JPH11132398A - 不活性ガス供給設備 - Google Patents
不活性ガス供給設備Info
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- JPH11132398A JPH11132398A JP29536497A JP29536497A JPH11132398A JP H11132398 A JPH11132398 A JP H11132398A JP 29536497 A JP29536497 A JP 29536497A JP 29536497 A JP29536497 A JP 29536497A JP H11132398 A JPH11132398 A JP H11132398A
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- buffer tank
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 クリーンストッカから漏洩する窒素ガスによ
り、クリーンルーム内の酸素濃度が所定の値よりも低下
することを防止する。 【解決手段】 クリーンルーム１内に設置されたバッフ
ァタンク１０へ窒素ガスＮ2を供給する窒素ガス供給管
１４に高圧側減圧弁１５、遮断弁１６、低圧側減圧弁１
７を接続し、窒素ガスＮ2をクリーンストッカ２へ供給
する窒素ガス供給主管１１をバッファタンク１０に接続
し、クリーンルーム１内の酸素濃度が所定の値よりも低
くなったら遮断弁１６に弁閉止指令Ｖ２を与える酸素濃
度指示調節計１９と、バッファタンク１０の圧力が所定
の値よりも高くなったら遮断弁１６に弁閉止指令Ｖ１を
与える圧力指示調節計１８と、バッファタンク１０から
窒素ガスＮ2を屋外へ放出するために、安全弁２０を備
えた窒素ガス排出管２１を設ける。
り、クリーンルーム内の酸素濃度が所定の値よりも低下
することを防止する。 【解決手段】 クリーンルーム１内に設置されたバッフ
ァタンク１０へ窒素ガスＮ2を供給する窒素ガス供給管
１４に高圧側減圧弁１５、遮断弁１６、低圧側減圧弁１
７を接続し、窒素ガスＮ2をクリーンストッカ２へ供給
する窒素ガス供給主管１１をバッファタンク１０に接続
し、クリーンルーム１内の酸素濃度が所定の値よりも低
くなったら遮断弁１６に弁閉止指令Ｖ２を与える酸素濃
度指示調節計１９と、バッファタンク１０の圧力が所定
の値よりも高くなったら遮断弁１６に弁閉止指令Ｖ１を
与える圧力指示調節計１８と、バッファタンク１０から
窒素ガスＮ2を屋外へ放出するために、安全弁２０を備
えた窒素ガス排出管２１を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はクリーンルーム内に
設けた所定の対象箇所に不活性ガスを供給するようにし
た不活性ガス供給設備に関するものである。
設けた所定の対象箇所に不活性ガスを供給するようにし
た不活性ガス供給設備に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体製造装置や液晶パネルの製
造装置は、クリーンルーム内に設置されると共に、半導
体ウェハや液晶パネルのケミカルフリー、空気中の酸素
による自然酸化膜成長の防止等を目的として、前記半導
体製造装置や液晶パネル製造装置には、窒素ガス等の不
活性ガスを供給することが行われている。
造装置は、クリーンルーム内に設置されると共に、半導
体ウェハや液晶パネルのケミカルフリー、空気中の酸素
による自然酸化膜成長の防止等を目的として、前記半導
体製造装置や液晶パネル製造装置には、窒素ガス等の不
活性ガスを供給することが行われている。
【０００３】而して、窒素ガスの供給される従来の製造
装置は一般に密封度が高いものが大部分であり特に問題
はないが、製造装置が半導体ウェハや液晶パネルの洗浄
装置の場合は密封容器が大きくなるために密封度が低い
のが通常である。
装置は一般に密封度が高いものが大部分であり特に問題
はないが、製造装置が半導体ウェハや液晶パネルの洗浄
装置の場合は密封容器が大きくなるために密封度が低い
のが通常である。
【０００４】斯かる密封度の低い装置へ不活性ガスを供
給すると、その一部はクリーンルーム内へ漏洩するが、
それが従来特に問題とならなかったのは、クリーンルー
ム内への外気の取入れ量に比較して前記装置へ供給され
る不活性ガスの量が対外気比で０．１％以下と少く、且
つ不活性ガスの装置への供給が断続的であり、しかも不
活性ガスを送給する配管の径が小径であるため、配管に
接続された弁が異常により全開となっても不活性ガスの
供給に上限があり、クリーンルーム内の酸素濃度は問題
になるほど低下することはなかった。
給すると、その一部はクリーンルーム内へ漏洩するが、
それが従来特に問題とならなかったのは、クリーンルー
ム内への外気の取入れ量に比較して前記装置へ供給され
る不活性ガスの量が対外気比で０．１％以下と少く、且
つ不活性ガスの装置への供給が断続的であり、しかも不
