JPH11116385A - 半導体ウエハおよびその製造方法 - Google Patents
半導体ウエハおよびその製造方法Info
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- JPH11116385A JPH11116385A JP9272692A JP27269297A JPH11116385A JP H11116385 A JPH11116385 A JP H11116385A JP 9272692 A JP9272692 A JP 9272692A JP 27269297 A JP27269297 A JP 27269297A JP H11116385 A JPH11116385 A JP H11116385A
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- Japan
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- wafer
- silicon
- formed product
- semiconductor
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- Ceramic Products (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【解決手段】化学的または物理的手法により、半導体層
とセラミックス層とを積層してなることを特徴とする半
導体ウエハ。 【効果】本発明により、熱放射性がよく冷却性能に優れ
た基板、安価で鏡面性、平坦性に優れた発塵しないダミ
ーウエハなどの半導体ウエハを得ることができる。
とセラミックス層とを積層してなることを特徴とする半
導体ウエハ。 【効果】本発明により、熱放射性がよく冷却性能に優れ
た基板、安価で鏡面性、平坦性に優れた発塵しないダミ
ーウエハなどの半導体ウエハを得ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、新規な半導体ウエ
ハに関するもので、良好な熱伝導性、放熱性を有し、セ
ラミックス積層基板、ハイブリッドＩＣ基板用途、ダミ
ーウエハなどにきわめて有用である。
ハに関するもので、良好な熱伝導性、放熱性を有し、セ
ラミックス積層基板、ハイブリッドＩＣ基板用途、ダミ
ーウエハなどにきわめて有用である。
【０００２】
【従来の技術】情報機器の設計に当たって、放熱対策は
最も重要な問題である。装置に十分な空間が確保され、
発熱量が小さかった場合では熱を逃がす方法はいくらで
もあった。小型化、集積化が進み、発熱密度が高くなっ
てきた携帯情報機器などの分野では、この方法は間に合
わなくなってしまった。
最も重要な問題である。装置に十分な空間が確保され、
発熱量が小さかった場合では熱を逃がす方法はいくらで
もあった。小型化、集積化が進み、発熱密度が高くなっ
てきた携帯情報機器などの分野では、この方法は間に合
わなくなってしまった。
【０００３】例えばパソコンに搭載される中央演算子
（以下ＣＰＵと称する）は、温度が高くなりすぎると演
算処理速度が遅くなるばかりでなく、動作不能に陥るこ
ともある。実際、近年のＣＰＵは動作周波数が数百メガ
ヘルツで、発熱量は数十ワット程度となるので効率の良
い冷却方法は最も重要な問題となっている。
（以下ＣＰＵと称する）は、温度が高くなりすぎると演
算処理速度が遅くなるばかりでなく、動作不能に陥るこ
ともある。実際、近年のＣＰＵは動作周波数が数百メガ
ヘルツで、発熱量は数十ワット程度となるので効率の良
い冷却方法は最も重要な問題となっている。
【０００４】これまで、米国インテル社のペンティアム
プロセッサ１３３メガヘルツを搭載したパソコンでは、
アルミ合金製の構造体を用いて熱伝導で拡散し、樹脂製
筐体を介して外気に熱放散していた。しかし、１５０メ
ガヘルツとなるとアルミフレームの熱抵抗を小さくする
ためにヒートパイプを設置し、さらに１６６メガヘルツ
ではＣＰＵ以外の発熱源を冷却するため、プロセッサの
位置にファンを搭載し、空気を媒体として強制対流で冷
却する方法があった。
プロセッサ１３３メガヘルツを搭載したパソコンでは、
アルミ合金製の構造体を用いて熱伝導で拡散し、樹脂製
筐体を介して外気に熱放散していた。しかし、１５０メ
ガヘルツとなるとアルミフレームの熱抵抗を小さくする
ためにヒートパイプを設置し、さらに１６６メガヘルツ
ではＣＰＵ以外の発熱源を冷却するため、プロセッサの
位置にファンを搭載し、空気を媒体として強制対流で冷
却する方法があった。
【０００５】このように熱を外部に放出するためにこれ
まで千差万別の方法が採られてきた。しかしながら、サ
ブノートパソコンに代表されるような軽量、薄型タイプ
ではさらにヒートシンクを直接ＣＰＵに接着するチップ
ダイレクト冷却の方法が採られている。この方法は、ベ
アチップに直接ヒートシンクを接着することで熱抵抗を
小さくする。ヒートシンク材にはアルミ合金の押し出し
材を切削して作製し、ＣＰＵとの間に伝熱性の粉末を１
００〜２００μｍの層として挟んで押しつけている。こ
の場合ＣＰＵで発生した熱はまずヒートシンクに伝導す
る。そこからキーボード下のアルミ製放熱板へと伝わ
る。放熱板とヒートシンクは接触しておらず、輻射と対
流によって伝熱する。
まで千差万別の方法が採られてきた。しかしながら、サ
ブノートパソコンに代表されるような軽量、薄型タイプ
ではさらにヒートシンクを直接ＣＰＵに接着するチップ
ダイレクト冷却の方法が採られている。この方法は、ベ
アチップに直接ヒートシンクを接着することで熱抵抗を
小さくする。ヒートシンク材にはアルミ合金の押し出し
材を切削して作製し、ＣＰＵとの間に伝熱性の粉末を１
００〜２００μｍの層として挟んで押しつけている。こ
の場合ＣＰＵで発生した熱はまずヒートシンクに伝導す
る。そこからキーボード下のアルミ製放熱板へと伝わ
る。放熱板とヒートシンクは接触しておらず、輻射と対
流によって伝熱する。
【０００６】ＣＰＵばかりでなく、ＤＲＡＭなどのメモ
リも配線密度と共に記憶密度が上がったために素子自体
が熱を発生しやすくなっているといった問題も生じてい
る。
リも配線密度と共に記憶密度が上がったために素子自体
が熱を発生しやすくなっているといった問題も生じてい
る。
【０００７】熱発生源である半導体素子に直接ヒートシ
ンクを接着する方法は放熱性が最も効率よく行われるの
で好ましい。しかしながら、これまでは接着しても素子
とヒートシンクの間に隙間が生じたり、接着剤を用いる
ために接着層によって良好な熱伝達ができないといった
問題があった。
ンクを接着する方法は放熱性が最も効率よく行われるの
で好ましい。しかしながら、これまでは接着しても素子
とヒートシンクの間に隙間が生じたり、接着剤を用いる
ために接着層によって良好な熱伝達ができないといった
問題があった。
【０００８】また、半導体デバイスの製造ラインにおい
ては、製品と同じ様に鏡面研磨されたシリコンウエハを
各種の検査項目をチェックするテスト用ウエハ（以下ダ
ミーウエハと称する）として使用し、各工程での加工精
度や清浄度を確認しながら各プロセス処理が行われてい
る。上記ダミーウエハの例としては、膜厚モニター用の
ダミーウエハ、ウエハ上に付着したパーティクル数を測
定したことにより各工程の清浄度を検査するパーティク
ルカウント用ダミーウエハなどを挙げることができる。
ては、製品と同じ様に鏡面研磨されたシリコンウエハを
各種の検査項目をチェックするテスト用ウエハ（以下ダ
ミーウエハと称する）として使用し、各工程での加工精
度や清浄度を確認しながら各プロセス処理が行われてい
る。上記ダミーウエハの例としては、膜厚モニター用の
ダミーウエハ、ウエハ上に付着したパーティクル数を測
定したことにより各工程の清浄度を検査するパーティク
ルカウント用ダミーウエハなどを挙げることができる。
【０００９】しかしながら、シリコンウエハは高価であ
ることから、ダミーウエハとしては可能な限り繰り返し
用いることが望まれており、前記膜厚モニター用ダミー
ウエハの場合は、エッチング処理後、鏡面研磨して再生
する方法が採られている。したがって、シリコンダミー
ウエハは繰り返し使用する枚数も限られるので、同様の
特性を有する安価な代替のダミーウエハが要求されてい
る。
ることから、ダミーウエハとしては可能な限り繰り返し
用いることが望まれており、前記膜厚モニター用ダミー
ウエハの場合は、エッチング処理後、鏡面研磨して再生
する方法が採られている。したがって、シリコンダミー
ウエハは繰り返し使用する枚数も限られるので、同様の
特性を有する安価な代替のダミーウエハが要求されてい
る。
【００１０】上記シリコンウエハの代替材料としては、
ＳiＣやＡlＮなどのセラミックス基板に鏡面研磨を施し
たダミーウエハを使用する例がある。しかしながら、鏡
面性、平坦度の点でシリコンウエハに劣り、製造プロセ
スの中で発塵して半導体デバイスの汚染源になるといっ
た問題も有していた。
ＳiＣやＡlＮなどのセラミックス基板に鏡面研磨を施し
たダミーウエハを使用する例がある。しかしながら、鏡
面性、平坦度の点でシリコンウエハに劣り、製造プロセ
スの中で発塵して半導体デバイスの汚染源になるといっ
た問題も有していた。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の問題点
を解決し、熱放射性がよく冷却性能に優れた基板、安価
で鏡面性、平坦性に優れた発塵しないダミーウエハなど
の半導体ウエハを提供することを目的とする。
を解決し、熱放射性がよく冷却性能に優れた基板、安価
で鏡面性、平坦性に優れた発塵しないダミーウエハなど
の半導体ウエハを提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、化学的
または物理的手法により、半導体層とセラミックス層と
を積層してなることを特徴とする半導体ウエハであり、
セラミックス層上に、化学的または物理的手法により半
導体層を蒸着し積層するか、または、半導体上に、化学
的または物理的手法によりセラミックス層を蒸着し積層
する製造方法である。
または物理的手法により、半導体層とセラミックス層と
を積層してなることを特徴とする半導体ウエハであり、
セラミックス層上に、化学的または物理的手法により半
導体層を蒸着し積層するか、または、半導体上に、化学
的または物理的手法によりセラミックス層を蒸着し積層
する製造方法である。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明を製造方法の順にしたがっ
て、以下詳述する。
て、以下詳述する。
【００１４】（１）セラミックス基板上に、化学的また
は物理的手法により半導体層を蒸着し積層した半導体ウ
エハの製造方法 この典型的な例として、まず、ＡlＮ基板にＳiを蒸着す
る場合について以下述べる。
は物理的手法により半導体層を蒸着し積層した半導体ウ
エハの製造方法 この典型的な例として、まず、ＡlＮ基板にＳiを蒸着す
る場合について以下述べる。
【００１５】酸素含有率２％以下のＡｌＮ原料粉末に焼
結助剤としてＣａＯ、Ｙ2 Ｏ3 をそれぞれ０．５〜５重
量％添加し、さらに有機溶剤を加えて混合する。この混
合粉末を室温で加圧成形し、その後脱脂処理してＡｌＮ
成形体を作製する。この後、カーボン還元雰囲気の得ら
れるカーボン炉を用いて、Ａｒガスなどの窒素ガス以外
の不活性ガス雰囲気または１ｔｏｒｒ以下の減圧下にて
１〜６時間焼成する。これは焼結体の緻密化と粒内酸素
の除去を目的とする。次に焼成雰囲気を窒素ガスに切り
換えて１〜２４時間焼成する。これは焼結助剤相の窒
化、揮発除去を目的とする。
結助剤としてＣａＯ、Ｙ2 Ｏ3 をそれぞれ０．５〜５重
量％添加し、さらに有機溶剤を加えて混合する。この混
合粉末を室温で加圧成形し、その後脱脂処理してＡｌＮ
成形体を作製する。この後、カーボン還元雰囲気の得ら
れるカーボン炉を用いて、Ａｒガスなどの窒素ガス以外
の不活性ガス雰囲気または１ｔｏｒｒ以下の減圧下にて
１〜６時間焼成する。これは焼結体の緻密化と粒内酸素
の除去を目的とする。次に焼成雰囲気を窒素ガスに切り
換えて１〜２４時間焼成する。これは焼結助剤相の窒
化、揮発除去を目的とする。
【００１６】次に、ＣＶＤ法などによってシリコン層を
蒸着する。ＣＶＤ法には常圧ＣＶＤの他、減圧ＣＶＤ、
プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤなどがある。
蒸着する。ＣＶＤ法には常圧ＣＶＤの他、減圧ＣＶＤ、
プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤなどがある。
【００１７】最も一般的なＣＶＤは熱分解反応を用いる
方法である。Ｓｉを合成するにはモノシラン（Ｓｉ
Ｈ4 ）の熱分解による方法が一般的である。ＳｉＨ4 の
反応は５００℃程度の温度から分解が始まり、アモルフ
ァス薄膜を形成するが、５５０℃以上では多結晶化す
る。
方法である。Ｓｉを合成するにはモノシラン（Ｓｉ
Ｈ4 ）の熱分解による方法が一般的である。ＳｉＨ4 の
反応は５００℃程度の温度から分解が始まり、アモルフ
ァス薄膜を形成するが、５５０℃以上では多結晶化す
る。
【００１８】水素化物の熱分解においてはジシラン（Ｓ
ｉ2 Ｈ6 ）なども用いられている。また、メタン（ＣＨ
4 ）の熱分解と併用して、ＳｉＣの組成をもった膜形成
が可能である。
ｉ2 Ｈ6 ）なども用いられている。また、メタン（ＣＨ
4 ）の熱分解と併用して、ＳｉＣの組成をもった膜形成
が可能である。
【００１９】他にハロゲン化物の水素還元法がある。Ｓ
ｉの塩化物としてＳｉＣｌ4 の他にＳｉＨＣｌ3 、Ｓｉ
Ｈ2 Ｃｌ2 、ＳｉＨ3 Ｃｌなどが存在するが、水素数の
多いほど反応温度が低下する。他に臭化物、ヨウ化物も
原料として適用できる。
ｉの塩化物としてＳｉＣｌ4 の他にＳｉＨＣｌ3 、Ｓｉ
Ｈ2 Ｃｌ2 、ＳｉＨ3 Ｃｌなどが存在するが、水素数の
多いほど反応温度が低下する。他に臭化物、ヨウ化物も
原料として適用できる。
【００２０】また、化学的輸送反応では封じられた反応
室内において、高温部と低温部が共存するとき、低温部
に置かれた基板上において高温部分から移動したガスが
熱分解し、膜を形成させるもので、不均等化反応として
知られている。例えば ２ＳｉＸ2 →Ｓｉ＋ＳｉＸ4 のような化学平衡状態を利用する。この方法は、ＧａＡ
ｓのような金属間化合物のエピタキシャル成長にも用い
られる。
室内において、高温部と低温部が共存するとき、低温部
に置かれた基板上において高温部分から移動したガスが
熱分解し、膜を形成させるもので、不均等化反応として
知られている。例えば ２ＳｉＸ2 →Ｓｉ＋ＳｉＸ4 のような化学平衡状態を利用する。この方法は、ＧａＡ
ｓのような金属間化合物のエピタキシャル成長にも用い
られる。
【００２１】次に、ＳｉＣダミーウエハ基板上にＳｉを
蒸着する方法について述べる。
蒸着する方法について述べる。
【００２２】基材表面に積層する薄板は、ＣＶＤ法、Ｐ
ＶＤ法等に方法によって炭素などの基材上に生成させ
る。例えば、炭化珪素を生成する場合は、テトラエトキ
シシランと炭酸ガスをある一定の割合で混合導入し、反
応槽内で加熱した炭素基材上に析出させることができ
る。この後、炭素を空気中で燃焼させ、炭化珪素の薄板
を得る。この際、炭素基板表面に数μｍ〜１００μｍの
範囲で細かな凹凸パターンを設けておくと、その形状通
りに炭化珪素層が析出してくるので、基材炭素を雌型に
利用することもできる。さらに、数ｍｍ〜数１０ｍｍの
高さの突起を設ければ、基材炭素離型後に貫通孔を得る
こともできる。
ＶＤ法等に方法によって炭素などの基材上に生成させ
る。例えば、炭化珪素を生成する場合は、テトラエトキ
シシランと炭酸ガスをある一定の割合で混合導入し、反
応槽内で加熱した炭素基材上に析出させることができ
る。この後、炭素を空気中で燃焼させ、炭化珪素の薄板
を得る。この際、炭素基板表面に数μｍ〜１００μｍの
範囲で細かな凹凸パターンを設けておくと、その形状通
りに炭化珪素層が析出してくるので、基材炭素を雌型に
利用することもできる。さらに、数ｍｍ〜数１０ｍｍの
高さの突起を設ければ、基材炭素離型後に貫通孔を得る
こともできる。
【００２３】このようにして作製したＳｉＣに上述した
ような方法で、シリコンの蒸着層を設ければよい。
ような方法で、シリコンの蒸着層を設ければよい。
【００２４】（２）半導体上に、化学的または物理的手
法によりセラミックス層を蒸着し積層した半導体ウエハ
の製造方法 単結晶シリコンからなる半導体層にセラミックスを蒸着
する方法について述べる。
法によりセラミックス層を蒸着し積層した半導体ウエハ
の製造方法 単結晶シリコンからなる半導体層にセラミックスを蒸着
する方法について述べる。
【００２５】まず、フローティングゾーン法や引き上げ
法によってシリコン単結晶棒を作製し、この両端を切断
した後、直径を揃えるために研削して円周側面にオリエ
ンテーションフラットを施す。オリエンテーションフラ
ットとは結晶方向や加工の際の基準位置として用いる平
面加工部分をいう。この後、ダイヤモンドカッターで薄
くスライスし、表面を研磨して純水で洗浄する。
法によってシリコン単結晶棒を作製し、この両端を切断
した後、直径を揃えるために研削して円周側面にオリエ
ンテーションフラットを施す。オリエンテーションフラ
ットとは結晶方向や加工の際の基準位置として用いる平
面加工部分をいう。この後、ダイヤモンドカッターで薄
くスライスし、表面を研磨して純水で洗浄する。
【００２６】次にこのシリコンウエハの片面に化学的ま
たは物理的手法によって窒化アルミニウム層などをコー
ティングする。最も一般的な方法として化学的気相成長
法（ＣＶＤ法）がある。
たは物理的手法によって窒化アルミニウム層などをコー
ティングする。最も一般的な方法として化学的気相成長
法（ＣＶＤ法）がある。
【００２７】もう一方の面には酸化膜をつけて保護す
る。この酸化膜を作るにもＣＶＤ法を用いる。ＣＶＤ法
は気体の熱分解や化学反応を利用してウエハ上に薄膜を
作る方法である。
る。この酸化膜を作るにもＣＶＤ法を用いる。ＣＶＤ法
は気体の熱分解や化学反応を利用してウエハ上に薄膜を
作る方法である。
【００２８】例えば、炉の周りに高周波コイルを置き、
炉の中にウエハを並べて、高周波コイルに電流を流し、
炉内を加熱して、シランガスと酸素ガスを送り込む。こ
のとき、シランと酸素が爆発的に反応しないように窒素
などの不活性ガスも同時に送り込むと、 ＳｉＨ4 ＋Ｏ2 →ＳｉＯ2 ＋２Ｈ2 なる反応が炉内で起こり、ウエハ表面にＳｉＯ2 の薄膜
を作ることができる。
炉の中にウエハを並べて、高周波コイルに電流を流し、
炉内を加熱して、シランガスと酸素ガスを送り込む。こ
のとき、シランと酸素が爆発的に反応しないように窒素
などの不活性ガスも同時に送り込むと、 ＳｉＨ4 ＋Ｏ2 →ＳｉＯ2 ＋２Ｈ2 なる反応が炉内で起こり、ウエハ表面にＳｉＯ2 の薄膜
を作ることができる。
【００２９】このＣＶＤ法は送り込むガスの種類によっ
て窒化シリコン膜や多結晶シリコン膜などを作ることが
可能である。例えば、以下のような反応を生じる。
て窒化シリコン膜や多結晶シリコン膜などを作ることが
可能である。例えば、以下のような反応を生じる。
【００３０】熱分解反応 ＳｉＨ4 →Ｓｉ＋２Ｈ2 アンモニアとの反応 ３ＳｉＨ4 ＋４ＮＨ3 →Ｓｉ3
Ｎ4 ＋１２Ｈ2 基板が単結晶シリコンの場合は、１０００℃程度でエピ
タキシャル成長が可能となる。
Ｎ4 ＋１２Ｈ2 基板が単結晶シリコンの場合は、１０００℃程度でエピ
タキシャル成長が可能となる。
【００３１】このウエハ上にできた酸化膜に窓を開け
て、不純物を拡散し回路を作製する工程に入る。酸化膜
を溶かすのにウエハに塗るのはネガ型のレジストであ
る。まず、酸化膜にフォトレジストを塗り、プリベーク
した後フォトリソグラフィによってマスクパターンを転
写する。紫外線照射後、ウエハを溶剤に入れて紫外線が
当たらずに反応しなかったフォトレジストだけを溶解
し、ウエハ上の反応硬化したレジストをポストベークす
る。この後、ウエハの酸化膜だけを溶かす溶剤に入れ
て、フォトレジストのついていない酸化膜だけを溶か
し、次に残ったフォトレジストを溶剤ですべて溶かして
酸化膜に窓を開ける。開けた窓には、熱拡散法やイオン
注入法によって不純物を拡散する。
て、不純物を拡散し回路を作製する工程に入る。酸化膜
を溶かすのにウエハに塗るのはネガ型のレジストであ
る。まず、酸化膜にフォトレジストを塗り、プリベーク
した後フォトリソグラフィによってマスクパターンを転
写する。紫外線照射後、ウエハを溶剤に入れて紫外線が
当たらずに反応しなかったフォトレジストだけを溶解
し、ウエハ上の反応硬化したレジストをポストベークす
る。この後、ウエハの酸化膜だけを溶かす溶剤に入れ
て、フォトレジストのついていない酸化膜だけを溶か
し、次に残ったフォトレジストを溶剤ですべて溶かして
酸化膜に窓を開ける。開けた窓には、熱拡散法やイオン
注入法によって不純物を拡散する。
【００３２】こうした工程をセルフアラインを使って何
回か繰り返し行い複雑な回路を作製する。
回か繰り返し行い複雑な回路を作製する。
【００３３】上記の方法により得られた半導体ウエハ
は、セラミックス積層基板、ハイブリッドＩＣ基板、ダ
ミーウエハに用いることができる。
は、セラミックス積層基板、ハイブリッドＩＣ基板、ダ
ミーウエハに用いることができる。
【００３４】
【実施例】以下に、本発明を実施例を用いて、具体的に
説明する。ただし、本発明はこれに限定されない。な
お、実施例中の濃度は重量％である。
説明する。ただし、本発明はこれに限定されない。な
お、実施例中の濃度は重量％である。
【００３５】実施例１ 酸素含有率０．８重量％のＡｌＮ原料粉末に焼結助剤と
してＣａＯ、Ｙ2 Ｏ3をそれぞれ１重量％、０．５重量
％添加し、さらに有機溶剤を加えて混合する。この混合
粉末を室温で加圧成形し、その後脱脂処理してＡｌＮ成
形体を作製する。この後、カーボン還元雰囲気の得られ
るカーボン炉を用いて、Ａｒガス雰囲気にて１時間焼成
する。次に焼成雰囲気を窒素ガスに切り換えて４時間焼
成する。
してＣａＯ、Ｙ2 Ｏ3をそれぞれ１重量％、０．５重量
％添加し、さらに有機溶剤を加えて混合する。この混合
粉末を室温で加圧成形し、その後脱脂処理してＡｌＮ成
形体を作製する。この後、カーボン還元雰囲気の得られ
るカーボン炉を用いて、Ａｒガス雰囲気にて１時間焼成
する。次に焼成雰囲気を窒素ガスに切り換えて４時間焼
成する。
【００３６】次にＣＶＤ法により基板上にＳｉ薄膜を形
成する。ＣＶＤは最も一般的なモノシラン（ＳｉＨ4 ）
の熱分解による方法を用いた。反応温度は６５０℃と
し、多結晶シリコンを生成する。
成する。ＣＶＤは最も一般的なモノシラン（ＳｉＨ4 ）
の熱分解による方法を用いた。反応温度は６５０℃と
し、多結晶シリコンを生成する。
【００３７】実施例２ 基材となるＳｉＣ薄板は、ＣＶＤ法によってカーボン基
材上に生成させる。まず、テトラエトキシシランと炭酸
ガスを所定の割合で混合導入し、反応槽内で１０００℃
に加熱した炭素基材上に析出させる。この後、炭素を空
気中で８００℃にて燃焼させ、炭化珪素の薄板を得る。
材上に生成させる。まず、テトラエトキシシランと炭酸
ガスを所定の割合で混合導入し、反応槽内で１０００℃
に加熱した炭素基材上に析出させる。この後、炭素を空
気中で８００℃にて燃焼させ、炭化珪素の薄板を得る。
【００３８】このようにして作製したＳｉＣ基板上に実
施例１に示した方法で、シリコンの蒸着層を設ける。
施例１に示した方法で、シリコンの蒸着層を設ける。
【００３９】実施例３ 単結晶シリコンの半導体基板に実施例２に記した方法に
よってＳｉＣを蒸着する。
よってＳｉＣを蒸着する。
【００４０】
【発明の効果】本発明により、熱放射性がよく冷却性能
に優れた基板、安価で鏡面性、平坦性に優れた発塵しな
