CN219945748U - 一种用于cmp设备的电化学机械抛光及平坦化系统 - Google Patents

一种用于cmp设备的电化学机械抛光及平坦化系统 Download PDF

Info

Publication number
CN219945748U
CN219945748U CN202222961433.6U CN202222961433U CN219945748U CN 219945748 U CN219945748 U CN 219945748U CN 202222961433 U CN202222961433 U CN 202222961433U CN 219945748 U CN219945748 U CN 219945748U
Authority
CN
China
Prior art keywords
polishing
power supply
electrode
heads
conductive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202222961433.6U
Other languages
English (en)
Inventor
张明琦
周远鹏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hangzhou Zhonggui Electronic Technology Co ltd
Original Assignee
Hangzhou Zhonggui Electronic Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hangzhou Zhonggui Electronic Technology Co ltd filed Critical Hangzhou Zhonggui Electronic Technology Co ltd
Priority to CN202222961433.6U priority Critical patent/CN219945748U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN219945748U publication Critical patent/CN219945748U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

本实用新型公开了一种用于CMP设备的电化学机械抛光及平坦化系统,包括供电源,有第一、第二电极;抛光头,连接于转动支架,分别与供电源的第一电极连接,有导电性;抛光台,可旋转,对应设于转动支架下方,有导电化学液,分别与供电源的第二电极连接;切换单元,在转动支架带动抛光头旋转,用于切换抛光头和抛光台之间的电连接关系,以在第二电极、抛光台、导电化学液、导电型晶圆衬底、抛光头、第一电极之间形成通电回路,在导电型晶圆衬底的抛光面形成电化学反应层;抛光头带动导电型晶圆衬底相对抛光台活动,对电化学反应层化学机械抛光。本实用新型衬底材料去除率、抛光/平坦化速度提高,运营成本降低;适用于抛光头与抛光台数量不一致设备。