活性ガスを送給する配管の径が小径であるため、配管に
接続された弁が異常により全開となっても不活性ガスの
供給に上限があり、クリーンルーム内の酸素濃度は問題
になるほど低下することはなかった。
【０００５】一方、クリーンルーム内には、半導体ウェ
ハや液晶パネルの数時間ないし数日間に亘る一時的な保
管のために、クリーンストッカが使用され、クリーンス
トッカに対しても半導体ウェハや液晶パネルのケミカル
フリー、自然酸化膜の成長防止を目的として、窒素ガス
等の不活性ガスを供給することが要求されるようになっ
て来た。
ハや液晶パネルの数時間ないし数日間に亘る一時的な保
管のために、クリーンストッカが使用され、クリーンス
トッカに対しても半導体ウェハや液晶パネルのケミカル
フリー、自然酸化膜の成長防止を目的として、窒素ガス
等の不活性ガスを供給することが要求されるようになっ
て来た。
【０００６】ところが、クリーンストッカは上記製造装
置に比較して大型であるため、不活性ガスの供給量が多
いうえ、不活性ガスを連続的に供給する必要がある。
置に比較して大型であるため、不活性ガスの供給量が多
いうえ、不活性ガスを連続的に供給する必要がある。
【０００７】而して、斯かる不活性ガス供給設備の従来
の一例は、図２に示され、図中、ａは窒素ガス等の不活
性ガスを供給するための不活性ガス供給装置、ｂはクリ
ーンルームｃ内に設置された密閉度の低いクリーンスト
ッカであり、不活性ガス供給装置ａとクリーンストッカ
ｂとは、不活性ガス供給装置ａからクリーンストッカｂ
へ不活性ガスｄを供給するために管路ｅにより接続され
ている。
の一例は、図２に示され、図中、ａは窒素ガス等の不活
性ガスを供給するための不活性ガス供給装置、ｂはクリ
ーンルームｃ内に設置された密閉度の低いクリーンスト
ッカであり、不活性ガス供給装置ａとクリーンストッカ
ｂとは、不活性ガス供給装置ａからクリーンストッカｂ
へ不活性ガスｄを供給するために管路ｅにより接続され
ている。
【０００８】又、管路ｅのクリーンルームｃ外の部分に
は高圧側減圧弁ｆが接続され、管路ｅのクリーンルーム
ｃ内の部分には低圧側減圧弁ｇが接続されている。
は高圧側減圧弁ｆが接続され、管路ｅのクリーンルーム
ｃ内の部分には低圧側減圧弁ｇが接続されている。
【０００９】更に、クリーンルームｃ内の管路ｅにおい
ては、低圧側減圧弁ｇよりも不活性ガス流れ方向上流側
から管路ｈが分岐しており、管路ｈは他の複数の装置ｉ
へ接続されている。
ては、低圧側減圧弁ｇよりも不活性ガス流れ方向上流側
から管路ｈが分岐しており、管路ｈは他の複数の装置ｉ
へ接続されている。
【００１０】不活性ガス供給装置ａから送出された窒素
ガス等の不活性ガスｄは管路ｅを通り、高圧側減圧弁ｆ
及び低圧側減圧弁ｇで夫々減圧され、所定の圧力となっ
て半導体ウェハ等が保管されるクリーンストッカｂへ供
給される。
ガス等の不活性ガスｄは管路ｅを通り、高圧側減圧弁ｆ
及び低圧側減圧弁ｇで夫々減圧され、所定の圧力となっ
て半導体ウェハ等が保管されるクリーンストッカｂへ供
給される。
【００１１】このため、クリーンストッカｂ内に保管さ
れている半導体ウェハ等のケミカルフリーが実現でき、
空気中の酸素による自然酸化膜の成長が防止される。
れている半導体ウェハ等のケミカルフリーが実現でき、
空気中の酸素による自然酸化膜の成長が防止される。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上述の不活性ガス供給
設備においては、 ｉ）他の装置ｉでの制御弁のオン−オフに伴い、管路ｅ
を流れる不活性ガスｄに一次圧力変動が生じると、クリ
ーンストッカｂへの不活性ガスの供給が不安定となり好
ましくない、 ｉｉ）低圧側減圧弁ｇが何等かの原因で制御できなくな
り全開となった場合、管路ｅが２５〜４０ｍｍφと太い
ため、管路ｅからクリーンストッカｂへ供給される不活
性ガスの量が増加し、従ってクリーンストッカｂからク
リーンルームｃ内へ漏洩する不活性ガスが増える結果、
クリーンストッカｂ周辺の酸素濃度が低下して、作業員
がクリーンルームｃ内で作業できなくなる、等の問題が
ある。
設備においては、 ｉ）他の装置ｉでの制御弁のオン−オフに伴い、管路ｅ
を流れる不活性ガスｄに一次圧力変動が生じると、クリ
ーンストッカｂへの不活性ガスの供給が不安定となり好
ましくない、 ｉｉ）低圧側減圧弁ｇが何等かの原因で制御できなくな
り全開となった場合、管路ｅが２５〜４０ｍｍφと太い
ため、管路ｅからクリーンストッカｂへ供給される不活
性ガスの量が増加し、従ってクリーンストッカｂからク
リーンルームｃ内へ漏洩する不活性ガスが増える結果、
クリーンストッカｂ周辺の酸素濃度が低下して、作業員
がクリーンルームｃ内で作業できなくなる、等の問題が
ある。
【００１３】本発明は上述の実情に鑑み、クリーンルー
ム内に設けたクリーンストッカ等の所定の対象箇所への
不活性ガスの供給を安定して行い得るようにすると共
に、不活性ガスを供給する系統に異常が生じて所定の対
象箇所からのクリーンルーム内への不活性ガスの漏れ量
