JPH11111588A - 半導体製造用露光装置およびこれを用いた半導体デバイス製造プロセス - Google Patents
半導体製造用露光装置およびこれを用いた半導体デバイス製造プロセスInfo
- Publication number
- JPH11111588A JPH11111588A JP9265690A JP26569097A JPH11111588A JP H11111588 A JPH11111588 A JP H11111588A JP 9265690 A JP9265690 A JP 9265690A JP 26569097 A JP26569097 A JP 26569097A JP H11111588 A JPH11111588 A JP H11111588A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical system
- exposure
- slit plate
- gas
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
系が汚染される。 【解決手段】 投影光学系6からの露光光15により半
導体基板10を露光する半導体製造用露光装置におい
て、投影光学系と基板との間に、露光光を通過させるた
めのスリット状開口を有した光学系汚染防止用遮蔽部材
14を設ける。
Description
造プロセスにて使用される半導体製造用露光装置に関す
るものである。
ビットDRAM世代へ向けて進んでいる。そして、この
高集積化に伴い、露光装置とりわけ投影光学系に要求さ
れる性能もさらに高レベルとなってきている。
の開口数(NA)を大きくすることによって高めること
ができるが、NAを大きくすることによって焦点深度が
浅くなる。したがって、ある程度以上NAを大きくする
ことができず、解像度を高めるためには露光波長を短波
長化することが要求されている。
代の露光装置に用いられる光源として、KrFエキシマ
レーザやArFエキシマレーザが有望視されているが、
光源の短波長化に伴いレジストも解像度の高い化学増幅
型レジストへと移行する。化学増幅型レジストは、Kr
F等の光源を用いて露光することにより酸を発生させ、
露光後のペーク処理時に酸を触媒として、ポジ型では保
護基脱離反応を、ネガ型では架橋反応を起こさせるもの
であり、これによりアルカリ現像液に対する溶解速度を
変化させて現像後に高アスペクト比のパターンを得るこ
とができる。
の概略を示している。図中(A),(B),(C),
(D)の順に反応は進行する。レジストは保護基62を
有したベース樹脂61および光酸発生剤63から構成さ
れる(A)。KrFやArF光源からの光によって露光
されると、光酸発生剤63が反応し、酸64を発生する
(B)。酸64は触媒となって保護基62を脱離し、反
応生成物65を作る(C)。反応生成物65は気化し、
レジスト膜外へと出ていくため、レジストの膜厚は減少
する(D)。
の熱処理時に起きるものであるが、実際に用いられてい
る化学増幅レジストは、露光中あるいは露光からベーク
処理までの間にも起きる。これは、露光装置のスループ
ットを上げるためにレジストの感度を向上させた結果、
保護基脱離反応が酸の存在に対して敏感に起こり、高温
にベークしなくても常温で反応が進行することが原因で
ある。なお、図7には、実際の露光後のレジスト膜厚の
変化を示している。この図から分かるように、露光量に
応じて反応速度が異なり、膜厚の減少速度に差が生じ
る。
中から熱処理時にかけて反応生成物が気化してガスが生
じるのであるが、このガスが露光光と反応して有機物が
生じ、投影レンズ系が汚染されるという問題がある。
明光学系、レチクルおよび投影光学系86を通過して被
露光基板90に光が照射されると、基板90のレジスト
が反応してガス88が発生する。発生したガス88が光
源光に反応して有機物87が発生し、この有機物87が
投影光学系86の最終段レンズ89の表面に付着する。
1エトキシエトキシ基の脱離反応は、温度よりもむしろ
触媒となる酸に敏感であり、ベーク前の状態において反
応が進行する。この脱離反応(化1)において生成され
たアセトアルデヒドとエタノールは揮発性が高く、レジ
スト中に存在する残存溶媒や酸、酸発生剤、界面活性剤
等の添加剤等とともに揮発する。
出された有機物が、光照射による分解、再結合を含む複
雑な反応過程を経て、投影レンズ等の表面に付着固化す
る。そして、このように投影レンズが汚染された場合、
露光装置の解像性能が低下したり、照度むらによる画角
内の線幅のばらつきが生じたりして、製造した半導体デ
バイスの歩留まりが低下するという問題がある。
0304号公報にて提案され、本願図9に示す露光装置
では、投影光学系96のレンズ99と被露光基板100
との間にフィルム101を設けて、レジストからの発生
ガス98がレンズ表面に付着するのを防止している。
露光光の短波長化に対応した十分な透過率を有するフィ
ルム材料がないという問題がある。また、露光光により
フィルムがダメージを受けて透過率が変化したり、フィ
ルム面に付着した物質によってフイルム面内での透過率
の偏りが生じたりして、解像性能が劣化したり照度が変
動したりするという問題もある。
提案され、本願図10に示す露光装置では、被露光基板
110の周辺にノズル113を設け、投影光学系106
のレンズ109と被露光基板110との間に不活性ガス
112を供給することにより、スループットを落とさず
に不活性ガス中での露光を可能としている。
レジストからの発生ガス108は投影光学系に付着しに
くいものの、不活性ガスのフローによって露光雰囲気中
の屈折率がゆらぎ、被露光基板の露光むら引き起こすと
いう問題がある。
いた際の投影光学系の汚染を防いで、長期間安定した高
精度のパターン転写が可能な半導体製造用露光装置を提
供することを目的としている。
めに、本発明では、投影光学系からの露光光により半導
体基板を露光する半導体製造用露光装置において、投影
光学系と基板との間に、露光光を通過させるためのスリ
ット状開口を有した光学系汚染防止用遮蔽部材を設けて
いる。
テッパ)で8インチ基板を露光する場合、1枚の基板を
処理するのに必要な時間は60秒程度である。この間に
露光された領域のレジストから脱ガスが生じ、投影光学
系汚染の原因となる。撮影レンズ最終面と被露光基板と
の距離は30mm程度と近く、従来の露光装置ではその
間に何もないためレジストからの発生ガスに接触し易い
構造となっている。しかし、投影光学系と被露光基板と
を通じさせる空間は露光光路を妨げない最小の領域でよ
いはずであり、そのような領域を確保できる開口を有す
る遮蔽部材を設けることによって、レジストからの発生
ガスが投影光学系(特に、投影レンズの最終面)に接触
する確率はきわめて低くなる。
開口数に応じて変更できるようにすれば、露光時の遮蔽
部材の開口面積を常に光路を妨げない最小の面積とする
ことができ、光学系汚染防止効果を高めることができ
る。
する物質をコーティングすることにより、ガスをより効
果的に吸着することを可能とし、光学系汚染防止効果を
一層高めるようにしてもよい。
ニルアルコール、ポリビニルピロドリン、セルロース等
のデンプン類、ポリエチレングリコール、ゼラチン、ポ
リアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリマレイン酸、ポ
リアクリルアミドやこれらの誘電体等の水溶性の高分子
や、メタクリル酸エステル、アクリル酸エステル、ポリ
エーテルエーテルケトン、ポリカーボネート、ポリエス
テルやこれらの誘電体等の有機可溶性ポリマー等が挙げ
られる。また、コーティング材料中に、有機ガスを化学
吸着する物質、例えばカルシウム、ストロンチウム、バ
リウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウ
ム、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、鉄
等を含有させてもよい。
遮蔽部材の表面(基板側表面)に酸化チタンをコーティ
ングして、遮蔽部材にクリーニング光を照射したときに
表面に付着した有機物が酸化チタンの光触媒反応の効果
により分解・除去されるようにするのが望ましい。この
酸化チタンのクリーン化作用により、遮蔽部材の頻繁な
交換が不要となり、生産ラインを頻繁に止めなければな
らないといった不都合を回避することが可能となる。な
お、ここにいう透明とは、クリーニング光(露光光等)
に対する透過率が少なくとも30%以上、好ましくは8
0%以上であることを指す。
能および照度の長期安定性を向上させ、良好なレジスト
パターンを安定的に得ることが可能となる。
るKrF逐次移動型縮小投影露光装置(ステッパ)の露
光部の構成を示している。この図中、6は投影光学系で
あり、9は最終段の投影レンズである。10は被露光基
板であり、この基板10と投影レンズ9との間には、ス
リット状開口を有するスリット板(遮蔽部材)14が設
けられている。
(スリット長辺の長さ)を、露光光の光路を妨げない最
小の面積とするために、投影光学系6の開口数(NA)
に応じて変更できる構造となっている。つまり、NAが
大きい場合には、スリット板14の開口面積は大きく設
定され、NAが小さい場合には、スリット板14の開口
面積は小さく設定される。
1(A)に示すように、KrF光源(図示せず)からの
露光光15が、レチクル(図示せず)がセットされてい
る投影光学系6を通して被露光基板10に照射されて露
光が行われる。
被露光基板10が次のショット位置に移動するが、この
とき既に露光されてレジストからガス8を発生する領域
もスリット板14の開口の真下から移動する。このた
め、ガス8による投影レンズ9の表面の汚染を防止する
ことができる。
り6ヶ月間使用した後に、投影レンズ9を検査したとこ
ろ、投影レンズ9への付着物は極めて少なく、許容でき
る範囲内であった。
実施形態であるKrF走査型縮小投影露光装置(スキャ
ナ)の露光部の構成を示している。なお、本実施形態に
おいて、第1実施形態と同じ構成要素については第1実
施形態と同符号を付して説明に代える。
ンズ9との間にスリット板24が設けられており、この
スリット板24も、開口面積(スリット長辺の長さ)
を、露光光の光路を妨げない最小の面積とするために投
影光学系6の開口数(NA)に応じて変更できる構造と
なっている。但し、本実施形態のスリット板24の基板
側表面にカルシウムを5部含んだ500nm厚のポリメ
タクリル酸メチルフィルムでコーティングされている。
2(A)に示すように、、KrF光源(図示せず)から
の露光光が、レチクル(図示せず)がセットされている
投影光学系6およびスリット板34の開口を通して被露
光基板10に照射されて露光が行われる。
直ちに基板10が次のショット位置に移動するが、この
とき既に露光されてレジストからガス8を発生する領域
もスリット板24の開口の真下から移動する。しかも、
スリット板24の基板側表面には有機ガスを化学吸着す
る物質がコーティングされているため、レジストから発
生したガス8はスリット板24に吸着され、スリット板
24の開口を通して投影光学系6側に移動しない。この
ため、ガス8による投影レンズ9の表面の汚染を第1実
施形態のものよりも効果的に防止することができる。
り6ヶ月間使用した後に、投影レンズ9を検査したとこ
ろ、投影レンズ9への付着物は極めて少なく、許容でき
る範囲内であった。
ポリメタクリル酸メチルをコーティングした場合につい
て説明したが、本発明の遮蔽部材にはこれら以外の有機
物吸着材料をコーティングしてもよい。
実施形態であるKrF走査型縮小投影露光装置(スキャ
ナ)の露光部の構成を示している。なお、本実施形態に
おいて、第1実施形態と同じ構成要素については第1実
施形態と同符号を付して説明に代える。
ンズ9との間にスリット板34が設けられているが、こ
のスリット板34は石英で作られており、その基板側表
面には酸化チタンが100nmの厚さでコーティングさ
れている。
も、第2実施形態と同様に、スリット板34によりガス
による投影レンズ9の表面の汚染を防止することができ
る。なお、本実施形態では、図3に示すように、酸化チ
タン(つまりはスリット板34)に定期的に(定常稼働
において1週間に1回程度の割合で)、図示しないKr
F光源からのクリーニング光16を投影光学系6を通し
て照射する。クリーニング光16の照射により酸化チタ
ンが光触媒として作用し、スリット板34の基板側表面
に付着した有機物が分解除去される。このため、スリッ
ト板34の頻繁な交換が不要となる。
で作った場合について説明したが、石英以外の透明材料
で作ってもよい。また、第1実施形態のスキャナのシャ
ッターを石英等の透明材料で作って酸化チタンでコーテ
ィングしてもよい。
rF等の光源を使用するステッパおよびスキャナについ
て説明したが、本発明はこれら以外の光源又は方式を用
いた露光装置にも適用することができる。
記各実施形態にて説明したステッパ又はスキャナを使用
する半導体デバイスの製造プロセスを示している。この
製造プロセスは、ICやLSI等の半導体チップ、液晶
パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシンおよ
びマイクロオプティクス等の製造に使用される。
を示しており、まずステップ1で半導体デバイスの回路
設計が行われると、次にステップ2で、設計された回路
パターンを形成したマスク(レチクル)構造体が作られ
る。一方、ステップ3では、シリコン等の材料を用いて
ウエハが製造される。
スク構造体とウエハとを用い、フォトリソグラフィ技術
によってウエハ上に実際の回路を形成する工程が行われ
る。そして、ステップ5では、後工程、すなわち回路が
形成されたウエハを半導体チップ化する工程が行われ
る。なお、この後工程では、アッセンブリ工程(ダイシ
ング、ボンディング工程)やパッケージング工程も含ま
れる。
テップ6で動作確認、耐久性等の各種検査が行われ、ス
テップ7で出荷される。
している。まずステップ11でウエハの表面が酸化さ
れ、ステップ12でウエハ表面にCVDにより絶縁膜が
形成される。次に、ステップ13では、ウエハ上に電極
が蒸着形成され、ステップ14では、ウエハにイオンが
打ち込まれる。
が塗布され、ステップ16ではマスクの回路パターンを
ウエハ上に焼き付け露光する。このステップ16におい
て、上記各実施形態のステッパ等が使用されることによ
り、従来難しかった高集積度の半導体デバイスの製造が
可能になる。なお、第3実施形態のスキャナを用いる場
合には、このステップ16の実行前に、定期的にスリッ
ト板34にクリーニング光を照射する(ステップ1
6′)。
ターンが現像され、ステップ18では、エッチングによ
り現像したパターン像以外の部分が削り取られ、ステッ
プ19では、エッチング後不要となったレジストが取り
除かれる。これらのステップが繰り返し行われること
で、ウエハ上に回路パターンが多重形成される。
投影光学系と被露光基板との間に、露光光を通過させる
ためのスリット状開口を有した光学系汚染防止用遮蔽部
材を設けているので、基板の露光を妨げることなく、基
板レジストからの発生ガスの投影光学系側への流れを遮
蔽したりガスから生じる有機物を吸着したりすることが
でき、高い光学系汚染防止効果を得ることができる。そ
して、この結果、露光装置の解像性能および照度の長期
安定性を向上させ、良好なレジストパターンを安定的に
得ることができる。
遮蔽部材の表面(基板側表面)に酸化チタンをコーティ
ングすれば、遮蔽部材の表面に付着した有機物が酸化チ
タンの光触媒反応の効果により分解・除去することがで
きるため、遮蔽部材の頻繁な交換を不要とし、生産ライ
ンの頻繁な停止といった不都合を回避することができ
る。
示す概略図である。
示す概略図である。
示す概略図である。
体デバイスの製造プロセスを示すフローチャートであ
る。
である。
である。
染構造を示す説明図である。
装置の概略図である。
装置の概略図である。
Claims (7)
- 【請求項1】 投影光学系からの露光光により半導体基
板を露光する半導体製造用露光装置において、 前記投影光学系と前記基板との間に、露光光を通過させ
るためのスリット状開口を有する遮蔽部材を設けたこと
を特徴とする半導体製造用露光装置。 - 【請求項2】 前記開口の大きさを、前記投影光学系の
開口数に応じて変更可能としたことを特徴とする請求項
1に記載の半導体製造用露光装置。 - 【請求項3】 前記遮蔽部材の表面に有機ガスを吸着す
る物質がコーティングされていることを特徴とする請求
項1又は2のいずれかに記載の半導体製造用露光装置。 - 【請求項4】 前記遮蔽部材が透明な材料で作られてお
り、この遮蔽部材の表面に酸化チタンがコーティングさ
れていることを特徴とする請求項1から3のいずれかに
記載の半導体製造用露光装置。 - 【請求項5】 前記遮蔽部材に前記投影光学系からクリ
ーニング光を照射することを特徴とする請求項4に記載
の半導体製造用露光装置。 - 【請求項6】 請求項1から5のいずれかに記載の半導
体製造用露光装置を用いたことを特徴とする半導体デバ
イス製造プロセス。 - 【請求項7】 請求項4又は5に記載の半導体製造用露
光装置を用い、前記遮蔽部材にクリーニング光を照射す
る工程を含むことを特徴とする請求項6に記載の半導体
デバイス製造プロセス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26569097A JP3517563B2 (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | 半導体製造用露光装置およびこれを用いた半導体デバイス製造プロセス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26569097A JP3517563B2 (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | 半導体製造用露光装置およびこれを用いた半導体デバイス製造プロセス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11111588A true JPH11111588A (ja) | 1999-04-23 |
JP3517563B2 JP3517563B2 (ja) | 2004-04-12 |
Family
ID=17420663
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26569097A Expired - Fee Related JP3517563B2 (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | 半導体製造用露光装置およびこれを用いた半導体デバイス製造プロセス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3517563B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6533952B2 (en) * | 1999-06-08 | 2003-03-18 | Euv Llc | Mitigation of radiation induced surface contamination |
JP2014143445A (ja) * | 2005-06-02 | 2014-08-07 | Carl Zeiss Smt Gmbh | マイクロリソグラフィ投影対物レンズ |
-
1997
- 1997-09-30 JP JP26569097A patent/JP3517563B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6533952B2 (en) * | 1999-06-08 | 2003-03-18 | Euv Llc | Mitigation of radiation induced surface contamination |
JP2014143445A (ja) * | 2005-06-02 | 2014-08-07 | Carl Zeiss Smt Gmbh | マイクロリソグラフィ投影対物レンズ |
US9097984B2 (en) | 2005-06-02 | 2015-08-04 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Microlithography projection objective |
US10281824B2 (en) | 2005-06-02 | 2019-05-07 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Microlithography projection objective |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3517563B2 (ja) | 2004-04-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4634822B2 (ja) | レジストパターン形成方法および半導体装置の製造方法 | |
US6337161B2 (en) | Mask structure exposure method | |
US6795166B2 (en) | Illuminator, exposure apparatus, and method for fabricating device using the same | |
JPH04305915A (ja) | 密着型露光装置 | |
US20090219496A1 (en) | Methods of Double Patterning, Photo Sensitive Layer Stack for Double Patterning and System for Double Patterning | |
US6656646B2 (en) | Fabrication method of semiconductor integrated circuit device | |
JP3563936B2 (ja) | 半導体製造用露光装置およびこれを用いた半導体デバイス製造プロセス | |
JP2006245401A (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
JP3563935B2 (ja) | 半導体製造用露光装置およびこれを用いた半導体デバイス製造プロセス | |
JP3667050B2 (ja) | 半導体製造用露光装置およびこれを用いた半導体デバイス製造プロセス | |
JP3517563B2 (ja) | 半導体製造用露光装置およびこれを用いた半導体デバイス製造プロセス | |
US6449332B1 (en) | Exposure apparatus, and device manufacturing method | |
JP2005268358A (ja) | ミラーの洗浄装置及び照明光学装置 | |
US6590219B1 (en) | Apparatus and method for forming photoresist pattern with target critical dimension | |
JPH01265513A (ja) | 縮小投影露光装置 | |
JPH09260257A (ja) | レンズ汚染を防止した投影露光装置およびそれを用いた半導体デバイス製造プロセス | |
JP4510433B2 (ja) | 露光装置及び洗浄方法 | |
Sumitani et al. | Replicating characteristics by SR lithography | |
KR100536596B1 (ko) | 웨이퍼 가장자리 노광 장치 | |
JP4417090B2 (ja) | パターン形成方法、マスクおよび露光装置 | |
KR20050007176A (ko) | 레티클과, 반도체 노광장치 및 방법과, 반도체 디바이스제조방법 | |
JPH11354414A (ja) | 露光装置及びデバイス製造プロセス | |
JPH03146954A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
KR100323446B1 (ko) | 반도체소자의제조방법 | |
KR100640945B1 (ko) | 반도체 제조용 노광 장치 및 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040113 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040126 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090130 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090130 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100130 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110130 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |