JPH11111795A - 撮像素子の検査装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＣＣＤのの欠陥画素を精度良く検出。 【解決手段】 ＣＣＤ２に強い光と弱い光の二段階以上
の光を選択的に投射する光源３および無彩色フィルタ１
０；強い光のときの撮像信号を高レベルの比較電圧Ｖｒ
ｅｆ１にて第１デ−タに変換し、弱い光のときは低レベ
ルの比較電圧Ｖｒｅｆ２にて第２デ−タに変換するＡ／
Ｄ変換器５；第１デ−タおよび第２デ−タを記憶する画
像メモリ１５；および、第１デ−タＤＭ１ｉと第２デ−
タＤＭ２ｉの同一画素ｉのものの比Ｒｉを算出する演算
手段８１；を備える。全画素の比Ｒｉの最大値Ｒｉmax
および最小値Ｒｉminを摘出し、不均一性値ＰＲＮＵ＝
Δ３／Ｒｉmax＝（Ｒｉmax−Ｒｉmin）／Ｒｉmaxを算出
し、これがしきい値ＰＲＮＵｔを越えると、ＣＣＤ２を
不良品と見なす。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、多数の光電変換素
子の配列を含む撮像素子の撮影感度の検査に関する。

【０００２】

【従来の技術】この種の撮像素子の代表的なものの１つ
に、ＣＣＤ撮像素子（以下単にＣＣＤと表記する）があ
り、デジタル複写機，ＦＡＸ，イメージスキャナ，カメ
ラ等に用いられている。例えば原稿画像の読取りの用途
においては、近来読みとり画素数の増加，カラー化によ
る複数ライン化によってチップサイズの巨大化と総画素
数の増加の傾向をたどっている。ここで、ＣＣＤの画素
とは、光電変換の最小単位素子を意味する。逆に表現す
ると、多数の画素の線配列又は面配列がＣＣＤである。

【０００３】画素数の増加によってＣＣＤの歩留まりが
低下している。その原因の１つは、製造途上での欠陥画
素の発生確率が高くなることにある。欠陥画素には、ウ
ェーハー自体の材質不均一性に原因するものと、加工プ
ロセスで発生するものがあるが、ＣＣＤの現象として
は、特定の画素がある光量以下では全く出力を発生しな
いものである。

【０００４】もともとＣＣＤには、発生電圧／光量が画
素毎にばらつくという出力電圧の不均一性があり、これ
が感度不均一指標値ＰＲＮＵ、 ＰＲＮＵ＝〔（全画素が発生する電圧の中の最高値−最
低値）／最高値〕×１００％ で表現される。ＰＲＮＵの値が大きいほど上述のばらつ
きが大きく、ＣＣＤ品質が低く、ＰＲＮＵ値が所定値以
上のＣＣＤは、規格外品として処分される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】従来は、上述のＰＲＮ
Ｕ値が所定値以上のＣＣＤは不良品としていたが、その
ため歩留まりが上がらず、ＣＣＤの価格を上昇させる要
因となっていた。

【０００６】上述のばらつきは、シェーディング補正と
いう処理によって補正することができるが、シェーディ
ング補正では補正しきれない欠陥画素も発生する。図８
は横軸に原稿の反射率をとり、縦軸に出力をとったと
き、正常画素と欠陥画素の入出力特性を表したものであ
る。理想的な画素が図８にで示す光電変換特性を示す
ものとした場合、として示す特性の画素は、原稿反射
率Ｘａ（％）より高い反射率領域ではシェ−ディング補
正によりで示す光電変換特性に近付けることができる
が、Ｘａ（％）に近いほどで示す光電変換特性からの
解離が大きく、Ｘａ（％）以下では全く光量対応の光量
デ−タを得ることができない。Ｘａ（％）が大きいほ
ど、欠陥度合が大（画像再現性が低）であり、再現画像
の高濃度部で副走査方向の縦線状の異常画像が発生す
る。画素欠陥のあるＣＣＤを補償して使う方法として直
前の画素で置き換えるものがあるが、その場合には細線
が太ったり逆に消えてしまったりする弊害があった。