が増加したような場合にも、クリーンルーム内の酸素濃
度が所定の値よりも低下しないようにすることを目的と
してなしたものである。
ム内に設けたクリーンストッカ等の所定の対象箇所への
不活性ガスの供給を安定して行い得るようにすると共
に、不活性ガスを供給する系統に異常が生じて所定の対
象箇所からのクリーンルーム内への不活性ガスの漏れ量
が増加したような場合にも、クリーンルーム内の酸素濃
度が所定の値よりも低下しないようにすることを目的と
してなしたものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の不活性ガス供給
設備は、クリーンルーム内に設けた所定の対象箇所へ不
活性ガスを供給し得るようにした管路の中途部に、不活
性ガスを一時的に蓄えるバッファタンクを設け、前記管
路のバッファタンクよりも不活性ガス流れ方向上流側の
部分に、不活性ガス流れ方向上流側から下流側へ向け
て、順次高圧側減圧弁及び遮断弁並に低圧側減圧弁を接
続し、前記クリーンルーム内の酸素濃度が所定の値より
も低くなったら前記遮断弁へ弁閉止指令を出力する酸素
濃度指示調節計或いは前記バッファタンク内の不活性ガ
ス圧力が所定の値よりも高くなったら前記遮断弁へ弁閉
止指令を出力する圧力指示調節計のうち少くとも何れか
一方を設けたものである。
設備は、クリーンルーム内に設けた所定の対象箇所へ不
活性ガスを供給し得るようにした管路の中途部に、不活
性ガスを一時的に蓄えるバッファタンクを設け、前記管
路のバッファタンクよりも不活性ガス流れ方向上流側の
部分に、不活性ガス流れ方向上流側から下流側へ向け
て、順次高圧側減圧弁及び遮断弁並に低圧側減圧弁を接
続し、前記クリーンルーム内の酸素濃度が所定の値より
も低くなったら前記遮断弁へ弁閉止指令を出力する酸素
濃度指示調節計或いは前記バッファタンク内の不活性ガ
ス圧力が所定の値よりも高くなったら前記遮断弁へ弁閉
止指令を出力する圧力指示調節計のうち少くとも何れか
一方を設けたものである。
【００１５】従って、本発明では、不活性ガスを安定し
て所定の対象箇所へ供給できると共に不活性ガスのクリ
ーンルーム内への漏洩量を常に最小限に保持することが
でき、クリーンルーム内の酸素濃度が所定の値よりも低
下することを防止できるため、作業員がクリーンルーム
内で作業を行う場合に作業に支障が生じることはない。
て所定の対象箇所へ供給できると共に不活性ガスのクリ
ーンルーム内への漏洩量を常に最小限に保持することが
でき、クリーンルーム内の酸素濃度が所定の値よりも低
下することを防止できるため、作業員がクリーンルーム
内で作業を行う場合に作業に支障が生じることはない。
【００１６】又、本発明では、バッファタンクに蓄えら
れている不活性ガスの圧力が所定の値よりも高くなった
ら、バッファタンクから屋外へ不活性ガスを放出し得る
よう、安全弁を備えた管路を設けているため、バッファ
タンク内の不活性ガスは屋外へ放出され、従ってクリー
ンルーム内の酸素濃度が所定の値よりも下降することを
より一層確実に防止することができる。
れている不活性ガスの圧力が所定の値よりも高くなった
ら、バッファタンクから屋外へ不活性ガスを放出し得る
よう、安全弁を備えた管路を設けているため、バッファ
タンク内の不活性ガスは屋外へ放出され、従ってクリー
ンルーム内の酸素濃度が所定の値よりも下降することを
より一層確実に防止することができる。
【００１７】更に、万一クリーンルーム内に設けた酸素
濃度指示調節計により検出した酸素濃度が１８％以下に
なった場合には、弁閉止指令により遮断弁を閉鎖して不
活性ガスの供給を停止し、作業員が支障なく作業をする
ことを可能とする。
濃度指示調節計により検出した酸素濃度が１８％以下に
なった場合には、弁閉止指令により遮断弁を閉鎖して不
活性ガスの供給を停止し、作業員が支障なく作業をする
ことを可能とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面を参照しつつ説明する。
図面を参照しつつ説明する。
【００１９】なお、本発明の実施の形態においては、不
活性ガスとして窒素ガスを使用し、該窒素ガスをクリー
ンルーム内に設置したクリーンストッカへ供給する場合
について説明する。
活性ガスとして窒素ガスを使用し、該窒素ガスをクリー
ンルーム内に設置したクリーンストッカへ供給する場合
について説明する。
【００２０】図１中、１はクリーンルームであり、該ク
リーンルーム１内には６面を壁で包囲された箱体状のク
リーンストッカ２が収納されている。
リーンルーム１内には６面を壁で包囲された箱体状のク
リーンストッカ２が収納されている。
【００２１】クリーンストッカ２内には、図１において
紙面に直交する方向へ走行し得るようにしたスタッカク
レーン３が配置されると共に、スタッカクレーン３の左
右両側に多段、多列に配置したラック４が収納されてお
り、ラック４の各保管部にはウェハカセット５を格納し
得るようになっている。
紙面に直交する方向へ走行し得るようにしたスタッカク
