JP2003100210A - Manufacturing method of shadow mask and manufacturing apparatus - Google Patents

Manufacturing method of shadow mask and manufacturing apparatus

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JP2003100210A
JP2003100210A JP2001293189A JP2001293189A JP2003100210A JP 2003100210 A JP2003100210 A JP 2003100210A JP 2001293189 A JP2001293189 A JP 2001293189A JP 2001293189 A JP2001293189 A JP 2001293189A JP 2003100210 A JP2003100210 A JP 2003100210A
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spray pressure
etching
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hole diameter
size
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JP2001293189A
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Japanese (ja)
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Osamu Koga
修 古賀
Yoichi Yoshida
洋市 吉田
Ryuji Ueda
龍二 上田
Iori Hashimoto
伊織 橋本
Shinji Hasebe
伸治 長谷部
Hidemoto Nakagawa
英元 中川
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Toppan Inc
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Toppan Printing Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a shadow mask of fine quality with an accurate through-hole size (without deficiency in transmittance), where a material is used effectively. SOLUTION: A first etching is performed by steps of measuring the size of an opening region of a resist pattern for a small hole (1), calculating an adequate spray pressure (theoretical value of spray pressure) to carry out etching based on a target hole anticipated from the size of the opening region, conditions of an etching solution, etching time and a spray pressure, and controlling the spray pressure (operating value of the spray pressure) by feed- forwarding the calculated value. The size of the hole is compared with the size of the target hole and the spray pressure (operating value of the spray pressure) is controlled by feeding back the corrected pressure value corresponding to the measured size difference.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、フォトエッチング
法を用い、金属薄板の片面に第一エッチング、他面に第
二エッチングの二段階エッチングによりシヤドウマスク
を製造する方法に係わり、特に、画像の表示品位の良い
モニター等に使用される高精細なシヤドウマスクの製造
方法及製造装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for producing a shadow mask by using a photo-etching method and carrying out two-step etching of one side of a thin metal plate, the first etching on the other side, and the second etching on the other side. The present invention relates to a manufacturing method and a manufacturing apparatus of a high-definition shead mask used for a monitor of high quality.

【0002】[0002]

【従来の技術】カラー受像管は、ガラス管球の表示部内
側に形成された蛍光面に対向しその内側に、金属薄板に
貫通孔を多数規則的に配列したシヤドウマスクを有す
る。このシヤドウマスクは、蛍光面形成にも使用され、
また電子銃から放出される電子線を蛍光面に正しく入射
されるように設置される。
2. Description of the Related Art A color picture tube has a shadow mask, which faces a fluorescent surface formed inside a display portion of a glass tube, and inside which a large number of through holes are regularly arranged in a thin metal plate. This shed mask is also used for fluorescent screen formation,
Further, it is installed so that the electron beam emitted from the electron gun is correctly incident on the phosphor screen.

【0003】従来、高精細なシヤドウマスクの製造は、
厚さ0.10mm程度の低炭素鋼金属薄板の両面を脱
脂、整面、洗浄処理した後、その両面にカゼインまたは
ポリビニルアルコールと重クロム酸アンモニウムからな
る水溶性感光液を塗布乾燥してフォトレジスト膜を形成
する。ついで、所定のパターンを有する露光用マスクを
介して露光焼き付け、現像して、金属薄板の両面に開孔
領域をもつレジストパターンを形成する。しかるのち、
このレジストパターンに対して硬膜処理及びバーニング
処理を施し、第一エッチングを第一面だけに行う。
Conventionally, the manufacture of a high-definition shead mask is
After degreasing, surface conditioning, and cleaning both sides of a low carbon steel thin sheet with a thickness of about 0.10 mm, apply a water-soluble photosensitive solution consisting of casein or polyvinyl alcohol and ammonium dichromate to both sides and dry it to form a photoresist. Form a film. Then, it is exposed and baked through an exposure mask having a predetermined pattern and developed to form a resist pattern having open areas on both sides of the thin metal plate. After a while,
Hardening treatment and burning treatment are applied to this resist pattern, and the first etching is performed only on the first surface.

【0004】エッチング液には塩化第二鉄液を用い、ス
プレーエッチングを行うのが通常である。この第一面の
エッチングの進度は、貫通しないように途中で止めるの
が肝要である。次いで、金属薄板を水洗洗浄および乾燥
後、第一面のエッチング面に、例えば、熱軟化型樹脂や
光硬化型の樹脂を塗布硬化させ、第一エッチングで第一
面に形成された凹部を完全に埋め尽くす耐腐蝕性膜を形
成する。なお、この第一面は、小孔側であっても大孔側
であっても差し支えないが、多くの場合小孔側である。
続いて、第一面の裏面に第二エッチングを行い貫通孔を
形成する。最後に、耐腐蝕性膜およびレジストパターン
を剥膜除去し、不要部分を断裁取り除いた後、シヤドウ
マスクを得るものである。
A ferric chloride solution is used as an etching solution, and spray etching is usually performed. It is important to stop the progress of the etching of the first surface in the middle so that it does not penetrate. Next, after washing and drying the thin metal plate with water, the first etching surface is coated and cured with, for example, a heat-softening resin or a photo-curing resin, and the concave portion formed on the first surface by the first etching is completely removed. A corrosion-resistant film is formed to fill the entire surface. The first surface may be the small hole side or the large hole side, but in most cases, it is the small hole side.
Subsequently, second etching is performed on the back surface of the first surface to form through holes. Finally, the corrosion resistant film and the resist pattern are stripped off and unnecessary portions are cut off to obtain a shadow mask.

【0005】上記シヤドウマスクの貫通孔は、シヤドウ
マスクがカラー受像管に組み込まれた際、電子線を正し
く蛍光面に導く役目をしている。そのため、シヤドウマ
スクに形成する各貫通孔の形状、特に貫通部の孔径は、
シヤドウマスク製造前の設計段階において予め設定され
ており、その孔径は、シヤドウマスクがカラー受像管に
組み込まれた際、カラー受像管が所望する性能を発揮で
きるように設計されている。
The through hole of the above described shed mask plays a role of correctly guiding the electron beam to the fluorescent screen when the shed mask is incorporated in the color picture tube. Therefore, the shape of each through hole formed in the shear mask, especially the hole diameter of the through portion,
The hole diameter is set in advance in the design stage before the manufacture of the shadow mask, and the hole diameter is designed so that the color cathode ray tube can exhibit the desired performance when the shadow mask is incorporated in the color cathode ray tube.

【0006】カラー放送の再生に用いられるカラー受像
管においては、シヤドウマスクの貫通孔は、金属薄板の
板厚寸法より大きく、容易にエッチングする事ができ
る。しかし、より高い解像度が要求されるディスプレイ
などに用いられるシヤドウマスクとして、貫通孔が金属
薄板の板厚寸法より小さな高精細度シヤドウマスクに対
しては、必然的に生じるサイドエッチングのために、上
記方法ではその製造がきわめて困難である。
In a color picture tube used for reproducing a color broadcast, the through hole of the shadow mask is larger than the thickness of the thin metal plate and can be easily etched. However, as a shadow mask used for a display or the like that requires a higher resolution, for a high-definition shadow mask whose through holes are smaller than the plate thickness dimension of the metal thin plate, due to the side etching that occurs inevitably, the above method is used. Its manufacture is extremely difficult.

【0007】すなわち、貫通孔の孔径が所望のものとな
らない理由として、フォトレジスト膜の形成工程におい
ては、例えば、フォトレジスト膜厚の微妙な変化があげ
られる。フォトレジスト膜厚が微妙に変化すると、レジ
ストパターンの開孔領域の寸法が変動するためエッチン
グされる孔径も変動し所望する孔径が得られなくなる。
また、エッチング工程においては、例えば、エッチング
チャンバーに供給するエッチング液条件、すなわちエッ
チング液の液温、密度、疲労等の条件が好適な条件から
外れることがあげられる。エッチング液条件が好適な条
件から外れると、所望する孔径が得られず、結果として
貫通孔径が規格外となり、また、規格内であってもばら
つくといった問題がある。
That is, the reason why the diameter of the through hole is not desired is, for example, a slight change in the photoresist film thickness in the step of forming the photoresist film. When the photoresist film thickness changes subtly, the size of the opening area of the resist pattern changes, so the etched hole diameter also changes, and the desired hole diameter cannot be obtained.
Further, in the etching process, for example, the conditions of the etching liquid supplied to the etching chamber, that is, the conditions such as the temperature of the etching liquid, the density, and the fatigue may deviate from the preferable conditions. If the etching liquid conditions deviate from the preferable conditions, the desired hole diameter cannot be obtained, and as a result, the through hole diameter becomes out of the standard, and even if it is within the standard, there is a problem that it varies.

【0008】このため、高精細なシヤドウマスクの製造
においては、二段階エッチングを実施し貫通孔を形成し
た後、貫通孔径の検査を行なっている。検査の結果、貫
通孔径に不良が発見された場合、所望の貫通孔径を得る
べく製造条件、例えば、エッチング条件を好適な条件に
変更し、所望する貫通孔径を有するシヤドウマスクを得
ていたものである。
For this reason, in the production of a high-definition sheer dough mask, the through-hole diameter is inspected after the two-step etching is performed to form the through-hole. When a defect is found in the through hole diameter as a result of the inspection, the manufacturing condition, for example, the etching condition is changed to a suitable condition in order to obtain the desired through hole diameter, and the shadow mask having the desired through hole diameter is obtained. .

【0009】なお、貫通孔径の検査方法として、透過率
を用いて貫通孔径を評価する方法がある。この方法は、
光源から発せられた単波長の光をレンズを通し単波長の
平行光となしシヤドウマスクの検査部位に照射する。シ
ヤドウマスクの貫通孔を通過した光を、例えば、光電子
増倍管などの受光器で受ける。次いで、この受光器で受
けた電気信号を、例えば、電子計算機により所望される
貫通孔径であるか否かの良否判断をするものである。ま
た、従来のシヤドウマスクの製造方法においては、レジ
ストパターンおよび耐腐蝕性膜がシヤドウマスク表面に
形成されたままであると、光源からの透過光を遮光した
り、散乱させてしまうため、透過率の測定に誤差を生
じ、上記の透過率による検査を正確に行うことができな
くなる。従って、透過率による検査を行うには、レジス
トパターンおよび耐腐食性膜を剥膜する必要があった。
As a method of inspecting the through hole diameter, there is a method of evaluating the through hole diameter by using the transmittance. This method
A single-wavelength light emitted from a light source is passed through a lens to form a single-wavelength parallel light, which is applied to an inspection site of a shadow mask. The light passing through the through-hole of the shear mask is received by a light receiver such as a photomultiplier tube. Next, the electrical signal received by this light receiver is used to judge whether the diameter of the through hole is desired by the electronic computer. Further, in the conventional method for manufacturing a sheer mask, if the resist pattern and the corrosion-resistant film are still formed on the surface of the sheer mask, the transmitted light from the light source is blocked or scattered, so that the transmittance can be measured. An error occurs, and the inspection based on the above transmittance cannot be performed accurately. Therefore, it is necessary to remove the resist pattern and the corrosion resistant film in order to perform the inspection based on the transmittance.

【0010】通常、シヤドウマスクの材料である金属薄
膜は長尺帯状となっており、ロール状に巻き取られてお
り、ロールから巻出してシヤドウマスクを連続製造して
いる。上述したように、従来のシヤドウマスクの製造方
法では、エッチング直後では貫通孔径(透過率)の測定
ができず、剥膜工程後に貫通孔径(透過率)の検査を行
っていたものである。従って、規格内に収まっているか
否かを確認するのに、ワンテンポずれが生じるといった
問題があった。
Usually, the thin metal film, which is the material for the sheer mask, is in the form of a long strip and is wound into a roll, and is unwound from the roll to continuously manufacture the sheer mask. As described above, in the conventional method for manufacturing a shear mask, the through hole diameter (transmittance) cannot be measured immediately after etching, and the through hole diameter (transmittance) is inspected after the film peeling step. Therefore, there is a problem that a one-tempo shift occurs in checking whether or not it is within the standard.