【０００７】上述のＰＲＮＵ値は、図８に示す偏差Δ１
に着目したものでこれが大きいと大きい値を示す。図６
は横軸をＣＣＤの画素の並び方向、縦軸をＣＣＤ出力と
して画素欠陥の出力をみたものである。光量が多い１０
０％出力時には画素欠陥は目立たないが、出力が小さく
なってくると影響が無視できなくなってくる。すなわち
画素欠陥は出力に対するオフセットとして存在する。と
ころが、偏差Δ１が比較的に大きくても、原稿反射率０
％で出力電圧零（Ｘａ＝０）を示し、原稿反射率の増大
に実質上比例して出力電圧が上昇する光電変換特性を示
す画素もある。この場合には、シェーディング補正で正
常画素と同程度の光電変換特性を示す補正デ−タを得る
ことができる。原稿反射率が低い値のところでＰＲＮＵ
値を算出することにより、原稿反射率０％で出力電圧零
（Ｘａ＝０）を示すか否かの推定の精度が向上すると考
えられる。

【０００８】そこで、光量を低くして出力電圧の不均一
性を測定することによって欠陥画素を検査する方法が考
えられる。光量を低くすると、図６に示すように、例え
ば光量２０％では出力電圧が全体的に低下する。そこ
で、ＣＣＤの出力電圧をデジタルデ−タ（画像デ−タ）
に変換するＡ／Ｄコンバ−タの比較電圧を高い値Ｖｒｅ
ｆ１から低い値Ｖｒｅｆ２に切換えることにより、デジ
タル変換の量子化単位が小さくなり、図７に示すように
デジタルデ−タのスケ−ルを拡大することができ、ＰＲ
ＮＵ算出精度が高くなる。

【０００９】しかしながら低光量（例えば２０％）で偏
差Δ２を検出しそれに基づいてＰＲＮＵ値を算出する場
合でも、偏差Δ２が比較的に大きく図８に示すＸａのオ
フセットを示す欠陥画素ばかりでなく、原稿反射率０％
で出力電圧零（Ｘａ＝０）を示しそこから原稿反射率の
増大に実質上比例して出力電圧が上昇する光電変換特性
を示す画素もある。すなわち低光量時においてもシェー
ディング補正で補正できる出力電圧の不均一性は存在す
る。このため、光量を低くして出力電圧の不均一性ＰＲ
ＮＵを測定するだけでは精度良く欠陥画素検出すること
が出来ず、使用できるＣＣＤまでを不良として扱ってし
まい、歩留まりを悪化させる原因となる。

【００１０】本発明は以上に鑑み、撮像素子の欠陥画素
を精度良く検出することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】図８のグラフの縦軸値を
ｙ、横軸値をｘとして、図８に示す光電変換特性線をｙ
＝ａｘ＋ｂと近似すると、Ｘａ＝−ｂ／ａであり、Ｘａ
≒０なる条件を与えると、ｂ≒０であり、ｙ≒ａｘとな
る。今、図８に示す光電変換特性線に着目すると、そ
れが原点を通る直線であると仮定すると、ａ＝ＭＡ／２
０＝ＭＢ／８０で、ＭＢ／ＭＡ＝８０／２０＝４で、Ｍ
Ｂ／ＭＡは所定値（４）となる。実際のＭＢ／ＭＡの値
の、所定値（４）からのずれは、光電変換特性線の、
ｙ＝ａｘなる直線とのずれを表わす。

【００１２】ここで、光電変換特性線を基準とする
と、ＭＢ／ＭＡに対する、光電変換特性線のＢ／Ａ値
の偏差Δ３ Δ３＝ＭＢ／ＭＡ−Ｂ／Ａ は、光電変換特性線の、光電変換特性線に対するず
れを表わす。Ｂ＝ＭＢ−Δ２，Ａ＝ＭＡ−ΔＡより、相
対比Ｂ／Ａは、 Ｂ／Ａ＝（ＭＢ−Δ２）／（ＭＡ−ΔＡ） であり、この値Ｂ／Ａは、（ＭＡ−ΔＡ）が高レベル領
域であるので、ΔＡの変動に対する変動は小さい。すな
わち、シェ−ディング補正による適正化の可能性が高い
高レベル領域の画素出力のばらつきに対して鈍感であ
る。これに対し、シェ−ディング補正による適正化が困
難なオフセットＸａが存在することがある低レベル領域
で値Ｂ／Ａは、Δ２の変動に対する（ＭＢ−Δ２）の変
動が大きいので、Ｂ／Ａの変動が大きい。すなわちシェ
−ディング補正による適正化の可能性が低い低レベル領
域の画素出力のばらつきに対して鋭敏である。すなわ
ち、Ｂ／Ａは、シェ−ディング補正による適正化の可能
性が高い高レベル領域の画素出力のばらつきに対しては
小さい重みを、シェ−ディング補正による適正化が困難
なオフセットＸａが存在することがある低レベル領域で
は大きい重みが自動的に内在する、基準特性線に対す
る着目特性線のずれ量指標値である。

