JPH11121409A - 半導体基板ポリッシング装置及び半導体基板ポリッシング方法 - Google Patents

半導体基板ポリッシング装置及び半導体基板ポリッシング方法

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JPH11121409A
JPH11121409A JP27759397A JP27759397A JPH11121409A JP H11121409 A JPH11121409 A JP H11121409A JP 27759397 A JP27759397 A JP 27759397A JP 27759397 A JP27759397 A JP 27759397A JP H11121409 A JPH11121409 A JP H11121409A
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JP
Japan
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semiconductor substrate
top ring
polishing
contact surface
turntable
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Application number
JP27759397A
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English (en)
Inventor
Yukio Imoto
幸男 井本
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/14—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation taking regard of the temperature during grinding

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 半導体基板の面内研磨速度分布を容易に制御
することができる半導体基板ポリッシング装置を提供す
る。 【解決手段】 回転するターンテーブルと、前記ターン
テーブル上面に張り付けられた研磨クロスと、前記研磨
クロスが張り付けられたターンテーブル上に設けられた
回転自在のトップリング１０３Ａとを有し、前記研磨ク
ロス上面に半導体基板を前記トップリングにより押圧し
て該半導体基板の接触面１０を研磨する半導体基板ポリ
ッシング装置において、前記トップリングに設けられた
温度調整機構と、前記温度調整機構の温度調整により、
前記トップリングにおける半導体基板接触面の面内温度
分布を制御する制御手段とを備えた。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板の研磨
工程等で使用される半導体基板ポリッシング装置に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】ステップカバレージを向上させること
は、半導体製品の歩留まりや信頼性の上で重要な課題で
ある。例えば、段差の激しい半導体基板の表面にＡｌ配
線を行う場合は、Ａｌ配線が部分的に薄くなり、断線や
マイグレーション等を引き起こす恐れがある。このよう
な観点から、半導体基板の段差を可能な限り除去し、常
に平坦な面で薄膜形成等を行うことが求められている。
【０００３】半導体基板の表面を平坦化する半導体基板
の研磨工程では、一般的に、図７（ａ），（ｂ）に示す
ようなポリッシング装置を用いる方法が採られている。
【０００４】図７（ａ），（ｂ）は、従来の半導体基板
ポリッシング装置の構成図であり、同図（ａ）は基板の
研磨動作を示す外観図、及び同図（ｂ）はその要部断面
図である。
【０００５】同図中１０１は回転ターンテーブル、１０
２は回転ターンテーブル１０１上面に張り付けられた研
磨クロスである。さらに、研磨クロス１０２が張り付け
られたターンテーブル１０１上方には、回転自在のトッ
プリング１０３が設けられている。
【０００６】半導体基板の研磨方法としては、回転する
ターンテーブル１０１に研磨砥液１０４を供給し、研磨
クロス１０２上面に半導体基板１０５をトップリング１
０３により押しつけて半導体基板１０５の接触面を研磨
する。
【０００７】従来、上記研磨方法において、半導体基板
の研磨速度及び面内均一性は、以下の要因により制御さ
れてきた。
【０００８】被研磨膜、パターンに対するスラリー、
