JPH11118516A - 非接触型ポテンショメータおよび電空ポジショナ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 温度の影響を受けずに被測定部材の回転角度
を正確に検出する。 【解決手段】 オペアンプ２への電源電圧Ｖｃｃと接地
ラインとの間に抵抗Ｒ１とＲ２との直列接続回路を挿入
し、この抵抗Ｒ１とＲ２との接続点に生ずる電圧を駆動
電圧Ｖｒとしてオペアンプ２の非反転入力端へ与える。
また、強磁性体磁気抵抗素子１−１〜１−４と同じ温度
特性を持つ抵抗素子を駆動電流値決定用抵抗４とし、こ
の駆動電流値決定用抵抗４を磁気センサ１に直列に接続
する。この駆動電流値決定用抵抗４は磁気センサ１の近
傍に配置する。なお、駆動電流値決定用抵抗４として、
強磁性体磁気抵抗素子を用いてもよい。この場合、駆動
電流値決定用抵抗４の磁気検出面を磁気センサ１の磁気
検出面と垂直となるように配置する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、各種機器の回転
角度位置を非接触で検出する非接触型ポテンショメータ
およびこの非接触型ポテンショメータを使用した電空ポ
ジショナに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】非接触型ポテンショメータは接触型ポテ
ンショメータに比べて、ノイズレス・高分解能・高速応
答性・長寿命といった長所がある。従来より、この種の
非接触型ポテンショメータとして、強磁性体磁気抵抗素
子を利用したものがある。強磁性体磁気抵抗素子は、こ
の強磁性体磁気抵抗素子が配置されている基板面と平行
な磁界の方向が変化すると、それに応じて抵抗値が変化
する。この強磁性体磁気抵抗素子の抵抗値の変化から磁
界の方向を検出することができ、この磁界の方向から被
測定部材の回転角度位置を検出することが可能となる。

【０００３】図７は強磁性体磁気抵抗素子を利用した従
来の非接触型ポテンショメータの回路構成を示す図であ
る。同図において、１は磁気センサ、２はオペアンプ、
３は増幅器、４’は磁気センサ１に直列に接続された駆
動電流値決定用抵抗であり、オペアンプ２および増幅器
３へは電源電圧Ｖｃｃが与えられている。磁気センサ１
はブリッジ接続された強磁性体磁気抵抗素子１−１〜１
−４によって構成され、強磁性体磁気抵抗素子１−１〜
１−４は基板面に配置されている。すなわち、この強磁
性体磁気抵抗素子１−１〜１−４が配置された基板面
が、磁気センサ１の磁気検出面とされている。

【０００４】オペアンプ２の非反転入力端には基準電圧
Ｖｓが設定されており、反転入力端には駆動電流値決定
用抵抗４’と磁気センサ１との直列接続点（強磁性体磁
気抵抗素子１−２と１−４との接続点）に生ずる電圧Ｖ
１が与えられている。また、オペアンプ２の出力端は、
磁気センサ１の強磁性体磁気抵抗素子１−１と１−３と
の接続点に接続されている。増幅器３は、磁気センサ１
の強磁性体磁気抵抗素子１−１と１−４との接続点に生
ずる電圧ｅ１および強磁性体磁気抵抗素子１−３と１−
２との接続点に生ずる電圧ｅ２を入力とし、この入力さ
れる電圧ｅ２とｅ１との差を所定の増幅率Ｇで増幅し、
出力電圧Ｖｏｕｔとして出力する。

【０００５】この非接触型ポテンショメータにおいて、
オペアンプアンプ２は、入力電圧Ｖ１を基準電圧Ｖｓに
一致させるように磁気センサ１への駆動電流ｉｄを制御
する。これにより、磁気センサ１への駆動電流ｉｄが一
定となり、磁気センサ１が定電流で駆動される。この場
合、駆動電流ｉｄの大きさは、基準電圧Ｖｓと駆動電流
値決定用抵抗４’の抵抗値Ｒ１０’によって決定される
（ｉｄ＝Ｖ１／Ｒ１０’＝Ｖｓ／Ｒ１０’）。

【０００６】ここで、磁気センサ１の磁気検出面に対し
て平行な磁界をＢとし、この磁界Ｂが図示矢印方向へ回
転するものとする。この場合、強磁性体磁気抵抗素子１
−１〜１−４の抵抗値が変化し、増幅器３の出力電圧Ｖ
ｏｕｔが変化する。この出力電圧Ｖｏｕｔの変化から磁
界Ｂの方向を検出することができ、磁界Ｂが被測定部材
の回転に伴って回転するものとすれば、この磁界Ｂの方
向から被測定部材の回転角度位置の検出を行うことがで
きる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の非接触型ポテンショメータによると、強磁性
体磁気抵抗素子１−１〜１−４の抵抗値が温度変化によ
って大きく変化し（図８参照）、駆動電流値決定用抵抗
４’の温度特性との差から、被測定部材の正確な回転角
度位置を得ることができなくなる。すなわち、従来の非
接触型ポテンショメータは、出力特性が温度変化の影響
を受け、温度の変動が激しい環境下での使用に難があっ
た。

【０００８】これを式を用いて説明する。図７におい
て、強磁性体磁気抵抗素子１−１および１−２の抵抗値
をｒａ、強磁性体磁気抵抗素子１−３および１−４の抵
抗値をｒｂ、駆動電流値決定用抵抗４’の抵抗値をＲ１
０’とすると、 ｉｄ＝Ｖｓ／Ｒ１０’ ・・・・（１） ｒａ＝ＲＡ・（１＋αｔ） ・・・・（２） ｒｂ＝ＲＢ・（１＋αｔ） ・・・・（３） と表される。なお、αは強磁性体磁気抵抗素子の温度係
数、ｔは温度である。

【０００９】また、増幅器３の出力電圧Ｖｏｕｔは、 Ｖｏｕｔ＝Ｇ・（ｅ２−ｅ１）＝Ｇ・｛（ｒａ・ｉｄ）／２−（ｒｂ・ｉｄ）／ ２｝＝（Ｇ／２）・（Ｖｓ／Ｒ１０’）・（ｒａ−ｒｂ） ・・・・（４） と表される。ここで、（Ｇ・Ｖｓ）／２＝Ｋとおくと、 Ｖｏｕｔ＝Ｋ・（ｒａ−ｒｂ）／Ｒ１０’ ・・・・（５） となる。

【００１０】Ｒ１０’＝ｒ１０・（１＋βｔ）とする
と、すなわちｒａ，ｒｂの温度係数αとＲ１０’の温度
係数βが異なると、 Ｖｏｕｔ＝Ｋ・｛（ＲＡ−ＲＢ）／ｒ１０｝・（１＋αｔ）／（１＋βｔ） ・・・・（６） となり、出力電圧Ｖｏｕｔは強磁性体磁気抵抗素子１−
１〜１−４と駆動電流値決定用抵抗４’の温度特性の違
いによる影響を受けてしまう。

【００１１】本発明はこのような課題を解決するために
なされたもので、その目的とするところは、温度変化に
影響されない出力特性を持つ非接触型ポテンショメータ
を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、第１発明（請求項１に係る発明）は、上述し
た非接触型ポテンショメータにおいて、磁気センサと直
列にこの磁気センサとほゞ同じ温度特性を持つ駆動電流
値決定用抵抗を接続し、この駆動電流値決定用抵抗を磁
気センサの近傍に配置するようにしたものである。この
発明によれば、周囲温度をほゞ同一として、ほゞ同じ温
度特性を持つ磁気センサおよび駆動電流値決定用抵抗の
値が変化する。

【００１３】第２発明（請求項２に係る発明）は、第１
発明において、磁気センサの駆動電流を決定するための
電圧を電源電圧に比例する構成としたものである。この
発明によれば、電源電圧が変化すると、これに比例して
磁気センサの駆動電流を決定するための電圧も変化す
る。第３発明（請求項３に係る発明）は、第１および第
２発明において、磁気センサを強磁性体磁気抵抗素子で
構成し、この強磁性体磁気抵抗素子と同種の素子で駆動
電流値決定用抵抗を構成し、この駆動電流値決定用抵抗
をその磁気検出面が磁気センサの磁気検出面と垂直とな
るようにして磁気センサの近傍に配置するようにしたも
のである。この発明によれば、周囲温度をほゞ同一とし
て、ほゞ同じ温度特性を持つ磁気センサおよび駆動電流
値決定用抵抗の値が変化する。この場合、駆動電流値決
定用抵抗はその磁気検出面が磁気センサの磁気検出面と
垂直となるように配置されているので、磁気センサの磁
気検出面に対して平行な磁界の影響を受けない。