【００１３】そこで本発明では、撮像素子(2)に強い光
(80%)と弱い光(20%)の二段階以上の光を選択的に投射
し、各光を投射中の撮像装置(1)の光電変換信号を第１
デジタルデ−タ(A)に変換し、少くとも先行して得た、
強い光（又は弱い光）の投射中のデジタルデ−タ(A)を
メモリに記憶し、後行の弱い光（又は強い光）の投射中
に第２デジタルデ−タ(B)を得るときに、あるいは第２
デジタルデ−タ(B)をもメモリに記憶した後に、第１デ
ジタルデ−タ(A)と第２デジタルデ−タ(B)の、同一光電
変換素子(i)のものの相対値(B/A)を算出する。

【００１４】１．これを実現するため、本願発明の撮像
素子の検査装置は、多数の光電変換素子の配列を含む撮
像素子(2)とその光電変換信号を出力する駆動回路(4)を
有する撮像装置(1)の、撮像素子(2)に強い光と弱い光の
二段階以上の光を選択的に投射する光源装置(3,10,1
1)；前記撮像装置(1)の光電変換信号をデジタルデ−タ
に変換するＡ／Ｄ変換手段(5,12)；前記光源装置(3,10,
11)が撮像素子(2)に強い光を投射しているときの前記デ
ジタルデ−タである第１デ−タ(DM1i)と、前記光源装置
(3,10,11)が撮像素子(2)に弱い光を投射しているときの
前記デジタルデ−タである第２デ−タ(DM2i)の少くとも
一方を記憶するメモリ手段(15)；および、前記第１デ−
タ(DM1i)と第２デ−タ(DM2i)の同一光電変換素子(画素
i)のものの相対値(Ri,B/A)を算出する演算手段(81)；を
備える。なお、理解を容易にするために、カッコ内に
は、図面に示し後述する実施例の対応要素又は対応事項
の符号を、参考までに付記した。

【００１５】これによれば、相対値が２以上のレベルの
光投射のときの画素の光電変換特性を表わすので、従来
のように１レベルの光投射のみで撮像素子(2)の各画素
の良否を判定する場合よりも、撮像素子(2)の品質判定
の精度を高くすることが可能である。

【００１６】

【発明の実施の形態】

２．前記強い光は、撮像素子(2)の光電変換信号に飽和
をもたらす光量もしくはそれに近い光量(80%)であり、
前記弱い光は撮像素子(2)の光電変換範囲(0〜100%)内で
あるが十分に低い光量(20%)である。

【００１７】３．前記演算手段(81)は、前記第１デ−タ
(DM1i)と第２デ−タ(DM2i)の同一光電変換素子(i)のも
のの比(Ri=DM2i/DM1i)を算出する。

【００１８】これによれば、上述のように比(Ri,B/A)
が、シェ−ディング補正による適正化の可能性が高い高
レベル領域の画素出力のばらつきに対しては小さい重み
を、シェ−ディング補正による適正化が困難なオフセッ
トＸａが存在することがある低レベル領域では大きい重
みが自動的に内在する、基準特性線()に対する、今回
測定した撮像素子(2)の各画素の光電変換特性線のずれ
量指標値であるので、これに基づいた撮像素子(2)の品
質判定の精度が向上する。すなわち、画素欠陥を精度良
く発見することが出来る。

【００１９】４．前記光源装置(3,10,11)が撮像素子(2)
に強い光(80%)を投射しているときは高い比較電圧(Vref
1)を、弱い光(20%)を投射しているときは低い比較電圧
(Vref2)を前記Ａ／Ｄ変換手段(5,12)に与える、量子化
単位選択手段(81)；を更に含む。これによれば、弱い光
(20%)を投射しているときのデジタル変換の量子化単位
が小さくなり、図７に示すようにデジタルデ−タのスケ
−ルを拡大することができ、弱い光(20%)を投射してい
るときのデジタル変換精度（デ−タの分解能）が高くな
り、指標値Ｂ／Ａの精度が向上し、撮像素子(2)の各画
素の良否判定精度を上げることが出来る。

【００２０】５．前記光源装置(3,10,11)は、無彩色の
フィルタ(10)およびこれを光源(3)から撮像素子(2)の間
の光路に対して挿，脱する機構(11)を含む。無彩色のフ
ィルタを入れることによって、分光特性を変化させずに
光量を(80%から20%に)低下させることが出来る。

【００２１】本発明の他の目的および特徴は、図面を参
照した以下の実施例の説明より明らかになろう。

【００２２】

【実施例】図１に、本発明の一実施例の光学系の概要を
示す。図１において１は、ＣＣＤ２ならびにそれを駆動
して光電変換信号を出力する信号処理回路４（図２）を
装着した撮像回路基板である。３は、ＣＣＤ１にあたる
光量が中央部と周辺部とでほとんど同じになるように、
充分離れたところに置かれた光源である。１０は撮像回
路基板１と光源３との間に出し入れ自由にした、無彩色
のフィルタである。フィルタ１０は光源３の分光特性を
変化させずに光量を落とすことが出来る。この実施例で
は、ＣＣＤ２が定格出力の最大値（最も明るいレベルを
表わす）の略８０％の出力を生ずる明るさに光源３の発
光強度が設定され、無彩色フィルタ１０は、略８０％の
出力を生ずる明るさを、略２０％の出力を生ずる明るさ
に減光する。

【００２３】無彩色フィルタ１０は、上位置（減光位
置）と退避位置との間で上下動しうるように、図示しな
いガイドで支持されている。フィルタ１０にはラックが
固着されており、このラックに噛み合うピニオンが、減
速機を介して電気モ−タ１１で回転駆動されて、その正
転によりフィルタ１０が退避位置から減光位置に駆動さ
れ、逆転により減光位置から退避位置に戻される。

【００２４】図に、図１に示す光学系を有する本発明の
一実施例の電気回路系のシステム構成を示す。図１に示
す、測定対象の撮像回路基板１は、図２に示すように、
コネクタ１９を介してイメ−ジ処理装置ＩＰＵに接続さ
れている。撮像回路基板１上の信号処理回路４が出力す
る光電変換信号（ビデオ信号）は、Ａ／Ｄコンバ−タ５
でデジタルデ−タに変換されて、画像メモリ１５に書込
まれる。

【００２５】ＣＣＤ２には充分離れた光源３からの光が
ほぼ平行光として照射される。信号処理回路４はＣＣＤ
からの信号を増幅，サンプルホールド，直流再生しＡ／
Ｄコンバータ５に入力する。Ａ／Ｄコンバータ５には、
Ｄ／Ａ変換器１２によって２種類の第１比較電圧Ｖｒｅ
ｆ１および第２比較電圧Ｖｒｅｆ２が択一的に与えられ
る。後述するが、Ｖｒｅｆ１＞Ｖｒｅｆ２である。第１
比較電圧Ｖｒｅｆ１が与えられているときＡ／Ｄコンバ
ータ５は、０〜Ｖｒｅｆ１の間を所定数（デジタルデ−
タの量子化単位でＶｒｅｆ１を割った値）の領域に区分
し、入力信号（ビデオ信号）がどの領域に属するかを表
わすデジタルデ−タを発生する。領域区分数を同一とす
ると、Ｖｒｅｆ１が大きいほど量子化単位が大きく（量
子化が粗く）、対さいほど量子化単位が小さい（量子化
がこまかい）。なお、量子化炉位が小さいほど、精細に
入力信号レベルを表現しうる。したがって、Ｖｒｅｆ１
＞Ｖｒｅｆ２であるのでＶｒｅｆ２をＡ／Ｄコンバータ
５に与えているときのデジタルデ−タの方が、Ｖｒｅｆ
１を与えているときのデジタルデ−タよりも、精細に入
力信号レベルを表現する。

【００２６】今、フィルタ１０を退避位置に置いた状
態、すなわち光量が大きいとき、ＣＣＤ２の出力の一部
を切り出すと図６の１００％の様になると仮定する。２
番目の画素は単に感度の不均一を持つ画素である。また
６番目の画素は欠陥画素である。このようなＣＣＤの光
量を低くすると、例えば２０％の光量では２番目の画素
は光量に比例して不均一性は小さくなるが、６番目の画
素は小さくならない。

【００２７】２０％の光量での感度不均一性を測定しや
すくするためにＡ／Ｄコンバータ５の比較電圧を、Ｖｒ
ｅｆ１からそれより低い値Ｖｒｅｆ２に切り替えると、
図７のように拡大することが出来る。この場合の感度不
均一性を算出するΔ２は２番目の画素の分だけ大きな値
になる。これによって本来規格内である感度不均一性の
値が規格外となり歩留まりを下げる結果となる。

【００２８】そこで、１００％光量（後述の実施例では
８０％光量）での１ラインのデータをメモリ１５に記憶
しておき、次に低光量２０％時のデータを先の１００％
光量時のデータで割り算することにより、割り算後の値
では図５の様になり、２番目の画素は感光不均一性に影
響しなくなる。このようにして真の欠陥画素を持つＣＣ
Ｄのみ検出することが出来る。

【００２９】図３および図４に、図２に示すメインコン
トロ−ラ８のＣＰＵ８１の、ＣＣＤ検査動作の概要を示
す。電源が投入されるとＣＰＵ８１は、初期化（ステッ
プ１）を行ない、ここでＩＰＵおよびメインコントロ−
ラ８内部の初期化を行ってから、初期状態設定を行な
う。この初期状態設定は、入出力ボ−ド２３のクリアキ
−が操作されたときの初期状態設定（ステップ４〜１
３）と同様であり、これらを同様に実行する。なお、以
下の説明において、カッコ内には、ステップという語を
省略して、ステップＮｏ．数字のみを記す。

【００３０】初期状態設定の最初には、フィルタ１０を
退避位置に置く（４）。すなわち、フィルタ１０が減光
位置にあるとモ−タ１１を逆転駆動して退避位置に駆動
する。退避位置にあったときにはモ−タ１１の駆動は行
なわない。次に、撮像回路基板１の番号（サンプルＮ
ｏ．）を書込むレジスタＳＮｏに１（サンプルＮｏ．
１）を書込む（５）。次に、第１比較電圧Ｖｒｅｆ１を
表わすデ−タを格納するレジスタＶｒｅｆ１に、基準値
Ｖｒｓ１を書込み（６）、レジスタＶｒｅｆ２には基準
値Ｖｒｓ２を書込む（７）。そして減光比レジスタＰＬ
ｒに基準値ＰＬｒｓを書込み（８）、しきい値マ−ジン
レジスタＤｍに基準値Ｄｍｓを書込む（９）。そして比
しきい値ＲＡＬを算出して比しきい値レジスタＲＡＬに
書込む（１０）。そして不均一性値ＰＲＮＵのしきい値
ＰＲＮＵｔを算出して、ＰＲＮＵしきい値レジスタＰＲ
ＮＵｔに書込む（１１）。そして、ステップ５〜１１で
レジスタに書納したデ−タを、ＣＲＴディスプレイ１８
に表示する（１２）。なお、ＣＲＴディスプレイ１８に
表示する画面デ−タは画像メモリ１５から読出し、また
デ−タを表わす文字および数字の表示デ−タは印字メモ
リ１６から読出して、それらを画像合成器１７に与えて
合成してから、ＣＲＴディスプレイ１８に与える。次
に、ランプドライバ２０に光源２０の点灯を指示する
（１３）。

【００３１】初期化（１）で、上述のステップ１〜１３
の処理と同様な処理を実行すると、ＣＰＵ８１は、入出
力ボ−ド２３からのオペレ−タ入力を待ち、オペレ−タ
入力があると、入力対応の処理を行なう。オペレ−タ
は、上述の、レジスタＳＮｏのサンプルＮｏ．，レジス
タＶｒｅｆ１およびＶｒｅｆ２のＶｒｅｆ１値およびＶ
ｒｅｆ２，減光比レジスタＰＬｒの減光比、および、レ
ジスタＤｍのしきい値マ−ジンを変更することができ、
変更入力があるとＣＰＵ８１は、それを該当レジスタに
更新書込みして、ステップ１０，１１を実行してＲＡＬ
およびＰＲＮＵｔを更新し、そしてＣＲＴデイスプレイ
の表示も更新する。

【００３２】オペレ−タが入出力ボ−ド２３のスタ−ト
キ−を操作すると、ＣＰＵ８１は、Ｄ／Ａコンバ−タ１
２にレジスタＶｒｅｆ１のデ−タを出力し、Ａ／Ｄ変換
を指示する（１５）。これによりＡ／Ｄコンバ−タ５に
は、第１比較電圧Ｖｒｅｆ１が印加される。ここでＣＰ
Ｕ８１は、Ａ／Ｄコンバ−タ５が発生する、ＣＣＤ２の
各画素の光電変換電圧を表わすデ−タ（光量デ−タＤＭ
１ｉ）を、ＣＣＤ２の全画素（ｉ＝１〜Ｎｅ）分、画像
メモリ１５の一領域（メモリ１と称す）に書込む（１
６）。

【００３３】次にＣＰＵ８１は、モ−タドライバ２１
に、減光位置へのフィルタ駆動を指示し、これによりフ
ィルタ１０が減光位置となる（１７）。次にＣＰＵ８１
は、Ｄ／Ａコンバ−タ１２にレジスタＶｒｅｆ２のデ−
タを出力し、Ａ／Ｄ変換を指示する（１８）。これによ
りＡ／Ｄコンバ−タ５には、第２比較電圧Ｖｒｅｆ２が
印加される。ここでＣＰＵ８１は、Ａ／Ｄコンバ−タ５
が発生する、ＣＣＤ２の各画素の光量デ−タＤＭ２ｉ
を、ＣＣＤ２の全画素分、画像メモリ１５の一領域（メ
モリ２と称す）に書込む（１９）。

【００３４】そして画素指定ｉを１（第１番の画素）と
して（２０）、第１番の画素Ｎｏ．１〜Ｎｏ．Ｎｅのそ
れぞれの測定デ−タＤＭ１ｉ（メモリ１のデ−タ），Ｄ
Ｍ２ｉ（メモリ２のデ−タ）に基づいて、光量比Ｒｉ＝
ＤＭ２ｉ／ＤＭ１ｉ（＝前述のＢ／Ａ）を算出して画像
メモリ１５の一領域（メモリ３）に書込む（２１，２
２）。各光量比Ｒｉはしきい値ＲＡＬ（レジスタＲＡＬ
のデ−タ；図５参照）と比較して、Ｒｉがしきい値ＲＡ
Ｌ未満であった画素Ｎｏ．ｉを、画像メモリ１５の一領
域（メモリ４）に書込む（２３，２４）。

【００３５】そしてＣＰＵ８１は、ＣＣＤ２の全体とし
ての機能良否の判定を行なう。このために、ＣＣＤ２の
全画素（ｉ＝１〜Ｎｅ）の光量比Ｒｉの最大値Ｒｉmax
および最小値Ｒｉminを摘出し（２５）、不均一性値Ｐ
ＲＮＵ ＰＲＮＵ＝Δ３／Ｒｉmax ＝（Ｒｉmax−Ｒｉmin）／Ｒｉmax を算出し（２８）、それがしきい値ＰＲＮＵｔを越える
（不良品）かをチェックして（２９）、そうであると、
不良品を示す１をレジスタＥＲＳＮｏに書込み（３
０）、越えないとレジスタＥＲＳＮｏをクリアする（３
１）。そして、メモリ１〜４およびレジスタＥＲＳＮｏ
のデ−タを、レジスタＳＮｏのサンプルＮｏ．を付して
ＣＲＴディスプレイに出力し、かつプリンタ２２でプリ
ントアウトする（３２）。次にフィルタ１０を退避位置
に駆動して（３３）、レジスタＳＮｏのサンプルＮｏ．
デ−タを１インクレメントする。以上で１つのＣＣＤ２
の検査が終了したことになる。オペレ−タは、現在装着
中の撮像回路基板１をコネクタ１９から外し、それにプ
リンタ２２のプリントアウト紙を付し、未検査のＣＣＤ
があるとそれをコネクタ１９に装着し、そして入出力ボ
−ド２３のスタ−トキ−を操作する。このスタ−ト入力
に応答してＣＰＵ８１は、またステップ１５以下の処理
を実行する。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の一実施例の検査光学系の概要を示す
斜視図である。

【図２】 本発明の一実施例の検査電気回路系の概要を
示す斜視図である。

【図３】 図２に示すＣＰＵ８１の、検査処理動作の概
要の一部を示すフロ−チャ−トである。

【図４】 図２に示すＣＰＵ８１の、検査処理動作の概
要の残部を示すフロ−チャ−トである。

【図５】 図２に示すＣＣＤ２の、光電変換画素の数画
素の光量比Ｒｉの分布を示すグラフである。

【図６】 図２に示すＣＣＤ２の、光電変換画素の数画
素の、照明光量対応の光電変換出力を示すグラフであ
る。

【図７】 図２に示すＣＣＤ２の、光電変換画素の数画
素の、Ａ／Ｄ変換の比較電圧を低値としたときの照明光
量対応の光電変換出力デ−タを示すグラフである。

【図８】 ＣＣＤ２の正常画素と欠陥画素の光電変換特
性を示すグラフである。

【符号の説明】

１：撮像回路基板 ２：ＣＣＤ ３：光源 ４：信号処理回路 ５：Ａ／Ｄコンバータ ８：メインコント
ロ−ラ １０：フィルタ １１：電気モ−タ １２：Ｄ／Ａコンバ−タ １３：デ−タセレ
クタ １４：メモリコントロ−ラ １５：画像メモリ １６：画面メモリ＆印字メモリ １７：画像合成器 １８：ＣＲＴディスプレイ １９：コネクタ ２０：ランプドライバ ２１：モ−タドラ
イバ ２２：プリンタ ２３：入出力ボ−
ド

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】多数の光電変換素子の配列を含む撮像素子
   とその光電変換信号を出力する駆動回路を有する撮像装
   置の、撮像素子に強い光と弱い光の二段階以上の光を選
   択的に投射する光源装置；前記撮像装置の光電変換信号
   をデジタルデ−タに変換するＡ／Ｄ変換手段；前記光源
   装置が撮像素子に強い光を投射しているときの前記デジ
   タルデ−タである第１デ−タと、前記光源装置が撮像素
   子に弱い光を投射しているときの前記デジタルデ−タで
   ある第２デ−タの少くとも一方を記憶するメモリ手段；
   および、 前記第１デ−タと第２デ−タの同一光電変換素子のもの
   の相対値を算出する演算手段；を備える撮像素子の検査
   装置。
2. 【請求項２】 前記強い光は、撮像素子の光電変換信号
   に飽和をもたらす光量もしくはそれに近い光量であり、
   前記弱い光は撮像素子の光電変換範囲内であるが十分に
   低い光量である、請求項１記載の撮像素子の検査装置。
3. 【請求項３】 前記演算手段は、前記第１デ−タと第２
   デ−タの同一光電変換素子のものの比を算出する、請求
   項１又は請求項２記載の撮像素子の検査装置。
4. 【請求項４】 前記光源装置が撮像素子に強い光を投射
   しているときは高い比較電圧を、弱い光を投射している
   ときは低い比較電圧を前記Ａ／Ｄ変換手段に与える、量
   子化単位選択手段；を更に含む、請求項１又は請求項２
   記載の撮像素子の検査装置。
5. 【請求項５】 前記光源装置は、無彩色のフィルタおよ
   びこれを光源から撮像素子の間の光路に対して挿，脱す
   る機構を含む、請求項１又は請求項２記載の撮像素子の
   検査装置。