JPH11121265A - 薄膜磁気素子の製造方法 - Google Patents
薄膜磁気素子の製造方法Info
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- JPH11121265A JPH11121265A JP9285012A JP28501297A JPH11121265A JP H11121265 A JPH11121265 A JP H11121265A JP 9285012 A JP9285012 A JP 9285012A JP 28501297 A JP28501297 A JP 28501297A JP H11121265 A JPH11121265 A JP H11121265A
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- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、インダクタ構造を有する薄膜磁気素
子において、素子の特性を向上できるようにすることを
最も主要な特徴とする。 【解決手段】たとえば、磁界中での熱処理を施す前に、
ウェーハ上に成膜された磁性体膜１３を、磁界の向きと
平行な方向の長さが、磁界の向きと直交する方向の長さ
よりも長くなるようにパターニングし、それぞれ短冊状
の磁性体膜１３ａに分割する。この後、磁界中での熱処
理を行って、短冊状の磁性体膜１３ａのそれぞれに一軸
磁気異方性を付与する。そして、一軸磁気異方性が付与
された短冊状の磁性体膜１３ａ´をさらにパターニング
し、チップサイズの磁性体膜１３´にそれぞれ分割す
る。こうして、短冊状にパターニングされた磁性体膜１
３ａに対して、磁界中での熱処理を施すことにより、ク
ラックやブリスタの発生を抑えつつ、磁気特性の悪化を
改善するようになっている。
子において、素子の特性を向上できるようにすることを
最も主要な特徴とする。 【解決手段】たとえば、磁界中での熱処理を施す前に、
ウェーハ上に成膜された磁性体膜１３を、磁界の向きと
平行な方向の長さが、磁界の向きと直交する方向の長さ
よりも長くなるようにパターニングし、それぞれ短冊状
の磁性体膜１３ａに分割する。この後、磁界中での熱処
理を行って、短冊状の磁性体膜１３ａのそれぞれに一軸
磁気異方性を付与する。そして、一軸磁気異方性が付与
された短冊状の磁性体膜１３ａ´をさらにパターニング
し、チップサイズの磁性体膜１３´にそれぞれ分割す
る。こうして、短冊状にパターニングされた磁性体膜１
３ａに対して、磁界中での熱処理を施すことにより、ク
ラックやブリスタの発生を抑えつつ、磁気特性の悪化を
改善するようになっている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、薄膜磁気素子の
製造方法に関するもので、特に、インダクタ構造を有す
る薄膜磁気素子などに用いられるものである。
製造方法に関するもので、特に、インダクタ構造を有す
る薄膜磁気素子などに用いられるものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、たとえばインダクタ構造を有する
薄膜磁気素子の製造において、磁性体膜に一軸磁気異方
性を付与する場合、一般には、ウェーハ上に磁性体膜を
成膜した後に、磁界中での熱処理を施す方法が用いられ
ている。この方法の場合、たとえば図４に示すように、
直径が１００ｍｍ以上のＳｉウェーハ１上に、ＳｉＯ2
またはＳｉＮからなる絶縁膜２を介して、数μｍ厚の磁
性体膜（ＦｅＣｏＢＣ）３を成膜した場合には、磁性体
膜３の厚さとＳｉウェーハ１のサイズとの間には４桁以
上の寸法比があるため、これにより磁性体膜３での反磁
界が抑えられる結果、磁性体膜３に対して、外部の磁界
が有効に加えられることになる。
薄膜磁気素子の製造において、磁性体膜に一軸磁気異方
性を付与する場合、一般には、ウェーハ上に磁性体膜を
成膜した後に、磁界中での熱処理を施す方法が用いられ
ている。この方法の場合、たとえば図４に示すように、
直径が１００ｍｍ以上のＳｉウェーハ１上に、ＳｉＯ2
またはＳｉＮからなる絶縁膜２を介して、数μｍ厚の磁
性体膜（ＦｅＣｏＢＣ）３を成膜した場合には、磁性体
膜３の厚さとＳｉウェーハ１のサイズとの間には４桁以
上の寸法比があるため、これにより磁性体膜３での反磁
界が抑えられる結果、磁性体膜３に対して、外部の磁界
が有効に加えられることになる。
【０００３】しかしながら、磁性体膜３は応力が大きい
ため、たとえば図５に示すように、磁性体膜３と、その
下地層（ウェーハまたは絶縁膜）４との間の、熱処理に
