JPH11354414A - 露光装置及びデバイス製造プロセス - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 化学増幅レジストを用いた際のレンズ汚染を
防いで、長期間安定した高精度なパターン転写が可能な
露光装置を提供する。 【解決手段】 露光用電磁波をマスクへ照射し、前記マ
スクのパターンを投影光学系９及び前記投影光学系の最
終面と被露光基板１０の間に設けられた遮蔽部材１４を
通して前記被露光基板上に転写する露光装置において、
前記遮蔽部材１４の前記被露光基板側の面の少なくとも
一部に光触媒反応を生じる物質をコーティングした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体デバイス製造
装置用の露光装置及びデバイス製造プロセスに関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体集積回路の高集積化はとど
まるところを知らず、ギガビットＤＲＡＭ世代へ向けて
の研究開発が盛んに進められている状況である。この半
導体集積回路の高集積化に伴い、半導体デバイス製造装
置における露光装置、とりわけ投影光学系に要求される
性能も更に高レベルとなってきている。

【０００３】半導体デバイス製造装置における露光装置
の解像度は、投影光学系の開口数（ＮＡ）を大きくする
ことによって高めることができるが、ＮＡを大きくする
ことによって焦点深度は浅くなる。したがってある程度
以上ＮＡを大きくすることはできず、解像度を高めるた
めには露光波長を短波長化することが要求されている。

【０００４】このような理由で、ギガビットＤＲＡＭ世
代の半導体デバイス製造装置における露光装置の光源と
して、ＫｒＦエキシマレーザやＡｒＦエキシマレーザが
有望視されているが、光源の短波長化に伴いレジストも
解像度の高い化学増幅型レジストへと移行する。

【０００５】化学増幅型レジストは、ＫｒＦ等の光源を
用いて露光されると、酸を発生し、露光後ベーク処理時
に酸が触媒となってポジでは保護基脱離反応、ネガでは
架橋反応を起こす。結果としてアルカリ現像液に対する
溶解速度が変化し、現像後に高アスペクト比のパターン
が形成される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】図５はポジ型化学増幅
レジストの反応の概略を示したものである。図中（Ａ）
（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）の順に反応は進行する。レジストは
保護基２を有したベース樹脂１および光酸発生剤３から
構成される（Ａ）。ＫｒＦやＡｒＦ光源によって露光さ
れると、光酸発生剤３が反応し、酸４を発生する
（Ｂ）。酸４は触媒となって保護基を脱離し、反応生成
物５をつくる（Ｃ）。

【０００７】反応生成物５は気化し、レジスト膜外へと
出ていくため、レジストの膜厚は減少する（Ｄ）。図中
（Ｃ）（Ｄ）の現象は主に露光後の熱処理時に起きるも
のであるが、実際に用いられている化学増幅レジスト
は、露光中あるいは露光からベークまでの間において露
光領域のレジスト膜厚が減少する傾向がある。これは半
導体露光装置のスループットを上げるためにレジストの
感度を向上させた結果、保護基脱離反応が酸の存在に対
して敏感に起こり、高温にベークすることなしに常温で
反応が進行することが原因である。

【０００８】実際の露光後のレジスト膜厚の変化を図６
に示した。図中に示したように露光量（白丸で示す１０
ｍＪ／ｃｍ² と、黒丸で示す１００ｍＪ／ｃｍ² ）に応
じて反応速度が異なり、膜厚減少の速度に差が生じてい
る。

【０００９】また、図７はレジストからの発生ガスによ
る投影レンズ汚染について示した概略図である。光源か
ら照明光学系、レチクルおよび投影光学系６を通過し
て、被露光基板１０上に照射された光によってレジスト
が反応し、ガス８が発生する。発生したガスは光源から
の光により反応し、有機物７がレンズ９に付着する。

【００１０】例えば保護基として代表的なものである１
エトキシエトキシ基の脱離反応は温度よりもむしろ触媒
となる酸に敏感であり、ベーク前の状態において反応は
進行する。化学式１に示すように、この脱離反応におい
て生成されたアセトアルデヒドとエタノールは揮発性が
高く、レジスト中に存在する残存溶媒や酸、酸発生剤、
界面活性剤等の添加剤等と共に揮発する。

