JPH11126838A - 電子装置 - Google Patents
電子装置Info
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- JPH11126838A JPH11126838A JP9292770A JP29277097A JPH11126838A JP H11126838 A JPH11126838 A JP H11126838A JP 9292770 A JP9292770 A JP 9292770A JP 29277097 A JP29277097 A JP 29277097A JP H11126838 A JPH11126838 A JP H11126838A
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- metallized
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
Landscapes
- Welding Or Cutting Using Electron Beams (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】電子部品を収容する容器の気密封止の信頼性が
低い。 【解決手段】上面に電子部品３が搭載される搭載部１ａ
及び該搭載部１ａを囲繞するようにして被着された枠状
のメタライズ金属層５を有する絶縁基体１と、前記絶縁
基体１の搭載部１ａに搭載された電子部品３と、前記絶
縁基体１のメタライズ金属層５に間に銀ろう７を介して
エレクトロンビーム溶接により接合され、絶縁基体１と
の間で電子部品３を気密に封止する金属製蓋体２と、か
ら成る電子装置であって、前記メタライズ金属層５はそ
の表面に厚みが８μｍ以上のニッケルメッキ層６が鍍着
されている。
低い。 【解決手段】上面に電子部品３が搭載される搭載部１ａ
及び該搭載部１ａを囲繞するようにして被着された枠状
のメタライズ金属層５を有する絶縁基体１と、前記絶縁
基体１の搭載部１ａに搭載された電子部品３と、前記絶
縁基体１のメタライズ金属層５に間に銀ろう７を介して
エレクトロンビーム溶接により接合され、絶縁基体１と
の間で電子部品３を気密に封止する金属製蓋体２と、か
ら成る電子装置であって、前記メタライズ金属層５はそ
の表面に厚みが８μｍ以上のニッケルメッキ層６が鍍着
されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミックス等の
絶縁基体と金属製蓋体とから成る容器の内部に圧電振動
子や半導体素子等の電子部品を気密に収容した電子装置
に関するものである。
絶縁基体と金属製蓋体とから成る容器の内部に圧電振動
子や半導体素子等の電子部品を気密に収容した電子装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】圧電振動子や半導体素子等の電子部品
は、この電子部品を収容するための容器内に気密に収容
されることによって製品としての電子装置となる。
は、この電子部品を収容するための容器内に気密に収容
されることによって製品としての電子装置となる。
【０００３】かかる電子装置において、最も信頼性の高
いとされるものは、酸化アルミニウム等焼結体等のセラ
ミックスから成り、上面中央部に電子部品が搭載される
搭載部及び上面外周部に前記搭載部を囲繞するように取
着された金属枠体を有する絶縁基体と、前記絶縁基体に
取着された金属枠体にシーム溶接により接合される金属
製蓋体とから成る容器内部に電子部品を気密に封止した
タイプのものであり、このタイプの電子装置の場合、絶
縁基体の搭載部に電子部品を搭載した後、絶縁基体に取
着された金属枠体に金属製蓋体を載置するとともにこの
金属製蓋体の外周縁にシーム溶接機の一対のローラー電
極を機械的に摺動させるとともにこのローラー電極間に
溶接のための大電流を流し金属枠体に金属製蓋体をシー
ム溶接することによって製作される。
いとされるものは、酸化アルミニウム等焼結体等のセラ
ミックスから成り、上面中央部に電子部品が搭載される
搭載部及び上面外周部に前記搭載部を囲繞するように取
着された金属枠体を有する絶縁基体と、前記絶縁基体に
取着された金属枠体にシーム溶接により接合される金属
製蓋体とから成る容器内部に電子部品を気密に封止した
タイプのものであり、このタイプの電子装置の場合、絶
縁基体の搭載部に電子部品を搭載した後、絶縁基体に取
着された金属枠体に金属製蓋体を載置するとともにこの
金属製蓋体の外周縁にシーム溶接機の一対のローラー電
極を機械的に摺動させるとともにこのローラー電極間に