ともなう応力の差が原因で、熱処理後の磁性体膜３´に
クラック５が生じやすいという問題があった。クラック
５の発生は、その後のパターニングによって磁性体膜３
´をチップサイズに分割した際の、歩留まりを悪くす
る。
ため、たとえば図５に示すように、磁性体膜３と、その
下地層（ウェーハまたは絶縁膜）４との間の、熱処理に
ともなう応力の差が原因で、熱処理後の磁性体膜３´に
クラック５が生じやすいという問題があった。クラック
５の発生は、その後のパターニングによって磁性体膜３
´をチップサイズに分割した際の、歩留まりを悪くす
る。
【０００４】また、熱処理時に下地層４から脱ガスが発
生するような場合には、発生したガスが磁性体膜３´に
よって閉じ込められることになるため、下地層４からの
磁性体膜３´の剥がれ（ブリスタ）を招くという問題も
あった。
生するような場合には、発生したガスが磁性体膜３´に
よって閉じ込められることになるため、下地層４からの
磁性体膜３´の剥がれ（ブリスタ）を招くという問題も
あった。
【０００５】このような問題を解決する方法として、た
とえば図６に示すように、Ｓｉウェーハ１上に絶縁膜２
を介して成膜された磁性体膜３を、あらかじめチップサ
イズに分割した後に、磁界中での熱処理を実施する方法
が考え出されている。この方法の場合、磁性体膜３を熱
処理前にパターニングすることで、応力を緩和できるよ
うになるため、クラックの発生を防止できる。また、下
地層４が露出する部分からガスが放出されることによ
り、ブリスタの発生も抑えられる。
とえば図６に示すように、Ｓｉウェーハ１上に絶縁膜２
を介して成膜された磁性体膜３を、あらかじめチップサ
イズに分割した後に、磁界中での熱処理を実施する方法
が考え出されている。この方法の場合、磁性体膜３を熱
処理前にパターニングすることで、応力を緩和できるよ
うになるため、クラックの発生を防止できる。また、下
地層４が露出する部分からガスが放出されることによ
り、ブリスタの発生も抑えられる。
【０００６】しかしながら、磁界の向きに平行な方向に
対して、磁性体膜３が短く分断されることによって、熱
処理後の磁性体膜３´での磁気特性が悪化するという問
題があった。
対して、磁性体膜３が短く分断されることによって、熱
処理後の磁性体膜３´での磁気特性が悪化するという問
題があった。
【０００７】一般に、磁性体膜３は、パターニングした
ときの短辺（磁界の向きに直交する方向の長さ）と長辺
（磁界の向きと平行な方向の長さ）との比が大きいほう
が、一軸磁気異方性を付与した際の磁気特性に優れるこ
とが知られている。
ときの短辺（磁界の向きに直交する方向の長さ）と長辺
（磁界の向きと平行な方向の長さ）との比が大きいほう
が、一軸磁気異方性を付与した際の磁気特性に優れるこ
とが知られている。
【０００８】ところが、ウェーハ１上の磁性体膜３を数
ｍｍ角程度の大きさに分割した場合においては、磁性体
膜３の厚さと寸法との比が３桁程度となるため、磁性体
膜３での反磁界が大きくなる。この結果、外部の磁界が
弱められて、磁界中での熱処理による、磁性体膜３に対
する一軸磁気異方性の付与が不十分になる。
ｍｍ角程度の大きさに分割した場合においては、磁性体
膜３の厚さと寸法との比が３桁程度となるため、磁性体
膜３での反磁界が大きくなる。この結果、外部の磁界が
弱められて、磁界中での熱処理による、磁性体膜３に対
する一軸磁気異方性の付与が不十分になる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
においては、磁界中での熱処理を施す前に、磁性体膜を
チップサイズに分割することにより、クラックやブリス
タの発生を抑制できるものの、この方法の場合、磁界中
での熱処理による、磁性体膜に対する一軸磁気異方性の
付与が不十分になるという不具合があった。
においては、磁界中での熱処理を施す前に、磁性体膜を
チップサイズに分割することにより、クラックやブリス
タの発生を抑制できるものの、この方法の場合、磁界中
での熱処理による、磁性体膜に対する一軸磁気異方性の
付与が不十分になるという不具合があった。
【００１０】そこで、この発明は、クラックやブリスタ
の発生を防止できるとともに、磁気特性の悪化を改善す
ることが可能な薄膜磁気素子の製造方法を提供すること
を目的としている。
の発生を防止できるとともに、磁気特性の悪化を改善す
ることが可能な薄膜磁気素子の製造方法を提供すること
を目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明の薄膜磁気素子の製造方法にあっては、
半導体基板上に形成された磁性体膜に磁界中での熱処理
