JPH11121640A - 素子パッケージ及びそのパッケージの実装構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 セラミック基板と比較して極端に熱伝導性の
劣る有機樹脂基板をベース基板に用いた場合でも、放熱
特性を向上させることができ、より信頼性の高い素子パ
ッケージ及びそのパッケージの実装構造を提供する。 【解決手段】 チップ搭載領域を封止する封止用キャッ
プ１０４は、金属板をベース基板１０１の端面を囲う形
に成形し、封止用絶縁性樹脂接着剤１０５によってベー
ス基板１０１上に接着されている。このときベース基板
１０１の端面周囲において、入力及び出力に対応する端
面スルーホール１２１は封止用キャップ１０４で囲われ
ておらず、一方、ＧＮＤに対応する端面スルーホール１
０７は前記封止用キャップ１０４と対向する構造となっ
ている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、素子パッケージ及
びそのパッケージの実装構造に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、文献名「沖電気研究開発 １９９４年４月 第
１６２号 Ｖｏｌ．６１，Ｎｏ．２、Ｐ．４７〜５０」
に開示されるものがあった。図１８はかかる従来の弾性
表面波（以下ＳＡＷと略す）デバイスパッケージの断面
図である。

【０００３】この図において、４０１は上面が開口した
積層アルミナセラミックのベース基板である。このベー
ス基板４０１内の底部にはＳＡＷチップ４０２が配置さ
れており、このＳＡＷチップ４０２上の電極４０８とベ
ース基板４０１上の電極４０９とはボンディングワイヤ
４０３により接続されている。封止用リッド４０４はア
ルミナセラミック製であり、ろう材の半田４０５により
ベース基板４０１に接着され、ベース基板４０１の上面
開口部を封止している。また、封止用リッド４０４のベ
ース基板４０１側には電磁シールド性を有するように、
厚膜導体４０６が形成されている。さらに、ベース基板
４０１の周囲には端面スルーホール４０７が形成されて
いる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ＳＡＷデバイスパッケージでは、ベース基板と封止用リ
ッドにセラミックを用いているため、それがパッケージ
のコスト高の要因となっていた。これを回避するため、
ベース基板としてガラスエポキシ基板に代表されるよう
な安価な樹脂基板を使用する場合には、ガラスエポキシ
基板の熱伝導性がセラミックに比べて著しく劣ることに
より、ＳＡＷチップから発生する熱を効果的に放熱させ
ることができないという問題があった。

【０００５】また、封止用リッドに電磁シールド性を有
するように厚膜導体を形成しなければならないので、製
造工程が複雑となっていた。さらに、封止用リッドをろ
う材の半田でベース基板へ接着する場合には、当該パッ
ケージをマザーボードへ実装する際のリフロー工程で前
記ろう材の半田が溶融しないように高温半田を用いなけ
ればならず、ベース基板に安価な樹脂基板を使用する場
合には、その耐熱性の点から問題があった。

【０００６】このようなろう材の代替としては、低温硬
化が可能で耐熱性を有する導電性接着剤などがあるが、
このような導電性接着剤は気密封止性が高くないため、
封止を目的とする用途には適用することができない。ま
た、低コストを目的として、封止用リッドにニッケルな
どのような電磁シールド性を有する安価な材料を用いる
ことができるが、その場合には、気密封止のために封止
用絶縁性樹脂接着剤で封止すると共に導電性樹脂などで
封止用リッドとベース基板のＧＮＤ層との接続を行わな
ければならず、工程が複雑なものとなっていた。

【０００７】本発明は、上記問題点を除去し、セラミッ
ク基板と比較して極端に熱伝導性の劣る有機樹脂基板を
ベース基板に用いた場合においても、放熱特性を向上さ
せることができ、より信頼性の高い素子パッケージ及び
そのパッケージの実装構造を提供することを目的とす
る。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔１〕素子パッケージにおいて、素子を搭載するととも
に、入・出力及びＧＮＤ端面スルーホールを有する樹脂
製のベース基板と、このベース基板に搭載される素子を
覆うとともに、前記入・出力端面スルーホールを除く前
記ベース基板の端面を囲うように形成される封止用キャ
ップと、前記ベース基板の上面周辺部と前記封止用キャ
ップ間を接着する封止用絶縁性樹脂とを設けるようにし
たものである。