溶接のための大電流を流し金属枠体に金属製蓋体をシー
ム溶接することによって製作される。
【０００４】なお、上述のタイプの電子装置において絶
縁基体に取着された金属枠体は、絶縁基体の上面外周部
に搭載部を囲繞するようにして枠状のメタライズ金属層
を被着させておくとともにこのメタライズ金属層にニッ
ケルメッキ層を鍍着させた後、このニッケルメッキ層が
鍍着されたメタライズ金属層に金属枠体を銀ろう等のろ
う材を介してろう付けすることによって取着されてい
る。
縁基体に取着された金属枠体は、絶縁基体の上面外周部
に搭載部を囲繞するようにして枠状のメタライズ金属層
を被着させておくとともにこのメタライズ金属層にニッ
ケルメッキ層を鍍着させた後、このニッケルメッキ層が
鍍着されたメタライズ金属層に金属枠体を銀ろう等のろ
う材を介してろう付けすることによって取着されてい
る。
【０００５】またこのタイプの電子装置においては、電
子部品が搭載される絶縁基体を構成するセラミックスが
電気絶縁性や耐熱性、耐環境性に優れる点や、絶縁基体
にろう付けされた金属枠体に金属製蓋体を溶接すること
から容器の気密信頼性が極めて高い点、また金属枠体に
金属製蓋体をシーム溶接する際、シーム溶接の熱が金属
製蓋体と金属枠体との外周部に局部的に印加され、絶縁
基体の搭載部には多く伝わらないことから内部に収容さ
れた電子部品が絶縁基体に金属製蓋体を接合する際の熱
によるダメージを受けにくい点等多くの優れた長所があ
る。
子部品が搭載される絶縁基体を構成するセラミックスが
電気絶縁性や耐熱性、耐環境性に優れる点や、絶縁基体
にろう付けされた金属枠体に金属製蓋体を溶接すること
から容器の気密信頼性が極めて高い点、また金属枠体に
金属製蓋体をシーム溶接する際、シーム溶接の熱が金属
製蓋体と金属枠体との外周部に局部的に印加され、絶縁
基体の搭載部には多く伝わらないことから内部に収容さ
れた電子部品が絶縁基体に金属製蓋体を接合する際の熱
によるダメージを受けにくい点等多くの優れた長所があ
る。
【０００６】しかしながら、このタイプの電子装置は、
絶縁基体の搭載部に電子部品を搭載した後、絶縁基体に
取着された金属枠体に金属製蓋体をシーム溶接する際、
シーム溶接装置のローラー電極を機械的に摺動させるこ
とからローラー電極の摺動速度が精々３ｍｍ／秒程度と
遅く、そのため例えば３ｍｍ角の金属製蓋体を絶縁基体
にろう付けされた金属枠体にシーム溶接するのに約４秒
程度と長時間を要するため生産性が低いという欠点があ
った。
絶縁基体の搭載部に電子部品を搭載した後、絶縁基体に
取着された金属枠体に金属製蓋体をシーム溶接する際、
シーム溶接装置のローラー電極を機械的に摺動させるこ
とからローラー電極の摺動速度が精々３ｍｍ／秒程度と
遅く、そのため例えば３ｍｍ角の金属製蓋体を絶縁基体
にろう付けされた金属枠体にシーム溶接するのに約４秒
程度と長時間を要するため生産性が低いという欠点があ
った。
【０００７】更に絶縁基体に金属製蓋体をシーム溶接す
るための下地金属として金属枠体が必要であり、その分
高価なものとなってしまうという欠点も有していた。
るための下地金属として金属枠体が必要であり、その分
高価なものとなってしまうという欠点も有していた。
【０００８】そこで、上面中央部に電子部品を搭載する
搭載部を、及び上面外周部に搭載部を囲繞する枠状で厚
みが１０〜２０μｍ程度のメタライズ金属層を有するセ
ラミックス製の絶縁基体と金属製蓋体とから成る容器を
準備するとともに、絶縁基体の搭載部に電子部品を搭載
した後、絶縁基体のメタライズ金属層に金属製蓋体を間
に銀ろうを介してエレクトロンビーム溶接することによ
り絶縁基体と金属製蓋体とから成る容器の内部に電子部
品を気密に封止した電子装置が提案されている。
搭載部を、及び上面外周部に搭載部を囲繞する枠状で厚
みが１０〜２０μｍ程度のメタライズ金属層を有するセ
ラミックス製の絶縁基体と金属製蓋体とから成る容器を
準備するとともに、絶縁基体の搭載部に電子部品を搭載
した後、絶縁基体のメタライズ金属層に金属製蓋体を間
に銀ろうを介してエレクトロンビーム溶接することによ
り絶縁基体と金属製蓋体とから成る容器の内部に電子部
品を気密に封止した電子装置が提案されている。
【０００９】この絶縁基体のメタライズ金属層に金属製
蓋体を間に銀ろうを介してエレクトロンビーム溶接によ
り接合させた容器の内部に電子部品が気密に収容された
電子装置は、絶縁基体のメタライズ金属層にニッケルメ
ッキを２〜５μｍの厚みに鍍着させておくとともにこの
ニッケルメッキが鍍着されたメタライズ金属層上に金属
製蓋体を間に銀ろう材を挟んで載置し、しかる後、エレ
クトロンビームを磁界によって枠状のメタライズ金属層
