JPH11123872A - 相変化型光記録媒体 - Google Patents
相変化型光記録媒体Info
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- JPH11123872A JPH11123872A JP9290998A JP29099897A JPH11123872A JP H11123872 A JPH11123872 A JP H11123872A JP 9290998 A JP9290998 A JP 9290998A JP 29099897 A JP29099897 A JP 29099897A JP H11123872 A JPH11123872 A JP H11123872A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】短波長対応の相変化型光記録媒体において、再
生信号の品質が高いものを提供する。 【解決手段】記録層３を、Ｓｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金と、酸
化物（ＴｅＯ2 およびＧｅＯ2 およびＳｂ2 Ｏ3 の少な
くともいずれか一つからなる）との混合物で構成する。
生信号の品質が高いものを提供する。 【解決手段】記録層３を、Ｓｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金と、酸
化物（ＴｅＯ2 およびＧｅＯ2 およびＳｂ2 Ｏ3 の少な
くともいずれか一つからなる）との混合物で構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光照射により少な
くとも情報の記録および再生を行う相変化型光記録媒体
に関し、特に、照射光の波長が６００ｎｍ以下である短
波長対応の相変化型光記録媒体に関するものである。
くとも情報の記録および再生を行う相変化型光記録媒体
に関し、特に、照射光の波長が６００ｎｍ以下である短
波長対応の相変化型光記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、光記録媒体は、高度情報化社会に
おける記録媒体の中心的役割を担うものとして注目さ
れ、積極的に研究が進められている。特に、円板状の基
板を用いる光ディスクは、今後のマルチメディアの普及
に伴い、最も有力な記録媒体として特に注目されてい
る。
おける記録媒体の中心的役割を担うものとして注目さ
れ、積極的に研究が進められている。特に、円板状の基
板を用いる光ディスクは、今後のマルチメディアの普及
に伴い、最も有力な記録媒体として特に注目されてい
る。
【０００３】このような光ディスクには、コンパクトデ
ィスクやレーザディスクに代表される再生専用型、ユー
ザーによる情報の書き込みが可能な追記型、情報の書き
換えが可能な書換可能型の三種類がある。このうち、追
記型および書換可能型の光ディスクとしては、光照射に
より結晶−非晶質間の相変化が生じる材料で記録層を形
成した相変化型光ディスクが現在特に注目されている。
ィスクやレーザディスクに代表される再生専用型、ユー
ザーによる情報の書き込みが可能な追記型、情報の書き
換えが可能な書換可能型の三種類がある。このうち、追
記型および書換可能型の光ディスクとしては、光照射に
より結晶−非晶質間の相変化が生じる材料で記録層を形
成した相変化型光ディスクが現在特に注目されている。
【０００４】相変化型光ディスクにおける記録は、結晶
状態の記録層上に強いレーザ光を照射して記録層を一旦
溶融してから急冷することにより非晶質状態の記録マー
クを形成するか、逆に、非晶質の記録層上に比較的弱い
レーザ光を照射して記録層を結晶化温度以上に昇温した
後に徐冷して結晶状態の記録マークを形成することによ
り行う。
状態の記録層上に強いレーザ光を照射して記録層を一旦
溶融してから急冷することにより非晶質状態の記録マー
クを形成するか、逆に、非晶質の記録層上に比較的弱い
レーザ光を照射して記録層を結晶化温度以上に昇温した
後に徐冷して結晶状態の記録マークを形成することによ
り行う。
【０００５】そして、記録層の光学特性が結晶状態と非
晶質状態とで異なることを利用して再生を行う。例え
ば、記録層が結晶化温度以上に昇温されない程度のかな
り弱いレーザ光を照射して、面内の反射率の変化を測定
すれば、記録マークが形成されている部分と形成されて
いない部分とで反射率が異なるため、再生信号を反射率
の変化として得ることができる。
晶質状態とで異なることを利用して再生を行う。例え
ば、記録層が結晶化温度以上に昇温されない程度のかな
り弱いレーザ光を照射して、面内の反射率の変化を測定
すれば、記録マークが形成されている部分と形成されて
いない部分とで反射率が異なるため、再生信号を反射率
の変化として得ることができる。
【０００６】相変化型光ディスクの記録層材料として
は、従来より、Ｓｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金やＴｅＯｘなどが
用いられてきた。特に、Ｓｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金は、Ｓ
ｂ，Ｔｅ，Ｇｅの組成比を適当に選ぶことにより、記録
特性や非晶質状態の安定性等の光ディスクの記録層とし
て求められる特性を満足できるため、これまでに広く用
いられてきた。
は、従来より、Ｓｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金やＴｅＯｘなどが
