JPH11119063A - 光モジュール - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光モジュールにおいて、光半導体素子への反
射戻り光の光量を抑制し、照射光の漏出による危険を防
止する。 【解決手段】 フェルールと嵌合するハウジング３１
と、ハウジング３１内に設けられ、光軸線上に配置され
た光ファイバに光を照射する光半導体素子２１と、光半
導体素子２１の照射光を透過するとともに光半導体素子
２１を封止する光透過プレート２６と、光半導体素子２
１からの照射光が光ファイバの端面中央にて焦点を結ぶ
ようにこれを集光する集光レンズ２８と、光半導体素子
２１から光ファイバに至る光路上に設けられ、光ファイ
バの照射光を減衰する光減衰手段２７とを備えた光モジ
ュールとする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光通信の分野で用
いられる光ファイバと光半導体素子とを光学的に結合す
るための光モジュールに関する。

【０００２】

【従来の技術】一般的に、送信用の光モジュールの光源
として用いられる光半導体素子は、反射戻り光の影響を
受けやすいことが知られている。つまり、反射戻り光が
発光状態にある光半導体素子の活性層へ入射すると、反
射戻り光と発振光との干渉が生じてレーザ発振が不安定
となり、光出力の変化や発振スペクトルの変化等の現象
を生じる。したがって、光半導体素子の発振を安定化さ
せるためには、極力反射戻り光の入射を抑制する必要が
ある。

【０００３】また、送信用の光モジュールでは、着脱可
能なフェルールが挿入されていないと、通電中の光半導
体素子からの照射光がハウジングの開口部から外部に放
射される。この照射光は人間の眼に害を及ぼすことがあ
るため、照射光漏れを防止するための何らかの保護機構
が必要である。

【０００４】反射戻り光の対策を講じた光モジュールと
しては、実開昭５６−６５６７７号公報に開示された技
術が知られている。ここで、当該公報に開示された光モ
ジュールの説明図を図１４に示す。

【０００５】図１４において、光半導体素子１から光フ
ァイバ４に至る照射光の光路上には、第１のレンズ２、
第２のレンズ３が順次配列されている。図示するよう
に、第２のレンズ３の出射面は、第２のレンズ３を透過
した照射光が半導体素子１の光軸線７に対して４度から
８度程度傾いて出射されるように、斜めにカットされて
いる。したがって、このように第２のレンズ３から光軸
線７に対して斜め方向に出射される照射光に対応して、
光ファイバ４の中心は光軸線７から距離Ｌだけオフセッ
トして配置されている。これにより、光ファイバ４の入
射面からの反射光が光半導体素子１へ帰還することを防
止するものである。

【０００６】一方、人体の眼への保護機構としては、実
開昭５９−１８６８１２号公報に開示された技術が知ら
れている。ここで、当該公報に開示された光モジュール
の断面図を図１５および図１６に示す。図１５は光プラ
グの抜去時の、図１６は光プラグの挿入完了時の光モジ
ュールをそれぞれ示している。

【０００７】これらの図面において、光ファイバ８を内
蔵した光プラグ９は、光モジュールのケース１２の一部
をなす光コネクタ部１０に形成された開口部を閉塞する
ように挿入される。ケース１２にはリード線１５が取り
付けられており、ケース１２内に設けられた電気信号の
増幅素子１４を介して光半導体素子１３に給電される。
ケース１２の開口部に面して、光半導体素子１３の設け
られた内部を封止するガラス板１１が設けられており、
光半導体素子１３からの照射光はガラス板１１を透過し
て光ファイバ８に受光される。光コネクタ部１０には照
射光を遮蔽する遮蔽板１６が枢軸１７を回転軸として内
方に回転自在に取り付けられている。この遮蔽板１６
は、スプリング（図示せず）によって開口部を閉塞する
状態に保持されている。