に沿って移動させながら金属製蓋体の上面に照射し、こ
の照射したエレクトロンビームのエネルギーにより、エ
レクトロンビームが照射された部分に対応する銀ろう材
を溶融させることによって金属製蓋体と絶縁基体とが接
合される。
蓋体を間に銀ろうを介してエレクトロンビーム溶接によ
り接合させた容器の内部に電子部品が気密に収容された
電子装置は、絶縁基体のメタライズ金属層にニッケルメ
ッキを２〜５μｍの厚みに鍍着させておくとともにこの
ニッケルメッキが鍍着されたメタライズ金属層上に金属
製蓋体を間に銀ろう材を挟んで載置し、しかる後、エレ
クトロンビームを磁界によって枠状のメタライズ金属層
に沿って移動させながら金属製蓋体の上面に照射し、こ
の照射したエレクトロンビームのエネルギーにより、エ
レクトロンビームが照射された部分に対応する銀ろう材
を溶融させることによって金属製蓋体と絶縁基体とが接
合される。
【００１０】またこの絶縁基体のメタライズ金属層に金
属製蓋体を間に銀ろうを介してエレクトロンビーム溶接
により接合した容器内部に電子部品を気密に収容した電
子装置によれば、エレクトロンビームは磁界によって移
動させながら照射されることから約１５ｍｍ／秒以上の
高速で移動させることができ、例えば３ｍｍ角の金属製
蓋体を０．８秒以下の極めて短時間のうちに絶縁基体の
メタライズ金属層に溶接することができ、このため生産
性に極めて優れる。
属製蓋体を間に銀ろうを介してエレクトロンビーム溶接
により接合した容器内部に電子部品を気密に収容した電
子装置によれば、エレクトロンビームは磁界によって移
動させながら照射されることから約１５ｍｍ／秒以上の
高速で移動させることができ、例えば３ｍｍ角の金属製
蓋体を０．８秒以下の極めて短時間のうちに絶縁基体の
メタライズ金属層に溶接することができ、このため生産
性に極めて優れる。
【００１１】更に溶接のための下地金属として金属枠体
を必要としないことから、その分安価である。
を必要としないことから、その分安価である。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この絶
縁基体のメタライズ金属層に金属製蓋体を間に銀ろうを
介してエレクトロンビーム溶接により接合した容器内部
に電子部品を気密に収容した電子装置によれば、金属製
蓋体を絶縁基体のメタライズ金属層に間に銀ろうを介し
てエレクトロンビーム溶接する際、絶縁基体のエレクト
ロンビームが照射された部分に対応する部位が極めて短
時間のうちに局部的に高温となる熱衝撃を受け、このた
め絶縁基体のエレクトロンビームが照射された部分に対
応する部位にクラックが入ることがあり、絶縁基体のエ
レクトロンビームが照射された部分に対応する部位にク
ラックが入るとこれが外部環境の温度変化を長期間にわ
たって繰り返し受けることにより絶縁基体外部まで進行
し、その結果、容器の気密性が破れて内部に収容する電
子部品を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させるこ
とができなくなってしまうという欠点がを有していた。
縁基体のメタライズ金属層に金属製蓋体を間に銀ろうを
介してエレクトロンビーム溶接により接合した容器内部
に電子部品を気密に収容した電子装置によれば、金属製
蓋体を絶縁基体のメタライズ金属層に間に銀ろうを介し
てエレクトロンビーム溶接する際、絶縁基体のエレクト
ロンビームが照射された部分に対応する部位が極めて短
時間のうちに局部的に高温となる熱衝撃を受け、このた
め絶縁基体のエレクトロンビームが照射された部分に対
応する部位にクラックが入ることがあり、絶縁基体のエ
レクトロンビームが照射された部分に対応する部位にク
ラックが入るとこれが外部環境の温度変化を長期間にわ
たって繰り返し受けることにより絶縁基体外部まで進行
し、その結果、容器の気密性が破れて内部に収容する電
子部品を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させるこ
とができなくなってしまうという欠点がを有していた。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の電子装置は、上
面に電子部品が搭載される搭載部及び該搭載部を囲繞す
るようにして被着された枠状のメタライズ金属層を有す
る絶縁基体と、前記絶縁基体の搭載部に搭載された電子
部品と、前記絶縁基体のメタライズ金属層に間に銀ろう
を介してエレクトロンビーム溶接により接合され、絶縁
基体との間で電子部品を気密に封止する金属製蓋体と、
から成る電子装置であって、前記メタライズ金属層はそ
の表面に厚みが８μｍ以上のメッキ層が挿着されている