【００１１】

【化１】

【００１２】このように反応生成ガスと共に膜外へ放出
された有機物が、光照射による分解、再結合を含めた複
雑な反応過程を経て、投影レンズ等の表面に付着、固化
することになる。投影レンズが汚染された場合、露光装
置の解像性能、照度等の低下を招くおそれがある。

【００１３】このため、特開平６−１４０３０４号公報
には、投影光学系と被露光基板の間に遮蔽部材を設け
て、レジストからの発生ガスがレンズ表面に付着するの
を防止する方法を提案している。

【００１４】図８は投影光学系と被露光基板の間に遮蔽
部材を設けた露光装置の従来例の概略図を示し、投影レ
ンズ９と被露光基板１０の間に設けたフィルム１１によ
ってレジストから発生したガス８を吸着する方式であ
る。この方式においては、長時間の使用において遮蔽部
材としてのフィルム１１に付着した物質は遮蔽部材面内
で透過率が一様ではない透過率分布を引き起こし、露光
装置の解像性能劣化や照度変動の原因となるため、前記
提案では付着物による散乱光を検出する機構を設けて遮
蔽部材の交換判断をすることが提案されている。

【００１５】しかしながら、付着物の検出は非常に難し
く、付着物によっては微量でも露光むらを引き起こすた
め、付着物検出方法や遮蔽部材交換の頻度、メンテナン
スに時間がかかる等の問題がある。

【００１６】また別の方法として、被露光基板周辺に不
活性ガスをフローする方法が提案されている。例えば特
開平６−２６０３８５号公報では、被露光基板周辺に不
活性ガスを供給するノズルを設け、投影光学系と被露光
基板の間に不活性ガスを供給することで、スループット
を落とさずに不活性ガス中での露光を可能にするもので
ある。

【００１７】図９は前記被露光基板周辺に不活性ガスを
供給するノズルを設けた露光装置の他の従来例の概略図
を示す。被露光基板１０の周辺に設けたノズル１３によ
って不活性ガス１２が供給される。しかし、前記被露光
基板１０の周辺に不活性ガスを供給するノズル１３を設
けた露光装置においては、レジストからの発生ガス８は
投影レンズ９には付着しにくいものの、不活性ガス１２
のフローによって露光雰囲気の屈折率が揺らぐ等の問題
が生じ、被露光基板の露光むらを引き起こす。以上のよ
うにレジストからの発生ガスに対する対策として、現状
では完全なものが存在しない。

【００１８】本出願に係る発明の目的は、上記問題を解
決すべくなされたもので、化学増幅レジストを用いた際
のレンズ汚染を防いで、長期間安定した高精度なパター
ン転写が可能な露光装置およびデバイス製造プロセスを
提供しようとするものである。

【００１９】

【課題を解決するための手段】本出願に係る発明の目的
を実現する露光装置の第１の構成は、露光用電磁波をマ
スクへ照射し、前記マスクのパターンを投影光学系及び
前記投影光学系の最終面と被露光基板の間に設けられた
遮蔽部材を通して前記被露光基板上に転写する露光装置
において、前記遮蔽部材の前記被露光基板側の面の少な
くとも一部に光触媒反応を生じる物質がコーティングさ
れているものである。

【００２０】本出願に係る発明の目的を実現する露光装
置の第２の構成は、露光用電磁波をマスクへ照射し、前
記マスクのパターンを投影光学系及び前記投影光学系の
最終面と被露光基板の間に設けられた遮蔽部材を通して
前記被露光基板上に転写する露光装置において、前記遮
蔽部材は、前記被露光基板側の面の少なくとも一部に光
触媒反応を生じる物質をコーティングしていて、光触媒
反応を生じさせ、かつ被露光基板上の感光剤を感光させ
ない波長の光を供給する手段を有するものである。

【００２１】本出願に係る発明の目的を実現する露光装
置の第３の構成は、前記光触媒反応が露光光にて生じる
ようにしたものである。

【００２２】本出願に係る発明の目的を実現する露光装
置の第４の構成は、前記光触媒反応を生じさせる物質を
酸化チタンとするものである。

【００２３】本出願に係る発明の目的を実現する露光装
置の第５の構成は、前記遮蔽部材を石英により形成した
ものである。

【００２４】本出願に係る発明の目的を実現する露光装
置の第６の構成は、前記遮蔽部材をフッ化カルシウムに
より形成したものである。

【００２５】本出願に係る発明の目的を実現する露光装
置の第７の構成は、前記遮蔽部材をポリメチルメタアク
リレートにより形成したものである。

【００２６】本出願に係る発明の目的を実現する露光装
置の第８の構成は、前記露光用電磁波を紫外線領域の波
長のレーザーとしたものである。

【００２７】本出願に係る発明の目的を実現する露光装
置の第９の構成は、前記露光基板への露光時以外に定期
的或いは必要に応じて前記遮蔽部材への光照射を行うよ
うにしたものである。

【００２８】本出願に係る発明の目的を実現する露光装
置は、上記した第９の構成において、前記光照射を露光
用電磁波で行うようにしたものである。

【００２９】本出願に係る発明の目的を実現するデバイ
ス製造プロセスは、上記したいずれか一つに記載の露光
装置をＣＣＤ，液晶パネル，磁気ヘッド，チップ（Ｉ
Ｃ，ＬＳＩ）などのデバイス製造の露光工程に設けたも
のである。

【００３０】

【発明の実施の形態】＜第１の実施の形態＞図１は第１
の実施の形態を示す。

【００３１】図１の露光装置は、ＫｒＦ逐次移動型縮小
投影露光装置（ステッパ）であり、この露光装置の投影
光学系６の投影レンズ９と被露光基板１０の間に、遮蔽
部材としての石英製の平行平板１４を配置している。本
実施の形態では例えば投影レンズ９を保持する保持部材
の先端部に平行平板１４取り付けている。

【００３２】この平行平板１４は、投影レンズ側表面に
反射防止膜がコーティングされ、被露光基板１０側の表
面に光触媒反応を生じる物質として、例えば酸化チタン
を形成している。

【００３３】本実施の形態において、１０ｍｍ厚の石英
基板上に抵抗加熱蒸着装置を用いて１０ｎｍの酸化チタ
ン膜を蒸着した。

【００３４】上記した本実施の形態の露光装置は、図１
の（Ａ）に示すように、照射光束１５が石英製の平行平
板１４を通り、被露光基板１０上を露光する。そして、
図１の（Ｂ）に示すように、被露光基板１０において反
応したレジストから発生するガス８は、平行平板１４に
よりレンズ９へ到達するのが阻止される。

【００３５】平行平板１４は、露光光に対して充分な透
明性を有することが必要であり、本実施の形態では透過
率が９９．０％以上、好ましくは９９．８％以上として
いる。また、透過する露光光としてＡｒＦやＫｒＦエキ
シマレーザ光を考慮すると、平行平板の物質として石英
若しくはフッ化カルシウム結晶（蛍石）が好ましい。以
上のように構成した本実施の形態の露光装置を半導体デ
バイス製造装置に取り付け定常業務の条件で６ヶ月使用
した。６ヶ月間の使用後に平行平板１４とレンズ９の検
査を行ったところ、石英製の平行平板１４と投影レンズ
９への付着物は極めて少なく、許容できる範囲内であっ
た。

【００３６】平行平板はレジストからの発生ガスをレン
ズから遮断するための手段であるため、レジストからの
発生ガスが吸着し、定期的な交換が必要となる。平行平
板を交換するためには生産ラインを停止する必要があ
り、生産性を考えれば是非避けるべき作業である。

【００３７】しかしながら、本実施の形態では、平行平
板の被露光基板側表面に酸化チタンをコーティングして
いるので、表面に付着した有機物が露光光による光触媒
反応の効果により分解され、除去されることになる。

【００３８】すなわち、本実施の形態によれば、酸化チ
タンのクリーン化効果により、レジストからの発生ガス
のレンズ面への付着を防止することができ、露光装置の
解像性能および照度の長期安定性が向上し、良好なレジ
ストパターンが安定して得られる。加えてメンテナンス
時間が節約され、生産効率が向上する。

【００３９】なお、露光装置の光源をデバイス露光時以
外に定期的或いは必要に応じて点灯させて平行平板１４
に光照射を行うようにすると、平行平板のクリーニング
を行うことができる。

【００４０】＜第２の実施の形態＞本実施の形態の露光
装置は、ＫｒＦステッパの投影レンズと被露光基板の間
に、投影レンズ側表面に反射防止膜をコーティングし、
被露光基板側表面に酸化チタンを形成したポリメチルメ
タアクリレート（ＰＭＭＡ）製のシートを設けた点が上
記した第１の実施の形態と異なる。なお、１０μｍ厚の
シート上に抵抗加熱蒸着装置を用いて１０ｎｍの酸化チ
タン膜を蒸着した。

【００４１】以上のように構成した本実施の形態の露光
装置（ＫｒＦステッパ）を第１の実施の形態と同様に半
導体デバイス製造装置に取り付け定常業務の条件で６ヶ
月使用した。６ヶ月間の使用後にＰＭＭＡシート及びレ
ンズの検査を行ったところ、ＰＭＭＡシート及び投影レ
ンズへの付着物は極めて少なく、許容できる範囲内であ
った。

【００４２】＜第３の実施の形態＞本実施の形態では、
ＫｒＦステッパの投影レンズと被露光基板の間に、投影
レンズ側表面に反射防止膜をコーティングし、被露光基
板側表面に酸化チタンを形成したフッ化カルシウム結晶
（蛍石）の平行平板を設けた。なお、１０ｍｍ厚の蛍石
基板上にディッピング法を用いて２０ｎｍの酸化チタン
膜を形成した。

【００４３】以上のように構成した本実施の形態の露光
装置（ＫｒＦステッパ）を定常業務と同条件で６ヶ月使
用した。６ヶ月間の使用後に蛍石板及びレンズの検査を
行ったところ、蛍石製の平行平板及び投影レンズへの付
着物は極めて少なく、許容できる範囲内であった。

【００４４】＜第４の実施の形態＞図２は第４の実施の
形態を示す。

【００４５】図２において、投影レンズ９と被露光基板
１０の間に周辺部に酸化チタンをコートした石英製の平
行平板１６を設置しており、図１と同様に露光のための
照射光束１５は平行平板１６を通り被露光基板１０上を
露光する。そして、レジストからの発生ガス８は、補助
光源１７の光により活性化された平行平板１６の周辺部
の酸化チタン膜により浄化され、レンズへ到達すること
がない。

【００４６】上記した本実施の形態の露光装置（ＫｒＦ
ステッパ）は、平行平板１６の投影レンズ側表面には反
射防止膜をコーティングし、被露光基板側の露光光を妨
げない周辺部表面に酸化チタンを形成しており、１０ｍ
ｍ厚の石英製の平行平板上に抵抗加熱蒸着装置を用いて
５０ｎｍの酸化チタン膜を蒸着した。

【００４７】また、酸化チタンをコーティングした石英
板の周辺領域を照射できる補助光源１７として水銀灯を
用い、３００ｎｍ以下の波長を遮断するフィルタを通し
て常時平行平板を照射するようにしている。すなわち、
ＫｒＦで使用される化学増幅型レジストの感度波長域は
おおよそ３００ｎｍ以下であるため、補助光源１７の光
がフレアにはならない。

【００４８】以上のような石英製の平行平板及び補助光
源１７を設けた本実施の形態の露光装置（ＫｒＦステッ
パ）を定常業務と同条件で６ヶ月使用した。６ヶ月間の
使用後に平行平板及びレンズの検査を行ったところ、平
行平板及び投影レンズへの付着物は極めて少なく、許容
できる範囲内であった。

【００４９】＜第５の実施の形態＞本実施の形態では、
ＫｒＦステッパの投影レンズと被露光基板の間に、投影
レンズ側表面に反射防止膜をコーティングし、被露光基
板側表面に酸化チタンを形成した石英の平行平板を設け
た。１０ｍｍ厚の石英基板上に抵抗加熱蒸着装置を用い
て１０ｎｍの酸化チタン膜を蒸着した。

【００５０】以上のような石英板を設けたＫｒＦステッ
パを定常業務で６ヶ月使用した。但し、酸化チタンの光
触媒反応を促進するための、１日に１度レチクル（パタ
ーンが形成されたマスク）及び被露光基板を設置しない
状態で、５００Ｈｚで３０分の露光を実施した。６ヶ月
の使用後に平行平板及びレンズの検査を行ったところ、
平行平板及び投影レンズへの付着物は極めて少なく、許
容できる範囲内であった。

【００５１】＜比較例１＞本比較例では、投影レンズ最
終面と被露光基板の間に何も遮蔽部材のない従来のＫｒ
Ｆステッパを用いた。該ＫｒＦステッパを定常業務で６
ヶ月使用した。６ヶ月間の使用後にレンズの検査を行っ
たところ、投影レンズ最終面にレジストからの発生ガス
に起因する付着物が認められた。

【００５２】更に続けてＫｒＦステッパを６ヶ月間の定
常業務で使用したところ、投影レンズ最終面への付着物
が更に増加し、被露光基板上での照度ムラが発生した。
照度ムラによって画角内の線幅にばらつきが生じ、製造
したデバイスの歩留まのが極端に低下した。

【００５３】上記のような付着物は投影レンズの中で、
被露光基板に最も近いレンズ最終面に多く認められた
が、気流による拡散により他のレンズへの影響も認めら
れた。 ＜比較例２＞本比較例では、投影レンズ最終面と被露光
基板の間に両面に反射防止膜を形成した石英製の平行平
板を挿入したＫｒＦステッパを用いた。該ＫｒＦステッ
パを定常業務と同条件で６ヶ月使用した。６ヶ月間の使
用後に投入した石英製の平行平板の検査を行ったとこ
ろ、石英板にレジストからの発生ガスに起因する付着物
が認められた。

【００５４】更に続けてＫｒＦステッパを６ヶ月間の定
常業務と同条件で使用したところ、石英製の平行平板へ
の付着物が更に増加し、被露光基板上での照度ムラが発
生した。照度ムラによって画角内の線幅にばらつきが生
じ、製造したデバイスの歩留まりが極端に低下した。

【００５５】また投影レンズの検査を行ったところ、上
記のような付着物は投影レンズ表面では認められなかっ
た。

【００５６】＜実施の形態６＞半導体デバイスの製造方
法の実施の形態を説明する。図３は半導体デバイス（Ｉ
ＣやＬＳＩ等の半導体チップ、あるいは液晶パネルやＣ
ＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン、マイクロオプ
ティクス等）の製造フローを示すフローチャートであ
る。

【００５７】ステップ１（回路設計）では、半導体デバ
イスの回路設計を行う。

【００５８】ステップ２（マスク製作）では、設計した
回路パターンを形成したマスク製造体を製造する。

【００５９】一方、ステップ３（ウエハ製造）では、シ
リコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４
（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマ
スク構造体とウエハを用いて、フォトリソグラフィ技術
によってウエハ上に実際の回路を形成する。

【００６０】次のステップ５（組み立て）は後工程と呼
ばれ、ステップ４によって製造されたウエハを用いて半
導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイ
シング、ボンディング）、パッケージング工程を含む。

【００６１】ステップ６（検査）ではステップ５で作製
された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが
完成し、これが出荷（ステップ７）される。

【００６２】図４は前記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示したものである。ステップ１１（酸化）では、ウエ
ハの表面を酸化させる。

【００６３】ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウエハ表面
に絶縁膜を形成する。

【００６４】ステップ１３（電極形成）では、ウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。

【００６５】ステップ１４（イオン打ち込み）では、ウ
エハにイオンを打ち込む。

【００６６】ステップ１５（レジスト処理）では、ウエ
ハに感光剤を塗布する。

【００６７】ステップ１６（露光）では、以下説明する
エキシマ露光装置およびプロセスによってマスクの回路
パターンをウエハに焼付け露光する。

【００６８】ステップ１７（現像）では、露光したウエ
ハを現像する。

【００６９】ステップ１８（エッチング）では、現像し
たレジスト像以外の部分を削りとる。

【００７０】ステップ１９（レジスト剥離）では、エッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。

【００７１】これらのステップを繰り返し行うことによ
って、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。

【００７２】上記ウエハプロセスに上記した第１、２、
３、４、５の実施の形態の露光装置を使用することによ
り、従来の製造が難しかった高集積度の半導体デバイス
を製造することができる。

【００７３】

【発明の効果】本発明の露光装置及びデバイス製造プロ
セスによれば、化学増幅レジストを用いた際に、レジス
トからの発生ガスによるレンズの汚染を防止し、解像性
能および照度の安定したパターン転写を長期間行うこと
ができる。

【００７４】このため、長期間安定して、高集積度のデ
バイスを製造することができる。加えてメンテナンスフ
リーの効果があり、生産性が向上する。

【００７５】特に、ＫｒＦ光源やＡｒＦ光源を使用する
逐次移動型露光装置に好適である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態を示す露光装置の概
略図で、（Ａ）は露光状態、（Ｂ）はガス発生状態を示
す。

【図２】第４の実施の形態を示す露光装置の概略図

【図３】半導体デバイス製造フローを示す図

【図４】ウエハプロセスのフローを示す図

【図５】ポジ型化学増幅レジストの反応の概念図

【図６】露光後のレジスト膜厚の変化を示す図

【図７】レジストからの発生ガスによる投影レンズの汚
染の概略図

【図８】投影光学系と被露光基板の間に遮蔽部材を設け
た従来の露光装置の概略図

【図９】被露光基板周辺にノズルを設けた従来のデバイ
ス製造プロセスの概略図

【符号の説明】

１ ベース樹脂 ２ 保護基 ３ 光酸化発生剤 ４ 酸 ５ 反応生成物 ６ 投影光学系 ７ 付着物 ８ 発生ガス ９ 投影レンズ １０ 被露光基板 １１ 遮蔽部材 １２ 不活性ガス １３ ノズル １４ 酸化チタンをコーティングした石英基板 １５ 光束 １６ 周辺部に酸化チタンをコーティングした石英基板 １７ 補助光源

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 露光用電磁波をマスクへ照射し、前記マ
   スクのパターンを投影光学系及び前記投影光学系の最終
   面と被露光基板の間に設けられた遮蔽部材を通して前記
   被露光基板上に転写する露光装置において、 前記遮蔽部材の前記被露光基板側の面の少なくとも一部
   に光触媒反応を生じる物質がコーティングされているこ
   とを特徴とする露光装置。
2. 【請求項２】 露光用電磁波をマスクへ照射し、前記マ
   スクのパターンを投影光学系及び前記投影光学系の最終
   面と被露光基板の間に設けられた遮蔽部材を通して前記
   被露光基板上に転写する露光装置において、 前記遮蔽部材は、前記被露光基板側の面の少なくとも一
   部に光触媒反応を生じる物質をコーティングしていて、
   光触媒反応を生じさせ、かつ被露光基板上の感光剤を感
   光させない波長の光を供給する手段を有することを特徴
   とする露光装置。
3. 【請求項３】 前記光触媒反応が露光光にて生じること
   を特徴とした請求項１または２に記載の露光装置。
4. 【請求項４】 前記光触媒反応を生じさせる物質は酸化
   チタンであることを特徴とする請求項１、２または３に
   記載の露光装置。
5. 【請求項５】 前記遮蔽部材は石英により形成されてい
   ることを特徴とする請求項１、２、３または４に記載の
   露光装置。
6. 【請求項６】 前記遮蔽部材はフッ化カルシウムにより
   形成されていることを特徴とする請求項１、２、３また
   は４に記載の露光装置。
7. 【請求項７】 前記遮蔽部材はポリメチルメタアクリレ
   ートにより形成されていることを特徴とする請求項１、
   ２、３または４に記載の露光装置。
8. 【請求項８】 前記露光用電磁波は、紫外線領域の波長
   のレーザーであることを特徴とする請求項１ないし７の
   いずれか一つに記載の露光装置。
9. 【請求項９】 前記露光基板への露光時以外に定期的或
   いは必要に応じて前記遮蔽部材への光照射を行うことを
   特徴とする請求項１ないし８のいずれか一つに記載の露
   光装置。
10. 【請求項１０】 前記光照射を露光用電磁波で行うこと
    を特徴とする請求項９に記載の露光装置。
11. 【請求項１１】 請求項１ないし１０のいずれか一つに
    記載の露光装置をＣＣＤ，液晶パネル，磁気ヘッド，チ
    ップ（ＩＣ，ＬＳＩ）などのデバイス製造の露光工程に
    設けたことを特徴とするデバイス製造プロセス。