いダミーウエハなどの半導体ウエハを得ることができ
る。
に優れた基板、安価で鏡面性、平坦性に優れた発塵しな
いダミーウエハなどの半導体ウエハを得ることができ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｃ０４Ｂ 35/58 １０４Ｙ
Claims (5)
- 【請求項１】 化学的または物理的手法により、半導体
層とセラミックス層とを積層してなることを特徴とする
半導体ウエハ。 - 【請求項２】 半導体層が単結晶シリコンまたは多結晶
シリコンであることを特徴とする請求項１に記載の半導
体ウエハ。 - 【請求項３】 セラミックス層が窒化アルミニウム、窒
化珪素および炭化珪素のいずれかを主成分とすることを
特徴とする請求項１に記載の半導体ウエハ。 - 【請求項４】 セラミックス層上に、化学的または物理
的手法により半導体層を蒸着し積層してなることを特徴
とする半導体ウエハの製造方法。 - 【請求項５】 半導体層上に、化学的または物理的手法
によりセラミックス層を蒸着し積層してなることを特徴
とする半導体ウエハの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9272692A JPH11116385A (ja) | 1997-10-06 | 1997-10-06 | 半導体ウエハおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9272692A JPH11116385A (ja) | 1997-10-06 | 1997-10-06 | 半導体ウエハおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11116385A true JPH11116385A (ja) | 1999-04-27 |
Family
ID=17517474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9272692A Pending JPH11116385A (ja) | 1997-10-06 | 1997-10-06 | 半導体ウエハおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11116385A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6388941B2 (en) | 2000-07-13 | 2002-05-14 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
| US6454712B1 (en) | 1999-08-25 | 2002-09-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ultrasonic diagnostic apparatus and ultrasonic image measuring apparatus |
-
1997
- 1997-10-06 JP JP9272692A patent/JPH11116385A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6454712B1 (en) | 1999-08-25 | 2002-09-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ultrasonic diagnostic apparatus and ultrasonic image measuring apparatus |
| US6388941B2 (en) | 2000-07-13 | 2002-05-14 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
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