Description

一种用于CMP设备的电化学机械抛光及平坦化系统
技术领域
本实用新型属于半导体加工技术领域,尤其是涉及一种半导体加工设备中晶圆衬底电化学抛光时电源的切换与控制的方法,具体是一种用于CMP设备的电化学机械抛光及平坦化系统。
背景技术
在目前的半导体集成电路芯片制造流程中,化学机械平坦化(CMP)是其中一项重要的工艺步骤。将晶圆衬底置于抛光头和抛光垫之间,同时旋转抛光头和抛光垫,利用抛光垫表面沟槽中的抛光液对晶圆衬底表面进行腐蚀,同时具有一定粗糙度的抛光垫表面对其进行研磨,从而实现化学机械平坦化的过程。
当前的抛光工艺主要通过调整工艺来缩短抛光时间,提升抛光效率。如依靠提升研磨时抛光盘表面的温度来增加化学液的腐蚀速度,温度较高时难以保证温度的均匀性,因此会使抛光的晶圆衬底表面一致性较差。另外一种方式是增加晶圆衬底与抛光垫之间的压力来提升二者之间的摩擦力,进而提升机械研磨效率,但这种方法通常效果有限。尤其是对于一些硬度较高的新型半导体材料如碳化硅等,现有的抛光技术仅仅依靠化学腐蚀和机械研磨的方式,抛光速度慢,效率低。而电化学抛光技术可以加速晶圆衬底材料表面的腐蚀速度,可以大大提升碳化硅等材料的抛光效率。
现有的一些CMP设备,存在所需要工作的抛光头和抛光盘的数量不一致的情况,根据抛光的工艺来切换实际使用的抛光头。因此使用电化学方式抛光时,需要具有灵活的电源系统,来保证抛光头在切换过程中电路的畅通性。
实用新型内容
为了克服现有技术的不足,本实用新型提供一种在抛光头切换时保证抛光头和抛光台始终处于同一回路的电流下工作,便于多个抛光头同时工作的用于CMP设备的电化学机械抛光及平坦化系统。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种用于CMP设备的电化学机械抛光及平坦化系统,包括:
供电源,具有第一电极和第二电极;
抛光头,其连接于转动支架,且分别与供电源的第一电极连接,并具有导电性;
抛光台,可绕着自身轴心旋转,其对应设于转动支架的下方,带有导电化学液,且分别与供电源的第二电极连接;
切换单元,在转动支架带动抛光头旋转时,用于切换抛光头和抛光台之间的电连接关系,以在第二电极、抛光台、导电化学液、导电型晶圆衬底、抛光头、第一电极之间形成通电回路,在导电型晶圆衬底的抛光面形成电化学反应层;
所述抛光头可带动导电型晶圆衬底相对抛光台活动,以实现对电化学反应层的化学机械抛光。
进一步的,所述抛光头的数量与抛光台的数量不相等。
进一步的,所述抛光头的数量大于抛光台的数量,以在抛光台所在平面设置载片台。
进一步的,所述切换单元设于供电源的第一电极和抛光头之间,所述供电源的数量与抛光台的数量相同。
进一步的,所述切换单元包括第一部体和第二部体,所述第一部体设有与抛光台数量相同的第一导电触点,该第一导电触点与第一电极连接;所述第二部体设有与抛光头数量相同的第二导电触点,该第二导电触点与第二电极连接抛光头连接,且第二部体可随抛光头同步转动。
进一步的,所述导电触点为金属触点。
进一步的,所述切换单元设于供电源的第二电极和抛光台之间,所述供电源的数量与抛光头的数量相同。
进一步的,所述切换单元包括角度传感器,及与抛光头数量对应的电源切换器,所述抛光头与供电源、电源切换器一一对应连接,当角度传感器获取上下对应的抛光头和抛光台位置时,电源切换器连通对应的抛光头和供电源。
进一步的,所述电源切换器为与抛光头数量对应的继电器开关,或者为一个多掷开关。
进一步的,所述抛光台上表面设有抛光垫,其具有贯穿厚度方向的孔洞,该孔洞内容置有导电化学液。
进一步的,所述抛光台的数量为三个,所述抛光头的数量为四个,所述转动支架为十字支架。
本实用新型的有益效果是,1)电化学机械抛光导电型晶圆衬底,相较于机械抛光或常规化学机械抛光/平坦化,引入晶圆衬底表面电化学反应,衬底材料去除率、抛光/平坦化速度显著提高,设备运营成本显著降低;2)特别适用于抛光头与抛光台数量不一致的CMP设备,使每个抛光台上的晶圆衬底都取得到有效的电化学抛光效果;3)切换单元根据实际工作情况及时切换电源通路,保证抛光头和抛光台始终保持在同一路电流下;4)切换单元带有互锁功能,保证不会出现单个抛光头连接多个电源或单个电源连接多个抛光头的情况,保证设备的安全;5)电源系统使用36V以下安全电压,为CMP设备提供电化学抛光功能,保证人体接触的安全性。
附图说明
图1为本实用新型中抛光头和抛光台的配合结构示意图。
图2为本实用新型实施例一的原理示意图。
图3为本实用新型实施例一中切换单元的示意图.
图4为本实用新型实施例一中抛光垫的俯视图。
图5为本实用新型实施例一中抛光垫的剖视图。
图6为本实用新型实施例二的原理示意图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好的理解本实用新型方案,下面将结合本实用新型实施例中的附图,对实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都应当属于本实用新型保护的范围。
一种用于CMP设备的电化学机械抛光及平坦化系统,包括具有第一电极11和第二电极12的供电源1,具有导电性的抛光头2,抛光台3,及切换单元4。