【０００９】〔２〕素子パッケージにおいて、素子を搭
載するとともに、ＧＮＤ端面スルーホールを有する樹脂
製のベース基板と、このベース基板に形成される貫通ス
ルーホールと、前記素子に接続される入・出力に対応す
る配線を前記貫通スルーホールを介して、前記ベース基
板の裏面に導出する裏面パッドと、前記ベース基板に搭
載される素子を覆うとともに、前記ベース基板の端面の
全面を囲うように形成される封止用キャップと、前記ベ
ース基板の上面周辺部と前記封止用キャップ間を接着す
る封止用絶縁性樹脂とを設けるようにしたものである。

【００１０】〔３〕上記〔１〕又は〔２〕記載の素子パ
ッケージにおいて、前記素子はフェースダウンボンディ
ングされる素子であり、この素子と前記封止用キャップ
との間に金属箔を配置するようにしたものである。 〔４〕上記〔３〕記載の素子パッケージにおいて、前記
金属箔が、熱伝導性接着剤により前記封止用キャップへ
接着されるか、もしくは前記金属箔が熱伝導性接着剤に
より前記封止用キャップへ接着され、かつ前記金属箔と
前記封止用キャップとの間に熱伝導性グリースが介在す
るようにしたものである。

【００１１】〔５〕上記〔１〕又は〔２〕記載の素子パ
ッケージにおいて、前記封止用キャップが電磁シールド
効果と半田への漏れ性を有し、かつ前記ベース基板と比
較して熱伝導率の高い材質よりなる。 〔６〕上記〔１〕又は〔２〕記載の素子パッケージにお
いて、前記素子がＳＡＷチップである。

【００１２】〔７〕素子パッケージの実装構造におい
て、素子を搭載するとともに、入・出力及びＧＮＤ端面
スルーホールを有する樹脂製のベース基板と、このベー
ス基板に搭載される素子を覆うとともに、前記入・出力
及びＧＮＤ端面スルーホールを除く前記ベース基板の端
面を囲うように形成される封止用キャップと、前記ベー
ス基板の上面周辺部と前記封止用キャップ間を接着する
封止用絶縁性樹脂と、前記ベース基板が実装されるマザ
ーボードとを備え、前記ベース基板を前記マザーボード
へ実装する際に用いられる半田が溶融し、前記ベース基
板のＧＮＤ端面スルーホールとそれと対向する封止用キ
ャップとの間に前記半田が埋め込まれることにより、前
記封止用キャップと前記ベース基板のＧＮＤとが電気的
に接続されるようにしたものである。

【００１３】〔８〕素子パッケージの実装構造におい
て、素子を搭載するとともに、ＧＮＤ端面スルーホール
を有する樹脂製のベース基板と、このベース基板に形成
される貫通スルーホールと、前記素子に接続される入・
出力に対応する配線を前記貫通スルーホールを介して、
前記ベース基板の裏面に導出する裏面パッドと、前記ベ
ース基板に搭載される素子を覆うとともに、前記ベース
基板の端面の全面を囲うように形成される封止用キャッ
プと、前記ベース基板の上面周辺部と前記封止用キャッ
プ間を接着する封止用絶縁性樹脂と、前記ベース基板が
実装されるマザーボードとを備え、前記ベース基板を前
記マザーボードへ実装する際に用いられる半田が溶融
し、前記ベース基板のＧＮＤ端面スルーホールとそれと
対向する封止用キャップとの間に前記半田が埋め込まれ
ることにより、前記封止用キャップと前記ベース基板の
ＧＮＤとが電気的に接続されるようにしたものである。

【００１４】

〔９〕上記〔７〕又は〔８〕記載の素子パ
ッケージの実装構造において、前記搭載される素子がベ
ース基板上にフェースダウンボンディングされ、前記素
子と前記封止用キャップとの間に前記金属箔を設けるよ
うにしたものである。 〔１０〕上記

〔９〕記載の素子パッケージの実装構造に
おいて、前記金属箔が、熱伝導性接着剤により前記封止
用キャップへ接着されるか、もしくは前記金属箔が熱伝
導性接着剤により前記封止用キャップへ接着され、かつ
前記金属箔と前記封止用キャップとの間に熱伝導性グリ
ースが介在するようにしたものである。