を施す前に、前記磁性体膜を前記磁界と平行な方向の長
さが、前記磁界と直交する方向の長さよりも長くなるよ
うにパターニングする第一の工程と、前記パターニング
後に、前記磁性体膜に対して、磁界中で熱処理を施すこ
とにより、前記磁性体膜に一軸磁気異方性を付与する第
二の工程と、前記熱処理後に、前記磁性体膜を細分化す
る第三の工程とからなっている。
めに、この発明の薄膜磁気素子の製造方法にあっては、
半導体基板上に形成された磁性体膜に磁界中での熱処理
を施す前に、前記磁性体膜を前記磁界と平行な方向の長
さが、前記磁界と直交する方向の長さよりも長くなるよ
うにパターニングする第一の工程と、前記パターニング
後に、前記磁性体膜に対して、磁界中で熱処理を施すこ
とにより、前記磁性体膜に一軸磁気異方性を付与する第
二の工程と、前記熱処理後に、前記磁性体膜を細分化す
る第三の工程とからなっている。
【００１２】また、この発明の薄膜磁気素子の製造方法
にあっては、半導体基板上に形成された磁性体膜に磁界
中での熱処理を施す前に、前記磁性体膜を前記磁界と平
行な方向にのみパターニングする第一の工程と、前記パ
ターニング後に、前記磁性体膜に対して、磁界中で熱処
理を施すことにより、前記磁性体膜に一軸磁気異方性を
付与する第二の工程と、前記熱処理後に、前記磁性体膜
を前記磁界と直交する方向にパターニングして細分化す
る第三の工程とからなっている。
にあっては、半導体基板上に形成された磁性体膜に磁界
中での熱処理を施す前に、前記磁性体膜を前記磁界と平
行な方向にのみパターニングする第一の工程と、前記パ
ターニング後に、前記磁性体膜に対して、磁界中で熱処
理を施すことにより、前記磁性体膜に一軸磁気異方性を
付与する第二の工程と、前記熱処理後に、前記磁性体膜
を前記磁界と直交する方向にパターニングして細分化す
る第三の工程とからなっている。
【００１３】この発明の薄膜磁気素子の製造方法によれ
ば、磁界中での熱処理を施す前に磁性体膜をパターニン
グするようにした場合にも、磁性体膜での反磁界を小さ
くできるようになる。これにより、クラックやブリスタ
の発生を抑えつつ、しかも、磁性体膜に対して、一軸磁
気異方性を十分に付与することが可能となるものであ
る。
ば、磁界中での熱処理を施す前に磁性体膜をパターニン
グするようにした場合にも、磁性体膜での反磁界を小さ
くできるようになる。これにより、クラックやブリスタ
の発生を抑えつつ、しかも、磁性体膜に対して、一軸磁
気異方性を十分に付与することが可能となるものであ
る。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。図１は、本発明の実施の
一形態にかかる、インダクタ構造を有する薄膜磁気素子
の概略構成を示すものである。なお、同図（ａ）は素子
の平面図であり、同図（ｂ）は図（ａ）の１Ｂ−１Ｂ線
に沿う断面図である。
いて図面を参照して説明する。図１は、本発明の実施の
一形態にかかる、インダクタ構造を有する薄膜磁気素子
の概略構成を示すものである。なお、同図（ａ）は素子
の平面図であり、同図（ｂ）は図（ａ）の１Ｂ−１Ｂ線
に沿う断面図である。
【００１５】すなわち、この薄膜磁気素子は、たとえ
ば、直径が１００ｍｍ以上とされたＳｉウェーハより数
ｍｍ角程度の大きさ（チップサイズ）に切り出された基
板１１の表面に、ＳｉＯ2 またはＳｉＮからなる絶縁膜
１２を介して、数μｍ厚の磁性体膜１３´が設けられて
なる構成とされている。
ば、直径が１００ｍｍ以上とされたＳｉウェーハより数
ｍｍ角程度の大きさ（チップサイズ）に切り出された基
板１１の表面に、ＳｉＯ2 またはＳｉＮからなる絶縁膜
１２を介して、数μｍ厚の磁性体膜１３´が設けられて
なる構成とされている。
【００１６】また、その磁性体膜１３´の上部には、ポ
リイミド膜１４を介して、金属細線をうず状（または、
長方形ダブルスパイラル形状）に配設してなるコイル層
１５が配置されている。
リイミド膜１４を介して、金属細線をうず状（または、
長方形ダブルスパイラル形状）に配設してなるコイル層
１５が配置されている。
【００１７】さらに、上記ポリイミド膜１４を介して、
数μｍ厚の磁性体膜１６が設けられるとともに、この磁
性体膜１６の表面を覆うようにしてパシベーション膜１
７が形成されている。
数μｍ厚の磁性体膜１６が設けられるとともに、この磁
性体膜１６の表面を覆うようにしてパシベーション膜１
７が形成されている。
【００１８】次に、上記した構成の薄膜磁気素子の製造
方法について、簡単に説明する。図２は、磁性体膜に一
軸磁気異方性を付与するための、処理の流れを概略的に
示すものである。なお、ここでは、直径が１００ｍｍ以