【０００８】以上の構成を有する光モジュールによれ
ば、抜去状態では、図１５に示すように、遮蔽板１６に
より開口部が閉塞されているので、光半導体素子１３か
らの照射光はこの遮蔽板１６に遮蔽されて外部への漏出
が防止される。そして、このような抜去状態から、光プ
ラグ９を光コネクタ部１０に挿入すると、遮蔽板１６は
光プラグ９の進入に連れて枢軸１７を軸として内方に向
けて回転し、図１６に示すように、光コネクタ部１０の
内壁に接触する位置まで回転する。このように光プラグ
９の挿入で遮蔽板１６による開口部の閉塞が解除される
と、光半導体素子１３からの照射光は光ファイバ８に受
光可能となる。また、図１６に示す挿入状態から光プラ
グ９を抜去すると、遮蔽板１６はスプリングのバネ力に
より光プラグ９の後退に追随して当初の位置に回転復帰
し、再び開口部が閉塞される。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来技術では、以下に説明する問題点があった。

【００１０】前者の技術においては、光ファイバが光半
導体素子の光軸線からオフセットした位置に配置されて
いるため、光学的な結合効率の劣化が発生し、光モジュ
ールの性能に個々のばらつきが大きかった。また、第２
のレンズを斜めにカットして研磨するには作業者の熟練
を要し、量産性に乏しくレンズ加工が高価なものになる
ため、光モジュールの低コスト化が困難になっていた。

【００１１】また後者の技術においては、照射光の漏出
を防止するための特別な遮蔽機構を有していたために構
造が複雑となって光モジュールの小型化が困難になるば
かりでなく、低廉化も阻害していた。さらに、光プラグ
の着脱を繰り返すとスプリングや枢軸が疲労するため、
信頼性が低下して遮蔽板が十分に開閉しないという問題
点があった。

【００１２】そこで、本発明は、光半導体素子と光ファ
イバとの安定した光学的結合を図りつつ光半導体素子に
入射する反射戻り光の光量を抑制することのできる光モ
ジュールを提供することを目的とする。

【００１３】また、本発明は、低コストのもとで光半導
体素子に入射する反射戻り光の光量を抑制することので
きる光モジュールを提供することを目的とする。

【００１４】さらに、本発明は、低コストのもとで照射
光の漏出による危険を防止することのできる光モジュー
ルを提供することを目的とする。

【００１５】さらに、本発明は、高い信頼性のもとで照
射光の漏出による危険を防止することのできる光モジュ
ールを提供することを目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に、本発明の光モジュールは、フェルールと嵌合するハ
ウジングと、ハウジング内に設けられ、光軸線上に配置
された光ファイバに光を照射する光半導体素子と、光半
導体素子の照射光を透過するとともに光半導体素子を封
止する光透過プレートと、光半導体素子からの照射光が
光ファイバの端面中央にて焦点を結ぶようにこれを集光
する集光レンズと、光半導体素子から光ファイバに至る
光路上に設けられ、光ファイバの照射光を減衰する光減
衰手段とを備えたものである。

【００１７】これにより、光半導体素子と光ファイバと
の安定した光学的結合のもとで反射戻り光が光減衰手段
により減衰されるため、光半導体素子へ帰還する反射戻
り光の光量を極めて小さく抑制することが可能になる。
また、特に精密な機構を用いていないので、低コストの
もとで光半導体素子に帰還する反射戻り光の光量を抑制
することが可能になる。さらに、光半導体素子の照射光
の光路上に光減衰手段を配することにより漏出する照射
光を減衰しているので、低コストのもとで照射光の漏出
による危険を防止することが可能になる。そして、可動
機構等を設けていないので、高い信頼性のもとで照射光
の漏出による危険を防止することが可能になる。