【００１５】〔１１〕上記〔７〕又は〔８〕記載の素子
パッケージの実装構造において、前記封止用キャップが
電磁シールド効果と半田への漏れ性を有し、かつ前記ベ
ース基板と比較して熱伝導率の高い材質よりなる。 〔１２〕上記〔７〕又は〔８〕記載の素子パッケージの
実装構造において、前記素子がＳＡＷチップである。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。図１は本発明の第１実施例を示すＳ
ＡＷデバイスパッケージの断面図、図２はそのＳＡＷデ
バイスパッケージの端面スルーホール部の拡大斜視図で
ある。図１に示すように、ベース基板１０１は、例えば
ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂のような有機樹
脂による多層基板であり、ベース基板１０１内のＳＡＷ
チップ１０２の入・出力に対応する配線パターン１１１
は内層に形成されており、ヴィアホール１１２によって
ベース基板１０１上の電極１０９へ接続された構造とな
っている。

【００１７】その多層基板の端面周囲には端面スルーホ
ール１０７が形成されており、ＳＡＷチップ１０２はチ
ップ上の電極１０８を上面にしてベース基板１０１上に
接着され、ボンディングワイヤ１０３によってＳＡＷチ
ップ上の電極１０８とベース基板１０１上の電極１０９
が接続されている。このときＳＡＷチップ１０２上の電
極１０８は、入・出力及びＧＮＤに相当するものがあ
り、それぞれ前記ボンディングワイヤ１０３と端面スル
ーホール１０７によってベース基板１０１の裏面、すな
わちＳＡＷチップ１０２の搭載されていない面側へ電気
的に導かれ、そこで入・出力及びＧＮＤのそれぞれのパ
ッド１１３に接続されている。

【００１８】図２では、例として、入力とＧＮＤに対応
する端面スルーホールの部分を拡大して示している。こ
の図において、ベース基板１０１には入力用端面スルー
ホール１２１と、これに接続される入力用パッド１２２
と、入力用配線パターン１２３が形成されている。ま
た、ＧＮＤ用端面スルーホール１２４にはＧＮＤ用パッ
ド１２５が形成されている。

【００１９】図３は本発明の第１実施例を示す封止用キ
ャップ付きＳＡＷデバイスパッケージの断面図、図４は
そのＳＡＷデバイスパッケージの封止用キャップ部の拡
大斜視図である。なお、図４は封止用キャップを接着し
たときの図２の部分を示した拡大斜視図である。これら
の図に示すように、チップ搭載領域を封止する封止用キ
ャップ１０４は、金属板、例えば、厚さ０．２ｍｍのニ
ッケル板によりベース基板１０１の端面を囲う形に成形
したものであり、封止用絶縁性樹脂接着剤１０５によっ
てベース基板１０１上に接着されている。このときベー
ス基板１０１の端面周囲において、図４に示すように入
力及び出力に対応する端面スルーホール１２１は封止用
キャップ１０４で囲われておらず、一方、ＧＮＤに対応
する端面スルーホールは前記封止用キャップ１０４と対
向する構造となっている。

【００２０】図５は本発明の第１実施例の封止用キャッ
プ付きＳＡＷデバイスパッケージをマザーボードへ半田
を用いて実装した構造を示す図、図６はマザーボードへ
当該ＳＡＷデバイスパッケージを実装したときの図２の
部分を示した斜視図である。ここで、半田１１５は実装
時の、例えばリフロー工程により溶融し、ベース基板１
０１の裏面のパッド１１３と、それに接続されている端
面スルーホール１０７に濡れ拡がっており、ＧＮＤに対
応する端面スルーホール１０７と対応する封止用キャッ
プ１０４との間は半田１１５で埋められ、封止用キャッ
プ１０４はＧＮＤへ電気的に接続された構造となってい
る。なお、図５において、１１４はマザーボードであ
る。なお、図６において、１１６は端面スルーホールと
封止用キャップとの間を埋める半田、１１７は封止用キ
ャップに接続している半田面である。

【００２１】このように、第１実施例によれば、セラミ
ック基板と比較して極端に熱伝導性の劣る有機樹脂基板
をベース基板に用いた場合でも、ベース基板のＧＮＤに
対応する端面スルーホールと、それと対向する封止用キ
ャップとの間が、当該素子パッケージのマザーボードへ
の実装時に用いられる半田で埋め込まれることによっ
て、封止用キャップとベース基板のＧＮＤとが接続さ
れ、かつ素子パッケージからマザーボードへの放熱経路
において、その断面積が大きく確保できるため、優れた
放熱特性を有し、より信頼性の高いＳＡＷデバイスパッ
ケージを得ることができる。