研磨クロスの選定 ターンテーブルとトップリングの回転数 ターンテーブルとトップリングの位置関係 トップリングの押しつけ圧力 トップリング形状 ターンテーブルの温度調整 そして、研磨条件出しの手順は、上記要因についてほぼ
番号順に条件を決め、要求する半導体基板の研磨速度及
び面内研磨速度が得られないときは、必要な要因まで戻
って条件出しについてトライ・アンド・エラーを行うと
いうものである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の半導体基板の研磨方法において、半導体基板中心か
ら半径方向に生ずる研磨速度分布は、上記要因により完
全には制御できない。さらには、半導体基板の種類が変
わる毎に条件の最適化に大変な作業が必要であった。こ
れらの点より、半導体基板の平坦化は容易ではなく、ス
テップカバレージ向上等の観点から看過できないもので
あった。
【００１０】本発明は、上述の如き従来の問題点を解決
するためになされたもので、その目的は、半導体基板の
面内研磨速度分布を容易に制御することができる半導体
基板ポリッシング装置を提供することである。またその
他の目的は、上記目的を平易な構造で実現する半導体基
板ポリッシング装置を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、第１の発明の特徴は、回転するターンテーブルと、
前記ターンテーブル上面に張り付けられた研磨クロス
と、前記研磨クロスが張り付けられたターンテーブル上
に設けられた回転自在のトップリングとを有し、前記研
磨クロス上面に半導体基板を前記トップリングにより押
圧して該半導体基板の接触面を研磨する半導体基板ポリ
ッシング装置において、前記トップリングに設けられた
温度調整機構と、前記温度調整機構の温度調整により、
前記トップリングにおける半導体基板接触面の面内温度
分布を制御する制御手段とを備えたことにある。
【００１２】この第１の発明によれば、例えば化学的研
磨が支配的な半導体研磨工程において、半導体基板の研
磨速度が基板温度に影響される点に着目し、トップリン
グに温度調節機構を設け、この温度調整機構により半導
体基板の半径方向の面内温度分布を調整することによ
り、半導体基板の面内研磨速度分布を制御する。
【００１３】第２の発明の特徴は、回転するターンテー
ブルと、前記ターンテーブル上面に張り付けられた研磨
クロスと、前記研磨クロスが張り付けられたターンテー
ブル上に設けられた回転自在のトップリングとを有し、
前記研磨クロス上面に半導体基板を前記トップリングに
より押圧して該半導体基板の接触面を研磨する半導体基
板ポリッシング装置において、前記トップリングは、そ
の半導体基板接触面に対して同心円状に複数列のヒータ
を埋設した構成にし、前記各ヒータ毎に独立して電流を
供給して各ヒータの発熱量を調整し、前記トップリング
の半導体基板接触面の面内温度分布を制御する制御手段
を備えたことにある。
【００１４】この第２の発明によれば、例えば、半導体
基板の周辺の研磨残膜が中心に比べて厚い場合は、該半
導体基板の周辺部に位置するヒータの発熱量を、半導体
基板の中心部付近に位置するヒータの発熱量に対し高く
設定する。これにより、半導体基板の周辺部の研磨速度
が中心部に比べて速くなり、半導体基板の平坦化を図る
ことができる。
【００１５】第３の発明の特徴は、上記第２の発明にお
いて、前記トップリングの回転軸に、その軸周に沿って
複数個の電流接点をリング状に設け、これら各電流接点
に対応した複数のブラシを前記回転軸の外側に設けて、
前記各電流接点にそれぞれ接触させ、前記各電流接点に
接続された前記各ヒータに前記各ブラシを介して電流を
供給する構成にしたことにある。
【００１６】この第３の発明によれば、上記第２の発明
において、接点を用いて、トップリングの回転軸に電流
を伝えることができる。
【００１７】第４の発明の特徴は、上記第２の発明にお
いて、前記トップリングの回転軸に、その軸周に沿って
複数のコイルをリング状に設け、これら各コイルにそれ
ぞれ対応させて複数の電磁石を前記回転軸の外側に配置
し、前記複数の電磁石の磁力を独立して制御して、前記
コイルに接続された前記各ヒータに電流を供給する構成
にしたことにある。
【００１８】この第４の発明によれば、上記第２の発明
において、無接点でトップリングの回転軸に電流を伝え
ることができる。
【００１９】第５の発明の特徴は、回転するターンテー
ブルと、前記ターンテーブル上面に張り付けられた研磨
クロスと、前記研磨クロスが張り付けられたターンテー
ブル上に設けられた回転自在のトップリングとを有し、
前記研磨クロス上面に半導体基板を前記トップリングに