所有的抛光头2连接在转动支架21上,且分别与供电源1的第一电极11连接。抛光台3对应设置在转动支架21的下方,带有导电化学液,且分别与供电源1的第二电极12连接。在本实施例中,抛光头2和抛光台3的数量不相等,当然在其他实施例中,两者的数量也可以相等。
在转动支架21带动所有抛光头2同步旋转时,切换单元4用于切换连通上下对应的抛光头2和抛光台3,即切换抛光头2和抛光台3之间的电连接关系,从而在第二电极12、抛光台3、导电化学液、导电型晶圆衬底(图中未示出)、抛光头2、第一电极11之间形成通电回路,在导电型晶圆衬底的抛光面形成电化学反应层。上述电化学反应层的生成原理为现有技术,不再赘述。
抛光头2带动导电型晶圆衬底相对抛光台3活动,从而实现对电化学反应层的化学机械抛光。上述电化学反应层的生成和化学机械抛光的两个步骤可以同时进行,也可以先后进行,具体不作限制。
实施例一
如图1所示,抛光头2的数量大于抛光台3的数量,具体相差的数量不作限制。在本实施例中,抛光头2的数量为四个,所有抛光头2连接在转动支架21上,转动支架21为十字支架,因此相邻抛光头2之间的圆心角为90°。抛光台3的数量为三个,从而在抛光台3所在平面可以设置载片台,具体的,可以是三个抛光台3和一个载片台沿着周向均匀间隔布设,相邻抛光台3之间的圆心角为90°。
如图2所示,切换单元4设置在供电源1的第一电极11和抛光头2之间,供电源1的第二电极12与抛光台3连接。供电源1的数量与抛光台3的数量相同,也为三个。
如图3所示,切换单元4包括第一部体41和第二部体42,第一部体41的下表面设置有第一导电触点411,其数量与抛光台3的数量相同,也为三个,且三个第一导电触点411分别与三个供电源1的第一电极11连接。第二部体42的上表面设置有第二导电触点421,其数量与抛光头2的数量相同,也为四个,且四个第二导电触点421分别与供电源1和四个抛光头2连接。上述第一导电触点411和第二导电触点421可以是金属触点。第一部体41的位置相对固定,具体的固定方式不作限制,第二部体42可以随着抛光头2同步转动,具体的实现方式不作限制。
在抛光台2的上表面设置有抛光垫31,如图4、图5所示,其具有贯穿厚度方向的多个孔洞311,其半径R≥3mm。孔洞311内容置有导电化学液,孔洞311的总面积占抛光垫31面积的5-70%。
本实用新型中抛光头2和抛光台3的数量不相等,每个抛光头2和抛光台3具有编号,与抛光台3相对应的三个抛光头2处于工作状态,另一个抛光头2处于待命状态。四个抛光头2固定于同一个十字转动支架21上,十字转动支架21可带动四个抛光头2旋转,从而切换实际工作的抛光头2,实现不同的抛光工艺。十字转动支架21的旋转轴211上具有角度传感器,结合抛光头2的编号,可以记录每个抛光头2的位置。
处于工作状态的三个抛光头2时刻与对应的抛光台3处于同一电流回路中。抛光工艺开始后,抛光台3上抛光垫31的孔洞311中布满导电的抛光液,使电路完全导通,电化学腐蚀作用于导电型晶圆衬底,结合机械研磨,加速导电型晶圆衬底的抛光速度。因工艺的需要,抛光头2的位置需要切换,抛光头2位置切换之后,由于切换单元4位于抛光头2端的三个第一导电触点411位置始终固定与抛光台3对应,因此抛光头2切换位置之后,仍然保持处于工作状态时的另外三个抛光头2与正下方的三个抛光台3处于同一电流回路中。
实施例二
如图6所示,切换单元4设置在供电源1的第二电极12和抛光台3之间,供电源1的数量与抛光头2的数量相同,均为四个,抛光台3的数量为三个。
切换单元4包括角度传感器,及与抛光头2数量对应的电源切换器43,抛光头2与供电源1、电源切换器43一对一对应连接。当角度传感器获取上下对应的抛光头2和抛光台3位置时,电源切换器43连通对应的抛光头2和供电源1,电源切换器43具有互锁功能,使得单个抛光头2同时最多只能连接单个供电源1和单个供电源1同时最多只能连接一个抛光头2。上述互锁功能为现有技术可以实现,不再赘述。
电源切换器43为与抛光头2数量对应的继电器开关,或者为一个多掷开关。
一个电压最高为36V的四通道供电源1(或为两个二通道供电源或为四个单通道供电源)每个电流通道的第一电极11分别连接不同的抛光头2,第二电极12并联三个电源切换器43,上述电源切换器43和角度传感器组成切换单元4,电源切换器43可由四个继电器开关或一个四掷开关组成。每个抛光台3用导线分别连接一个电源切换器43。十字转动支架21经过旋转调整好抛光头2的位置后,通过角度传感器将每个抛光头2的位置反馈给电源控制器,电源控制器通过电源切换器43接通位于每个抛光台3正上方的抛光头1上的电路,且每组抛光台3和抛光头1处于同一电流回路中。
抛光工艺开始后,抛光台3的抛光垫31孔洞311中布满导电的抛光液,使电路完全导通,电化学腐蚀作用于导电型晶圆衬底,结合机械研磨,加速导电型晶圆衬底的抛光速度。因工艺的需要,抛光头1的位置需要旋转切换,此时电源切换器43断开所有电路,抛光头1位置切换之后,重新根据每个抛光头1的位置,接通不同的电源通道。
上述具体实施方式用来解释说明本实用新型,而不是对本实用新型进行限制,在本实用新型的精神和权利要求的保护范围内,对本实用新型作出的任何修改和改变,都落入本实用新型的保护范围。

