JPH1112362A - ポリシランの精製方法およびそれを用いた光電機能性素子 - Google Patents
ポリシランの精製方法およびそれを用いた光電機能性素子Info
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- JPH1112362A JPH1112362A JP3578398A JP3578398A JPH1112362A JP H1112362 A JPH1112362 A JP H1112362A JP 3578398 A JP3578398 A JP 3578398A JP 3578398 A JP3578398 A JP 3578398A JP H1112362 A JPH1112362 A JP H1112362A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ポリシランに含まれる不純物を低減し、その光
電機能特性を大幅に向上させる方法を提供する 【解決手段】［１］下記一般式（１） 【化１】 ［式中、Ｒ1およびＲ2は、それぞれ独立に、炭素数１〜
２２の置換されていてもよいアルキル基、炭素数１〜２
２の置換されていてもよいシクロアルキル基、炭素数６
〜２２の置換されていてもよいアリール基、炭素数７〜
２２の置換されていてもよいアラルキル基または炭素数
６〜２２の置換されていてもよいアリールオキシ基を表
す。］で示される繰り返し構造単位を一種類以上含んで
いればよいポリシランを、水または酸性水溶液と相分離
する有機溶媒に溶解し、その溶液を水または酸性水溶液
と接触させて液々抽出してポリシラン中の不純物を低減
するポリシランの精製方法。 ［２］上記［１］の方法を用いて精製されたポリシラン
をホール輸送層に含む電子写真感光体。 ［３］上記［１］の方法を用いて精製されたポリシラン
をホール輸送層に含む電界発光素子。
電機能特性を大幅に向上させる方法を提供する 【解決手段】［１］下記一般式（１） 【化１】 ［式中、Ｒ1およびＲ2は、それぞれ独立に、炭素数１〜
２２の置換されていてもよいアルキル基、炭素数１〜２
２の置換されていてもよいシクロアルキル基、炭素数６
〜２２の置換されていてもよいアリール基、炭素数７〜
２２の置換されていてもよいアラルキル基または炭素数
６〜２２の置換されていてもよいアリールオキシ基を表
す。］で示される繰り返し構造単位を一種類以上含んで
いればよいポリシランを、水または酸性水溶液と相分離
する有機溶媒に溶解し、その溶液を水または酸性水溶液
と接触させて液々抽出してポリシラン中の不純物を低減
するポリシランの精製方法。 ［２］上記［１］の方法を用いて精製されたポリシラン
をホール輸送層に含む電子写真感光体。 ［３］上記［１］の方法を用いて精製されたポリシラン
をホール輸送層に含む電界発光素子。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ポリシランに含ま
れる不純物を低減し、その光電機能特性を向上させる方
法および得られたポリシランを用いた光電機能性素子に
関する。
れる不純物を低減し、その光電機能特性を向上させる方
法および得られたポリシランを用いた光電機能性素子に
関する。
【０００２】
【従来の技術】骨格がケイ素―ケイ素結合からなり側鎖
に各種の官能基を有するポリシランはその高いホール移
動度が着目され、電子写真技術への応用（米国特許明細
書４，６１８，５５１号（１９８６）／特開昭６１−１
７０７４７号公報）の他、導電性高分子や非線形光学材
料としての応用が期待されている。［Ｍｉｌｌｅｒ，Ｃ
ｈｅｍ．Ｒｅｖｉｅｗ，８９，ｐ１３５０（１９８
９）］。
に各種の官能基を有するポリシランはその高いホール移
動度が着目され、電子写真技術への応用（米国特許明細
書４，６１８，５５１号（１９８６）／特開昭６１−１
７０７４７号公報）の他、導電性高分子や非線形光学材
料としての応用が期待されている。［Ｍｉｌｌｅｒ，Ｃ
ｈｅｍ．Ｒｅｖｉｅｗ，８９，ｐ１３５０（１９８
９）］。
【０００３】ポリシランの合成法としては、現在のとこ
ろＫｉｐｐｉｎｇ法（ジオルガノジクロロシランとアル
カリ金属との脱塩素縮合による方法）［Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆ Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ Ｃｈｅｍｉｓ
ｔｒｙ，Ｖｏｌ．１９８（１９８０）Ｃ２７−Ｃ２８］
が唯一の実用的な合成法である。
ろＫｉｐｐｉｎｇ法（ジオルガノジクロロシランとアル
