JPH11109612A - ポジ型感光性組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高解像力を有し、更に感度が高く、優れたレ
ジストパターンが得られるポジ型感光性組成物を提供す
ることである。 【解決手段】 活性光線または放射線の照射により、ス
ルホン酸を発生する特定の構造の化合物のうち少なくと
も１種と特定の構造の繰り返し単位を含む、酸の作用に
より分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹
脂を含有することを特徴とするポジ型感光性組成物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、平版印刷板やＩＣ
等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基
板の製造、更にその他のフォトファブリケーション工程
に使用されるポジ型感光性組成物に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ポジ型フォトレジスト組成物としては、
米国特許第4,491,628 号、欧州特許第249,139 号等に記
載されている化学増幅系レジスト組成物がある。化学増
幅系ポジ型レジスト組成物は、遠紫外光などの放射線の
照射により露光部に酸を生成させ、この酸を触媒とする
反応によって、活性放射線の照射部と非照射部の現像液
に対する溶解性を変化させパターンを基板上に形成させ
るパターン形成材料である。

【０００３】上記ポジ型化学増幅レジストは、アルカリ
可溶性樹脂、放射線露光によつて酸を発生する化合物
（光酸発生剤）、及び酸分解性基を有するアルカリ可溶
性樹脂に対する溶解阻止化合物から成る３成分系と、酸
との反応により分解しアルカリ可溶となる基を有する樹
脂と光酸発生剤からなる２成分系に大別できる。これら
２成分系あるいは３成分系のポジ型化学増幅レジストに
おいては、露光により光酸発生剤からの酸を介在させ
て、熱処理後現像してレジストパターンを得るものであ
る。

【０００４】ここで、上記のようなポジ型化学増幅レジ
ストにおいて用いられる酸との反応により分解しアルカ
リ可溶となる基を有する樹脂として、特開平８−１２３
０３２号公報には、酸分解性基としてアセタール基を含
むモノマーと、ヒドロキシスチレンと、ハロゲン原子、
アルキル基、アルコキシ基等がベンゼン環に置換したス
チレンとを含有する３元系共重合体が用いられている。
しかしながら、この樹脂を、ポジ型化学増幅レジストに
おける酸分解性基含有樹脂として用いても、未だ解像力
に改良の余地があった。最近、半導体デバイスの高集積
化が一層進んでいる現状から、ポジ型化学増幅レジスト
においても一層の高解像度化が望まれている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、上記従来の技術の課題を解決することであり、詳し
くは高解像力を有し、更に感度が高く、優れたレジスト
パターンが得られるポジ型感光性組成物を提供すること
である。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記諸特
性に留意し鋭意検討した結果、本発明の目的が、ポジ型
化学増幅系において、特定の構造を有する３元系の樹脂
と下記の酸を発生する特定の化合物とを用いることで達
成されることを見いだした。即ち、本発明は、下記構成
である。 （１） （ａ）活性光線または放射線の照射により、ス
ルホン酸を発生する下記一般式（Ａ−１）、（Ａ−
２）、（Ａ−３）、（Ａ−４）、（Ａ−５）、（Ａ−
６）及び（Ａ−７）で表される化合物のうち少なくとも
１種、及び（ｂ）下記一般式（Ｉ）、一般式（II）及び
一般式(III) で表される構造の繰り返し単位を含む、酸
の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増
大する樹脂、を含有することを特徴とするポジ型感光性
組成物。

【０００７】

【化９】

【０００８】式（Ａ−１）、（Ａ−２）中、Ｒ₁ 〜Ｒ₅
は各々水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アル
コキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、又は−Ｓ−Ｒ
₆ 基を示す。Ｒ₆ はアルキル基、又はアリール基を示
す。Ｘ^- は、分岐状又は環状の炭素数８個以上のアルキ
ル基及びアルコキシ基の群の中から選ばれる基を少なく
とも１個有するか、直鎖状、分岐状又は環状の炭素数４
〜７個のアルキル基及びアルコキシ基の群の中から選ば
れる基を少なくとも２個有するか、もしくは直鎖状又は
分岐状の炭素数１〜３個のアルキル基及びアルコキシ基
の群の中から選ばれる基を少なくとも３個有するベンゼ
ンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸又はアントラセン
スルホン酸のアニオンを示す。

【０００９】

【化１０】

【００１０】式（Ａ−３）中、Ｒ₇ 〜Ｒ₁₀は各々水素原
子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、ヒ
ドロキシ基、又はハロゲン原子を示す。Ｘ^- は、分岐状
又は環状の炭素数８個以上のアルキル基及びアルコキシ
基の群の中から選ばれる基を少なくとも１個有するか、
直鎖状、分岐状又は環状の炭素数４〜７個のアルキル基
及びアルコキシ基の群の中から選ばれる基を少なくとも
２個有するか、もしくは直鎖状又は分岐状の炭素数１〜
３個のアルキル基及びアルコキシ基の群の中から選ばれ
る基を少なくとも３個有するベンゼンスルホン酸、ナフ
タレンスルホン酸又はアントラセンスルホン酸のアニオ
ンを示す。ｍ、ｎ、ｐ及びｑは、各々１〜３の整数を示
す。

【００１１】

【化１１】

【００１２】式（Ａ−４）中、Ｒ₁₁〜Ｒ₁₃は、同じでも
異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、シクロア
ルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子
又は−Ｓ−Ｒ₆ 基を示す。Ｒ₆ 、Ｘ^- は前記と同義であ
る。ｌ、ｍ及びｎは、同じでも異なってもよく、１〜３
の整数を示す。ｌ、ｍ及びｎが各々２又は３の場合、２
〜３個のＲ₁₁〜Ｒ₁₃のうちの各々の２個が互いに結合し
て、炭素環、複素環又は芳香環を含む５〜８個の元素か
ら成る環を形成しても良い。

【００１３】

【化１２】

【００１４】式（Ａ−５）中、Ｒ₁₄〜Ｒ₁₆は、同じでも
異なってもよく、水素原子、アルキル基、シクロアルキ
ル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子又は
−Ｓ−Ｒ₆ 基を示す。Ｒ₆ 、Ｘ^- は前記と同義である。
ｌ、ｍ及びｎは、同じでも異なってもよく、１〜３の整
数を示す。ｌ、ｍ及びｎが各々２又は３の場合、２〜３
個のＲ₁₄〜Ｒ₁₆のうちの各々の２個が互いに結合して、
炭素環、複素環又は芳香環を含む５〜８個の元素から成
る環を形成しても良い。

【００１５】

【化１３】

【００１６】式（Ａ−６）中、Ｙは置換基を有していて
もよい直鎖、分岐、環状アルキル基、置換されていても
よいアラルキル基、

【００１７】

【化１４】

【００１８】で表される基を示す（Ｒ₃₁〜Ｒ₅₁は同一で
も異なっていてもよく水素原子、置換基を有していても
よい直鎖、分岐、環状アルキル基、アルコキシ基、アシ
ル基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、アリール
基、アシロキシ基、アラルキル基もしくはアルコキシカ
ルボニル基、又はホルミル基、ニトロ基、塩素原子、臭
素原子、ヨウ素原子、水酸基、もしくはシアノ基を示
し、Ｒ₃₁〜Ｒ₃₅、Ｒ₃₆〜Ｒ ₄₂及びＲ₄₃〜Ｒ₅₁はそれぞれ
の群のうちの２つが結合して炭素及び／又はヘテロ原子
からなる５〜８員環を形成していもよい）。また、Ｙは
別のイミドスルホネート化合物の残基と結合していても
よい。Ｘは置換基を有していてもよい直鎖、分岐アルキ
レン基、置換基を有していてもよくヘテロ原子を含んで
いてもよい単環又は多環環状アルキレン基、置換されて
いてもよい直鎖、分岐アルケニレン基、置換されていて
もよくヘテロ原子を含んでいてもよい単環又は多環環状
アルケニレン基、置換されていてもよいアリーレン基、
置換されていてもよいアラルキレン基を示す。また、Ｘ
は別のイミドスルホネート残基と結合していてもよい。 Ａｒ₁ −ＳＯ₂ −ＳＯ₂ −Ａｒ₂ （Ａ−７） 式（Ａ−７）中、Ａｒ₁ 、Ａｒ₂ は各々独立に置換もし
くは未置換のアリール基を示す。

【００１９】

【化１５】

【００２０】式（Ｉ）〜(III）中、Ｒ₂₁は水素原子又は
メチル基を表し、Ｒ₂₂は酸の作用により分解する基を表
し、Ｒ₂₃は酸の作用により分解しない基を表し、Ｒ₂₄は
水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、ア
ルコキシ基、アシル基又はアシロキシ基を表す。ｎは１
〜３の整数を表す。 （２） 前記一般式（II）で示される繰り返し構造単位
が、下記一般式（II−Ａ）で示される繰り返し構造単位
であることを特徴とする前記（１）に記載のポジ型感光
性組成物。

【００２１】

【化１６】

【００２２】式（II−Ａ）中、Ｒ₅₂は水素原子、置換さ
れていてもよい直鎖、分岐、環状アルキル基又は置換さ
れていてもよいアラルキル基を表す。Ａは、置換されて
いてもよい直鎖、分岐、環状アルキル基、又は置換され
ていてもよいアラルキル基を表す。また、ＡとＲ₅₂が結
合して５〜６員環を形成してもよい。 （３） 酸により分解し得る基を有し、アルカリ現像液
中での溶解度が酸の作用により増大する、分子量３００
０以下の低分子酸分解性溶解阻止化合物を含有すること
を特徴とする前記（１）又は（２）に記載のポジ型感光
性組成物。

【００２３】上記のように、光酸発生剤として上記特定
の構造を有する化合物と特定の３種の繰り返し単位を有
する樹脂を用いることにより、化学増幅型レジストにお
いて、見事に高い解像力が得られ、且つ光感度が高く、
優れたレジストパターンが得られた。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、本発明に使用する化合物に
ついて詳細に説明する。 （ａ）光酸発生剤 一般式（Ａ−１）〜（Ａ−３）で示される光酸発生剤 前記一般式（Ａ−１）〜（Ａ−３）における、Ｒ₁ 〜Ｒ
₆ 及びＲ₇ 〜Ｒ₁₀のアルキル基としては、置換基を有し
てもよい、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチ
ル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基のような炭素数
１〜４個のものが挙げられる。シクロアルキル基として
は、置換基を有してもよい、シクロプロピル基、シクロ
ペンチル基、シクロヘキシル基のような炭素数３〜８個
のものが挙げられる。アルコキシ基としては、メトキシ
基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ
基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキ
シ基、ｔ−ブトキシ基のような炭素数１〜４個のものが
挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素
原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。アリ
ール基としては、フェニル基、トリル基、メトキシフェ
ニル基、ナフチル基のような置換基を有してもよい炭素
数６〜１４個のものが挙げられる。

【００２５】置換基として好ましくは、炭素数１〜４個
のアルコキシ基、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原
子、沃素原子）、炭素数６〜１０個のアリール基、炭素
数２〜６個のアルケニル基、シアノ基、ヒドロキシ基、
カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基等が
挙げられる。本発明で使用される一般式（Ａ−１）〜
（Ａ−３）で表わされるスルホニウム、ヨードニウム化
合物は、その対アニオン、Ｘ^- として、分岐状又は環状
の炭素数８個以上、好ましくは１０個以上のアルキル基
又はアルコキシ基を少なくとも１個以上有するか、直鎖
状、分岐状又は環状の炭素数４〜７個のアルキル基又は
アルコキシ基を少なくとも２個以上有するか、もしくは
直鎖状又は分岐状の炭素数１〜３個のアルキル基又はア
ルコキシ基を少なくとも３個有するベンゼンスルホン
酸、ナフタレンスルホン酸又はアントラセンスルホン酸
のアニオンを有する。これにより露光後発生する酸（上
記基を有するベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン
酸、又はアントラセンスルホン酸）の拡散性が小さくな
り、且つ該スルホニウム、ヨードニウム化合物の溶剤溶
解性が向上する。特に、拡散性を低減させるという観点
からは上記基として直鎖状のアルキル基又はアルコキシ
基より、分岐状又は環状のアルキル基又はアルコキシ基
の方が好ましい。上記基が１個の場合は、直鎖状と分岐
状又は環状との拡散性の差異はより顕著になる。

