JPH11130943A - Resin composition for sealing and sealed semiconductor device - Google Patents

Resin composition for sealing and sealed semiconductor device

Info

Publication number
JPH11130943A
JPH11130943A JP31140997A JP31140997A JPH11130943A JP H11130943 A JPH11130943 A JP H11130943A JP 31140997 A JP31140997 A JP 31140997A JP 31140997 A JP31140997 A JP 31140997A JP H11130943 A JPH11130943 A JP H11130943A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
sealing
resin composition
semiconductor device
tetramethylthiuram disulfide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP31140997A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takeshi Kasai
健史 笠井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Chemical Corp
Original Assignee
Toshiba Chemical Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Chemical Corp filed Critical Toshiba Chemical Corp
Priority to JP31140997A priority Critical patent/JPH11130943A/en
Publication of JPH11130943A publication Critical patent/JPH11130943A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve esp. the adhesive strength between a preplating frame such as of Pd or Pd-Au and a resin compsn., improve the reflow resistance of a sealed semiconductor device, prevent the degradation due to moisture after reflow, and thus provide a sealed semiconductor device with a high reliability. SOLUTION: This resin compsn. for sealing contains, as essential ingredients, 100 pts.wt. resin component comprising an epoxy resin (A) and a novolak phenol resin (B), 0.001-0.1 pt.wt. tetramethylthiuram disulfide (C), and 25-95 pts.wt. inorg. filler (D). The objective sealed semiconductor device is prepd. by using a preplating frame such as of Pd or Pd-Au sealed with the compsn.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、PdやPd−Au
等のプレプレーティングを施したフレームを用いた半導
体パッケージにおいて耐リフロークラック性等の信頼性
に優れた封止用エポキシ樹脂組成物および半導体封止装
置に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to Pd and Pd-Au
The present invention relates to a sealing epoxy resin composition and a semiconductor sealing device having excellent reliability such as reflow crack resistance in a semiconductor package using a frame on which pre-plating has been performed.

【0002】[0002]

【従来の技術】最近の半導体装置では、半田メッキに換
えて、PdやPd−Au等のプレプレーティングを施し
たフレームを採用した半導体パッケージが増加してい
る。
2. Description of the Related Art In recent semiconductor devices, the number of semiconductor packages employing a frame plated with Pd or Pd-Au instead of solder plating is increasing.

【0003】従来のエポキシ樹脂、ノボラック型フェノ
ール樹脂及び無機質充填剤からなる樹脂組成物によって
封止したPdやPd−Au等のプレプレーティングフレ
ームを採用した半導体装置は、インサートと封止樹脂の
接着性が著しく悪いという欠点があった。特に吸湿した
その半導体装置を表面実装すると、封止樹脂とリードフ
レーム、あるいは封止樹脂と半導体チップとの間の剥が
れが生じて著しい耐湿劣化を起こし、電極の腐食による
断線や水分によるリーク電流を生じ、その結果、半導体
装置は、長期間の信頼性を保証することができないとい
う欠点があった。このため、耐リフロー性に優れ、耐湿
性の影響が少なく、耐湿劣化の少ない成形性のよい材料
の開発が強く要望されていた。
[0003] A conventional semiconductor device employing a pre-plating frame of Pd or Pd-Au sealed with a resin composition comprising an epoxy resin, a novolak-type phenol resin and an inorganic filler has a problem in that an insert and a sealing resin are bonded. There was a drawback that the properties were extremely poor. In particular, when the semiconductor device that has absorbed moisture is surface-mounted, peeling occurs between the sealing resin and the lead frame or between the sealing resin and the semiconductor chip, causing significant moisture resistance deterioration, disconnection due to electrode corrosion, and leakage current due to moisture. As a result, the semiconductor device has a drawback that long-term reliability cannot be guaranteed. For this reason, there has been a strong demand for the development of a material having excellent reflow resistance, less influence of moisture resistance, and less mold deterioration with good moldability.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の欠点
を解消し、上記要望に応えるためになされたもので、P
dやPd−Au等のプレプレーティングフレームとの接
着性が高く、特に耐リフロー性とリフロー後の信頼性に
優れた、成形性のよい、封止用樹脂組成物および半導体
封止装置を提供しようとするものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned drawbacks and to meet the above-mentioned demands.
The present invention provides a sealing resin composition and a semiconductor sealing device having high adhesiveness to a pre-plating frame such as d or Pd-Au, and particularly having excellent reflow resistance and reliability after reflow, and having good moldability. What you want to do.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の目的
を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、樹脂組成物にテ
トラメチルチウラムジスルフィドを配合することによっ
て、PdやPd−Au等のプレプレーティングフレーム
との接着性を大幅に向上し、上記目的が達成されること
を見いだし、本発明を完成したものである。
Means for Solving the Problems As a result of intensive studies aimed at achieving the above object, the present inventor has found that, by adding tetramethylthiuram disulfide to a resin composition, a prepolymer such as Pd or Pd-Au can be obtained. The inventors have found that the above-mentioned object is achieved by greatly improving the adhesion to the plating frame, and have completed the present invention.