カリ金属との脱塩素縮合による方法）［Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆ Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ Ｃｈｅｍｉｓ
ｔｒｙ，Ｖｏｌ．１９８（１９８０）Ｃ２７−Ｃ２８］
が唯一の実用的な合成法である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ポリシ
ランの合成過程において加えられる、または副生成され
る無機イオン性物質、有機イオン性化合物や有機化合物
等が、不純物としてポリシラン中に残存している。この
ようなポリシランではその光電機能特性が低下する可能
性がある。特に、側鎖に極性基を有するポリシランは、
イオン性不純物が存在しやすく光電機能特性が著しく阻
害される。例えば、フェノール基を側鎖に有するポリシ
ランではこれまでホール移動度の測定が困難であった。
即ち、イオン性不純物等の影響でホールの輸送性が十分
に発揮されない状況であった。本発明の目的は、ポリシ
ランに含まれる不純物を低減し、その光電機能特性を大
幅に向上させる方法を提供することにある。
ランの合成過程において加えられる、または副生成され
る無機イオン性物質、有機イオン性化合物や有機化合物
等が、不純物としてポリシラン中に残存している。この
ようなポリシランではその光電機能特性が低下する可能
性がある。特に、側鎖に極性基を有するポリシランは、
イオン性不純物が存在しやすく光電機能特性が著しく阻
害される。例えば、フェノール基を側鎖に有するポリシ
ランではこれまでホール移動度の測定が困難であった。
即ち、イオン性不純物等の影響でホールの輸送性が十分
に発揮されない状況であった。本発明の目的は、ポリシ
ランに含まれる不純物を低減し、その光電機能特性を大
幅に向上させる方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、ポリシラ
ンの精製方法に鋭意検討を加えた結果、水または酸性水
溶液を用いることで優れた精製効果を示す方法を見い出
し、本発明を完成するに至った。即ち本発明は、［１］
下記一般式（１）
ンの精製方法に鋭意検討を加えた結果、水または酸性水
溶液を用いることで優れた精製効果を示す方法を見い出
し、本発明を完成するに至った。即ち本発明は、［１］
下記一般式（１）
【０００６】
【化２】
【０００７】［式中、Ｒ1およびＲ2は、それぞれ独立
に、炭素数１〜２２の置換されていてもよいアルキル
基、炭素数１〜２２の置換されていてもよいシクロアル
キル基、炭素数６〜２２の置換されていてもよいアリー
ル基、炭素数７〜２２の置換されていてもよいアラルキ
ル基または炭素数６〜２２の置換されていてもよいアリ
ールオキシ基を表す。］で示される繰り返し構造単位を
一種類以上含んでいればよいポリシランを、水または酸
性水溶液と相分離する有機溶媒に溶解し、その溶液を水
または酸性水溶液と接触させて液々抽出することにより
不純物を低減するポリシランの精製方法に係るものであ
る。また、本発明は、［２］上記［１］の方法を用いて
精製されたポリシランをホール輸送層に含む電子写真感
光体に係るものである。さらに、本発明は、［３］上記
［１］の方法を用いて精製されたポリシランをホール輸
送層に含む電界発光素子に係るものである。以下、本発
明を詳細に説明する。
に、炭素数１〜２２の置換されていてもよいアルキル
基、炭素数１〜２２の置換されていてもよいシクロアル
キル基、炭素数６〜２２の置換されていてもよいアリー
ル基、炭素数７〜２２の置換されていてもよいアラルキ
ル基または炭素数６〜２２の置換されていてもよいアリ
ールオキシ基を表す。］で示される繰り返し構造単位を
一種類以上含んでいればよいポリシランを、水または酸
性水溶液と相分離する有機溶媒に溶解し、その溶液を水
または酸性水溶液と接触させて液々抽出することにより
不純物を低減するポリシランの精製方法に係るものであ
る。また、本発明は、［２］上記［１］の方法を用いて
精製されたポリシランをホール輸送層に含む電子写真感
光体に係るものである。さらに、本発明は、［３］上記
［１］の方法を用いて精製されたポリシランをホール輸
送層に含む電界発光素子に係るものである。以下、本発
明を詳細に説明する。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明に用いられる一般式（１）
で示されるポリシランにおいて、Ｒ1、Ｒ2は、具体的に
は、メチル、エチル、プロピル、ブチルなどのアルキル
基、シクロヘキシルなどのシクロアルキル基、フェニ
ル、アルキル置換フェニル、アルコキシ置換フェニル、
ヒドロキシ置換フェニルなどのアリール基または置換ア
リール基、ベンジル、アルキル置換フェニルメチル、ア
ルコキシ置換フェニルメチル、ヒドロキシ置換フェニル
メチル、フェネチル、アルキル置換フェニルエチル、ア
ルコキシ置換フェニルエチル、ヒドロキシ置換フェニル
エチルなどのアラルキル基または置換アラルキル基が例
示され、好ましくは、アルコキシ置換フェニル、ヒドロ
キシ置換フェニル、アルコキシ置換フェニルメチル、ヒ
ドロキシ置換フェニルメチル、アルコキシ置換フェニル
エチル、ヒドロキシ置換フェニルエチルであり、さらに
好ましくは、ヒドロキシ置換フェニル、ヒドロキシ置換
フェニルメチル、ヒドロキシ置換フェニルエチルであ
る。
で示されるポリシランにおいて、Ｒ1、Ｒ2は、具体的に
は、メチル、エチル、プロピル、ブチルなどのアルキル
基、シクロヘキシルなどのシクロアルキル基、フェニ
ル、アルキル置換フェニル、アルコキシ置換フェニル、
ヒドロキシ置換フェニルなどのアリール基または置換ア
リール基、ベンジル、アルキル置換フェニルメチル、ア
ルコキシ置換フェニルメチル、ヒドロキシ置換フェニル
メチル、フェネチル、アルキル置換フェニルエチル、ア
ルコキシ置換フェニルエチル、ヒドロキシ置換フェニル
エチルなどのアラルキル基または置換アラルキル基が例
示され、好ましくは、アルコキシ置換フェニル、ヒドロ
キシ置換フェニル、アルコキシ置換フェニルメチル、ヒ
ドロキシ置換フェニルメチル、アルコキシ置換フェニル
エチル、ヒドロキシ置換フェニルエチルであり、さらに
好ましくは、ヒドロキシ置換フェニル、ヒドロキシ置換
フェニルメチル、ヒドロキシ置換フェニルエチルであ
る。
【０００９】本発明に用いられるポリシランの具体的化
合物例を以下に記すが、これらの化合物に限定されるも
のではない。
合物例を以下に記すが、これらの化合物に限定されるも
のではない。
【００１０】ポリ（メチルプロピルシラン）、ポリ（エ
チルプロピルシラン）、ポリ（メチルブチルシラン）、
ポリ（エチルブチルシラン）、ポリ（メチルペンチルシ
ラン）、ポリ（エチルペンチルシラン）、ポリ（メチル
ヘキシルシラン）、ポリ（エチルヘキシルシラン）、ポ
リ（メチルシクロヘキシルシラン）、ポリ（エチルシク
ロヘキシルシラン）、ポリ（メチル（ｍ−ヒドロキシフ
ェニル）シラン）、ポリ（メチル（ｐ−ヒドロキシフェ
ニル）シラン）、ポリ（エチル（ｍ−ヒドロキシフェニ
ル）シラン）、ポリ（エチル（ｐ−ヒドロキシフェニ
ル）シラン）、ポリ（メチル（ｍ−ヒドロキシフェニル
メチル）シラン）、ポリ（メチル（ｐ−ヒドロキシフェ
ニルメチル）シラン）、ポリ（エチル（ｍ−ヒドロキシ
フェニルメチル）シラン）、ポリ（エチル（ｐ−ヒドロ
キシフェニルメチル）シラン）、ポリ（メチル（ｍ−ヒ
ドロキシフェニルエチル）シラン）、ポリ（メチル（ｐ
−ヒドロキシフェニルエチル）シラン）、ポリ（エチル
（ｍ−ヒドロキシフェニルエチル）シラン）、ポリ（エ
チル（ｐ−ヒドロキシフェニルエチル）シラン）、
チルプロピルシラン）、ポリ（メチルブチルシラン）、
ポリ（エチルブチルシラン）、ポリ（メチルペンチルシ
ラン）、ポリ（エチルペンチルシラン）、ポリ（メチル
ヘキシルシラン）、ポリ（エチルヘキシルシラン）、ポ
リ（メチルシクロヘキシルシラン）、ポリ（エチルシク
ロヘキシルシラン）、ポリ（メチル（ｍ−ヒドロキシフ
ェニル）シラン）、ポリ（メチル（ｐ−ヒドロキシフェ
ニル）シラン）、ポリ（エチル（ｍ−ヒドロキシフェニ
ル）シラン）、ポリ（エチル（ｐ−ヒドロキシフェニ
ル）シラン）、ポリ（メチル（ｍ−ヒドロキシフェニル
メチル）シラン）、ポリ（メチル（ｐ−ヒドロキシフェ
ニルメチル）シラン）、ポリ（エチル（ｍ−ヒドロキシ
フェニルメチル）シラン）、ポリ（エチル（ｐ−ヒドロ
キシフェニルメチル）シラン）、ポリ（メチル（ｍ−ヒ
ドロキシフェニルエチル）シラン）、ポリ（メチル（ｐ
−ヒドロキシフェニルエチル）シラン）、ポリ（エチル
（ｍ−ヒドロキシフェニルエチル）シラン）、ポリ（エ
チル（ｐ−ヒドロキシフェニルエチル）シラン）、
【００１１】ポリ（メチル（ｍ−メトキシフェニル）シ
ラン）、ポリ（メチル（ｐ−メトキシフェニル）シラ
ン）、ポリ（エチル（ｍ−メトキシフェニル）シラ
ン）、ポリ（エチル（ｐ−メトキシフェニル）シラ
ン）、ポリ（メチル（ｍ−メトキシフェニルメチル）シ
ラン）、ポリ（メチル（ｐ−メトキシフェニルメチル）
シラン）、ポリ（エチル（ｍ−メトキシフェニルメチ
ル）シラン）、ポリ（エチル（ｐ−メトキシフェニルメ
チル）シラン）、ポリ（メチル（ｍ−メトキシフェニル
エチル）シラン）、ポリ（メチル（ｐ−メトキシフェニ
ルエチル）シラン）、ポリ（エチル（ｍ−メトキシフェ
ニルエチル）シラン）、ポリ（エチル（ｐ−メトキシフ
ェニルエチル）シラン）、ポリ（メチルプロピルシラン
−ｃｏ−メチルフェニルシラン）、ポリ（メチルプロピ
ルシラン−ｃｏ−エチルフェニルシラン）、ポリ（メチ
ルプロピルシラン−ｃｏ−メチル（ｍ−ヒドロキシフェ
ニル）シラン）、
ラン）、ポリ（メチル（ｐ−メトキシフェニル）シラ
ン）、ポリ（エチル（ｍ−メトキシフェニル）シラ
ン）、ポリ（エチル（ｐ−メトキシフェニル）シラ
ン）、ポリ（メチル（ｍ−メトキシフェニルメチル）シ
ラン）、ポリ（メチル（ｐ−メトキシフェニルメチル）
シラン）、ポリ（エチル（ｍ−メトキシフェニルメチ
ル）シラン）、ポリ（エチル（ｐ−メトキシフェニルメ
チル）シラン）、ポリ（メチル（ｍ−メトキシフェニル
エチル）シラン）、ポリ（メチル（ｐ−メトキシフェニ
ルエチル）シラン）、ポリ（エチル（ｍ−メトキシフェ
ニルエチル）シラン）、ポリ（エチル（ｐ−メトキシフ
ェニルエチル）シラン）、ポリ（メチルプロピルシラン
−ｃｏ−メチルフェニルシラン）、ポリ（メチルプロピ
ルシラン−ｃｏ−エチルフェニルシラン）、ポリ（メチ
ルプロピルシラン−ｃｏ−メチル（ｍ−ヒドロキシフェ
ニル）シラン）、
【００１２】ポリ（メチルプロピルシラン−ｃｏ−メチ
ル（ｐ−ヒドロキシフェニル）シラン）、ポリ（メチル
プロピルシラン−ｃｏ−エチル（ｍ−ヒドロキシフェニ
ル）シラン）、ポリ（メチルプロピルシラン−ｃｏ−エ
チル（ｐ−ヒドロキシフェニル）シラン）、ポリ（メチ
ルフェニルシラン−ｃｏ−メチル（ｍ−ヒドロキシフェ
ニル）シラン）、ポリ（メチルフェニルシラン−ｃｏ−
メチル（ｐ−ヒドロキシフェニル）シラン）、ポリ（メ
チルフェニルシラン−ｃｏ−エチル（ｍ−ヒドロキシフ
ェニル）シラン）、ポリ（メチルフェニルシラン−ｃｏ
−エチル（ｐ−ヒドロキシフェニル）シラン）、ポリ
（エチルフェニルシラン−ｃｏ−メチル（ｍ−ヒドロキ
シフェニル）シラン）、ポリ（エチルフェニルシラン−
ｃｏ−メチル（ｐ−ヒドロキシフェニル）シラン）、ポ
リ（エチルフェニルシラン−ｃｏ−エチル（ｍ−ヒドロ
キシフェニル）シラン）、ポリ（エチルフェニルシラン
−ｃｏ−エチル（ｐ−ヒドロキシフェニル）シラン）、
ポリ（メチルプロピルシラン−ｃｏ−メチル（ｍ−メト
キシフェニル）シラン）、ポリ（メチルプロピルシラン
−ｃｏ−メチル（ｐ−メトキシフェニル）シラン）、ポ
リ（メチルプロピルシラン−ｃｏ−エチル（ｍ−メトキ
シフェニル）シラン）、ポリ（メチルプロピルシラン−
ｃｏ−エチル（ｐ−メトキシフェニル）シラン）、ポリ
（メチルフェニルシラン−ｃｏ−メチル（ｍ−メトキシ
フェニル）シラン）、ポリ（メチルフェニルシラン−ｃ
ｏ−メチル（ｐ−メトキシフェニル）シラン）、ポリ
（メチルフェニルシラン−ｃｏ−エチル（ｍ−メトキシ
フェニル）シラン）、ポリ（メチルフェニルシラン−ｃ
ｏ−エチル（ｐ−メトキシフェニル）シラン）、ポリ
（エチルフェニルシラン−ｃｏ−メチル（ｍ−メトキシ
フェニル）シラン）、ポリ（エチルフェニルシラン−ｃ
ｏ−メチル（ｐ−メトキシフェニル）シラン）、ポリ
（エチルフェニルシラン−ｃｏ−エチル（ｍ−メトキシ
フェニル）シラン）、ポリ（エチルフェニルシラン−ｃ
ｏ−エチル（ｐ−メトキシフェニル）シラン）
ル（ｐ−ヒドロキシフェニル）シラン）、ポリ（メチル
プロピルシラン−ｃｏ−エチル（ｍ−ヒドロキシフェニ
ル）シラン）、ポリ（メチルプロピルシラン−ｃｏ−エ
チル（ｐ−ヒドロキシフェニル）シラン）、ポリ（メチ
ルフェニルシラン−ｃｏ−メチル（ｍ−ヒドロキシフェ
ニル）シラン）、ポリ（メチルフェニルシラン−ｃｏ−
メチル（ｐ−ヒドロキシフェニル）シラン）、ポリ（メ
チルフェニルシラン−ｃｏ−エチル（ｍ−ヒドロキシフ
ェニル）シラン）、ポリ（メチルフェニルシラン−ｃｏ
−エチル（ｐ−ヒドロキシフェニル）シラン）、ポリ
（エチルフェニルシラン−ｃｏ−メチル（ｍ−ヒドロキ
シフェニル）シラン）、ポリ（エチルフェニルシラン−
ｃｏ−メチル（ｐ−ヒドロキシフェニル）シラン）、ポ
リ（エチルフェニルシラン−ｃｏ−エチル（ｍ−ヒドロ
キシフェニル）シラン）、ポリ（エチルフェニルシラン
−ｃｏ−エチル（ｐ−ヒドロキシフェニル）シラン）、
ポリ（メチルプロピルシラン−ｃｏ−メチル（ｍ−メト
キシフェニル）シラン）、ポリ（メチルプロピルシラン
−ｃｏ−メチル（ｐ−メトキシフェニル）シラン）、ポ
リ（メチルプロピルシラン−ｃｏ−エチル（ｍ−メトキ
シフェニル）シラン）、ポリ（メチルプロピルシラン−
ｃｏ−エチル（ｐ−メトキシフェニル）シラン）、ポリ
（メチルフェニルシラン−ｃｏ−メチル（ｍ−メトキシ
フェニル）シラン）、ポリ（メチルフェニルシラン−ｃ
ｏ−メチル（ｐ−メトキシフェニル）シラン）、ポリ
（メチルフェニルシラン−ｃｏ−エチル（ｍ−メトキシ
フェニル）シラン）、ポリ（メチルフェニルシラン−ｃ
ｏ−エチル（ｐ−メトキシフェニル）シラン）、ポリ