【0011】従来の製造方法では剥膜した後、貫通孔径
(透過率)を測定し、規格に合わないときには、スプレ
ー圧を変更して対応していた。例えば、レジストパター
ンの開孔領域の寸法の変動、エッチング液条件の変化な
ど何らかの変動が起こり、貫通孔径に変動(透過率変)
が発生し規格外になったとすると、貫通孔径を透過率検
査した部位からスプレー圧を変更した部位までの製品
は、貫通孔径不良となり破棄され資材の無駄となってい
た。
In the conventional manufacturing method, the diameter of the through hole (transmittance) was measured after the film was peeled off, and when it did not meet the standard, the spray pressure was changed to deal with it. For example, the size of the open area of the resist pattern may change, the etching solution conditions may change, and the through-hole diameter may change (transmittance change).
If the product is out of the standard due to the occurrence of the above, the products from the portion where the transmittance of the through-hole diameter is inspected to the portion where the spray pressure is changed have a defective through-hole diameter and are wasted materials.

【0012】特に簾状のシヤドウマスク(アパーチャー
グリル)は、枚葉状に断裁されるまで簾状のシャドウマ
スクは簾が引っ張られておらず弛んでいるため透過率検
査ができず、断裁されたのち簾を張って検査するため非
常に時間が掛かり、その間、貫通孔径の不良な製品を製
造していても認識できないため、多量の貫通孔径の不良
品を製造してしまうといった問題があった。このよう
に、連続して製造されるシヤドウマスクは一旦貫通孔寸
法不良を発生すると、検査やエッチング条件の変更まで
に時間が掛かり、貫通孔寸法不良を多量に発生させる問
題があった。
In particular, a blind-shaped sheer dough mask (aperture grille) has a blind-shaped shadow mask which is not stretched and loosened until it is cut into single-leaf sheets, and therefore the transmittance cannot be inspected. Since it takes a lot of time to inspect the product, it is not possible to recognize even if a product having a defective through-hole diameter is manufactured, and there is a problem that a large number of defective products having a through-hole diameter are manufactured. As described above, in the continuously manufactured shear mask, once the through-hole dimension defect occurs, it takes time until the inspection and the etching condition change, which causes a large number of through-hole dimension defects.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な問題に鑑みてなされたものであり、フォトエッチング
法を用いて長尺帯状の金属薄板に二段階エッチングによ
って多数の貫通孔を設けシヤドウマスクを製造する際
に、貫通孔径の寸法不良(透過率不良)をなくし、品質
のよいシャドウマスクが得られ、また資材の無駄がない
シャドウマスクの製造方法及び製造装置を提供すること
を課題とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and a large number of through holes are formed in a long strip-shaped metal thin plate by two-step etching using a photoetching method. An object of the present invention is to provide a shadow mask manufacturing method and a manufacturing apparatus in which a dimensional defect (transmissivity defect) of a through hole diameter is eliminated when a shear mask is manufactured, a high-quality shadow mask is obtained, and a material is not wasted. To do.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】本発明は、フォトエッチ
ング法を用いて長尺帯状の金属薄板の片面に第一エッチ
ング、他面に第二エッチングを行い多数の貫通孔を設け
るシヤドウマスクの製造方法において、 1)小孔用レジストパターンの形成後に、小孔用レジス
トパターンの開孔領域の寸法を随時測定し、 2)随時測定された小孔用レジストパターンの開孔領域
の寸法と、随時測定されているエッチング液条件、エッ
チング時間、スプレー圧とから予測される第一エッチン
グ後の小孔径が、目標とする小孔径(小孔径設定値)に
エッチングされるように適正なスプレー圧(スプレー圧
理論値)を算出し、算出した適正なスプレー圧(スプレ
ー圧理論値)をフィードフォーワードしてスプレー圧
(スプレー圧操作値)を随時制御し、第一エッチングを
行って小孔の形成をすることを特徴とするシャドウマス
クの製造方法である。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is a method for manufacturing a shadow mask in which a large number of through holes are formed by performing first etching on one surface and second etching on the other surface of a long thin metal sheet using a photoetching method. In 1), after forming the resist pattern for small holes, the dimension of the opening region of the resist pattern for small holes is measured at any time, and 2) The dimension of the opening region of the resist pattern for small holes measured at any time and the measurement at any time. The small hole diameter after the first etching, which is predicted from the etching liquid conditions, etching time, and spray pressure, is adjusted so that the target small hole diameter (small hole diameter set value) is etched to an appropriate spray pressure (spray pressure). (Theoretical value) is calculated, and the calculated proper spray pressure (spray pressure theoretical value) is feed-forwarded to control the spray pressure (spray pressure operation value) at any time. It is a manufacturing method of a shadow mask, characterized by the formation of pores by performing the quenching.

【0015】また、本発明は、上記発明によるシャドウ
マスクの製造方法において、 1)前記第一エッチングの直後に小孔用レジストパター
ンを剥膜し、小孔径の寸法を随時測定し、 2)随時測定された小孔径の寸法を前記目標とする小孔
径(小孔径設定値)と対比し、その差に対応したスプレ
ー圧補正量をフィードバックして前記適正なスプレー圧
(スプレー圧理論値)に補正を加えスプレー圧(スプレ
ー圧操作値)を随時制御し、第一エッチングを行って小
孔の形成をすることを特徴とするシャドウマスクの製造
方法である。
The present invention also provides, in the method for manufacturing a shadow mask according to the above-mentioned invention, 1) immediately after the first etching, the resist pattern for small holes is stripped off, and the size of the small holes is measured at any time, and 2) at any time. The measured small hole diameter is compared with the target small hole diameter (small hole diameter setting value), and the spray pressure correction amount corresponding to the difference is fed back to correct the proper spray pressure (spray pressure theoretical value). Is added to control the spray pressure (spray pressure operation value) at any time, and the first etching is performed to form small holes.

【0016】また、本発明は、フォトエッチング法を用
いて長尺帯状の金属薄板の片面に第一エッチング、他面
に第二エッチングを行い多数の貫通孔を設けるシヤドウ
マスクの製造装置において、 1)小孔用レジストパターンの形成後に、小孔用レジス
トパターンの開孔領域の寸法を随時測定する手段、 2)随時測定された小孔用レジストパターンの開孔領域
の寸法と、随時測定されているエッチング液条件、エッ
チング時間、スプレー圧とから予測される第一エッチン
グ後の小孔径が、目標とする小孔径(小孔径設定値)に
エッチングされるように適正なスプレー圧(スプレー圧
理論値)を算出し、算出した適正なスプレー圧(スプレ
ー圧理論値)をフィードフォーワードしてスプレー圧
(スプレー圧操作値)を随時制御する手段、を第一エッ
チング工程に連結して具備することを特徴とするシャド
ウマスクの製造装置である。
Further, the present invention relates to an apparatus for manufacturing a shadow mask in which a large number of through holes are formed by performing first etching on one surface and second etching on the other surface of a long strip-shaped thin metal plate by using a photoetching method, 1). Means for measuring the size of the open area of the small hole resist pattern as needed after the small hole resist pattern is formed, 2) The size of the open area of the small hole resist pattern measured at any time, and the size of the small hole resist pattern is measured at any time. Appropriate spray pressure (spray pressure theoretical value) so that the small hole diameter after the first etching, which is predicted from the etching liquid conditions, etching time, and spray pressure, will be etched to the target small hole diameter (small hole diameter set value). And means for controlling the spray pressure (spray pressure operation value) at any time by feed-forwarding the calculated proper spray pressure (spray pressure theoretical value). An apparatus for manufacturing a shadow mask, characterized by comprising linked to the etching process.

【0017】また、本発明は、上記発明によるシャドウ
マスクの製造装置において、 1)前記第一エッチング工程直後の剥膜工程後に、小孔
径の寸法を随時測定する手段、 2)随時測定された小孔径の寸法を前記目標とする小孔
径(小孔径設定値)と対比し、その差に対応したスプレ
ー圧補正量をフィードバックして前記適正なスプレー圧
(スプレー圧理論値)に補正を加えスプレー圧(スプレ
ー圧操作値)を随時制御する手段、を第一エッチング工
程に連結して具備することを特徴とする請求項3記載の
シャドウマスクの製造装置である。
Further, the present invention provides the shadow mask manufacturing apparatus according to the above invention, wherein 1) means for measuring the size of the small pores at any time after the film removal step immediately after the first etching step, and 2) small measured at any time. The size of the hole diameter is compared with the target small hole diameter (small hole diameter set value), and the spray pressure correction amount corresponding to the difference is fed back to correct the appropriate spray pressure (spray pressure theoretical value) to correct the spray pressure. 4. The shadow mask manufacturing apparatus according to claim 3, further comprising: a means for controlling the (spray pressure operation value) at any time, which is connected to the first etching step.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を詳細
に説明する。図1は、本発明によるシャドウマスクの製
造装置の一実施例における第一エッチング工程の部分を
模式的に示す斜視図である。図1に示すように、第一エ
ッチング工程の部分は、エッチングチャンバー(1)、
エッチング液タンク(2)、ポンプ(3)、エッチング
液供給パイプ(4)、エッチングチャンバー内のスプレ
イノズル(5)で構成されている。剥膜チャンバー
(6)はエッチングチャンバー(1)に隣接して設けら
れている。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described in detail below. FIG. 1 is a perspective view schematically showing a portion of a first etching step in an embodiment of the shadow mask manufacturing apparatus according to the present invention. As shown in FIG. 1, the portion of the first etching process is the etching chamber (1),
It is composed of an etching liquid tank (2), a pump (3), an etching liquid supply pipe (4), and a spray nozzle (5) in the etching chamber. The stripping chamber (6) is provided adjacent to the etching chamber (1).

【0019】小孔用レジストパターンが形成された金属
薄板(7)は、矢印で示すように、誌面左方から右方へ
とエッチングチャンバー(1)及び剥膜チャンバー
(6)内を搬送されながらエッチング及び剥膜がされる
ようになっている。エッチング液は、ポンプ(3)によ
りエッチング液タンク(2)からエッチング液供給パイ
プ(4)を経てスプレイノズル(5)に至り、スプレイ
ノズル(5)から金属薄板(7)に噴射され金属薄板を
エッチングしエッチング液タンク(2)に循環するよう
になっている。尚、大孔用レジストパターン形成面側へ
のエッチング、剥膜を防止するため、大孔側に保護フィ
ルムを貼る場合もあるが説明の都合上図示を省略してい
る。
The metal thin plate (7) on which the resist pattern for small holes is formed is conveyed from the left side to the right side of the magazine in the etching chamber (1) and the peeling chamber (6) as indicated by the arrow. Etched and stripped. The etching liquid reaches the spray nozzle (5) from the etching liquid tank (2) through the etching liquid supply pipe (4) by the pump (3), and is sprayed from the spray nozzle (5) to the metal thin plate (7) to remove the metal thin plate. It is adapted to be etched and circulated in the etching liquid tank (2). A protective film may be attached to the large hole side in order to prevent etching and film peeling on the large hole resist pattern formation surface side, but the illustration is omitted for convenience of description.

【0020】高速カメラ(8)は、小孔用レジストパタ
ーンの形成後に小孔用レジストパターンの開孔領域の寸
法を随時測定するものであり、エッチングチャンバー
(1)の直前に設けられている。また、高速カメラ
(9)は、第一エッチングの直後の小孔用レジストパタ
ーンの剥膜後に、小孔径の寸法を随時測定するものであ
り、剥膜チャンバー(6)の直後に設けられている。図
2は、本発明によるシャドウマスクの製造方法の一実施
例における第一エッチング工程の説明図である。
The high-speed camera (8) measures the size of the opening area of the resist pattern for small holes at any time after the resist pattern for small holes is formed, and is provided immediately before the etching chamber (1). The high-speed camera (9) measures the size of the small hole diameter at any time after the small hole resist pattern is removed immediately after the first etching, and is provided immediately after the film removing chamber (6). . FIG. 2 is an explanatory diagram of the first etching step in one embodiment of the method for manufacturing a shadow mask according to the present invention.

【0021】シヤドウマスクの材料としてロール状に巻
かれた、例えば、厚さ0.1mm程度の長尺帯状の低炭
素鋼金属薄板を脱脂洗浄し、その両面に所定の膜厚のフ
ォトレジストを塗布、乾燥させ、フォトレジスト膜を形
成する。次いで所定のパターンを有する大孔、小孔の露
光用マスクをそれぞれ金属薄板の両面へ密着し、両面か
ら露光焼き付けし、現像することにより、金属薄板の両
面に大、小の開孔領域をもつレジストパターンを形成す
る。次いで、水洗、バーニング処理を行ってレジストパ
ターンの形成が完了する(図2(イ))。
As a material for the sheer mask, for example, a long strip of low carbon steel thin metal plate having a thickness of about 0.1 mm is degreased and washed, and a photoresist having a predetermined thickness is applied on both surfaces thereof. Dry to form a photoresist film. Next, a large hole and a small hole exposure mask having a predetermined pattern are respectively adhered to both sides of the thin metal plate, exposed and baked from both sides, and developed to have large and small open areas on both sides of the thin metal plate. A resist pattern is formed. Next, washing with water and burning are performed to complete the formation of the resist pattern (FIG. 2A).

【0022】次に、図1、及び図2に示すように、高速
カメラ(8)で小孔面側のレジストパターンの画像を電
子計算機に入力し、画像処理によってレジストパターン
の開孔領域の寸法を測定し((図2(ロ))、ロールに
おけるその位置と開孔領域の寸法を記録媒体に保存す
る。次いで、エッチングチャンバー(1)の直前で、第
一エッチング工程ではエッチングしない大孔側面に、膜
厚0.02mm程度のポリプロピレンを主成分とする低
粘着力のエッチング保護用のフィルムを貼り付け、大孔
側がエッチングされないようにする(図示せず)。
Next, as shown in FIGS. 1 and 2, a high-speed camera (8) inputs an image of the resist pattern on the small hole surface side to a computer, and the size of the open area of the resist pattern is processed by image processing. (FIG. 2B), the position of the roll and the size of the open area are stored in the recording medium. Next, just before the etching chamber (1), the side surface of the large hole that is not etched in the first etching step is measured. A low-adhesive film for etching protection containing polypropylene as a main component and having a film thickness of about 0.02 mm is attached to the above to prevent the large hole side from being etched (not shown).

【0023】第一エッチング工程((図2(ハ))で
は、塩化第二鉄液のエッチング液を使用し、エッチング
液条件を、例えば、エッチング液温度65℃、エッチン
グ液密度1.525g/cm3 、酸化還元電位650
mVに設定する。しかしながら、エッチング液条件の変
動により第一エッチング工程で形成される小孔の孔径
が、所望する寸法にならないことがある。本発明は、第
一エッチング工程に適正なスプレー圧をフィードフォー
ワードすることによって、小孔の孔径を所望する寸法に
エッチングすることを特徴とするものである。
In the first etching step ((FIG. 2C)), an etching solution of ferric chloride is used, and the etching solution conditions are, for example, an etching solution temperature of 65 ° C. and an etching solution density of 1.525 g / cm 3. , Redox potential 650
Set to mV. However, the diameter of the small holes formed in the first etching step may not be the desired size due to fluctuations in the etching solution conditions. The present invention is characterized in that an appropriate spray pressure is feed-forwarded in the first etching step to etch the small holes to a desired size.

【0024】すなわち、本発明においては、随時測定さ
れた小孔用レジストパターンの開孔領域の寸法の移動平
均と、随時測定されているエッチング液温度、エッチン
グ液密度、エッチング液酸化還元電位、遊離塩酸濃度な
どのエッチング液条件、エッチング時間、スプレー圧と
から予測される第一エッチング後の小孔径が、目標とす
る小孔径(小孔径設定値)にエッチングされるように適
正なスプレー圧(スプレー圧理論値)を算出し、算出し
た適正なスプレー圧(スプレー圧理論値)をフィードフ
ォーワードしてスプレー圧(スプレー圧操作値)を随時
制御するものである。従って、得られる小孔径は、目標
とする小孔径(小孔径設定値)に近似したものとなる。
That is, in the present invention, the moving average of the dimension of the open area of the resist pattern for small holes measured at any time, the temperature of the etching solution, the density of the etching solution, the redox potential of the etching solution, and the release of the solution, which are measured at any time. An appropriate spray pressure (spray pressure) is set so that the small hole diameter after the first etching, which is predicted from the etching solution conditions such as hydrochloric acid concentration, etching time, and spray pressure, is etched to the target small hole diameter (small hole diameter setting value). The theoretical spray pressure is calculated, and the calculated proper spray pressure (spray pressure theoretical value) is feed-forwarded to control the spray pressure (spray pressure operation value) at any time. Therefore, the obtained small hole diameter is close to the target small hole diameter (small hole diameter set value).

【0025】また、本発明は、図2(ハ)に示す第一エ
ッチング工程直後の、剥膜工程(図2(ニ))後に小孔
径の寸法を測定し(図2(ホ))、スプレー圧にフィー
ドバックすることを特徴とするものである。高速カメラ
(9)で小孔面を電子計算機に画像入力し、画像処理に
よって実際にエッチングした小孔径の寸法を測定し、測
定された小孔径の寸法データを電子計算機に送り、目標
とする小孔径(小孔径設定値)との比較検証を行う。も
し、測定した小孔径の寸法が目標とする小孔径(小孔径
設定値)の寸法より大きな場合は、スプレー圧を下げ、
また逆に小さな場合はスプレー圧を上げるといったフィ
ードバック制御を行い、目標とする小孔径(小孔径設定
値)に合わせ込む。
Further, in the present invention, the size of the small hole diameter is measured (FIG. 2 (E)) after the film peeling step (FIG. 2 (D)) immediately after the first etching step shown in FIG. It is characterized by feeding back pressure. The image of the small hole surface is input to the electronic computer with the high-speed camera (9), the size of the small hole diameter actually etched by image processing is measured, and the measured small hole size data is sent to the electronic computer to set the target small size. Perform comparative verification with the hole diameter (small hole diameter setting value). If the measured small hole size is larger than the target small hole size (small hole set value), reduce the spray pressure.
Conversely, if it is small, feedback control is performed by raising the spray pressure to match the target small hole diameter (small hole diameter setting value).

【0026】すなわち、図1、及び図2に示す一実施例
においては、予測される適正なスプレー圧(スプレー圧
理論値)をフィードフォーワードしてスプレー圧(スプ
レー圧操作値)を随時制御し、更に、エッチング後の小
孔径の寸法を測定し、スプレー圧の補正量をフィードバ
ックして適正なスプレー圧(スプレー圧理論値)に補正
を加えスプレー圧(スプレー圧操作値)を随時制御する
ものである。従って、得られる小孔径は、目標とする小
孔径(小孔径設定値)に極めて近似したものとなる。
That is, in one embodiment shown in FIGS. 1 and 2, the predicted proper spray pressure (spray pressure theoretical value) is feed-forwarded to control the spray pressure (spray pressure operation value) at any time. In addition, the size of the small hole diameter after etching is measured, and the spray pressure correction amount is fed back to correct the spray pressure (spray pressure theoretical value) to control the spray pressure (spray pressure operation value) at any time. Is. Therefore, the obtained small hole diameter is extremely close to the target small hole diameter (small hole diameter set value).

【0027】次に、第一エッチング工程で形成した小孔
側面上に、例えば、紫外線硬化型のアクリル系樹脂を気
泡が混入しないように塗布し、紫外線照射により厚さ2
0μm程度の耐腐蝕性樹脂の保護層を形成する。また
は、小孔側面上に、90℃以上に軟化点をもつ熱軟化性
樹脂を150℃以上で軟化させ、同じように塗布し、常
温に戻して硬化させ、耐腐食性樹脂の保護層を形成して
も良い。ここで、大孔面がエッチングされないよう、か
つ、ここで小孔面に塗布する樹脂が大孔面に付着しない
よう大孔側面に貼り付けられていたエッチング保護用の
フィルムを剥離する(図示せず)。
Next, for example, an ultraviolet-curing acrylic resin is applied on the side surface of the small hole formed in the first etching step so that air bubbles do not enter, and the thickness is increased to 2 by irradiation with ultraviolet rays.
A protective layer of a corrosion resistant resin having a thickness of about 0 μm is formed. Alternatively, a heat-softening resin having a softening point of 90 ° C or higher is softened at 150 ° C or higher on the side surface of the small hole, coated in the same manner, and then returned to room temperature to be cured to form a protective layer of a corrosion-resistant resin. You may. Here, the etching protection film attached to the side surface of the large hole is peeled off so that the large hole surface is not etched and the resin applied to the small hole surface does not adhere to the large hole surface (not shown). No).

【0028】次いで、第二エッチング工程では、例え
ば、エッチング液温度60℃、エッチング液密度1.5
10g/cm3 、酸化還元電位650mVの塩化第二
鉄液を両側から、所定の時間、所定の圧力でスプレーし
て、多数の貫通孔を形成する。大孔側面のエッチングに
ついては、高度な制御が必要ないことが分かっている。
小孔側面から小さな半円状にエッチングされ、次いで大
孔側面から大きな半円状にエッチングされたところが接
合して貫通孔径が決まり、透過率が決定される。図3の
工程図に示すように、この貫通孔(38)は小孔側面に
近く、小孔径の寸法にシビアにリンクしており、貫通孔
径は小孔径の寸法でほぼ決定される。つまり、大孔を形
成する第二エッチング工程では、第一エッチング工程の
ような高精度のスプレー圧制御は必要でない。
Next, in the second etching step, for example, the etching solution temperature is 60 ° C. and the etching solution density is 1.5.
A ferric chloride solution having a redox potential of 650 mV of 10 g / cm 3 is sprayed from both sides at a predetermined pressure for a predetermined time to form a large number of through holes. It has been found that a high degree of control is not required for etching the sides of large holes.
A portion of the side surface of the small hole that is etched into a small semi-circle and then a side surface of the large hole that is etched into a large semi-circle is joined to determine the diameter of the through hole and the transmittance. As shown in the process diagram of FIG. 3, the through hole (38) is close to the side surface of the small hole and is severely linked to the size of the small hole, and the diameter of the through hole is substantially determined by the size of the small hole. In other words, in the second etching process for forming the large holes, it is not necessary to control spray pressure with high precision as in the first etching process.

【0029】第二エッチング工程でも不均一なエッチン
グが進行しないようにエッチング面を充分水洗し、エッ
チング液の完全な除去が必要である。最後に、レジスト
膜と耐腐蝕性膜の剥膜液として、例えば、60℃、20
%の苛性ソーダ水溶液をスプレーし、耐腐蝕性樹脂の保
護層と大孔側面に形成されているレジストパターンを溶
解除去し、水洗、乾燥させ、所望する貫通孔径を有する
シヤドウマスクを得ることができる。ここで、シヤドウ
マスクの孔形状としては、真円、長楕円、方形、また簾
状のアパーチャーグリルの製造においても問題はない。
尚、図3において、(イ)は第一エッチング直前の状態
を示し、(ロ)は第一エッチング直後、(ハ)は耐腐蝕
性膜の形成後、(ニ)は第二エッチング後、(ホ)はシ
ヤドウマスクを各々示している。
Even in the second etching step, it is necessary to thoroughly wash the etching surface with water so that the non-uniform etching does not proceed and to completely remove the etching solution. Finally, as a stripping solution for the resist film and the corrosion resistant film, for example, 60 ° C., 20
% Caustic soda aqueous solution is sprayed to dissolve and remove the resist pattern formed on the side surface of the large hole and the protective layer of the corrosion resistant resin, followed by washing with water and drying to obtain a shadow mask having a desired through hole diameter. Here, as the hole shape of the shear mask, there is no problem in manufacturing a perfect circle, an ellipse, a square, or a blind-shaped aperture grill.
In FIG. 3, (a) shows a state immediately before the first etching, (b) shows immediately after the first etching, (c) shows after the formation of the corrosion resistant film, (d) shows after the second etching, (E) shows each shed mask.

【0030】[0030]

【発明の効果】本発明は、小孔用レジストパターンの開
孔領域の寸法と、エッチング液条件、エッチング時間、
スプレー圧とから予測される小孔径が、目標とする小孔
径(小孔径設定値)にエッチングされるように適正なス
プレー圧(スプレー圧理論値)を算出し、この適正なス
プレー圧(スプレー圧理論値)をフィードフォーワード
してスプレー圧(スプレー圧操作値)を制御し、第一エ
ッチングを行って小孔の形成をするので、貫通孔径の寸
法不良(透過率不良)をなくし、品質のよいシャドウマ
スクが得られ、また資材の無駄がないシャドウマスクの
製造方法となる。また、小孔径の寸法を目標とする小孔
径(小孔径設定値)と対比し、その差に対応したスプレ
ー圧補正量をフィードバックして、適正なスプレー圧
(スプレー圧理論値)に補正を加えスプレー圧(スプレ
ー圧操作値)を制御し、第一エッチングを行うので、よ
り確実に寸法不良を低減することができる。
According to the present invention, the size of the opening area of the resist pattern for small holes, the etching solution conditions, the etching time,
The proper spray pressure (spray pressure theoretical value) is calculated so that the small hole diameter predicted from the spray pressure and the target small hole diameter (small hole diameter setting value) are etched, and this appropriate spray pressure (spray pressure) is calculated. The theoretical value) is feed-forwarded to control the spray pressure (spray pressure operation value), and the first etching is performed to form small holes, so dimensional defects of the through-hole diameter (poor transmittance) are eliminated and quality is improved. A good shadow mask can be obtained, and a method of manufacturing a shadow mask without waste of materials can be obtained. Also, the size of the small hole diameter is compared with the target small hole diameter (small hole diameter setting value), and the spray pressure correction amount corresponding to the difference is fed back to correct the appropriate spray pressure (spray pressure theoretical value). Since the spray pressure (spray pressure operation value) is controlled and the first etching is performed, dimensional defects can be reduced more reliably.

【0031】また、本発明は、1)小孔用レジストパタ
ーンの開孔領域の寸法を測定する手段、2)小孔用レジ
ストパターンの開孔領域の寸法と、エッチング液条件、
エッチング時間、スプレー圧とから予測される第一エッ
チング後の小孔径が、目標とする小孔径(小孔径設定
値)にエッチングされるように適正なスプレー圧(スプ
レー圧理論値)を算出し、算出した適正なスプレー圧
(スプレー圧理論値)をフィードフォーワードしてスプ
レー圧(スプレー圧操作値)を制御する手段、を第一エ
ッチング工程に連結して具備するので、貫通孔径の寸法
不良(透過率不良)をなくし、品質のよいシャドウマス
クが得られ、また資材の無駄がないシャドウマスクの製
造装置となる。また、1)小孔径の寸法を測定する手
段、2)小孔径の寸法を目標とする小孔径(小孔径設定
値)と対比し、その差に対応したスプレー圧補正量をフ
ィードバックして前記適正なスプレー圧(スプレー圧理
論値)に補正を加えスプレー圧(スプレー圧操作値)を
制御する手段、を第一エッチング工程に連結して具備す
るので、より確実に寸法不良を低減することができる。
Further, according to the present invention, 1) means for measuring the size of the open area of the resist pattern for small holes, 2) the size of the open area of the resist pattern for small holes, and etching solution conditions,
Calculate the proper spray pressure (spray pressure theoretical value) so that the small hole diameter after the first etching predicted from the etching time and spray pressure will be etched to the target small hole diameter (small hole diameter setting value), A means for controlling the spray pressure (spray pressure operation value) by feed-forwarding the calculated proper spray pressure (spray pressure theoretical value) is provided in connection with the first etching step. It becomes a shadow mask manufacturing apparatus that eliminates (transmission defect), obtains a high-quality shadow mask, and does not waste materials. Further, 1) means for measuring the size of the small hole diameter, 2) comparing the size of the small hole diameter with a target small hole diameter (small hole diameter setting value), and feeding back a spray pressure correction amount corresponding to the difference to obtain the appropriate value. Since a means for controlling the spray pressure (spray pressure operation value) by correcting the proper spray pressure (spray pressure theoretical value) is connected and provided in the first etching step, dimensional defects can be reduced more reliably. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明によるシャドウマスクの製造装置の一実
施例における第一エッチング工程の部分を模式的に示す
斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view schematically showing a portion of a first etching step in an embodiment of a shadow mask manufacturing apparatus according to the present invention.

【図2】本発明によるシャドウマスクの製造方法の一実
施例における第一エッチング工程の説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram of a first etching step in an embodiment of the method for manufacturing a shadow mask according to the present invention.

【図3】(イ)〜(ホ)は、一実施例における工程図で
ある。
3A to 3E are process diagrams in one embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1……エッチングチャンバー 2……エッチング液タンク 3……ポンプ 4……エッチング液供給パイプ 5……スプレイノズル 6……剥膜チャンバー 7……小孔用レジストパターンが形成された金属薄板 8、9……高速カメラ 31……金属薄板 32……小孔用レジストパターン 33……大孔用レジストパターン 34……フィルム 35……小孔 36……耐腐蝕性膜 37……大孔 38……貫通孔 1 ... Etching chamber 2 ... Etching liquid tank 3 ... Pump 4 ... Etching liquid supply pipe 5 ... Spray nozzle 6 ... Stripping chamber 7: Metal thin plate having a resist pattern for small holes formed 8, 9 ... High-speed camera 31 ... Metal sheet 32: Small hole resist pattern 33 ... Resist pattern for large holes 34 ... Film 35 ... small hole 36 ... Corrosion resistant film 37 ... Large hole 38 ... through hole

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 橋本 伊織 京都市左京区高野蓼原町1丁目3番 ルネ 下鴨東405号 (72)発明者 長谷部 伸治 京都市伏見区桃山町大島38−381 (72)発明者 中川 英元 東京都大田区田園調布本町40−12−809 Fターム(参考) 4K057 WA11 WA19 WB01 WD05 WE08 WG01 WG02 WG03 WG08 WJ01 WJ05 WL03 WM04 WN03 5C027 HH08 HH09 HH10 HH11 HH19 HH29    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Iori Hashimoto             1-3 Rene, Takaya Tatehara-cho, Sakyo-ku, Kyoto             Shimogamo East No.405 (72) Inventor Shinji Hasebe             38-381 Oshima, Momoyama-cho, Fushimi-ku, Kyoto (72) Inventor Hidemoto Nakagawa             40-12-809 Denenchofuhonmachi, Ota-ku, Tokyo F term (reference) 4K057 WA11 WA19 WB01 WD05 WE08                       WG01 WG02 WG03 WG08 WJ01                       WJ05 WL03 WM04 WN03                 5C027 HH08 HH09 HH10 HH11 HH19                       HH29

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】フォトエッチング法を用いて長尺帯状の金
属薄板の片面に第一エッチング、他面に第二エッチング
を行い多数の貫通孔を設けるシヤドウマスクの製造方法
において、 1)小孔用レジストパターンの形成後に、小孔用レジス
トパターンの開孔領域の寸法を随時測定し、 2)随時測定された小孔用レジストパターンの開孔領域
の寸法と、随時測定されているエッチング液条件、エッ
チング時間、スプレー圧とから予測される第一エッチン
グ後の小孔径が、目標とする小孔径(小孔径設定値)に
エッチングされるように適正なスプレー圧(スプレー圧
理論値)を算出し、算出した適正なスプレー圧(スプレ
ー圧理論値)をフィードフォーワードしてスプレー圧
(スプレー圧操作値)を随時制御し、第一エッチングを
行って小孔の形成をすることを特徴とするシャドウマス
クの製造方法。
1. A method for producing a shear mask, wherein a large number of through holes are formed by performing first etching on one surface and second etching on the other surface of a long strip-shaped thin metal plate by using a photoetching method, and 1) a resist for small holes. After forming the pattern, the size of the open area of the resist pattern for small holes is measured at any time, and 2) the size of the open area of the resist pattern for small holes that is measured at any time, and the etching solution conditions and etching that are measured at any time. Calculate and calculate an appropriate spray pressure (spray pressure theoretical value) so that the small hole diameter after the first etching, which is predicted from the time and spray pressure, will be etched to the target small hole diameter (small hole diameter setting value) Feed forward the appropriate spray pressure (spray pressure theoretical value) to control the spray pressure (spray pressure operation value) at any time, and perform the first etching to form small holes. Method of manufacturing a shadow mask, characterized by.
【請求項2】1)前記第一エッチングの直後に小孔用レ
ジストパターンを剥膜し、小孔径の寸法を随時測定し、 2)随時測定された小孔径の寸法を前記目標とする小孔
径(小孔径設定値)と対比し、その差に対応したスプレ
ー圧補正量をフィードバックして前記適正なスプレー圧
(スプレー圧理論値)に補正を加えスプレー圧(スプレ
ー圧操作値)を随時制御し、第一エッチングを行って小
孔の形成をすることを特徴とする請求項1記載のシャド
ウマスクの製造方法。
2. A resist pattern for small holes is peeled off immediately after the first etching, and a size of the small hole diameter is measured at any time. 2) A small hole diameter whose target is the size of the small hole diameter measured at any time. (Small hole diameter set value), the spray pressure correction amount corresponding to the difference is fed back to correct the appropriate spray pressure (spray pressure theoretical value), and the spray pressure (spray pressure operation value) is controlled at any time. The method according to claim 1, wherein the first etching is performed to form the small holes.
【請求項3】フォトエッチング法を用いて長尺帯状の金
属薄板の片面に第一エッチング、他面に第二エッチング
を行い多数の貫通孔を設けるシヤドウマスクの製造装置
において、 1)小孔用レジストパターンの形成後に、小孔用レジス
トパターンの開孔領域の寸法を随時測定する手段、 2)随時測定された小孔用レジストパターンの開孔領域
の寸法と、随時測定されているエッチング液条件、エッ
チング時間、スプレー圧とから予測される第一エッチン
グ後の小孔径が、目標とする小孔径(小孔径設定値)に
エッチングされるように適正なスプレー圧(スプレー圧
理論値)を算出し、算出した適正なスプレー圧(スプレ
ー圧理論値)をフィードフォーワードしてスプレー圧
(スプレー圧操作値)を随時制御する手段、を第一エッ
チング工程に連結して具備することを特徴とするシャド
ウマスクの製造装置。
3. A device for manufacturing a shadow mask, wherein a large number of through holes are formed by performing first etching on one surface and second etching on the other surface of a long strip-shaped thin metal plate by using a photoetching method, and 1) a resist for small holes. Means for measuring the size of the open area of the resist pattern for small holes at any time after the formation of the pattern, 2) the size of the open area of the resist pattern for small holes measured at any time, and the etching solution conditions measured at any time, Calculate the proper spray pressure (spray pressure theoretical value) so that the small hole diameter after the first etching predicted from the etching time and spray pressure will be etched to the target small hole diameter (small hole diameter setting value), The first etching step is a means for feeding forward the calculated proper spray pressure (theoretical spray pressure value) and controlling the spray pressure (spray pressure operation value) as needed. Apparatus for manufacturing a shadow mask, characterized by comprising connecting to.
【請求項4】1)前記第一エッチング工程直後の剥膜工
程後に、小孔径の寸法を随時測定する手段、 2)随時測定された小孔径の寸法を前記目標とする小孔
径(小孔径設定値)と対比し、その差に対応したスプレ
ー圧補正量をフィードバックして前記適正なスプレー圧
(スプレー圧理論値)に補正を加えスプレー圧(スプレ
ー圧操作値)を随時制御する手段、を第一エッチング工
程に連結して具備することを特徴とする請求項3記載の
シャドウマスクの製造装置。
4. A means for measuring the size of the small pores at any time after the film stripping step immediately after the first etching step, and 2) a small pore diameter for the purpose of setting the size of the small pores measured at any time. Value) and feed back a spray pressure correction amount corresponding to the difference to correct the appropriate spray pressure (spray pressure theoretical value) to control the spray pressure (spray pressure operation value) at any time. The shadow mask manufacturing apparatus according to claim 3, wherein the shadow mask manufacturing apparatus is provided by being connected to one etching process.
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