【0006】即ち、本発明は、(A)エポキシ樹脂、
(B)ノボラック型フェノール樹脂、(C)テトラメチ
ルチウラムジスルフィドおよび(D)無機質充填剤を必
須成分とし、樹脂組成物に対して、前記(C)のテトラ
メチルチウラムジスルフィドを0.001 〜0.1 重量%、ま
た前記(D)の無機質充填剤を25〜95重量%の割合で含
有してなることを特徴とする封止用樹脂組成物であり、
またこの封止用樹脂組成物の硬化物によって、Pd若し
くはPd−Auのプレプレーティングを施したフレーム
に搭載された半導体チップを封止してなることを特徴と
する半導体封止装置である。
That is, the present invention provides (A) an epoxy resin,
(B) a novolak type phenol resin, (C) tetramethylthiuram disulfide and (D) an inorganic filler as essential components, and 0.001 to 0.1% by weight of the tetramethylthiuram disulfide of (C) with respect to the resin composition; Further, a sealing resin composition comprising the inorganic filler of (D) in a ratio of 25 to 95% by weight,
A semiconductor sealing device characterized by sealing a semiconductor chip mounted on a Pd or Pd-Au pre-plated frame with a cured product of the sealing resin composition.

【0007】以下、本発明を詳細に説明する。Hereinafter, the present invention will be described in detail.

【0008】本発明に用いる(A)エポキシ樹脂として
は、その分子中にエポキシ基を少なくとも2 個有する化
合物である限り、分子構造、分子量など特に制限はな
く、一般に封止用材料として使用されているものを広く
包含することができる。例えば、ビフェニル型、ビスフ
ェノール型の芳香族系、シクロヘキサン誘導体等脂肪族
系、また、次の一般式で示されるエポキシノボラック系
のエポキシ樹脂等が挙げられる。
The epoxy resin (A) used in the present invention is not particularly limited in molecular structure and molecular weight, as long as it is a compound having at least two epoxy groups in the molecule, and is generally used as a sealing material. Can be widely encompassed. For example, biphenyl type, bisphenol type aromatic type, aliphatic type such as cyclohexane derivative, and epoxy novolak type epoxy resin represented by the following general formula can be used.

【0009】[0009]