（エチルフェニルシラン−ｃｏ−メチル（ｍ−メトキシ
フェニル）シラン）、ポリ（エチルフェニルシラン−ｃ
ｏ−メチル（ｐ−メトキシフェニル）シラン）、ポリ
（エチルフェニルシラン−ｃｏ−エチル（ｍ−メトキシ
フェニル）シラン）、ポリ（エチルフェニルシラン−ｃ
ｏ−エチル（ｐ−メトキシフェニル）シラン）
【００１３】本発明で使用される有機溶媒は、本発明に
おけるポリシランに対する溶解度が高いものが好まし
い。該有機溶媒は、水または酸性水溶液と相分離するも
のであり、好ましくは水または酸性水溶液への溶解度が
小さいものである。該有機溶媒としては、具体例とし
て、メチルエチルケトン等のケトン類、トルエン、キシ
レン等の芳香族炭化水素類、テトラヒドロフラン、ジエ
チルエーテル等のエーテル類が挙げられ、好ましくは、
トルエン、キシレン、テトラヒドロフラン、ジエチルエ
ーテルである。本発明で使用される有機溶媒は、１種単
独で用いることもできるし、また２種以上を混合して用
いることもできる。
おけるポリシランに対する溶解度が高いものが好まし
い。該有機溶媒は、水または酸性水溶液と相分離するも
のであり、好ましくは水または酸性水溶液への溶解度が
小さいものである。該有機溶媒としては、具体例とし
て、メチルエチルケトン等のケトン類、トルエン、キシ
レン等の芳香族炭化水素類、テトラヒドロフラン、ジエ
チルエーテル等のエーテル類が挙げられ、好ましくは、
トルエン、キシレン、テトラヒドロフラン、ジエチルエ
ーテルである。本発明で使用される有機溶媒は、１種単
独で用いることもできるし、また２種以上を混合して用
いることもできる。
【００１４】使用する有機溶媒の量は特に限定されない
が、有機溶媒を多く用いると全体の液量が多くなり操作
上の問題が生じることがあり、また有機溶媒の量が少な
いと、水または酸性水溶液で処理した後の水層との分離
が悪くなる等の問題を生じることがある。好適な有機溶
媒の使用量は、処理するポリシランの重量の１０〜１０
００倍程度である。
が、有機溶媒を多く用いると全体の液量が多くなり操作
上の問題が生じることがあり、また有機溶媒の量が少な
いと、水または酸性水溶液で処理した後の水層との分離
が悪くなる等の問題を生じることがある。好適な有機溶
媒の使用量は、処理するポリシランの重量の１０〜１０
００倍程度である。
【００１５】ポリシランを溶解した溶液は、次いで水ま
たは酸性水溶液と接触処理され、水層側に不純物が液々
抽出される。この際、ポリシラン溶液に水または酸性水
溶液を加えても良いし、水または酸性水溶液にポリシラ
ン溶液を加えても良い。
たは酸性水溶液と接触処理され、水層側に不純物が液々
抽出される。この際、ポリシラン溶液に水または酸性水
溶液を加えても良いし、水または酸性水溶液にポリシラ
ン溶液を加えても良い。
【００１６】本発明の抽出に用いる水は、本発明の目的
に沿ってイオン等の不純物が少ないもの、例えば蒸留
水、イオン交換水、純水、超純水が好ましい。これらの
中で純水や超純水が好ましく、さらに超純水が好まし
い。具体的な水の純度の指標として導電率があり、その
値で１０μＳ／ｃｍ以下が好ましく、さらに１μＳ／ｃ
ｍが好ましい。
に沿ってイオン等の不純物が少ないもの、例えば蒸留
水、イオン交換水、純水、超純水が好ましい。これらの
中で純水や超純水が好ましく、さらに超純水が好まし
い。具体的な水の純度の指標として導電率があり、その
値で１０μＳ／ｃｍ以下が好ましく、さらに１μＳ／ｃ
ｍが好ましい。
【００１７】本発明で抽出に用いる酸性水溶液は、特に
制限はないが、例えば水に酸を加えて約ｐＨ５以下とし
たものが好ましい。なお、水溶液の酸性度があまり大き
くなると、処理するポリシランが分解する可能性が予想
されることから、通常はｐＨ０以上程度の酸性水溶液が
望ましい。より好適なｐＨ範囲は０〜４程度である。酸
性溶液とするために水に添加される酸としては、ギ酸、
シュウ酸、酢酸、塩酸、硫酸等が例示される。なかでも
シュウ酸が好ましい。
制限はないが、例えば水に酸を加えて約ｐＨ５以下とし
たものが好ましい。なお、水溶液の酸性度があまり大き
くなると、処理するポリシランが分解する可能性が予想
されることから、通常はｐＨ０以上程度の酸性水溶液が
望ましい。より好適なｐＨ範囲は０〜４程度である。酸
性溶液とするために水に添加される酸としては、ギ酸、
シュウ酸、酢酸、塩酸、硫酸等が例示される。なかでも
シュウ酸が好ましい。
【００１８】水または酸性水溶液の使用量に特に制限は
ないが、その量があまりに少ないと抽出回数を多くする
必要があり、また、水または酸性水溶液の使用量が多い
場合、全体の液量が多くなり操作上の問題が生じること
がある。好適な使用量は、ポリシラン溶液の重量の０.
５〜５倍程度であり、好ましくは１〜３倍程度である。
ないが、その量があまりに少ないと抽出回数を多くする
必要があり、また、水または酸性水溶液の使用量が多い
場合、全体の液量が多くなり操作上の問題が生じること
がある。好適な使用量は、ポリシラン溶液の重量の０.
５〜５倍程度であり、好ましくは１〜３倍程度である。
【００１９】液々抽出は、ポリシラン溶液と水または酸
性水溶液を振とう等による混合、静置、分液を繰り返す
ことによって行なう。また、酸性水溶液を用いて抽出処
理した場合には、酸性水溶液による抽出終了後、さらに
水を用いて処理を行ない、酸を除去することが望まし
い。従って、好ましい処理方法としては、液々抽出を複
数回行ない、その内の少なくとも最初の１回は酸性水溶
液を用いて行ない、最後に酸が除去されて水層のｐＨが
７になるまで水で抽出処理する方法が挙げられる。
性水溶液を振とう等による混合、静置、分液を繰り返す
ことによって行なう。また、酸性水溶液を用いて抽出処
理した場合には、酸性水溶液による抽出終了後、さらに
水を用いて処理を行ない、酸を除去することが望まし
い。従って、好ましい処理方法としては、液々抽出を複
数回行ない、その内の少なくとも最初の１回は酸性水溶
液を用いて行ない、最後に酸が除去されて水層のｐＨが
７になるまで水で抽出処理する方法が挙げられる。
【００２０】こうして得られるポリシラン溶液から、常
圧または減圧蒸留によって使用した有機溶媒および残留
している水を除去することでポリシランを回収する。ま
た、回収したポリシランの乾燥は、減圧下でポリシラン
が変質しない温度範囲で加熱することが好ましい。特
に、圧力は１Ｔｏｒｒ以下が好ましく、さらに１０-6Ｔ
ｏｒｒ以下が好ましい。また、温度は室温から３００℃
が好ましく、さらに室温から２００℃が好ましい。
圧または減圧蒸留によって使用した有機溶媒および残留
している水を除去することでポリシランを回収する。ま
た、回収したポリシランの乾燥は、減圧下でポリシラン
が変質しない温度範囲で加熱することが好ましい。特
に、圧力は１Ｔｏｒｒ以下が好ましく、さらに１０-6Ｔ
ｏｒｒ以下が好ましい。また、温度は室温から３００℃
が好ましく、さらに室温から２００℃が好ましい。
【００２１】
【実施例】以下実施例により、本発明に関してより詳細
に述べるが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。
に述べるが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。
【００２２】以下の実施例では、ポリシランの精製度
は、ポリシランのホール移動度を尺度として評価した。
ホール移動度の測定は、通常のタイムオブフライト法
（Ｆ．Ｋ．Ｄｏｌｅｚａｌｅｋ，Ｐｈｏｔｏｃｏｎｄｕ
ｃｔｉｖｉｔｙ ａｎｄ Ｒｅｌａｔｅｄ Ｐｈｅｎｏ
ｍｅｎａ，Ｅｄｓ．Ｊ．Ｍｏｒｔ ＆ Ｄ．Ｍ．Ｐａｉ
（Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ）Ｃｈａｐ．２（１９７６）ｐ２
７）により行なった。
は、ポリシランのホール移動度を尺度として評価した。
ホール移動度の測定は、通常のタイムオブフライト法
（Ｆ．Ｋ．Ｄｏｌｅｚａｌｅｋ，Ｐｈｏｔｏｃｏｎｄｕ
ｃｔｉｖｉｔｙ ａｎｄ Ｒｅｌａｔｅｄ Ｐｈｅｎｏ
ｍｅｎａ，Ｅｄｓ．Ｊ．Ｍｏｒｔ ＆ Ｄ．Ｍ．Ｐａｉ
（Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ）Ｃｈａｐ．２（１９７６）ｐ２
７）により行なった。
【００２３】実施例１ ナトリウム分散液をモノマー溶液中に滴下する逆滴下方
法以外は公知の方法（特開平５−３９３５８号公報）で
合成したポリ（エチル（ｍ−ヒドロキシフェニル）シラ
ン）（下記構造式（２））０．１５ｇを６０ｍｌのテト
ラヒドロフランに溶解し、そこへジエチルエーテル２０
ｍｌを加えた。この溶液を０．５％シュウ酸−超純水溶
液（ｐＨ４）２０ｍｌとともに分液ロートに入れ、よく
振とうした。静置後、分かれた有機層と水層を分液し、
水層は捨てた。この操作をさらに５回繰り返した後、有
機層を超純水で５回洗浄した。途中、有機層の量が減少
すればテトラヒドロフランとジエチルエーテルを追加し
た。こうして得られたポリシラン溶液から、有機溶媒お
よび残留している水を減圧下留去してポリシランを回収
し、１０-6Ｔｏｒｒ、５０℃で１７時間乾燥して精製さ
れたポリ（エチル（ｍ−ヒドロキシフェニル）シラン）
を得た。
法以外は公知の方法（特開平５−３９３５８号公報）で
合成したポリ（エチル（ｍ−ヒドロキシフェニル）シラ
ン）（下記構造式（２））０．１５ｇを６０ｍｌのテト
ラヒドロフランに溶解し、そこへジエチルエーテル２０
ｍｌを加えた。この溶液を０．５％シュウ酸−超純水溶
液（ｐＨ４）２０ｍｌとともに分液ロートに入れ、よく
振とうした。静置後、分かれた有機層と水層を分液し、
水層は捨てた。この操作をさらに５回繰り返した後、有
機層を超純水で５回洗浄した。途中、有機層の量が減少
すればテトラヒドロフランとジエチルエーテルを追加し
た。こうして得られたポリシラン溶液から、有機溶媒お
よび残留している水を減圧下留去してポリシランを回収
し、１０-6Ｔｏｒｒ、５０℃で１７時間乾燥して精製さ
れたポリ（エチル（ｍ−ヒドロキシフェニル）シラン）
を得た。
【００２４】
【化３】
【００２５】上記の方法により得られたポリシラン化合
物を脱水トルエンに溶解し５重量％のトルエン溶液にし
た。このトルエン溶液を０.２μｍのメンブランフィル
ターで濾過し塗布液とした。透明導電膜（ＩＴＯ）を堆
積したガラス基板上に、真空蒸着法により金属セレンを
膜厚０.２μｍに蒸着して電荷発生層を形成し、その上
に上記塗布液をスピンコート法により膜厚２.３μｍに
塗布してポリシランのホール輸送層を形成した。さら
に、ポリシランホール輸送層の上に真空蒸着法により金
電極を蒸着し、タイムオブフライト測定用の試料とし
た。
物を脱水トルエンに溶解し５重量％のトルエン溶液にし
た。このトルエン溶液を０.２μｍのメンブランフィル
ターで濾過し塗布液とした。透明導電膜（ＩＴＯ）を堆
積したガラス基板上に、真空蒸着法により金属セレンを
膜厚０.２μｍに蒸着して電荷発生層を形成し、その上
に上記塗布液をスピンコート法により膜厚２.３μｍに
塗布してポリシランのホール輸送層を形成した。さら
に、ポリシランホール輸送層の上に真空蒸着法により金
電極を蒸着し、タイムオブフライト測定用の試料とし
た。
【００２６】この試料に透明電極側から、窒素レーザー
励起式色素レーザー（レーザーフォトニクス社製、窒素
レーザー励起色素レーザー、モデルＬＮ１０００／ＬＮ
１０２）を用いてフラッシュ光（波長：４８１ｎｍ、フ
ラッシュ時問：１ｎｓｅｃ）を当て、通常のタイムオブ
フライト法によりホール移動度を測定した。光電流の測
定には、ヒューレットパッカード社製ディジタイジング
オシロスコープ、モデル５４７１０Ａ／５４７１３Ａを
用いた。その結果、室温（２５℃）、印加電圧１６５Ｖ
（電界強度：０.５ＭＶ／ｃｍ）において、ホール移動
度１×１０-5ｃｍ2／Ｖｓｅｃが得られた。
励起式色素レーザー（レーザーフォトニクス社製、窒素
レーザー励起色素レーザー、モデルＬＮ１０００／ＬＮ
１０２）を用いてフラッシュ光（波長：４８１ｎｍ、フ
ラッシュ時問：１ｎｓｅｃ）を当て、通常のタイムオブ
フライト法によりホール移動度を測定した。光電流の測
定には、ヒューレットパッカード社製ディジタイジング
オシロスコープ、モデル５４７１０Ａ／５４７１３Ａを
用いた。その結果、室温（２５℃）、印加電圧１６５Ｖ
（電界強度：０.５ＭＶ／ｃｍ）において、ホール移動
度１×１０-5ｃｍ2／Ｖｓｅｃが得られた。
【００２７】得られたポリシランを、ジアゾ化合物を電
荷発生層としてその上に成膜すると優れたコロナ帯電・
光減衰特性を示し、優れた電子写真感光体となる。ま
た、透明電極の上に得られたポリシランを５０ｎｍの厚
みで成膜し、その上にＡｌ−トリスキノリノール錯体を
５０ｎｍの厚みで真空蒸着して成膜する。さらに、その
上にＡｌ−Ｌｉ合金（Ｌｉ１％）を１００ｎｍ蒸着し、
透明電極の間に直流の電圧を加えると電界発光がみられ
る。
荷発生層としてその上に成膜すると優れたコロナ帯電・
光減衰特性を示し、優れた電子写真感光体となる。ま
た、透明電極の上に得られたポリシランを５０ｎｍの厚
みで成膜し、その上にＡｌ−トリスキノリノール錯体を
５０ｎｍの厚みで真空蒸着して成膜する。さらに、その
上にＡｌ−Ｌｉ合金（Ｌｉ１％）を１００ｎｍ蒸着し、
透明電極の間に直流の電圧を加えると電界発光がみられ
る。
【００２８】比較例１ 実施例１と同様にポリシランを合成した。得られたポリ
シランを、水または酸性水溶液で洗浄せずにそのまま、
５０℃、１０-6Ｔｏｒｒで１７時間乾燥した。乾燥後、
ホール移動度を実施例１と同様の方法で測定した結果、
ホール移動度に起因される信号がみられなかった。
シランを、水または酸性水溶液で洗浄せずにそのまま、
５０℃、１０-6Ｔｏｒｒで１７時間乾燥した。乾燥後、
ホール移動度を実施例１と同様の方法で測定した結果、
ホール移動度に起因される信号がみられなかった。
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば、一般式（１）で示され
る繰り返し構造単位を一種類以上含んでいればよいポリ
シランに含まれる不純物を低減し、その光電機能特性を
向上させることができる。また、当該精製方法で得られ
るポリシランは、電子写真感光体、電界発光素子のホー
ル輸送材等の光電機能性素子に好適に使用される。
る繰り返し構造単位を一種類以上含んでいればよいポリ
シランに含まれる不純物を低減し、その光電機能特性を
向上させることができる。また、当該精製方法で得られ
るポリシランは、電子写真感光体、電界発光素子のホー
ル輸送材等の光電機能性素子に好適に使用される。