上とされたＳｉウェーハ上に、絶縁膜を介して、スパッ
タリング法により数μｍ厚の磁性体膜（ＦｅＣｏＢＣ）
１３が成膜されている場合を例に説明する（同図（ａ）
参照）。
方法について、簡単に説明する。図２は、磁性体膜に一
軸磁気異方性を付与するための、処理の流れを概略的に
示すものである。なお、ここでは、直径が１００ｍｍ以
上とされたＳｉウェーハ上に、絶縁膜を介して、スパッ
タリング法により数μｍ厚の磁性体膜（ＦｅＣｏＢＣ）
１３が成膜されている場合を例に説明する（同図（ａ）
参照）。
【００１９】まず、通常のフォトリソグラフィ技術によ
り、上記磁性体膜１３上に、熱処理時の磁界の向きと平
行な方向の長さが、その磁界の向きと直交する方向の長
さよりも長い、短冊状のレジストパターンを形成する。
そして、そのレジストパターンをマスクにエッチング処
理を行って、上記磁性体膜１３を、磁界の向きと平行な
方向の長さが、磁界の向きと直交する方向の長さよりも
長い、短冊状の磁性体膜１３ａにそれぞれ分割する（同
図（ｂ）参照）。
り、上記磁性体膜１３上に、熱処理時の磁界の向きと平
行な方向の長さが、その磁界の向きと直交する方向の長
さよりも長い、短冊状のレジストパターンを形成する。
そして、そのレジストパターンをマスクにエッチング処
理を行って、上記磁性体膜１３を、磁界の向きと平行な
方向の長さが、磁界の向きと直交する方向の長さよりも
長い、短冊状の磁性体膜１３ａにそれぞれ分割する（同
図（ｂ）参照）。
【００２０】この場合、上記レジストパターンの形成
は、全面に略均一の厚さで形成されたレジスト膜を、一
部のダイシングラインに沿って、短冊状にパターニング
することで行われる。
は、全面に略均一の厚さで形成されたレジスト膜を、一
部のダイシングラインに沿って、短冊状にパターニング
することで行われる。
【００２１】たとえば、熱処理時の磁界の向きと平行な
方向においては、横方向のダイシングラインのすべてに
対応させて、また、磁界の向きと直交する方向において
は、縦方向のダイシングラインの数本（この例では１
本）ごとに、それぞれレジスト膜をエッチングすること
で、短冊状のレジストパターンを形成できる。
方向においては、横方向のダイシングラインのすべてに
対応させて、また、磁界の向きと直交する方向において
は、縦方向のダイシングラインの数本（この例では１
本）ごとに、それぞれレジスト膜をエッチングすること
で、短冊状のレジストパターンを形成できる。
【００２２】この後、磁界中での熱処理を行って、短冊
状の磁性体膜１３ａのそれぞれに一軸磁気異方性を付与
する（同図（ｃ）参照）。その際、ウェーハ上に成膜さ
れた磁性体膜１３は熱処理前にあらかじめ短冊状の磁性
体膜１３ａに分割されているため、熱処理にともなう応
力を緩和でき、熱処理後の磁性体膜１３ａ´にクラック
が発生することはない。また、たとえ熱処理時に下地層
２１から脱ガスが発生したとしても、下地層２１が露出
する部分からガスが放出されることにより、ブリスタ
（剥がれ）が生じることもない。
状の磁性体膜１３ａのそれぞれに一軸磁気異方性を付与
する（同図（ｃ）参照）。その際、ウェーハ上に成膜さ
れた磁性体膜１３は熱処理前にあらかじめ短冊状の磁性
体膜１３ａに分割されているため、熱処理にともなう応
力を緩和でき、熱処理後の磁性体膜１３ａ´にクラック
が発生することはない。また、たとえ熱処理時に下地層
２１から脱ガスが発生したとしても、下地層２１が露出
する部分からガスが放出されることにより、ブリスタ
（剥がれ）が生じることもない。
【００２３】しかも、短冊状の磁性体膜１３ａの、たと
えば、磁界の向きと直交する方向の大きさをチップサイ
ズとし、かつ、磁界の向きと平行な方向の大きさをチッ
プサイズの２倍（２個分のチップサイズ）とした場合、
従来の磁性体膜を数ｍｍ角程度の大きさ（チップサイ
ズ）に分割した場合（図６参照）よりも、磁性体膜１３
ａの厚さと寸法との比を大きくできるため、その分、熱
処理後の磁性体膜１３ａ´での磁気特性を向上できる。
えば、磁界の向きと直交する方向の大きさをチップサイ
ズとし、かつ、磁界の向きと平行な方向の大きさをチッ
プサイズの２倍（２個分のチップサイズ）とした場合、
従来の磁性体膜を数ｍｍ角程度の大きさ（チップサイ
ズ）に分割した場合（図６参照）よりも、磁性体膜１３
ａの厚さと寸法との比を大きくできるため、その分、熱
処理後の磁性体膜１３ａ´での磁気特性を向上できる。
【００２４】すなわち、熱処理前の磁性体膜１３ａの、
磁界の向きと直交する方向の大きさ（短辺）と、磁界の
向きと平行な方向の大きさ（長辺）との比を大きくでき
る分だけ、磁性体膜１３ａでの反磁界を抑えることが可