Claims (11)

1.一种用于CMP设备的电化学机械抛光及平坦化系统,其特征在于,包括:
供电源(1),具有第一电极(11)和第二电极(12);
抛光头(2),其连接于转动支架(21),且分别与供电源(1)的第一电极(11)连接,并具有导电性;
抛光台(3),可绕着自身轴心旋转,其对应设于转动支架(21)的下方,带有导电化学液,且分别与供电源的第二电极(12)连接;
切换单元(4),在转动支架(21)带动抛光头(2)旋转时,用于切换抛光头(2)和抛光台(3)之间的电连接关系,以在第二电极(12)、抛光台(3)、导电化学液、导电型晶圆衬底、抛光头(2)、第一电极(11)之间形成通电回路,在导电型晶圆衬底的抛光面形成电化学反应层;
所述抛光头(2)可带动导电型晶圆衬底相对抛光台活动,以实现对电化学反应层的化学机械抛光。
2.根据权利要求1所述的用于CMP设备的电化学机械抛光及平坦化系统,其特征在于:所述抛光头(2)的数量与抛光台(3)的数量不相等。
3.根据权利要求1所述的用于CMP设备的电化学机械抛光及平坦化系统,其特征在于:所述抛光头(2)的数量大于抛光台(3)的数量,以在抛光台(3)所在平面设置载片台。
4.根据权利要求1所述的用于CMP设备的电化学机械抛光及平坦化系统,其特征在于:所述切换单元设于供电源(1)的第一电极(11)和抛光头(2)之间,所述供电源(1)的数量与抛光台(3)的数量相同。
5.根据权利要求1或4所述的用于CMP设备的电化学机械抛光及平坦化系统,其特征在于:所述切换单元(4)包括第一部体(41)和第二部体(42),所述第一部体(41)设有与抛光台(3)数量相同的第一导电触点(411),该第一导电触点(411)与第一电极(11)连接;所述第二部体(42)设有与抛光头(2)数量相同的第二导电触点(421),该第二导电触点(421)与抛光头(2)连接,且第二部体(42)可随抛光头(2)同步转动。
6.根据权利要求5所述的用于CMP设备的电化学机械抛光及平坦化系统,其特征在于:所述导电触点为金属触点。
7.根据权利要求1所述的用于CMP设备的电化学机械抛光及平坦化系统,其特征在于:所述切换单元(4)设于供电源(1)的第二电极(12)和抛光台(3)之间,所述供电源(1)的数量与抛光头(2)的数量相同。
8.根据权利要求1或7所述的用于CMP设备的电化学机械抛光及平坦化系统,其特征在于:所述切换单元(4)包括角度传感器,及与抛光头(2)数量对应的电源切换器(43),所述抛光头(2)与供电源(1)、电源切换器(43)一一对应连接,当角度传感器获取上下对应的抛光头(2)和抛光台(3)位置时,电源切换器(43)连通对应的抛光头(2)和供电源(1)。
9.根据权利要求8所述的用于CMP设备的电化学机械抛光及平坦化系统,其特征在于:所述电源切换器(43)为与抛光头(2)数量对应的继电器开关,或者为一个多掷开关。
10.根据权利要求1所述的用于CMP设备的电化学机械抛光及平坦化系统,其特征在于:所述抛光台(3)上表面设有抛光垫(31),其具有贯穿厚度方向的孔洞(311),该孔洞(311)内容置有导电化学液。
11.根据权利要求1或3所述的用于CMP设备的电化学机械抛光及平坦化系统,其特征在于:所述抛光台(3)的数量为三个,所述抛光头(2)的数量为四个,所述转动支架(21)为十字支架。
CN202222961433.6U 2022-11-03 2022-11-03 一种用于cmp设备的电化学机械抛光及平坦化系统 Active CN219945748U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202222961433.6U CN219945748U (zh) 2022-11-03 2022-11-03 一种用于cmp设备的电化学机械抛光及平坦化系统