Claims (8)
- 【請求項１】下記一般式（１） 【化１】 ［式中、Ｒ1およびＲ2は、それぞれ独立に、炭素数１〜
２２の置換されていてもよいアルキル基、炭素数１〜２
２の置換されていてもよいシクロアルキル基、炭素数６
〜２２の置換されていてもよいアリール基、炭素数７〜
２２の置換されていてもよいアラルキル基または炭素数
６〜２２の置換されていてもよいアリールオキシ基を表
す。］で示される繰り返し構造単位を一種類以上含んで
いればよいポリシランを、水または酸性水溶液と相分離
する有機溶媒に溶解し、その溶液を水または酸性水溶液
と接触させて液々抽出してポリシラン中の不純物を低減
することを特徴とするポリシランの精製方法。 - 【請求項２】水が導電率が１０μＳ／ｃｍ以下の水であ
る請求項１記載の方法。 - 【請求項３】液々抽出にｐＨ５以下の酸性水溶液を用い
ることを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項４】酸性水溶液がシュウ酸の水溶液である請求
項３記載の方法。 - 【請求項５】液々抽出を複数回行い、そのうちの少なく
とも最初の１回は酸性水溶液を用いて行い、最後に酸が
除去されるまで水で抽出処理する請求項１、3、または4
記載の方法。 - 【請求項６】ポリシランが側鎖に極性基を有することを
特徴とする請求項１乃至５記載のポリシランの精製方
法。 - 【請求項７】請求項１乃至５記載の方法を用いて精製さ
れたポリシランをホール輸送層に含む電子写真感光体。 - 【請求項８】請求項１乃至５記載の方法を用いて精製さ
れたポリシランをホール輸送層に含む電界発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3578398A JPH1112362A (ja) | 1997-04-28 | 1998-02-18 | ポリシランの精製方法およびそれを用いた光電機能性素子 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-111025 | 1997-04-28 | ||
| JP11102597 | 1997-04-28 | ||
| JP3578398A JPH1112362A (ja) | 1997-04-28 | 1998-02-18 | ポリシランの精製方法およびそれを用いた光電機能性素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1112362A true JPH1112362A (ja) | 1999-01-19 |
Family
ID=26374784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3578398A Pending JPH1112362A (ja) | 1997-04-28 | 1998-02-18 | ポリシランの精製方法およびそれを用いた光電機能性素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1112362A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007077197A (ja) * | 2005-09-12 | 2007-03-29 | Osaka Gas Co Ltd | ポリシランの精製方法 |
| WO2009142161A1 (ja) * | 2008-05-20 | 2009-11-26 | 日本曹達株式会社 | ポリシラン化合物の製造方法 |
| JP2011162792A (ja) * | 2011-04-18 | 2011-08-25 | Osaka Gas Co Ltd | ポリシランの精製方法 |
-
1998
- 1998-02-18 JP JP3578398A patent/JPH1112362A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007077197A (ja) * | 2005-09-12 | 2007-03-29 | Osaka Gas Co Ltd | ポリシランの精製方法 |
| WO2009142161A1 (ja) * | 2008-05-20 | 2009-11-26 | 日本曹達株式会社 | ポリシラン化合物の製造方法 |
| US8829139B2 (en) | 2008-05-20 | 2014-09-09 | Nippon Soda Co., Ltd. | Process for production of polysilane compound |
| JP2011162792A (ja) * | 2011-04-18 | 2011-08-25 | Osaka Gas Co Ltd | ポリシランの精製方法 |
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