レーン３が配置されると共に、スタッカクレーン３の左
右両側に多段、多列に配置したラック４が収納されてお
り、ラック４の各保管部にはウェハカセット５を格納し
得るようになっている。
【００２２】ラック４の各保管部の後面には、夫々フィ
ルタ６が設置されると共に、各フィルタ６の後面には、
クリーンストッカ２内の窒素ガスＮ2をフィルタ６を通
して各保管部に保管されているウェハカセット５側へ送
給するためファン７が設置されている。
ルタ６が設置されると共に、各フィルタ６の後面には、
クリーンストッカ２内の窒素ガスＮ2をフィルタ６を通
して各保管部に保管されているウェハカセット５側へ送
給するためファン７が設置されている。
【００２３】左右のラック４の下部には、スタッカクレ
ーン３が走行する空間８を通って下降して来た窒素ガス
Ｎ2が循環し得るよう、孔の穿設された仕切板９が設置
されている。
ーン３が走行する空間８を通って下降して来た窒素ガス
Ｎ2が循環し得るよう、孔の穿設された仕切板９が設置
されている。
【００２４】又、スタッカクレーン３の走行方向所定位
置には、図示してないがウェハカセット５を入出庫する
ための入出庫部が設けられている。
置には、図示してないがウェハカセット５を入出庫する
ための入出庫部が設けられている。
【００２５】而して、クリーンストッカ２、スタッカク
レーン３、ラック４、フィルタ６、ファン７によりウェ
ハカセット保管設備が構成されている。
レーン３、ラック４、フィルタ６、ファン７によりウェ
ハカセット保管設備が構成されている。
【００２６】クリーンルーム１内には窒素ガスＮ2を貯
留するバッファタンク１０が収納され、バッファタンク
１０の上部に接続した窒素ガス供給主管１１は、先端側
で窒素ガス供給枝管１１ａに分岐し、クリーンストッカ
２内に挿入されて空間１２内に窒素ガスＮ2を送出し得
るようになっている。
留するバッファタンク１０が収納され、バッファタンク
１０の上部に接続した窒素ガス供給主管１１は、先端側
で窒素ガス供給枝管１１ａに分岐し、クリーンストッカ
２内に挿入されて空間１２内に窒素ガスＮ2を送出し得
るようになっている。
【００２７】クリーンルーム１の外部に設置した窒素ガ
ス供給装置１３には窒素ガス供給管１４が接続されてい
る。而して、窒素ガス供給管１４はクリーンルーム１内
に挿入されてその先端は、バッファタンク１０の上部に
接続されている。
ス供給装置１３には窒素ガス供給管１４が接続されてい
る。而して、窒素ガス供給管１４はクリーンルーム１内
に挿入されてその先端は、バッファタンク１０の上部に
接続されている。
【００２８】窒素ガス供給管１４には、クリーンルーム
１内において、窒素ガス流れ方向上流側から下流側へ向
け、順次、高圧側減圧弁１５、遮断弁１６、低圧側減圧
弁１７が接続されている。
１内において、窒素ガス流れ方向上流側から下流側へ向
け、順次、高圧側減圧弁１５、遮断弁１６、低圧側減圧
弁１７が接続されている。
【００２９】バッファタンク１０には圧力指示調節計１
８が接続されると共にクリーンルーム１内には酸素濃度
指示調節計１９が配置されており、圧力指示調節計１８
で検出したバッファタンク１０内の窒素ガスの圧力が所
定の値よりも高い場合（例えば１００ｍｍＡｑ以上）、
或いは酸素濃度指示調節計１９で検出したクリーンルー
ム１内の酸素濃度が所定の値よりも低い場合（例えば１
８％以下）には、圧力指示調節計１８或いは酸素濃度指
示調節計１９から遮断弁１６へ弁閉止指令Ｖ１或いはＶ
２を与え得るようになっている。
８が接続されると共にクリーンルーム１内には酸素濃度
指示調節計１９が配置されており、圧力指示調節計１８
で検出したバッファタンク１０内の窒素ガスの圧力が所
定の値よりも高い場合（例えば１００ｍｍＡｑ以上）、
或いは酸素濃度指示調節計１９で検出したクリーンルー
ム１内の酸素濃度が所定の値よりも低い場合（例えば１
８％以下）には、圧力指示調節計１８或いは酸素濃度指
示調節計１９から遮断弁１６へ弁閉止指令Ｖ１或いはＶ
２を与え得るようになっている。
【００３０】バッファタンク１０の上部には、安全弁２
０を備えた窒素ガス排出管２１が接続されており、バッ
ファタンク１０に蓄えられている窒素ガスＮ2の圧力が
所定の値（例えば７０ｍｍＡｑ以上）よりも高い場合に
は、窒素ガスＮ2を屋外へ放出するよう、窒素ガス排出
管２１はクリーンルーム１から屋外２２へ導出されてそ
の先端は屋外２２に開放されている。
０を備えた窒素ガス排出管２１が接続されており、バッ
ファタンク１０に蓄えられている窒素ガスＮ2の圧力が
所定の値（例えば７０ｍｍＡｑ以上）よりも高い場合に
は、窒素ガスＮ2を屋外へ放出するよう、窒素ガス排出
管２１はクリーンルーム１から屋外２２へ導出されてそ
の先端は屋外２２に開放されている。
【００３１】なお、図中、２３は窒素ガス供給主管１１
に接続した圧力検出器、２４，２５は各管に接続した開
閉弁、２６はバッファタンク１０から低圧側減圧弁１７
に接続された導管である。
に接続した圧力検出器、２４，２５は各管に接続した開
閉弁、２６はバッファタンク１０から低圧側減圧弁１７
に接続された導管である。
【００３２】次に本発明の実施の形態例の作動について
説明する。
説明する。
【００３３】クリーンストッカ２内に窒素ガスＮ2を供
給する場合には遮断弁１６及び各開閉弁２４，２５は全
開状態になっており、安全弁２０は全閉状態になってい
る。
給する場合には遮断弁１６及び各開閉弁２４，２５は全
開状態になっており、安全弁２０は全閉状態になってい
る。
【００３４】而して、窒素ガス供給装置１３から送出さ
れた窒素ガスＮ2は窒素ガス供給管１４を流通しつつ高
圧側減圧弁１５において所定の圧力に減圧され（例えば
７ｋｇ／ｃｍ2Ｇから４ｋｇ／ｃｍ2Ｇ）、遮断弁１６を
流通して低圧側減圧弁１７へ送給され、低圧側減圧弁１
７において所定の圧力に減圧され（例えば４ｋｇ／ｃｍ
2Ｇから５０ｍｍＡｑ）、更に窒素ガス供給管１４を流
通してバッファタンク１０へ導入される。
れた窒素ガスＮ2は窒素ガス供給管１４を流通しつつ高
圧側減圧弁１５において所定の圧力に減圧され（例えば
７ｋｇ／ｃｍ2Ｇから４ｋｇ／ｃｍ2Ｇ）、遮断弁１６を
流通して低圧側減圧弁１７へ送給され、低圧側減圧弁１
７において所定の圧力に減圧され（例えば４ｋｇ／ｃｍ
2Ｇから５０ｍｍＡｑ）、更に窒素ガス供給管１４を流
通してバッファタンク１０へ導入される。
【００３５】なお、低圧側減圧弁１７の下流側圧力（例
えば５０ｍｍＡｑ）は導管２６を経由したバッファタン
ク１０内の圧力により制御することにより、バッファタ
ンク１０へ安定した圧力で窒素ガスＮ2を供給すること
が可能となる。
えば５０ｍｍＡｑ）は導管２６を経由したバッファタン
ク１０内の圧力により制御することにより、バッファタ
ンク１０へ安定した圧力で窒素ガスＮ2を供給すること
が可能となる。
【００３６】バッファタンク１０へ導入された窒素ガス
Ｎ2は、窒素ガス供給主管１１から窒素ガス供給枝管１
１ａを流通してクリーンストッカ２内の空間１２に吹込
まれ、各ファン７の後面へ上昇する。
Ｎ2は、窒素ガス供給主管１１から窒素ガス供給枝管１
１ａを流通してクリーンストッカ２内の空間１２に吹込
まれ、各ファン７の後面へ上昇する。
【００３７】窒素ガスＮ2は、バッファタンク１０から
窒素ガス供給主管１１、窒素ガス供給枝管１１ａを送給
される際の圧力損失により減圧され、従って、クリーン
ストッカ２内の空間１２の窒素ガスＮ2の圧力はクリー
ンルーム１内の圧力よりも僅かに高い数ｍｍＡｑ程度で
ある。
窒素ガス供給主管１１、窒素ガス供給枝管１１ａを送給
される際の圧力損失により減圧され、従って、クリーン
ストッカ２内の空間１２の窒素ガスＮ2の圧力はクリー
ンルーム１内の圧力よりも僅かに高い数ｍｍＡｑ程度で
ある。
【００３８】ファン７後面の空間１２を上昇した窒素ガ
スＮ2は、ファン７で加圧されたうえフィルタ６を通り
清浄化され、各ラック４の部分を通過して空間８へ送り
込まれ、空間８を下降して仕切板９の孔を通り、窒素ガ
ス供給枝管１１ａからクリーンルーム１の空間１２内下
部に吹込まれた窒素ガスＮ2と合流し、循環、上昇し、
再びファン７から、フィルタ６、ラック４を経て空間８
側へ送られる。
スＮ2は、ファン７で加圧されたうえフィルタ６を通り
清浄化され、各ラック４の部分を通過して空間８へ送り
込まれ、空間８を下降して仕切板９の孔を通り、窒素ガ
ス供給枝管１１ａからクリーンルーム１の空間１２内下
部に吹込まれた窒素ガスＮ2と合流し、循環、上昇し、
再びファン７から、フィルタ６、ラック４を経て空間８
側へ送られる。
【００３９】このように、クリーンストッカ２内に吹込
まれた窒素ガスＮ2を空間１２，８を通し循環させるこ
とにより、ラック４にウェハカセット５として保管され
ているウェハの表面に塵埃が付着することを防止すると
共に、ケミカルフリーを達成でき、しかもウェハ表面に
自然酸化膜が形成されることが防止される。
まれた窒素ガスＮ2を空間１２，８を通し循環させるこ
とにより、ラック４にウェハカセット５として保管され
ているウェハの表面に塵埃が付着することを防止すると
共に、ケミカルフリーを達成でき、しかもウェハ表面に
自然酸化膜が形成されることが防止される。
【００４０】クリーンストッカ２は通常十分な密閉構造
ではないため、クリーンストッカ２内の窒素ガスＮ2は
クリーンルーム１内との差圧により僅かにクリーンルー
ム１内へ漏洩するが、窒素ガスＮ2を送給する系統に異
常がない場合には、クリーンルーム１の空気調節系によ
りクリーンルーム１内の空気の交替が行われるため、特
に問題はない。
ではないため、クリーンストッカ２内の窒素ガスＮ2は
クリーンルーム１内との差圧により僅かにクリーンルー
ム１内へ漏洩するが、窒素ガスＮ2を送給する系統に異
常がない場合には、クリーンルーム１の空気調節系によ
りクリーンルーム１内の空気の交替が行われるため、特
に問題はない。
【００４１】窒素ガスＮ2を供給する系統に何等かの異
常が生じ、クリーンストッカ２内に供給される窒素ガス
Ｎ2の圧力が数ｍｍＡｑよりも高くなると、クリーンル