ことを特徴とするものである。
面に電子部品が搭載される搭載部及び該搭載部を囲繞す
るようにして被着された枠状のメタライズ金属層を有す
る絶縁基体と、前記絶縁基体の搭載部に搭載された電子
部品と、前記絶縁基体のメタライズ金属層に間に銀ろう
を介してエレクトロンビーム溶接により接合され、絶縁
基体との間で電子部品を気密に封止する金属製蓋体と、
から成る電子装置であって、前記メタライズ金属層はそ
の表面に厚みが８μｍ以上のメッキ層が挿着されている
ことを特徴とするものである。
【００１４】本発明の電子装置によれば、金属製蓋体が
間に銀ろうを介してエレクトロンビーム溶接されるメタ
ライズ金属層の表面に厚みが８μｍ以上のニッケルメッ
キ層を鍍着したことから、金属製蓋体を絶縁基体のメタ
ライズ金属層に間に銀ろうを介してエレクトロンビーム
溶接する際、エレクトロンビームにより絶縁基体に印加
される熱衝撃が前記厚みが８μｍ以上のニッケルメッキ
層により有効に吸収緩和され、その結果、エレクトロン
ビームの熱衝撃により絶縁基体にクラックが発生するこ
とが防止される。
間に銀ろうを介してエレクトロンビーム溶接されるメタ
ライズ金属層の表面に厚みが８μｍ以上のニッケルメッ
キ層を鍍着したことから、金属製蓋体を絶縁基体のメタ
ライズ金属層に間に銀ろうを介してエレクトロンビーム
溶接する際、エレクトロンビームにより絶縁基体に印加
される熱衝撃が前記厚みが８μｍ以上のニッケルメッキ
層により有効に吸収緩和され、その結果、エレクトロン
ビームの熱衝撃により絶縁基体にクラックが発生するこ
とが防止される。
【００１５】
【発明の実施の形態】次に、本発明の電子装置を添付図
面に基づき説明する。図１は、本発明をセラミックスか
ら成る絶縁基体と金属製蓋体とから成る容器内部に電子
部品として圧電振動子を気密に収容した電子装置に適用
した場合の一実施例であり、１は絶縁基体、２は金属製
蓋体、３は圧電振動子である。
面に基づき説明する。図１は、本発明をセラミックスか
ら成る絶縁基体と金属製蓋体とから成る容器内部に電子
部品として圧電振動子を気密に収容した電子装置に適用
した場合の一実施例であり、１は絶縁基体、２は金属製
蓋体、３は圧電振動子である。
【００１６】前記絶縁基体１は、酸化アルミニウム質焼
結体やムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、
炭化珪素質焼結体、ガラスセラミックス焼結体等のセラ
ミックスから成り、その上面中央部に凹部が形成された
略直方体形状であり、凹部内に圧電振動子３が搭載され
る搭載部１ａを有しており、該搭載部１ａには、圧電振
動子３が搭載されている。
結体やムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、
炭化珪素質焼結体、ガラスセラミックス焼結体等のセラ
ミックスから成り、その上面中央部に凹部が形成された
略直方体形状であり、凹部内に圧電振動子３が搭載され
る搭載部１ａを有しており、該搭載部１ａには、圧電振
動子３が搭載されている。
【００１７】前記絶縁基体１は、例えば酸化アルミニウ
ム質焼結体から成る場合、酸化アルミニウム、酸化珪
素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム等の原料粉末に
適当な有機バインダー、溶剤を添加混合して泥漿状とな
すとともにこれを従来周知のドクターブレード法やカレ
ンダーロール法を採用することによってセラミックグリ
ーンシートとなし、しかる後、このセラミックグリーン
シートに適当な打ち抜き加工を施すとともに複数枚積層
し、高温で焼成することによって製作される。
ム質焼結体から成る場合、酸化アルミニウム、酸化珪
素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム等の原料粉末に
適当な有機バインダー、溶剤を添加混合して泥漿状とな
すとともにこれを従来周知のドクターブレード法やカレ
ンダーロール法を採用することによってセラミックグリ
ーンシートとなし、しかる後、このセラミックグリーン
シートに適当な打ち抜き加工を施すとともに複数枚積層
し、高温で焼成することによって製作される。
【００１８】また前記絶縁基体１には、搭載部１ａ上面
から絶縁基体１の下面にかけて導出するメタライズ配線
層４が被着形成されており、該メタライズ配線層４の搭
載部１ａ上面部位には圧電振動子３の電極が導電性接着
剤を介して電気的に接続され、またメタライズ配線層４
の絶縁基体１の下面に導出した部位は外部電気回路基板
（不図示）の配線導体に半田等を介して電気的に接続さ
れる。
から絶縁基体１の下面にかけて導出するメタライズ配線
層４が被着形成されており、該メタライズ配線層４の搭
載部１ａ上面部位には圧電振動子３の電極が導電性接着
剤を介して電気的に接続され、またメタライズ配線層４
の絶縁基体１の下面に導出した部位は外部電気回路基板
（不図示）の配線導体に半田等を介して電気的に接続さ
れる。
【００１９】前記絶縁基体１に設けたメタライズ配線層
４は、タングステン、モリブデン、マンガン等の金属粉
末から成り、圧電振動子３の電極を所定の外部電気回路
に電気的に接続する作用をなす。
４は、タングステン、モリブデン、マンガン等の金属粉
末から成り、圧電振動子３の電極を所定の外部電気回路
に電気的に接続する作用をなす。
【００２０】前記メタライズ配線層４は、例えば、タン
グステン等の金属粉末に適当な有機バインダー、溶剤を
添加混合して得た金属ペーストを絶縁基体１となるセラ
ミックグリーンシートに従来周知のスクリーン印刷法に
より予め所定パターンに印刷塗布しておくことによって
搭載部１ａ上面から絶縁基体１の下面にかけて所定パタ
ーンに被着導出される。
グステン等の金属粉末に適当な有機バインダー、溶剤を
添加混合して得た金属ペーストを絶縁基体１となるセラ
ミックグリーンシートに従来周知のスクリーン印刷法に
より予め所定パターンに印刷塗布しておくことによって
搭載部１ａ上面から絶縁基体１の下面にかけて所定パタ
ーンに被着導出される。
【００２１】なお、前記メタライズ配線層４は、その露
出する表面にニッケル、金等の耐食性に優れ、且つ半田
との濡れ性に優れる金属をメッキ法により１．０〜２
０．０μｍの厚みに被着させておくとメタライズ配線層
４の酸化腐食を有効に防止することができるとともにメ
タライズ配線層４と外部電気回路基板の配線導体との接
続を強固なものとなすことができる。従って、前記メタ
ライズ配線層４の表面にはニッケル、金等の耐食性に優
れ、且つ半田との濡れ性に優れる金属をメッキ法により
１．０乃至２０．０μｍの厚みに被着させておくことが
好ましい。
出する表面にニッケル、金等の耐食性に優れ、且つ半田
との濡れ性に優れる金属をメッキ法により１．０〜２
０．０μｍの厚みに被着させておくとメタライズ配線層
４の酸化腐食を有効に防止することができるとともにメ
タライズ配線層４と外部電気回路基板の配線導体との接
続を強固なものとなすことができる。従って、前記メタ
ライズ配線層４の表面にはニッケル、金等の耐食性に優
れ、且つ半田との濡れ性に優れる金属をメッキ法により
１．０乃至２０．０μｍの厚みに被着させておくことが
好ましい。
【００２２】また前記絶縁基体１の上面外周部には搭載
部１ａを囲繞するようにして枠状のメタライズ金属層５
が被着形成されており、該メタライズ金属層５にはその
表面に厚みが８μｍ以上のニッケルメッキ層６が鍍着さ
れているとともに金属製蓋体２が間に銀ろう７を介して
エレクトロンビーム溶接されている。
部１ａを囲繞するようにして枠状のメタライズ金属層５
が被着形成されており、該メタライズ金属層５にはその
表面に厚みが８μｍ以上のニッケルメッキ層６が鍍着さ
れているとともに金属製蓋体２が間に銀ろう７を介して
エレクトロンビーム溶接されている。
【００２３】前記絶縁基体１の上面に被着形成されたメ
タライズ金属層５は、タングステン、モリブデン、マン
ガン等の金属粉末から成り、該メタライズ金属層５は金
属製蓋体２を絶縁基体１にエレクトロンビーム溶接させ
るための下地金属として作用する。
タライズ金属層５は、タングステン、モリブデン、マン
ガン等の金属粉末から成り、該メタライズ金属層５は金
属製蓋体２を絶縁基体１にエレクトロンビーム溶接させ
るための下地金属として作用する。
【００２４】前記メタライズ金属層５は、タングステン
等の金属粉末に適当な有機バインダー、溶剤を添加混合
して得た金属ペーストを絶縁基体１となるセラミックグ
リーンシート上に従来周知のスクリーン印刷法を採用し
て予め所定厚み、所定パターンに印刷塗布しておくこと
によって絶縁基体１の上面に搭載部１ａを囲繞するよう
にして枠状に被着形成される。
等の金属粉末に適当な有機バインダー、溶剤を添加混合
して得た金属ペーストを絶縁基体１となるセラミックグ
リーンシート上に従来周知のスクリーン印刷法を採用し
て予め所定厚み、所定パターンに印刷塗布しておくこと
によって絶縁基体１の上面に搭載部１ａを囲繞するよう
にして枠状に被着形成される。
【００２５】前記メタライズ金属層５に鍍着されたニッ
ケルメッキ層６は、メタライズ金属層５に金属製蓋体２
を間に銀ロウ６を介してエレクトロンビーム溶接する
際、銀ろう６とメタライズ金属層５との接合を強固なも
のとするとともにエレクトロンビームにより絶縁基体１
に印加される熱衝撃を吸収緩和する作用を為し、その厚
みが８μｍ以上と厚いことから、該ニッケルメッキ層が
鍍着されたメタライズ金属層５に金属製蓋体２を間に銀
ろう６を介してエレクトロンビーム溶接により接合する
際、エレクトロンビームにより絶縁基体１に印加される
熱衝撃がこの厚みが８μｍ以上と厚いニッケル層によっ
て有効に吸収緩和され、これにより絶縁基体にクラック
が発生することを有効に防止することができ、その結
果、絶縁基体１と金属製蓋体２とから成る容器の気密を
完全として内部に収容する電子部品３を長期間にわたり
正常、且つ安定に作動させることが可能となる。
ケルメッキ層６は、メタライズ金属層５に金属製蓋体２
を間に銀ロウ６を介してエレクトロンビーム溶接する
際、銀ろう６とメタライズ金属層５との接合を強固なも
のとするとともにエレクトロンビームにより絶縁基体１
に印加される熱衝撃を吸収緩和する作用を為し、その厚
みが８μｍ以上と厚いことから、該ニッケルメッキ層が
鍍着されたメタライズ金属層５に金属製蓋体２を間に銀
ろう６を介してエレクトロンビーム溶接により接合する
際、エレクトロンビームにより絶縁基体１に印加される
熱衝撃がこの厚みが８μｍ以上と厚いニッケル層によっ
て有効に吸収緩和され、これにより絶縁基体にクラック
が発生することを有効に防止することができ、その結
果、絶縁基体１と金属製蓋体２とから成る容器の気密を
完全として内部に収容する電子部品３を長期間にわたり
正常、且つ安定に作動させることが可能となる。
【００２６】なお、前記メタライズ金属層５に鍍着され
るニッケルメッキ層は、その厚みが８μｍ未満である
と、該ニッケルメッキ層が鍍着されたメタライズ金属層
５に金属製蓋体２を間に銀ろうを介してエレクトロンビ
ーム溶接により接合する際、エレクトロンビームによる
熱衝撃をニッケルメッキ層で十分に吸収緩和することが
困難となり、絶縁基体１にクラックが発生し易いものと
なる。従って、前記メタライズ金属層５に鍍着されたニ
ッケルメッキ層は、その厚みが８μｍ以上に特定され
る。
るニッケルメッキ層は、その厚みが８μｍ未満である
と、該ニッケルメッキ層が鍍着されたメタライズ金属層
５に金属製蓋体２を間に銀ろうを介してエレクトロンビ
ーム溶接により接合する際、エレクトロンビームによる
熱衝撃をニッケルメッキ層で十分に吸収緩和することが
困難となり、絶縁基体１にクラックが発生し易いものと
なる。従って、前記メタライズ金属層５に鍍着されたニ
ッケルメッキ層は、その厚みが８μｍ以上に特定され
る。
【００２７】また前記厚みが８μｍ以上のニッケルメッ
キ層６が鍍着されたメタライズ金属層５に間に銀ろう７
を介してエレクトロンビーム溶接された金属製蓋体２
は、鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属から成る平板
であり、鉄−ニッケル−コバルト合金の板材に適当な打
ち抜き加工を施すことによって所定の形状に製作され
る。
キ層６が鍍着されたメタライズ金属層５に間に銀ろう７
を介してエレクトロンビーム溶接された金属製蓋体２
は、鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属から成る平板
であり、鉄−ニッケル−コバルト合金の板材に適当な打
ち抜き加工を施すことによって所定の形状に製作され
る。
【００２８】前記金属製蓋体２を絶縁基体１の厚みが８
μｍ以上のニッケルメッキ層が鍍着されたメタライズ金
属層５に間に銀ろう６を介してエレクトロンビーム溶接
により接合させるには、金属製蓋体２の下面に銀ろう６
を予めクラッドさせておくとともに該下面に銀ろう６が
クラッドされた金属製蓋体２を絶縁基体１の厚みが８μ
ｍ以上のニッケルメッキ層が鍍着されたメタライズ金属
層５上に載置し、次に金属製蓋体２の上面にエレクトロ
ンビームをメタライズ金属層５に沿って移動させながら
照射し、この照射されたエレクトロンビームのエネルギ
ーによりエレクトロンビームが照射された部分に対応す
る銀ろう６を加熱溶融させることによって金属製蓋体２
を厚みが８μｍ以上のニッケルメッキ層が鍍着されたメ
タライズ金属層５に接合させる方法が採用される。
μｍ以上のニッケルメッキ層が鍍着されたメタライズ金
属層５に間に銀ろう６を介してエレクトロンビーム溶接
により接合させるには、金属製蓋体２の下面に銀ろう６
を予めクラッドさせておくとともに該下面に銀ろう６が
クラッドされた金属製蓋体２を絶縁基体１の厚みが８μ
ｍ以上のニッケルメッキ層が鍍着されたメタライズ金属
層５上に載置し、次に金属製蓋体２の上面にエレクトロ
ンビームをメタライズ金属層５に沿って移動させながら
照射し、この照射されたエレクトロンビームのエネルギ