【００１４】第４発明（請求項４に係る発明）は、上位
制御装置からの設定開度情報および調節弁からの実開度
情報に基づいて駆動制御信号を生成し、この駆動制御信
号を空気圧信号に変換して調節弁の開度を制御する電空
ポジショナにおいて、調節弁の弁軸の所定位置に接続さ
れたフィードバックレバーを被測定部材とし、このフィ
ードバックレバーの基準位置に対する回転角度位置を第
１〜第３発明の非接触型ポテンショメータによって検出
し、この検出値に基づいて調節弁からの実開度情報を得
るようにしたものである。この発明によれば、第１〜第
３発明の非接触型ポテンショメータによってフィードバ
ックレバーの基準位置に対する回転角度位置が検出さ
れ、この検出値に基づく調節弁からの実開度情報と上位
制御装置からの設定開度情報に基づいて、調節弁の開度
が制御される。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明を実施の形態に基づ
き詳細に説明する。 〔実施の形態１〕図１はこの発明の一実施の形態を示す
非接触型ポテンショメータの回路構成を示す図である。
同図において、図７と同一符号は同一或いは同等構成要
素を示し、その説明は省略する。

【００１６】この実施の形態では、オペアンプ２への電
源電圧Ｖｃｃと接地ラインとの間に抵抗Ｒ１とＲ２との
直列接続回路を挿入し、この抵抗Ｒ１とＲ２との接続点
に生ずる電圧を駆動電圧Ｖｒとしてオペアンプ２の非反
転入力端へ与えるようにしている。また、強磁性体磁気
抵抗素子１−１〜１−４と同じ温度特性を持つ抵抗素子
を駆動電流値決定用抵抗４とし、この駆動電流値決定用
抵抗４を磁気センサ１に直列に接続している。そして、
この駆動電流値決定用抵抗４を磁気センサ１の近傍に配
置している。

【００１７】この非接触型ポテンショメータにおいて、
オペアンプアンプ２は、入力電圧Ｖ１を駆動電圧Ｖｒに
一致させるように磁気センサ１への駆動電流ｉｄを制御
する。これにより、磁気センサ１への駆動電流ｉｄが一
定となり、磁気センサ１が定電流で駆動される。この場
合、駆動電流ｉｄの大きさは、駆動電圧Ｖｒと駆動電流
値決定用抵抗４の抵抗値Ｒ１０によって決定される（ｉ
ｄ＝Ｖ１／Ｒ１０＝Ｖｒ／Ｒ１０）。

【００１８】ここで、磁気センサ１の磁気検出面に対し
て平行な磁界をＢとし、この磁界Ｂが図示矢印方向へ回
転するものとする。この場合、強磁性体磁気抵抗素子１
−１〜１−４の抵抗値が変化し、増幅器３の出力電圧Ｖ
ｏｕｔが変化する。この出力電圧Ｖｏｕｔの変化から磁
界Ｂの方向を検出することができ、磁界Ｂが被測定部材
の回転に伴って回転するものとすれば、この磁界Ｂの方
向から被測定部材の回転角度位置の検出を行うことがで
きる。

【００１９】この非接触型ポテンショメータでは、強磁
性体磁気抵抗素子１−１〜１−４の抵抗値が温度変化に
よって大きく変化しても、被測定部材の回転角度位置を
正確に検出することができる。すなわち、本実施の形態
の非接触型ポテンショメータは、出力特性が温度変化の
影響を受けず、温度の変動が激しい環境下での使用にも
耐える。

【００２０】これを式を用いて説明する。図１におい
て、強磁性体磁気抵抗素子１−１および１−２の抵抗値
をｒａ、強磁性体磁気抵抗素子１−３および１−４の抵
抗値をｒｂ、駆動電流値決定用抵抗４の抵抗値をＲ１
０、Ｒ２／（Ｒ１＋Ｒ２）＝Ｋ１とすると、 Ｖｒ＝｛Ｒ２／（Ｒ１＋Ｒ２）｝・Ｖｃｃ＝Ｋ１・Ｖｃ
ｃ ｉｄ＝Ｖｒ／Ｒ１０＝（Ｋ１・Ｖｃｃ）／Ｒ１０ と表される。

【００２１】強磁性体磁気抵抗素子１−１〜１−４と駆
動電流値決定用抵抗４とは同じ温度特性を持つ抵抗素子
であるので、 ｒａ＝ＲＡ・（１＋αｔ） ｒｂ＝ＲＢ・（１＋αｔ） Ｒ１０＝ｒ１０・（１＋αｔ） となる。