能となり、外部の磁界をより有効に加えられるようにな
る。たとえば、磁界の向きと直交する方向の大きさと磁
界の向きと平行な方向の大きさとの比を１対２（長辺を
短辺の２倍）とした場合、反磁界は約１／２となる。こ
の結果、磁界中での熱処理による、磁性体膜１３ａに対
する一軸磁気異方性の付与が十分に可能となって、熱処
理後の磁性体膜１３ａ´での磁気特性を高めることがで
きる。
磁界の向きと直交する方向の大きさ（短辺）と、磁界の
向きと平行な方向の大きさ（長辺）との比を大きくでき
る分だけ、磁性体膜１３ａでの反磁界を抑えることが可
能となり、外部の磁界をより有効に加えられるようにな
る。たとえば、磁界の向きと直交する方向の大きさと磁
界の向きと平行な方向の大きさとの比を１対２（長辺を
短辺の２倍）とした場合、反磁界は約１／２となる。こ
の結果、磁界中での熱処理による、磁性体膜１３ａに対
する一軸磁気異方性の付与が十分に可能となって、熱処
理後の磁性体膜１３ａ´での磁気特性を高めることがで
きる。
【００２５】このようにして、磁界中での熱処理を施し
た後、一軸磁気異方性が付与された短冊状の磁性体膜１
３ａ´を、残りのダイシングライン（短冊状の磁性体膜
１３ａを形成する際に用いなかった縦方向のダイシング
ラインのいくつか）に沿ってパターニングし、チップサ
イズの磁性体膜１３´にそれぞれ分割する（同図（ｄ）
参照）。
た後、一軸磁気異方性が付与された短冊状の磁性体膜１
３ａ´を、残りのダイシングライン（短冊状の磁性体膜
１３ａを形成する際に用いなかった縦方向のダイシング
ラインのいくつか）に沿ってパターニングし、チップサ
イズの磁性体膜１３´にそれぞれ分割する（同図（ｄ）
参照）。
【００２６】しかる後、所定の工程を経た後、全ダイシ
ングラインに沿ってウェーハが切り出されることによ
り、図１に示した構成の、インダクタ構造を有する薄膜
磁気素子が形成される。
ングラインに沿ってウェーハが切り出されることによ
り、図１に示した構成の、インダクタ構造を有する薄膜
磁気素子が形成される。
【００２７】すなわち、磁性体膜１３´上にそれぞれポ
リイミド膜１４を形成した後、さらに、金属材料を形成
する。そして、その金属材料をうず状にパターニングし
て、金属細線からなるコイル層１５を個々に形成する。
また、このコイル層１５の周囲をポリイミド層１４で埋
め込んだ後、全面に磁性体膜１６を形成するとともに、
上記磁性体膜１３´の場合と同様にして一軸磁気異方性
を付与する。
リイミド膜１４を形成した後、さらに、金属材料を形成
する。そして、その金属材料をうず状にパターニングし
て、金属細線からなるコイル層１５を個々に形成する。
また、このコイル層１５の周囲をポリイミド層１４で埋
め込んだ後、全面に磁性体膜１６を形成するとともに、
上記磁性体膜１３´の場合と同様にして一軸磁気異方性
を付与する。
【００２８】この後、その磁性体膜１６の表面を覆うよ
うにしてパシベーション膜１７を形成する。そして、ウ
ェーハがチップ単位に分離されることで、上記したイン
ダクタ構造を有する複数の薄膜磁気素子が一括して得ら
れる。
うにしてパシベーション膜１７を形成する。そして、ウ
ェーハがチップ単位に分離されることで、上記したイン
ダクタ構造を有する複数の薄膜磁気素子が一括して得ら
れる。
【００２９】上記したように、磁界中での熱処理を施す
前に磁性体膜をパターニングするようにした場合にも、
磁性体膜での反磁界を小さくできるようにしている。す
なわち、磁界中での熱処理を施す前に、磁性体膜を、磁
界の向きと平行な方向の長さが、磁界の向きと直交する
方向の長さよりも長くなるように、短冊状にパターニン
グするようにしている。これにより、磁性体膜をチップ
サイズに分割した従来の場合よりも、磁性体膜の厚さと
寸法との比を大きくできるため、クラックやブリスタの
発生を抑えつつ、しかも、磁性体膜に対して、一軸磁気
異方性を十分に付与することが可能となる。したがっ
て、クラックやブリスタの発生を防止できるのみでな
く、磁気特性の悪化の改善が可能となるものである。
前に磁性体膜をパターニングするようにした場合にも、
磁性体膜での反磁界を小さくできるようにしている。す
なわち、磁界中での熱処理を施す前に、磁性体膜を、磁
界の向きと平行な方向の長さが、磁界の向きと直交する
方向の長さよりも長くなるように、短冊状にパターニン
グするようにしている。これにより、磁性体膜をチップ
サイズに分割した従来の場合よりも、磁性体膜の厚さと
寸法との比を大きくできるため、クラックやブリスタの
発生を抑えつつ、しかも、磁性体膜に対して、一軸磁気
異方性を十分に付与することが可能となる。したがっ