【００２２】次に、本発明の第２実施例について説明す
る。図７は本発明の第２実施例を示すＳＡＷデバイスパ
ッケージの断面図である。この図に示すように、ベース
基板２０１は第１実施例と同様に有機樹脂基板であり、
ベース基板２０１内のＳＡＷチップ２０２の入力、出力
に対応する配線パターン２１１はベース基板２０１の内
層に形成されており、ヴィアホール２１２によって、ベ
ース基板２０１上の電極２０９へ接続されている。

【００２３】ベース基板２０１の端面周囲には端面スル
ーホール２０７が形成されており、ＳＡＷチップ２０２
はチップ上の電極２０８とベース基板２０１上の電極２
０９とがバンプ２０３によって接続されるフェースダウ
ンボンディングによって搭載されている。このとき、Ｓ
ＡＷチップ２０２上の電極２０８は、入力、出力及びＧ
ＮＤに相当するものがあり、それぞれ前記バンプ２０３
と端面スルーホール２０７によってベース基板２０１の
裏面、すなわちＳＡＷチップ２０２の搭載されていない
面側へ電気的に導かれ、そこで入力、出力及びＧＮＤの
それぞれのパッド２１３に接続されている。

【００２４】図８は本発明の第２実施例を示す封止用キ
ャップ付きＳＡＷデバイスパッケージの断面図である。
この図に示すように、チップ搭載領域を封止する封止用
キャップ２０４は第１実施例と同様であり、ベース基板
２０１へは封止用絶縁性樹脂接着剤２０５によって接着
され、このときの入力、出力およびＧＮＤに対応する各
端面スルーホールと封止用キャップ２０４との関係は第
１実施例と同様である。

【００２５】一方、チップ搭載領域内のＳＡＷチップ２
０２の封止用キャップ２０４側にはＳＡＷチップ２０２
に被せられた、例えば、銅箔２１６があり、この銅箔２
１６と封止用キャップ２０４とは熱伝導性接着剤２０６
によって接着されている。図９は本発明の第２実施例を
示す封止用キャップ付きＳＡＷデバイスパッケージの第
１応用例の断面図である。

【００２６】この図に示すように、応用例としてＳＡＷ
チップ２０２と銅箔２１６との間に例えば、熱伝導性グ
リース２１７を介在させるようにしても良い。図１０は
本発明の第２実施例を示す封止用キャップ付きＳＡＷデ
バイスパッケージの第２応用例の断面図である。この図
に示すように、さらに変形例としてＳＡＷチップ２０２
と銅箔２１６とを熱伝導性接着剤２０６で接着し、銅箔
２１６と封止用キャップ２０４との間に熱伝導性グリー
ス２１７を介在させることも可能である。

【００２７】図１１は本発明の第２実施例を示す封止用
キャップ付きＳＡＷデバイスパッケージをマザーボード
へ半田を用いて実装した構造を示す断面図であり、ＳＡ
Ｗデバイスパターンとマザーボード２１４との接続構造
は、第１実施例で示したものと同様である。なお、図１
１において、２１５は半田である。このように、第２実
施例によれば、チップ搭載領域内にフェースダウンボン
ディングされたＳＡＷチップの封止用キャップ側には銅
箔が被せられており、前記銅箔と封止用キャップとは熱
伝導性接着剤により接着されているため、ＳＡＷチップ
から発生する熱が前記銅箔と熱伝導性接着剤により封止
用キャップへの伝導経路が得られる。

【００２８】また、ＳＡＷチップと銅箔との間に熱伝導
性グリースなどを介在させた場合には、封止用キャップ
へのより高い熱伝導を実現することができ、これは、銅
箔と封止用キャップとの間に熱伝導性グリースなどを介
在させた場合にも同様の効果を奏することができる。特
に、フェースダウンボンディングのように、ベース基板
への直接の放熱経路が得られない構造においても、ＳＡ
Ｗチップの裏面から封止用キャップへの放熱経路が得ら
れ、伝導した熱を封止用キャップから周囲に効果的に放
熱させることができる。