【００２２】ここで、駆動電流値決定用抵抗４は磁気セ
ンサ１の近傍に配置されているので、すなわちｒａ，ｒ
ｂ，Ｒ１０の温度ｔが同一となるように互いに近接して
配置されているので、 （ｒａ−ｒｂ）／Ｒ１０＝（ＲＡ−ＲＢ）・（１＋α
ｔ）／ｒ１０・（１＋αｔ）＝（ＲＡ−ＲＢ）／ｒ１０ となり、温度ｔに無関係となる。

【００２３】この場合、増幅器３の出力電圧Ｖｏｕｔ
は、 Ｖｏｕｔ＝Ｇ・（ｅ２−ｅ１）＝Ｇ・｛（ｒａ・ｉｄ）
／２−（ｒｂ・ｉｄ）／２｝＝（Ｇ／２）・ｉｄ・（ｒ
ａ−ｒｂ）＝（Ｇ／２）・（Ｋ１・Ｖｃｃ／Ｒ１０）・
（ｒａ−ｒｂ） となる。ここで、（Ｇ／２）・Ｋ１＝Ｋ２とすると、 Ｖｏｕｔ＝Ｋ２・｛（ｒａ−ｒｂ）／Ｒ１０｝・Ｖｃｃ
＝Ｋ２・｛（ＲＡ−ＲＢ）／ｒ１０｝・Ｖｃｃ となる。したがって、Ｋ２／ｒ１０＝Ｋ’とすれば、 Ｖｏｕｔ＝Ｋ’・（ＲＡ−ＲＢ）・Ｖｃｃ となり、Ｖｏｕｔは電源電圧Ｖｃｃと磁気センサ１の抵
抗値変化に比例するものとなる。

【００２４】また、この実施の形態によれば、抵抗Ｒ１
とＲ２との分圧電圧を駆動電圧Ｖｒとしているので、す
なわち駆動電圧Ｖｒは電源電圧Ｖｃｃに比例して変化す
るので、電源電圧Ｖｃｃが変動してもＶｏｕｔの測定に
影響を与えることがない。また、この実施の形態では、
別途基準電圧Ｖｓを与える必要がなく、構成の簡略化が
図られる。

【００２５】〔実施の形態２〕実施の形態１では駆動電
流値決定用抵抗４として強磁性体磁気抵抗素子１−１〜
１−４と同じ温度特性を持つ抵抗素子を用いた。この場
合、強磁性体磁気抵抗素子１−１〜１−４と同じ温度特
性を持つ抵抗素子を探さなければならず、見つからない
場合には対応することができない。そこで、この実施の
形態２では、駆動電流値決定用抵抗４として強磁性体磁
気抵抗素子１−１〜１−４と同種のものを使用する。す
なわち、駆動電流値決定用抵抗４として、磁気センサ１
で使用されているものと同じ強磁性体磁気抵抗素子を用
いる。

【００２６】この場合、図２に示すように、強磁性体磁
気抵抗素子１−１〜１−４が配置されている基板１Ａの
基板面（磁気検出面）１Ａ１に対し、駆動電流値決定用
抵抗４を配置してなる基板４Ａを、その基板面（磁気検
出面）４Ａ１を垂直として配置する。このような配置と
することにより、磁気センサ１の磁気検出面１Ａ１と平
行な磁界Ｂの影響を受けて駆動電流値決定用抵抗４の抵
抗値が変化することがなく、支障なく被測定部材の回転
角度位置の検出を行うことができる。

【００２７】すなわち、飽和磁束密度に達している磁界
のもとで、磁界と平行に配置されている磁気センサ１の
強磁性体磁気抵抗素子１−１〜１−４は、磁界の向きが
変化するとその影響を受けて抵抗値が変化するが、磁気
センサ１の基板面１Ａ１と垂直な面にその磁気検出面４
Ａ１が配置されている駆動電流値決定用抵抗（強磁性体
磁気抵抗素子）４は自身が配置されている基板４Ａを貫
通する方向の磁界の変化には影響を受けない。このた
め、駆動電流値決定用抵抗４の抵抗値が変化することが
なく、支障なく被測定部材の回転角度位置の検出を行う
ことができる。

【００２８】〔実施の形態３〕図３は本発明に係る非接
触型ポテンショメータをその電空ポジショナに使用して
なる調節弁制御システムのシステム構成図である。同図
において、５は上位コントローラ、６は調節弁、７は調
節弁６の弁開度を制御する電空ポジショナである。

【００２９】電空ポジショナ７は、電空変換部７−１と
パイロットリレー７−２と角度センサ７−３を備えてお
り、上位コントローラ５からの設定開度情報および調節
弁６からの角度センサ７−３を介する実開度情報に基づ
いて駆動制御信号を生成し、この駆動制御信号を電空変
換部７−１にて空気圧信号に変換し、パイロットリレー
７−２を介して調節弁６へ与え、調節弁６の開度を制御
する。

【００３０】角度センサ７−３は、調節弁６の弁開度を
フィードバックレバー（図４に示す８）の回転角度位置
として検出するセンサであり、本実施の形態ではこの角
度センサ７−３に実施の形態２と同タイプの非接触型ポ
テンショメータを使用している。

【００３１】図４は電空ポジショナ７の角度センサ７−
３と調節弁６との配置関係を示す図である。調節弁６は
駆動部６Ａと弁軸６Ｂと弁６Ｃとを備えている。駆動部
６Ａは、ダイアフラムを有してなり、電空変換部７から
の導入空気圧に応じ弁軸６Ｂを上下動させて、弁６Ｃの
開度を調整する。

【００３２】この弁軸６Ｂのリフト位置、すなわち弁６
Ｃの開度を検出するべく、角度センサ７−３と弁軸６Ｂ
との間にフィードバックレバー８が連結されている。フ
ィードバックレバー８は、弁軸６のリフト位置に応じて
角度センサ７−３の中心Ｏを軸心として、回動する。こ
のフィードバックレバー８の回転角度位置から弁６Ｃの
開度を知ることができる。

【００３３】図５（ａ）および（ｂ）は角度センサ７−
３の要部を示す平面図および側面図である。この角度セ
ンサ７−３において、フィードバックレバー８は回転軸
９に軸支されており、この回転軸９との軸支部に磁石１
０−１，１０−２およびヨーク１０−３からなる磁界生
成手段１０が固定されている。磁界生成手段１０はフィ
ードバックレバー８と一体となって回動する。そして、
この磁界生成手段１０の生成する磁界Ｂに対して、その
磁気検出面１Ａ１を平行として磁気センサ１が配置され
ている。この磁気センサ１は、固定的に配置されてお
り、フィードバックレバー８とは一体となって回動しな
い。

【００３４】そして、この磁気センサ１の基板面（磁気
検出面）１Ａ１に対し、駆動電流値決定用抵抗（この場
合、強磁性体磁気抵抗素子）４を配置してなる基板４Ａ
が、その基板面（磁気検出面）４Ａ１を垂直として配置
されている。この場合、角度センサ７−３は、回転軸
９，磁界生成手段１０，磁気センサ１および駆動電流値
決定用抵抗４をその構成要素としている。図６に角度セ
ンサ７−３の要部を斜視図として示す。

【００３５】この調節弁制御システムにおいて、電空ポ
ジショナ７は、周囲温度変化（一日の中の寒暖の変化、
季節による寒暖の変化）の顕著な調節弁６の近傍に配置
される。しかし、この場合、角度センサ７−３によって
フィードバックレバー８の回転角度位置が温度の影響を
受けずに正確に検出されるので、的確かつ安定して調節
弁６の開度調整を行うことができる。

【００３６】なお、上述し実施の形態１〜３では、駆動
電流値決定用抵抗４の温度特性を強磁性体磁気抵抗素子
１−１〜１−４と同じ温度特性としたが、多少のずれが
あってもよい。また、上述した実施の形態１〜３では、
磁気センサ１を強磁性体磁気抵抗素子１−１〜１−４に
よって構成するものとしたが、同様の機能を有する他の
素子を磁気センサ１として用いるようにしてもよい。ま
た、上述した実施の形態３では、実施の形態２と同タイ
プの非接触型ポテンショメータを使用したが、実施の形
態１と同タイプのものを用いてもよい。

【００３７】

【発明の効果】以上説明したことから明らかなように本
発明によれば、第１発明では、磁気センサと直列にこの
磁気センサとほゞ同じ温度特性を持つ駆動電流値決定用
抵抗を接続し、この駆動電流値決定用抵抗を磁気センサ
の近傍に配置するようにしたので、周囲温度をほゞ同一
として、ほゞ同じ温度特性を持つ磁気センサおよび駆動
電流値決定用抵抗の値が変化するものとなり、温度の影
響を受けずに被測定部材の回転角度を正確に検出するこ
とができるようになる。第２発明では、第１発明におい
て、磁気センサの駆動電流を決定するための電圧を電源
電圧に比例する構成としたので、第１発明の効果に加え
て、電源電圧が変動しても被測定部材の回転角度位置の
測定結果に影響を与えることがなく、また別途基準電圧
を与える必要もないので構成の簡略化が図られる。第３
発明では、第１および第２発明において、磁気センサを
強磁性体磁気抵抗素子で構成し、この強磁性体磁気抵抗
素子と同種の素子で駆動電流値決定用抵抗を構成し、こ
の駆動電流値決定用抵抗をその磁気検出面が磁気センサ
の磁気検出面と垂直となるようにして磁気センサの近傍
に配置するようにしたので、強磁性体磁気抵抗素子と同
じ温度特性を持つ抵抗素子を探す必要がなくなり、簡単
に第１発明と同様の効果を得ることができる。第４発明
では、第１〜第３発明の非接触型ポテンショメータによ
ってフィードバックレバーの基準位置に対する回転角度
位置が検出され、この検出値に基づく調節弁からの実開
度情報と上位制御装置からの設定開度情報に基づいて調
節弁の開度が制御されるものとなり、周囲温度変化の顕
著な環境でも的確かつ安定して調節弁の開度調整を行う
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の一実施の形態を示す非接触型ポテン
ショメータの回路構成を示す図である。

【図２】 磁気センサの配置される基板と駆動電流値決
定用抵抗の配置される基板と磁界の向きの変化を示す平
面図および側面図である。

【図３】 本発明に係る非接触型ポテンショメータをそ
の電空ポジショナに使用してなる調節弁制御システムの
システム構成図である。

【図４】 電空ポジショナの角度センサと調節弁との配
置関係を示す図である。

【図５】 角度センサの要部を示す平面図および側面図
である。

【図６】 角度センサの要部を示す斜視図である。

【図７】 強磁性体磁気抵抗素子を利用した従来の非接
触型ポテンショメータの回路構成を示す図である。

【図８】 強磁性体磁気抵抗素子の温度特性の悪さを示
す図である。

【符号の説明】 １…磁気センサ、１−１〜１−４…強磁性体磁気抵抗素
子、１Ａ…基板、１Ａ１…基板面（磁気検出面）、２…
オペアンプ、３…増幅器、４…駆動電流値決定用抵抗、
４Ａ…基板、４Ａ１…基板面（磁気検出面）、５…上位
コントローラ、６…調節弁、７…電空ポジショナ、７−
１…電空変換部、７−２…パイロットリレー、７−３…
角度センサ、８…フィードバックレバー、９…回転軸、
１０…磁界生成手段、１０−１，１０−２…磁石、１０
−３…ヨーク。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 定電流で駆動される磁気センサと、この
   磁気センサの磁気検出面に対して平行な磁界を作る磁界
   生成手段とを備え、前記磁気センサの出力に基づき前記
   磁界生成手段の生成する磁界の方向を検出することによ
   って、被測定部材の回転角度位置を検出する非接触型ポ
   テンショメータにおいて、 前記磁気センサと直列にこの磁気センサとほゞ同じ温度
   特性を持つ駆動電流値決定用抵抗が接続され、 この駆動電流値決定用抵抗が前記磁気センサの近傍に配
   置されていることを特徴とする非接触型ポテンショメー
   タ。
2. 【請求項２】 請求項１において、前記磁気センサの駆
   動電流を決定するための電圧を電源電圧に比例する構成
   としたことを特徴とする非接触型ポテンショメータ。
3. 【請求項３】 請求項１または２において、 前記磁気センサが強磁性体磁気抵抗素子で構成され、 この強磁性体磁気抵抗素子と同種の素子で前記駆動電流
   値決定用抵抗が構成され、 この駆動電流値決定用抵抗がその磁気検出面を前記磁気
   センサの磁気検出面と垂直となるようにして前記磁気セ
   ンサの近傍に配置されていることを特徴とする非接触型
   ポテンショメータ。
4. 【請求項４】 上位制御装置からの設定開度情報および
   調節弁からの実開度情報に基づいて駆動制御信号を生成
   し、この駆動制御信号を空気圧信号に変換して前記調節
   弁の開度を制御する電空ポジショナにおいて、 前記調節弁の弁軸の所定位置に接続されたフィードバッ
   クレバーを被測定部材とし、このフィードバックレバー
   の基準位置に対する回転角度位置を請求項１〜３の何れ
   か１項に記載の非接触型ポテンショメータによって検出
   し、この検出値に基づいて前記調節弁からの実開度情報
   を得る手段を備えたことを特徴とする電空ポジショナ。