用いられてきた。特に、Ｓｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金は、Ｓ
ｂ，Ｔｅ，Ｇｅの組成比を適当に選ぶことにより、記録
特性や非晶質状態の安定性等の光ディスクの記録層とし
て求められる特性を満足できるため、これまでに広く用
いられてきた。
【０００７】一方、近年になって、相変化型光ディスク
を大容量化する目的で記録密度を高くする要求がある。
そして、記録密度を高くするためには、レーザ光のスポ
ット径を小さくすることが有効な手段であり、そのため
には、使用するレーザ光の波長を短くすることが効果的
である。相変化型光ディスクの記録・再生に現在使用さ
れているレーザ光の波長は７８０〜８３０ｎｍである
が、例えば波長が４００ｎｍのレーザ光を使用すること
によって、記録密度を４倍程度に高くすることができ
る。
を大容量化する目的で記録密度を高くする要求がある。
そして、記録密度を高くするためには、レーザ光のスポ
ット径を小さくすることが有効な手段であり、そのため
には、使用するレーザ光の波長を短くすることが効果的
である。相変化型光ディスクの記録・再生に現在使用さ
れているレーザ光の波長は７８０〜８３０ｎｍである
が、例えば波長が４００ｎｍのレーザ光を使用すること
によって、記録密度を４倍程度に高くすることができ
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来よ
り相変化型光ディスクの記録層材料として用いられてき
たＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金は、照射するレーザ光の波長が
短くなるにつれて結晶状態と非晶質状態での光学特性の
差が小さくなり、再生信号の品質が低下するという問題
点がある。
り相変化型光ディスクの記録層材料として用いられてき
たＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金は、照射するレーザ光の波長が
短くなるにつれて結晶状態と非晶質状態での光学特性の
差が小さくなり、再生信号の品質が低下するという問題
点がある。
【０００９】本発明はこのような従来技術の問題点に着
目してなされたものであり、情報の記録および再生に使
用するレーザ光の波長が６００ｎｍ以下と短い相変化型
光記録媒体であって、再生信号の品質が高いものを提供
することを課題とする。
目してなされたものであり、情報の記録および再生に使
用するレーザ光の波長が６００ｎｍ以下と短い相変化型
光記録媒体であって、再生信号の品質が高いものを提供
することを課題とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、透明な基板の一方の面側に、光照射によ
り結晶−非晶質間の相変化が生じる記録層を含む一層以
上の薄膜層が積層され、波長が６００ｎｍ以下の光を照
射することにより、少なくとも情報の記録および再生を
行う相変化型光記録媒体において、前記記録層は、Ｓｂ
−Ｔｅ−Ｇｅ合金と、ＴｅＯ2 およびＧｅＯ2 およびＳ
ｂ2 Ｏ3 の少なくともいずれか一つからなる酸化物との
混合物で構成されていることを特徴とする相変化型光記
録媒体を提供する。
に、本発明は、透明な基板の一方の面側に、光照射によ
り結晶−非晶質間の相変化が生じる記録層を含む一層以
上の薄膜層が積層され、波長が６００ｎｍ以下の光を照
射することにより、少なくとも情報の記録および再生を
行う相変化型光記録媒体において、前記記録層は、Ｓｂ
−Ｔｅ−Ｇｅ合金と、ＴｅＯ2 およびＧｅＯ2 およびＳ
ｂ2 Ｏ3 の少なくともいずれか一つからなる酸化物との
混合物で構成されていることを特徴とする相変化型光記
録媒体を提供する。
【００１１】本発明の相変化型光記録媒体は、少なくと
も情報の記録および再生を行う相変化型光記録媒体であ
って、１回のみ記録可能な追記型、および２回以上の記
録や消去も可能な書換可能型のいずれもが含まれる。そ
して、いずれの形式であるかによって、Ｓｂ−Ｔｅ−Ｇ
ｅ合金の組成および酸化物の含有率についての適正値は
異なる。
も情報の記録および再生を行う相変化型光記録媒体であ
って、１回のみ記録可能な追記型、および２回以上の記
録や消去も可能な書換可能型のいずれもが含まれる。そ
して、いずれの形式であるかによって、Ｓｂ−Ｔｅ−Ｇ
ｅ合金の組成および酸化物の含有率についての適正値は
異なる。
【００１２】記録層がＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金のみで構成
されていると、記録および再生に使用するレーザ光の波
長が短くなるにつれて、非晶質状態の消衰定数が大きく
なって非晶質状態の反射率が高くなる。これにより、再
生信号の変調度（結晶状態の反射率に対する結晶状態と
非晶質状態での反射率の差の比）が小さくなって、信号
品質が低下する。
されていると、記録および再生に使用するレーザ光の波
長が短くなるにつれて、非晶質状態の消衰定数が大きく
なって非晶質状態の反射率が高くなる。これにより、再
生信号の変調度（結晶状態の反射率に対する結晶状態と
非晶質状態での反射率の差の比）が小さくなって、信号
品質が低下する。
【００１３】これに対して、本発明の相変化型光記録媒
体によれば、記録層がＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金と前述の酸
化物との混合物で構成されているため、記録および再生
に使用するレーザ光の波長が６００ｎｍ以下と短い場合
でも、非晶質状態の消衰定数が小さくなって非晶質状態
の反射率が低くなる。これにより、再生信号の変調度が
大きくなって、信号品質の低下が抑制される。
