JPH11110805A - 光ピックアップ用フォトダイオードアレイ - Google Patents
光ピックアップ用フォトダイオードアレイInfo
- Publication number
- JPH11110805A JPH11110805A JP9281073A JP28107397A JPH11110805A JP H11110805 A JPH11110805 A JP H11110805A JP 9281073 A JP9281073 A JP 9281073A JP 28107397 A JP28107397 A JP 28107397A JP H11110805 A JPH11110805 A JP H11110805A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light receiving
- receiving element
- photodetector
- photodiode array
- semiconductor laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｓ／Ｎを向上させるため半導体レーザ光の光
量を増大させた場合でも受光素子間のリークを小さく抑
制することの可能な光ピックアップ用フォトダイオード
アレイを提供する。 【解決手段】 半導体レーザの出力強度検知用受光素子
Ａと、ディスク信号光を受光する受光素子Ｂと、位置ず
れ信号を受光する受光素子Ｃと、これらの受光素子Ａ，
Ｂ，Ｃを取り囲む受光素子Ｄとを配置して構成したフォ
トダイオードアレイにおいて、受光素子Ｄの幅の狭い部
分に、コンタクト32を介して直接受光素子Ｄに接続し
て、選択的にＡl 配線層31を形成し、受光素子Ａの近傍
から受光素子Ｄの端子Ｄ”までの抵抗値を低減し、受光
素子Ｄに発生する光キャリアを容易に排出できるように
構成する。
量を増大させた場合でも受光素子間のリークを小さく抑
制することの可能な光ピックアップ用フォトダイオード
アレイを提供する。 【解決手段】 半導体レーザの出力強度検知用受光素子
Ａと、ディスク信号光を受光する受光素子Ｂと、位置ず
れ信号を受光する受光素子Ｃと、これらの受光素子Ａ，
Ｂ，Ｃを取り囲む受光素子Ｄとを配置して構成したフォ
トダイオードアレイにおいて、受光素子Ｄの幅の狭い部
分に、コンタクト32を介して直接受光素子Ｄに接続し
て、選択的にＡl 配線層31を形成し、受光素子Ａの近傍
から受光素子Ｄの端子Ｄ”までの抵抗値を低減し、受光
素子Ｄに発生する光キャリアを容易に排出できるように
構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、光ディスク装置
の光ピックアップ装置などに用いられるフォトダイオー
ドアレイに関するものである。
の光ピックアップ装置などに用いられるフォトダイオー
ドアレイに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は、半導体レーザとの組合せからな
る従来の光ピックアップモジュールの一例を示す図であ
る。図２において、１は半導体レーザ、２はフォトダイ
オードアレイ、３はホログラム、４はプリズムである。
５は半導体レーザ１の放熱台であり、その厚さ寸法で半
導体レーザ１とフォトダイオードアレイ２とプリズム４
の光学的な位置合わせを行っている。
る従来の光ピックアップモジュールの一例を示す図であ
る。図２において、１は半導体レーザ、２はフォトダイ
オードアレイ、３はホログラム、４はプリズムである。
５は半導体レーザ１の放熱台であり、その厚さ寸法で半
導体レーザ１とフォトダイオードアレイ２とプリズム４
の光学的な位置合わせを行っている。
【０００３】このような構成の光ピックアップモジュー
ルは、次のように動作する。まず半導体レーザ１から出
射されたレーザ光６は、プリズム４にて分割され、その
一部７はフォトダイオードアレイ２に入射する。フォト
ダイオードアレイ２は、このレーザ光７を受光素子Ａに
て受光し、ここで半導体レーザ１の出力強度を検知す
る。プリズム４にて分割されたもう一方のレーザ光８
は、プリズム４の斜面にて反射した後に、ホログラム３
を通過し、ディスク９に照射される。ディスク９にて反
射した光10は、ホログラム３にてディスク信号光11と光
ピックアップモジュールの位置ずれ信号光12に分割され
た後に（ディスク信号光11は図２のＸＺ平面に分割さ
れ、位置ずれ信号光12はＹＺ平面に分割される）、ディ
スク信号光11はプリズム４を介してフォトダイオードア
レイ２の受光素子Ｂに入射し、ディスク９と光ピックア
ップモジュールの位置ずれ信号光12は、受光素子Ｃに入
射する。そして受光素子Ｂはディスク信号光11を読み取
り、受光素子Ｃはディスク９と光ピックアップモジュー
ルの位置ずれを検出する。
ルは、次のように動作する。まず半導体レーザ１から出
射されたレーザ光６は、プリズム４にて分割され、その
一部７はフォトダイオードアレイ２に入射する。フォト
ダイオードアレイ２は、このレーザ光７を受光素子Ａに
て受光し、ここで半導体レーザ１の出力強度を検知す
る。プリズム４にて分割されたもう一方のレーザ光８
は、プリズム４の斜面にて反射した後に、ホログラム３
を通過し、ディスク９に照射される。ディスク９にて反
射した光10は、ホログラム３にてディスク信号光11と光
ピックアップモジュールの位置ずれ信号光12に分割され
た後に（ディスク信号光11は図２のＸＺ平面に分割さ
れ、位置ずれ信号光12はＹＺ平面に分割される）、ディ
スク信号光11はプリズム４を介してフォトダイオードア
レイ２の受光素子Ｂに入射し、ディスク９と光ピックア
ップモジュールの位置ずれ信号光12は、受光素子Ｃに入
射する。そして受光素子Ｂはディスク信号光11を読み取
り、受光素子Ｃはディスク９と光ピックアップモジュー
ルの位置ずれを検出する。
【０００４】このように動作する光ピックアップモジュ
ールに使用するフォトダイオードには、受光部の感度
が高いこと、高速動作（＞30ＭＨz ）すること、Ｓ
／Ｎが良いこと、表面の凹凸が小さいことが要求され
る。
ールに使用するフォトダイオードには、受光部の感度
が高いこと、高速動作（＞30ＭＨz ）すること、Ｓ
／Ｎが良いこと、表面の凹凸が小さいことが要求され
る。
【０００５】図３は、このようなフォトダイオードアレ
イ２内の受光素子配置を示す一例である。フォトダイオ
ードアレイ２には、前述のように、半導体レーザ１の出
力強度検知用の受光素子Ａ、ディスク信号光11を受光す
る受光素子Ｂと、位置ずれ信号光12を受光する受光素子
Ｃが配置され、更にこの他に、これら受光素子を取り囲
む受光素子Ｄが配置されている。これら受光素子の出力
端子を、それぞれＡ”〜Ｄ”で示す。各受光素子には表
面に反射防止膜を形成して感度を高めている。また、高
速動作を実現するために配線の下、Ｓi 基板との間に厚
いＳi 酸化膜を形成して配線容量を小さくすると共に、
受光素子を pin構造にして素子容量を小さくしている。
受光素子Ｄは、受光素子Ａ〜ＣのＳ／Ｎ向上を目的に設
けられたもので、受光素子Ａ〜Ｃよりはずれて入射した
光を吸収する役目をもっている。この実現のため受光素
子Ｄは受光素子Ａ〜Ｃに近づけて配置されている。
イ２内の受光素子配置を示す一例である。フォトダイオ
ードアレイ２には、前述のように、半導体レーザ１の出
力強度検知用の受光素子Ａ、ディスク信号光11を受光す
る受光素子Ｂと、位置ずれ信号光12を受光する受光素子
Ｃが配置され、更にこの他に、これら受光素子を取り囲
む受光素子Ｄが配置されている。これら受光素子の出力
端子を、それぞれＡ”〜Ｄ”で示す。各受光素子には表
面に反射防止膜を形成して感度を高めている。また、高
速動作を実現するために配線の下、Ｓi 基板との間に厚
いＳi 酸化膜を形成して配線容量を小さくすると共に、
受光素子を pin構造にして素子容量を小さくしている。
受光素子Ｄは、受光素子Ａ〜ＣのＳ／Ｎ向上を目的に設
けられたもので、受光素子Ａ〜Ｃよりはずれて入射した
光を吸収する役目をもっている。この実現のため受光素
子Ｄは受光素子Ａ〜Ｃに近づけて配置されている。
【０００６】図４は、図３のα−α’線におけるフォト
ダイオードアレイの断面図である。フォトダイオードア
レイ２は、１×1017cm-3以上の高濃度のｎ型Ｓi 基板21
上に、１×1017cm-3以下の低濃度のｎ型エピタキシャル
層22を形成し、受光素子部には、エピタキシャル層22の
表面よりｐ型拡散層23を拡散形成して、いわゆる pin型
フォトダイオード構造を形成している。また、受光素子
部表面には、使用する半導体レーザの波長にて反射率が
最小となるように設計された反射防止膜24が形成されて
いる。このような反射防止膜24は、例えば、Ｓi 酸化膜
とＳi 窒化膜とを適切な膜厚で積層して得られる。図示
していないが、フォトダイオードはプリズムと接着する
ので、その表面には凹凸がないことが望ましい。このた
めフォトダイオードの配線は１層で形成されている。
ダイオードアレイの断面図である。フォトダイオードア
レイ２は、１×1017cm-3以上の高濃度のｎ型Ｓi 基板21
上に、１×1017cm-3以下の低濃度のｎ型エピタキシャル
層22を形成し、受光素子部には、エピタキシャル層22の
表面よりｐ型拡散層23を拡散形成して、いわゆる pin型
フォトダイオード構造を形成している。また、受光素子
部表面には、使用する半導体レーザの波長にて反射率が
最小となるように設計された反射防止膜24が形成されて
いる。このような反射防止膜24は、例えば、Ｓi 酸化膜
とＳi 窒化膜とを適切な膜厚で積層して得られる。図示
していないが、フォトダイオードはプリズムと接着する
ので、その表面には凹凸がないことが望ましい。このた
めフォトダイオードの配線は１層で形成されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来のピックアップモ
ジュールは、以上のように高感度・高速動作、高Ｓ／Ｎ
のものになっているが、よい一層の性能向上、特にＳ／
Ｎを向上させるには、半導体レーザの光量を増大させる
ことが必要である。しかしこの場合、フォトダイオード
アレイが扱う電荷量が増大し、これによって検出用の各
受光素子とそれを取り囲む周辺受光素子との間に、大き
なリーク電流が発生するという問題点が生じる。
ジュールは、以上のように高感度・高速動作、高Ｓ／Ｎ
のものになっているが、よい一層の性能向上、特にＳ／
Ｎを向上させるには、半導体レーザの光量を増大させる
ことが必要である。しかしこの場合、フォトダイオード
アレイが扱う電荷量が増大し、これによって検出用の各
受光素子とそれを取り囲む周辺受光素子との間に、大き
なリーク電流が発生するという問題点が生じる。
【０００８】このリーク電流の発生を、図５を用いて説
明する。図５において図３と同じ構成要素には同一の符
号を付して示している。半導体レーザの光量を増大した
場合に問題になるのは、受光素子Ａとその周辺領域であ
る。これは受光素子Ａには、図２に示したように半導体
レーザ１よりプリズム４を介しただけでレーザ光が入射
するからであり、一旦ホログラム３を介してモジュール
外部に出射・反射してきた光を扱う受光素子Ｂ，Ｃより
は、圧倒的に光量が大きい。また受光素子Ａの周辺につ
いては、受光素子Ａに照射されるレーザ光のスポット径
が受光素子Ａの寸法よりも大きいため、受光素子Ａをは
み出して受光素子Ｄの受光素子Ａ周辺領域まで光が照射
されるので、この周辺領域も半導体レーザの光量を増大
させたときの問題となる。なお、受光素子Ａに照射され
るレーザスポット径が受光素子Ａよりも大きいのは、半
導体レーザと光ピックアップモジュールとに多少の位置
合わせずれがあっても、半導体レーザの強度を検出でき
るようにするためである。なお、図５において、Ａ’，
Ｂ’，Ｃ’は各受光素子Ａ，Ｂ，Ｃに照射されるレーザ
光の照射範囲を示す。
明する。図５において図３と同じ構成要素には同一の符
号を付して示している。半導体レーザの光量を増大した
場合に問題になるのは、受光素子Ａとその周辺領域であ
る。これは受光素子Ａには、図２に示したように半導体
レーザ１よりプリズム４を介しただけでレーザ光が入射
するからであり、一旦ホログラム３を介してモジュール
外部に出射・反射してきた光を扱う受光素子Ｂ，Ｃより
は、圧倒的に光量が大きい。また受光素子Ａの周辺につ
いては、受光素子Ａに照射されるレーザ光のスポット径
が受光素子Ａの寸法よりも大きいため、受光素子Ａをは
み出して受光素子Ｄの受光素子Ａ周辺領域まで光が照射
されるので、この周辺領域も半導体レーザの光量を増大
させたときの問題となる。なお、受光素子Ａに照射され
るレーザスポット径が受光素子Ａよりも大きいのは、半
導体レーザと光ピックアップモジュールとに多少の位置
合わせずれがあっても、半導体レーザの強度を検出でき
るようにするためである。なお、図５において、Ａ’，
Ｂ’，Ｃ’は各受光素子Ａ，Ｂ，Ｃに照射されるレーザ
光の照射範囲を示す。
【０００９】このような受光素子Ａ，Ｄと半導体レーザ
光の照射位置との関係により、受光素子Ｄは、受光素子
Ａに近い領域でかなり大きな光信号を扱うことになるわ
けであるが、ここで受光素子Ｄで発生した光キャリアの
流れが問題になる。この光キャリアはｎ型エピタキシャ
ル層で発生した正孔であり、この正孔はｐ型拡散層で形
成された受光素子内を通過して、端子Ｄ”より外部に電
流として取り出されるように流れる。端子Ｄ”より取り
出される電流Ｉは、Ｉ＝Ｖ／Ｒ（ここでＲは受光素子Ｄ
の拡散抵抗、Ｖは受光素子Ｄに印加される逆バイアス電
圧）で制限される。現実的な数字として、Ｒ＝１ｋΩ、
Ｖ＝２Ｖを設定すると、Ｉ＝２ｍＡとなり、この受光素
子Ｄは２ｍＡ分の光キャリアしか扱う能力がないという
ことになる。ところが実際には、例えば半導体レーザ光
が10ｍＷで照射される場合に、受光素子Ｄで４ｍＡ分の
キャリアが発生し、端子Ｄ”より取り出せないキャリア
が生ずる。このキャリアは、受光素子Ｄの電位を逆バイ
アス電圧が小さくなるように変え、ついにはこの受光素
子Ｄに印加される実効的な逆バイアス電圧を０Ｖとす
る。このような状態になると、受光素子Ｄより受光素子
Ａへ光キャリアが漏れ、受光素子ＡのＳ／Ｎが劣化する
こととなる。
光の照射位置との関係により、受光素子Ｄは、受光素子
Ａに近い領域でかなり大きな光信号を扱うことになるわ
けであるが、ここで受光素子Ｄで発生した光キャリアの
流れが問題になる。この光キャリアはｎ型エピタキシャ
ル層で発生した正孔であり、この正孔はｐ型拡散層で形
成された受光素子内を通過して、端子Ｄ”より外部に電
流として取り出されるように流れる。端子Ｄ”より取り
出される電流Ｉは、Ｉ＝Ｖ／Ｒ（ここでＲは受光素子Ｄ
の拡散抵抗、Ｖは受光素子Ｄに印加される逆バイアス電
圧）で制限される。現実的な数字として、Ｒ＝１ｋΩ、
Ｖ＝２Ｖを設定すると、Ｉ＝２ｍＡとなり、この受光素
子Ｄは２ｍＡ分の光キャリアしか扱う能力がないという
ことになる。ところが実際には、例えば半導体レーザ光
が10ｍＷで照射される場合に、受光素子Ｄで４ｍＡ分の
キャリアが発生し、端子Ｄ”より取り出せないキャリア
が生ずる。このキャリアは、受光素子Ｄの電位を逆バイ
アス電圧が小さくなるように変え、ついにはこの受光素
子Ｄに印加される実効的な逆バイアス電圧を０Ｖとす
る。このような状態になると、受光素子Ｄより受光素子
Ａへ光キャリアが漏れ、受光素子ＡのＳ／Ｎが劣化する
こととなる。
【００１０】本発明は、従来の光ピックアップモジュー
ルにおける上記問題点を解消するためになされたもの
で、半導体レーザの光量を増大させた場合でも、受光素
子間のリークを小さく抑制することの可能な光ピックア
ップ用フォトダイオードアレイを提供することを目的と
する。
ルにおける上記問題点を解消するためになされたもの
で、半導体レーザの光量を増大させた場合でも、受光素
子間のリークを小さく抑制することの可能な光ピックア
ップ用フォトダイオードアレイを提供することを目的と
する。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め、本発明は、半導体レーザを光学部品を通して、光デ
ィスク上に集光し、光ディスクからの反射光を受光し
て、ディスク情報を読み取る光ピックアップ装置内に設
けられたフォトダイオードアレイにおいて、複数の受光
素子領域と、該受光素子領域を取り囲むようにレイアウ
トされた周辺受光素子領域とを有し、該周辺受光素子領
域内の少なくとも一部に電気的に接続されたＡl 配線領
域を備えていることを特徴とするものである。
め、本発明は、半導体レーザを光学部品を通して、光デ
ィスク上に集光し、光ディスクからの反射光を受光し
て、ディスク情報を読み取る光ピックアップ装置内に設
けられたフォトダイオードアレイにおいて、複数の受光
素子領域と、該受光素子領域を取り囲むようにレイアウ
トされた周辺受光素子領域とを有し、該周辺受光素子領
域内の少なくとも一部に電気的に接続されたＡl 配線領
域を備えていることを特徴とするものである。
【００１２】このように構成したフォトダイオードアレ
イにおいては、周辺受光素子領域の抵抗値を小さくでき
るので、周辺受光素子領域で発生した光キャリアを、こ
の周辺受光素子領域の端子より容易に排出することが可
能となる。したがって、半導体レーザの出力を大きくし
ても、周辺受光素子領域より受光素子領域へのリーク電
流を小さく抑制することができる。
イにおいては、周辺受光素子領域の抵抗値を小さくでき
るので、周辺受光素子領域で発生した光キャリアを、こ
の周辺受光素子領域の端子より容易に排出することが可
能となる。したがって、半導体レーザの出力を大きくし
ても、周辺受光素子領域より受光素子領域へのリーク電
流を小さく抑制することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】次に、実施の形態について説明す
る。図１の（Ａ），（Ｂ）は、本発明に係るフォトダイ
オードアレイの実施の形態の素子配置図と、その一部を
拡大して示す図である。受光素子Ａ〜Ｄの配置態様は図
３に示した従来例と同様であるので、その説明は省略
し、またレーザ光スポットの照射位置Ａ’〜Ｃ’は、図
５に示した従来例と同じであるので図示を省略する。ま
た、図示しないが、フォトダイオードアレイの断面構造
も従来例と同じである。本発明と従来例との違いは、受
光素子Ｄの一部分に形成されたＡl 配線層31を設けてい
る点である。このＡl 配線層31は、コンタクト32を介し
て受光素子Ｄに直接接合されている。またこのＡl配線
層31は、受光素子Ｄの幅の狭い部分に選択的に形成され
ている。
る。図１の（Ａ），（Ｂ）は、本発明に係るフォトダイ
オードアレイの実施の形態の素子配置図と、その一部を
拡大して示す図である。受光素子Ａ〜Ｄの配置態様は図
３に示した従来例と同様であるので、その説明は省略
し、またレーザ光スポットの照射位置Ａ’〜Ｃ’は、図
５に示した従来例と同じであるので図示を省略する。ま
た、図示しないが、フォトダイオードアレイの断面構造
も従来例と同じである。本発明と従来例との違いは、受
光素子Ｄの一部分に形成されたＡl 配線層31を設けてい
る点である。このＡl 配線層31は、コンタクト32を介し
て受光素子Ｄに直接接合されている。またこのＡl配線
層31は、受光素子Ｄの幅の狭い部分に選択的に形成され
ている。
【００１４】このように構成されたフォトダイオードア
レイを、従来例の構成の光ピックアップモジュールに使
用した場合、受光素子Ｄ内で受光素子Ａに近い位置から
端子Ｄ”までの抵抗値が小さくなるので、半導体レーザ
の出力が増大して受光素子Ｄに入射する光量が増えて
も、ここで発生した光キャリアを滞りなく端子Ｄ”にま
で排出することが可能となる。このような動作により、
半導体レーザの光量を増大させた場合にも、リーク電流
を小さく抑制することが可能である。
レイを、従来例の構成の光ピックアップモジュールに使
用した場合、受光素子Ｄ内で受光素子Ａに近い位置から
端子Ｄ”までの抵抗値が小さくなるので、半導体レーザ
の出力が増大して受光素子Ｄに入射する光量が増えて
も、ここで発生した光キャリアを滞りなく端子Ｄ”にま
で排出することが可能となる。このような動作により、
半導体レーザの光量を増大させた場合にも、リーク電流
を小さく抑制することが可能である。
【００１５】
【発明の効果】以上実施の形態に基づいて説明したよう
に、本発明によれば、周辺受光素子領域内の少なくとも
一部に電気的に接続されたＡl 配線領域を設けているの
で、光半導体レーザの光量を増大させた場合にも、受光
素子間のリーク電流を小さく抑制することが可能とな
る。
に、本発明によれば、周辺受光素子領域内の少なくとも
一部に電気的に接続されたＡl 配線領域を設けているの
で、光半導体レーザの光量を増大させた場合にも、受光
素子間のリーク電流を小さく抑制することが可能とな
る。
【図１】本発明に係る光ピックアップ用フォトダイオー
ドアレイの実施の形態を示す素子配置図及びその一部を
拡大して示す図である。
ドアレイの実施の形態を示す素子配置図及びその一部を
拡大して示す図である。
【図２】従来の光ピックアップモジュールの構成を示す
図である。
図である。
【図３】従来のフォトダイオードアレイ内の素子配置を
示す図である。
示す図である。
【図４】従来のフォトダイオードアレイの断面構造を示
す図である。
す図である。
【図５】従来のフォトダイオードアレイの問題点を説明
するための図である。
するための図である。
１ 半導体レーザ ２ フォトダイオードアレイ ３ ホログラム ４ プリズム ５ 放熱台 ６，７，８，10，11，12 レーザ光 ９ ディスク 21 高濃度ｎ型Ｓi 基板 22 低濃度ｎ型エピタキシャル層 23 ｐ型拡散層 24 反射防止膜 25 Ｓi 酸化膜 31 Ａl 配線層 32 コンタクト Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ 受光素子 Ａ’，Ｂ’，Ｃ’ レーザ光の照射範囲 Ａ”，Ｂ”，Ｃ”，Ｄ” 端子
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体レーザを光学部品を通して、光デ
ィスク上に集光し、光ディスクからの反射光を受光し
て、ディスク情報を読み取る光ピックアップ装置内に設
けられたフォトダイオードアレイにおいて、複数の受光
素子領域と、該受光素子領域を取り囲むようにレイアウ
トされた周辺受光素子領域とを有し、該周辺受光素子領
域内の少なくとも一部に電気的に接続されたＡl 配線領
域を備えていることを特徴とする光ピックアップ用フォ
トダイオードアレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9281073A JPH11110805A (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | 光ピックアップ用フォトダイオードアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9281073A JPH11110805A (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | 光ピックアップ用フォトダイオードアレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11110805A true JPH11110805A (ja) | 1999-04-23 |
Family
ID=17633951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9281073A Withdrawn JPH11110805A (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | 光ピックアップ用フォトダイオードアレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11110805A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7545156B2 (en) | 2006-04-26 | 2009-06-09 | Panasonic Corporation | Test circuit and test method that includes supplying a current to a plurality of light-receiving elements |
-
1997
- 1997-09-30 JP JP9281073A patent/JPH11110805A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7545156B2 (en) | 2006-04-26 | 2009-06-09 | Panasonic Corporation | Test circuit and test method that includes supplying a current to a plurality of light-receiving elements |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20041207 |