【００１８】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、光ファイバを内蔵したフェルールが着脱可能に接続
される光モジュールであって、フェルールと嵌合するハ
ウジングと、ハウジング内に設けられ、光軸線上に配置
された光ファイバに光を照射する光半導体素子と、光半
導体素子の照射光を透過するとともに光半導体素子を封
止する光透過プレートと、光半導体素子からの照射光が
光ファイバの端面中央にて焦点を結ぶようにこれを集光
する集光レンズと、光半導体素子から光ファイバに至る
光路上に設けられ、光ファイバの照射光を減衰する光減
衰手段とを備えたものであり、光半導体素子へ帰還する
反射戻り光の光量を極めて小さく抑制することが可能に
なるという作用を有する。また、低コストのもとで光半
導体素子に帰還する反射戻り光の光量を抑制することが
可能になるという作用を有する。さらに、低コストのも
とで照射光の漏出による危険を防止することが可能にな
るという作用を有する。そして、高い信頼性のもとで照
射光の漏出による危険を防止することが可能になるとい
う作用を有する。

【００１９】本発明の請求項２に記載の発明は、請求項
１記載の発明において、光減衰手段の透過率が１０〜３
０％である光モジュールであり、光発振を安定化させつ
つ照射光の漏出による危険を防止することが可能になる
という作用を有する。

【００２０】本発明の請求項３に記載の発明は、請求項
１または２記載の発明において、光減衰手段が、縞状の
パターン、網目状のパターン、同心円状のパターン、長
軸と短軸の長さの比が一定となる複数の楕円状のパター
ンまたは複数のピンホールのパターンで形成されている
光モジュールであり、パターンのピッチや幅等を変える
ことで任意の光透過率を得ることができ、所望のレベル
に照射光を減衰することが可能になるという作用を有す
る。

【００２１】本発明の請求項４に記載の発明は、請求項
１、２または３記載の発明において、光減衰手段が、そ
の中心部から周辺部に向かって光減衰率が高くなるよう
に構成されている光モジュールであり、光半導体素子か
らの照射光の高次モードをカットして光軸近傍に強度が
集中した分布に変換することができ、品質の高い伝送特
性を得ることが可能になるという作用を有する。

【００２２】本発明の請求項５に記載の発明は、請求項
１、２、３または４記載の発明において、光減衰手段
が、光透過プレートと集光レンズとの間、または集光レ
ンズと光ファイバとの間に配置されている光モジュール
であり、光半導体素子へ帰還する反射戻り光の光量を極
めて小さく抑制することが可能になるという作用を有す
る。また、低コストのもとで光半導体素子に帰還する反
射戻り光の光量を抑制することが可能になるという作用
を有する。さらに、低コストのもとで照射光の漏出によ
る危険を防止することが可能になるという作用を有す
る。そして、高い信頼性のもとで照射光の漏出による危
険を防止することが可能になるという作用を有する。

【００２３】本発明の請求項６に記載の発明は、請求項
１、２、３または４記載の発明において、光減衰手段
が、光透過プレートまたは集光レンズの一方側の面に形
成されている光モジュールであり、光半導体素子へ帰還
する反射戻り光の光量を極めて小さく抑制することが可
能になるという作用を有する。また、低コストのもとで
光半導体素子に帰還する反射戻り光の光量を抑制するこ
とが可能になるという作用を有する。さらに、低コスト
のもとで照射光の漏出による危険を防止することが可能
になるという作用を有する。そして、高い信頼性のもと
で照射光の漏出による危険を防止することが可能になる
という作用を有する。

【００２４】以下、本発明の実施の形態について、図１
から図７を用いて説明する。なお、これらの図面におい
て同一の部材には同一の符号を付しており、また、重複
した説明は省略されている。

【００２５】図１は本発明の一実施の形態である光モジ
ュールを示す断面図、図２は光ファイバに内蔵されたフ
ェルールを示す断面図、図３〜図７は光減衰手段の形成
パターンの一例を示す説明図、図８は光半導体素子によ
る照射光の放射パターンを示す説明図、図９〜図１３は
光減衰手段の形成パターンの変形例を示す説明図であ
る。