より押圧して該半導体基板の接触面を研磨する半導体基
板ポリッシング装置において、前記トップリングは、そ
の半導体基板接触面に対して同心円状に複数列の水路を
形成した構成にし、前記各水路毎に独立して温調液を供
給して各水路毎に前記トップリングに対する吸／発熱量
を調整し、前記トップリングの半導体基板接触面の面内
温度分布を制御する制御手段を備えたことにある。
【００２０】この第５の発明によれば、例えば、半導体
基板の周辺部の研磨残膜が中心部に比べて厚い場合は、
該半導体基板の周辺部に位置する水路に流す温調液の温
度を、半導体基板の中心部付近に位置する水路の温調液
温度に対し高く設定する。これにより、半導体基板の周
辺部の研磨速度が中心部に比べて速くなり、半導体基板
の平坦化を図ることができる。
【００２１】第６の発明の特徴は、研磨クロスが張り付
けられたターンテーブル上に設けられた回転自在のトッ
プリングに予め温度調整機構を設けておき、前記トップ
リングにおける半導体基板との接触面の温度分布を前記
温度調整機構により制御し、前記研磨クロス上面に半導
体基板を前記トップリングにより押圧して該半導体基板
の接触面を研磨することにある。
【００２２】この第６の発明によれば、上記第１の発明
と同様の作用を呈する。
【００２３】第７の発明の特徴は、上記第６の発明にお
いて、前記トップリングに設けられる温度調整機構は、
トップリングにおける半導体基板との接触面に対して同
心円状に複数列のヒータを埋設して構成され、前記各ヒ
ータ毎に独立して電流を供給して各ヒータの発熱量を調
整し、前記研磨クロス上面に半導体基板を前記トップリ
ングにより押圧して該半導体基板の接触面を研磨するこ
とにある。
【００２４】この第７の発明によれば、上記第２の発明
と同様の作用を呈する。
【００２５】第８の発明の特徴は、上記第６の発明にお
いて、前記トップリングに設けられる温度調整機構は、
前記トップリングにおける半導体基板との接触面に対し
て同心円状に複数列の水路を形成して構成され、前記各
水路毎に独立して温調液を供給して各水路毎に前記トッ
プリングに対する吸／発熱量を調整し、前記研磨クロス
上面に半導体基板を前記トップリングにより押圧して該
半導体基板の接触面を研磨することにある。
【００２６】この第８の発明によれば、上記第５の発明
と同様の作用を呈する。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。図１（ａ），（ｂ）は、本発明の第
１実施形態に係る半導体基板ポリッシング装置のトップ
リングの構造図であり、同図（ａ）はトップリングの内
部平面図、及び同図（ｂ）はトップリングの縦断面図で
ある。
【００２８】本実施形態の半導体基板ポリッシング装置
は、図７に示す従来のポリッシング装置において、トッ
プリングにヒータを埋設した温度調整機構を設けたもの
である。
【００２９】すなわち、本実施形態のトップリング１０
３Ａには、図１（ａ），（ｂ）に示すように、半導体基
板の接触面１０に対し同心円状に３列のヒータ１１，１
２，１３が埋め込まれている。これらのヒータ１１，１
２，１３には、それぞれ独立に制御された３つの電流が
３組の電導線１１ａ，１１ｂ、１２ａ，１２ｂ、１３
ａ，１３ｂにより供給され、各ヒータ１１，１２，１３
毎に発熱量が制御されるようになっている。
【００３０】次に、上記トップリング１０３Ａの回転軸
１０３Ｂに電流を伝える機構を図２及び図３により説明
する。
【００３１】図２は、本実施形態において、接点を用い
てトップリングの回転軸に電流を伝える機構を示す断面
図である。
【００３２】トップリング１０３Ａの回転軸１０３Ｂに
は、軸周に沿って６個の電流接点２１，３１、２２，３
２、２３，３３が互いに絶縁した形でリング状に設けら
れている。さらに、それら電流接点に対応した６個のブ
ラシ４１，５１，４２，５２，４３，５３を回転軸１０
３Ｂの外側に設けてそれぞれ接触させる。ここで、上記
６個のブラシは、可動部分であるトップリング１０３Ａ
の回転軸１０３Ｂに設けられた各６個の電流接点と滑り
接触しながら通電するために用いられる、金属等のブロ
ック体である。これによって、回転するトップリング１
０３Ａに埋め込まれた３個のヒータ１１，１２，１３に
電流を供給する。
【００３３】このような構造によれば、トップリングへ
の電流伝達機構を比較的簡単な構造で実現することがで
きる。
【００３４】図３は、本実施形態において、無接点でト
ップリングの回転軸に電流を伝える機構を示す断面図で
ある。
【００３５】トップリング１０３Ａの回転軸１０３Ｂに
は、軸周に沿って３個のコイル６１，６２，６３がリン
グ状に設けられている。さらに、この各コイル６１，６
２，６３の外側には、それぞれ独立に磁力を制御できる
３個の電磁石７１，７２，７３が配置されている。これ
によって、回転するトップリング１０３Ａに埋め込まれ
た３個のヒータ１１，１２，１３に電流を供給する。
【００３６】このような構造によれば、比較的故障や劣
化の少ない、トップリングへの電流伝達機構を実現する
ことができる。
【００３７】上記構造のトップリングを有する図７に示
すポリッシング装置において、回転するターンテーブル
１０１に研磨砥液１０４を供給し、研磨クロス１０２上
面に半導体基板１０５をトップリング１０３Ａにより押
しつけて半導体基板１０５の接触面を研磨する。この
際、上記の温度調整機構により、半導体基板１０５の半
径方向の面内温度分布を調整し、半導体基板１０５の面
内研磨速度分布を制御する。
【００３８】例えば、半導体基板１０５の周辺の研磨残
膜が中心に比べて厚い場合は、ヒータ１１の温度をヒー
タ１２及びヒータ１３の温度に対し高く設定する。これ
により、半導体基板１０５の周辺の研磨速度が中心に比
べて速くなり、半導体基板１０５の平坦化を図ることが
できる。
【００３９】すなわち、半導体基板の研磨速度は基板温
度に影響を受ける。例えば、半導体基板上のＳｉＯ2 膜
をシリカ粒子で研磨した場合では、半導体基板温度と研
磨速度の関係が図４に表すようになる。同図において、
基板温度が２０から２５［℃］へ上がるに従って、研磨
速度が１０００から１５００［Å／ｍｉｎ］へ上昇して
いるのが分かる。
【００４０】本実施形態では、例えば化学的研磨が支配
的な半導体研磨工程において、半導体基板の研磨速度が
基板温度に影響される点に着目し、トップリングにヒー
タからなる温度調節機構を設けたので、平易な構造で、
半導体基板の被研磨膜の面内平均研磨速度及び面内研磨
速度分布を容易に制御することができる。
【００４１】なお、本実施形態では３列のヒータで説明
しているが、実際の適応に当たっては、研磨プロセスの
チューニングに必要なヒータ列数を最適化することが望
ましい。
【００４２】次に、本発明の第２実施形態を説明する。
【００４３】図５（ａ），（ｂ）は、本発明の第２実施
形態に係る半導体基板ポリッシング装置のトップリング
の構造図であり、同図（ａ）はトップリングの内部平面
図、及び同図（ｂ）はトップリングの縦断面図である。
【００４４】本実施形態の半導体基板ポリッシング装置
は、図７に示す従来のポリッシング装置において、トッ
プリングに温調液を供給する温度調整機構を設けたもの
である。
【００４５】すなわち、本実施形態のトップリング１０
３Ｃには、図５（ａ），（ｂ）に示すように、半導体基
板の接触面８０に対し同心円状に３列の水路８１，８
２，８３が形成されている。これらの水路８１，８２，
８３には、チラー等により各々独立に温度制御された３
種の温調液が３組の温調液導入管８１ａ，８１ｂ、８２
ａ，８２ｂ、８３ａ，８３ｂにより供給され、水路８
１，８２，８３毎にトップリング１０３Ｃに対する吸／
発熱量を制御している。
【００４６】図６は、本実施形態において、トップリン
グの回転軸に温調液を供給する機構を示す断面図であ
る。
【００４７】同図に示すように、トップリング１０３Ｃ
の回転軸１０３Ｄには、軸周に沿って６組の摺動液シー
ル８１ｃ，８１ｄ、８２ｃ，８２ｄ、８３ｃ，８３ｄを
リング状に設け、それらを介して６個の固定された接続
口８１ｅ，８１ｆ、８２ｅ，８２ｆ、８３ｅ，８３ｆと
３組の回転する温調液導入管８１ａ，８１ｂ、８２ａ，
８２ｂ、８３ａ，８３ｂが繋がっている。
【００４８】この構造により、チラー等で温度制御した
温調液を、接続口８１ｅ，８１ｆ、８２ｅ，８２ｆ、８
３ｅ，８３ｆを通じ、回転するトップリング１０３Ｃの
中に形成された水路８１，８２，８３に供給することが
できる。
【００４９】上記構造のトップリングを有する図７に示
すポリッシング装置において、回転するターンテーブル
１０１に研磨砥液１０４を供給し、研磨クロス１０２上
面に半導体基板１０５をトップリング１０３Ａにより押
しつけて半導体基板１０５の接触面を研磨する。この
際、上記の温度調整機構により、半導体基板１０５の半
径方向の面内温度分布を制御し、半導体基板１０５の面
内研磨速度分布を制御する。
【００５０】例えば、半導体基板１０５の周辺の研磨残
膜が中心に比べて厚い場合は、水路８１に流す温調液の
温度を水路８２及び水路８３に流す温調液の温度に対し
高く設定する。これにより、半導体基板１０５の周辺の
研磨速度が中心に比べて速くなり、半導体基板１０５の
平坦化を図ることができる。
【００５１】なお、本実施形態では、水路を３列で説明
しているが、実際の適応に当たっては、研磨プロセスの
チューニングに必要な水路列数を最適化することが望ま
しい。
【００５２】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、第１の発明
によれば、トップリングに設けた温度調節機構により半
導体基板の半径方向の面内温度分布を調整することで、
半導体基板の面内研磨速度分布を容易に制御することが
できる。これにより、半導体基板の平坦化が従来よりも
簡易かつ確実になり、ステップカバレージの向上等を可
能にする結果、半導体製品の歩留まりや信頼性の向上に
大きく寄与する。
【００５３】第２の発明によれば、トップリングに埋設
したヒータにより半導体基板の半径方向の面内温度分布
を調整することで、半導体基板の面内研磨速度分布を容
易に制御することが可能になる。これにより、上記第１
の発明と同等の効果を平易の構造の装置で実現すること
が可能になる。
【００５４】第３の発明によれば、上記第２の発明にお
いて、接点を用いて、トップリングの回転軸に電流を伝
えることができるので、第２の発明と同等の効果を奏す
るほか、装置の製造の簡単化を図ることができる。
【００５５】第４の発明によれば、上記第２の発明にお
いて、無接点でトップリングの回転軸に電流を伝えるこ
とができるので、第２の発明と同等の効果を奏するほ
か、第３の発明に比べて装置の故障や劣化を少なくする
ことができる。
【００５６】第５の発明によれば、トップリングに埋設
した水路により半導体基板の半径方向の面内温度分布を
調整することで、半導体基板の面内研磨速度分布を容易
に制御することが可能になる。これにより、上記第１の
発明と同等の効果を奏することができる。
【００５７】第６の発明によれば、上記第１の発明と同
等の効果を奏することができる。第７の発明によれば、
上記第２の発明と同等の効果を奏することができる。第
８の発明によれば、上記第５の発明と同等の効果を奏す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体基板ポリッ
シング装置のトップリングの構造図である。
【図２】第１実施形態において、接点を用いてトップリ
ングの回転軸に電流を伝える機構を示す断面図である。
【図３】第１実施形態において、無接点でトップリング
の回転軸に電流を伝える機構を示す断面図である。
【図４】半導体基板温度と研磨速度の関係が表すグラフ
である。
【図５】本発明の第２実施形態に係る半導体基板ポリッ
シング装置のトップリングの構造図である。
【図６】第２実施形態において、トップリングの回転軸
に温調液を供給する機構を示す断面図である。
【図７】従来の半導体基板ポリッシング装置の構成図で
ある。
【符号の説明】
１０ 半導体基板の接触面 １１，１２，１３ ヒータ １１ａ，１１ｂ、１２ａ，１２ｂ、１３ａ，１３ｂ 電
導線 ２１，３１、２２，３２、２３，３３ 電流接点 ４１，５１，４２，５２，４３，５３ ブラシ ６１，６２，６３ コイル ７１，７２，７３ 磁石 ８０ 半導体基板の接触面 ８１，８２，８３ 水路 ８１ａ，８１ｂ、８２ａ，８２ｂ、８３ａ，８３ｂ 温
調液導入管 １０３Ａ，１０３Ｃ トップリング １０３Ｂ，１０３Ｄ トップリング１０３Ｃの回転軸 １０１ 回転ターンテーブル １０２ 研磨クロス １０３ トップリング １０４ 研磨砥液 １０５ 半導体基板

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ターンテーブルと、前記ターンテーブル
    上面に張り付けられた研磨クロスと、前記研磨クロスが
    張り付けられたターンテーブル上に設けられた回転自在
    のトップリングとを有し、前記研磨クロス上面に半導体
    基板を前記トップリングにより押圧して該半導体基板の
    接触面を研磨する半導体基板ポリッシング装置におい
    て、 前記トップリングに設けられた温度調整機構と、 前記温度調整機構により、前記トップリングにおける半
    導体基板との接触面の温度分布を制御する制御手段とを
    備えたことを特徴とする半導体基板ポリッシング装置。
  2. 【請求項２】 ターンテーブルと、前記ターンテーブル
    上面に張り付けられた研磨クロスと、前記研磨クロスが
    張り付けられたターンテーブル上に設けられた回転自在
    のトップリングとを有し、前記研磨クロス上面に半導体
    基板を前記トップリングにより押圧して該半導体基板の
    接触面を研磨する半導体基板ポリッシング装置におい
    て、 前記トップリングは、その半導体基板接触面に対して同