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202222961433.6U CN219945748U (zh) 2022-11-03 2022-11-03 一种用于cmp设备的电化学机械抛光及平坦化系统

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN219945748U true CN219945748U (zh) 2023-11-03

Family

ID=88535909

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202222961433.6U Active CN219945748U (zh) 2022-11-03 2022-11-03 一种用于cmp设备的电化学机械抛光及平坦化系统

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN219945748U (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024094145A1 (zh) * 2022-11-03 2024-05-10 杭州众硅电子科技有限公司 一种用于cmp设备的电化学机械抛光及平坦化系统

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024094145A1 (zh) * 2022-11-03 2024-05-10 杭州众硅电子科技有限公司 一种用于cmp设备的电化学机械抛光及平坦化系统

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6802955B2 (en) Method and apparatus for the electrochemical deposition and planarization of a material on a workpiece surface
KR20010091952A (ko) 반도체 소자의 제조 및 연마 방법, 및 연마 장치
US7232760B2 (en) Method for producing semiconductor device, polishing apparatus, and polishing method
KR100315722B1 (ko) 기판표면을평탄화하기위한연마기
KR100488301B1 (ko) 벨트형 연마패드를 이용한 평탄면연마방법 및 장치
CN219945748U (zh) 一种用于cmp设备的电化学机械抛光及平坦化系统
JP2004526585A (ja) 研磨装置および研磨方法
JP2002254248A (ja) 電解加工装置
US7201828B2 (en) Planar plating apparatus
US6576552B2 (en) Method for polishing semiconductor device
US20050221608A1 (en) Method for manufacturing semiconductor device and apparatus for manufacturing thereof
CN118024133A (zh) 一种用于cmp设备的电化学机械抛光及平坦化系统
CN219945750U (zh) 应用于导电型晶圆衬底的电化学机械抛光及平坦化设备
KR20040072343A (ko) 씨엠피 설비의 패드 컨디셔너
CN219945749U (zh) 一种处理导电型晶圆衬底的电化学机械抛光及平坦化设备
US20020016136A1 (en) Conditioner for polishing pads
JPH11262854A (ja) 精密研磨装置および該精密研磨装置を用いた精密研磨方法
US7025860B2 (en) Method and apparatus for the electrochemical deposition and removal of a material on a workpiece surface
US6506099B1 (en) Driving a carrier head in a wafer polishing system
KR20060038740A (ko) 화학기계적 연마장치 및 이 장치를 이용한 연마 방법
EP4364890A1 (en) Electrochemical mechanical polishing and planarization equipment for processing conductive wafer substrate
KR100791907B1 (ko) 연마 장치
KR100508863B1 (ko) 화학기계적 연마장치
CN117984221A (zh) 一种处理导电型晶圆衬底的电化学机械抛光及平坦化设备
KR19980031014A (ko) 씨.엠.피 장치 및 그를 이용한 평탄화 방법

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant