレート、エチレングリコールモノメ
チルエーテルメタクリレート、エチレングリコールモノ
エチルエーテルアクリレート、エチレングリコールモノ
エチルエーテルメタクリレート、グリセロールアクリレ
ート、グリセロールメタクリレート、アクリル酸アミ
ド、メタクリル酸アミド、アクリロニトリル、メタクリ
ロニトリル、メチルアクリレート、メチルメタクリレー
ト、エチルアクリレート、エチルメタクリレート、イソ
ブチルアクリレート、イソブチルメタクリレート、２−
エチルヘキシルアクリレート、２−エチルヘキシルメタ
クリレート、ベンジルアクリレート、ベンジルメタクリ
レート、エチレングリコールジアクリレート、エチレン
グリコールジメタクリレート、ブチレングリコールジメ
タクリレート、プロピレングリコールジアクリレート、
プロピレングリコールジメタクリレート、トリメチロー
ルプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパン
トリメタクリレート、テトラメチロールプロパンテトラ
アクリレート、テトラメチロールプロパンテトラメタク
リレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペ
ンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリス
リトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールテ
トラメタクリレート、ジペンタエリスリトールペンタア
クリレート、ジペンタエリスリトールペンタメタクリレ
ート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジ
ペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、１，６−
ヘキサンジオールジアクリレート、１，６−ヘキサンジ
オールジメタクリレート、カルドエポキシジアクリレー
トなどが挙げられるが、より好ましくは露光、焼成時の
パターンの収縮を抑え、再現性の高いパターンを形成す
ることができるアルキレンオキサイド基を繰り返し単位
として、平均３〜７有する化合物の（メタ）アクリレー
トを使用するのがよい。具体的にはアルキレンオキサイ
ド基を繰り返し単位として、平均３〜７有するポリエチ
レングリコールのモノアクリレート、同様のポリエチレ
ングリコールモノメタクリレート、ポリエチレングリコ
ールジアクリレート、ポリエチレングリコールジメタク
リレート、ポリプロピレングリコールモノアクリレー
ト、ポリプロピレングリコールモノメタクリレート、ポ
リプロピレングリコールジアクリレート、ポリプロピレ
ングリコールジメタクリレート、エチレンオキサイド変
性トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチ
ロールプロパントリメタクリレート、テトラメチロール
プロパンテトラアクリレート、テトラメチロールプロパ
ンテトラメタクリレート、ペンタエリスリトールトリア
クリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレー
ト、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタ
エリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリス
リトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトール
ペンタメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ
アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリ
レート、プロピレンオキサイド変性トリメチロールプロ
パントリアクリレート、トリメチロールプロパントリメ
タクリレート、テトラメチロールプロパンテトラアクリ
レート、テトラメチロールプロパンテトラメタクリレー
ト、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエ
リスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトー
ルテトラアクリレート、ペンタエリスリトールテトラメ
タクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレ
ート、ジペンタエリスリトールペンタメタクリレート、
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタ
エリスリトールヘキサメタクリレートなどが挙げられ
る。

【００１２】上記光重合性モノマーは、無機ペーストの
総量１００重量部に対して、３０〜３００重量部の範囲
で含有するのがよい。

【００１３】また、光重合開始剤としては、１−ヒドロ
キシシクロヘキシルフェニルケトン、２，２−ジメトキ
シ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、２−メチル
−１−〔４−（メチルチオ）フェニル〕−２−モルフォ
リノプロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチル
アミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタン−
１−オン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル
プロパン−１−オン、２，４，６−トリメチルベンゾイ
ルジフェニルホスフィンオキシド、１−〔４−（２−ヒ
ドロキシエトキシ）フェニル〕−２−ヒドロキシ−２−
メチル−１−プロパン−１−オン、２，４−ジエチルチ
オキサントン、２−クロロチオキサントン、２，４−ジ
メチルチオキサントン、３，３−ジメチル−４−メトキ
シベンゾフェノン、ベンゾフェノン、１−クロロ−４−
プロポキシチオキサントン、１−（４−イソプロピルフ
ェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−
オン、１−（４−ドデシルフェニル）−２−ヒドロキシ
−２−メチルプロパン−１−オン、４−ベンゾイル−
４’−メチルジメチルスルフィド、４−ジメチルアミノ
安息香酸、４−ジメチルアミノ安息香酸メチル、４−ジ
メチルアミノ安息香酸エチル、４−ジメチルアミノ安息
香酸ブチル、４−ジメチルアミノ安息香酸−２−エチル
ヘキシル、４−ジメチルアミノ安息香酸−２−イソアミ
ル、２，２−ジエトキシアセトフェノン、ベンジルジメ
チルケタール、ベンジル−β−メトキシエチルアセター
ル、１−フェニル−１，２−プロパンジオン−２−（ｏ
−エトキシカルボニル）オキシム、ｏ−ベンゾイル安息
香酸メチル、ビス（４−ジメチルアミノフェニル）ケト
ン、４，４’−ビスジエチルアミノベンゾフェノン、
４，４’−ジクロロベンゾフェノン、ベンジル、ベンゾ
イン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエ
ーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾイン
−ｎ−ブチルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテ
ル、ベンゾインブチルエーテル、ｐ−ジメチルアミノア
セトフェノン、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルトリクロロアセト
フェノン、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルジクロロアセトフェノ
ン、チオキサントン、２−メチルチオキサントン、２−
イソプロピルチオキサントン、ジベンゾスベロン、α，
α−ジクロロ−４−フェノキシアセトフェノン、ペンチ
ル−４−ジメチルアミノベンゾエートなどを挙げること
ができる。

【００１４】本発明で使用する有機溶剤としては、具体
的にエチレングリコールモノメチルエーテル、エチレン
グリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモ
ノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエ
ーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレ
ングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジ
プロピルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエ
ーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プ
ロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレン
グリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコール
ジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエー
テル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエ
チレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリ
コールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールジ
メチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテ
ル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテー
ト、エチレングリコールモノプロピルエーテルアセテー
ト、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテー
ト、エチレングリコールモノフェニルエーテルアセテー
ト、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテー
ト、ジエチレングリコールモノプロピルエーテルアセテ
ート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテ
ート、ジエチレングリコールモノフェニルエーテルアセ
テート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセ
テート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセ
テート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルア
セテート、２−メトキシブチルアセテート、３−メトキ
シブチルアセテート、４−メトキシブチルアセテート、
２−メチル−３−メトキシブチルアセテート、３−メチ
ル−３−メトキシブチルアセテート、３−エチル−３−
メトキシブチルアセテート、２−エトキシブチルアセテ
ート、４−エトキシブチルアセテート、４−プロポキシ
ブチルアセテート、２−メトキシペンチルアセテート、
３−メトキシペンチルアセテート、４−メトキシペンチ
ルアセテート、２−メチル−３−メトキシペンチルアセ
テート、３−メチル−３−メトキシペンチルアセテー
ト、３−メチル−４−メトキシペンチルアセテート、４
−メチル−４−メトキシペンチルアセテート、アセト
ン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、メチルイソ
ブチルケトン、エチルイソブチルケトン、テトラヒドロ
フラン、シクロヘキサノン、プロピオン酸メチル、プロ
ピオン酸エチル、プロピオン酸プロピル、プロピオン酸
イソプロピル、２−ヒドロキシプロピオン酸メチル、２
−ヒドロキシプロピオン酸エチル、メチル−３−メトキ
シプロピオネート、エチル−３−メトキシプロピオネー
ト、エチル−３−エトキシプロピオネート、エチル−３
−プロポキシプロピオネート、プロピル−３−メトキシ
プロピオネート、イソプロピル−３−メトキシプロピオ
ネート、エトキシ酢酸エチル、オキシ酢酸エチル、２−
ヒドロキシ−３−メチルブタン酸メチル、酢酸メチル、
酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ブ
チル、酢酸イソアミル、炭酸メチル、炭酸エチル、炭酸
プロピル、炭酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸
エチル、ピルビン酸プロピル、ピルビン酸ブチル、アセ
ト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、ベンジルメチルエー
テル、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、
酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マ
レイン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン、シクロヘキサノン、メタノール、エ
タノール、プロパノール、ブタノール、３−メチル−３
−メトキシブタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノ
ール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、グ
リセリン等を挙げることができる。

【００１５】上記有機溶剤は、無機ペーストの総和１０
０重量部に対して、８〜５００重量部の範囲で、かつ無
機ペーストの粘度が５００〜１５００Ｐａの範囲になる
ように含有するのがよい。

【００１６】次に、本発明のＰＤＰ用無機ペースト層の
形成方法を示す。

【００１７】１）無機ペーストの調製高分子バインダー、無機粉末および有機溶剤、または前
記成分に光重合性モノマー、光重合開始剤を加えて３本
ロールミル、ボールミル、サンドミル、ジェットミル等
でよく溶解、分散、混練して粘度が５００〜１５００Ｐ
ａの無機ペーストを調製する。

