JPH11109651A - Method for hardening resist film - Google Patents

Method for hardening resist film

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Publication number
JPH11109651A
JPH11109651A JP28463097A JP28463097A JPH11109651A JP H11109651 A JPH11109651 A JP H11109651A JP 28463097 A JP28463097 A JP 28463097A JP 28463097 A JP28463097 A JP 28463097A JP H11109651 A JPH11109651 A JP H11109651A
Authority
JP
Japan
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resist film
hardening
chromic anhydride
dichromate
resist
Prior art date
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Pending
Application number
JP28463097A
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Japanese (ja)
Inventor
Jiro Ono
次郎 小野
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH11109651A publication Critical patent/JPH11109651A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent uneven hardening of a resist film contg. casein and a dichromate and to keep fine holes formed in large numbers in the surface of the film uniform in diameter by specifying the concn. of chromic anhydride in a hardening soln. for hardening the resist film. SOLUTION: A hardening soln. contg. 0.2-0.4% chromic anhydride is fed to a metallic sheet with a resist film contg. casein and a dichromate and having a prescribed pattern formed on the principal surface to harden the resist film. When the resist film contains PVA and a dichromate, the concn. of chromic anhydride in the hardening soln. is regulated to 0.8 to <1.0%. Whether the pattern is a high definition pattern or not, a high quality resist film is obtd. The amt. of the dichromate used is reduced and load on the environment is reduced.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】この発明は、カラー受像管用のシャドウマ
スクやトリニトロン管(登録商標)等用のアパーチャグ
リル、半導体素子用のリードフレームなどをフォトエッ
チング法により製造する一連の工程において、現像処理
後に金属薄板の主面に形成された所定のパターンを有す
るレジスト膜を硬膜処理する方法に関する。
The present invention relates to a series of processes for manufacturing a shadow mask for a color picture tube, an aperture grill for a Trinitron tube (registered trademark), a lead frame for a semiconductor device, and the like by a photoetching method. And a method for hardening a resist film having a predetermined pattern formed on a main surface of the resist film.

【0002】[0002]

【従来の技術】シャドウマスクやアパーチャグリル、リ
ードフレームなどは、一般に、フォトエッチング法を利
用して長尺の金属薄板を加工することにより製造され
る。シャドウマスクの一連の製造過程を簡単に説明する
と、長尺の金属薄板をその長手方向へ搬送させながら、
金属薄板の主面に付着した油分などを除去する洗浄工
程、洗浄された金属薄板の主面に感光性を有するレジス
ト、例えばカゼインまたはポリビニルアルコール(PV
A)と重クロム酸塩とを含有するレジストを塗布し、そ
れを乾燥させて、金属薄板の主面にレジスト膜を形成す
る塗布工程、金属薄板の主面に形成されたレジスト膜に
所定のパターンを焼き付ける焼付工程、所定のパターン
が焼き付けられた金属薄板の主面のレジスト膜を所定の
パターンに従って部分的に溶解除去する現像工程、所定
のパターンを有するレジスト膜が主面に形成された金属
薄板に対し硬膜液、例えば無水クロム酸を含有する硬膜
液を供給し、その後にバーニング(加熱)処理するなど
して、レジスト膜を硬化させる硬膜工程、および、金属
薄板の主面の、レジスト膜が部分的に溶解除去されて露
出した金属面をエッチングして多数の透孔を形成し、そ
の後に金属薄板の主面からレジスト膜を剥離するエッチ
ング工程を経て、それぞれの処理工程で金属薄板に対し
て所定の処理を施し、電子ビーム通過孔となる多数の微
小透孔が形成された金属薄板を得た後に、シャーリング
工程で長尺の金属薄板を切断して枚葉形態にすることに
より、シャドウマスク製品が得られる。
2. Description of the Related Art In general, a shadow mask, an aperture grill, a lead frame and the like are manufactured by processing a long metal thin plate by using a photo etching method. To briefly explain a series of manufacturing processes of a shadow mask, while transporting a long metal sheet in the longitudinal direction,
A cleaning step of removing oil or the like adhering to the main surface of the metal sheet, a resist having a photosensitive property on the main surface of the cleaned metal sheet, for example, casein or polyvinyl alcohol (PV)
A) applying a resist containing a dichromate and drying the resist to form a resist film on the main surface of the metal sheet, and applying a resist to the resist film formed on the main surface of the metal sheet. A baking process of baking a pattern, a developing process of partially dissolving and removing a resist film on a main surface of a thin metal plate on which a predetermined pattern is baked according to a predetermined pattern, and a metal having a resist film having a predetermined pattern formed on a main surface thereof. A hardening solution, for example, a hardening solution containing chromic anhydride is supplied to the thin plate, followed by a burning (heating) treatment or the like to harden the resist film, and a hardening process of the main surface of the metal thin plate. Through an etching step of etching the exposed metal surface where the resist film is partially dissolved and removed to form a number of through holes, and then peeling the resist film from the main surface of the thin metal plate, In each of the processing steps, the metal sheet is subjected to a predetermined process to obtain a metal sheet with a large number of small through holes, which are used as electron beam passage holes, and then the long metal sheet is cut in the shearing step Then, a single-wafer form is obtained to obtain a shadow mask product.

【0003】上記した一連の製造工程において、現像工
程後にレジスト膜を硬膜処理するのは、現像処理したま
まのレジスト膜は耐エッチング性能が十分でなくて、エ
ッチング工程で膜浮きを生じたりサイドエッチ量が大き
くなったりするなどの不都合を生じるためである。そこ
で、現像工程後に、金属薄板に対し硬膜液を供給し、例
えば金属薄板を硬膜液中に浸漬させて、クロム(IV)を
レジスト膜中に吸収させた後、加熱等により6価のクロ
ムを3価のクロムに変化させて、クロム(III)とカゼ
インまたはPVAとの架橋反応により、レジスト膜の耐
エッチング性能を向上させるようにしている。
In the above-described series of manufacturing processes, the hardening treatment of the resist film after the developing process is performed because the resist film which has been developed is not sufficiently resistant to etching, causing film floating in the etching process or side etching. This is because problems such as an increase in the amount of etching occur. Therefore, after the development step, a hardening solution is supplied to the metal thin plate, for example, the metal thin plate is immersed in the hardening solution to absorb chromium (IV) into the resist film, and then heated to a hexavalent value. Chromium is changed to trivalent chromium, and the etching resistance of the resist film is improved by a crosslinking reaction between chromium (III) and casein or PVA.

【0004】硬膜液としては、一般に、無水クロム酸を
含有する溶液が使用されているが、溶液中の無水クロム
酸の濃度が適切でないと、レジスト膜に処理むらが発生
して、シャドウマスク等の製品の品質が低下することに
なる。一般に、硬膜液中の無水クロム酸の濃度は、特開
昭57−148859号公報、特開昭57−20056
7号公報、特開平6−337524号公報、特開平8−
69751号公報、特開平8−138539号公報、特
公平3−62264号公報などに開示されているよう
に、1%〜15%にされる。
As a hardening solution, a solution containing chromic anhydride is generally used. However, if the concentration of chromic anhydride in the solution is not appropriate, unevenness in the processing of the resist film occurs, and a shadow mask is formed. Etc., the quality of the product will be degraded. Generally, the concentration of chromic anhydride in the hardening solution is determined by the methods described in JP-A-57-148859 and JP-A-57-20056.
7, JP-A-6-337524, JP-A-8-375
As disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 699751, Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-138439, Japanese Patent Publication No. 3-262264, etc., the content is set to 1% to 15%.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところが、近年、シャ
ドウマスクの高精細化が進み、上記した濃度範囲の硬膜
液を使用して、高精細のパターンを有するレジスト膜を
硬膜処理すると、レジスト膜に処理むらが発生したり、
レジスト膜面に多数形成された微小穴(エッチング工程
で金属露出面がエッチングされて多数の微小透孔が形成
されるべき個所の微小穴)の径にばらつきを生じたりす
る、といった問題点のあることが新たに見出された。
However, in recent years, the definition of shadow masks has been increased, and when a resist film having a high-definition pattern is hardened by using a hardening solution having the above-mentioned concentration range, the resist is hardened. Processing unevenness occurs on the membrane,
There is a problem that the diameter of a large number of minute holes formed in the resist film surface (the minute holes where a large number of minute through holes are to be formed by etching the exposed metal surface in the etching step) is caused. Was newly found.