【化1】 (但し、式中、R1 は水素原子、ハロゲン原子又はアル
キル基を、R2 は水素原子又はアルキル基を、nは1 以
上の整数をそれぞれ表す) これらのエポキシ樹脂は、単独もしくは2 種以上混合し
て用いることができる。本発明に用いる(B)ノボラッ
ク型フェノール樹脂としては、フェノール、アルキルフ
ェノール等のフェノール類とホルムアルデヒド、パラホ
ルムアルデヒド等のアルデヒド類とを反応させて得られ
るノボラック型フェノール樹脂およびこれらの変性樹
脂、例えばエポキシ化もしくはブチル化したノボラック
型フェノール樹脂等が挙げられ、これらの樹脂は、単独
もしくは2 種以上混合して用いる。ノボラック型フェノ
ール樹脂の配合割合は、前述したエポキシ樹脂のエポキ
シ基(a)とノボラック型フェノール樹脂のフェノール
性水酸基(b)との当量比[(a)/(b)]が0.1 〜
10の範囲内であることが望ましい。当量比が0.1 未満も
しくは10を超えると、耐熱性、耐湿性、成形作業性およ
び硬化物の電気特性が悪くなり、いずれの場合も好まし
くない。従って上記の範囲内に限定するのが良い。
Embedded image (Wherein, R 1 represents a hydrogen atom, a halogen atom or an alkyl group, R 2 represents a hydrogen atom or an alkyl group, and n represents an integer of 1 or more.) These epoxy resins may be used alone or in combination of two or more. They can be used in combination. As the novolak type phenol resin (B) used in the present invention, novolak type phenol resins obtained by reacting phenols such as phenol and alkylphenol with aldehydes such as formaldehyde and paraformaldehyde, and modified resins thereof, for example, epoxidation Alternatively, a butylated novolak type phenol resin may be used, and these resins may be used alone or in combination of two or more. The mixing ratio of the novolak type phenol resin is 0.1 to 0.1 in the equivalent ratio [(a) / (b)] between the epoxy group (a) of the epoxy resin and the phenolic hydroxyl group (b) of the novolak type phenol resin.
It is desirable to be within the range of 10. If the equivalent ratio is less than 0.1 or more than 10, heat resistance, moisture resistance, molding workability, and electrical properties of the cured product are deteriorated, and any case is not preferable. Therefore, it is better to limit to the above range.

【0010】本発明に用いる(C)テトラメチルチウラ
ムジスルフィドは、次の構造式に示されるものである。
The (C) tetramethylthiuram disulfide used in the present invention is represented by the following structural formula.

【0011】[0011]

【化2】 Embedded image

【0012】テトラメチルチウラムジスルフィドの配合
割合は、全体の樹脂組成物に対して0.001 〜0.1 重量%
含有することが望ましい。この割合が0.001 重量%未満
では、PdやPd−Au等のプレプレーティングフレー
ムとの接着力の向上に効果なく、また、0.1 重量%を超
えると、封止樹脂の硬化等に悪影響を与え、実用に適さ
ず好ましくない。
The mixing ratio of tetramethylthiuram disulfide is 0.001 to 0.1% by weight based on the whole resin composition.
It is desirable to contain. If this ratio is less than 0.001% by weight, there is no effect on improving the adhesive strength to a pre-plating frame such as Pd or Pd-Au, and if it exceeds 0.1% by weight, it adversely affects the curing of the sealing resin, etc. Unsuitable for practical use.

【0013】本発明に用いる(D)無機質充填剤として
は、シリカ粉末、アルミナ粉末、三酸化アンチモン、タ
ルク、炭酸カルシウム、チタンホワイト、クレー、マイ
カ、ベンガラ、ガラス繊維等が挙げられ、これらは単独
又は2 種以上混合して使用することができる。これらの
中でも特にシリカ粉末とアルミナ粉末が好ましく、よく
使用される。無機質充填剤の配合割合は、全体の樹脂組
成物に対して25〜95重量%の割合で含有することが望ま
しい。その割合が25重量%未満では、耐熱性、耐湿性、
半田耐熱性、機械的特性および成形性が悪くなり、ま
た、95重量%を超えるとカサバリが大きくなり、成形性
に劣り実用に適さない。
The inorganic filler (D) used in the present invention includes silica powder, alumina powder, antimony trioxide, talc, calcium carbonate, titanium white, clay, mica, red iron oxide, glass fiber and the like. Alternatively, two or more kinds can be used in combination. Among these, silica powder and alumina powder are particularly preferable and are often used. The inorganic filler is desirably contained in a proportion of 25 to 95% by weight based on the whole resin composition. If the proportion is less than 25% by weight, heat resistance, moisture resistance,
Solder heat resistance, mechanical properties, and moldability deteriorate, and if it exceeds 95% by weight, burrs increase, resulting in poor moldability and not suitable for practical use.