【００１８】２）無機ペーストの塗布あらかじめ表面を清浄にしたガラス、セラミックグリー
ンシート等の無機基材上に上記１）で調製した無機ペー
ストを図１に示すスリットコーター装置を用いて塗布す
る。すなわち、図１のスリット１間内に、無機ペースト
２を充填し、これを基材３上に配置し、スリット１また
は基材３を相対的に水平移動させながら無機ペーストを
押し出し塗布して無機ペースト層を形成する。前記スリ
ットコーター装置のスリット間隔は１〜１０００μｍの
範囲のものがよい。前記スリット間隔が１μｍ未満では
膜厚精度を一定にすることが難しく、１０００μｍを超
えると気泡の巻込みが起り易くなり、信頼性の高い均一
な膜厚の無機ペースト層の形成ができないことがある。
また、前記無機ペーストの押出し圧力は０．２〜５気圧
の範囲がよく、この押出し圧力ともに基材側を０．０１
〜０．８気圧に減圧するの好ましい。さらにスリット１
の先端部分と基材３との間隔を１〜２０００μｍの範囲
に保持しながらスリット、または基材を相対的速度１〜
１０ｍｍ／ｓｅｃの水平移動させるのがよい。前記スリ
ット先端部分と基材の間隔が１μｍ未満では塗布された
無機ペーストがスリット先端部に再付着し均一な膜厚を
形成できず、２０００μｍを超えると基材と無機ペース
ト層との間に気泡が巻き込まれることがあり好ましくな
い。また、スリット先端部分からの無機ペーストの押出
方向としては、基材面に対してスリット１を直角に配置
して垂直に押出しても、基材面に対してスリット１を斜
めに配置して斜めに押出してもよい。前記無機ペースト
層の形成後は、室温にて数時間〜数日放置するか、温風
ヒーター、赤外線ヒーター中に数十分〜数時間入れて溶
剤を除去するのがよい。

【００１９】特に、ＡＣ型ＰＤＰのバリアリブなど、ラ
イン状の無機ペースト層を形成する場合には図２に示す
櫛歯状先端部材をスリットに取り付けるのがよい。この
櫛歯状先端部材を取り付けることにより１塗布工程で複
数本のライン状無機ペースト層が形成でき、無機ペース
トの使用量を少なくでき、経済的である。

【００２０】３）露光、現像処理無機ペーストを感光性無機ペーストとして絶縁層、導電
層、蛍光体層などを形成する場合には、無機ペースト層
の形成後、所望のパターンを備えたマスクを介して、露
光、現像してパターンを形成する。露光に用いる活性エ
ネルギー線としては紫外線、エキシマレーザー光、エッ
クス線、ガンマ線、電子線が好適である。照射エネルギ
ー線量は２０〜１０００ｍＪ／ｃｍ²の範囲が好まし
い。また現像は、浸漬法、スプレー法などの現像処理を
採ることができる。使用する現像液としては、リチウ
ム、ナトリウム、カリウム等アルカリ金属の水酸化物、
炭酸塩、重炭酸塩、リン酸塩、ピロリン酸塩、ベンジル
アミン、ブチルアミン等の第１級アミン、ジメチルアミ
ン、ジベンジルアミン、ジエタノールアミン等の第２級
アミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリエ
タノールアミン等の第３級アミン、モルホリン、ピペラ
ジン、ピリジン等の環状アミン、エチレンジアミン、ヘ
キサメチレンジアミン等のポリアミン、テトラエチルア
ンモニウムヒドロキシド、トリメチルベンジルアンモニ
ウムヒドロキシド、トリメチルフェニルベンジルアンモ
ニウムヒドロキシド等のアンモニウムヒドロキシド類、
トリメチルスルホニウムヒドロキシド、ジエチルメチル
スルホニウムヒドロキシド、ジメチルベンジルスルホニ
ウムヒドロキシド等のスルホニウムヒドロキシド類、そ
の他コリン等の水溶液が挙げられる。この現像処理によ
り未露光部は除去され、露光されたパターンのみが残留
する。

【００２１】５）焼成処理上記無機ペースト層を形成したのち、基材を焼成炉中に
導入し、徐々に温度を上げながら焼成し、有機成分を熱
分解除去してＰＤＰのバリアリブ、プライミングリブ、
絶縁層、電極層などが形成できる。前記焼成温度は使用
する無機粉末や基材の種類によって異なるが、４００〜
１８００℃の範囲で選ばれる。