ーによりエレクトロンビームが照射された部分に対応す
る銀ろう６を加熱溶融させることによって金属製蓋体２
を厚みが８μｍ以上のニッケルメッキ層が鍍着されたメ
タライズ金属層５に接合させる方法が採用される。
【００２９】かくして本発明の電子装置によれば、セラ
ミックスから成る絶縁基体と金属製蓋体とから成る容器
内部に電子部品が気密信頼性高く収容された電子装置が
得られる。
ミックスから成る絶縁基体と金属製蓋体とから成る容器
内部に電子部品が気密信頼性高く収容された電子装置が
得られる。
【００３０】なお、本発明は、上述の実施例に限定され
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれ
ば種々の変更は可能であり、例えば上述の実施例では、
セラミックスから成る絶縁基体と金属製蓋体とから成る
容器内部には圧電振動子を収容したが、容器内部に収容
される電子部品は、圧電振動子に限らず、半導体素子や
その他の電子部品であってもよい。
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれ
ば種々の変更は可能であり、例えば上述の実施例では、
セラミックスから成る絶縁基体と金属製蓋体とから成る
容器内部には圧電振動子を収容したが、容器内部に収容
される電子部品は、圧電振動子に限らず、半導体素子や
その他の電子部品であってもよい。
【００３１】次に、本発明の作用効果を実験例に基づき
説明する。
説明する。
【００３２】
【実験例】長さが３ｍｍで幅が２ｍｍ、厚みが０．５ｍ
ｍのアルミナ質焼結体から成る絶縁基体の上面外周部に
外周が絶縁基体外周と一致する幅０．４ｍｍの枠状のタ
ングステンメタライズ金属層を厚さが１０μｍに被着形
成するとともに該メタライズ金属層に表１に示す厚みの
ニッケルメッキ層を電解メッキにより被着させたサンプ
ルを２５個づつ用意する。
ｍのアルミナ質焼結体から成る絶縁基体の上面外周部に
外周が絶縁基体外周と一致する幅０．４ｍｍの枠状のタ
ングステンメタライズ金属層を厚さが１０μｍに被着形
成するとともに該メタライズ金属層に表１に示す厚みの
ニッケルメッキ層を電解メッキにより被着させたサンプ
ルを２５個づつ用意する。
【００３３】次に真空中においてこれらのサンプル上に
下面に厚みが１０μｍの銀ろうがクラッドされた長さ３
ｍｍ、幅２ｍｍ、厚みが０．１ｍｍの鉄−ニッケル−コ
バルト合金から成る金属製蓋体を載置させるとともにこ
の金属製蓋体の上面に４ミリアンペア、１２０ワットの
出力で直径０．２ｍｍのエレクトロンビームを１５ｍｍ
／秒の速度でメタライズ金属層に沿って移動させながら
３周照射し、金属製蓋体をメタライズ金属層に銀ろうを
介してエレクトロンビーム溶接する。
下面に厚みが１０μｍの銀ろうがクラッドされた長さ３
ｍｍ、幅２ｍｍ、厚みが０．１ｍｍの鉄−ニッケル−コ
バルト合金から成る金属製蓋体を載置させるとともにこ
の金属製蓋体の上面に４ミリアンペア、１２０ワットの
出力で直径０．２ｍｍのエレクトロンビームを１５ｍｍ
／秒の速度でメタライズ金属層に沿って移動させながら
３周照射し、金属製蓋体をメタライズ金属層に銀ろうを
介してエレクトロンビーム溶接する。
【００３４】その後、このサンプルに接合された金属製
蓋体を硝酸で溶解除去し、絶縁基体におけるクラックの
有無を目視により調べる。その結果を表１に示す。
蓋体を硝酸で溶解除去し、絶縁基体におけるクラックの
有無を目視により調べる。その結果を表１に示す。
【００３５】
【表１】
【００３６】表１に示すように、メタライズ金属層に鍍
着されたニッケルメッキ層の厚みが薄い場合には絶縁基
体に多量のクラックが発生するのに対し、ニッケルメッ
キ層の厚みを８μｍ以上とすると絶縁基体にクラックが
発生するのがなくなる。
着されたニッケルメッキ層の厚みが薄い場合には絶縁基
体に多量のクラックが発生するのに対し、ニッケルメッ
キ層の厚みを８μｍ以上とすると絶縁基体にクラックが
発生するのがなくなる。
【００３７】
【発明の効果】本発明の電子装置によれば、金属製蓋体
が間に銀ろうを介してエレクトロンビーム溶接される絶
縁基体のメタライズ金属層の表面に厚みが８μｍ以上の
ニッケルメッキ層を鍍着したことから、この厚みが８μ
ｍ以上のニッケルメッキ層がメタライズ金属層に金属製
蓋体を間に銀ろうを介してエレクトロンビーム溶接した
際、エレクトロンビームにより絶縁基体に印加される熱
衝撃が前記厚みが８μｍ以上のニッケルメッキ層により
有効に吸収緩和され、その結果、絶縁基体にクラックが
発生することはなく、絶縁基体と金属製蓋体とから成る
容器内部に気密に収容された電子部品を長期間にわたり