【0006】この発明は、上述したようにシャドウマス
クなどの高精化に伴って新たに現出した問題点を解決す
るためになされたものであり、高精細のパターンを有す
るレジスト膜であるかどうかにかかわらず、レジスト膜
に処理むらが発生したりレジスト膜面に多数形成された
微小穴の径にばらつきを生じたりすることがないレジス
ト膜の硬膜処理方法を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve a problem newly appearing as the shadow mask and the like have been refined as described above, and it is an object of the present invention to provide a resist film having a high-definition pattern. Irrespective of whether or not the resist film hardens, an object of the present invention is to provide a method of hardening a resist film which does not cause processing unevenness in the resist film and does not cause a variation in the diameter of a large number of micro holes formed on the resist film surface. .

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】請求項1に係る発明
は、カゼインおよび重クロム酸塩を含み所定のパターン
を有するレジスト膜が主面に形成された金属薄板に対
し、無水クロム酸を含有する硬膜液を供給して、前記レ
ジスト膜を硬膜処理するレジスト膜の硬膜処理方法にお
いて、前記硬膜液中の無水クロム酸の濃度を0.2%か
ら0.4%までの範囲内に調製することを特徴とする。
According to the first aspect of the present invention, chromic anhydride is contained in a metal sheet having a main surface on which a resist film having a predetermined pattern containing casein and dichromate is formed. A method for hardening a resist film, comprising supplying a hardening solution and hardening the resist film, wherein the concentration of chromic anhydride in the hardening solution is in the range of 0.2% to 0.4%. It is characterized by being prepared as follows.

【0008】請求項2に係る発明は、ポリビニルアルコ
ールおよび重クロム酸塩を含み所定のパターンを有する
レジスト膜が主面に形成された金属薄板に対し、無水ク
ロム酸を含有する硬膜液を供給して、前記レジスト膜を
硬膜処理するレジスト膜の硬膜処理方法において、前記
硬膜中の無水クロム酸の濃度を0.8%から1.0%未
満までの範囲内に調製することを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, a hardening solution containing chromic anhydride is supplied to a metal sheet having a main surface on which a resist film containing polyvinyl alcohol and dichromate and having a predetermined pattern is formed. In the method for hardening a resist film, the hardening treatment is performed on the resist film, wherein the concentration of chromic anhydride in the hardened film is adjusted within a range from 0.8% to less than 1.0%. Features.

【0009】請求項1に係る発明の硬膜処理方法による
と、カゼインおよび重クロム酸塩を含んだレジスト膜を
硬膜処理する硬膜液中の無水クロム酸の濃度が0.2%
から0.4%までの範囲内に調製されることにより、高
精細のパターンを有するレジスト膜であるかどうかにか
かわらず、レジスト膜に処理むらを発生することがな
く、また、レジスト膜面に多数形成された微小穴の径の
ばらつきがなくなりまたは小さくなる。そして、硬膜処
理されて得られたレジスト膜は、十分な耐エッチング性
能を有する。
According to the hardening method of the invention, the concentration of chromic anhydride in the hardening solution for hardening the resist film containing casein and dichromate is 0.2%.
Is adjusted within the range of from 0.4% to 0.4%, regardless of whether or not the resist film has a high-definition pattern, no processing unevenness occurs on the resist film, and the resist film surface Variations in the diameter of a large number of minute holes are eliminated or reduced. The resist film obtained by the hardening process has a sufficient etching resistance.

【0010】請求項2に係る発明は、ポリビニルアルコ
ールおよび重クロム酸塩を含んだレジスト膜を硬膜処理
する硬膜液中の無水クロム酸の濃度が0.8%から1.
0%未満までの範囲内に調製されることにより、高精細
のパターンを有するレジスト膜であるかどうかにかかわ
らず、レジスト膜に処理むらを発生することがなく、ま
た、レジスト膜面に多数形成された微小穴の径のばらつ
きがなくなりまたは小さくなる。そして、硬膜処理され
て得られたレジスト膜は、十分な耐エッチング性能を有
する。
According to a second aspect of the present invention, the concentration of chromic anhydride in a hardening solution for hardening a resist film containing polyvinyl alcohol and dichromate is from 0.8% to 1.0%.
By being adjusted within the range of less than 0%, regardless of whether or not the resist film has a high-definition pattern, there is no processing unevenness in the resist film, and many resist films are formed on the resist film surface. The variation in the diameter of the small hole thus eliminated is reduced or reduced. The resist film obtained by the hardening process has a sufficient etching resistance.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
について説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below.

【0012】この発明に係るレジスト膜の硬膜処理方法
では、まず、現像工程を経て形成された所定のパターン
を有するレジスト膜が主面に形成された金属薄板に対
し、無水クロム酸を含有する硬膜液を供給する。例え
ば、硬膜液槽内に貯留された無水クロム酸水溶液中に金
属薄板を浸漬させたり、スプレイノズルから金属薄板の
主面へ無水クロム酸水溶液を吹き付けたり、シャワーノ
ズルから金属薄板の主面へ無水クロム酸水溶液を垂れか
けたりする。次に、主面に無水クロム酸水溶液が供給さ
れた金属薄板を水洗槽において、例えば金属薄板の搬送
路に沿って列設されたスプレイノズルから金属薄板の主
面へ温水を吹き付けて水洗する。水洗後に、絞りローラ
やエアーナイフなどによって金属薄板の主面から水切り
し、その後に、バーニングチャンバにおいて金属薄板を
適当な温度で適当な時間だけに加熱してバーニング処理
し、硬膜工程を終える。この硬膜処理が終わった金属薄
板は、エッチング工程へと送られる。
In the method for hardening a resist film according to the present invention, first, chromic anhydride is contained in a thin metal plate having a main surface formed with a resist film having a predetermined pattern formed through a developing step. Supply hardener. For example, a metal sheet is immersed in an aqueous solution of chromic anhydride stored in a dura bath, a chromic anhydride solution is sprayed from a spray nozzle onto the main surface of the metal sheet, or a shower nozzle is applied to the main surface of the metal sheet. An aqueous solution of chromic anhydride is dripped. Next, the metal sheet supplied with the chromic anhydride aqueous solution on the main surface is washed in a washing tank by, for example, spraying hot water onto the main surface of the metal sheet from a spray nozzle arranged in line along the conveying path of the metal sheet. After rinsing, the main surface of the metal sheet is drained by a squeezing roller, an air knife, or the like, and thereafter, the metal sheet is heated at an appropriate temperature for an appropriate time in a burning chamber for an appropriate time to complete the hardening process. The metal sheet after the hardening process is sent to an etching step.

【0013】そして、この硬膜処理方法では、金属薄板
の主面に形成されたレジスト膜の構成材料の種類によ
り、硬膜液として使用される無水クロム酸水溶液の濃度
を適切な範囲に調製することにより、十分な耐エッチン
グ性能を有し、かつ、処理むらが発生したりレジスト膜
面に多数形成された微小穴の径のばらつきを生じたりす
ることのない良質なレジスト膜が得られるようにする。
すなわち、基材として牛乳カゼイン等のカゼインを含み
センシタイザとして重クロム酸塩を含むレジスト膜につ
いては、無水クロム酸水溶液の濃度を0.2%から0.
4%までの範囲内に調製する。また、基材としてポリビ
ニルアルコールを含みセンシタイザとして重クロム酸塩
を含むレジスト膜については、無水クロム酸水溶液の濃
度を0.8%から1.0%未満までの範囲内に調製す
る。これらの無水クロム酸水溶液の濃度範囲に関する知
見は、後述するような実験の結果や研究などにより得ら
れたものである。
In this hardening treatment method, the concentration of the aqueous solution of chromic anhydride used as a hardening solution is adjusted to an appropriate range depending on the type of the constituent material of the resist film formed on the main surface of the metal sheet. By doing so, it is possible to obtain a high-quality resist film that has sufficient etching resistance, and does not cause processing unevenness or a variation in the diameter of a large number of fine holes formed on the resist film surface. I do.
That is, for a resist film containing casein such as milk casein as a base material and dichromate as a sensitizer, the concentration of the aqueous solution of chromic anhydride is from 0.2% to 0.1%.
Prepare up to 4%. For a resist film containing polyvinyl alcohol as the base material and dichromate as the sensitizer, the concentration of the aqueous solution of chromic anhydride is adjusted within the range of 0.8% to less than 1.0%. These findings on the concentration range of the aqueous solution of chromic anhydride are obtained from experimental results and studies as described later.

【0014】[0014]

【実施例】次に、この発明の硬膜処理方法の具体的な実
施例について、実験例を示しながら説明する。
EXAMPLES Next, specific examples of the hardening method of the present invention will be described with reference to experimental examples.

【0015】〔カゼインを含有するレジストを使用した
場合〕金属薄板として、板厚が0.13mmで500m
m×5,900mmの大きさのシャドウマスク用鋼板を
使用し、その金属薄板の両主面に、牛乳カゼインと重ク
ロム酸アンモニウムとを含有するレジスト(感光液)を
浸漬引上げ法によりそれぞれ塗布した後、80℃の温度
で4分間、レジストを乾燥させて、金属薄板の両主面に
それぞれ6μmの厚みのレジスト膜を形成した。次に、
金属薄板の一方の主面に形成されたレジスト膜の表面
に、直径80μmの円形像を多数有するネガパターン
を、もう一方の主面に形成されたレジスト膜の表面に、
直径200μmの円形像を多数有するネガパターンを、
両主面で円形像の位置を一致させてそれぞれ密着させ、
それぞれ、5kW水銀灯を用いて500mmだけ離れた
位置からレジスト膜を露光した。続いて、50℃の温度
のイオン交換水を使用し、1kg/cm2のスプレイ圧で
40秒間、金属薄板の両主面のレジスト膜をそれぞれ現
像処理し、金属薄板の両主面にそれぞれ所定のパターン
を有するレジスト膜を形成した。次に、それぞれ無水ク
ロム酸の濃度を変えた無水クロム酸水溶液中に金属薄板
を60秒間浸漬させた後、水洗および水切りし、その後
に、200℃の温度で90秒間、レジスト膜をバーニン
グ処理した。
[When a casein-containing resist is used] A metal thin plate having a thickness of 0.13 mm and a thickness of 500 m
A steel plate for shadow mask having a size of mx 5,900 mm was used, and a resist (photosensitive solution) containing milk casein and ammonium dichromate was applied to both main surfaces of the thin metal plate by a dipping-pulling method. Thereafter, the resist was dried at a temperature of 80 ° C. for 4 minutes to form a resist film having a thickness of 6 μm on both main surfaces of the thin metal plate. next,
On the surface of the resist film formed on one main surface of the metal thin plate, a negative pattern having a large number of circular images having a diameter of 80 μm was formed on the surface of the resist film formed on the other main surface.
A negative pattern having a large number of circular images having a diameter of 200 μm,
Match the position of the circular image on both main surfaces and bring them close together,
Each resist film was exposed from a position separated by 500 mm using a 5 kW mercury lamp. Subsequently, using ion-exchanged water at a temperature of 50 ° C., the resist films on both main surfaces of the thin metal plate are developed for 40 seconds at a spray pressure of 1 kg / cm 2 , respectively, and are respectively applied to both main surfaces of the thin metal plate. A resist film having the following pattern was formed. Next, the metal sheet was immersed in an aqueous solution of chromic anhydride having different concentrations of chromic anhydride for 60 seconds, washed and drained, and thereafter, the resist film was subjected to a burning treatment at a temperature of 200 ° C. for 90 seconds. .

【0016】以上のような処理工程により金属薄板の主
面に形成されたレジスト膜について、レジスト膜面に
形成された微小穴の径のばらつきの評価、白熱灯の反
射光による目視検査、光学顕微鏡、電子顕微鏡による
円形像の切れ具合の観察、エッチング処理によるサイ
ドエッチ量の観察を行った。
With respect to the resist film formed on the main surface of the thin metal plate by the above-described processing steps, evaluation of the variation in the diameter of the fine holes formed on the resist film surface, visual inspection by reflected light of an incandescent lamp, optical microscope Then, the degree of cutting of the circular image was observed by an electron microscope, and the amount of side etching by the etching treatment was observed.

【0017】〈レジスト膜面に形成された微小穴の径
のばらつきの評価〉各種濃度の無水クロム酸水溶液を使
用して硬膜処理したそれぞれのレジスト膜面に形成され
た微小穴の径を測定し、穴径の隣接ばらつきを調べた。
穴径の測定は、10行×10列=100個の隣り合った
微小穴について行い、その標準偏差を算出して、その標
準偏差で隣接ばらつきを表した。その結果を表1に示
す。
<Evaluation of variation in diameter of micro-holes formed in resist film surface> The diameter of micro-holes formed in each resist film surface hardened using various concentrations of chromic anhydride aqueous solution was measured. Then, the adjacent variation of the hole diameter was examined.
The measurement of the hole diameter was performed for 10 rows × 10 columns = 100 adjacent micro holes, the standard deviation thereof was calculated, and the adjacent variation was represented by the standard deviation. Table 1 shows the results.

【0018】[0018]

【表1】 [Table 1]

【0019】表1に示した結果から分かるように、隣接
ばらつきは、無水クロム酸水溶液の濃度が0.3%付近
であるときに最低値を示し、無水クロム酸水溶液の濃度
が0.4%を越えても0.2%を下回っても大きくなっ
た。
As can be seen from the results shown in Table 1, the adjacent variation shows the minimum value when the concentration of the chromic anhydride aqueous solution is around 0.3%, and the concentration of the chromic anhydride aqueous solution is 0.4%. Even when the value exceeded 0.2%, the value increased.

【0020】〈白熱灯の反射光による目視検査〉各種
濃度の無水クロム酸水溶液を使用して硬膜処理したそれ
ぞれのレジスト膜面のむらの有無を、白熱灯の反射光に
より目視で検査した。この結果、無水クロム酸水溶液の
濃度が0.2%〜0.4%の範囲内であるときには、ほ
とんどむらが認められなかった。これに対し、無水クロ
ム酸水溶液の濃度が0.4%を越えたとき、および、
0.2%を下回ったときは、若干のむらが認められた。
<Visual inspection by reflected light of incandescent lamp> The presence or absence of unevenness of each resist film surface hardened using chromic anhydride aqueous solution of various concentrations was visually inspected by reflected light of incandescent lamp. As a result, when the concentration of the aqueous solution of chromic anhydride was in the range of 0.2% to 0.4%, almost no unevenness was observed. In contrast, when the concentration of the aqueous solution of chromic anhydride exceeds 0.4%, and
When it was less than 0.2%, slight unevenness was observed.

【0021】〈光学顕微鏡、電子顕微鏡による円形像
の切れ具合の観察〉顕微鏡による観察では、レジスト膜
面に形成された微小穴の円形像の切れ具合に関し、無水
クロム酸水溶液の濃度による差異は認められなかった。
<Observation of Circular Image Cut by Optical Microscope and Electron Microscope> Observation by a microscope shows that the circular image of the fine hole formed on the resist film surface is cut by the concentration of the aqueous solution of chromic anhydride. Was not found.

【0022】〈エッチング処理によるサイドエッチ量
の観察〉各種濃度の無水クロム酸水溶液を使用して硬膜
処理したレジスト膜が形成された金属薄板(サンプル)
を、生産ラインに貼り付けてエッチング処理した。この
結果、無水クロム酸水溶液の濃度が0.05%であると
きおよび0.1%であるときに、少しサイドエッチ量が
大きくなる傾向が認められたが、それ以外の濃度では、
サイドエッチ量が少なかった。
<Observation of Side Etch Amount by Etching> Metal sheet (sample) having resist film formed by hardening using chromic anhydride aqueous solution of various concentrations
Was attached to a production line and etched. As a result, when the concentration of the aqueous solution of chromic anhydride was 0.05% and 0.1%, the side etch amount tended to increase slightly, but at other concentrations,
The side etch amount was small.

【0023】〔ポリビニルーアルコールを含有するレジ
ストを使用した場合〕上記と同様の処理工程により、レ
ジストの種類を、ポリビニルーアルコールと重クロム酸
アンモニウムとを含有するものに変えて、金属薄板の主
面にレジスト膜を形成し、それぞれ形成されたレジスト
膜について、レジスト膜面に形成された微小穴の径のば
らつきの評価、および、白熱灯の反射光による目視検査
をそれぞれ行った。
[When a Resist Containing Polyvinyl Alcohol is Used] By the same processing steps as above, the type of resist is changed to a resist containing polyvinyl alcohol and ammonium dichromate, and the resist of the metal sheet is removed. A resist film was formed on the surface, and for each of the formed resist films, the evaluation of the variation in the diameter of the fine holes formed on the resist film surface and the visual inspection using reflected light of an incandescent lamp were performed.

【0024】各種濃度の無水クロム酸水溶液を使用して
硬膜処理したそれぞれのレジスト膜面に形成された微小
穴の径の隣接ばらつきを、上記と同様の方法により評価
した。その結果を表2に示す。
The adjacent variation in the diameter of the fine holes formed in the resist film surface hardened with various concentrations of chromic anhydride aqueous solution was evaluated by the same method as described above. Table 2 shows the results.

【0025】[0025]

【表2】 [Table 2]

【0026】表2に示した結果から分かるように、隣接
ばらつきは、無水クロム酸水溶液の濃度が0.8%〜
1.2%であるときに最小となった。また、その濃度範
囲内では、むらについての目視検査の結果も良好であっ
た。
As can be seen from the results shown in Table 2, the adjacent variation was caused when the concentration of the aqueous solution of chromic anhydride was 0.8% to 0.8%.
The minimum was at 1.2%. Further, within the concentration range, the result of the visual inspection for unevenness was good.

【0027】[0027]

【発明の効果】請求項1および請求項2に係る各発明の
レジスト膜の硬膜処理方法によれば、高精細のパターン
を有するレジスト膜であるかどうかにかかわらず、レジ
スト膜に処理むらが発生したりレジスト膜面に多数形成
された微小穴の径にばらつきを生じたりすることがなく
なって、高品質のレジスト膜が得られ、シャドウマスク
やアパーチャグリル、リードフレームなどの製品品質の
向上に寄与することとなる。また、硬膜液中の無水クロ
ム酸の濃度が低いので、無水クロム酸の使用量が低減さ
れて、環境への負荷が減少するとともに、洗浄水の使用
量も低減される。
According to the method for processing a hardened resist film according to the first and second aspects of the present invention, processing unevenness is caused in the resist film regardless of whether the resist film has a high-definition pattern. This eliminates the occurrence of pits and variations in the diameter of the microholes formed on the resist film surface, resulting in a high-quality resist film, which can be used to improve the quality of shadow masks, aperture grills, lead frames, and other products. Will contribute. Further, since the concentration of chromic anhydride in the hardening solution is low, the amount of chromic anhydride used is reduced, and the load on the environment is reduced, and the amount of cleaning water used is also reduced.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 カゼインおよび重クロム酸塩を含み所定
のパターンを有するレジスト膜が主面に形成された金属
薄板に対し、無水クロム酸を含有する硬膜液を供給し
て、前記レジスト膜を硬膜処理するレジスト膜の硬膜処
理方法において、 前記硬膜液中の無水クロム酸の濃度を0.2%から0.
4%までの範囲内に調製することを特徴とするレジスト
膜の硬膜処理方法。
1. A hardening solution containing chromic anhydride is supplied to a metal sheet having a main surface on which a resist film containing casein and dichromate and having a predetermined pattern is formed, and the resist film is formed. A method for hardening a resist film to be hardened, wherein the concentration of chromic anhydride in the hardening solution is 0.2% to 0.1%.
A method of hardening a resist film, wherein the method is prepared within a range of up to 4%.
【請求項2】 ポリビニルアルコールおよび重クロム酸
塩を含み所定のパターンを有するレジスト膜が主面に形
成された金属薄板に対し、無水クロム酸を含有する硬膜
液を供給して、前記レジスト膜を硬膜処理するレジスト
膜の硬膜処理方法において、 前記硬膜中の無水クロム酸の濃度を0.8%から1.0
%未満までの範囲内に調製することを特徴とするレジス
ト膜の硬膜処理方法。
2. A hardening solution containing chromic anhydride is supplied to a metal sheet having a resist film containing polyvinyl alcohol and dichromate and having a predetermined pattern formed on a main surface thereof. A method of hardening a resist film, wherein the concentration of chromic anhydride in the hardened film is from 0.8% to 1.0%.
%. A method for hardening a resist film, which is prepared within a range of less than 0.1%.
JP28463097A 1997-09-30 1997-09-30 Method for hardening resist film Pending JPH11109651A (en)

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