【0014】本発明の封止用樹脂組成物は、エポキシ樹
脂、ノボラック型フェノール樹脂、テトラメチルチウラ
ムジスルフィドおよび無機質充填剤を必須成分とする
が、本発明の目的に反しない限度において、また必要に
応じて、例えば天然ワックス類、合成ワックス類、直鎖
脂肪酸の金属塩、酸アミド類、エステル類、パラフィン
類等の離型剤、塩素化パラフィン、ブロム化トルエン、
ヘキサブロムベンゼン、三酸化アンチモン等の難燃剤、
カーボンブラック、ベンガラ等の着色剤、種々の硬化促
進剤等を適宜、添加配合することができる。
The encapsulating resin composition of the present invention contains an epoxy resin, a novolak-type phenol resin, tetramethylthiuram disulfide and an inorganic filler as essential components. Accordingly, for example, natural waxes, synthetic waxes, metal salts of linear fatty acids, acid amides, esters, release agents such as paraffins, chlorinated paraffins, brominated toluene,
Flame retardants such as hexabromobenzene and antimony trioxide,
Coloring agents such as carbon black and red iron, various curing accelerators, and the like can be appropriately added and blended.

【0015】本発明の封止用樹脂組成物を成形材料とし
て調製する場合の一般的な方法としては、エポキシ樹
脂、ノボラック型フェノール樹脂、テトラメチルチウラ
ムジスルフィド、無機質充填剤およびその他の成分を配
合し、ミキサー等によって十分均一に混合した後、さら
に熱ロールによる溶融混合処理又はニーダ等による混合
処理を行い、次いで冷却固化させ、適当な大きさに粉砕
して成形材料とすることができる。こうして得られた成
形材料は、半導体装置をはじめとする電子部品あるいは
電気部品の封止、被覆、絶縁等に適用すれば、優れた特
性と信頼性を付与させることができる。
As a general method for preparing the encapsulating resin composition of the present invention as a molding material, an epoxy resin, a novolak type phenol resin, tetramethylthiuram disulfide, an inorganic filler and other components are blended. After sufficiently mixing with a mixer or the like, a melt-mixing treatment with a hot roll or a mixing treatment with a kneader or the like is performed, and then the mixture is cooled and solidified, and pulverized to an appropriate size to obtain a molding material. If the molding material thus obtained is applied to sealing, coating, insulating, etc. of electronic parts or electric parts such as semiconductor devices, excellent properties and reliability can be imparted.

【0016】本発明の半導体封止装置は、上記のように
して得られた封止用樹脂を用いて、半導体チップを封止
することにより容易に製造することができる。封止の最
も一般的な方法としては、低圧トランスファー成形法が
あるが、射出成形、圧縮成形、注型等による封止も可能
である。封止用樹脂組成物を封止の際に加熱して硬化さ
せ、最終的にはこの組成物の硬化物によって封止された
半導体封止装置が得られる。加熱による硬化は、150 ℃
以上に加熱して硬化させることが望ましい。封止を行う
半導体装置としては、例えば集積回路、大規模集積回
路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード等で特に限
定されるものではない。
The semiconductor sealing device of the present invention can be easily manufactured by sealing a semiconductor chip using the sealing resin obtained as described above. The most common sealing method is a low-pressure transfer molding method, but sealing by injection molding, compression molding, casting or the like is also possible. The sealing resin composition is heated and cured at the time of sealing, and finally a semiconductor sealing device sealed with a cured product of this composition is obtained. 150 ° C for curing by heating
It is desirable to cure by heating as described above. The semiconductor device for sealing is not particularly limited, for example, with an integrated circuit, a large-scale integrated circuit, a transistor, a thyristor, a diode, and the like.

【0017】[0017]

【作用】本発明の封止用樹脂組成物および半導体封止装
置は、樹脂成分としてテトラメチルチウラムジスルフィ
ドを用いたことによって、目的とする特性が得られるも
のである。即ち、PdやPd−Au等のプレプレーティ
ングフレームとの接着力を向上させ、表面実装後のイン
サートと封止樹脂との接着性の劣化を防止することがで
き、長期の信頼性を保証することができた。
The sealing resin composition and the semiconductor sealing device of the present invention can obtain desired properties by using tetramethylthiuram disulfide as a resin component. That is, it is possible to improve the adhesive strength with a pre-plating frame such as Pd or Pd-Au, prevent deterioration of the adhesiveness between the insert and the sealing resin after surface mounting, and guarantee long-term reliability. I was able to.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】次に本発明を実施例によって説明
するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるも
のではない。以下の実施例及び比較例において「%」と
は「重量%」を意味する。
Next, the present invention will be described with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples. In the following Examples and Comparative Examples, “%” means “% by weight”.