正常、且つ安定に作動させることができる。
が間に銀ろうを介してエレクトロンビーム溶接される絶
縁基体のメタライズ金属層の表面に厚みが８μｍ以上の
ニッケルメッキ層を鍍着したことから、この厚みが８μ
ｍ以上のニッケルメッキ層がメタライズ金属層に金属製
蓋体を間に銀ろうを介してエレクトロンビーム溶接した
際、エレクトロンビームにより絶縁基体に印加される熱
衝撃が前記厚みが８μｍ以上のニッケルメッキ層により
有効に吸収緩和され、その結果、絶縁基体にクラックが
発生することはなく、絶縁基体と金属製蓋体とから成る
容器内部に気密に収容された電子部品を長期間にわたり
正常、且つ安定に作動させることができる。
【図１】本発明の電子装置の一実施例を示す断面図であ
る。
る。
１・・・・・絶縁基体 ２・・・・・金属製蓋体 ３・・・・・電子部品 ５・・・・・メタライズ金属層 ６・・・・・ニッケルメッキ層 ７・・・・・銀ろう
Claims (1)
- 【請求項１】上面に電子部品が搭載される搭載部及び該
搭載部を囲繞するようにして被着された枠状のメタライ
ズ金属層を有する絶縁基体と、前記絶縁基体の搭載部に
搭載された電子部品と、前記絶縁基体のメタライズ金属
層に間に銀ろうを介してエレクトロンビーム溶接により
接合され、絶縁基体との間で電子部品を気密に封止する
金属製蓋体と、から成る電子装置であって、前記メタラ
イズ金属層はその表面に厚さが８μｍ以上のニッケルメ
ッキ層が鍍着されていることを特徴とする電子装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29277097A JP3199673B2 (ja) | 1997-10-24 | 1997-10-24 | 電子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29277097A JP3199673B2 (ja) | 1997-10-24 | 1997-10-24 | 電子装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11126838A true JPH11126838A (ja) | 1999-05-11 |
| JP3199673B2 JP3199673B2 (ja) | 2001-08-20 |
Family
ID=17786122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29277097A Expired - Fee Related JP3199673B2 (ja) | 1997-10-24 | 1997-10-24 | 電子装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3199673B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7671434B2 (en) | 2006-05-31 | 2010-03-02 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Electronic component, laser device, optical writing device and image forming apparatus |
| KR100996316B1 (ko) | 2003-11-20 | 2010-11-23 | 삼성전자주식회사 | 패키지를 허메틱 실링하기 위한 금속 패턴 형성방법 |
-
1997
- 1997-10-24 JP JP29277097A patent/JP3199673B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100996316B1 (ko) | 2003-11-20 | 2010-11-23 | 삼성전자주식회사 | 패키지를 허메틱 실링하기 위한 금속 패턴 형성방법 |
| US7671434B2 (en) | 2006-05-31 | 2010-03-02 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Electronic component, laser device, optical writing device and image forming apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3199673B2 (ja) | 2001-08-20 |
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