ーム１内の窒素ガス濃度が上昇し、その結果、クリーン
ルーム１内の酸素濃度が低下する。
常が生じ、クリーンストッカ２内に供給される窒素ガス
Ｎ2の圧力が数ｍｍＡｑよりも高くなると、クリーンル
ーム１内の窒素ガス濃度が上昇し、その結果、クリーン
ルーム１内の酸素濃度が低下する。
【００４２】而して、酸素濃度指示調節計１９で検出し
たクリーンルーム１内の酸素濃度が予め設定した所定の
値よりも低くなった場合には、酸素濃度指示調節計１９
から遮断弁１６に弁閉止指令Ｖ２が与えられて遮断弁１
６が閉止する。このため、バッファタンク１０内へは窒
素ガスＮ2が導入されず、従ってバッファタンク１０内
の圧力が下降してクリーンストッカ２への窒素ガスＮ2
の供給は停止される。
たクリーンルーム１内の酸素濃度が予め設定した所定の
値よりも低くなった場合には、酸素濃度指示調節計１９
から遮断弁１６に弁閉止指令Ｖ２が与えられて遮断弁１
６が閉止する。このため、バッファタンク１０内へは窒
素ガスＮ2が導入されず、従ってバッファタンク１０内
の圧力が下降してクリーンストッカ２への窒素ガスＮ2
の供給は停止される。
【００４３】高圧側減圧弁１５や低圧側減圧弁１７が制
御不能となる等により故障してバッファタンク１０に導
入される窒素ガスＮ2の圧力が所定の値よりも高くなる
と、先ず安全弁２０が開き、バッファタンク１０の圧力
上昇を押えようとする。而して、安全弁２０が全て開放
してもなおもバッファタンク１０内の圧力が上昇し、所
定の値よりも高くなると、圧力指示調節計１８から遮断
弁１６に弁閉止指令Ｖ１が与えられて遮断弁１６が閉止
する。このため、バッファタンク１０内へは窒素ガスＮ
2は導入されず、バッファタンク１０内の圧力が下降し
てクリーンストッカ２への窒素ガスＮ2の供給は減少
し、最終的には停止される。
御不能となる等により故障してバッファタンク１０に導
入される窒素ガスＮ2の圧力が所定の値よりも高くなる
と、先ず安全弁２０が開き、バッファタンク１０の圧力
上昇を押えようとする。而して、安全弁２０が全て開放
してもなおもバッファタンク１０内の圧力が上昇し、所
定の値よりも高くなると、圧力指示調節計１８から遮断
弁１６に弁閉止指令Ｖ１が与えられて遮断弁１６が閉止
する。このため、バッファタンク１０内へは窒素ガスＮ
2は導入されず、バッファタンク１０内の圧力が下降し
てクリーンストッカ２への窒素ガスＮ2の供給は減少
し、最終的には停止される。
【００４４】又例えば、高圧側減圧弁１５と遮断弁１６
が故障したような場合、或いは遮断弁１６と低圧側減圧
弁１７が故障したような場合には、バッファタンク１０
へ導入される窒素ガスＮ2の圧力は所定の圧力よりも高
圧となる。
が故障したような場合、或いは遮断弁１６と低圧側減圧
弁１７が故障したような場合には、バッファタンク１０
へ導入される窒素ガスＮ2の圧力は所定の圧力よりも高
圧となる。
【００４５】而して、このような場合には、バッファタ
ンク１０内の窒素ガスＮ2は、バッファタンク１０の内
圧によりすでに開いている安全弁２０から窒素ガス排出
管２１を流通して屋外２２へ放出される。このため、バ
ッファタンク１０からクリーンストッカ２への窒素ガス
Ｎ2の供給が継続されても、一定量を越えることはな
い。
ンク１０内の窒素ガスＮ2は、バッファタンク１０の内
圧によりすでに開いている安全弁２０から窒素ガス排出
管２１を流通して屋外２２へ放出される。このため、バ
ッファタンク１０からクリーンストッカ２への窒素ガス
Ｎ2の供給が継続されても、一定量を越えることはな
い。
【００４６】本発明の実施の形態によれば、通常は安定
した圧力の窒素ガスＮ2をクリーンストッカ２へ供給で
き、又窒素ガスＮ2を供給する系統において何等かの異
常が生じ、その結果、窒素ガスＮ2がクリーンストッカ
２からクリーンルーム１内へ漏洩してクリーンルーム１
内の酸素濃度が所定の値よりも低くなった場合、或いは
バッファタンク１０へ導入される窒素ガスＮ2の圧力が
所定の値よりも高くなった場合には、クリーンストッカ
２への窒素ガスＮ2の供給を直ちに停止するか、或いは
その供給量に上限を設けるため、窒素ガスＮ2の供給に
暴走が生じることはない。
した圧力の窒素ガスＮ2をクリーンストッカ２へ供給で
き、又窒素ガスＮ2を供給する系統において何等かの異
常が生じ、その結果、窒素ガスＮ2がクリーンストッカ
２からクリーンルーム１内へ漏洩してクリーンルーム１
内の酸素濃度が所定の値よりも低くなった場合、或いは
バッファタンク１０へ導入される窒素ガスＮ2の圧力が
所定の値よりも高くなった場合には、クリーンストッカ
２への窒素ガスＮ2の供給を直ちに停止するか、或いは
その供給量に上限を設けるため、窒素ガスＮ2の供給に
暴走が生じることはない。
【００４７】従って、クリーンルーム１内の窒素ガス濃
度が上昇して酸素濃度が所定の値よりも低くなることが
なく、このため、クリーンルーム１内で作業員が作業を
する場合にも作業に支障が生じることはない。
度が上昇して酸素濃度が所定の値よりも低くなることが