【００２２】

【発明の実施の形態】次に実施例に基づいて本発明をさ
らに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって何
ら限定されるものではない。

【００２３】

【実施例】

実施例１下記１〜３の成分を３本ロールミルで良く混練して粘度
８００Ｐａの無機ペーストを調製した。１）エチルセルロース（重量平均分子量１００，０００）１０重量部２）低融点ガラスフリット（平均粒径１５μｍ、ホウ珪酸ガラス）１５０重量部３）エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート５０重量部

【００２４】上記無機ペーストをスリットコーター装置
を用い、０．３ｍｍガラス基材上に、スリット幅３００
μｍ、スリット先端部とガラス基材との間隔３００μｍ
で、スリットを５ｍｍ／ｓｅｃの速度で水平移動して塗
布し、１５０℃で３時間乾燥して無機ペースト層を形成
した。得られた無機ペースト層の乾燥後の平均膜厚は２
５０μｍで、膜厚の変動率は±５μｍであった。

【００２５】実施例２実施例１で調製した無機ペーストを用い、実施例１と同
様の操作によりスリットコーター装置のスリット先端部
に、２００μｍ毎に開口部（縦３００μｍ×横９０μ
ｍ）が横一列に設けられた櫛歯状先端部材を取り付け、
０．３ｍｍ厚のガラス基材上に無機ペーストを塗布した
のち、１５０℃で３時間乾燥して無機ペースト層を形成
した。得られた無機ペーストパターンの平均幅は８０μ
ｍ、膜厚は２５０μｍ、平均幅の変動率は±３μｍで、
膜厚の変動率は±５μｍであった。

【００２６】

【発明の効果】本発明の無機ペースト層の形成方法にお
いては、膜厚１〜１０００μｍの無機ペースト層を１回
の塗布工程で均一に、しかも再現性よく形成できる。特
にスリット先端部に任意のスリット先端部材を取り付け
ることで任意の形状の無機ペースト層を形成できる。得
られた無機ペーストを焼成することでＰＤＰのバリアリ
ブ、プライミングリブや電極層をコストよく、しかも再
現性よく製造できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の無機ペースト層を形成するためのスリ
ットコーター装置の概略図を示す。

【図２】図１のスリットコーター装置に取り付けるスリ
ット先端部材を示す。

【符号の説明】

１スリット２無機ペースト３基材４無機ペースト層５スリット先端部材

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【手続補正書】

【提出日】平成９年１２月１９日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】図面の簡単な説明

【補正方法】変更

【補正内容】

【図面の簡単な説明】

【図３】図２のＡ−Ａ線断面図を示す。

【符号の説明】１スリット２無機ペースト３基材４無機ペースト層５スリット先端部材

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】無機ペーストをスリットコーター装置を用
いて基材上に押し出し塗布する無機ペースト層の形成方
法において、前記無機ペーストの粘度が５００〜１５０
０Ｐａ、スリットコーター装置のスリット幅が１〜１０
００μｍの範囲にあることを特徴とするプラズマディス
プレイパネル用無機ペースト層の形成方法。
【請求項２】スリット先端部と基材との間隔を１〜２０
００μｍに維持しながらスリット先端部または基材を相
対的に水平移動させ塗布することを特徴とするプラズマ
ディスプレイパネル用無機ペースト層の形成方法。
【請求項３】スリット先端部または基材の相対的水平移
動速度が１〜１０ｍｍ／ｓｅｃである請求項２記載のプ
ラズマディスプレイパネル用無機ペースト層の形成方
法。
【請求項４】無機ペーストが、高分子バインダー、無機
粉末および有機溶剤を含有するペーストであることを特
徴とする請求項１ないし３のいずれか１記載のプラズマ
ディスプレイパネル用無機ペースト層の形成方法。
【請求項５】無機ペーストが、高分子バインダー、光重
合性モノマー、光重合開始剤、無機粉末および有機溶剤
を含有するペーストであることを特徴とする請求項１な
いし３のいずれか１記載のプラズマディスプレイパネル
用無機ペースト層の形成方法。
【請求項６】櫛歯状先端部材を取り付けたスリットコー
ター装置を使用することを特徴とする請求項１ないし５
のいずれか１に記載のプラズマディスプレイパネル用無
機ペースト層の形成方法。