【0019】実施例1 クレゾールノボラックエポキシ樹脂(エポキシ当量195
)12.5%に、ノボラック型フェノール樹脂(フェノー
ル当量104 )6.7 %、次の化3に示したテトラメチルチ
ウラムジスルフィド0.01%、
Example 1 Cresol novolak epoxy resin (epoxy equivalent: 195)
) 12.5%, novolak type phenol resin (phenol equivalent: 104) 6.7%, tetramethylthiuram disulfide 0.01% shown in the following chemical formula 3,

【0020】[0020]

【化3】 溶融シリカ粉末80%、エステル系ワックス類 0.2%、硬
化促進剤0.19%およびシランカップリング剤0.4 %を常
温で混合し、さらに90〜95℃で混練してこれを冷却粉砕
して成形材料を製造した。この成形材料を170 ℃に加熱
した金型内にトランスファー注入し、硬化させて成形品
(封止品)をつくった。この成形品について耐湿性等の
特性を試験したので、その結果を表1に示した。特に耐
湿性において本発明の顕著な効果が認められた。
Embedded image 80% fused silica powder, 0.2% ester wax, 0.19% curing accelerator and 0.4% silane coupling agent are mixed at room temperature, kneaded at 90-95 ° C, and cooled and pulverized to produce molding material. did. This molding material was transfer-injected into a mold heated to 170 ° C. and cured to produce a molded product (sealed product). The molded article was tested for characteristics such as moisture resistance, and the results are shown in Table 1. In particular, a remarkable effect of the present invention was recognized on moisture resistance.

【0021】実施例2 ビフェニル型エポキシ樹脂(エポキシ当量213 ) 5.0%
に、フェノールアラルキル樹脂(フェノール当量175 )
4.15%、前記した化3のテトラメチルチウラムジスルフ
ィド0.01%、シリカ粉末90%、エステル系ワックス類
0.2%、硬化触媒0.14%およびシランカップリング剤0.5
%を実施例1と同様に混合、混練、粉砕して成形材料
を製造した。また、実施例1と同様にして成形品をつく
り、耐湿性等の特性試験を行ったのでその結果を表1に
示した。特に耐湿性において本発明の顕著な効果が認め
られた。
Example 2 Biphenyl type epoxy resin (epoxy equivalent: 213) 5.0%
And phenol aralkyl resin (phenol equivalent 175)
4.15%, 0.01% of tetramethylthiuram disulfide of the above formula 3, 90% of silica powder, ester waxes
0.2%, curing catalyst 0.14% and silane coupling agent 0.5
% Was mixed, kneaded and pulverized in the same manner as in Example 1 to produce a molding material. In addition, a molded product was prepared in the same manner as in Example 1, and a characteristic test such as moisture resistance was performed. The results are shown in Table 1. In particular, a remarkable effect of the present invention was recognized on moisture resistance.

【0022】実施例3 ビフェニル型エポキシ樹脂(エポキシ当量213 ) 5.0%
に、フェノールアラルキル樹脂(フェノール当量175 )
4.15%、前記した化3のテトラメチルチウラムジスルフ
ィド0.005 %、硬化触媒0.14%、シランカップリング剤
0.5 %、シリカ粉末90%およびエステル系ワックス0.2
%を実施例1と同様に混合、混練、粉砕して成形材料を
製造した。また、実施例1と同様にして成形品をつく
り、耐湿性等の特性試験を行ったのでその結果を表1に
示した。特に耐湿性において本発明の顕著な効果が認め
られた。
Example 3 Biphenyl type epoxy resin (epoxy equivalent: 213) 5.0%
And phenol aralkyl resin (phenol equivalent 175)
4.15%, 0.005% of tetramethylthiuram disulfide of the above formula 3, 0.14% of curing catalyst, silane coupling agent
0.5%, silica powder 90% and ester wax 0.2
% Was mixed, kneaded and pulverized in the same manner as in Example 1 to produce a molding material. In addition, a molded product was prepared in the same manner as in Example 1, and a characteristic test such as moisture resistance was performed. The results are shown in Table 1. In particular, a remarkable effect of the present invention was recognized on moisture resistance.

【0023】比較例 クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量19
5 )12.5%に、ノボラック型フェノール樹脂(フェノー
ル当量104 ) 6.7%、シリカ粉末80%、硬化促進剤0.19
%、エステル系ワックス類 0.2%およびシラン系カップ
リング剤 0.4%を混合し、実施例1と同様にして成形材
料を製造した。この成形材料を用いて成形品とし、成形
品の諸特性について実施例1と同様にして試験を行い、
その結果を表1に示した。
Comparative Example Cresol novolak type epoxy resin (epoxy equivalent: 19)
5) 12.5%, novolak type phenol resin (phenol equivalent: 104) 6.7%, silica powder 80%, curing accelerator 0.19
%, Ester waxes 0.2% and silane coupling agent 0.4% were mixed to produce a molding material in the same manner as in Example 1. A molded article was formed using this molding material, and various properties of the molded article were tested in the same manner as in Example 1.
The results are shown in Table 1.

【0024】[0024]

【表1】 *1 :トランスファー成形によって接着面積4 mm2
成形品をつくり、これを175 ℃,8 時間の後硬化を行
い、剪断接着力を求めた。 *2 :トランスファー成形によって成形品をつくり、こ
れを175 ℃,8 時間の後硬化を行い、熱機器分析装置を
用いて測定した。 *3 :成形材料を用いて、2 本以上のアルミニウム配線
を有するシリコン製チップ(テスト用素子)をPdプレ
プレーティングフレームに接着し、175 ℃で2 分間トラ
ンスファー成形して、QFP−208P,2.8 mmt
成形品をつくり、これを175 ℃,8 時間の後硬化を行っ
た。こうして得た成形品を予め、85℃,40%RH,168
時間の吸湿処理した後、Max240 ℃のIRリフロー炉
を4 回通した。その後、127 ℃,2.5 気圧の飽和水蒸気
中でPCTを行い、アルミニウムの腐食による断線を不
良として評価した。
[Table 1] * 1: A molded article having an adhesive area of 4 mm 2 was prepared by transfer molding, and this was post-cured at 175 ° C. for 8 hours, and the shear adhesive strength was determined. * 2: A molded article was prepared by transfer molding, post-cured at 175 ° C for 8 hours, and measured using a thermal equipment analyzer. * 3: Using a molding material, a silicon chip (test element) having two or more aluminum wirings is adhered to a Pd pre-plating frame, transfer molded at 175 ° C for 2 minutes, and QFP-208P, 2.8 make moldings mm t, which 175 ° C., was cured after 8 hours. The molded article thus obtained was previously subjected to 85 ° C., 40% RH, 168
After the moisture absorption treatment for a period of time, the mixture was passed four times through an IR reflow furnace at Max 240 ° C. Thereafter, PCT was performed in saturated steam at 127 ° C. and 2.5 atm, and a disconnection due to aluminum corrosion was evaluated as defective.

【0025】[0025]

【発明の効果】以上の説明および表1から明らかなよう
に、本発明の封止用樹脂組成物および半導体封止装置
は、Pd、Pd−Auメッキのインサートとの接着性に
優れ、IRリフロー後においても剥離することなく、耐
湿性に優れ、その結果、電極の腐食による断線や水分に
よるリーク電流の発生等を著しく低減することができ、
しかも長期間にわたって信頼性を保証することができ
る。
As apparent from the above description and Table 1, the encapsulating resin composition and the semiconductor encapsulating apparatus of the present invention have excellent adhesiveness with Pd and Pd-Au plated inserts and have an IR reflow. Without exfoliation even after, excellent in moisture resistance, as a result, it is possible to significantly reduce the occurrence of leakage current due to disconnection or moisture due to electrode corrosion,
Moreover, reliability can be guaranteed for a long period of time.

フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 23/31 Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI H01L 23/31