て、クラックやブリスタの発生を防止できるのみでな
く、磁気特性の悪化の改善が可能となるものである。
【００３０】しかも、磁界中での熱処理を施す前に、磁
性体膜を短冊状にパターニングすることによっても、薄
膜磁気素子を形成する際の、露光処理におけるウェーハ
の反りを抑え、露光パターンの合わせずれを防ぐことが
可能である。
性体膜を短冊状にパターニングすることによっても、薄
膜磁気素子を形成する際の、露光処理におけるウェーハ
の反りを抑え、露光パターンの合わせずれを防ぐことが
可能である。
【００３１】なお、上記した本発明の実施の一形態にお
いては、磁界中での熱処理を施す前に、磁性体膜を短冊
状にパターニングするようにした場合を例に説明した
が、これに限らず、たとえば図３に示すように、ウェー
ハ上に成膜された磁性体膜１３を、熱処理時の磁界の向
きと平行な方向にのみパターニングして、帯状の磁性体
膜１３ｂに分割した後に、磁界中での熱処理を実施する
ようにしても良い。
いては、磁界中での熱処理を施す前に、磁性体膜を短冊
状にパターニングするようにした場合を例に説明した
が、これに限らず、たとえば図３に示すように、ウェー
ハ上に成膜された磁性体膜１３を、熱処理時の磁界の向
きと平行な方向にのみパターニングして、帯状の磁性体
膜１３ｂに分割した後に、磁界中での熱処理を実施する
ようにしても良い。
【００３２】すなわち、通常のフォトリソグラフィ技術
により、磁性体膜１３上に、熱処理時の磁界の向きと平
行な方向の長さが、その磁界の向きと直交する方向の長
さよりも長い、帯状のレジストパターンを形成する。そ
して、そのレジストパターンをマスクにエッチング処理
を行って、上記磁性体膜１３を、磁界の向きと平行な方
向の長さが、磁界の向きと直交する方向の長さよりも長
い、帯状の磁性体膜１３ｂにそれぞれ分割する（同図
（ａ），（ｂ）参照）。
により、磁性体膜１３上に、熱処理時の磁界の向きと平
行な方向の長さが、その磁界の向きと直交する方向の長
さよりも長い、帯状のレジストパターンを形成する。そ
して、そのレジストパターンをマスクにエッチング処理
を行って、上記磁性体膜１３を、磁界の向きと平行な方
向の長さが、磁界の向きと直交する方向の長さよりも長
い、帯状の磁性体膜１３ｂにそれぞれ分割する（同図
（ａ），（ｂ）参照）。
【００３３】この場合、上記レジストパターンの形成
は、全面に略均一の厚さで形成されたレジスト膜を、一
部のダイシングラインに沿って、帯状にパターニングす
ることで行われる。
は、全面に略均一の厚さで形成されたレジスト膜を、一
部のダイシングラインに沿って、帯状にパターニングす
ることで行われる。
【００３４】たとえば、熱処理時の磁界の向きに平行
な、横方向のダイシングラインのすべてに対応させて、
それぞれレジスト膜をエッチングすることで、帯状のレ
ジストパターンを形成できる。
な、横方向のダイシングラインのすべてに対応させて、
それぞれレジスト膜をエッチングすることで、帯状のレ
ジストパターンを形成できる。
【００３５】この後、磁界中での熱処理を行って、帯状
の磁性体膜１３ｂのそれぞれに一軸磁気異方性を付与す
る（同図（ｃ）参照）。このようにして、磁界中での熱
処理を施した後、一軸磁気異方性が付与された帯状の磁
性体膜１３ｂ´を、残りのダイシングライン（帯状の磁
性体膜１３ｂを形成する際に用いなかった、熱処理時の
磁界の向きに垂直な、縦方向のすべてのダイシングライ
ン）に沿ってパターニングし、チップサイズの磁性体膜
１３´にそれぞれ分割する（同図（ｄ）参照）。
の磁性体膜１３ｂのそれぞれに一軸磁気異方性を付与す
る（同図（ｃ）参照）。このようにして、磁界中での熱
処理を施した後、一軸磁気異方性が付与された帯状の磁
性体膜１３ｂ´を、残りのダイシングライン（帯状の磁
性体膜１３ｂを形成する際に用いなかった、熱処理時の
磁界の向きに垂直な、縦方向のすべてのダイシングライ
ン）に沿ってパターニングし、チップサイズの磁性体膜
１３´にそれぞれ分割する（同図（ｄ）参照）。
【００３６】しかる後、所定の工程を経た後、全ダイシ
ングラインに沿ってウェーハが切り出されることによ
り、図１に示した構成の、インダクタ構造を有する薄膜
磁気素子が形成される。
ングラインに沿ってウェーハが切り出されることによ
り、図１に示した構成の、インダクタ構造を有する薄膜
磁気素子が形成される。
【００３７】上記した他の形態にかかる方法の場合、単
に、クラックやブリスタの発生を阻止できるのみでな
く、特に、熱処理後の磁性体膜１３ｂ´での磁気特性に
関しては、磁性体膜を分割せずに磁界中での熱処理を施
す従来の場合（図５参照）とほぼ同等の効果が期待でき
る。つまり、磁性体膜１３ｂの厚さと寸法との比におい
て、磁性体膜１３ｂの磁界の向きと平行な方向の長さが
ウェーハのサイズとなるため、寸法比を最大にできる。
に、クラックやブリスタの発生を阻止できるのみでな
く、特に、熱処理後の磁性体膜１３ｂ´での磁気特性に
関しては、磁性体膜を分割せずに磁界中での熱処理を施
す従来の場合（図５参照）とほぼ同等の効果が期待でき
る。つまり、磁性体膜１３ｂの厚さと寸法との比におい
て、磁性体膜１３ｂの磁界の向きと平行な方向の長さが
ウェーハのサイズとなるため、寸法比を最大にできる。
【００３８】同様に、薄膜磁気素子を形成する際の、露
光処理におけるウェーハの反りを抑え、露光パターンの
合わせずれを防ぐことも可能である。また、いずれの形
態においても、インダクタ構造を有する薄膜磁気素子に
適用した場合に限らず、磁性体膜に磁界中での熱処理に
より一軸磁気異方性を付与するようにしてなる、各種の
薄膜磁気素子に同様に適用可能である。
光処理におけるウェーハの反りを抑え、露光パターンの
合わせずれを防ぐことも可能である。また、いずれの形
態においても、インダクタ構造を有する薄膜磁気素子に
適用した場合に限らず、磁性体膜に磁界中での熱処理に
より一軸磁気異方性を付与するようにしてなる、各種の
薄膜磁気素子に同様に適用可能である。
【００３９】また、短冊状もしくは帯状にパターニング
される磁性体膜の分割数および大きさについては何ら制
限を受けるものではなく、ウェーハやチップのサイズな
どに応じて、最適な効果が得られるものであれば良い。
その他、この発明の要旨を変えない範囲において、種々
変形実施可能なことは勿論である。
される磁性体膜の分割数および大きさについては何ら制
限を受けるものではなく、ウェーハやチップのサイズな
どに応じて、最適な効果が得られるものであれば良い。
その他、この発明の要旨を変えない範囲において、種々
変形実施可能なことは勿論である。
【００４０】
【発明の効果】以上、詳述したようにこの発明によれ
ば、クラックやブリスタの発生を防止できるとともに、
磁気特性の悪化を改善することが可能な薄膜磁気素子の
製造方法を提供できる。
ば、クラックやブリスタの発生を防止できるとともに、
磁気特性の悪化を改善することが可能な薄膜磁気素子の
製造方法を提供できる。
【図１】この発明の実施の一形態にかかる、インダクタ
構造を有する薄膜磁気素子の概略構成図。
構造を有する薄膜磁気素子の概略構成図。
【図２】同じく、かかる薄膜磁気素子の製造方法の概略
について説明するために示す要部の平面図。
について説明するために示す要部の平面図。
【図３】この発明の実施の他の形態にかかる、薄膜磁気
素子の製造方法の概略について説明するために示す要部
の平面図。
素子の製造方法の概略について説明するために示す要部
の平面図。
【図４】従来技術とその問題点を説明するために示す、
要部の斜視図。
要部の斜視図。
【図５】従来の、薄膜磁気素子の製造方法の概略につい
て説明するために示す要部の平面図。
て説明するために示す要部の平面図。
【図６】従来の、薄膜磁気素子の他の製造方法の概略に
ついて説明するために示す要部の平面図。
ついて説明するために示す要部の平面図。
１１…基板 １２…絶縁膜 １３…磁性体膜（成膜時） １３´…磁性体膜（チップサイズ） １３ａ…磁性体膜（短冊状） １３ａ´…磁性体膜（熱処理後） １３ｂ…磁性体膜（帯状） １３ｂ´…磁性体膜（熱処理後） １４…ポリイミド膜 １５…コイル層 １６…磁性体膜（上部） １７…パシベーション膜 ２１…下地層
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体基板上に形成された磁性体膜に磁
界中での熱処理を施す前に、前記磁性体膜を前記磁界と
平行な方向の長さが、前記磁界と直交する方向の長さよ
りも長くなるようにパターニングする第一の工程と、 前記パターニング後に、前記磁性体膜に対して、磁界中
で熱処理を施すことにより、前記磁性体膜に一軸磁気異
方性を付与する第二の工程と、 前記熱処理後に、前記磁性体膜を細分化する第三の工程
とからなることを特徴とする薄膜磁気素子の製造方法。 - 【請求項２】 前記第一の工程は、前記磁性体膜を帯状
にパターニングするものであることを特徴とする請求項
１に記載の薄膜磁気素子の製造方法。 - 【請求項３】 前記第一の工程は、前記磁性体膜を短冊
状にパターニングするものであることを特徴とする請求
項１に記載の薄膜磁気素子の製造方法。 - 【請求項４】 前記第三の工程は、前記磁性体膜をチッ
プサイズに応じてパターニングするものであることを特