【００２６】炭素数８個以上、好ましくは炭素数８〜２
０個のアルキル基としては、分岐状又は環状のオクチル
基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、
トリデシル基、テトラデシル基、オクタデシル基等が挙
げられる。炭素数８個以上、好ましくは炭素数８〜２０
個のアルコキシ基としては、分岐状又は環状のオクチル
オキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシ
ルオキシ基、ドデシルオキシ基、トリデシルオキシ基、
テトラデシルオキシ基、オクタデシルオキシ基等が挙げ
られる。炭素数４〜７個のアルキル基としては、直鎖
状、分岐状又は環状のブチル基、ペンチル基、ヘキシル
基、ヘプチル基等が挙げられる。炭素数４〜７個のアル
コキシ基としては、直鎖状、分岐状又は環状のブトキシ
基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオ
キシ基等が挙げられる。炭素数１〜３個のアルキル基と
しては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプ
ロピル基が挙げられる。炭素数１〜３個のアルコキシ基
としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ
基、イソプロポキシ基が挙げられる。

【００２７】また、Ｘ^- で表される芳香族スルホン酸に
は、上記特定の置換基以外に、ハロゲン原子（フッ素原
子、塩素原子、臭素原子、沃素原子）、炭素数６〜１０
個のアリール基、シアノ基、スルフィド基、ヒドロキシ
基、カルボキシ基、ニトロ基等を置換基として含有して
もよい。

【００２８】以下に、これらの化合物の具体例（Ａ−１
−１）〜（Ａ−１−５９）、（Ａ−２−１）〜（Ａ−２
−５３）、（Ａ−３−１）〜（Ａ−３−３５）を示す
が、これに限定されるものではない。

【００２９】

【化１７】

【００３０】

【化１８】

【００３１】

【化１９】

【００３２】

【化２０】

【００３３】

【化２１】

【００３４】

【化２２】

【００３５】

【化２３】

【００３６】

【化２４】

【００３７】

【化２５】

【００３８】

【化２６】

【００３９】

【化２７】

【００４０】

【化２８】

【００４１】

【化２９】

【００４２】

【化３０】

【００４３】

【化３１】

【００４４】

【化３２】

【００４５】

【化３３】

【００４６】

【化３４】

【００４７】

【化３５】

【００４８】

【化３６】

【００４９】

【化３７】

【００５０】

【化３８】

【００５１】

【化３９】

【００５２】

【化４０】

【００５３】

【化４１】

【００５４】

【化４２】

【００５５】尚、具体例中、ｎは直鎖、ｓは第２級、ｔ
は第３級、ｉは分岐であることを示す。一般式（Ａ−
１）〜（Ａ−３）で表される化合物は、例えば対応する
Ｃｌ^- 塩（一般式（Ａ−１）〜（Ａ−３）でＸ^- をＣｌ
^- で置換した化合物）と、Ｘ^- Ｙ ⁺ で表わされる化合物
（Ｘ^- は一般式（Ａ−１）〜（Ａ−３）の場合と同義、
Ｙ ⁺ はＨ⁺ 、Ｎａ⁺ 、Ｋ⁺ 、ＮＨ₄ ⁺ 、Ｎ（ＣＨ₃)₄ ⁺
等のカチオンを示す。）とを水溶液中で塩交換させるこ
とにより合成できる。

【００５６】一般式（Ａ−４）、（Ａ−５）で示される
光酸発生剤 一般式（Ａ−４）、（Ａ−５）において、Ｒ₁₁〜Ｒ₁₃、
Ｒ₁₄〜Ｒ₁₆におけるアルキル基、シクロアルキル基、ア
ルコキシ基、ハロゲン原子は前記Ｒ₁ 〜Ｒ₅ のものと同
様のものを具体例として挙げることができる。Ｒ₆ 、Ｘ
^- は、前記と同義である。

【００５７】また、ｌ、ｍ、ｎが各々２又は３の場合、
２又は３個のＲ₁₁〜Ｒ₁₃あるいはＲ ₁₄〜Ｒ₁₆のうちの各
々の２個が互いに結合して、炭素環、複素環又は芳香環
を含む５〜８個の元素からなる環を形成してもよい。

【００５８】以下に、一般式（Ａ−４）で表される化合
物の具体例（Ａ−４−１）〜（Ａ−４−２８）、一般式
（Ａ−５）で表される化合物の具体例（Ａ−５−１）〜
（Ａ−５−３０）を示すが、これに限定されるものでは
ない。

【００５９】

【化４３】

【００６０】

【化４４】

【００６１】

【化４５】

【００６２】

【化４６】

【００６３】

【化４７】

【００６４】

【化４８】

【００６５】

【化４９】

【００６６】

【化５０】

【００６７】

【化５１】

【００６８】

【化５２】

【００６９】

【化５３】

【００７０】

【化５４】

【００７１】尚、具体例中、ｎは直鎖、ｓは第２級、ｔ
は第３級、ｉは分岐であることを示す。一般式（Ａ−
４）、（Ａ−５）で表される化合物は、例えば対応する
Ｃｌ^- 塩（一般式（Ａ−４）、（Ａ−５）でＸ^- をＣｌ
^- で置換した化合物）と、Ｘ^- Ｙ ⁺ で表わされる化合物
（Ｘ^- は一般式（Ａ−４）、（Ａ−５）の場合と同義、
Ｙ ⁺ はＨ⁺ 、Ｎａ⁺ 、Ｋ⁺ 、ＮＨ₄ ⁺ 、Ｎ（ＣＨ₃)₄ ⁺
等のカチオンを示す。）とを水溶液中で塩交換させるこ
とにより合成できる。

【００７２】一般式（Ａ−６）で表される光酸発生剤 前記一般式（Ａ−６）におけるＹ及びＲ₃₁〜Ｒ₅₁の直
鎖、分岐、環状アルキル基としてはメチル基、エチル
基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブ
チル基、t-ブチル基、ヘキシル基、オクチル基のような
炭素数１〜２０個の直鎖又は分岐アルキル基及びシクロ
プロピル基、シクロペンチル基又はシクロヘキシル基等
の環状アルキル基が挙げられる。アルキル基の好ましい
置換基としてはアルコキシ基、アシル基、アシロキシ
基、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられ
る。

【００７３】また、Ｙのアラルキル基としてはベンジル
基もしくはフェネチル基のような炭素数７〜１２個のア
ラルキル基が挙げられる。アラルキル基の好ましい置換
基としては、炭素数１〜４の低級アルキル基、炭素数１
〜４の低級アルコキシ基、ニトロ基、アセチルアミノ
基、ハロゲン原子などが挙げられる。

【００７４】Ｒ₃₁〜Ｒ₅₁のアルコキシ基としてはメトキ
シ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、
n-ブトキシ基、イソブトキシ基、sec-ブトキシ基、t-ブ
トキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基のよう
な炭素数１〜２０個のアルコキシ基又はエトキシエトキ
シ基などの置換基を有するアルコキシ基が挙げられる。
アシル基としてはアセチル基、プロピオニル基、ベンゾ
イル基などが挙げられる。アシルアミノ基としてはアセ
チルアミノ基、プロピオニルアミノ基、ベンゾイルアミ
ノ基などが挙げられる。スルホニルアミノ基としてはメ
タンスルホニルアミノ基、エタンスルホニルアミノ基な
ど炭素数１〜４個のスルホニルアミノ基、ｐ−トルエン
スルホニルアミノ基のような置換または無置換のベンゼ
ンスルホニルアミノ基があげられる。アリール基として
はフェニル基、トリル基、ナフチル基などが挙げられ
る。アルコキシカルボニル基としてはメトキシカルボニ
ル基、エトキシカルボニル基、エトキシエトキシカルボ
ニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシ
カルボニル基などの炭素数２〜２０個のアルコキシカル
ボニル基があげられる。

【００７５】アシロキシ基としてはアセトキシ基、プロ
パノイルオキシ基、オクタノイルオキシ基、ベンゾイル
オキシ基のような炭素数２〜２０個のアシロキシ基があ
げられる。アラルキル基としては置換または無置換ベン
ジル基、置換または無置換フェネチル基などの炭素数７
〜１５個のアラルキル基があげられる。アラルキル基の
好ましい置換基としては前記にあげたものと同じものが
あげられる。

【００７６】Ｒ₃₁〜Ｒ₅₁においては、Ｒ₃₁〜Ｒ₃₅、Ｒ₃₆
〜Ｒ₄₂及びＲ₄₃〜Ｒ₅₁はそれぞれの群のうちの２つが結
合して炭素及び／又はヘテロ原子からなる５〜８員環を
形成していもよい。このような５〜８員環としては、例
えばシクロヘキサン、ピリジン、フラン又はピロリジン
があげられる。また、Ｘ、Ｙは別のイミドスルホネート
化合物の残基と結合していてもよく、２量体、３量体を
形成していても良い。別のイミドスルホネートとして
は、一般式（Ａ−６）で表される化合物で、Ｘ又はＹの
ところで１価の基になったものがあげられる。

【００７７】Ｘのアルキレン基としては、直鎖又は分岐
の炭素数１〜１０個のアルキレン基あるいはヘテロ原子
を含んでいてもよい単環又は多環の環状アルキレン基が
挙げられる。直鎖又は分岐のアルキレン基としてはメチ
レン基、エチレン基、プロピレン基又はオクチレン基な
どがあげられる。アルキレン基の好ましい置換基として
はアルコキシ基、アシル基、ホルミル基、ニトロ基、ア
シルアミノ基、スルホニルアミノ基、ハロゲン原子、ア
リール基、アルコキシカルボニル基が挙げられる。ここ
で挙げたアルコキシ基、アシル基、ニトロ基、アシルア
ミノ基、スルホニルアミノ基、アリール基、アルコキシ
カルボニル基はＲ₃₁〜Ｒ₅₁で挙げたものと同義である。
ハロゲン原子としてはフッ素原子、塩素原子、臭素原
子、ヨウ素原子を挙げることができる。

【００７８】環状アルキレン基としてはシクロペンチレ
ン基、シクロヘキシレン基、などの炭素数４〜８個の単
環シクロアルキレン基、７−オキサビシクロ〔２，２，
１〕ヘプチレン基などの炭素数５〜１５個の多環シクロ
アルキレン基が挙げられ、シクロアルキレン基の好まし
い置換基としては、炭素数１〜４個のアルキル基、アル
コキシ基、アシル基、ホルミル基、ニトロ基、アシルア
ミノ基、スルホニルアミノ基、ハロゲン原子、アリール
基、アルコキシカルボニル基が挙げられる。ここで挙げ
たアルコキシ基、アシル基、ニトロ基、アシルアミノ
基、スルホニルアミノ基、アリール基、アルコキシカル
ボニル基はＲ₃₁〜Ｒ₅₁で挙げたものと同義である。ハロ
ゲン原子としてはフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨ
ウ素原子を挙げることができる。

【００７９】アリーレン基としてはフェニレン基、ナフ
チレン基等が挙げられる。アリーレン基の好ましい置換
基としてはアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ
基、アシル基、ホルミル基、ニトロ基、アシルアミノ
基、スルホニルアミノ基、ハロゲン原子、アリール基、
アルコキシカルボニル基が挙げられる。ここで挙げたア
ルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アシル
基、ホルミル基、ニトロ基、アシルアミノ基、スルホニ
ルアミノ基、アリール基、アルコキシカルボニル基はＲ
₃₁〜Ｒ₅₁で挙げたものと同義である。ハロゲン原子とし
てはフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を挙
げることができる。

【００８０】アルケニレン基としては炭素数２〜４個の
アルケニレン基があげられ、例えばエテニレン基、ブテ
ニレン基等が挙げられ、アルケニレン基の好ましい置換
基としてはアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ
基、アシル基、ホルミル基、ニトロ基、アシルアミノ
基、スルホニルアミノ基、ハロゲン原子、アリール基、
アルコキシカルボニル基が挙げられる。ここで挙げたア
ルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アシル
基、ホルミル基、ニトロ基、アシルアミノ基、スルホニ
ルアミノ基、アリール基、アルコキシカルボニル基はＲ
₃₁〜Ｒ₅₁で挙げたものと同義である。ハロゲン原子とし
てはフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を挙
げることができる。環状アルケニレン基としてはシクロ
ぺンテニレン基、シクロヘキセニレン基、などの炭素数
４〜８個の単環シクロアルケニレン基、７−オキサビシ
クロ〔２，２，１〕ヘプテニレン基、ノルボルネニレン
基などの炭素数５〜１５個の多環シクロアルケニレン基
が挙げられる。アラルキレン基としては、トリレン基、
キシリレン基などが挙げられ、その置換基としてはアリ
ーレン基で挙げた置換基をあげることができる。以下
に、これらの一般式（Ａ−６）で表される化合物の具体
例（Ａ−６−１）〜（Ａ−６−４９）を示すが、これに
限定されるものではない。

【００８１】

【化５５】

【００８２】

【化５６】

【００８３】

【化５７】

【００８４】

【化５８】

【００８５】

【化５９】

【００８６】

【化６０】

【００８７】

【化６１】

【００８８】

【化６２】

【００８９】

【化６３】

【００９０】一般式（Ａ−６）で表される化合物は、G.
F.Jaubert 著、Ber.. 28,360(1895)の方法、D.E.Ames等
著、J.Chem.Soc..3518(1955)の方法、あるいはM.A.Stol
berg等著、J.Am. Chem.Soc..79,2615(1957) の方法等に
従い合成されたＮ−ヒドロキシイミド化合物とスルホン
酸クロリドとを塩基性条件下、例えばL.Bauer 等著、J.
Org.Chem..24,1294(1959) の方法に従い合成することが
可能である。

【００９１】一般式（Ａ−７）で表される光酸発生剤 一般式（Ａ−７）中、Ａｒ₁ 、Ａｒ₂ は各々独立に置換
もしくは未置換のアリール基を示す。ここで、アリール
基としては、フェニル基、トリル基、ナフチル基などが
挙げられる。アリール基の置換基としては、アルキル
基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アシル基、ホル
ミル基、ニトロ基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ
基、ハロゲン原子、アリール基、アルコキシカルボニル
基が挙げられる。ここで挙げたアルキル基、シクロアル
キル基、アルコキシ基、アシル基、ホルミル基、ニトロ
基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、アリール
基、アルコキシカルボニル基は上記Ｒ₃₁〜Ｒ₅₁で挙げた
ものと同義である。ハロゲン原子としてはフッ素原子、
塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を挙げることができ
る。一般式（Ａ−７）で表される光酸発生剤の具体例と
しては以下に示す化合物（Ａ−７−１）〜（Ａ−７−１
４）が挙げられるが、これらに限定されるものではな
い。

【００９２】

【化６４】

【００９３】

【化６５】

【００９４】上記一般式（Ａ−７）で表される光酸発生
剤の合成としては、ジー．シー．デンサー．ジュニア．
ら著「ジャーナル オブ オルガニックケミストリー」
(G.C. Denser, Jr. ら著、「Journal of Organic Chemi
stry」) 31、3418〜3419 (1966) 記載の方法、テー．ピ
ー．ヒルドイッチ著「ジャーナル オブ ザ ケミカル
ソサイアティ」(T.P. Hilditch著「Journal of the C
hemical Society 」）93、1524〜1527 (1908) 記載の方
法、あるいはオー．ヒンズベルク著「ベリヒテ デア
ドイチェン ヘミシエ ゲゼルシャフト」(O. Hinsberg
著、「Berichte der Deutschen Chemischen Gesellscha
ft」）49、2593〜2594（1918）記載の方法等にしたがい
合成できる。すなわち、硫酸水溶液中において、硫酸コ
バルトを用い、一般式（ａ）で示されるスルフィン酸よ
り合成する方法、キサントゲン酸エチルを用い、一般式
（ｂ）で示されるスルホン酸クロリドより合成する方
法、あるいは塩基性条件下、一般式（ａ）で示されるス
ルフィン酸と一般式（ｂ）で示されるスルホン酸クロリ
ドとを合成する方法等が挙げられる。 Ａｒ₁ −ＳＯ₂Ｈ （ａ） Ａｒ₂ −ＳＯ₂Ｃｌ （ｂ） （ここで、Ａｒ₁ 、Ａｒ₂ は一般式（Ａ−７）で定義さ
れたものと同一の意味である。）

【００９５】本発明においては、上記一般式（Ａ−１）
〜（Ａ−７）で表される光酸発生剤のうち、一般式（Ａ
−１）〜（Ａ−５）で表される光酸発生剤が好ましく、
より好ましくは一般式（Ａ−１）〜（Ａ−４）で表され
る光酸発生剤である。これにより、解像度、感度が一層
優れるようになる。一般式（Ａ−１）〜（Ａ−７）で表
される化合物の組成物中の含量は、全組成物の固形分に
対し、０．１〜２０重量％が好ましく、より好ましくは
０．５〜１０重量％、更に好ましくは１〜７重量％であ
る。

【００９６】（ｂ）上記一般式（Ｉ）、（II）及び(II
I) で表される構造の繰り返し単位を含み、酸の作用に
より分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹
脂Ｒ₂₂における酸の作用により分解する基としては、即
ち、−ＣＯＯ−Ａ⁰ 、−Ｏ−Ｂ⁰ 基を含む基としては、
−Ｒ⁰ −ＣＯＯ−Ａ⁰ 、又は−Ａｒ−Ｏ−Ｂ⁰ で示され
る基が挙げられる。ここでＡ⁰ は、−Ｃ（Ｒ⁰¹）
（Ｒ⁰²）（Ｒ⁰³）、−Ｓｉ（Ｒ⁰¹）（Ｒ⁰²）（Ｒ ⁰³）も
しくは−Ｃ（Ｒ⁰⁴）（Ｒ⁰⁵）−Ｏ−Ｒ⁰⁶基を示す。Ｂ⁰
は、Ａ⁰ 又は−ＣＯ−Ｏ−Ａ⁰ 基を示す。Ｒ⁰¹、Ｒ⁰²、
Ｒ⁰³、Ｒ⁰⁴及びＲ⁰⁵は、それぞれ同一でも相異していて
も良く、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ア
ルケニル基もしくはアリール基を示し、Ｒ⁰⁶はアルキル
基もしくはアリール基を示す。但し、Ｒ⁰¹〜Ｒ⁰³の内少
なくとも２つは水素原子以外の基であり、又、Ｒ⁰¹〜Ｒ
⁰³、及びＲ⁰⁴〜Ｒ⁰⁶の内の２つの基が結合して環を形成
してもよい。Ｒ⁰ は置換基を有していても良い２価以上
の脂肪族もしくは芳香族炭化水素基を示し、−Ａｒ−は
単環もしくは多環の置換基を有していても良い２価以上
の芳香族基を示す。

【００９７】ここで、アルキル基としてはメチル基、エ
チル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル
基、ｔ−ブチル基の様な炭素数１〜４個のものが好まし
く、シクロアルキル基としてはシクロプロピル基、シク
ロブチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基の様な
炭素数３〜１０個のものが好ましく、アルケニル基とし
てはビニル基、プロペニル基、アリル基、ブテニル基の
様な炭素数２〜４個のものが好ましく、アリール基とし
てはフエニル基、キシリル基、トルイル基、クメニル
基、ナフチル基、アントラセニル基の様な炭素数６〜１
４個のものが好ましい。また、置換基としては水酸基、
ハロゲン原子（フツ素、塩素、臭素、ヨウ素）、ニトロ
基、シアノ基、上記のアルキル基、メトキシ基・エトキ
シ基・ヒドロキシエトキシ基・プロポキシ基・ヒドロキ
シプロポキシ基・ｎ−ブトキシ基・イソブトキシ基・ｓ
ｅｃ−ブトキシ基・ｔ−ブトキシ基等のアルコキシ基、
メトキシカルボニル基・エトキシカルボニル基等のアル
コキシカルボニル基、ベンジル基・フエネチル基・クミ
ル基等のアラルキル基、アラルキルオキシ基、ホルミル
基・アセチル基・ブチリル基・ベンゾイル基・シアナミ
ル基・バレリル基等のアシル基、ブチリルオキシ基等の
アシロキシ基、上記のアルケニル基、ビニルオキシ基・
プロペニルオキシ基・アリルオキシ基・ブテニルオキシ
基等のアルケニルオキシ基、上記のアリール基、フエノ
キシ基等のアリールオキシ基、ベンゾイルオキシ基等の
アリールオキシカルボニル基を挙げることができる。

【００９８】酸により分解しうる基として、好ましく
は、シリルエーテル基、クミルエステル基、アセタール
基、テトラヒドロピラニルエーテル基、エノールエーテ
ル基、エノールエステル基、第３級のアルキルエーテル
基、第３級のアルキルエステル基、第３級のアルキルカ
ーボネート基等である。酸分解性基としては、更に好ま
しくは、アセタール基である。

【００９９】Ｒ₂₃における酸の作用により分解しない基
（酸安定基ともいう）としては、水素原子、ハロゲン原
子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、ア
リール基、アルキルオキシ基（但し、−Ｏ−第３級アル
キルは除く）、アシル基、シクロアルキルオキシ基、ア
ルケニルオキシ基、アリールオキシ基、アルキルカルボ
ニルオキシ基、アルキルアミドメチルオキシ基、アルキ
ルアミド基、アリールアミドメチル基、アリールアミド
基等が挙げられる。酸安定基としては、好ましくはアシ
ル基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルオキシ
基、シクロアルキルオキシ基、アリールオキシ基、アル
キルアミドオキシ基、アルキルアミド基であり、より好
ましくはアシル基、アルキルカルボニルオキシ基、アル
キルオキシ基、シクロアルキルオキシ基、アリールオキ
シ基である。

【０１００】Ｒ₂₃の酸安定基において、アルキル基とし
ては、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル
基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基の様な炭素数１〜
４個のものが好ましく、シクロアルキル基としてはシク
ロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基、ア
ダマンチル基の様な炭素数３〜１０個のものが好まし
く、アルケニル基としてはビニル基、プロペニル基、ア
リル基、ブテニル基の様な炭素数２〜４個のものが好ま
しく、アルケニル基としてはビニル基、プロペニル基、
アリル基、ブテニル基の様な炭素数２〜４個のものが好
ましく、アリール基としてはフエニル基、キシリル基、
トルイル基、クメニル基、ナフチル基、アントラセニル
基の様な炭素数６〜１４個のものが好ましい。アルコキ
シ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエ
トキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ｎ
−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基等
の炭素数１〜４個のアルコキシ基が好ましい。

【０１０１】上記Ｒ₂₄におけるハロゲン原子としては、
フッ素、塩素、臭素、沃素が好ましく、アルキル基とし
ては、メチル、エチル、プロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ
−ブチル、ｔ−ブチル、ヘキシル、オクチル等のような
炭素数１〜８個のものが好ましく、アリール基として
は、フェニル、キシリル、トルイル、クメニル、ナフチ
ル、アントラセニル等のような炭素数６〜１４のものが
好ましい。アルコキシ基としては、メトキシ、エトキ
シ、ヒドロキシエトキシ、プロポキシ、ヒドロキシプロ
ポキシ、ｎ−ブトキシ、イソブトキシ、ｓｅｃ−ブトキ
シ、ｔ−ブトキシ等のような炭素数１〜４個のものが好
ましく、アシル基としては、ホルミル、アセチル、プロ
パノイル、ブタノイル、ベンゾイル等の炭素数１〜７の
ものが好ましく、アシロキシ基としては、アセトキシ、
プロプノイルオキシ、ブタノイルオキシ、ベンゾイルオ
キシ等の炭素数２〜７個のものが好ましい。

【０１０２】前記一般式（II）で表される構造の繰り返
し単位としては、前記一般式（II−Ａ）で示される繰り
返し単位が好ましい。一般式（II−Ａ）おけるＡ基、Ｒ
₅₂の直鎖、分岐、環状のアルキル基、及び置換されてい
ても良いアラルキル基としては一般式（Ａ−６）におけ
るＹ及びＲ₃₁〜Ｒ₅₁と同義のアルキル基及び置換されて
いても良いアラルキル基を示し、アラルキル基の好まし
い置換基も同義である。ＡとＲ₅₂が結合して５〜６員環
を形成している例としてはテトラヒドロピラン環、フラ
ン環などを挙げることができる。

【０１０３】これら一般式（Ｉ）〜(III) で示される繰
り返し単位を含む樹脂は、例えば以下に示す方法により
合成される。即ち、一般式（Ｉ）で示される構造単位に
由来する重合性モノマーを単独重合又は共重合させて得
られたた樹脂中のＯＨ基を、一般式（II）のＲ₂₃で示さ
れる基、更に一般式(III) のＲ₂₃で示される基になるよ
うに修飾、変換する方法、並びに一般式（Ｉ）で示され
る重合性モノマーと、一般式（II）で示される重合性モ
ノマーと、一般式(III) で示される重合性モノマーとを
共重合する方法、また更に、一般式（II）、(III) で示
される重合性モノマーを単独重合又は共重合した後、Ｒ
₂₂、Ｒ₂₃の一部を加水分解して一般式（Ｉ）の構造に変
換する方法により合成できる。

【０１０４】具体的には、上記一般式（Ｉ）で示される
重合性モノマーを適当な溶媒及び触媒を用い、例えば、
特開平２−２５８５０号、同３−２２３８６０号、同４
−２１１２５８号、同５−２４９６８２号等に記載され
たラジカル重合法で単独重合又は他の重合性モノマーと
共重合させた後、得られた樹脂中のＯＨ基を例えば、特
開昭６０−５２８４５号、特開平５−１９４８２号、同
４−２１９７５７号、同４−２５１２５９号、同５−２
４９６８２号、同４−２１１２５８号、同５−１８１２
７９号、同６−８３０５９号、同６−１９４８４１号等
に記載の方法により、Ｒ₂₂、Ｒ₂₃の基に修飾、変換する
方法により合成される。また、一般式（Ｉ）、（II）、
(III) 及び必要に応じて他の重合性モノマーを上記ラジ
カル重合法等で、共重合させることにより合成される。
また、一般式（II）及び／又は(III) 及び必要に応じて
他の重合性モノマーを上記ラジカル重合法、又は特開平
４−３５０６５７号、同４−３５０６５８号、同６−４
１２２１号、同６−４１２２２号、同６−６５３３２
号、同６−６５３３３号等に記載されたリビングアニオ
ン重合法で単独重合または共重合させた後、Ｒ₂₂及び／
又はＲ₂₃の基の一部を加水分解して一般式（Ｉ）の構造
に変換する方法、更に引き続き含量調整のため、再度Ｒ
₂₂及び／又はＲ₂₃の基に修飾、変換する方法により合成
される。

【０１０５】このような一般式（Ｉ）で示される重合性
モノマーの具体例としては、以下に示すものが挙げられ
るが、これらに限定されるものではない。

【０１０６】

【化６６】

【０１０７】

【化６７】

【０１０８】一般式（II）で示される重合性モノマーの
具体例としては、上記化合物例（Ｉ−１）〜（Ｉ−２
３）のＯＨ基を以下の基で置換したものが挙げられる。

【０１０９】

【化６８】

【０１１０】また、一般式(III) で示される重合性モノ
マーの具体例としては、以下のものが挙げられるが、こ
れらに限定されるものではない。

【０１１１】

【化６９】

【０１１２】

【化７０】

【０１１３】本発明において、酸の作用により分解し、
アルカリ現像液中での溶解度を増大させる基を有する樹
脂は、一般式（Ｉ）、（II）及び(III) で表される構造
単位の他に共重合成分として他のモノマー単位を含んで
いてもよい。

【０１１４】本発明で用いる樹脂は、アルカリ溶解速度
調整及び耐熱姓向上のために合成段階においてポリヒド
ロキシ化合物を添加して、ポリマー主鎖を多官能アセタ
ール基で連結する架橋部位を導入しても良い。ポリヒド
ロキシ化合物の添加量は樹脂の水酸基の数に対して、
０．０１〜１０mol％、好ましくは０．０５〜８ mol
％、更に好ましくは０．１〜５ mol％である。ポリヒド
ロキシ化合物としては、フェノール性水酸基あるいアル
コール性水酸基を２〜６個持つものがあげられ、好まし
くは水酸基の数が２〜４個であり、更に好ましくは水酸
基の数が２または３個である。以下に具体例を示すが、
本発明はこれらに限定されるものではない。

【０１１５】

【化７１】

【０１１６】一般式（Ｉ）〜(III) で示される重合性モ
ノマー又は他の重合性モノマーは、各々一種、又は二種
以上を組み合わせて使用することができる。樹脂におけ
る一般式（Ｉ）で示されるモノマー成分の含量は好まし
くは３０〜９０モル％、より好ましくは４０〜８５モル
％、更に好ましくは５０〜８０モル％である。樹脂にお
ける一般式（II）で示されるモノマー成分の含量は好ま
しくは３〜４０モル％、より好ましくは５〜４０モル
％、更に好ましくは１０〜４０モル％である。樹脂にお
ける一般式(III) で示されるモノマー成分の含量は好ま
しくは５〜４０モル％、より好ましくは７〜３５モル
％、更に好ましくは７〜３０モル％である。また共重合
体においては、アルカリ現像液に対する良好な現像性を
維持する為にアルカリ可溶性基、例えばフェノール性水
酸基、カルボキシル基が導入され得るように他の重合性
モノマーを選択することができる。

【０１１７】上記の方法によって合成される本発明に係
わる上記一般式（Ｉ）〜(III) のモノマー成分を有する
樹脂の分子量は重量平均（Ｍｗ：ポリスチレン標準）で
２，０００以上、好ましくは３，０００〜２００，００
０であり、より好ましくは５，０００〜７０，０００で
ある。また、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、好ましくは１．
０〜４．０、より好ましくは１．０〜２．０、特に好ま
しくは１．０〜１．６であり、分散度が小さい程、耐熱
性、画像形成性（パターンプロファイル、デフォーカス
ラチチュード等）が良好となる。上記一般式（Ｉ）〜(I
II) のモノマー成分を有する樹脂の感光性組成物中（塗
布溶媒を除く）の添加量としては、好ましくは５０〜９
９重量％、更に好ましくは７０〜９７重量％である。こ
れらの一般式（Ｉ）〜(III) のモノマー成分を有する樹
脂の具体例を以下に示すが、本発明がこれらに限定され
るものではない。

【０１１８】

【化７２】

【０１１９】

【化７３】

【０１２０】

【化７４】

【０１２１】

【化７５】

【０１２２】

【化７６】

【０１２３】

【化７７】

【０１２４】上記、本発明における樹脂以外に酸分解性
基を有する樹脂を併用してもよい。本発明における化学
増幅型レジストにおいて用いられる他の酸により分解
し、アルカリ現像液中での溶解性を増大させる基を有す
る樹脂としては、樹脂の主鎖または側鎖、あるいは、主
鎖及び側鎖の両方に、酸で分解し得る基を有する樹脂で
ある。この内、酸で分解し得る基を側鎖に有する樹脂が
より好ましい。酸で分解し得る基として好ましい基は、
−ＣＯＯＡ⁰ 、−Ｏ−Ｂ⁰ 基であり、更にこれらを含む
基としては、−Ｒ⁰ −ＣＯＯＡ⁰ 、又は−Ａ_r −Ｏ−Ｂ
⁰ で示される基が挙げられる。ここでＡ⁰ は、−Ｃ（Ｒ
⁰¹）（Ｒ⁰²）（Ｒ⁰³）、−Ｓｉ（Ｒ⁰¹）（Ｒ⁰²）
（Ｒ ⁰³）もしくは−Ｃ（Ｒ⁰⁴）（Ｒ⁰⁵）−Ｏ−Ｒ⁰⁶基を
示す。Ｂ⁰ は、−Ａ⁰ 又は−ＣＯ−Ｏ−Ａ⁰ 基を示す
（Ｒ⁰ 、Ｒ⁰¹〜Ｒ⁰⁶、及びＡｒは後述のものと同義）。

【０１２５】酸分解性基としては好ましくは、シリルエ
ーテル基、クミルエステル基、アセタール基、テトラヒ
ドロピラニルエーテル基、テトラヒドロピラニルエステ
ル基、エノールエーテル基、エノールエステル基、第３
級のアルキルエーテル基、第３級のアルキルエステル
基、第３級のアルキルカーボネート基等である。更に好
ましくは、第３級アルキルエステル基、第３級アルキル
カーボネート基、クミルエステル基、アセタール基、テ
トラヒドロピラニルエーテル基である。

【０１２６】次に、これら酸で分解し得る基が側鎖とし
て結合する場合の母体樹脂としては、側鎖に−ＯＨもし
くは−ＣＯＯＨ、好ましくは−Ｒ⁰ −ＣＯＯＨもしくは
−Ａ _r −ＯＨ基を有するアルカリ可溶性樹脂である。例
えば、後述するアルカリ可溶性樹脂を挙げることができ
る。

【０１２７】これらアルカリ可溶性樹脂のアルカリ溶解
速度は、０．２６１Ｎテトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイド（ＴＭＡＨ）で測定（２３℃）して１７０
Ａ／秒以上のものが好ましい。特に好ましくは３３０Ａ
／秒以上のものである（Ａはオングストローム）。ま
た、矩形プロファイルを達成する点から遠紫外光やエキ
シマレーザー光に対する透過率が高いアルカリ可溶性樹
脂が好ましい。好ましくは、１μｍ膜厚の２４８ｎｍで
の透過率が２０〜９０％である。このような観点から、
特に好ましいアルカリ可溶性樹脂は、ｏ−，ｍ−，ｐ−
ポリ（ヒドロキシスチレン）及びこれらの共重合体、水
素化ポリ（ヒドロキシスチレン）、ハロゲンもしくはア
ルキル置換ポリ（ヒドロキシスチレン）、ポリ（ヒドロ
キシスチレン）の一部、Ｏ−アルキル化もしくはＯ−ア
シル化物、スチレン−ヒドロキシスチレン共重合体、α
−メチルスチレン−ヒドロキシスチレン共重合体及び水
素化ノボラック樹脂である。

【０１２８】本発明に用いられる酸で分解し得る基を有
する樹脂は、アルカリ可溶性樹脂に酸で分解し得る基の
前駆体を反応させる、もしくは、酸で分解し得る基の結
合したアルカリ可溶性樹脂モノマーを種々のモノマーと
共重合して得ることができる。

【０１２９】上記光酸発生剤、酸で分解し得る基を有す
る樹脂とともに、後記する酸分解性低分子溶解阻止化合
物を混合することが好ましい。本発明に用いられる酸分
解性溶解阻止化合物としては、その構造中に酸で分解し
得る基を少なくとも２個有し、該酸分解性基間の距離が
最も離れた位置において、酸分解性基を除く結合原子を
少なくとも８個経由する化合物である。本発明におい
て、好ましくは酸分解性溶解阻止化合物は、その構造中
に酸で分解し得る基を少なくとも２個有し、該酸分解性
基間の距離が最も離れた位置において、酸分解性基を除
く結合原子を少なくとも１０個、好ましくは少なくとも
１１個、更に好ましくは少なくとも１２個経由する化合
物、又は酸分解性基を少なくとも３個有し、該酸分解性
基間の距離が最も離れた位置において、酸分解性基を除
く結合原子を少なくとも９個、好ましくは少なくとも１
０個、更に好ましくは少なくとも１１個経由する化合物
である。又、上記結合原子の好ましい上限は５０個、更
に好ましくは３０個である。本発明において、酸分解性
溶解阻止化合物が、酸分解性基を３個以上、好ましくは
４個以上有する場合、又酸分解性基を２個有するものに
おいても、該酸分解性基が互いにある一定の距離以上離
れている場合、アルカリ可溶性樹脂に対する溶解阻止性
が著しく向上する。なお、本発明における酸分解性基間
の距離は、酸分解性基を除く、経由結合原子数で示され
る。例えば、以下の化合物（１），（２）の場合、酸分
解性基間の距離は、各々結合原子４個であり、化合物
（３）では結合原子１２個である。

【０１３０】

【化７８】

【０１３１】また、本発明の酸分解性溶解阻止化合物
は、１つのベンゼン環上に複数個の酸分解性基を有して
いても良いが、好ましくは、１つのベンゼン環上に１個
の酸分解性基を有する骨格から構成される化合物であ
る。更に、本発明の酸分解性溶解阻止化合物の分子量は
３，０００以下であり、好ましくは５００〜３，００
０、更に好ましくは１，０００〜２，５００である。

【０１３２】本発明の好ましい実施態様においては、酸
により分解し得る基、即ち−ＣＯＯ−Ａ⁰ 、−Ｏ−Ｂ⁰
基を含む基としては、−Ｒ⁰ −ＣＯＯ−Ａ⁰ 、又は−Ａ
ｒ−Ｏ−Ｂ⁰ で示される基が挙げられる。ここでＡ
⁰ は、−Ｃ（Ｒ⁰¹）（Ｒ⁰²）（Ｒ⁰³）、−Ｓｉ（Ｒ⁰¹）
（Ｒ⁰²）（Ｒ ⁰³）もしくは−Ｃ（Ｒ⁰⁴）（Ｒ⁰⁵）−Ｏ−
Ｒ⁰⁶基を示す。Ｂ⁰ は、Ａ⁰ 又は−ＣＯ−Ｏ−Ａ⁰ 基を
示す。Ｒ⁰¹、Ｒ⁰²、Ｒ⁰³、Ｒ⁰⁴及びＲ⁰⁵は、それぞれ同
一でも相異していても良く、水素原子、アルキル基、シ
クロアルキル基、アルケニル基もしくはアリール基を示
し、Ｒ⁰⁶はアルキル基もしくはアリール基を示す。但
し、Ｒ⁰¹〜Ｒ⁰³の内少なくとも２つは水素原子以外の基
であり、又、Ｒ⁰¹〜Ｒ⁰³、及びＲ⁰⁴〜Ｒ⁰⁶の内の２つの
基が結合して環を形成してもよい。Ｒ⁰ は置換基を有し
ていても良い２価以上の脂肪族もしくは芳香族炭化水素
基を示し、−Ａｒ−は単環もしくは多環の置換基を有し
ていても良い２価以上の芳香族基を示す。

【０１３３】ここで、アルキル基としてはメチル基、エ
チル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル
基、ｔ−ブチル基の様な炭素数１〜４個のものが好まし
く、シクロアルキル基としてはシクロプロピル基、シク
ロブチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基の様な
炭素数３〜１０個のものが好ましく、アルケニル基とし
てはビニル基、プロペニル基、アリル基、ブテニル基の
様な炭素数２〜４個のものが好ましく、アリール基とし
てはフエニル基、キシリル基、トルイル基、クメニル
基、ナフチル基、アントラセニル基の様な炭素数６〜１
４個のものが好ましい。また、置換基としては水酸基、
ハロゲン原子（フツ素、塩素、臭素、ヨウ素）、ニトロ
基、シアノ基、上記のアルキル基、メトキシ基・エトキ
シ基・ヒドロキシエトキシ基・プロポキシ基・ヒドロキ
シプロポキシ基・ｎ−ブトキシ基・イソブトキシ基・ｓ
ｅｃ−ブトキシ基・ｔ−ブトキシ基等のアルコキシ基、
メトキシカルボニル基・エトキシカルボニル基等のアル
コキシカルボニル基、ベンジル基・フエネチル基・クミ
ル基等のアラルキル基、アラルキルオキシ基、ホルミル
基・アセチル基・ブチリル基・ベンゾイル基・シアナミ
ル基・バレリル基等のアシル基、ブチリルオキシ基等の
アシロキシ基、上記のアルケニル基、ビニルオキシ基・
プロペニルオキシ基・アリルオキシ基・ブテニルオキシ
基等のアルケニルオキシ基、上記のアリール基、フエノ
キシ基等のアリールオキシ基、ベンゾイルオキシ基等の
アリールオキシカルボニル基を挙げることができる。

【０１３４】酸により分解しうる基として、好ましく
は、シリルエーテル基、クミルエステル基、アセタール
基、テトラヒドロピラニルエーテル基、エノールエーテ
ル基、エノールエステル基、第３級のアルキルエーテル
基、第３級のアルキルエステル基、第３級のアルキルカ
ーボネート基等である。更に好ましくは、第３級アルキ
ルエステル基、第３級アルキルカーボネート基、クミル
エステル基、テトラヒドロピラニルエーテル基である。

【０１３５】酸分解性溶解阻止化合物としては、好まし
くは、特開平１−２８９９４６号、特開平１−２８９９
４７号、特開平２−２５６０号、特開平３−１２８９５
９号、特開平３−１５８８５５号、特開平３−１７９３
５３号、特開平３−１９１３５１号、特開平３−２００
２５１号、特開平３−２００２５２号、特開平３−２０
０２５３号、特開平３−２００２５４号、特開平３−２
００２５５号、特開平３−２５９１４９号、特開平３−
２７９９５８号、特開平３−２７９９５９号、特開平４
−１６５０号、特開平４−１６５１号、特開平４−１１
２６０号、特開平４−１２３５６号、特開平４−１２３
５７号、特願平３−３３２２９号、特願平３−２３０７
９０号、特願平３−３２０４３８号、特願平４−２５１
５７号、特願平４−５２７３２号、特願平４−１０３２
１５号、特願平４−１０４５４２号、特願平４−１０７
８８５号、特願平４−１０７８８９号、同４−１５２１
９５号等の明細書に記載されたポリヒドロキシ化合物の
フエノール性ＯＨ基の一部もしくは全部を上に示した
基、−Ｒ⁰ −ＣＯＯ−Ａ⁰ もしくはＢ⁰ 基で結合し、保
護した化合物が含まれる。

【０１３６】更に好ましくは、特開平１−２８９９４６
号、特開平３−１２８９５９号、特開平３−１５８８５
５号、特開平３−１７９３５３号、特開平３−２００２
５１号、特開平３−２００２５２号、特開平３−２００
２５５号、特開平３−２５９１４９号、特開平３−２７
９９５８号、特開平４−１６５０号、特開平４−１１２
６０号、特開平４−１２３５６号、特開平４−１２３５
７号、特願平４−２５１５７号、特願平４−１０３２１
５号、特願平４−１０４５４２号、特願平４−１０７８
８５号、特願平４−１０７８８９号、同４−１５２１９
５号の明細書に記載されたポリヒドロキシ化合物を用い
たものが挙げられる。

【０１３７】より具体的には、一般式［Ｉ］〜［ＸＶ
Ｉ］で表される化合物が挙げられる。

【０１３８】

【化７９】

【０１３９】

【化８０】

【０１４０】

【化８１】

【０１４１】

【化８２】

【０１４２】Ｒ¹⁰¹ 、Ｒ¹⁰² 、Ｒ¹⁰⁸ 、Ｒ¹³⁰ ：同一で
も異なっていても良く、水素原子、−Ｒ⁰−ＣＯＯ−Ｃ
（Ｒ⁰¹）（Ｒ⁰²）（Ｒ⁰³）又は−ＣＯ−Ｏ−Ｃ（Ｒ⁰¹）
（Ｒ^{0 2}）（Ｒ⁰³）、但し、Ｒ⁰、Ｒ⁰¹、Ｒ⁰²及びＲ⁰³の
定義は前記と同じである。

【０１４３】Ｒ¹⁰⁰ ：−ＣＯ−，−ＣＯＯ−，−ＮＨＣ
ＯＮＨ−，−ＮＨＣＯＯ−，−Ｏ−、−Ｓ−，−ＳＯ
−，−ＳＯ₂−，−ＳＯ₃−，もしくは

【０１４４】

【化８３】

【０１４５】ここで、Ｇ＝２〜６ 但し、Ｇ＝２の時は
Ｒ¹⁵⁰ 、Ｒ¹⁵¹ のうち少なくとも一方はアルキル基、 Ｒ¹⁵⁰ 、Ｒ¹⁵¹ ：同一でも異なっていても良く、水素原
子，アルキル基，アルコキシ基、−ＯＨ，−ＣＯＯＨ，
−ＣＮ，ハロゲン原子，−Ｒ¹⁵² −ＣＯＯＲ^{15 3} もしく
は−Ｒ¹⁵⁴ −ＯＨ、 Ｒ¹⁵² 、Ｒ¹⁵⁴ ：アルキレン基、 Ｒ¹⁵³ ：水素原子，アルキル基，アリール基，もしくは
アラルキル基、 Ｒ⁹⁹、Ｒ¹⁰³ 〜Ｒ¹⁰⁷ 、Ｒ¹⁰⁹ 、Ｒ¹¹¹ 〜Ｒ¹¹⁸ 、Ｒ
¹²¹ 〜Ｒ¹²³ 、Ｒ¹²⁸ 〜Ｒ¹²⁹ 、Ｒ¹³¹ 〜Ｒ¹³⁴ 、Ｒ
¹³⁸ 〜Ｒ¹⁴¹ 及びＲ¹⁴³ ：同一でも異なっても良く、水
素原子，水酸基，アルキル基，アルコキシ基，アシル
基，アシロキシ基，アリール基，アリールオキシ基，ア
ラルキル基，アラルキルオキシ基，ハロゲン原子，ニト
ロ基，カルボキシル基，シアノ基，もしくは −N(R¹⁵⁵)(R¹⁵⁶)(R¹⁵⁵、R¹⁵⁶：Ｈ，アルキル基，もしく
はアリール基） Ｒ¹¹⁰ ：単結合，アルキレン基，もしくは

【０１４６】

【化８４】

【０１４７】Ｒ¹⁵⁷ 、Ｒ¹⁵⁹ ：同一でも異なっても良
く、単結合，アルキレン基，−Ｏ−，−Ｓ−，−ＣＯ
−，もしくはカルボキシル基、 Ｒ¹⁵⁸ ：水素原子，アルキル基，アルコキシ基，アシル
基，アシロキシ基，アリール基，ニトロ基，水酸基，シ
アノ基，もしくはカルボキシル基、但し、水酸基が酸分
解性基（例えば、ｔ−ブトキシカルボニルメチル基、テ
トラヒドロピラニル基、１−エトキシ−１−エチル基、
１−ｔ−ブトキシ−１−エチル基）で置き換ってもよ
い。

【０１４８】Ｒ¹¹⁹ 、Ｒ¹²⁰ ：同一でも異なっても良
く、メチレン基，低級アルキル置換メチレン基，ハロメ
チレン基，もしくはハロアルキレン基、但し本願におい
て低級アルキル基とは炭素数１〜４のアルキル基を指
す、 Ｒ¹²⁴ 〜Ｒ¹²⁷ ：同一でも異なっても良く、水素原子も
しくはアルキル基、 Ｒ¹³⁵ 〜Ｒ¹³⁷ ：同一でも異なっても良く、水素原子，
アルキル基，アルコキシ基，アシル基，もしくはアシロ
キシ基、 Ｒ¹⁴² ：水素原子，−Ｒ⁰−ＣＯＯ−Ｃ（Ｒ⁰¹）
（Ｒ⁰²）（Ｒ⁰³）又は−ＣＯ−Ｏ−Ｃ（Ｒ⁰¹）（Ｒ⁰²）
（Ｒ⁰³）、もしくは

【０１４９】

【化８５】

【０１５０】Ｒ¹⁴⁴ 、Ｒ¹⁴⁵ ：同一でも異なっても良
く、水素原子，低級アルキル基，低級ハロアルキル基，
もしくはアリール基、 Ｒ¹⁴⁶ 〜Ｒ¹⁴⁹ ：同一でも異なっていても良く、水素原
子，水酸基，ハロゲン原子，ニトロ基，シアノ基，カル
ボニル基，アルキル基，アルコキシ基，アルコキシカル
ボニル基，アラルキル基，アラルキルオキシ基，アシル
基，アシロキシ基，アルケニル基，アルケニルオキシ
基，アリール基，アリールオキシ基，もしくはアリール
オキシカルボニル基、但し、各４個の同一記号の置換基
は同一の基でなくても良い、 Ｙ：−ＣＯ−，もしくは−ＳＯ₂−、 Ｚ，Ｂ：単結合，もしくは−Ｏ−、 Ａ：メチレン基，低級アルキル置換メチレン基，ハロメ
チレン基，もしくはハロアルキレン基、 Ｅ：単結合，もしくはオキシメチレン基、 a〜z，a1〜y1：複数の時、（）内の基は同一または異な
っていてもよい、 a〜q、s,t,v,g1〜i1,k1〜m1,o1,q1,s1,u1：０もしくは
１〜５の整数、 r,u,w,x,y,z,a1〜f1,p1,r1,t1,v1〜x1：０もしくは１〜
４の整数、 j1,n1,z1,a2,b2,c2,d2：０もしくは１〜３の整数、 z1,a2,c2,d2のうち少なくとも１つは１以上、 y1：３〜８の整数、 (a+b),(e+f+g),(k+l+m),(q+r+s),(w+x+y),(c1+d1),(g1+
h1+i1+j1),(o1+p1),(s1+t1)≧２、 (j1+n1)≦３、 (r+u),(w+z),(x+a1),(y+b1),(c1+e1),(d1+f1),(p1+r1),
(t1+v1),(x1+w1)≦４ 、但し一般式［Ｖ］の場合は(w+z),(x+a1)≦５、 (a+c),(b+d),(e+h),(f+i),(g+j),(k+n),(l+o),(m+p),(q
+t),(s+v),(g1+k1),(h1+l1),(i1+m1),(o1+q1),(s1+u1)
≦５、 を表す。

【０１５１】

【化８６】

【０１５２】

【化８７】

【０１５３】

【化８８】

【０１５４】

【化８９】

【０１５５】好ましい化合物骨格の具体例を以下に示
す。

【０１５６】

【化９０】

【０１５７】

【化９１】

【０１５８】

【化９２】

【０１５９】

【化９３】

【０１６０】

【化９４】

【０１６１】

【化９５】

【０１６２】

【化９６】

【０１６３】

【化９７】

【０１６４】

【化９８】

【０１６５】

【化９９】

【０１６６】

【化１００】

【０１６７】

【化１０１】

【０１６８】

【化１０２】

【０１６９】

【化１０３】

【０１７０】

【化１０４】

【０１７１】

【化１０５】

【０１７２】

【化１０６】

【０１７３】

【化１０７】

【０１７４】

【化１０８】

【０１７５】化合物（１）〜（６３）中のＲは、水素原
子、

【０１７６】

【化１０９】

【０１７７】を表す。但し、少なくとも２個、もしくは
構造により３個は水素原子以外の基であり、各置換基Ｒ
は同一の基でなくても良い。この場合、該溶解阻止化合
物の含量は、感光性組成物の全重量（溶媒を除く）を基
準として３〜４５重量％、好ましくは５〜３０重量％、
より好ましくは１０〜２０重量％である。

【０１７８】更に、アルカリ溶解性を調節するために、
酸で分解し得る基を有さないアルカリ可溶性樹脂を混合
しても良い。そのようなアルカリ可溶性樹脂としては、
例えばノボラック樹脂、水素化ノボラツク樹脂、アセト
ン−ピロガロール樹脂、ｏ−ポリヒドロキシスチレン、
ｍ−ポリヒドロキシスチレン、ｐ−ポリヒドロキシスチ
レン、水素化ポリヒドロキシスチレン、ハロゲンもしく
はアルキル置換ポリヒドロキシスチレン、ヒドロキシス
チレン−Ｎ−置換マレイミド共重合体、ｏ／ｐ−及びｍ
／ｐ−ヒドロキシスチレン共重合体、ポリヒドロキシス
チレンの水酸基に対する一部Ｏ−アルキル化物（例え
ば、５〜３０モル％のＯ−メチル化物等）もしくはＯ−
アシル化物（例えば、５〜３０モル％のｏ−アセチル化
物等）、スチレン−無水マレイン酸共重合体、スチレン
−ヒドロキシスチレン共重合体、α−メチルスチレン−
ヒドロキシスチレン共重合体、カルボキシル基含有メタ
クリル系樹脂及びその誘導体を挙げることができるが、
これらに限定されるものではない。特に好ましいアルカ
リ可溶性樹脂はノボラック樹脂及びｏ−ポリヒドロキシ
スチレン、ｍ−ポリヒドロキシスチレン、ｐ−ポリヒド
ロキシスチレン及びこれらの共重合体、アルキル置換ポ
リヒドロキシスチレン、ポリヒドロキシスチレンの一部
Ｏ−アルキル化、もしくはＯ−アシル化物、スチレン−
ヒドロキシスチレン共重合体、α−メチルスチレン−ヒ
ドロキシスチレン共重合体である。該ノボラック樹脂は
所定のモノマーを主成分として、酸性触媒の存在下、ア
ルデヒド類と付加縮合させることにより得られる。

【０１７９】所定のモノマーとしては、フェノール、ｍ
−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｏ−クレゾール等のク
レゾール類、２，５−キシレノール、３，５−キシレノ
ール、３，４−キシレノール、２，３−キシレノール等
のキシレノール類、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチル
フェノール、ｏ−エチルフェノール、ｐ−ｔ−ブチルフ
ェノール、ｐ−オクチルフエノール、２，３，５−トリ
メチルフェノール等のアルキルフェノール類、ｐ−メト
キシフェノール、ｍ−メトキシフェノール、３，５−ジ
メトキシフェノール、２−メトキシ−４−メチルフェノ
ール、ｍ−エトキシフェノール、ｐ−エトキシフェノー
ル、ｍ−プロポキシフェノール、ｐ−プロポキシフェノ
ール、ｍ−ブトキシフェノール、ｐ−ブトキシフェノー
ル等のアルコキシフェノール類、２−メチル−４−イソ
プロピルフェノール等のビスアルキルフェノール類、ｍ
−クロロフェノール、ｐ−クロロフェノール、ｏ−クロ
ロフェノール、ジヒドロキシビフェニル、ビスフェノー
ルＡ、フェニルフェノール、レゾルシノール、ナフトー
ル等のヒドロキシ芳香化合物を単独もしくは２種類以上
混合して使用することができるが、これらに限定される
ものではない。

【０１８０】アルデヒド類としては、例えばホルムアル
デヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プ
ロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニルアセ
トアルデヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、β−
フェニルプロピルアルデヒド、ｏ−ヒドロキシベンズア
ルデヒド、ｍ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｐ−ヒド
ロキシベンズアルデヒド、ｏ−クロロベンズアルデヒ
ド、ｍ−クロロベンズアルデヒド、ｐ−クロロベンズア
ルデヒド、ｏ−ニトロベンズアルデヒド、ｍ−ニトロベ
ンズアルデヒド、ｐ−ニトロベンズアルデヒド、ｏ−メ
チルベンズアルデヒド、ｍ−メチルベンズアルデヒド、
ｐ−メチルベンズアルデヒド、ｐ−エチルベンズアルデ
ヒド、ｐ−ｎ−ブチルベンズアルデヒド、フルフラー
ル、クロロアセトアルデヒド及びこれらのアセタール
体、例えばクロロアセトアルデヒドジエチルアセタール
等を使用することができるが、これらの中で、ホルムア
ルデヒドを使用するのが好ましい。これらのアルデヒド
類は、単独でもしくは２種類以上組み合わせて用いられ
る。酸性触媒としては塩酸、硫酸、ギ酸、酢酸、シュウ
酸等を使用することができる。

【０１８１】こうして得られたノボラック樹脂の重量平
均分子量は、１，０００〜３０，０００の範囲であるこ
とが好ましい。１，０００未満では未露光部の現像後の
膜減りが大きく、３０，０００を越えると現像速度が小
さくなってしまう。特に好適なのは２，０００〜２０，
０００の範囲である。また、ノボラック樹脂以外の前記
ポリヒドロキシスチレン、及びその誘導体、共重合体の
重量平均分子量は、２０００以上、好ましくは５０００
〜２０００００、より好ましくは１００００〜１０００
００である。また、レジスト膜の耐熱性を向上させると
いう観点からは、２５０００以上が好ましい。ここで、
重量平均分子量はゲルパーミエーションクロマトグラフ
ィーのポリスチレン換算値をもって定義される。本発明
に於けるこれらのアルカリ可溶性樹脂は２種類以上混合
して使用しても良い。本発明に於けるこれらのアルカリ
可溶性樹脂の組成物中の添加量としては、好ましくは５
〜３０重量％である。

【０１８２】本発明に使用されるその他の成分本発明の
感光性組成物には必要に応じて、更に染料、顔料、可塑
剤、界面活性剤、光増感剤、有機塩基性化合物及び現像
液に対する溶解性を促進させるフエノール性ＯＨ基を２
個以上有する化合物などを含有させることができる。

【０１８３】本発明で使用できるフェノール性ＯＨ基を
２個以上有する化合物は、好ましくは分子量１０００以
下のフェノール化合物である。また、分子中に少なくと
も２個のフェノール性水酸基を有することが必要である
が、これが１０を越えると、現像ラチチュードの改良効
果が失われる。また、フェノ−ル性水酸基と芳香環との
比が０．５未満では膜厚依存性が大きく、また、現像ラ
チチュードが狭くなる傾向がある。この比が１．４を越
えると該組成物の安定性が劣化し、高解像力及び良好な
膜厚依存性を得るのが困難となって好ましくない。

【０１８４】このフェノール化合物の好ましい添加量は
樹脂に対して２〜５０重量％であり、更に好ましくは５
〜３０重量％である。５０重量％を越えた添加量では、
現像残渣が悪化し、また現像時にパターンが変形すると
いう新たな欠点が発生して好ましくない。

【０１８５】このような分子量１０００以下のフェノー
ル化合物は、例えば、特開平４−１２２９３８、特開平
２−２８５３１、米国特許第４９１６２１０、欧州特許
第２１９２９４等に記載の方法を参考にして、当業者に
於て容易に合成することが出来る。フェノール化合物の
具体例を以下に示すが、本発明で使用できる化合物はこ
れらに限定されるものではない。

【０１８６】レゾルシン、フロログルシン、２，３，４
−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４′−
テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，３′，
４′，５′−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、アセト
ン−ピロガロール縮合樹脂、フロログルコシド、２，
４，２′，４′−ビフェニルテトロール、４，４′−チ
オビス（１，３−ジヒドロキシ）ベンゼン、２，２′，
４，４′−テトラヒドロキシジフェニルエーテル、２，
２′，４，４′−テトラヒドロキシジフェニルスルフォ
キシド、２，２′，４，４′−テトラヒドロキシジフェ
ニルスルフォン、トリス（４−ヒドロキシフェニル）メ
タン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロ
ヘキサン、４，４−（α−メチルベンジリデン）ビスフ
ェノール、α，α′，α″−トリス（４−ヒドロキシフ
ェニル）−１，３，５−トリイソプロピルベンゼン、
α，α′，α″−トリス（４−ヒドロキシフェニル）−
１−エチル−４−イソプロピルベンゼン、１，２，２−
トリス（ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１，２−
トリス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）
プロパン、２，２，５，５−テトラキス（４−ヒドロキ
シフェニル）ヘキサン、１，２−テトラキス（４−ヒド
ロキシフェニル）エタン、１，１，３−トリス（ヒドロ
キシフェニル）ブタン、パラ〔α，α，α′，α′−テ
トラキス（４−ヒドロキシフェニル）〕−キシレン等を
挙げることができる。

【０１８７】本発明で用いることのできる好ましい有機
塩基性化合物とは、フェノールよりも塩基性の強い化合
物である。中でも含窒素塩基性化合物が好ましい。好ま
しい化学的環境として、下記式（Ａ）〜（Ｅ）の構造を
挙げることができる。

【０１８８】

【化１１０】

【０１８９】更に好ましい化合物は、一分子中に異なる
化学的環境の窒素原子を２個以上有する含窒素塩基性化
合物であり、特に好ましくは、置換もしくは未置換のア
ミノ基と窒素原子を含む環構造の両方を含む化合物もし
くはアルキルアミノ基を有する化合物である。好ましい
具体例としては、置換もしくは未置換のグアニジン、置
換もしくは未置換のアミノピリジン、置換もしくは未置
換のアミノアルキルピリジン、置換もしくは未置換のア
ミノピロリジン、置換もしくは未置換のインダーゾル、
置換もしくは未置換のピラゾール、置換もしくは未置換
のピラジン、置換もしくは未置換のピリミジン、置換も
しくは未置換のプリン、置換もしくは未置換のイミダゾ
リン、置換もしくは未置換のピラゾリン、置換もしくは
未置換のピペラジン、置換もしくは未置換のアミノモル
フォリン、置換もしくは未置換のアミノアルキルモルフ
ォリン等が挙げられる。好ましい置換基は、アミノ基、
アミノアルキル基、アルキルアミノ基、アミノアリール
基、アリールアミノ基、アルキル基、アルコキシ基、ア
シル基、アシロキシ基、アリール基、アリールオキシ
基、ニトロ基、水酸基、シアノ基である。特に好ましい
化合物として、グアニジン、１，１−ジメチルグアニジ
ン、１，１，３，３，−テトラメチルグアニジン、２−
アミノピリジン、３−アミノピリジン、４−アミノピリ
ジン、２−ジメチルアミノピリジン、４−ジメチルアミ
ノピリジン、２−ジエチルアミノピリジン、２−（アミ
ノメチル）ピリジン、２−アミノ−３−メチルピリジ
ン、２−アミノ−４−メチルピリジン、２−アミノ−５
−メチルピリジン、２−アミノ−６−メチルピリジン、
３−アミノエチルピリジン、４−アミノエチルピリジ
ン、３−アミノピロリジン、ピペラジン、Ｎ−（２−ア
ミノエチル）ピペラジン、Ｎ−（２−アミノエチル）ピ
ペリジン、４−アミノ−２，２，６，６−テトラメチル
ピペリジン、４−ピペリジノピペリジン、２−イミノピ
ペリジン、１−（２−アミノエチル）ピロリジン、ピラ
ゾール、３−アミノ−５−メチルピラゾール、５−アミ
ノ−３−メチル−１−ｐ−トリルピラゾール、ピラジ
ン、２−（アミノメチル）−５−メチルピラジン、ピリ
ミジン、２，４−ジアミノピリミジン、４，６−ジヒド
ロキシピリミジン、２−ピラゾリン、３−ピラゾリン、
Ｎ−アミノモルフォリン、Ｎ−（２−アミノエチル）モ
ルフォリンなどが挙げられるがこれに限定されるもので
はない。

【０１９０】これらの含窒素塩基性化合物は、単独であ
るいは２種以上一緒に用いられる。含窒素塩基性化合物
の使用量は、感光性樹脂組成物（溶媒を除く）１００重
量部に対し、通常、０．００１〜１０重量部、好ましく
は０．０１〜５重量部である。０．００１重量部未満で
は本発明の効果が得られない。一方、１０重量部を超え
ると感度の低下や非露光部の現像性が悪化する傾向があ
る。

【０１９１】好適な染料としては油性染料及び塩基性染
料がある。具体的にはオイルイエロー＃１０１、オイル
イエロー＃１０３、オイルピンク＃３１２、オイルグリ
ーンＢＧ、オイルブルーＢＯＳ，オイルブルー＃６０
３、オイルブラックＢＹ、オイルブラックＢＳ、オイル
ブラックＴ−５０５（以上オリエント化学工業株式会社
製）、クリスタルバイオレット（ＣＩ４２５５５）、メ
チルバイオレット（ＣＩ４２５３５）、ローダミンＢ
（ＣＩ４５１７０Ｂ）、マラカイトグリーン（ＣＩ４２
０００）、メチレンブルー（ＣＩ５２０１５）等を挙げ
ることができる。

【０１９２】さらに、下記に挙げるような分光増感剤を
添加し、使用する光酸発生剤が吸収を持たない遠紫外よ
り長波長領域に増感させることで、本発明の感光性組成
物をｉまたはｇ線に感度を持たせることができる。好適
な分光増感剤としては、具体的にはベンゾフェノン、
ｐ，ｐ’−テトラメチルジアミノベンゾフェノン、ｐ，
ｐ’−テトラエチルエチルアミノベンゾフェノン、２−
クロロチオキサントン、アントロン、９−エトキシアン
トラセン、アントラセン、ピレン、ペリレン、フェノチ
アジン、ベンジル、アクリジンオレンジ、ベンゾフラビ
ン、セトフラビン−Ｔ、９，１０−ジフェニルアントラ
セン、９−フルオレノン、アセトフェノン、フェナント
レン、２−ニトロフルオレン、５−ニトロアセナフテ
ン、ベンゾキノン、２−クロロ−４−ニトロアニリン、
Ｎ−アセチル−ｐ−ニトロアニリン、ｐ−ニトロアニリ
ン、、Ｎ−アセチル−４−ニトロ−１−ナフチルアミ
ン、ピクラミド、アントラキノン、２−エチルアントラ
キノン、２−tert−ブチルアントラキノン１，２−ベン
ズアンスラキノン、３−メチル−１，３−ジアザ−１，
９−ベンズアンスロン、ジベンザルアセトン、１，２−
ナフトキノン、３，３’−カルボニル−ビス（５，７−
ジメトキシカルボニルクマリン）及びコロネン等である
がこれらに限定されるものではない。また、これらの分
光増感剤は、光源の遠紫外光の吸光剤としても使用可能
である。この場合、吸光剤は基板からの反射光を低減
し、レジスト膜内の多重反射の影響を少なくさせること
で、定在波改良の効果を発現する。

【０１９３】本発明の感光性組成物は、上記各成分を溶
解する溶媒に溶かして支持体上に塗布する。ここで使用
する溶媒としては、エチレンジクロライド、シクロヘキ
サノン、シクロペンタノン、２−ヘプタノン、γ−ブチ
ロラクトン、メチルエチルケトン、エチレングリコール
モノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエ
ーテル、２−メトキシエチルアセテート、エチレングリ
コールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリ
コールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノ
メチルエーテルアセテート、トルエン、酢酸エチル、乳
酸メチル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、
エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピル
ビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、Ｎ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロ
リドン、テトラヒドロフラン等が好ましく、これらの溶
媒を単独あるいは混合して使用する。

【０１９４】上記溶媒に界面活性剤を加えることもでき
る。具体的には、ポリオキシエチレンラウリルエーテ
ル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキ
シエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイ
ルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル
類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、
ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリ
オキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシ
エチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー
類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミ
テート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノ
オレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタント
リステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリ
オキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシ
エチレンソルビタンモノパルミテ−ト、ポリオキシエチ
レンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレン
ソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビ
タントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタ
ン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤、エフト
ップＥＦ３０１，ＥＦ３０３，ＥＦ３５２（新秋田化成
（株）製）、メガファックＦ１７１，Ｆ１７３ （大日
本インキ（株）製）、フロラ−ドＦＣ４３０，ＦＣ４３
１（住友スリーエム（株）製）、アサヒガードＡＧ７１
０，サーフロンＳ−３８２，ＳＣ１０１，ＳＣ１０２，
ＳＣ１０３，ＳＣ１０４，ＳＣ１０５，ＳＣ１０６（旭
硝子（株）製）等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロ
キサンポリマーＫＰ３４１（信越化学工業（株）製）や
アクリル酸系もしくはメタクリル酸系（共）重合ポリフ
ローＮｏ．７５，Ｎｏ．９５（共栄社油脂化学工業
（株）製）等を挙げることができる。これらの界面活性
剤の配合量は、本発明の組成物中の固形分１００重量部
当たり、通常、２重量部以下、好ましくは１重量部以下
である。これらの界面活性剤は単独で添加してもよい
し、また、いくつかの組み合わせで添加することもでき
る。

【０１９５】上記感光性組成物を精密集積回路素子の製
造に使用されるような基板（例：シリコン／二酸化シリ
コン被覆）上にスピナー、コーター等の適当な塗布方法
により塗布後、所定のマスクを通して露光し、ベークを
行い現像することにより良好なレジストパターンを得る
ことができる。

【０１９６】本発明の感光性組成物の現像液としては、
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、
ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア
水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルア
ミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−ブチ
ルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチル
ジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノール
アミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン
類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエ
チルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム
塩、ピロール、ピヘリジン等の環状アミン類等のアルカ
リ性水溶液を使用することができる。更に、上記アルカ
リ性水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加し
て使用することもできる。

【０１９７】

【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
するが、本発明の内容がこれにより限定されるものでは
ない。 〔合成例１〕トリフェニルスルホニウムＣｌ塩の４５％
水溶液１９．９ｇ（０．０３０モル）をイオン交換水２
００ｍｌに溶解した。この溶液に下記構造のハード型
（分岐型）ドデシルベンゼンスルホン酸のＮａ塩１０．
５ｇ（０．０３０モル）のイオン交換水４００ｍｌ溶液
を、室温にて撹拌下添加した。析出した粘調固体をデカ
ントにて分離し、イオン交換水１Ｌにて水洗した。得ら
れた粘調固体をアセトン１００ｍｌに溶解し、イオン交
換水５００ｍｌに撹拌下投入して再晶析させた。析出物
を真空下、５０℃にて乾燥した結果、ガラス状固体１
５．５ｇを得た。ＮＭＲ測定により、この固体が本発明
の化合物（Ａ−１−３）であることを確認した。

【０１９８】

【化１１１】

【０１９９】上記と同様に本実施例で使用する一般式
（Ａ−１）〜（Ａ−３）で示される化合物を合成した。

【０２００】〔合成例２〕４，４′−ビス（ジフェニル
スルホニオ）ジフェニルスルフィドＣｌ塩の４５％水溶
液２０．９ｇ（０．０１５モル）をイオン交換水２００
mlに溶解した。この溶液に上位構造のハード型（分岐
型）ドデシルベンゼンスルホン酸のＮａ塩１０．５ｇ
（０．０３０モル）のイオン交換水４００ml溶液を、室
温にて攪拌下添加した。析出した粘調固体をデカントに
て分離し、イオン交換水１Ｌにて水洗した。得られた粘
調固体をアセトン１００mlに溶解し、イオン交換水５０
０mlに攪拌下投入して再晶析させた。析出物を真空下、
５０℃にて乾燥した結果、ガラス状固体１５．９ｇを得
た。ＮＭＲ測定により、この固体が本発明の化合物（Ａ
−４−４）であることを確認した。上記と同様に本実施
例で使用する一般式（Ａ−４）で示される化合物を合成
した。

【０２０１】樹脂の合成例１（ＰＨＳ／ｉＢＥＳ／Ａｃ
Ｓ） ポリ−ｐ−ヒドロキシスチレン（重量平均分子量１１０
００）３６０ｇを脱水ＴＨＦ１８００ｍｌに溶解した。
この溶液にｉ−ブチルビニルエーテル８４．０ｇ及びｐ
−トルエンスルホン酸０．１ｇを加え、室温で６時間反
応した。反応液にピリジン４０ｇを加え、ついで無水酢
酸４２ｇを加えて、室温にて３時間攪拌した。反応液を
水３リットルにに投入し、析出した粉体をろ取、水洗、
乾燥するとｐ−ヒドロキシスチレン／ｐ−（ｉ−ブトキ
シエトキシ）スチレン／アセチルオキシスチレン共重合
体（６５／２０／１５）（重量平均分子量１２０００）
を得た。

【０２０２】樹脂の合成例２（ＰＨＳ／ＴＨＰＳ／Ａｃ
Ｓ） 上記樹脂の合成例１のｉ−ブチルビニルエーテルの代わ
りに２，３−ジヒドロ−４Ｈ−ピランを用いた以外は、
上記樹脂の合成例１と同様にｐ−ヒドロキシスチレン／
ｐ−（２−テトラヒドロピラニルオキシ）スチレン／ア
セトキシスチレン共重合体（６５／２０／１５）重量平
均分子量１２０００を得た。

【０２０３】樹脂の合成例３（ＰＨＳ／ＥＥＳＢ／Ａｃ
Ｓ） 上記樹脂の合成例１のｉ−ブチルビニルエーテルの代わ
りにエチルビニルエーテルを用いた以外は、上記樹脂の
合成例１と同様にｐ−ヒドロキシスチレン／ｐ−（１−
エトキシエトキシ）スチレン／アセトキシスチレン共重
合体（６５／２０／１５）重量平均分子量１２０００を
得た。

【０２０４】樹脂の合成例４（ＰＨＳ／ｉＢＥＳ／Ｃｙ
Ｓ） 上記樹脂の合成例１の無水酢酸の代わりに、シクロヘキ
シルブロミドを用いた以外は、上記樹脂の合成例１と同
様にｐ−ヒドロキシスチレン／ｐ−（ｉ−ブトキシエト
キシ）スチレン／シクロヘキシルオキシスチレン共重合
体（６５／２０／１５）重量平均分子量１２０００を得
た。

【０２０５】樹脂の合成例５（ＰＨＳ／ｉＢＥＳ） ポリｐ−ヒドロキシスチレン（重量平均分子量１１００
０）５００ｇを脱水ＴＨＦ２０００ｍｌに溶解した。こ
の溶液にｉｓｏ−ブチルビニルエーテル１７６ｇ及び脱
水ｐ−トルエンスルホン酸０．１５ｇを加え、室温で１
０時間撹拌した。反応液にトリエチルアミン１６ｇを加
えた後イオン交換水４０ｌの溶液に投入し、析出した粉
体をろ取、水洗、乾燥するとｐ−ヒドロキシスチレン／
ｐ−（１−ｉｓｏ−ブトキシエトキシ）スチレン共重合
体（６０／４０）（重量平均分子量１１５００）を得
た。

【０２０６】樹脂の合成例６（ＰＨＳ／ＥＥＳ） 合成例５と同様の方法を用いてｐ−ヒドロキシスチレン
／ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン共重合体（５
０／５０）（重量平均分子量１１５００）を得た。

【０２０７】実施例１〜１８、比較例１〜６ 上記合成例で示した化合物を用いレジストを調製した。
そのときの処方を下記表１に示す。

【０２０８】

【表１】

【０２０９】表１において使用した略号は下記の内容を
示す。 ＜ポリマー＞（ ）内はモル比 ＰＨＳ／ｉＢＥＳ／ＡｃＳ： ｐ−ヒドロキシスチレン
／ｐ−（１−ｉｓｏ−ブトキシエトキシ）スチレン／ア
セトキシスチレン共重合体（６５／２０／１５）重量平
均分子量１２０００ ＰＨＳ／ｉＢＥＳ／ＣｙＳ： ｐ−ヒドロキシスチレン
／ｐ−（１−ｉｓｏ−ブトキシエトキシ）スチレン／シ
クロヘキシルオキシスチレン共重合体（６５／２０／１
５）重量平均分子量１２０００ ＰＨＳ／ＴＨＰＳ／ＡｃＳ： ｐ−ヒドロキシスチレン
／ｐ−（２−テトラヒドロピラニルオキシ）スチレン／
アセトキシスチレン共重合体（６５／２０／１５）重量
平均分子量１２０００ ＰＨＳ／ＥＥＳＢ／ＡｃＳ： ｐ−ヒドロキシスチレン
／ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン／アセトキシ
スチレン共重合体（６５／２０／１５）重量平均分子量
１２０００ ＰＨＳ／ｉＢＥＳ： ｐ−ヒドロキシスチレン／ｐ−
（１−ｉｓｏ−ブトキシエトキシ）スチレン共重合体
（６０／４０）重量平均分子量１１５００ ＰＨＳ／ＥＥＳ： ｐ−ヒドロキシスチレン／ｐ−
（１−エトキシエトキシ）スチレン共重合体（５０／５
０）重量平均分子量１１５００

【０２１０】＜比較例の光酸発生剤＞ ＤｃｙＤａｚＤＳｆ：ジシクロヘキシルジアゾジスルホ
ン ＤｐｈＤａｚＤＳｆ：ジフェニルジアゾジスルホン ＜溶解阻止剤中酸分解性基＞ ＴＢＭＥ：ｔ−ブチルカルボニルオキシメチル基 ＴＢＯＣ：ｔ−ブチルカルボニルオキシ基 ［感光性組成物の調製と評価］表１に示す各素材に４−
ジメチルアミノピリジン０．０２ｇを加え、プロピレン
グリコールモノメチルエーテルアセテート９．５ｇに溶
解し、０．２μｍのフィルターで濾過してレジスト溶液
を作成した。このレジスト溶液を、スピンコーターを利
用して、シリコンウエハー上に塗布し、１１０℃９０秒
間真空吸着型のホットプレートで乾燥して、膜厚０．８
３μｍのレジスト膜を得た。このレジスト膜に、２４８
ｎｍＫｒＦエキシマレーザーステツパー（ＮＡ＝０．４
２）を用いて露光を行った。露光直後にそれぞれ１００
℃の真空吸着型ホットプレートで６０秒間加熱を行い、
ただちに２．３８％テトラメチルアンモニウムハイドロ
オキサイド（ＴＭＡＨ）水溶液で６０秒間浸漬し、３０
秒間水でリンスして乾燥した。このようにして得られた
シリコンウエハー上のパターンのプロファイル、感度、
解像力を各々下記のように評価し、比較した。その結果
を下記表２に示す。

【０２１１】〔プロファイル〕このようにして得られた
シリコンウエハー上のパターンを走査型電子顕微鏡で観
察し、レジストのプロファイルを評価した。 〔感度〕感度は０．４０μｍのマスクパターンを再現す
る露光量をもって定義した。 〔解像力〕解像力は０．４０μｍのマスクパターンを再
現する露光量における限界解像力を表す。

【０２１２】

【表２】

【０２１３】表２の結果から本発明のレジストは、良好
なプロファイルと高感度、高解像力を有するポジ型感光
性組成物であることがわかる。

【０２１４】

【発明の効果】本発明の化学増幅型のポジ型感光性組成
物により、高解像力を有し、且つ良好なプロファイルと
高感度であるポジ型感光性組成物を提供することができ
る。

フロントページの続き (72)発明者 上西 一也 静岡県榛原郡吉田町川尻4000番地 富士写 真フイルム株式会社内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （ａ）活性光線または放射線の照射によ
   り、スルホン酸を発生する下記一般式（Ａ−１）、（Ａ
   −２）、（Ａ−３）、（Ａ−４）、（Ａ−５）、（Ａ−
   ６）及び（Ａ−７）で表される化合物のうち少なくとも
   １種、及び（ｂ）下記一般式（Ｉ）、一般式（II）及び
   一般式(III) で表される構造の繰り返し単位を含む、酸
   の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増
   大する樹脂、を含有することを特徴とするポジ型感光性
   組成物。 【化１】 式（Ａ−１）、（Ａ−２）中、Ｒ₁ 〜Ｒ₅ は各々水素原
   子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、ヒ
   ドロキシ基、ハロゲン原子、又は−Ｓ−Ｒ₆ 基を示す。
   Ｒ₆ はアルキル基、又はアリール基を示す。Ｘ^- は、分
   岐状又は環状の炭素数８個以上のアルキル基及びアルコ
   キシ基の群の中から選ばれる基を少なくとも１個有する
   か、直鎖状、分岐状又は環状の炭素数４〜７個のアルキ
   ル基及びアルコキシ基の群の中から選ばれる基を少なく
   とも２個有するか、もしくは直鎖状又は分岐状の炭素数
   １〜３個のアルキル基及びアルコキシ基の群の中から選
   ばれる基を少なくとも３個有するベンゼンスルホン酸、
   ナフタレンスルホン酸又はアントラセンスルホン酸のア
   ニオンを示す。 【化２】 式（Ａ−３）中、Ｒ₇ 〜Ｒ₁₀は各々水素原子、アルキル
   基、シクロアルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、
   又はハロゲン原子を示す。Ｘ^- は、分岐状又は環状の炭
   素数８個以上のアルキル基及びアルコキシ基の群の中か
   ら選ばれる基を少なくとも１個有するか、直鎖状、分岐
   状又は環状の炭素数４〜７個のアルキル基及びアルコキ
   シ基の群の中から選ばれる基を少なくとも２個有する
   か、もしくは直鎖状又は分岐状の炭素数１〜３個のアル
   キル基及びアルコキシ基の群の中から選ばれる基を少な
   くとも３個有するベンゼンスルホン酸、ナフタレンスル
   ホン酸又はアントラセンスルホン酸のアニオンを示す。
   ｍ、ｎ、ｐ及びｑは、各々１〜３の整数を示す。 【化３】 式（Ａ−４）中、Ｒ₁₁〜Ｒ₁₃は、同じでも異なっていて
   もよく、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ア
   ルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子又は−Ｓ−Ｒ
   ₆ 基を示す。Ｒ₆ 、Ｘ^- は前記と同義である。ｌ、ｍ及
   びｎは、同じでも異なってもよく、１〜３の整数を示
   す。ｌ、ｍ及びｎが各々２又は３の場合、２〜３個のＲ
   ₁₁〜Ｒ₁₃のうちの各々の２個が互いに結合して、炭素
   環、複素環又は芳香環を含む５〜８個の元素から成る環
   を形成しても良い。 【化４】 式（Ａ−５）中、Ｒ₁₄〜Ｒ₁₆は、同じでも異なってもよ
   く、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコ
   キシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子又は−Ｓ−Ｒ₆ 基
   を示す。Ｒ₆ 、Ｘ^- は前記と同義である。ｌ、ｍ及びｎ
   は、同じでも異なってもよく、１〜３の整数を示す。
   ｌ、ｍ及びｎが各々２又は３の場合、２〜３個のＲ₁₄〜
   Ｒ₁₆のうちの各々の２個が互いに結合して、炭素環、複
   素環又は芳香環を含む５〜８個の元素から成る環を形成
   しても良い。 【化５】 式（Ａ−６）中、Ｙは置換基を有していてもよい直鎖、
   分岐、環状アルキル基、置換されていてもよいアラルキ
   ル基、 【化６】 で表される基を示す（Ｒ₃₁〜Ｒ₅₁は同一でも異なってい
   てもよく水素原子、置換基を有していてもよい直鎖、分
   岐、環状アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシル
   アミノ基、スルホニルアミノ基、アリール基、アシロキ
   シ基、アラルキル基もしくはアルコキシカルボニル基、
   又はホルミル基、ニトロ基、塩素原子、臭素原子、ヨウ
   素原子、水酸基、もしくはシアノ基を示し、Ｒ₃₁〜
   Ｒ₃₅、Ｒ₃₆〜Ｒ ₄₂及びＲ₄₃〜Ｒ₅₁はそれぞれの群のうち
   の２つが結合して炭素及び／又はヘテロ原子からなる５
   〜８員環を形成していもよい）。また、Ｙは別のイミド
   スルホネート化合物の残基と結合していてもよい。Ｘは
   置換基を有していてもよい直鎖、分岐アルキレン基、置
   換基を有していてもよくヘテロ原子を含んでいてもよい
   単環又は多環環状アルキレン基、置換されていてもよい
   直鎖、分岐アルケニレン基、置換されていてもよくヘテ
   ロ原子を含んでいてもよい単環又は多環環状アルケニレ
   ン基、置換されていてもよいアリーレン基、置換されて
   いてもよいアラルキレン基を示す。また、Ｘは別のイミ
   ドスルホネート残基と結合していてもよい。 Ａｒ₁ −ＳＯ₂ −ＳＯ₂ −Ａｒ₂ （Ａ−７） 式（Ａ−７）中、Ａｒ₁ 、Ａｒ₂ は各々独立に置換もし
   くは未置換のアリール基を示す。 【化７】 式（Ｉ）〜(III）中、Ｒ₂₁は水素原子又はメチル基を表
   し、Ｒ₂₂は酸の作用により分解する基を表し、Ｒ₂₃は酸
   の作用により分解しない基を表し、Ｒ₂₄は水素原子、ハ
   ロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、
   アシル基又はアシロキシ基を表す。ｎは１〜３の整数を
   表す。
2. 【請求項２】 前記一般式（II）で示される繰り返し構
   造単位が、下記一般式（II−Ａ）で示される繰り返し構
   造単位であることを特徴とする請求項１に記載のポジ型
   感光性組成物。 【化８】 式（II−Ａ）中、Ｒ₅₂は水素原子、置換されていてもよ
   い直鎖、分岐、環状アルキル基又は置換されていてもよ
   いアラルキル基を表す。Ａは、置換されていてもよい直
   鎖、分岐、環状アルキル基、又は置換されていてもよい
   アラルキル基を表す。また、ＡとＲ₅₂が結合して５〜６
   員環を形成してもよい。
3. 【請求項３】 酸により分解し得る基を有し、アルカリ
   現像液中での溶解度が酸の作用により増大する、分子量
   ３０００以下の低分子酸分解性溶解阻止化合物を含有す
   ることを特徴とする請求項１又は２に記載のポジ型感光
   性組成物。