なく、このため、クリーンルーム１内で作業員が作業を
する場合にも作業に支障が生じることはない。
【００４８】なお、本発明の実施の形態においては、不
活性ガスとして窒素ガスを使用する場合について説明し
たが、窒素ガス以外にもヘリウムガス、アルゴンガス等
種々の不活性ガスの使用が可能なこと、クリーンストッ
カ内にはウェハカセットを保管する場合について説明し
たが、液晶パネルを保管する場合にも適用可能なこと、
半導体ウェハの表面に対する成膜工程の装置に対しても
適用できること、半導体ウェハや液晶パネルを洗浄した
後の乾燥に適用することもできること、その他、本発明
の要旨を逸脱しない範囲内で種々変更を加え得ること、
等は勿論である。
活性ガスとして窒素ガスを使用する場合について説明し
たが、窒素ガス以外にもヘリウムガス、アルゴンガス等
種々の不活性ガスの使用が可能なこと、クリーンストッ
カ内にはウェハカセットを保管する場合について説明し
たが、液晶パネルを保管する場合にも適用可能なこと、
半導体ウェハの表面に対する成膜工程の装置に対しても
適用できること、半導体ウェハや液晶パネルを洗浄した
後の乾燥に適用することもできること、その他、本発明
の要旨を逸脱しない範囲内で種々変更を加え得ること、
等は勿論である。
【００４９】
【発明の効果】本発明の不活性ガス供給設備によれば、
請求項１、２の何れにおいても所定箇所への不活性ガス
の供給を安定して行うことができると共に、クリーンル
ーム内の酸素濃度が所定の値よりも低くなることを防止
できるため、作業員がクリーンルーム内で作業を行う場
合に作業に支障が生じることはなく、又請求項２の場合
には不活性ガスを屋外へ放出できるため、クリーンルー
ム内の酸素濃度が所定の値よりも低くなることをより一
層確実に防止することができる。
請求項１、２の何れにおいても所定箇所への不活性ガス
の供給を安定して行うことができると共に、クリーンル
ーム内の酸素濃度が所定の値よりも低くなることを防止
できるため、作業員がクリーンルーム内で作業を行う場
合に作業に支障が生じることはなく、又請求項２の場合
には不活性ガスを屋外へ放出できるため、クリーンルー
ム内の酸素濃度が所定の値よりも低くなることをより一
層確実に防止することができる。
【図１】本発明の不活性ガス供給設備の実施の形態の一
例を示す概要図である。
例を示す概要図である。
【図２】従来の不活性ガス供給設備の一例を示す概要図
である。
である。
１ クリーンルーム ２ クリーンストッカ １０ バッファタンク １１ 窒素ガス供給主管（管路） １１ａ 窒素ガス供給枝管（管路） １４ 窒素ガス供給管（管路） １５ 高圧側減圧弁 １６ 遮断弁 １７ 低圧側減圧弁 １８ 圧力指示調節計 １９ 酸素濃度指示調節計 ２０ 安全弁 ２１ 窒素ガス排出管（管路） ２２ 屋外 Ｖ１，Ｖ２ 弁閉止指令
Claims (2)
- 【請求項１】 クリーンルーム内に設けた所定の対象箇
所へ不活性ガスを供給し得るようにした管路の中途部
に、不活性ガスを一時的に蓄えるバッファタンクを設
け、前記管路のバッファタンクよりも不活性ガス流れ方
向上流側の部分に、不活性ガス流れ方向上流側から下流
側へ向けて、順次高圧側減圧弁及び遮断弁並に低圧側減
圧弁を接続し、前記クリーンルーム内の酸素濃度が所定
の値よりも低くなったら前記遮断弁へ弁閉止指令を出力
する酸素濃度指示調節計或いは前記バッファタンク内の
不活性ガス圧力が所定の値よりも高くなったら前記遮断
弁へ弁閉止指令を出力する圧力指示調節計のうち少くと
も何れか一方を設けたことを特徴とする不活性ガス供給
設備。 - 【請求項２】 バッファタンクに蓄えられている不活性
ガスの圧力が所定の値よりも高くなったら、バッファタ
ンクから屋外へ不活性ガスを放出し得るよう、安全弁を
備えた管路を設けた請求項１に記載の不活性ガス供給設
備。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29536497A JP3866840B2 (ja) | 1997-10-28 | 1997-10-28 | 不活性ガス供給設備 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29536497A JP3866840B2 (ja) | 1997-10-28 | 1997-10-28 | 不活性ガス供給設備 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11132398A true JPH11132398A (ja) | 1999-05-21 |
| JP3866840B2 JP3866840B2 (ja) | 2007-01-10 |
Family
ID=17819677
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29536497A Expired - Lifetime JP3866840B2 (ja) | 1997-10-28 | 1997-10-28 | 不活性ガス供給設備 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3866840B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009158627A (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-16 | Tokyo Electron Ltd | 真空装置、真空処理システムおよび真空室の圧力制御方法 |
| JP2013131746A (ja) * | 2011-12-20 | 2013-07-04 | Asml Netherlands Bv | ポンプシステム、二酸化炭素供給システム、抽出システム、リソグラフィ装置、およびデバイス製造方法 |
| JP2013140893A (ja) * | 2012-01-05 | 2013-07-18 | Daifuku Co Ltd | 保管棚用の不活性ガス注入装置 |
| WO2014157124A1 (ja) * | 2013-03-27 | 2014-10-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
| JP2014241377A (ja) * | 2013-06-12 | 2014-12-25 | 株式会社ダイフク | 保管棚用の不活性ガス注入装置 |
| JP2015012042A (ja) * | 2013-06-26 | 2015-01-19 | 株式会社ダイフク | 不活性気体供給設備 |
| JP2019536900A (ja) * | 2016-10-13 | 2019-12-19 | アッドアップ | 移動及び固定式付加製造設備 |
-
1997
- 1997-10-28 JP JP29536497A patent/JP3866840B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009158627A (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-16 | Tokyo Electron Ltd | 真空装置、真空処理システムおよび真空室の圧力制御方法 |
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| JP2015146047A (ja) * | 2011-12-20 | 2015-08-13 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | ポンプシステム、二酸化炭素供給システム、抽出システム、リソグラフィ装置、およびデバイス製造方法 |
| US9575406B2 (en) | 2011-12-20 | 2017-02-21 | Asml Netherlands B.V. | Pump system, a carbon dioxide supply system, an extraction system, a lithographic apparatus and a device manufacturing method |
| JP2013140893A (ja) * | 2012-01-05 | 2013-07-18 | Daifuku Co Ltd | 保管棚用の不活性ガス注入装置 |
| WO2014157124A1 (ja) * | 2013-03-27 | 2014-10-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
| JP5951889B2 (ja) * | 2013-03-27 | 2016-07-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
| JP2014241377A (ja) * | 2013-06-12 | 2014-12-25 | 株式会社ダイフク | 保管棚用の不活性ガス注入装置 |
| TWI628690B (zh) * | 2013-06-12 | 2018-07-01 | 大福股份有限公司 | 惰性氣體注入裝置及惰性氣體注入方法 |
| CN104241166B (zh) * | 2013-06-12 | 2018-09-07 | 株式会社大福 | 惰性气体注入装置及惰性气体注入方法 |
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| JP2019536900A (ja) * | 2016-10-13 | 2019-12-19 | アッドアップ | 移動及び固定式付加製造設備 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3866840B2 (ja) | 2007-01-10 |
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