徴とする請求項１に記載の薄膜磁気素子の製造方法。 - 【請求項５】 半導体基板上に形成された磁性体膜に磁
界中での熱処理を施す前に、前記磁性体膜を前記磁界と
平行な方向にのみパターニングする第一の工程と、 前記パターニング後に、前記磁性体膜に対して、磁界中
で熱処理を施すことにより、前記磁性体膜に一軸磁気異
方性を付与する第二の工程と、 前記熱処理後に、前記磁性体膜を前記磁界と直交する方
向にパターニングして細分化する第三の工程とからなる
ことを特徴とする薄膜磁気素子の製造方法。 - 【請求項６】 前記第一の工程は、前記磁性体膜を帯状
にパターニングするものであることを特徴とする請求項
５に記載の薄膜磁気素子の製造方法。 - 【請求項７】 前記第三の工程は、前記磁性体膜をチッ
プサイズに応じてパターニングするものであることを特
徴とする請求項５に記載の薄膜磁気素子の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9285012A JPH11121265A (ja) | 1997-10-17 | 1997-10-17 | 薄膜磁気素子の製造方法 |
| US09/172,851 US6042899A (en) | 1997-10-17 | 1998-10-15 | Method of manufacturing a thin-film magnetic device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9285012A JPH11121265A (ja) | 1997-10-17 | 1997-10-17 | 薄膜磁気素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11121265A true JPH11121265A (ja) | 1999-04-30 |
Family
ID=17686015
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9285012A Pending JPH11121265A (ja) | 1997-10-17 | 1997-10-17 | 薄膜磁気素子の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6042899A (ja) |
| JP (1) | JPH11121265A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100387522B1 (ko) * | 2001-06-23 | 2003-06-18 | 김형준 | 열안정성이 취약한 비전도성 기판상의 반도체 박막의열처리 장치 및 방법 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3983199B2 (ja) * | 2003-05-26 | 2007-09-26 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| US7823533B2 (en) * | 2005-06-30 | 2010-11-02 | Advanced Cardiovascular Systems, Inc. | Stent fixture and method for reducing coating defects |
| JP4283263B2 (ja) * | 2005-10-20 | 2009-06-24 | 本田技研工業株式会社 | 磁歪式トルクセンサの製造方法 |
| JP7140481B2 (ja) * | 2017-09-25 | 2022-09-21 | 日東電工株式会社 | インダクタおよびその製造方法 |
-
1997
- 1997-10-17 JP JP9285012A patent/JPH11121265A/ja active Pending
-
1998
- 1998-10-15 US US09/172,851 patent/US6042899A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100387522B1 (ko) * | 2001-06-23 | 2003-06-18 | 김형준 | 열안정성이 취약한 비전도성 기판상의 반도체 박막의열처리 장치 및 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6042899A (en) | 2000-03-28 |
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