体によれば、記録層がＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金と前述の酸
化物との混合物で構成されているため、記録および再生
に使用するレーザ光の波長が６００ｎｍ以下と短い場合
でも、非晶質状態の消衰定数が小さくなって非晶質状態
の反射率が低くなる。これにより、再生信号の変調度が
大きくなって、信号品質の低下が抑制される。
【００１４】本発明の相変化型光記録媒体において、記
録層をなす混合物中の酸化物（ＴｅＯ2 、ＧｅＯ2 、Ｓ
ｂ2 Ｏ3 ）の含有率は、５体積％以上５０体積％以下で
あることが好ましい。
録層をなす混合物中の酸化物（ＴｅＯ2 、ＧｅＯ2 、Ｓ
ｂ2 Ｏ3 ）の含有率は、５体積％以上５０体積％以下で
あることが好ましい。
【００１５】この含有率が５体積％未満であると、短波
長レーザ照射時の非晶質状態の消衰定数を小さくする前
述の作用が実質的に得られない。５０体積％より多い
と、結晶状態と非晶質状態との光学定数の差が小さくな
って、再生信号の品質が低下する。
長レーザ照射時の非晶質状態の消衰定数を小さくする前
述の作用が実質的に得られない。５０体積％より多い
と、結晶状態と非晶質状態との光学定数の差が小さくな
って、再生信号の品質が低下する。
【００１６】本発明の相変化型光記録媒体において、記
録層は、例えばＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金からなるターゲッ
トと前述の酸化物からなるターゲットとを用い、共スパ
ッタ法により成膜できる。また、Ｓｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金
と前述の酸化物との混合物からなるターゲットを使用し
てスパッタリングにより成膜できる。また、Ｓｂ−Ｔｅ
−Ｇｅ合金からなるターゲットを用い、酸素を含有する
ガスをスパッタリングガスとしてスパッタリングする方
法によっても成膜できる。
録層は、例えばＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金からなるターゲッ
トと前述の酸化物からなるターゲットとを用い、共スパ
ッタ法により成膜できる。また、Ｓｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金
と前述の酸化物との混合物からなるターゲットを使用し
てスパッタリングにより成膜できる。また、Ｓｂ−Ｔｅ
−Ｇｅ合金からなるターゲットを用い、酸素を含有する
ガスをスパッタリングガスとしてスパッタリングする方
法によっても成膜できる。
【００１７】しかしながら、酸素を含有するガスをスパ
ッタリングガスとする方法では、記録層中の酸化物の含
有率を調整することは難しいため、酸化物のみからなる
ターゲットまたは酸化物を含むターゲットを用いる方法
を採用することが好ましい。
ッタリングガスとする方法では、記録層中の酸化物の含
有率を調整することは難しいため、酸化物のみからなる
ターゲットまたは酸化物を含むターゲットを用いる方法
を採用することが好ましい。
【００１８】本発明の相変化型光記録媒体の記録層の膜
厚としては、５０Å以上４００Å以下が望ましい。記録
層膜厚が５０Åより薄い場合には、結晶状態と非晶質状
態との反射率差が小さくなり信号品質が低下する。記録
層膜厚が４００Åより厚い場合には、記録層を溶融する
のに要するレーザパワーが大きくなり、記録感度が低下
する。
厚としては、５０Å以上４００Å以下が望ましい。記録
層膜厚が５０Åより薄い場合には、結晶状態と非晶質状
態との反射率差が小さくなり信号品質が低下する。記録
層膜厚が４００Åより厚い場合には、記録層を溶融する
のに要するレーザパワーが大きくなり、記録感度が低下
する。
【００１９】本発明の相変化型光記録媒体に用いられる
基板材料としては、ガラス、ポリプロピレン、アクリル
樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、塩化
ビニル樹脂エポキシ樹脂、ポリオレフィン樹脂等の透明
材料が挙げられる。これらの中でポリカーボネート樹脂
およびアクリル樹脂が光学的特性面で好適である。
基板材料としては、ガラス、ポリプロピレン、アクリル
樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、塩化
ビニル樹脂エポキシ樹脂、ポリオレフィン樹脂等の透明
材料が挙げられる。これらの中でポリカーボネート樹脂
およびアクリル樹脂が光学的特性面で好適である。
【００２０】本発明の相変化型光記録媒体の薄膜層構成
としては、例えば図１に示すように、記録層３の基板１
とは反対側の面に反射層５を有し、記録層３と基板１と
の間に第１の誘電体層２、記録層３と反射層５との間に
第２の誘電体層４を有する構成（４層構造）が挙げられ
る。さらには、第１の誘電体層２と基板１との間に金属
干渉層を有する５層構造等が挙げられる。
としては、例えば図１に示すように、記録層３の基板１
とは反対側の面に反射層５を有し、記録層３と基板１と
の間に第１の誘電体層２、記録層３と反射層５との間に
第２の誘電体層４を有する構成（４層構造）が挙げられ
る。さらには、第１の誘電体層２と基板１との間に金属
干渉層を有する５層構造等が挙げられる。
【００２１】誘電体層の材料としては、公知の誘電体材
料が使用可能であり、ＺｎＳ，ＳｉＯ2 ，ＳｉＮ，Ａｌ
Ｎ，Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｔａ2 Ｏ5 等の金属硫化物、金属酸化