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (A)エポキシ樹脂、(B)ノボラック
型フェノール樹脂、(C)テトラメチルチウラムジスル
フィドおよび(D)無機質充填剤を必須成分とし、樹脂
組成物に対して、前記(C)のテトラメチルチウラムジ
スルフィドを0.001 〜0.1 重量%、また前記(D)の無
機質充填剤を25〜95重量%の割合で含有してなることを
特徴とする封止用樹脂組成物。
1. An epoxy resin, (B) a novolak type phenol resin, (C) tetramethylthiuram disulfide and (D) an inorganic filler as essential components. A sealing resin composition comprising 0.001 to 0.1% by weight of tetramethylthiuram disulfide and 25 to 95% by weight of the inorganic filler (D).
【請求項2】 (A)エポキシ樹脂、(B)ノボラック
型フェノール樹脂、(C)テトラメチルチウラムジスル
フィドおよび(D)無機質充填剤を必須成分とし、樹脂
組成物に対して、前記(C)のテトラメチルチウラムジ
スルフィドを0.001 〜0.1 重量%、また前記(D)の無
機質充填剤を25〜95重量%の割合で含有した封止用樹脂
組成物の硬化物によって、Pd若しくはPd−Auのプ
レプレーティングを施したフレームに搭載された半導体
チップを封止してなることを特徴とする半導体封止装
置。
2. An epoxy resin, (B) a novolak-type phenol resin, (C) tetramethylthiuram disulfide and (D) an inorganic filler are essential components. Pd or Pd-Au is prepared by a cured product of the encapsulating resin composition containing 0.001 to 0.1% by weight of tetramethylthiuram disulfide and 25 to 95% by weight of the inorganic filler (D). A semiconductor encapsulation device characterized by encapsulating a semiconductor chip mounted on a frame that has been subjected to sealing.
JP31140997A 1997-10-27 1997-10-27 Resin composition for sealing and sealed semiconductor device Pending JPH11130943A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31140997A JPH11130943A (en) 1997-10-27 1997-10-27 Resin composition for sealing and sealed semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31140997A JPH11130943A (en) 1997-10-27 1997-10-27 Resin composition for sealing and sealed semiconductor device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11130943A true JPH11130943A (en) 1999-05-18

Family

ID=18016863

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31140997A Pending JPH11130943A (en) 1997-10-27 1997-10-27 Resin composition for sealing and sealed semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11130943A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002275246A (en) * 2001-03-21 2002-09-25 Toray Ind Inc Epoxy resin composition and semiconductor device
JP2010083956A (en) * 2008-09-30 2010-04-15 Kyocera Chemical Corp Sealing resin composition and apparatus for encapsulating semiconductor

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002275246A (en) * 2001-03-21 2002-09-25 Toray Ind Inc Epoxy resin composition and semiconductor device
JP2010083956A (en) * 2008-09-30 2010-04-15 Kyocera Chemical Corp Sealing resin composition and apparatus for encapsulating semiconductor

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2000136290A (en) Resin composition for sealing and semiconductor-sealed device
JP3819220B2 (en) Resin composition for sealing and semiconductor sealing device
JP3440449B2 (en) Sealing resin composition and semiconductor sealing device
JPH11286594A (en) Resin composition for sealing and semiconductor-sealed device
JP2001114984A (en) Sealing resin composition and semiconductor device sealed therewith
JPH11130943A (en) Resin composition for sealing and sealed semiconductor device
JP3115693B2 (en) Epoxy resin composition and semiconductor encapsulation device
JPH1112446A (en) Sealing resin composition and semiconductor device sealed therewith
JP3649887B2 (en) Resin composition for sealing and semiconductor sealing device
JP2000136291A (en) Resin composition for sealing and semiconductor-sealed device
JP3298084B2 (en) Sealing resin composition and semiconductor sealing device
JP3751171B2 (en) Resin composition for sealing and semiconductor sealing device
JP2004244556A (en) Resin composition for encapsulation and encapsulated semiconductor device
JPH11166103A (en) Resin composition for packing and semiconductor packing device
JP3649893B2 (en) Resin composition for sealing and semiconductor sealing device
JPH11181240A (en) Resin composition for sealing and semiconductor sealer
JPH1112437A (en) Sealing resin composition and sealed semiconductor device
JP2000103940A (en) Epoxy resin composition and semiconductor sealing device
JPH11209575A (en) Sealing resin composition and semiconductor sealing device
JPH11130942A (en) Resin composition for sealing and sealed semiconductor device
JPH1180513A (en) Resin composition for sealing, and semiconductor sealed device
JPH1112441A (en) Sealing resin composition and sealed semiconductor device
JPH11228789A (en) Sealing resin composition and semiconductor sealing device
JPH11228791A (en) Sealing resin composition and semiconductor sealing device
JPH11209573A (en) Sealing resin composition and semiconductor sealing device