JPH11131282A - 酸性すずめっき浴 - Google Patents
酸性すずめっき浴Info
- Publication number
- JPH11131282A JPH11131282A JP29392897A JP29392897A JPH11131282A JP H11131282 A JPH11131282 A JP H11131282A JP 29392897 A JP29392897 A JP 29392897A JP 29392897 A JP29392897 A JP 29392897A JP H11131282 A JPH11131282 A JP H11131282A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tinning
- stannate
- bath
- mol
- plating bath
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 使用時の安定性及び保存安定性にすぐれると
ともに、平滑性の良いめっきを与える酸性すずめっき浴
を提供する。 【解決手段】 ４価すず酸イオンと蓚酸イオンとの錯イ
オンを含む水溶液からなる酸性すずめっき浴。
ともに、平滑性の良いめっきを与える酸性すずめっき浴
を提供する。 【解決手段】 ４価すず酸イオンと蓚酸イオンとの錯イ
オンを含む水溶液からなる酸性すずめっき浴。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、４価すず酸イオン
を含む酸性すずめっき浴に関するものである。
を含む酸性すずめっき浴に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在、すずめっきは、主として酸性の２
価すずイオン浴から行われているが、２価すずイオンは
溶存酸素によって４価すずイオンに酸化されるので、使
用時の安定性及び保存性の不十分なものであった。しか
も、２価すずイオンからのすずの析出では、平滑なめっ
きが困難で、容易に樹枝状晶になってしまうので、それ
を抑制し平滑で緻密なめっきを得るためにはめっき液に
多量の錯化剤や光沢剤などの試薬を加えなければならな
いという問題を有した。
価すずイオン浴から行われているが、２価すずイオンは
溶存酸素によって４価すずイオンに酸化されるので、使
用時の安定性及び保存性の不十分なものであった。しか
も、２価すずイオンからのすずの析出では、平滑なめっ
きが困難で、容易に樹枝状晶になってしまうので、それ
を抑制し平滑で緻密なめっきを得るためにはめっき液に
多量の錯化剤や光沢剤などの試薬を加えなければならな
いという問題を有した。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、使用時の安
定性及び保存安定性にすぐれるとともに、平滑性の良い
めっきを与える酸性すずめっき浴を提供することをその
課題とする。
定性及び保存安定性にすぐれるとともに、平滑性の良い
めっきを与える酸性すずめっき浴を提供することをその
課題とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者は、前記課題を
解決すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成するに
至った。即ち、本発明によれば、４価すず酸イオンと蓚
酸イオンとの錯イオンを含む水溶液からなる酸性すずめ
っき浴が提供される。
解決すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成するに
至った。即ち、本発明によれば、４価すず酸イオンと蓚
酸イオンとの錯イオンを含む水溶液からなる酸性すずめ
っき浴が提供される。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明のめっき浴は、４価すず酸
イオンと蓚酸イオンとの錯イオンを含む水溶液からなる
ものである。このような水溶液は、水に対して、４価す
ず酸塩と蓚酸を添加溶解させることによって得ることが
できる。この場合の４価すず酸塩としては、水溶性のも
のが用いられ、Ｎａ4ＳｎＯ4、Ｋ4ＳｎＯ4等が挙げられ
る。めっき浴中のすず酸塩濃度は、０．１〜０．２モル
／ｌであり、蓚酸濃度は０．５〜１．０モル／ｌであ
る。また、すず酸塩は、蓚酸１モル当り、０．１〜０．
４モルで用いるのがよい。めっき浴のｐＨは、１〜２で
あり、硫酸や水酸化ナトリウムで調整すればよい。本発
明のめっき浴には、必要に応じ、界面活性剤やゼラチン
を適量加えることができ、これにより、光沢のよいかつ
緻密なめっきを得ることができる。
イオンと蓚酸イオンとの錯イオンを含む水溶液からなる
ものである。このような水溶液は、水に対して、４価す
ず酸塩と蓚酸を添加溶解させることによって得ることが
できる。この場合の４価すず酸塩としては、水溶性のも
のが用いられ、Ｎａ4ＳｎＯ4、Ｋ4ＳｎＯ4等が挙げられ
る。めっき浴中のすず酸塩濃度は、０．１〜０．２モル
／ｌであり、蓚酸濃度は０．５〜１．０モル／ｌであ
る。また、すず酸塩は、蓚酸１モル当り、０．１〜０．
４モルで用いるのがよい。めっき浴のｐＨは、１〜２で
あり、硫酸や水酸化ナトリウムで調整すればよい。本発
明のめっき浴には、必要に応じ、界面活性剤やゼラチン
を適量加えることができ、これにより、光沢のよいかつ
緻密なめっきを得ることができる。
【０００６】本発明のめっき浴を用いてすずめっきを行
うには、めっき槽に本発明のめっき浴を充填するととも
に、その陽極に白金板を用い、被めっき物を陰極に用
い、両極間に直流電圧を印加する。この場合の電圧は
１．５〜２．０ボルトであり、その電流密度は１〜５Ａ
／ｄｍ2、好ましくは２〜３Ａ／ｄｍ2である。めっき温
度は室温でよく、めっき時間は、５〜１０分である。
うには、めっき槽に本発明のめっき浴を充填するととも
に、その陽極に白金板を用い、被めっき物を陰極に用
い、両極間に直流電圧を印加する。この場合の電圧は
１．５〜２．０ボルトであり、その電流密度は１〜５Ａ
／ｄｍ2、好ましくは２〜３Ａ／ｄｍ2である。めっき温
度は室温でよく、めっき時間は、５〜１０分である。
【０００７】
【実施例】次の本発明を実施例によりさらに詳細に詳述
する。
する。
【０００８】実施例１〜４ 表１に示す成分組成（モル／リットル）のめっき浴を調
製し、その保存安定性及びそのめっき品質を以下のよう
にして評価した。その結果を表１に示す。
製し、その保存安定性及びそのめっき品質を以下のよう
にして評価した。その結果を表１に示す。
【０００９】（保存安定性）めっき浴３００ｍｌをビー
カに入れ、これを室温に１週間保持した後、そのめっき
浴を観察した。その結果、めっき浴中ににごりが生じた
ものを×、生じなかったものを○とした。 （めっき品質）陽極に白金板を用い、陰極に銅板を用
い、これらの両極をすずめっき浴に浸漬して、すずめっ
きを行った。銅板表面に形成されたすずめっきを観察
し、以下の基準で評価した。 ○：非常に良好 △：良好 ×：不良
カに入れ、これを室温に１週間保持した後、そのめっき
浴を観察した。その結果、めっき浴中ににごりが生じた
ものを×、生じなかったものを○とした。 （めっき品質）陽極に白金板を用い、陰極に銅板を用
い、これらの両極をすずめっき浴に浸漬して、すずめっ
きを行った。銅板表面に形成されたすずめっきを観察
し、以下の基準で評価した。 ○：非常に良好 △：良好 ×：不良
【００１０】
【表１】 ＊めっき浴に界面活性剤とゼラチンを適量含む
【００１１】
【発明の効果】本発明の酸性すずめっき浴は、保存安定
性にすぐれるとともに、めっき浴としての性能にもすぐ
れ、本発明のすずめっき浴を用いることにより、平滑な
すずめっきを得ることができる。
性にすぐれるとともに、めっき浴としての性能にもすぐ
れ、本発明のすずめっき浴を用いることにより、平滑な
すずめっきを得ることができる。
Claims (2)
- 【請求項１】 ４価すず酸イオンと蓚酸イオンとの錯イ
オンを含む水溶液からなる酸性すずめっき浴。 - 【請求項２】 蓚酸イオンがすず酸イオン１モル当り５
〜１０モルの割合である請求項１の酸性すずめっき浴。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29392897A JPH11131282A (ja) | 1997-10-27 | 1997-10-27 | 酸性すずめっき浴 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29392897A JPH11131282A (ja) | 1997-10-27 | 1997-10-27 | 酸性すずめっき浴 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11131282A true JPH11131282A (ja) | 1999-05-18 |
Family
ID=17800987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29392897A Pending JPH11131282A (ja) | 1997-10-27 | 1997-10-27 | 酸性すずめっき浴 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11131282A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014177670A (ja) * | 2013-03-14 | 2014-09-25 | Dainippon Printing Co Ltd | インターポーザー基板の製造方法。 |
-
1997
- 1997-10-27 JP JP29392897A patent/JPH11131282A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014177670A (ja) * | 2013-03-14 | 2014-09-25 | Dainippon Printing Co Ltd | インターポーザー基板の製造方法。 |
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