物、金属窒化物、金属炭化物、金属セレン化物、または
これらの混合物などが挙げられる。
料が使用可能であり、ＺｎＳ，ＳｉＯ2 ，ＳｉＮ，Ａｌ
Ｎ，Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｔａ2 Ｏ5 等の金属硫化物、金属酸化
物、金属窒化物、金属炭化物、金属セレン化物、または
これらの混合物などが挙げられる。
【００２２】反射層の材料としては、公知の材料が使用
でき、Ａｌ，Ａｕ，Ｎｉ、Ｃｒ等やこれらの合金、また
はこれらの金属や合金に少量の元素を添加したものなど
が挙げられる。
でき、Ａｌ，Ａｕ，Ｎｉ、Ｃｒ等やこれらの合金、また
はこれらの金属や合金に少量の元素を添加したものなど
が挙げられる。
【００２３】
［実施例１］図１に示すように、基板１の上に、ＺｎＳ
−ＳｉＯ2 （ＳｉＯ2 含有率２０ｍｏｌ％）からなる第
１の誘電体層２、Ｓｂ22Ｔｅ59Ｇｅ19とＳｂ2 Ｏ3 との
混合物からなりＳｂ2 Ｏ3 の含有率が２０体積％である
記録層３、ＺｎＳ−ＳｉＯ2（ＳｉＯ2 含有２０ｍｏｌ
％）からなる第２の誘電体層４、Ａｌ合金からなる反射
層５をこの順に有する４層構造の相変化型光記録媒体に
ついて、照射光の波長が４００ｎｍである場合の反射率
を光学計算したところ、第１の誘電体層２の膜厚が１３
５ｎｍ、記録層３の膜厚が１８ｎｍ、第２の誘電体層の
膜厚が２０ｎｍ、反射層５の膜厚が１００ｎｍの場合
に、下記の（１）式で表される変調度Ｈは最大になり、
得られる変調度の最大値は７５．０％であることが分か
った。
−ＳｉＯ2 （ＳｉＯ2 含有率２０ｍｏｌ％）からなる第
１の誘電体層２、Ｓｂ22Ｔｅ59Ｇｅ19とＳｂ2 Ｏ3 との
混合物からなりＳｂ2 Ｏ3 の含有率が２０体積％である
記録層３、ＺｎＳ−ＳｉＯ2（ＳｉＯ2 含有２０ｍｏｌ
％）からなる第２の誘電体層４、Ａｌ合金からなる反射
層５をこの順に有する４層構造の相変化型光記録媒体に
ついて、照射光の波長が４００ｎｍである場合の反射率
を光学計算したところ、第１の誘電体層２の膜厚が１３
５ｎｍ、記録層３の膜厚が１８ｎｍ、第２の誘電体層の
膜厚が２０ｎｍ、反射層５の膜厚が１００ｎｍの場合
に、下記の（１）式で表される変調度Ｈは最大になり、
得られる変調度の最大値は７５．０％であることが分か
った。
【００２４】なお、光学計算は、各層について全て実測
した光学定数を使用して行った。また、この記録層３の
光学定数（屈折率ｎと消衰係数ｋ）の実測値は下記の表
１に示す値であった。
した光学定数を使用して行った。また、この記録層３の
光学定数（屈折率ｎと消衰係数ｋ）の実測値は下記の表
１に示す値であった。
【００２５】
【表１】
【００２６】 Ｈ（％）＝（（Ｒｃ−Ｒａ）／Ｒｃ）×１００ ‥‥（１） ただし、Ｒｃ：記録層が結晶状態の場合の反射率 Ｒａ：記録層が非晶質状態の場合の反射率 次に、ガラスピースの上に、上記構成の薄膜層を、第１
の誘電体層２の膜厚１３５ｎｍ、記録層３の膜厚１８ｎ
ｍ、第２の誘電体層の膜厚２０ｎｍ、反射層５の膜厚１
００ｎｍで、スパッタリング法により形成することによ
って、実際に相変化型光記録媒体のサンプルを作製し
た。得られたサンプルの記録層３は非晶質状態にある。
なお、記録層３の成膜は、Ｓｂ22Ｔｅ59Ｇｅ19とＳｂ2
Ｏ3 との混合物からなりＳｂ2 Ｏ3 を２０体積％含有す
るターゲットを用いて行った。
の誘電体層２の膜厚１３５ｎｍ、記録層３の膜厚１８ｎ
ｍ、第２の誘電体層の膜厚２０ｎｍ、反射層５の膜厚１
００ｎｍで、スパッタリング法により形成することによ
って、実際に相変化型光記録媒体のサンプルを作製し
た。得られたサンプルの記録層３は非晶質状態にある。
なお、記録層３の成膜は、Ｓｂ22Ｔｅ59Ｇｅ19とＳｂ2
Ｏ3 との混合物からなりＳｂ2 Ｏ3 を２０体積％含有す
るターゲットを用いて行った。
【００２７】このサンプルに、波長４００ｎｍのレーザ
光をパワーで照射して反射率（非晶質状態での反射率Ｒ
ａ）を測定したところ、４．７％であった。その後、こ
のサンプルを２５０℃に１０分間保持することにより記
録層３を結晶化させた後の反射率（結晶状態反射率Ｒ
ｃ）を同じ条件で測定したところ、１８．３％であっ
た。そして、上記（１）式により変調度を計算したとこ
ろ、変調度は７４．３％であった。 ［実施例２］記録層３の構成を、Ｓｂ22Ｔｅ59Ｇｅ19と
Ｓｂ2 Ｏ3 との混合物からなりＳｂ 2 Ｏ3 の含有率が４
０体積％であるものとした以外は、実施例１と全て同様
の相変化型光記録媒体について、照射光の波長が４００
ｎｍの場合の反射率を光学計算したところ、第１の誘電
体層２の膜厚が１３５ｎｍ、記録層３の膜厚が２０ｎ
ｍ、第２の誘電体層の膜厚が２０ｎｍ、反射層５の膜厚
が１００ｎｍの場合に、上記（１）式で表される変調度
Ｈは最大となり、得られる変調度の最大値は８５．５％
であることが分かった。
光をパワーで照射して反射率（非晶質状態での反射率Ｒ
ａ）を測定したところ、４．７％であった。その後、こ
のサンプルを２５０℃に１０分間保持することにより記
録層３を結晶化させた後の反射率（結晶状態反射率Ｒ
ｃ）を同じ条件で測定したところ、１８．３％であっ
た。そして、上記（１）式により変調度を計算したとこ
ろ、変調度は７４．３％であった。 ［実施例２］記録層３の構成を、Ｓｂ22Ｔｅ59Ｇｅ19と
Ｓｂ2 Ｏ3 との混合物からなりＳｂ 2 Ｏ3 の含有率が４
０体積％であるものとした以外は、実施例１と全て同様
の相変化型光記録媒体について、照射光の波長が４００
ｎｍの場合の反射率を光学計算したところ、第１の誘電
体層２の膜厚が１３５ｎｍ、記録層３の膜厚が２０ｎ
ｍ、第２の誘電体層の膜厚が２０ｎｍ、反射層５の膜厚
が１００ｎｍの場合に、上記（１）式で表される変調度
Ｈは最大となり、得られる変調度の最大値は８５．５％
であることが分かった。
【００２８】なお、光学計算は、各層について全て実測
した光学定数を使用して行った。また、この記録層３の
光学定数（屈折率ｎと消衰係数ｋ）の実測値は下記の表
２に示す値であった。
した光学定数を使用して行った。また、この記録層３の
光学定数（屈折率ｎと消衰係数ｋ）の実測値は下記の表
２に示す値であった。
【００２９】
【表２】
【００３０】次に、ガラスピースの上に、上記構成の薄
膜層を、第１の誘電体層２の膜厚１３５ｎｍ、記録層３
の膜厚２０ｎｍ、第２の誘電体層の膜厚２０ｎｍ、反射
層５の膜厚１００ｎｍで、スパッタリング法により形成
することによって、実際に相変化型光記録媒体のサンプ
ルを作製した。得られたサンプルの記録層３は非晶質状
態にある。なお、記録層３の成膜は、Ｓｂ22Ｔｅ59Ｇｅ
19とＳｂ2 Ｏ3 との混合物からなりＳｂ2 Ｏ3 を４０体
積％含有するターゲットを用いて行った。
膜層を、第１の誘電体層２の膜厚１３５ｎｍ、記録層３
の膜厚２０ｎｍ、第２の誘電体層の膜厚２０ｎｍ、反射
層５の膜厚１００ｎｍで、スパッタリング法により形成
することによって、実際に相変化型光記録媒体のサンプ
ルを作製した。得られたサンプルの記録層３は非晶質状
態にある。なお、記録層３の成膜は、Ｓｂ22Ｔｅ59Ｇｅ
19とＳｂ2 Ｏ3 との混合物からなりＳｂ2 Ｏ3 を４０体
積％含有するターゲットを用いて行った。
【００３１】このサンプルに、波長４００ｎｍのレーザ
光をパワーで照射して反射率（非晶質状態での反射率Ｒ
ａ）を測定したところ、２．０％であった。その後、こ
のサンプルを２５０℃に１０分間保持することにより記
録層３を結晶化させた後の反射率（結晶状態反射率Ｒ
ｃ）を同じ条件で測定したところ、１１．２％であっ
た。そして、上記（１）式により変調度を計算したとこ
ろ、変調度は８２．１％であった。 ［実施例３］記録層３の構成を、Ｓｂ22Ｔｅ59Ｇｅ19と
ＧｅＯ2 との混合物からなりＧｅＯ 2 の含有率が２０体
積％であるものとした以外は、実施例１と全て同様の相
変化型光記録媒体について、照射光の波長が４００ｎｍ
の場合の反射率を光学計算したところ、第１の誘電体層
２の膜厚が１３５ｎｍ、記録層３の膜厚が１８ｎｍ、第
２の誘電体層の膜厚が２０ｎｍ、反射層５の膜厚が１０
０ｎｍの場合に、上記（１）式で表される変調度Ｈは最
大となり、得られる変調度の最大値は７５．０％である
ことが分かった。
光をパワーで照射して反射率（非晶質状態での反射率Ｒ
ａ）を測定したところ、２．０％であった。その後、こ
のサンプルを２５０℃に１０分間保持することにより記
録層３を結晶化させた後の反射率（結晶状態反射率Ｒ
ｃ）を同じ条件で測定したところ、１１．２％であっ
た。そして、上記（１）式により変調度を計算したとこ
ろ、変調度は８２．１％であった。 ［実施例３］記録層３の構成を、Ｓｂ22Ｔｅ59Ｇｅ19と
ＧｅＯ2 との混合物からなりＧｅＯ 2 の含有率が２０体
積％であるものとした以外は、実施例１と全て同様の相
変化型光記録媒体について、照射光の波長が４００ｎｍ
の場合の反射率を光学計算したところ、第１の誘電体層
２の膜厚が１３５ｎｍ、記録層３の膜厚が１８ｎｍ、第
２の誘電体層の膜厚が２０ｎｍ、反射層５の膜厚が１０
０ｎｍの場合に、上記（１）式で表される変調度Ｈは最
大となり、得られる変調度の最大値は７５．０％である
ことが分かった。
【００３２】なお、光学計算は、各層について全て実測
した光学定数を使用して行った。また、この記録層３の
光学定数（屈折率ｎと消衰係数ｋ）の実測値は下記の表
３に示す値であった。
した光学定数を使用して行った。また、この記録層３の
光学定数（屈折率ｎと消衰係数ｋ）の実測値は下記の表
３に示す値であった。
【００３３】
【表３】
【００３４】次に、ガラスピースの上に、上記構成の薄
膜層を、第１の誘電体層２の膜厚１３５ｎｍ、記録層３
の膜厚１８ｎｍ、第２の誘電体層の膜厚２０ｎｍ、反射
層５の膜厚１００ｎｍで、スパッタリング法により形成
することによって、実際に相変化型光記録媒体のサンプ
ルを作製した。得られたサンプルの記録層３は非晶質状
態にある。なお、記録層３の成膜は、Ｓｂ22Ｔｅ59Ｇｅ
19とＧｅＯ2 との混合物からなりＧｅＯ2 を２０体積％
含有するターゲットを用いて行った。
膜層を、第１の誘電体層２の膜厚１３５ｎｍ、記録層３
の膜厚１８ｎｍ、第２の誘電体層の膜厚２０ｎｍ、反射
層５の膜厚１００ｎｍで、スパッタリング法により形成
することによって、実際に相変化型光記録媒体のサンプ
ルを作製した。得られたサンプルの記録層３は非晶質状
態にある。なお、記録層３の成膜は、Ｓｂ22Ｔｅ59Ｇｅ
19とＧｅＯ2 との混合物からなりＧｅＯ2 を２０体積％
含有するターゲットを用いて行った。
【００３５】このサンプルに、波長４００ｎｍのレーザ
光を照射して反射率（非晶質状態での反射率Ｒａ）を測
定したところ、５．０％であった。その後、このサンプ
ルを２５０℃に１０分間保持することにより記録層３を
結晶化させた後の反射率（結晶状態反射率Ｒｃ）を同じ
条件で測定したところ、１８．５％であった。そして、
上記（１）式により変調度を計算したところ、変調度は
７３．０％であった。 ［実施例４］記録層３の構成を、Ｓｂ22Ｔｅ59Ｇｅ19と
ＴｅＯ2 との混合物からなりＴｅＯ 2 の含有率が２０体
積％であるものとした以外は、実施例１と全て同様の相
変化型光記録媒体について、照射光の波長が４００ｎｍ
の場合の反射率を光学計算したところ、第１の誘電体層
２の膜厚が１３５ｎｍ、記録層３の膜厚が１８ｎｍ、第
２の誘電体層の膜厚が２０ｎｍ、反射層５の膜厚が１０
０ｎｍの場合に、上記（１）式で表される変調度Ｈは最
大となり、得られる変調度の最大値は８０．０％である
ことが分かった。
光を照射して反射率（非晶質状態での反射率Ｒａ）を測
定したところ、５．０％であった。その後、このサンプ
ルを２５０℃に１０分間保持することにより記録層３を
結晶化させた後の反射率（結晶状態反射率Ｒｃ）を同じ
条件で測定したところ、１８．５％であった。そして、
上記（１）式により変調度を計算したところ、変調度は
７３．０％であった。 ［実施例４］記録層３の構成を、Ｓｂ22Ｔｅ59Ｇｅ19と
ＴｅＯ2 との混合物からなりＴｅＯ 2 の含有率が２０体
積％であるものとした以外は、実施例１と全て同様の相
変化型光記録媒体について、照射光の波長が４００ｎｍ
の場合の反射率を光学計算したところ、第１の誘電体層
２の膜厚が１３５ｎｍ、記録層３の膜厚が１８ｎｍ、第
２の誘電体層の膜厚が２０ｎｍ、反射層５の膜厚が１０
０ｎｍの場合に、上記（１）式で表される変調度Ｈは最
大となり、得られる変調度の最大値は８０．０％である
ことが分かった。
【００３６】なお、光学計算は、各層について全て実測
した光学定数を使用して行った。また、この記録層３の
光学定数（屈折率ｎと消衰係数ｋ）の実測値は下記の表
４に示す値であった。
した光学定数を使用して行った。また、この記録層３の
光学定数（屈折率ｎと消衰係数ｋ）の実測値は下記の表
４に示す値であった。
【００３７】
【表４】
【００３８】次に、ガラスピースの上に、上記構成の薄
膜層を、第１の誘電体層２の膜厚１３５ｎｍ、記録層３
の膜厚１８ｎｍ、第２の誘電体層の膜厚２０ｎｍ、反射
層５の膜厚１００ｎｍで、スパッタリング法により形成
することによって、実際に相変化型光記録媒体のサンプ
ルを作製した。得られたサンプルの記録層３は非晶質状
態にある。なお、記録層３の成膜は、Ｓｂ22Ｔｅ59Ｇｅ
19とＴｅＯ2 との混合物からなりＴｅＯ2 を２０体積％
含有するターゲットを用いて行った。
膜層を、第１の誘電体層２の膜厚１３５ｎｍ、記録層３
の膜厚１８ｎｍ、第２の誘電体層の膜厚２０ｎｍ、反射
層５の膜厚１００ｎｍで、スパッタリング法により形成
することによって、実際に相変化型光記録媒体のサンプ
ルを作製した。得られたサンプルの記録層３は非晶質状
態にある。なお、記録層３の成膜は、Ｓｂ22Ｔｅ59Ｇｅ
19とＴｅＯ2 との混合物からなりＴｅＯ2 を２０体積％
含有するターゲットを用いて行った。
【００３９】このサンプルに、波長４００ｎｍのレーザ
光を照射して反射率（非晶質状態での反射率Ｒａ）を測
定したところ、３．５％であった。その後、このサンプ
ルを２５０℃に１０分間保持することにより記録層３を
結晶化させた後の反射率（結晶状態反射率Ｒｃ）を同じ
条件で測定したところ、１７．３％であった。そして、
上記（１）式により変調度を計算したところ、変調度は
７９．８％であった。 ［実施例５］記録層３の構成を、Ｓｂ22Ｔｅ59Ｇｅ19と
Ｓｂ2 Ｏ3 とＧｅＯ2 とＴｅＯ2 との混合物からなり、
Ｓｂ2 Ｏ3 、ＧｅＯ2 、およびＴｅＯ2 の含有率がそれ
ぞれ１０体積％（酸化物の合計含有率が３０体積％）で
あるものとした以外は、実施例１と全て同様の相変化型
光記録媒体について、照射光の波長が４００ｎｍの場合
の反射率を光学計算したところ、第１の誘電体層２の膜
厚が１３５ｎｍ、記録層３の膜厚が１８ｎｍ、第２の誘
電体層の膜厚が２０ｎｍ、反射層５の膜厚が１００ｎｍ
の場合に、上記（１）式で表される変調度Ｈは最大とな
り、得られる変調度の最大値は８５．６％であることが
分かった。
光を照射して反射率（非晶質状態での反射率Ｒａ）を測
定したところ、３．５％であった。その後、このサンプ
ルを２５０℃に１０分間保持することにより記録層３を
結晶化させた後の反射率（結晶状態反射率Ｒｃ）を同じ
条件で測定したところ、１７．３％であった。そして、
上記（１）式により変調度を計算したところ、変調度は
７９．８％であった。 ［実施例５］記録層３の構成を、Ｓｂ22Ｔｅ59Ｇｅ19と
Ｓｂ2 Ｏ3 とＧｅＯ2 とＴｅＯ2 との混合物からなり、
Ｓｂ2 Ｏ3 、ＧｅＯ2 、およびＴｅＯ2 の含有率がそれ
ぞれ１０体積％（酸化物の合計含有率が３０体積％）で
あるものとした以外は、実施例１と全て同様の相変化型
光記録媒体について、照射光の波長が４００ｎｍの場合
の反射率を光学計算したところ、第１の誘電体層２の膜
厚が１３５ｎｍ、記録層３の膜厚が１８ｎｍ、第２の誘
電体層の膜厚が２０ｎｍ、反射層５の膜厚が１００ｎｍ
の場合に、上記（１）式で表される変調度Ｈは最大とな
り、得られる変調度の最大値は８５．６％であることが
分かった。
【００４０】なお、光学計算は、各層について全て実測
した光学定数を使用して行った。また、この記録層３の
光学定数（屈折率ｎと消衰係数ｋ）の実測値は下記の表
５に示す値であった。
した光学定数を使用して行った。また、この記録層３の
光学定数（屈折率ｎと消衰係数ｋ）の実測値は下記の表
５に示す値であった。
【００４１】
【表５】
【００４２】次に、ガラスピースの上に、上記構成の薄
膜層を、第１の誘電体層２の膜厚１３５ｎｍ、記録層３
の膜厚１８ｎｍ、第２の誘電体層の膜厚２０ｎｍ、反射
層５の膜厚１００ｎｍで、スパッタリング法により形成
することによって、実際に相変化型光記録媒体のサンプ
ルを作製した。得られたサンプルの記録層３は非晶質状
態にある。なお、記録層３の成膜は、Ｓｂ22Ｔｅ59Ｇｅ
19とＳｂ2 Ｏ3 とＧｅＯ2 とＴｅＯ2 とＴｅＯ2 との混
合物からなり、Ｓｂ2 Ｏ3 、ＧｅＯ2 、およびＴｅＯ2
の含有率がそれぞれ１０体積％であるターゲットを用い
て行った。
膜層を、第１の誘電体層２の膜厚１３５ｎｍ、記録層３
の膜厚１８ｎｍ、第２の誘電体層の膜厚２０ｎｍ、反射
層５の膜厚１００ｎｍで、スパッタリング法により形成
することによって、実際に相変化型光記録媒体のサンプ
ルを作製した。得られたサンプルの記録層３は非晶質状
態にある。なお、記録層３の成膜は、Ｓｂ22Ｔｅ59Ｇｅ
19とＳｂ2 Ｏ3 とＧｅＯ2 とＴｅＯ2 とＴｅＯ2 との混
合物からなり、Ｓｂ2 Ｏ3 、ＧｅＯ2 、およびＴｅＯ2
の含有率がそれぞれ１０体積％であるターゲットを用い
て行った。
【００４３】このサンプルに、波長４００ｎｍのレーザ
光を照射して反射率（非晶質状態での反射率Ｒａ）を測
定したところ、２．７％であった。その後、このサンプ
ルを２５０℃に１０分間保持することにより記録層３を
結晶化させた後の反射率（結晶状態反射率Ｒｃ）を同じ
条件で測定したところ、１５．２％であった。そして、
上記（１）式により変調度を計算したところ、変調度は
８２．２％であった。 ［比較例］記録層３の構成を、Ｓｂ22Ｔｅ56Ｇｅ22から
なるものとした以外は、実施例１と全て同様の相変化型
光記録媒体について、照射光の波長が４００ｎｍの場合
の反射率を光学計算したところ、第１の誘電体層２の膜
厚が１３５ｎｍ、記録層３の膜厚が１８ｎｍ、第２の誘
電体層の膜厚が２４ｎｍ、反射層５の膜厚が１００ｎｍ
の場合に、上記（１）式で表される変調度Ｈは最大とな
り、得られる変調度の最大値は５９．３％であることが
分かった。
光を照射して反射率（非晶質状態での反射率Ｒａ）を測
定したところ、２．７％であった。その後、このサンプ
ルを２５０℃に１０分間保持することにより記録層３を
結晶化させた後の反射率（結晶状態反射率Ｒｃ）を同じ
条件で測定したところ、１５．２％であった。そして、
上記（１）式により変調度を計算したところ、変調度は
８２．２％であった。 ［比較例］記録層３の構成を、Ｓｂ22Ｔｅ56Ｇｅ22から
なるものとした以外は、実施例１と全て同様の相変化型
光記録媒体について、照射光の波長が４００ｎｍの場合
の反射率を光学計算したところ、第１の誘電体層２の膜
厚が１３５ｎｍ、記録層３の膜厚が１８ｎｍ、第２の誘
電体層の膜厚が２４ｎｍ、反射層５の膜厚が１００ｎｍ
の場合に、上記（１）式で表される変調度Ｈは最大とな
り、得られる変調度の最大値は５９．３％であることが
分かった。
【００４４】なお、光学計算は、各層について全て実測
した光学定数を使用して行った。また、この記録層３の
光学定数（屈折率ｎと消衰係数ｋ）の実測値は下記の表
６に示す値であった。
した光学定数を使用して行った。また、この記録層３の
光学定数（屈折率ｎと消衰係数ｋ）の実測値は下記の表
６に示す値であった。
【００４５】
【表６】
【００４６】次に、ガラスピースの上に、上記構成の薄
膜層を、第１の誘電体層２の膜厚１３５ｎｍ、記録層３
の膜厚１８ｎｍ、第２の誘電体層の膜厚２４ｎｍ、反射
層５の膜厚１００ｎｍで、スパッタリング法により形成
することによって、実際に相変化型光記録媒体のサンプ
ルを作製した。得られたサンプルの記録層３は非晶質状
態にある。
膜層を、第１の誘電体層２の膜厚１３５ｎｍ、記録層３
の膜厚１８ｎｍ、第２の誘電体層の膜厚２４ｎｍ、反射
層５の膜厚１００ｎｍで、スパッタリング法により形成
することによって、実際に相変化型光記録媒体のサンプ
ルを作製した。得られたサンプルの記録層３は非晶質状
態にある。
【００４７】このサンプルに、波長４００ｎｍのレーザ
光を照射して反射率（非晶質状態での反射率Ｒａ）を測
定したところ、９．５％であった。その後、このサンプ
ルを２５０℃に１０分間保持することにより記録層３を
結晶化させた後の反射率（結晶状態反射率Ｒｃ）を同じ
条件で測定したところ、２３．０％であった。そして、
上記（１）式により変調度を計算したところ変調度は５
８．７％であった。
光を照射して反射率（非晶質状態での反射率Ｒａ）を測
定したところ、９．５％であった。その後、このサンプ
ルを２５０℃に１０分間保持することにより記録層３を
結晶化させた後の反射率（結晶状態反射率Ｒｃ）を同じ
条件で測定したところ、２３．０％であった。そして、
上記（１）式により変調度を計算したところ変調度は５
８．７％であった。
【００４８】これらの結果から分かるように、比較例で
は記録層３がＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金のみで構成されてい
るため、波長が４００ｎｍである場合の変調度は５８．
７％と小さく、再生信号の品質が低かったが、実施例１
〜５では、記録層３がＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金のみでなく
Ｓｂ2 Ｏ3 またはＴｅＯ2 またはＧｅＯ2 またはＳｂ 2
Ｏ3 ＋ＴｅＯ2 ＋ＧｅＯ2 が添加された混合物で構成さ
れているため、波長が４００ｎｍである場合でも変調度
が７３〜８２％と大きく、再生信号の品質が高いものと
なった。
は記録層３がＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金のみで構成されてい
るため、波長が４００ｎｍである場合の変調度は５８．
７％と小さく、再生信号の品質が低かったが、実施例１
〜５では、記録層３がＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金のみでなく
Ｓｂ2 Ｏ3 またはＴｅＯ2 またはＧｅＯ2 またはＳｂ 2
Ｏ3 ＋ＴｅＯ2 ＋ＧｅＯ2 が添加された混合物で構成さ
れているため、波長が４００ｎｍである場合でも変調度
が７３〜８２％と大きく、再生信号の品質が高いものと
なった。
【００４９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
記録層の構成をＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金と所定の酸化物と
の混合物とすることにより、照射光の波長が６００ｎｍ
以下と短波長の場合の相変化型光記録媒体として、再生
信号の品質が良好なものが得られる。
記録層の構成をＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金と所定の酸化物と
の混合物とすることにより、照射光の波長が６００ｎｍ
以下と短波長の場合の相変化型光記録媒体として、再生
信号の品質が良好なものが得られる。
【図１】本発明の一実施形態に相当する相変化型光記録
媒体の層構造を示す断面図である。
媒体の層構造を示す断面図である。
１ 基板 ２ 第１の誘電体層（薄膜層） ３ 記録層 ４ 第２の誘電体層（薄膜層） ５ 反射層（薄膜層）
Claims (2)
- 【請求項１】 透明な基板の一方の面側に、光照射によ
り結晶−非晶質間の相変化が生じる記録層を含む一層以
上の薄膜層が積層され、波長が６００ｎｍ以下の光を照
射することにより、少なくとも情報の記録および再生を
行う相変化型光記録媒体において、 前記記録層は、Ｓｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金と、ＴｅＯ2 およ
びＧｅＯ2 およびＳｂ 2 Ｏ3 の少なくともいずれか一つ
からなる酸化物との混合物で構成されていることを特徴
とする相変化型光記録媒体。 - 【請求項２】 記録層をなす混合物中の酸化物の含有率
は、５体積％以上５０体積％以下であることを特徴とす
る請求項１記載の相変化型光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9290998A JPH11123872A (ja) | 1997-10-23 | 1997-10-23 | 相変化型光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9290998A JPH11123872A (ja) | 1997-10-23 | 1997-10-23 | 相変化型光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11123872A true JPH11123872A (ja) | 1999-05-11 |
Family
ID=17763141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9290998A Withdrawn JPH11123872A (ja) | 1997-10-23 | 1997-10-23 | 相変化型光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11123872A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001046950A1 (fr) * | 1999-12-21 | 2001-06-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Support d'enregistrement d'informations optiques, procede d'enregistrement et de reproduction, et systeme d'enregistrement et de reproduction optiques |
-
1997
- 1997-10-23 JP JP9290998A patent/JPH11123872A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001046950A1 (fr) * | 1999-12-21 | 2001-06-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Support d'enregistrement d'informations optiques, procede d'enregistrement et de reproduction, et systeme d'enregistrement et de reproduction optiques |
| US7009930B1 (en) | 1999-12-21 | 2006-03-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, method of recording and reproducing, and optical recording and reproducing system |
| CN100370530C (zh) * | 1999-12-21 | 2008-02-20 | 松下电器产业株式会社 | 光学信息记录介质及其记录重放方法以及使用该介质的光学信息记录重放系统 |
| JP4680465B2 (ja) * | 1999-12-21 | 2011-05-11 | パナソニック株式会社 | 光学情報記録媒体とその記録再生方法、およびこれを用いた光学情報の記録再生システム |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050104 |