【００２９】さらに、この実施例による構造では、ＧＮ
Ｄに対応する端面スルーホールと、それと対向する封止
用キャップとの間を埋めた半田が、ＳＡＷデバイスパッ
ケージからマザーボードへの放熱経路となるため、より
高い放熱効果を得ることができる。この実施例でフェー
スダウンボンディングされたＳＡＷチップにおいては、
ＳＡＷチップと封止用キャップとを直接固着させる構造
をとらず、ＳＡＷチップと封止用キャップとの間に熱伝
導性グリース、銅箔、熱伝導性接着剤などを介在させる
構造としたので、銅箔による電磁シールド性が得られる
ばかりでなく、ＳＡＷチップとベース基板との熱膨張率
の差によって生じるＳＡＷチップとベース基板とのバン
プ接合部の応力を効果的に低減することができ、信頼性
の高いＳＡＷデバイスパッケージを得ることができる。

【００３０】また、ＳＡＷデバイスパッケージがマザー
ボードへ実装される際に、ＧＮＤに対応する端面スルー
ホールと、それと対向する封止用キャップとの間を半田
が埋めることにより、封止用キャップとＧＮＤは電気的
に接続され、その結果、電磁シールド性を有する良好な
特性のＳＡＷデバイスパッケージを得ることができる。

【００３１】次に、本発明の第３実施例について説明す
る。図１２は本発明の第３実施例を示すＳＡＷデバイス
パッケージの断面図、図１３はそのＳＡＷデバイスパッ
ケージの端面スルーホール部の拡大斜視図、図１４は本
発明の第３実施例を示す封止用キャップ付きＳＡＷデバ
イスパッケージの断面図、図１５はそのＳＡＷデバイス
パッケージの端面スルーホール部の拡大斜視図である。

【００３２】第１及び第２実施例では封止用キャップの
構造として、入力、出力に対応する端面スルーホールと
対向する部分では封止用キャップは開口するようにして
いたが、この開口部をなくした形状とすることにより、
全体構造をより簡単にすることもできる。図１２〜図１
５によりその構造を説明する。

【００３３】図１２におけるＳＡＷチップ３０２は、第
２実施例で示したフェースダウンボンディングによって
搭載されている。ベース基板３０１内のＳＡＷチップ３
０２の入力、出力に対応する電極３０８は、バンプ３０
３を介してベース基板３０１上の電極３０９に接続さ
れ、電極３０９は同一面上に形成されている入力及び出
力それぞれの配線パターン３１１に接続されている。

【００３４】前記配線パターン３１１は貫通スルーホー
ル３１２によって、ベース基板３０１のＳＡＷチップ３
０２搭載面と反対側の入力及び出力に対応するそれぞれ
のパッド３１３に接続された構造となっている。図１３
に示すように、このように入力及び出力に対応するそれ
ぞれのパッド３１３には、第１及び第２実施例で示した
ような端面スルーホールの内入力及び出力用端面スルー
ホールがない。つまり、端面スルーホールとしてはＧＮ
Ｄ用端面スルーホール３０７のみを設けるだけで良い。
なお、図１３において、３１３ａは、ＧＮＤ用パッドで
ある。

【００３５】図１４及び図１５に示すように、開口部の
ない封止用キャップ３０４は、第２実施例と同様に、封
止用絶縁性樹脂接着剤３０５によりベース基板３０１上
に接着されており、ＳＡＷチップ３０２の封止用キャッ
プ３０４側にはＳＡＷチップ３０２に被せられた、例え
ば銅箔３１６があり、銅箔３１６と封止用キャップ３０
４とは熱伝導性接着剤３０６によって接着されている。

【００３６】当該ＳＡＷデバイスパッケージをマザーボ
ード３１４（図１６参照）へ半田３１５を用いて実装す
る際、端面スルーホール３０７のあるＧＮＤに対応する
パッド３１３においては、ＧＮＤ用端面スルーホール３
０７が存在することにより、封止用キャップ３０４とＧ
ＮＤ用端面スルーホール３０７が半田３１５によって接
続されるが、図１６及び図１７に示すように、入力及び
出力に対応するパッドでの半田３１５は、当該パッド３
１３の表面にのみ濡れ拡がるので、封止用キャップ３０
４とは接続されることはない。

【００３７】すなわち、本発明における端面スルーホー
ル３０７とそれと対向する部分の封止用キャップ３０４
とが当該素子パッケージのマザーボード３１４への実装
時に用いられる半田３１５によって接続されるのは、Ｇ
ＮＤに対応する部分にのみ限られる。なお、図１７にお
いて、３１７は封止用キャップに接続している半田面で
ある。

【００３８】このように、第３実施例によれば、ベース
基板に形成する入力及び出力のパッドに関しては端面ス
ルーホールを形成せず、代わりにベース基板の端面から
離れた貫通スルーホールによって、入力及び出力に対応
する配線パターンとの接続を得るような構造とした。こ
れにより、電気的に接続すべきでない端面スルーホール
と対向する封止用キャップの一部を開口させる必要がな
くなるため、封止用キャップの熱伝導面積を大きくする
ことができ、より放熱特性に優れた素子パッケージを得
ることができる。

【００３９】なお、本発明の第１、第２及び第３実施例
では、封止用キャップとして、厚さ０．２ｍｍのニッケ
ル板を用いる例を示したが、本発明の趣旨に基づき電磁
シールド効果を有し、当該素子パッケージをマザーボー
ドへ実装する際に用いる半田に濡れ、かつベース基板と
比較して熱伝導率の高いものであれば、その材質及び厚
さについては限定するものではない。また、本実施例で
は素子としてＳＡＷチップを用いた例について説明した
が、気密封止を必要とする各種素子パッケージに適用す
ることができる。

【００４０】また、上記実施例において、例えば、入力
用配線（端面スルーホール）として示されているが、特
定の意味はなく、出力用配線（端面スルーホール）にも
適用することができる。その意味では、入・出力用配線
と同義である。なお、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可
能であり、これらを本発明の範囲から排除するものでは
ない。

【００４１】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （Ａ）請求項１、２、７又は８記載の発明によれば、セ
ラミック基板と比較して極端に熱伝導性の劣る有機樹脂
基板をベース基板に用いた場合でも、ベース基板のＧＮ
Ｄに対応する端面スルーホールと、それと対向する封止
用キャップとの間が、当該素子パッケージのマザーボー
ドへの実装時に用いられる半田で埋め込まれることによ
って、封止用キャップとベース基板のＧＮＤとが接続さ
れ、かつ素子パッケージからマザーボードへの放熱経路
において、その断面積が大きく確保できるため、優れた
放熱特性を有し、信頼性を高めることができる。

【００４２】（Ｂ）請求項３、４、９又は１０記載の発
明によれば、チップ搭載領域内にフェースダウンボンデ
ィングされた素子の封止用キャップ側には銅箔が被せら
れており、前記銅箔と封止用キャップとは熱伝導性接着
剤により接着されているため、素子から発生する熱が前
記銅箔と熱伝導性接着剤により封止用キャップへの伝導
経路が得られる。また、素子と銅箔との間に熱伝導性グ
リースなどを介在させた場合には、封止用キャップへの
より高い熱伝導を実現することができる。

【００４３】（Ｃ）請求項５又は１１記載の発明によれ
ば、熱伝導率を高め、封止用キャップによって電磁シー
ルド効果と半田への漏れ性の向上を図ることができる。 （Ｄ）請求項６又は１２記載の発明によれば、セラミッ
ク基板と比較して極端に熱伝導性の劣る有機樹脂基板を
ベース基板に用いた場合でも、ベース基板のＧＮＤに対
応する端面スルーホールとそれと対向する封止用キャッ
プとの間が、当該ＳＡＷ素子パッケージのマザーボード
への実装時に用いられる半田で埋め込まれることによっ
て、封止用キャップとベース基板のＧＮＤとが接続さ
れ、かつＳＡＷ素子パッケージからマザーボードへの放
熱経路において、その断面積が大きく確保できるため、
優れた放熱特性を有し、より信頼性の高いＳＡＷデバイ
スパッケージ又はそのパッケージの実装構造を得ること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例を示すＳＡＷデバイスパッ
ケージの断面図である。

【図２】本発明の第１実施例を示すＳＡＷデバイスパッ
ケージの端面スルーホール部の拡大斜視図である。

【図３】本発明の第１実施例を示す封止用キャップ付き
ＳＡＷデバイスパッケージの断面図である。

【図４】本発明の第１実施例を示すＳＡＷデバイスパッ
ケージの封止用キャップ部の拡大斜視図である。

【図５】本発明の第１実施例の封止用キャップ付きＳＡ
Ｗデバイスパッケージをマザーボードへ半田を用いて実
装した構造を示す図である。

【図６】本発明の第１実施例を示すＳＡＷデバイスパッ
ケージをマザーボードへ実装したときの図２の部分を示
した斜視図である。

【図７】本発明の第２実施例を示すＳＡＷデバイスパッ
ケージの断面図である。

【図８】本発明の第２実施例を示す封止用キャップ付き
ＳＡＷデバイスパッケージの断面図である。

【図９】本発明の第２実施例を示す封止用キャップ付き
ＳＡＷデバイスパッケージの第１応用例の断面図であ
る。

【図１０】本発明の第２実施例を示す封止用キャップ付
きＳＡＷデバイスパッケージの第２応用例の断面図であ
る。

【図１１】本発明の第２実施例の封止用キャップ付きＳ
ＡＷデバイスパッケージをマザーボードへ半田を用いて
実装した構造を示す断面図である。

【図１２】本発明の第３実施例を示すＳＡＷデバイスパ
ッケージの断面図である。

【図１３】本発明の第３実施例を示すＳＡＷデバイスパ
ッケージの端面スルーホール部の拡大斜視図である。

【図１４】本発明の第３実施例を示す封止用キャップ付
きＳＡＷデバイスパッケージの断面図である。

【図１５】本発明の第３実施例を示すＳＡＷデバイスパ
ッケージの端面スルーホール部の拡大斜視図である。

【図１６】本発明の第３実施例の封止用キャップ付きＳ
ＡＷデバイスパッケージをマザーボードへ半田を用いて
実装した構造を示す断面図である。

【図１７】本発明の第３実施例を示すＳＡＷデバイスパ
ッケージをマザーボードへ実装したときの図１６の部分
を示した斜視図である。

【図１８】従来の従来のＳＡＷデバイスパッケージの断
面図である。

【符号の説明】

１０１，２０１，３０１ ベース基板 １０２，２０２，３０２ ＳＡＷチップ １０３ ボンディングワイヤ １０４，２０４，３０４ 封止用キャップ １０５，２０５，３０５ 封止用絶縁性樹脂接着剤 １０７，２０７ 端面スルーホール １０８，１０９，２０８，２０９，３０８，３０９
電極 １１１，２１１，３１１ 入力、出力に対応する配線
パターン １１２，２１２ ヴィアホール １１３，２１３，３１３ パッド １１４，２１４，３１４ マザーボード １１５，２１５，３１５ 半田 １２１ 入力用端面スルーホール １２２ 入力用パッド １２３ 入力用配線パターン １２４，３０７ ＧＮＤ用端面スルーホール １２５ ＧＮＤ用パッド ２０３，３０３ バンプ ２０６，３０６ 熱伝導性接着剤 ２１６，３１６ 銅箔 ２１７ 熱伝導性グリース ３１２ 貫通スルーホール

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】（ａ）素子を搭載するとともに、入・出力
   及びＧＮＤ端面スルーホールを有する樹脂製のベース基
   板と、（ｂ）該ベース基板に搭載される素子を覆うとと
   もに、前記入・出力端面スルーホールを除く前記ベース
   基板の端面を囲うように形成される封止用キャップと、
   （ｃ）前記ベース基板の上面周辺部と前記封止用キャッ
   プ間を接着する封止用絶縁性樹脂とを具備することを特
   徴とする素子パッケージ。
2. 【請求項２】（ａ）素子を搭載するとともに、ＧＮＤ端
   面スルーホールを有する樹脂製のベース基板と、（ｂ）
   該ベース基板に形成される貫通スルーホールと、（ｃ）
   前記素子に接続される入・出力に対応する配線を前記貫
   通スルーホールを介して、前記ベース基板の裏面に導出
   する裏面パッドと、（ｄ）前記ベース基板に搭載される
   素子を覆うとともに、前記ベース基板の端面の全面を囲
   うように形成される封止用キャップと、（ｅ）前記ベー
   ス基板の上面周辺部と前記封止用キャップ間を接着する
   封止用絶縁性樹脂とを具備することを特徴とする素子パ
   ッケージ。
3. 【請求項３】 請求項１又は２記載の素子パッケージに
   おいて、前記素子はフェースダウンボンディングされる
   素子であり、該素子と前記封止用キャップとの間に金属
   箔を配置することを特徴とする素子パッケージ。
4. 【請求項４】 請求項３記載の素子パッケージにおい
   て、前記金属箔が、熱伝導性接着剤により前記封止用キ
   ャップへ接着されるか、もしくは前記金属箔が熱伝導性
   接着剤により前記封止用キャップへ接着され、かつ前記
   金属箔と前記封止用キャップとの間に熱伝導性グリース
   が介在するようにしたことを特徴とする素子パッケー
   ジ。
5. 【請求項５】 請求項１又は２記載の素子パッケージに
   おいて、前記封止用キャップが電磁シールド効果と半田
   への漏れ性を有し、かつ前記ベース基板と比較して熱伝
   導率の高い材質よりなることを特徴とする素子パッケー
   ジ。
6. 【請求項６】 請求項１又は２記載の素子パッケージに
   おいて、前記素子がＳＡＷチップであることを特徴とす
   る素子パッケージ。
7. 【請求項７】（ａ）素子を搭載するとともに、入・出力
   及びＧＮＤ端面スルーホールを有する樹脂製のベース基
   板と、（ｂ）該ベース基板に搭載される素子を覆うとと
   もに、前記入・出力及びＧＮＤ端面スルーホールを除く
   前記ベース基板の端面を囲うように形成される封止用キ
   ャップと、（ｃ）前記ベース基板の上面周辺部と前記封
   止用キャップ間を接着する封止用絶縁性樹脂と、（ｄ）
   前記ベース基板が実装されるマザーボードとを備え、
   （ｅ）前記ベース基板を前記マザーボードへ実装する際
   に用いられる半田が溶融し、前記ベース基板のＧＮＤ端
   面スルーホールとそれと対向する封止用キャップとの間
   に前記半田が埋め込まれることにより、前記封止用キャ
   ップと前記ベース基板のＧＮＤとが電気的に接続される
   ことを特徴とする素子パッケージの実装構造。
8. 【請求項８】（ａ）素子を搭載するとともに、ＧＮＤ端
   面スルーホールを有する樹脂製のベース基板と、（ｂ）
   該ベース基板に形成される貫通スルーホールと、（ｃ）
   前記素子に接続される入・出力に対応する配線を前記貫
   通スルーホールを介して、前記ベース基板の裏面に導出
   する裏面パッドと、（ｄ）前記ベース基板に搭載される
   素子を覆うとともに、前記ベース基板の端面の全面を囲
   うように形成される封止用キャップと、（ｅ）前記ベー
   ス基板の上面周辺部と前記封止用キャップ間を接着する
   封止用絶縁性樹脂と、（ｆ）前記ベース基板が実装され
   るマザーボードとを備え、（ｇ）前記ベース基板を前記
   マザーボードへ実装する際に用いられる半田が溶融し、
   前記ベース基板のＧＮＤ端面スルーホールとそれと対向
   する封止用キャップとの間に前記半田が埋め込まれるこ
   とにより、前記封止用キャップと前記ベース基板のＧＮ
   Ｄとが電気的に接続されることを特徴とする素子パッケ
   ージの実装構造。
9. 【請求項９】 請求項７又は８記載の素子パッケージの
   実装構造において、前記搭載される素子がベース基板上
   にフェースダウンボンディングされ、前記素子と前記封
   止用キャップとの間に前記金属箔を具備することを特徴
   とする素子パッケージの実装構造。
10. 【請求項１０】 請求項９記載の素子パッケージの実装
    構造において、前記金属箔が、熱伝導性接着剤により前
    記封止用キャップへ接着されるか、もしくは前記金属箔
    が熱伝導性接着剤により前記封止用キャップへ接着さ
    れ、かつ前記金属箔と前記封止用キャップとの間に熱伝
    導性グリースが介在することを特徴とする素子パッケー
    ジの実装構造。
11. 【請求項１１】 請求項７又は８記載の素子パッケージ
    の実装構造において、前記封止用キャップが電磁シール
    ド効果と半田への漏れ性を有し、かつ前記ベース基板と
    比較して熱伝導率の高い材質よりなることを特徴とする
    素子パッケージの実装構造。
12. 【請求項１２】 請求項７又は８記載の素子パッケージ
    の実装構造において、前記素子がＳＡＷチップであるこ
    とを特徴とする素子パッケージの実装構造。