【００２６】図１に示すように、ハウジング３１の開口
端にはステム２３が取り付けられている。またハウジン
グ３１の内部には、たとえば半導体レーザや発光ダイオ
ードなどの光半導体素子２１が配置されている。光半導
体素子２１は動作時における発熱を抑制するためのヒー
トシンク２２に搭載されており、このヒートシンク２２
は前述のステム２３に保持されている。

【００２７】ステム２３には、光半導体素子２１を囲む
ようにしてキャン２４が抵抗溶接等で固定されている。
キャン２４には窓２５が形成されている。窓２５には、
ガラス等で構成されて光半導体素子２１の照射光を透過
する光透過プレート２６が取り付けられており、この光
透過プレート２６によって光半導体素子２１は封止さ
れ、外気と遮断されている。光半導体素子２１の光軸線
上には、光半導体素子２１から照射されて光透過プレー
ト２６を透過した光を集光するための集光レンズ２８が
配置されている。

【００２８】集光レンズ２８からの光が導かれるハウジ
ング３１の開口部３２には、図２に示すフェルール３０
が着脱可能に嵌合される。図２に示すように、フェルー
ル３０には、その中心軸上に光ファイバ２９が内蔵され
ている。そして、フェルール３０が開口部３２に嵌合さ
れることにより、光ファイバ２９は、集光レンズ２８で
集光された光が焦点を結ぶ位置にその端面の中心がくる
ような光半導体素子２１の光軸線上に位置決めされる。
なお、フェルール３０は、たとえばアルミナやジルコニ
アで構成される。

【００２９】ここで、光透過プレート２６と集光レンズ
２８との間には、光半導体素子２１からの照射光を減衰
する光減衰手段２７が配置されている。この光減衰手段
２７は、平担なガラス等の基板上に、蒸着あるいはスパ
ッタにより金属あるいは誘電体を積層したものであり、
たとえば図３〜図７に示されるパターンが形成されてい
る。

【００３０】すなわち、図３は縞状のパターン、図４は
網目状のパターン、図５は同心円状のパターン、図６は
楕円状のパターン、図７は複数のピンホールのパターン
であり、これらの図において黒塗り部分が光減衰領域に
なる。これらのパターンにおいては、パターンの幅やピ
ッチを変えることにより任意の透過率を得ることがで
き、照射光を容易に所望のレベルに減衰することができ
る。なお、これらのパターンは、金属や誘電体ではな
く、塗料による塗布によって形成してもよい。

【００３１】次に、このような光モジュールの動作につ
いて説明する。光半導体素子２１に駆動電流が供給され
ると、当該光半導体素子２１から光が照射される。この
照射光は光透過プレート２６を透過し、集光レンズ２８
に集光されて光ファイバ２９の端面中央にて焦点を結
ぶ。

【００３２】ここで、本実施の形態の光モジュールの光
減衰作用について説明する。フェルール３０が光モジュ
ールから取り外された場合には、光半導体素子２１から
放射された光がハウジング３１の開口部３２より外部に
漏出するが、放射パワーの大きさによってはこの漏出光
が眼に対して有害なものになりうる。このため、許容さ
れる外部放射パワーの大きさは、各国の安全規格によっ
て厳密に制約されている。

【００３３】外部放射パワーを低くするためには光半導
体素子２１の発光パワーを低下させればよいが、単に光
半導体素子２１の発光パワーを低減させると光発振が不
安定になりやすい。光半導体素子２１として短波長光半
導体素子を用いた場合、発光パワーの大きさと光の信号
対雑音比（以下Ｓ／Ｎ比）との関係を実験的に求める
と、発光パワーが１ｍＷ以上でＳ／Ｎ比の値はほぼ安定
してくることが解っている。このことから、光半導体素
子２１の発光パワーを１ｍＷ以上としてＳ／Ｎ比の向上
を行いつつ、その一方で、前述した光減衰手段２７を用
いて光を減衰して眼に対する安全を確保することが必要
となってくる。

【００３４】光減衰手段２７の好適な透過率は、Ｓ／Ｎ
比を満足する光半導体素子２１の発光パワーの目標値
と、安全性を確保できる外部放射パワーの目標値とから
求められる。短波長光半導体素子を用いた場合、発光パ
ワーはＳ／Ｎ比の要求より１ｍＷ以上が望ましいが、高
すぎても効果が上がらず、発熱により寿命の低下を引き
起こす。一方、外部放射パワーは、安全上から０．３ｍ
Ｗよりも低い値に設定されなければならない。このこと
から、光減衰手段２７の透過率は１０〜３０％であるこ
とが望ましい。

【００３５】次に、光ファイバ２９の入射端面からの反
射戻り光について考える。通常、光ファイバ２９からの
反射戻り光の光量は４％程度である。そして、このわず
かな値の光が光半導体素子２１へ帰還することにより光
発振が不安定になる。ところで、光減衰手段２７の透過
率をたとえば２０％とすると、本実施の形態の光モジュ
ールは光半導体素子２１から放射された光の光量は、光
減衰手段２７を透過した後は２０％になる。光ファイバ
２９ではこの２０％のうちの４％が反射され、再び光減
衰手段２７を通ることでさらに４％のうちの２０％が光
半導体素子２１に帰還する。したがって、最終的な光半
導体素子への帰還光量は、０．２×０．０４×０．２＝
０．００１６より、０．１６％となる。この値は、光減
衰手段２７を設けない場合に比べると１４ｄＢの改善で
ある。したがって、光減衰手段２７を設けることによ
り、光半導体素子の発振を安定的に行うことが可能にな
る。

【００３６】このように、本実施の形態の光モジュール
によれば、光半導体素子２１と光ファイバ２９との安定
した光学的結合のもとで反射戻り光が光減衰手段２７に
より減衰されるため、光半導体素子２１へ帰還する反射
戻り光の光量を極めて小さく抑制することが可能にな
る。これにより、光半導体素子２１の発振を安定的に行
うことが可能になる。

【００３７】また、特に精密な機構を用いていないの
で、低コストのもとで光半導体素子２１に帰還する反射
戻り光の光量を抑制することが可能になる。

【００３８】さらに、光減衰手段２７により漏出する照
射光を減衰しているので、低コストのもとで照射光の漏
出による危険を防止することが可能になる。

【００３９】そして、可動機構等を設けていないので、
高い信頼性のもとで照射光の漏出による危険を防止する
ことが可能になる。

【００４０】ここで、光減衰手段２７は、その中心部か
ら周辺部に向かって光減衰率が高くなるように構成する
ことができる。

【００４１】具体的には、図９に示す縞状のパターンに
おいては、中心部から周辺部に向かって徐々に光透過領
域が狭くなっており、垂直方向の最外周部では、殆ど光
を透過しないパターンとなっている。また、図１０に示
す網目状のパターンにおいては、中心部から周辺部に向
かって徐々に光透過領域が狭くなって水平・垂直方向の
最外周部は殆ど光を透過しないパターンとなっており、
水平・垂直方向の高次モードをカットするようにパター
ンが形成されている。図１１に示す同心円状のパターン
においては、中心部から周辺部に向かって徐々に光透過
領域が狭くなって水平・垂直方向の最外周部は殆ど光を
透過しないパターンとなっており、水平・垂直方向の高
次モードをカットするようにパターンが形成されてい
る。図１２に示す長軸と短軸の長さの比が一定となる複
数の楕円状のパターンにおいては、中心部から周辺部に
向かって徐々に光透過領域が狭くなって水平・垂直方向
の最外周部は殆ど光を透過しないパターンとなってお
り、水平・垂直方向の高次モードをカットするようにパ
ターンが形成されている。そして、図１３に示す複数の
ピンホールのパターンにおいては、中心部から周辺部に
向かって徐々に光透過領域が狭くなって水平・垂直方向
の最外周部は殆ど光を透過しないパターンとなってお
り、水平・垂直方向の高次モードをカットするようにパ
ターンが形成されている。

【００４２】このように中心部から周辺部に向かって光
減衰率が高くなるように光減衰手段２７を構成すること
により、次のような新たな効果を得ることができる。

【００４３】つまり、光半導体素子２１が短波長光半導
体素子のとき、光半導体素子２１からの放射光は図８に
示す様な楕円ビームとなり、水平方向と垂直方向のビー
ム径の比は１対４程度となる。このようなビームの広が
りを持つ放射光を光ファイバ２９へ効率よく入射させる
ためには、一般的にはレンズを用いて光を集光させるこ
とが行われている。しかしながら、レンズを用いてもビ
ーム径の比が変わることはないので、垂直方向は水平方
向に比べて、大きな角度で光ファイバ２９に入射される
ことになる。

【００４４】光ファイバ２９がマルチモードファイバの
とき、光ファイバ２９中には多くのモードの光が伝搬さ
れ、光ファイバ２９の光軸線に対して入射角の小さな光
（低次モード）と入射角の大きな光（高次モード）とが
存在する。そして、低次モードと高次モードでは光ファ
イバ中の伝搬速度が異なる。このため、長距離伝搬後で
は低次モードと高次モードとの間で位相差が現れ、検出
器側でのジッタの原因となりうる。

【００４５】しかし、本実施の形態に示すような光減衰
手段２７を用い、この光減衰手段２７に図８に示す放射
光を入射させると、水平方向の光は相対的に光量が減衰
されるのみであるが、垂直方向においては光量が減衰さ
れるとともに、外周部の光、すなわち高次モードの光が
カットされて光軸近傍に強度が集中した分布に変換され
る。これにより、低次モードと高次モードの位相差が小
さくなり、品質の高い伝送特性を得ることが可能にな
る。

【００４６】光減衰手段２７を半透明にしてこの光減衰
手段２７全体で一様な透過率とすることもできるが、高
次モードをカットして品質の高い伝送特性を得るために
は、このように縞、網目、同心円、楕円、ピンホールの
パターンを採用した方が好ましい。

【００４７】なお、本発明の実施の形態では、光減衰手
段２７は光透過プレート２６と集光レンズ２８との間に
配置されているが、集光レンズ２８と光ファイバ２９と
の間に配置することもできる。また、光減衰手段２７の
基板にはガラスが用いられているが、ガラス以外の透明
性を有する種々の部材を用いることもできる。さらに
は、厚肉の金属の基板上に機械加工、エッチング等によ
り直接パターンを形成してもよい。

【００４８】そして、光減衰手段はこのように他の部材
と別体になっているのではなく、集光レンズ２８の一方
面、あるいは光透過プレート２６の一方面に成膜されて
いてもよい。すなわち、光減衰手段は、他の部材と別体
あるいは一体となって、光半導体素子２１から光ファイ
バ２９に至る光路上に設けられていればよい。

【００４９】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、光半導
体素子と光ファイバとの安定した光学的結合のもとで反
射戻り光が光減衰手段により減衰されるため、光半導体
素子へ帰還する反射戻り光の光量を極めて小さく抑制す
ることが可能になるという有効な効果が得られる。

【００５０】これにより、光半導体素子の発振を安定的
に行うことが可能になるという有効な効果が得られる。

【００５１】また、本発明によれば、特に精密な機構を
用いていないので、低コストのもとで光半導体素子に帰
還する反射戻り光の光量を抑制することが可能になると
いう有効な効果が得られる。

【００５２】さらに、本発明によれば、光半導体素子の
照射光の光路上に光減衰手段を配することにより漏出す
る照射光を減衰しているので、低コストのもとで照射光
の漏出による危険を防止することが可能になるという有
効な効果が得られる。

【００５３】そして、本発明によれば、可動機構等を設
けていないので、高い信頼性のもとで照射光の漏出によ
る危険を防止することが可能になるという有効な効果が
得られる。

【００５４】光減衰手段の透過率を１０〜３０％にする
ことにより、光発振を安定化させつつ照射光の漏出によ
る危険を防止することが可能になるという有効な効果が
得られる。

【００５５】光減衰手段を所定のパターンで形成するこ
とにより、パターンのピッチや幅等を変えることで任意
の光透過率を得ることができ、所望のレベルに照射光を
減衰することが可能になるという有効な効果が得られ
る。

【００５６】中心部から周辺部に向かって光減衰率が高
くなるように光減衰手段を構成することにより、光半導
体素子からの照射光の高次モードをカットして光軸近傍
に強度が集中した分布に変換することができ、品質の高
い伝送特性を得ることが可能になるという有効な効果が
得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態である光モジュールを示
す断面図

【図２】光ファイバに内蔵されたフェルールを示す断面
図

【図３】光減衰手段の形成パターンの一例を示す説明図

【図４】光減衰手段の形成パターンの他の一例を示す説
明図

【図５】光減衰手段の形成パターンのさらに他の一例を
示す説明図

【図６】光減衰手段の形成パターンのさらに他の一例を
示す説明図

【図７】光減衰手段の形成パターンの他の一例を示す説
明図

【図８】光半導体素子による照射光の放射パターンを示
す説明図

【図９】光減衰手段の形成パターンの変形例を示す説明
図

【図１０】光減衰手段の形成パターンの他の変形例を示
す説明図

【図１１】光減衰手段の形成パターンのさらに他の変形
例を示す説明図

【図１２】光減衰手段の形成パターンのさらに他の変形
例を示す説明図

【図１３】光減衰手段の形成パターンのさらに他の変形
例を示す説明図

【図１４】従来の光モジュールの一例を示す説明図

【図１５】従来の光モジュール他の一例を示す断面図

【図１６】図１５の光モジュールにおける光プラグの挿
入時の状態を示す断面図

【符号の説明】

２１ 光半導体素子 ２６ 光透過プレート ２７ 光減衰手段 ２８ 集光レンズ ２９ 光ファイバ ３０ フェルール ３１ ハウジング

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】光ファイバを内蔵したフェルールが着脱可
   能に接続される光モジュールであって、 前記フェルールと嵌合するハウジングと、 前記ハウジング内に設けられ、光軸線上に配置された前
   記光ファイバに光を照射する光半導体素子と、 前記光半導体素子の照射光を透過するとともに前記光半
   導体素子を封止する光透過プレートと、 前記光半導体素子からの照射光が前記光ファイバの端面
   中央にて焦点を結ぶようにこれを集光する集光レンズ
   と、 前記光半導体素子から前記光ファイバに至る光路上に設
   けられ、前記光ファイバの照射光を減衰する光減衰手段
   とを備えたことを特徴とする光モジュール。
2. 【請求項２】前記光減衰手段の透過率は、１０〜３０％
   であることを特徴とする請求項１記載の光モジュール。
3. 【請求項３】前記光減衰手段は、縞状のパターン、網目
   状のパターン、同心円状のパターン、長軸と短軸の長さ
   の比が一定となる複数の楕円状のパターンまたは複数の
   ピンホールのパターンで形成されていることを特徴とす
   る請求項１または２記載の光モジュール。
4. 【請求項４】前記光減衰手段は、その中心部から周辺部
   に向かって、光減衰率が高くなるように構成されている
   ことを特徴とする請求項１、２または３記載の光モジュ
   ール。
5. 【請求項５】前記光減衰手段は、前記光透過プレートと
   前記集光レンズとの間、または前記集光レンズと前記光
   ファイバとの間に配置されていることを特徴とする請求
   項１、２、３または４記載の光モジュール。
6. 【請求項６】前記光減衰手段は、前記光透過プレートま
   たは前記集光レンズの一方側の面に形成されていること
   を特徴とする請求項１、２、３または４記載の光モジュ
   ール。