    心円状に複数列のヒータを埋設した構成にし、 前記各ヒータ毎に独立して電流を供給して各ヒータの発
    熱量を調整し、前記トップリングの半導体基板との接触
    面の温度分布を制御する制御手段を備えたことを特徴と
    する半導体基板ポリッシング装置。
  3. 【請求項３】 前記トップリングの回転軸に、その軸周
    に沿って複数個の電流接点をリング状に設け、これら各
    電流接点に対応した複数のブラシを前記回転軸の外側に
    設けて、前記各電流接点にそれぞれ接触させ、 前記各電流接点に接続された前記各ヒータに前記各ブラ
    シを介して電流を供給する構成にしたことを特徴とする
    請求項２記載の半導体基板ポリッシング装置。
  4. 【請求項４】 前記トップリングの回転軸に、その軸周
    に沿って複数のコイルをリング状に設け、これら各コイ
    ルにそれぞれ対応させて複数の電磁石を前記回転軸の外
    側に配置し、 前記複数の電磁石の磁力を独立して制御して、前記コイ
    ルに接続された前記各ヒータに電流を供給する構成にし
    たことを特徴とする請求項２記載の半導体基板ポリッシ
    ング装置。
  5. 【請求項５】 ターンテーブルと、前記ターンテーブル
    上面に張り付けられた研磨クロスと、前記研磨クロスが
    張り付けられたターンテーブル上に設けられた回転自在
    のトップリングとを有し、前記研磨クロス上面に半導体
    基板を前記トップリングにより押圧して該半導体基板の
    接触面を研磨する半導体基板ポリッシング装置におい
    て、 前記トップリングは、その半導体基板接触面に対して同
    心円状に複数列の水路を形成した構成にし、 前記各水路毎に独立して温調液を供給して各水路毎に前
    記トップリングに対する吸／発熱量を調整し、前記トッ
    プリングの半導体基板との接触面の温度分布を制御する
    制御手段を備えたことを特徴とする半導体基板ポリッシ
    ング装置。
  6. 【請求項６】 研磨クロスが張り付けられたターンテー
    ブル上に設けられた回転自在のトップリングに予め温度
    調整機構を設けておき、 前記トップリングにおける半導体基板との接触面の温度
    分布を前記温度調整機構により制御し、 前記研磨クロス上面に半導体基板を前記トップリングに
    より押圧して該半導体基板の接触面を研磨することを特
    徴とする半導体基板ポリッシング方法。
  7. 【請求項７】 前記トップリングに設けられる温度調整
    機構は、トップリングにおける半導体基板との接触面に
    対して同心円状に複数列のヒータを埋設して構成され、 前記各ヒータ毎に独立して電流を供給して各ヒータの発
    熱量を調整し、 前記研磨クロス上面に半導体基板を前記トップリングに
    より押圧して該半導体基板の接触面を研磨することを特
    徴とする請求項６記載の半導体基板ポリッシング方法。
  8. 【請求項８】 前記トップリングに設けられる温度調整
    機構は、前記トップリングにおける半導体基板との接触
    面に対して同心円状に複数列の水路を形成して構成さ
    れ、 前記各水路毎に独立して温調液を供給して各水路毎に前
    記トップリングに対する吸／発熱量を調整し、 前記研磨クロス上面に半導体基板を前記トップリングに
    より押圧して該半導体基板の接触面を研磨することを特
    徴とする請求項６記載の半導体基板ポリッシング方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6638141B2 (en) 2001-07-06 2003-10-28 Nec Electronics Corporation Method and apparatus for chemical-mechanical polishing
JP2013536580A (ja) * 2010-08-11 2013-09-19 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 研磨中の温度制御のための装置および方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6638141B2 (en) 2001-07-06 2003-10-28 Nec Electronics Corporation Method and apparatus for chemical-mechanical polishing
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